CN105705308B - 脱模膜、以及半导体封装体的制造方法 - Google Patents

脱模膜、以及半导体封装体的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种在用固化性树脂密封半导体元件时脱模性优良、可抑制脱模膜导致的树脂密封部和模具的污染、并且可形成与墨水层的密合性优良的树脂密封部的脱模膜，以及使用该脱模膜的半导体封装体的制造方法。本发明的脱模膜是在将半导体元件配置在模具内、用固化性树脂进行密封形成树脂密封部的半导体封装体的制造方法中配置于模具的内腔面的脱模膜，其中，具备在上述树脂密封部的形成时与上述固化性树脂接触的第1面和与上述内腔面接触的第2面，至少上述第1面由氟树脂构成，在特定的试验法中的F/Al为0.2～4或F/(C+F+O)为0.1～0.3。

Description

脱模膜、以及半导体封装体的制造方法
技术领域
本发明涉及在将半导体元件配置在模具内、用固化性树脂进行密封形成树脂密封部的半导体封装体的制造方法中配置于模具的内腔面的脱模膜、以及使用该脱模膜的半导体封装体的制造方法。
背景技术
半导体封装体具有保护半导体元件的树脂密封部。在树脂密封部的形成(半导体元件的密封)中，使用环氧树脂等热固化性树脂等固化性树脂。
作为半导体封装体的制造方法，例如已知包括利用所谓压缩成形法或传递成形法的密封工序的方法，所述压缩成形法或传递成形法是将安装有半导体元件的基板以使该半导体元件位于模具的内腔内的规定位置的方式进行配置，在内腔内填充固化性树脂形成树脂密封部。该方法中，为了防止密封工序中密封树脂和模具粘接，提高脱模性，因此实施在固化性树脂中掺合脱模剂、在模具的内腔面上配置脱模膜等对策。
在半导体元件的密封工序中，即使配置脱模膜，也存在从固化性树脂产生的气体(放出气体)或低粘度物质穿透脱模膜与高温的模具接触而污染模具的问题。此外，脱模膜随模具的内腔面的配置是用真空使该脱模膜吸附支持在模具面上来进行的，但是脱模膜中的低聚物等挥发性成分可能会迁移至上述被吸附的模具侧，引起模具污染。如果发生模具污染，则为了清洗模具而不得不暂停半导体元件的密封工序，半导体封装体的生产效率下降。
针对这样的问题，提出了以下的(1)～(2)的脱模膜(专利文献1～2)。
(1)一种气体阻隔性半导体树脂模具用脱模膜，具有脱模性优良的脱模层和对其进行支持的塑料支持层，上述塑料支持层的170℃下的200％拉伸时强度为1～50MPa，且170℃下的二甲苯气体穿透性在5×10-15(kmol·m/(s·m2·kPa))以下。
(2)一种气体阻隔性半导体树脂模具用脱模膜，具有脱模性优良的脱模层、对其进行支持的塑料支持层和形成于该脱模层和支持层之间的由金属或金属氧化物构成的气体穿透抑制层，且170℃下的二甲苯气体穿透性在5×10-15(kmol·m/(s·m2·kPa))以下。
(1)～(2)的脱模膜通过使二甲苯气体穿透性在5×10-15(kmol·m/(s·m2·kPa))以下，可减少放出气体或低粘度物质导致的模具污染。
(1)～(2)的脱模膜中，脱模层为了对固化后的模具树脂(树脂密封部)赋予足够的脱模性，至少被设于与被注入模具内的模具树脂接触的面。作为脱模层，使用由氟树脂构成的层。
此外，在半导体封装体的制造中，为了表示制品编号、制造商等信息，通常在形成的树脂密封部的表面上通过使用墨水的印刷来形成墨水层。
但是，在将脱模剂掺合在固化性树脂中的情况下，由于形成的树脂密封部的表面上存在脱模剂，因此树脂密封部和墨水层的密合性低，产生随着时间墨水层从树脂密封部剥落的问题。因此需要实施某些处理来防止密合性的下降(例如专利文献3)，制造工序变多。
在固化性树脂中不掺合脱模剂、在模具的内腔面上配置脱模膜的情况下，不会产生脱模剂导致的问题，但树脂密封部和墨水层的密合性不足。
为了提高树脂密封部和墨水层的密合性，提出了使用在表面上形成凹凸、增大表面粗度的脱模膜，以将该凹凸朝着固化性树脂侧的方式配置在模具上而形成树脂密封部的方案(例如专利文献4)。在该情况下，脱模膜表面的凹凸被转印在树脂密封部的表面上。通过存在该凹凸，来提高墨水层对树脂密封部的密合性。
对于脱模膜，在脱模性之外，还要求可耐受成形时的模具温度的耐热性，可耐受密封树脂的流动和加压力的强度等。由于这些特性优良，提出了将氟树脂膜作为脱模膜使用(例如专利文献5)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2007/125834号
专利文献2：国际公开第2008/020543号
专利文献3：日本专利第2803744号公报
专利文献4：日本专利第3970464号公报
专利文献5：国际公开第2010/079812号
发明内容
发明所要解决的技术问题
本发明人发现，专利文献1～2中记载的脱模膜中的氟树脂层的氟树脂和专利文献5中记载的氟树脂膜中的氟树脂中大多含有来源于该氟树脂的含氟低聚物和除此以外的低分子量的含氟化合物(以下，将这些称为来源于氟树脂的低聚物等。)，这样的来源于氟树脂的低聚物等有成为污染物质、产生问题之虞。
即，根据本发明人的研究，在使用专利文献1～2中记载的脱模膜的情况下，在密封工序中发现存在由于脱模膜的脱模层的来源于氟树脂的低聚物等而树脂密封部被污染的问题。此外，虽然专利文献1～2中还提出了将脱模层设于脱模膜的模具侧的方案，但在该情况下，发现存在不仅是树脂密封部、模具也由于脱模层的来源于氟树脂的低聚物等而被污染的问题。
根据本发明人的研究，还发现在使用氟树脂膜作为脱模膜的情况下，密封工序中存在脱模膜的来源于氟树脂的低聚物等附着在树脂密封部的表面而使树脂密封部和墨水层的密合性下降的问题。
本发明的目的在于提供一种在用固化性树脂密封半导体元件时脱模性优良、且可抑制脱模膜导致的树脂密封部的污染、可形成与墨水层的密合性优良的树脂密封部的脱模膜，以及使用该脱模膜的半导体封装体的制造方法。
解决技术问题所采用的技术方案
本发明提供具有以下的[1]～[14]的构成的脱模膜、以及半导体封装体的制造方法。
[1]一种脱模膜，它是在将半导体元件配置在模具内、用固化性树脂进行密封形成树脂密封部的半导体封装体的制造方法中配置于模具的内腔面的脱模膜，其中，具备在上述树脂密封部的形成时与上述固化性树脂接触的第1面和与上述内腔面接触的第2面，至少上述第1面由氟树脂构成，下述试验法A中的F/Al为0.2～4，或下述试验法B中的F/(C+F+O)为0.1～0.3。
<试验法A>
以使上述第1面和上述铝板接触的方式依次将厚度1mm的厚纸、脱模膜、厚度0.1mm的由JIS H4160中的A1N30H-H18材料构成的铝板、厚度1mm的厚纸重叠，在180℃、5MPa的条件下加压5分钟，将上述脱模膜从上述铝板剥离，通过X射线光电子能谱分析对上述铝板的与上述脱模膜接触的表面进行分析，求出氟原子和铝原子的比(F/Al)。
<试验法B>
在厚度3mm、大小15cm×15cm的正方形第一金属板之上，放置厚度100μm、大小15cm×15cm的正方形铝箔，在上述铝箔之上，放置厚度100mm、大小15cm×15cm的正方形的在中央开有10cm×8cm的长方形的孔的间隔物，在该孔的中心附近放置2g的下述环氧树脂，进一步在其上以上述第1面向着上述间隔物侧的方式放置大小15cm×15cm的正方形的脱模膜，再在该脱模膜上放置厚度3mm、大小15cm×15cm的正方形第二金属板，制造层叠样品。将上述层叠样品以180℃、10MPa的条件加压5分钟，使上述环氧树脂固化。加压后，除去上述第二金属板、上述脱模膜以及上述间隔物，通过X射线光电子能谱分析对上述环氧树脂的固化物的与上述脱模膜接触的表面进行分析，求出氟原子与碳原子、氟原子、氧原子之和的比(F/(C+F+O))。
环氧树脂：半导体密封用环氧颗粒树脂，商品名：SUMIKON EME G770H type Fver.GR，住友电木株式会社(住友ベークライト社)制。
[2]如[1]的脱模膜，其厚度为16～200μm。
[3]如[1]或[2]的脱模膜，其是由上述氟树脂构成的单层构造的膜。
[4]如[1]～[3]中任一项所述的脱模膜，其中，上述氟树脂为氟代烯烃类聚合物。
[5]如[4]的脱模膜，其中，上述氟代烯烃类聚合物为乙烯/四氟乙烯共聚物。
[6]如[5]的脱模膜，其中，上述乙烯/四氟乙烯共聚物由基于四氟乙烯的单元、和基于乙烯的单元、和基于四氟乙烯以及乙烯以外的第三单体的单元构成，
上述乙烯/四氟乙烯共聚物中的基于四氟乙烯的单元和基于乙烯的单元的摩尔比(TFE/E)为80/20～40/60。
[7]如[5]或[6]的脱模膜，其中，上述乙烯/四氟乙烯共聚物由基于四氟乙烯的单元、和基于乙烯的单元、和基于四氟乙烯以及乙烯以外的第三单体的单元构成，
在上述乙烯/四氟乙烯共聚物的全部单元中，基于四氟乙烯的单元为40～69.7摩尔％，基于乙烯的单元为30～59.7摩尔％，基于上述第三单体的单元为0.3～1.7摩尔％。
[8]如[6]或[7]的脱模膜，其中，上述第三单体为六氟丙烯、全氟(丙基乙烯基醚)、(全氟乙基)乙烯或(全氟丁基)乙烯。
[9]如[6]或[7]的脱模膜，其中，上述第三单体为(全氟丁基)乙烯。
[10]如[5]～[9]中任一项所述的脱模膜，其特征在于，上述乙烯/四氟乙烯共聚物的熔体流动速率(MFR)为2～40g/10分钟。
[11]如[4]的脱模膜，其中，上述氟代烯烃类聚合物为全氟(烷基乙烯基醚)/四氟乙烯共聚物。
[12]如[1]～[11]中任一项所述的脱模膜，其中，上述脱模膜由通过使氟树脂膜与溶剂接触而减少了被溶剂提取的成分的氟树脂膜构成。
[13]一种半导体封装体的制造方法，它是具有半导体元件和由固化性树脂形成的用于密封上述半导体元件的树脂密封部的半导体封装体的制造方法，其中，具备
将[1]～[12]中任一项所述的脱模膜以上述第1面向着内腔内的空间的方式配置在模具的接触上述固化性树脂的内腔面上的工序，和
在上述内腔内配置安装有半导体元件的基板并用固化性树脂将该半导体元件密封，使该固化性树脂在与上述脱模膜接触的状态下固化来形成树脂密封部，藉此得到具有基板和安装于上述基板上的半导体元件和用于密封上述半导体元件的树脂密封部的密封体的工序，和
将上述密封体从上述模具脱模的工序。
[14]一种半导体封装体的制造方法，它是具有半导体元件、由固化性树脂形成的用于密封上述半导体元件的树脂密封部、和形成于上述树脂密封部的表面的墨水层的半导体封装体的制造方法，其中，具备
将[1]～[12]中任一项所述的脱模膜以上述第1面向着内腔内的空间的方式配置在模具的接触上述固化性树脂的内腔面上的工序，和
在上述内腔内配置安装有半导体元件的基板并用固化性树脂将该半导体元件密封，使该固化性树脂在与上述脱模膜接触的状态下固化来形成树脂密封部，藉此得到具有基板和安装于上述基板上的半导体元件和用于密封上述半导体元件的树脂密封部的密封体的工序，和
将上述密封体从上述模具脱模的工序，和
在上述密封体的树脂密封部的与上述脱模膜接触的面上使用墨水形成墨水层的工序。
发明的效果
如果采用本发明的脱模膜，则在用固化性树脂密封半导体元件时脱模性优良，且可抑制脱模膜所导致的树脂密封部和模具的污染。另外，还可形成与墨水层的密合性优良的树脂密封部。
本发明的半导体封装体的制造方法中，在用固化性树脂密封半导体元件时脱模性优良，且可抑制脱模膜所导致的树脂密封部和模具的污染。另外，还可在该树脂密封部以优良的密合性形成墨水层。因此，如果采用本发明的半导体封装体的制造方法，则可制造墨水层不易从树脂密封部剥落的半导体封装体。
附图说明
图1是表示通过本发明的半导体封装体的制造方法而制造的半导体封装体的一例的简单剖视图。
图2是示意地说明本发明的半导体封装体的制造方法的第一实施方式中的工序(α3)的剖视图。
图3是示意地说明本发明的半导体封装体的制造方法的第一实施方式中的工序(α4)的剖视图。
图4是示意地说明本发明的半导体封装体的制造方法的第一实施方式中的工序(α4)的剖视图。
图5是表示用于本发明的半导体封装体的制造方法的第二实施方式的模具的一例的剖视图。
图6是表示本发明的半导体封装体的制造方法的第二实施方式中的工序(β1)的剖视图。
图7是表示本发明的半导体封装体的制造方法的第二实施方式中的工序(β2)的剖视图。
图8是表示本发明的半导体封装体的制造方法的第二实施方式中的工序(β3)的剖视图。
图9是表示本发明的半导体封装体的制造方法的第二实施方式中的工序(β4)的剖视图。
图10是表示本发明的半导体封装体的制造方法的第二实施方式中的工序(β5)的剖视图。
具体实施方式
本说明书中的“脱模膜”在将半导体元件配置在模具内、用固化性树脂密封来形成树脂密封部的半导体封装体的制造方法中配置于模具的内腔面的脱模膜。例如是在形成半导体封装体的树脂密封部时，通过以覆盖模具的内腔面的方式配置并位于形成的树脂密封部和内腔面之间来提高得到的半导体封装体的从模具的脱模性的膜；所述模具是指具有与该树脂密封部的形状对应的形状的内腔的模具。
树脂中的“单元”表示构成该树脂的构成单元(单体单元)。
“氟树脂”表示在结构中包括氟原子的树脂。
本说明书中的“算术平均粗度(Ra)”是基于JIS B0601：2013(ISO4287：1997,Amd.1：2009)测定的算术平均粗度。求出Ra时的粗度曲线用的基准长度lr(边界值λc)为0.8mm，测定速度设为1.5mm/秒。
本说明书中的“中值粒径”是以JIS Z8825：2013(ISO13320：2009)为标准，使用激光衍射式粒度分布测定装置测定的粒径的累积分布达到50％的粒径的值。
脱模膜的厚度以ISO4591：1992(JIS K7130：1999的B1法，根据由塑料膜或片材采集的试样的质量法的厚度的测定方法)为标准进行测定。
[脱模膜]
本发明的脱模膜是配置于用固化性树脂密封半导体元件、形成树脂密封部的模具的内腔面的脱模膜，具有在上述树脂密封部的形成时与上述固化性树脂接触的第1面和与上述内腔面接触的第2面。
即，本发明的脱模膜的第1面向着上述模具的内腔内的空间配置，在树脂密封部的形成时与固化性树脂接触。此外，此时，第2面与模具的内腔面密合。因此，通过在该状态下使固化性树脂固化，可形成与模具的内腔的形状对应的形状的树脂密封部。
本发明的脱模膜从脱模性的方面考虑，至少第1面由氟树脂构成。藉此，可在与该脱模膜接触的状态下将固化的固化性树脂(树脂密封部)从脱模膜顺利地剥离。
作为第1面由氟树脂构成的脱模膜，只要在至少第1面侧的最外层上包括由氟树脂构成的层(以下，称为氟树脂层。)即可，例如可例举由氟树脂构成的膜，包括1层以上的氟树脂层和由1层以上的氟树脂以外的树脂构成的层(以下，称为其他层。)、至少在第1面侧的最外层配置有氟树脂层的多层构造的膜等。
作为包括其他层的多层构造的膜的例子，可例举从第1面侧起依次层叠氟树脂层和其他层者，从第1面侧起依次层叠氟树脂层、其他层、氟树脂层者等。
对于氟树脂层、其他层，分别在之后详细说明。
本发明的脱模膜优选由氟树脂构成。在由氟树脂构成的情况下，本发明的脱模膜的脱模性优良，此外，具有足够的可耐受成形时的模具的温度(典型的是150～180℃)的耐热性、可耐受固化性树脂的流动和加压力的强度等，在高温中的拉伸也优良。
由氟树脂构成的脱模膜可以是由1层的氟树脂层构成的单层构造的膜，也可以是由多个的氟树脂层构成的多层构造的膜。
如果脱模膜是多层构造，则与单层构造相比，有随动性、拉伸强度等物性下降，作为脱模膜的适性下降的倾向。此外，制造上也消耗成本。因此，本发明的脱模膜特别优选由氟树脂构成的单层构造的膜。
本发明的脱模膜在下述试验法A中的F/Al为0.2～4，或下述试验法B中的F/(C+F+O)为0.1～0.3。
<试验法A>
以使上述第1面和上述铝板接触的方式依次将厚度1mm的厚纸、脱模膜、厚度0.1mm的由JIS H4160中的A1N30H-H18材料构成的铝板、厚度1mm的厚纸重叠，在180℃、5MPa的条件下加压5分钟，将上述脱模膜从上述铝板剥离，通过X射线光电子能谱分析对上述铝板的与上述脱模膜接触的表面进行分析，求出氟原子和铝原子的比(F/Al)。
F/Al是表示来源于脱模膜中的氟树脂的、成为模具或树脂密封部的污染的原因的低聚物等(以下，称为污染成分。)的量的指标。如果在上述的条件下进行加压，则脱模膜中所含的污染成分迁移至脱模膜的表面，再从该表面迁移至铝板。F/Al越小，则表示加压时从脱模膜迁移至铝板表面的污染成分的量，乃至用固化性树脂密封半导体元件、形成树脂密封部时的在高温环境下从脱模膜迁移至模具的内腔面和树脂密封部表面的污染成分的量越少。如果F/Al在4以下，则可充分抑制来源于脱模膜的污染成分所导致的模具的内腔面和树脂密封部表面的被污染。
作为污染成分，可例举来源于氟树脂的低聚物等低分子量的含氟化合物。
F/Al的上限值从模具和树脂密封部表面的污染抑制效果的方面考虑，优选3.5，更优选3.3，特别优选3。如果F/Al的下限值为0.2则污染成分体现出作为与模具的脱模层的效果。
通过上述试验法A测定的F/Al是第1面中的F/Al。
在脱模膜为单层构造的膜的情况下，优选第1面的F/Al和第2面的F/Al相同。虽然第1面的F/Al和第2面的F/Al可以不同，但从防止来源于氟树脂的低聚物等所导致的模具污染的方面考虑，第2面的F/Al也优选4以下，更优选3.5以下，进一步优选3.3以下，特别优选3以下。第2面的下限值可以是0，优选0.2。
在脱模膜为多层构造的膜的情况下，第1面的F/Al和第2面的F/Al可以相同或不同。从防止来源于氟树脂的低聚物等所导致的模具污染的方面考虑，第2面的F/Al也优选4以下，更优选3.5以下，进一步优选3.3以下，特别优选3以下。第2面的下限值可以是0，优选0.2。
<试验法B>
在厚度3mm、大小15cm×15cm的正方形第一金属板之上，放置厚度100μm、大小15cm×15cm的正方形铝箔，在上述铝箔之上，放置厚度100mm、大小15cm×15cm的正方形的在中央开有10cm×8cm的长方形的孔的间隔物，在该孔的中心附近放置2g的下述环氧树脂，进一步在其上以上述第1面向着上述间隔物侧的方式放置大小15cm×15cm的正方形的脱模膜，再在该脱模膜上放置厚度3mm、大小15cm×15cm的正方形第二金属板，制造层叠样品。将上述层叠样品以180℃、10MPa的条件加压5分钟，使上述环氧树脂固化。加压后，除去上述第二金属板、上述脱模膜以及上述间隔物，通过X射线光电子能谱分析对上述环氧树脂的固化物的与上述脱模膜接触的表面进行分析，求出氟原子与碳原子、氟原子、氧原子之和的比(F/(C+F+O))。另外，此处C、F、O分别由C1s、F1s、O1s的峰的面积求出。
环氧树脂：半导体密封用环氧颗粒树脂，商品名：SUMIKON EME G770H type Fver.GR，住友电木株式会社(住友ベークライト社)制。
F/(C+F+O)是表示来源于脱模膜中的氟树脂的、成为树脂密封部的污染的原因的低聚物等的量的指标。如果在上述的条件下进行加压，则上述层叠样品内的环氧树脂固化，形成与铝箔和间隔物和脱模膜所围成的空间对应的形状的固化物(厚度0.1mm、大小10cm×8cm的环氧树脂板)。此外，与此同时，脱模膜中所含的污染成分迁移至脱模膜的表面，从该表面迁移至所形成的固化物的表面。
F/(C+F+O)优选0.15～0.28，特别优选0.18～0.25。
F/(C+F+O)越小，则表示加压时从脱模膜迁移至固化物表面的污染成分的量，乃至用固化性树脂密封半导体元件、形成树脂密封部时的在高温环境下从脱模膜迁移至树脂密封部表面的污染成分的量越少。如果F/(C+F+O)在上述范围的上限值以下，则可充分抑制来源于脱模膜的污染成分所导致的树脂密封部表面的被污染。
另一方面，上述污染成分可提高脱模膜和环氧树脂的脱模性，即作为所谓的WBL(Weak Boundary Layer，弱界面层)起作用。如果使F/(C+F+O)极端减少，则脱模膜和环氧树脂的脱模性有可能变得不足。在玻璃化温度低、容易密合的环氧树脂中特别显著。如果F/(C+F+O)在上述范围的下限值以上，则脱模膜和环氧树脂的脱模性优良。
通过上述试验法B测定的F/(C+F+O)是第1面中的F/(C+F+O)。
在脱模膜为单层构造的膜的情况下，优选第1面的F/(C+F+O)和第2面的F/(C+F+O)相同。第1面的F/(C+F+O)和第2面的F/(C+F+O)可以不同，但从防止来源于氟树脂的低聚物等所导致的模具的内腔面的污染的方面考虑，第2面的F/(C+F+O)优选0.3以下，更优选0.28以下，特别优选0.25以下。下限值可以是0，优选0.1。
在脱模膜为多层构造的膜的情况下，第1面的F/(C+F+O)和第2面的F/(C+F+O)可以相同或不同。从防止来源于氟树脂的低聚物等所导致的模具的内腔面的污染的方面考虑，第2面的F/(C+F+O)优选0.3以下，更优选0.28以下，特别优选0.25以下。下限值可以是0，优选0.1。
另外，试验法B中使用的上述环氧树脂(商品名：SUMIKON EME G770H type Fver.GR，住友电木株式会社制。)是通过超级混合机将以下的原材料粉碎、混合5分钟，进行颗粒化而得的。
含有亚苯基骨架的苯酚芳烷基型环氧树脂(日本化药株式会社(日本化薬社)制，NC-3000。软化点58℃，环氧当量277。)：8质量份
双酚A型环氧树脂(日本环氧树脂株式会社(ジャパンエポキシレジン社)制，YL6810。熔点45℃，环氧当量172。)：2质量份
含有亚苯基骨架的苯酚芳烷基树脂(三井化学株式会社(三井化学社)制，XLC-4L。软化点65℃，羟基当量165。)：2质量份
苯酚酚醛清漆树脂(住友电木株式会社制，PR-HF-3。软化点80℃，羟基当量105。)：2质量份
固化促进剂(三苯基膦)：0.2质量份
无机填充材料(中值粒径16μm的熔融球状二氧化硅)：84质量份
巴西棕榈蜡：0.1质量份
炭黑：0.3质量份
偶联剂(3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷)：0.2质量份
另外，中值粒径可通过以下的方法进行测定。
在亚苏旺株式会社(アズワン社)制实验室螺杆管瓶(日文：ラボランスクリュー管瓶)50mL(商品名：口内径20.3mm，全长35mm)中添加熔融球状二氧化硅0.08g、纯水40g，进行超声波分散。在超声波分散中使用必能信公司(BRABSON社)制SONIFIRE250(商品名)，将前端径12.5mm、全长7cm的尖端型探头(日文：タップ型ホーン)的自前端起3cm浸在上述测定液中，以频率20kHz、输出50W进行4分钟分散。对该分散液使用贝克曼库尔特公司(ベックマン·コールター社)制激光衍射散射法粒度分布测定装置“BECKMAN COULTER LS230(商品名)”，通过偏光散射强度差的测定，来测定0.04～2000μm的范围内的粒径分布。将测定的粒径的累积分布达到50％的值作为中值粒径。
本发明的脱模膜是满足上述试验法A的F/Al为0.2～4和上述试验法B的F/(C+F+O)为0.1～0.3的至少一方的脱模膜。本发明的脱模膜也可以满足这两个条件。在多数情况下，如果满足其中的一个条件则也满足了另一条件。尤其，满足F/(C+F+O)为0.1～0.3的条件的脱模膜基本上F/Al在4以下。另一方面，满足F/Al为0.2～4的条件的脱模膜根据情况有时F/(C+F+O)不在0.1～0.3的范围内。作为本发明的脱模膜，更优选F/(C+F+O)为0.1～0.3的脱模膜。
密封树脂是环氧树脂等玻璃化温度低、容易密合的固化性树脂，并且在与脱模膜接触的树脂密封部表面上形成墨水层的情况下，如果墨水层的密合性过度提高、从脱模膜迁移至树脂密封部表面的污染物质变得过少则如上所述有脱模性不足之虞。由于试验法B是在脱模膜上使环氧树脂固化、对迁移至该固化的环氧树脂表面的氟原子的量进行测定的试验，因此认为在将玻璃化温度低、容易密合的固化性树脂作为密封树脂使用、在与脱模膜接触的树脂密封部表面上形成墨水层的情况下，将作为与其对应的试验法的试验法B的F/(C+F+O)作为参数来评价脱模膜是合适的。
因此，在必需充分考虑兼顾墨水层的密合性和脱模性的情况下，与上述试验法A的试验相比，优选使用根据试验法B的试验结果选择的脱模膜。另外，根据后述的剥离力来评价脱模性，如果剥离力过高则脱模膜和固化的密封树脂变得难以剥离。
另一方面，试验法A与试验法B相比是简便的试验法，只要F/Al不过低则具有足够的脱模性，树脂密封部的墨水层的密合性也优良。
(表面形状)
第1面、第2面可以分别是平滑的或形成有凹凸。例如可以是第1面以及第2面的两面平滑，也可以是第1面以及第2面的两面形成有凹凸，也可以是第1面以及第2面中的一个面平滑而另一面形成有凹凸。
在表面平滑的情况下，其算术平均粗度(Ra)优选0.01～0.2μm，特别优选0.05～0.1μm。
在表面形成有凹凸的情况下，其Ra优选1.5～2.1μm，特别优选1.6～1.9μm。
形成有凹凸的表面形状可以是随机分布多个凸部以及/或凹部的形状，也可以是有规则地排列有多个凸部以及/或凹部的形状。此外，多个凸部以及/或凹部的形状或大小可以相同或不同。
作为凸部，可例举在脱模膜表面延伸的长条状的凸条、散布于脱模膜表面的突起等。
作为凹部，可例举在脱模膜表面延伸的长条状的沟、散布于脱模膜表面的孔等。
作为凸条或沟的形状，可例举直线、曲线、弯折形状等。在脱模膜表面中，可以形成为平行地存在多个凸条或沟的条纹状。作为凸条或沟的与长边方向正交的方向的截面形状，可例举三角形(V字形)等多边形、半圆形等。
作为突起或孔的形状，可例举三棱锥形、四棱锥形、六棱锥形等多角锥形，圆锥形，半球形，多面体形，其他各种不定形等。
在第1面以及第2面的两面上形成有凹凸的情况下，各面的Ra或表面形状可以相同或不同。
(厚度)
本发明的脱模膜的厚度优选16～200μm，特别优选25～100μm。如果厚度在上述范围的下限值以上，则脱模膜的操作容易，在一边拉伸脱模膜一边以覆盖模具的内腔的方式进行配置时，不容易产生皱褶。如果厚度在上述范围的上限值以下，则脱模膜可容易地变形，由于对于模具的内腔的形状的随动性提高，因此脱模膜可紧密地与内腔面密合，可稳定地形成高品质的树脂密封部。
模具的内腔越大，本发明的脱模膜的厚度越是优选在上述范围内中薄的。此外，越是具有多个内腔的复杂模具，越是优选上述范围内中薄的厚度。
(剥离力)
本发明的脱模膜中第1面侧中的剥离力的最大值优选0.8N/25mm以下，特别优选0.5N/25mm以下。如果剥离力的最大值在上述范围的上限值以下，则在生产时，与树脂密封部(固化性树脂的固化物)的剥离就变得更容易。不易发生脱模膜和树脂密封部不能良好剥离、装置停止的情况，连续生产性优良。
本发明中的“剥离力”表示以JIS K6854-2：1999(ISO 8510-2：1990)为标准的、根据以下的(a)～(f)的步骤测定的值。
(a)在脱模膜和配置于脱模膜的第1面侧的铝板之间适量配置环氧树脂。
(b)将夹持环氧树脂的脱模膜和铝板在180℃、10MPa下加压5分钟，使环氧树脂固化。
(c)将脱模膜和固化的环氧树脂和铝板的层叠体切断为25mm宽度，制造5个试验片。另外，层叠体中的环氧树脂的厚度为100μm。
(d)对试验片使用常温下的180度剥离力用拉伸试验机以100mm/分钟的速度进行测定。
(e)求出力(N)-夹具移动距离曲线中的从夹具移动距离25mm到125mm位置的剥离力的平均值(单位为N/25mm)。
(f)求出5个试验片的剥离力的平均值的算术平均。
(氟树脂层)
作为构成氟树脂层的氟树脂，从脱模性和耐热性优良的方面考虑，可例举氟代烯烃类聚合物等。氟树脂可单独使用1种，也可以2种以上并用。氟树脂层中可以掺合无机添加剂、有机添加剂等。
氟代烯烃类聚合物是具有基于氟代烯烃的单元的聚合物。作为氟代烯烃，可例举四氟乙烯、氟乙烯、偏氟乙烯、三氟乙烯、六氟丙烯、氯三氟乙烯等。氟代烯烃可以单独使用1种，也可以2种以上并用。
作为氟代烯烃类聚合物，可例举乙烯/四氟乙烯共聚物(以下，称为ETFE。)、聚四氟乙烯、全氟(烷基乙烯基醚)/四氟乙烯共聚物等。其中，从高温下的拉伸率大的角度来看，特别优选ETFE。ETFE可以单独使用1种，也可以2种以上并用。
ETFE是具有基于四氟乙烯(以下，称为TFE。)的单元和基于乙烯(以下，称为E。)的单元的共聚物。
作为ETFE，优选具有基于TFE的单元、和基于E的单元、和基于TFE以及E以外的第三单体的单元。根据基于第三单体的单元的种类和含量可容易地调整脱模膜用树脂的结晶化度、即脱模膜的拉伸模量。此外，通过具有基于第三单体(尤其是具有氟原子的单体)的单元，提高了高温(尤其是180℃前后)下的拉伸强度。
作为第三单体，可例举具有氟原子的单体和不具有氟原子的单体。
作为具有氟原子的单体，可例举下述的单体(a1)～(a5)。
单体(a1)：碳数3以下的氟代烯烃类。
单体(a2)：X(CF2)nCY＝CH2(其中，X、Y分别独立地为氢原子或氟原子，n为2～8的整数。)所表示的全氟烷基乙烯。
单体(a3)：氟代乙烯基醚类。
单体(a4)：含官能基的氟代乙烯基醚类。
单体(a5)：具有脂肪族环构造的含氟单体。
作为单体(a1)，可例举氟代乙烯类(三氟乙烯、偏氟乙烯、氟乙烯、氯三氟乙烯等)、氟丙烯类(六氟丙烯(以下，称为HFP。)、2-氢化五氟丙烯等)等。
作为单体(a2)，优选n为2～6的单体，特别优选n为2～4的单体。此外，特别优选X为氟原子、Y为氢原子的单体，即(全氟烷基)乙烯。
作为单体(a2)的具体例子，可以例举下述的化合物。
CF3CF2CH＝CH2((全氟乙基)乙烯。)，
CF3CF2CF2CF2CH＝CH2((全氟丁基)乙烯。以下，称为PFBE。)，
CF3CF2CF2CF2CF＝CH2，
CF2HCF2CF2CF＝CH2，
CF2HCF2CF2CF2CF＝CH2等。
作为单体(a3)的具体例子，可以例举下述的化合物。另外，下述中的作为二烯的单体是可环化聚合的单体。
CF2＝CFOCF3，
CF2＝CFOCF2CF3，
CF2＝CF(CF2)2CF3(全氟(丙基乙烯基醚)。以下，称为PPVE。)，
CF2＝CFOCF2CF(CF3)O(CF2)2CF3，
CF2＝CFO(CF2)3O(CF2)2CF3，
CF2＝CFO(CF2CF(CF3)O)2(CF2)2CF3，
CF2＝CFOCF2CF(CF3)O(CF2)2CF3，
CF2＝CFOCF2CF＝CF2，
CF2＝CFO(CF2)2CF＝CF2等。
作为单体(a4)的具体例子，可以例举下述的化合物。CF2＝CFO(CF2)3CO2CH3，
CF2＝CFOCF2CF(CF3)O(CF2)3CO2CH3，
CF2＝CFOCF2CF(CF3)O(CF2)2SO2F等。
作为单体(a5)的具体例，可例举全氟(2,2-二甲基-1,3-二氧杂环戊烯)、2,2,4-三氟-5-三氟甲氧基-1,3-二氧杂环戊烯、全氟(2-亚甲基-4-甲基-1,3-二氧戊环)等。
作为不具有氟原子的单体，可例举下述的单体(b1)～(b4)。
单体(b1)：烯烃类。
单体(b2)：乙烯基酯类。
单体(b3)：乙烯基醚类。
单体(b4)：不饱和酸酐。
作为单体(b1)的具体例子，可例举丙烯、异丁烯等。
作为单体(b2)的具体例子，可例举乙酸乙烯酯等。
作为单体(b3)的具体例子，可例举乙基乙烯基醚、丁基乙烯基醚、环己基乙烯基醚、羟丁基乙烯基醚等
作为单体(b4)的具体例子，可例举马来酸酐、衣康酸酐、柠康酸酐、降冰片烯二酸酐(5-降冰片烯-2,3-二羧酸酐)等。
第三单体可以单独使用1种，也可以2种以上并用。
作为第三单体，从容易调整结晶化度即容易调整拉伸模量的方面、通过具有基于第三单体(尤其是具有氟原子的单体)的单元来使高温(尤其是180℃前后)下的拉伸强度优良的方面考虑，优选单体(a2)、HFP、PPVE、乙酸乙烯酯，更优选HFP、PPVE、(全氟乙基)乙烯、PFBE，特别优选PFBE。
即，作为ETFE，特别优选具有基于TFE的单元、和基于E的单元、和基于PFBE的单元的共聚物。
ETFE中的基于TFE的单元的比例在全部单元中优选40～70摩尔％，更优选45～65摩尔％，特别优选50～60摩尔％。如果基于TFE的单元的比例在上述范围的下限值以上，则脱模性优良。如果基于TFE的单元的比例在上述范围的上限值以下，则随动性优良。
ETFE中的基于E的单元的比例在全部单元中优选30～60摩尔％，更优选35～55摩尔％，特别优选40～50摩尔％。如果基于E的单元的比例在上述范围的下限值以上，则机械性物性优良。如果基于E的单元的比例在上述范围的上限值以下，则脱模性优良。
ETFE中，基于TFE的单元和基于E的单元的摩尔比(TFE/E)优选80/20～40/60，更优选70/30～45/55，特别优选65/35～50/50。如果TFE/E在上述范围内，则ETFE的耐热性以及机械性物性优良。
ETFE中的基于第三单体的单元的比例在全部单元中优选0.3～1.7摩尔％，更优选0.5～1.5摩尔％，特别优选0.7～1.2摩尔％。如果基于第三单体的单元的比例在上述范围的下限值以上，则高温下的机械强度优良。如果基于第三单体的单元的比例在上述范围的上限值以下，则脱模膜的F/Al容易为0.2～4，且F/(C+F+O)也容易为0.1～0.3。
根据以上说明，作为ETFE，优选由基于TFE的单元40～69.7摩尔％和基于E的单元30～59.7摩尔％和基于第三单体的单元0.3～1.7摩尔％构成，更优选由基于TFE的单元45～64.5摩尔％和基于E的单元35～54.5摩尔％和基于第三单体的单元0.5～1.5摩尔％构成，特别优选由基于TFE的单元50～59.3摩尔％和基于E的单元40～49.3摩尔％和基于第三单体的单元0.7～1.2摩尔％构成。
ETFE的熔体流动速率(MFR)优选2～40g/10分钟，更优选5～30g/10分钟，特别优选10～20g/10分钟。如果ETFE的MFR在上述范围内，则ETFE的成形性提高，脱模膜的机械特性优良。
ETFE的MFR是以ASTM D3159为标准，在荷重49N、297℃下测定的值。
氟树脂的熔点优选200～350℃，特别优选220～310℃。如果氟树脂的熔点在上述范围内，则耐热性优良且成形容易。
氟树脂的玻璃化温度优选60～110℃，特别优选70～100℃。如果氟树脂的玻璃化温度在上述范围内，则以辊对辊(ロール·トゥ·ロール，roll to roll)方式的操作性优良，且对模具的随动性优良。
氟树脂的玻璃化温度是基于ISO6721-4：1994(JIS K7244-4：1999)测定的储能模量E’以及损耗模量E”的比tanδ(E”/E’)取到最大值时的温度。
作为氟代烯烃类聚合物，还优选全氟(烷基乙烯基醚)/四氟乙烯共聚物。作为全氟(烷基乙烯基醚)，可例举作为上述单体(a3)而例举的具体例中，除了二烯以外具有1个聚合性双键的化合物。其中，特别优选PPVE。
全氟(烷基乙烯基醚)/四氟乙烯共聚物中的全氟(烷基乙烯基醚)单元的比例，在全部单元中优选0.5～5摩尔％，更优选1.0～3摩尔％，特别优选1.2～2.0摩尔％。如果基于全氟(烷基乙烯基醚)的单元的比例在上述范围的下限值以上，则高温下的机械强度优良。如果基于全氟(烷基乙烯基醚)的单元的比例在上述范围的上限值以下，则脱模膜的F/Al容易为0.2～4，且F/(C+F+O)也容易为0.1～0.3。
全氟(烷基乙烯基醚)/四氟乙烯共聚物的熔体流动速率(MFR)优选2～40g/10分钟，更优选5～30g/10分钟，特别优选10～20g/10分钟。如果MFR在上述范围内，则成形性提高，脱模膜的机械特性优良。
全氟(烷基乙烯基醚)/四氟乙烯共聚物的MFR是以ASTM D3307为标准，在荷重49N、372℃下测定的值。
(其他层)
对于脱模膜，要求具备脱模性、能耐受成形时的模具的温度(典型的是150～180℃)的耐热性、能耐受固化性树脂的流动和加压力的强度。
在本发明的脱模膜是包括氟树脂层和其他层的多层构造的膜的情况下，作为其他层，从脱模性、耐热性、强度、高温下的拉伸的方面考虑，优选由选自聚烯烃、聚酯、聚酰胺、聚苯乙烯、乙烯/乙烯醇共聚物的至少1种树脂构成的层。其他层中可以掺合无机添加剂、有机添加剂等。
作为聚烯烃，从脱模性以及模具追随性优良的方面考虑，优选聚甲基戊烯。聚烯烃可以单独使用1种，也可以2种以上并用。
作为聚酯，从耐热性、强度的方面考虑，优选聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘对苯二甲酸酯(ポリナフタレンテレフタレート)。聚酯可以单独使用1种，也可以2种以上并用。
作为聚酰胺，从耐热性、强度、气体阻隔性的方面考虑，优选尼龙6、尼龙MXD6。聚酰胺可以经过延伸也可以没有经过延伸。聚酰胺可以单独使用1种，也可以2种以上并用。
聚苯乙烯从耐热性、强度的方面考虑，优选间同立构聚苯乙烯。聚苯乙烯可以单独使用1种，也可以2种以上并用。
作为其他层，可以具有气体阻隔层。作为气体阻隔层，例如可例举金属蒸镀层、金属氧化物蒸镀层、聚偏氯乙烯层、聚乙烯醇系树脂层、间二甲苯二胺类环氧树脂层等。
(脱模膜的制造方法)
作为本发明的脱模膜的制造方法，例如可例举以下的方法(I)～(VI)等。可将方法(I)～(VI)中的任意2个以上进行组合。
这些方法中，通过使用污染成分(氟树脂的低聚物等)的含量少的原料、或抑制成形时的该污染成分的增加、或进行去除该污染成分的处理，来得到满足所希望的F/Al或满足所希望的F/(C+F+O)的(也可同时满足两者)氟树脂膜。但本发明的脱模膜的制造方法不受此所限。此外，也可将这些方法中的多个并用。
(I)通过将作为氟树脂的基于第三单体的单元的比例为0.3～1.7摩尔％的ETFE成形，来得到F/Al为0.2～4或F/(C+F+O)为0.1～0.3的氟树脂膜(脱模膜)的方法。
(II)通过使氟树脂膜与溶剂接触，来减少被溶剂所提取的成分(污染成分)的方法。即，通过从F/Al大于4的或F/(C+F+O)大于0.3的氟树脂膜以合适的时间对污染成分进行溶剂提取，得到F/Al为0.2～4或F/(C+F+O)为0.1～0.3的氟树脂膜(脱模膜)的方法。
(III)通过将氟树脂在减压下成形，得到F/Al为0.2～4或F/(C+F+O)为0.1～0.3的氟树脂膜(脱模膜)的方法。
(IV)将氟树脂从T模具挤出后立刻使其通过表面温度加热至玻璃化温度以上熔点以下的金属镜面的冷却辊和同样地表面温度加热至玻璃化温度以上熔点以下的橡胶的按压辊之间，使污染成分被转印在金属镜面的冷却辊上，藉此得到F/Al为0.2～4或F/(C+F+O)为0.1～0.3的氟树脂膜(脱模膜)的方法。
(V)将氟树脂膜通过表面温度加热至玻璃化温度以上熔点以下的金属镜面的冷却辊和同样地表面温度加热至玻璃化温度以上熔点以下的橡胶的按压辊之间，使污染成分被转印在金属镜面的冷却辊上，藉此得到F/Al为0.2～4或F/(C+F+O)为0.1～0.3的氟树脂膜(脱模膜)的方法。
(VI)通过在氟树脂膜的挤出时加深挤出机的螺杆计量部的沟深度，降低熔融树脂的剪切速度来减少树脂的发热，抑制分解，藉此得到F/Al为0.2～4或F/(C+F+O)为0.1～0.3的氟树脂膜(脱模膜)的方法。
方法(I)：
如果ETFE中的基于第三单体的单元的比例为0.3～1.7摩尔％，则得到的氟树脂膜的污染成分的含量少，F/Al容易为0.2～4，且同时F/(C+F+O)容易为0.1～0.3。
作为氟树脂膜的制造方法，没有特别限定，可利用公知的制造方法。
作为两面平滑的脱模膜的制造方法，例如可例举用具备有规定的前缘(日文：リップ)宽度的T模具的挤出机来进行熔融成形的方法等。
作为在单面或两面上形成有凹凸的脱模膜的制造方法，例如可例举通过热加工在氟树脂膜的表面上转印母模的凹凸的方法，从生产性的方面考虑，优选下述的方法(i)、(ii)等。
(i)使树脂膜通过作为母模辊的冷却辊和按压辊之间，将形成于母模辊表面的凹凸连续地转印至树脂膜表面的方法。
(ii)使从挤出机的模中挤出的树脂通过作为母模辊的冷却辊和按压辊之间，在将该树脂成形为膜状的同时将形成于母模辊表面的凹凸连续地转印至该膜状树脂的表面的方法。
方法(i)、(ii)中，通过使用辊状的母模，使连续加工成为可能，形成有凹凸的脱模膜的生产性显著提高。此外，与此同时，由于成为了卷状的脱模膜，因此在半导体封装体的制造中，可使用具有通用的脱模膜送出机构以及卷取机构的压缩成形装置或传递成形装置。
另外，在方法(i)、(ii)中，如果使用在表面形成有凹凸的辊作为按压辊，则可得到在两面上形成有凹凸的脱模膜。
方法(II)：
作为溶剂，使用对该树脂膨润率高、在溶剂萃取处理前后氟树脂膜的厚度不发生变化、且可溶解污染成分的溶剂。如果将氟树脂膜浸渍在该溶剂中，则氟树脂膜中的污染成分溶解于溶剂中、从氟树脂膜中被除去，F/Al变小且同时F/(C+F+O)也变小。
作为经溶剂萃取处理的氟树脂膜，可使用市售的膜，也可使用通过如前所述的公知的制造方法制造的膜。
作为溶剂的具体例，可例举ASAHIKLIN AK225(旭硝子株式会社(旭硝子社)制，二氯五氟丙烷)、ASAHIKLIN AE-3000(旭硝子株式会社制，CF3CH2OCF2CF2H)等氟类溶剂，氯仿、二氯甲烷等氯类溶剂，四氢呋喃、丙酮、乙酸乙酯等烃类醚、酯、酮类溶剂等。
处理温度(浸渍温度)优选23～50℃。
处理时间(浸渍时间)根据处理温度而不同，优选1～240小时。
方法(III)：
如果在减压下进行氟树脂的成形，则氟树脂中的污染成分挥发，得到的氟树脂膜的F/Al变小且同时F/(C+F+O)也变小。
氟树脂的膜成形通常用挤出机进行，优选在最消耗剪切热的压缩范围内设置真空出口管路、抽吸挥发的气体的方法。
出口管路的气压优选1～1000Pa，特别优选100～1000Pa。如果该气压在上述范围的下限值以上，则可防止真空出口中熔融的氟树脂涌起、即喷出。如果该气压在上述范围的上限值以下，则污染成分容易挥发。
氟树脂的成形时的温度从氟树脂的流动性优良的方面和不易分解的方面考虑，优选280～330℃，特别优选300～320℃。如果在上述范围的下限值以上，则氟树脂成形性优良。如果在上述范围的上限值以下，则氟树脂的分解少。
方法(IV)：
通过在刚刚熔融挤出氟树脂后将其按压在加热为该树脂的玻璃化温度以上熔点以下的金属镜面的冷却辊上，污染成分迁移至辊表面，得到的氟树脂膜的F/Al变小且同时F/(C+F+O)也变小。
辊的材质中，冷却辊优选金属的镜面辊，按压辊优选橡胶辊。金属镜面的冷却辊以及橡胶的按压辊的温度优选玻璃化温度+30℃～熔点-40℃，更优选玻璃化温度+50℃～熔点-60℃。如果在玻璃化温度+30℃，则污染成分容易从氟树脂膜渗出，且容易转印至辊上。如果在熔点-40℃以下，则通过按压辊后氟树脂膜的厚度也不易发生变化。
金属镜面辊的算术平均粗度Ra优选0.01～0.1。如果在上述范围内，则氟树脂膜和辊适度密合，渗出的污染成分容易被转印。
按压辊的橡胶硬度优选根据ISO7169-1的用D型硬度计测定的硬度(以下称为肖氏D硬度。)在D60～80，且按压辊的线压优选49～490N/cm。如果肖氏D硬度和线压在上述范围内，则在氟树脂膜施加适当的压力，从氟树脂膜渗出的污染成分容易转印至金属镜面的冷却辊上、且膜的厚度不易变化。
方法(V)：
通过在熔融挤出氟树脂、制成氟树脂膜后，将该膜连续地按压在加热为玻璃化温度以上熔点以下的金属镜面辊上，污染成分迁移至辊表面，得到的氟树脂膜的F/Al变小且同时F/(C+F+O)也变小。
辊的材质中，母模辊优选金属的镜面辊，按压辊优选橡胶辊。
金属镜面辊以及橡胶的按压辊的温度优选玻璃化温度+60℃～熔点-40℃，更优选玻璃化温度+70℃～熔点-60℃。如果在玻璃化温度+60℃，则氟树脂膜被充分预热，污染成分容易渗出，且容易转印至辊上。如果在熔点-40℃以下，则通过按压辊后氟树脂膜的厚度也不易变化。
金属镜面辊的算术平均粗度Ra优选0.01～0.1。如果在上述范围内，则氟树脂膜和辊适度密合，渗出的污染成分容易被转印。
按压辊的肖氏D硬度优选D60～80，且按压辊的线压优选49～490N/cm。如果肖氏D硬度和线压在上述范围内，则在氟树脂膜施加适当的压力，从氟树脂膜渗出的污染成分容易转印至金属镜面辊上、且膜的厚度不易变化。
通过金属镜面辊和按压辊之间的工序也可经历2次以上。
也可在通过金属镜面辊和按压辊之间前对氟树脂膜进行预热。作为预热的方法，可例举利用红外线加热器的加热、沿着加热辊加热。预热优选膜的表面温度达到玻璃化温度以下为止。如果表面温度在玻璃化温度以下，则搬送时不易产生褶皱。
方法(VI)：
在挤出氟树脂膜时，通过降低挤出机内熔融的氟树脂的剪切速度、抑制熔融树脂的过热来抑制污染成分的产生，得到的氟树脂膜的F/Al变小且同时F/(C+F+O)也变小。
通常，挤出机内的计量部中熔融的树脂的剪切速度用下式表示。另外，以下，s-1表示1/秒，rpm表示每1分钟的旋转数。
γ＝π·D×N/(60·h)
γ：剪切速度(s-1)
D：气缸直径(cm)
N：螺杆旋转数(rpm)
h：螺杆计量部的沟深度(cm)
剪切速度优选5～50s-1。如果剪切速度在上述范围的下限值以上，则可给予氟树脂足够的剪切热，使其充分熔融。如果剪切速度在上述范围的上限值以下则由于过热而导致的氟树脂的分解少，污染物质的产生少。
此外，螺杆主要分为导入部、压缩部、计量部3部分，与剪切相关的主要是计量部。螺杆的长度通常用有效长L(螺杆长度)/D(挤出机口径)表示，L/D优选20～30。此外，仅计量部的长度L(计量部)/D优选6～8。如果在该范围内则熔融树脂的吐出量的变动少，且可减少熔融树脂的剪切热。
〔半导体封装体〕
作为使用本发明的脱模膜、通过后述的本发明的半导体封装体的制造方法来制造的半导体封装体，可例举集成了晶体管、二极管等半导体元件的集成回路等。
作为集成回路的封装体形状，可例举BGA(Ball Grid Array，球状网格阵列)、QFN(Quad Flat Non-leaded package，四侧无引脚扁平封装)、SON(Small Outline Non-leaded package，小外型无引脚封装)等。
作为半导体封装体的制造方法之一，有经过在基板上安装多个半导体元件、将这些半导体元件用固化性树脂一次性地密封、得到具有基板和多个半导体元件和树脂密封部的一次性密封体的工序(一次性密封工序)，和将一次性密封体的树脂密封部以及基板切断、制成单片以使多个半导体元件分离而得到多个半导体封装体的工序(单片化工序)的方法。作为半导体封装体，从生产性的方面考虑，优选经过一次性密封工序以及单片化工序而制造的封装体，例如可例举密封方式为MAP(Molded Array Packaging，模块阵列封装)方式、或WL(Wafer Level packaging，晶圆级封装)方式的集成回路等。
图1是表示半导体封装体的一例的简单剖视图。该例的半导体封装体1即是所谓的MAP-BGA形状的集成回路。
半导体封装体1具有基板10，和安装于基板10之上的半导体片(半导体元件)12，和密封半导体片12的树脂密封部14，和形成于树脂密封部14的上表面14a的墨水层16。
半导体片12具有表面电极(没有图示)，基板10具有与半导体片12的表面电极对应的基板电极(没有图示)，表面电极和基板电极通过焊丝18电连接。
对树脂密封部14的厚度(从基板10的半导体片12设置面到树脂密封部14的上表面14a为止的最短距离)没有特别限定，优选“半导体片12的厚度”以上“半导体片12的厚度+1mm”以下，特别优选“半导体片12的厚度”以上“半导体片12的厚度+0.5mm”以下。
〔半导体封装体的制造方法〕
本发明的半导体封装体的制造方法是具有半导体元件和由固化性树脂形成的用于密封上述半导体元件的树脂密封部的半导体封装体的制造方法，具备
上述的本发明的脱模膜以上述第1面向着内腔内的空间的方式配置在模具的接触上述固化性树脂的内腔面上的工序，和
在上述内腔内配置安装有半导体元件的基板并用固化性树脂将该半导体元件密封，使该固化性树脂在与上述脱模膜接触的状态下固化来形成树脂密封部，藉此得到具有基板和安装于上述基板上的半导体元件和用于密封上述半导体元件的树脂密封部的密封体的工序，和
将上述密封体从上述模具脱模的工序。
而且，在通过使用墨水的印刷来形成墨水层的本发明的半导体封装体的制造方法中，作为上述进行脱模的工序之后的工序，具有
在上述密封体的树脂密封部的与上述脱模膜接触的面上使用墨水形成墨水层的工序。
本发明的半导体封装体的制造方法可在使用本发明的脱模膜以外采用公知的制造方法。
作为例如树脂密封部的形成方法，可例举压缩成形法或传递成形法，作为此时使用的装置，可使用公知的压缩成形装置或传递成形装置。制造条件也可以是与公知的半导体封装体的制造方法中的条件相同的条件。
(第一实施方式)
作为半导体封装体的制造方法的一实施方式，对通过压缩成形法制造图1所示的半导体封装体1的情况进行详细说明。
本实施方式的半导体封装体的制造方法具有下述的工序(α1)～(α6)或工序(α1)～(α7)。
(α1)以脱模膜覆盖模具的内腔且脱模膜的第1面向着内腔内的空间的方式(第2面向着内腔面)配置本发明的脱模膜的工序。
(α2)将脱模膜真空抽吸到模具的内腔面一侧的工序。
(α3)在内腔内填充固化性树脂的工序。
(α4)将安装有多个半导体元件的基板配置在内腔内的规定的位置，利用固化性树脂将上述多个半导体元件一次性密封而形成树脂密封部，藉此得到具有基板和安装于上述基板上的多个半导体元件和将上述多个半导体元件一次性密封的树脂密封部的一次性密封体的工序。
(α5)从模具内将一次性密封体取出的工序。
(α6)将上述一次性密封体的上述基板以及上述树脂密封部切断，使得上述多个半导体元件分离，藉此得到具有基板和安装于上述基板上的至少1个半导体元件和将上述半导体元件密封的树脂密封部的单片化密封体的工序。
(α7)在单片化密封体的树脂密封部的与上述脱模膜接触的面上，使用墨水形成墨水层，得到半导体封装体的工序。
模具：
作为第一实施方式中的模具，作为用于压缩成形法的模具可使用公知的模具，例如可例举如图2所示、具有固定上模20和内腔底面构件22和配置于内腔底面构件22的周缘的框状的可动下模24的模具。
固定上模20中，形成有通过抽吸基板10和固定上模20之间的空气来将基板10吸附于固定上模20上的真空出口(图示略)。此外，内腔底面构件22中，形成有通过抽吸脱模膜30和内腔底面构件22之间的空气来将脱模膜30吸附于内腔底面构件22的真空出口(图示略)。
在该模具中，利用内腔底面构件22的上表面以及可动下模24的内侧侧面来形成与工序(α4)中形成的树脂密封部14的形状对应的形状的内腔26。
以下，将内腔底面构件22的上表面以及可动下模24的内侧侧面总称为内腔面。
工序(α1)：
在可动下模24上，以覆盖内腔底面构件22的上表面的方式配置脱模膜30。此时，脱模膜30以第2面向着下侧(内腔底面构件22方向)的方式被配置。
脱模膜30从卷出辊(图示略)被送出，用卷取辊(图示略)进行卷取。由于脱模膜30被卷出辊以及卷取辊拉伸，因此在被拉伸的状态下被配置在可动下模24上。
工序(α2)：
另外，通过内腔底面构件22的真空出口(图示略)进行真空抽吸，对内腔底面构件22的上表面和脱模膜30之间的空间进行减压，将脱模膜30拉伸、使其变形，将其真空吸附于内腔底面构件22的上表面。进一步，封上配置于内腔底面构件22的周缘的框状的可动下模24，从全部方向拉伸脱模膜30，使其为绷紧状态。
另外，根据在高温环境下的脱模膜30的强度、厚度、根据内腔底面构件22的上表面和可动下模24的内侧侧面而形成的凹部的形状，脱模膜30不限于与内腔面密合。在工序(α2)的真空吸附阶段中，如图2所示，脱模膜30和内腔面之间也可以留有少量空隙。
工序(α3)：
如图2所示，通过涂布器(图示略)将固化性树脂40适量填充在内腔26内的脱模膜30之上。
此外，另外，通过固定上模20的真空出口(图示略)进行真空抽吸，使安装有多个半导体片12的基板10真空吸附于固定上模20的下表面上。
作为固化性树脂40，也可使用用于半导体封装体的制造的各种固化性树脂。优选环氧树脂、有机硅树脂等热固化性树脂，特别优选环氧树脂。
作为环氧树脂，是在1个分子内具有2个以上环氧基的单体、低聚物、聚合物，其分子量、分子构造没有特别的限定。例如可例举双酚型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、茋型环氧树脂、氢醌型环氧树脂等结晶性环氧树脂；甲酚酚醛清漆型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、萘酚酚醛清漆型环氧树脂等酚醛清漆型环氧树脂；含有亚苯基骨架的苯酚芳烷基型环氧树脂、含有亚联苯基骨架的苯酚芳烷基型环氧树脂、含有亚苯基骨架的萘酚芳烷基型环氧树脂等苯酚芳烷基型环氧树脂；三苯酚甲烷型环氧树脂、烷基改性三苯酚甲烷型环氧树脂等3官能型环氧树脂；二环戊二烯改性苯酚型环氧树脂、萜烯改性苯酚型环氧树脂等改性苯酚型环氧树脂；含三嗪核的环氧树脂等含杂环的环氧树脂等。它们可以单独使用1种，也可以2种以上并用。
作为使用的固化剂，只要是与环氧树脂发生反应使其固化的固化剂即可，没有特别限定。例如可例举以下的固化剂。它们可以单独使用1种，也可以2种以上并用。
脂肪族胺类固化剂：乙二胺、三亚甲基二胺、四亚甲基二胺、六亚甲基二胺等碳数2～20的直链脂肪族二胺。
芳香族胺类固化剂：间苯二胺、对苯二胺、对二甲苯二胺、4,4'-二氨基二苯基甲烷、4,4'-二氨基二苯基丙烷、4,4'-二氨基二苯基醚、4,4'-二氨基二苯基砜、4,4'-二氨基环己烷、双(4-氨基苯基)苯基甲烷、1,5-二氨基萘、间二甲苯二胺、对二甲苯二胺、1,1-双(4-氨基苯基)环己烷等。
酚醛树脂类固化剂：苯胺改性甲阶树脂或二甲基醚甲阶树脂等甲阶型酚醛树脂；苯酚酚醛清漆树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂、壬基酚酚醛清漆树脂等酚醛清漆型酚醛树脂；含有亚苯基骨架的苯酚芳烷基树脂、含有亚联苯基骨架的苯酚芳烷基树脂等苯酚芳烷基树脂；具有萘骨格或蒽骨格这样的缩合多环结构的酚醛树脂；聚对氧苯乙烯等聚氧苯乙烯树脂等。
多元羧酸酐类固化剂：六氢苯二甲酸酐(HHPA)、甲基四氢苯二甲酸酐(MTHPA)等脂环族酸酐，偏苯三酸酐(TMA)、均苯四甲酸酐(PMDA)、二苯酮四甲酸酐(BTDA)等芳香族酸酐等。
上述以外的固化剂：双氰胺等酰胺化合物；聚硫化物、硫酯、硫醚等聚硫醇化合物；异氰酸酯预聚物、嵌段化异氰酸酯等异氰酸酯化合物；含羧酸的聚酯树脂等有机酸类。
此外，这些固化剂中，作为用于半导体密封材料的固化剂，从耐湿性、可靠性等方面考虑，优选在1个分子内至少具有2个酚性羟基的化合物，可例举苯酚酚醛清漆树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂、壬基酚酚醛清漆树脂等的酚醛清漆型酚醛树脂；甲阶型酚醛树脂；聚对氧苯乙烯等聚氧苯乙烯树脂；含有亚苯基骨架的苯酚芳烷基树脂、含亚联苯基骨架的苯酚芳烷基树脂等。
作为所使用的固化促进剂，只要可促进环氧基和固化剂的固化反应即可，可使用通常用于半导体密封材料的促进剂。例如可例举1,8-二氮杂双环-(5,4,0)十一碳烯-7等二氮杂双环烯烃及其衍生物；三丁基胺、苄基二甲胺等胺类化合物；2-甲基咪唑等的咪唑化合物；三苯基膦、甲基二苯基膦等有机膦类；四苯基鏻·四苯基硼酸盐、四苯基鏻·四苯甲酸硼酸盐、四苯基鏻·四萘甲酸硼酸盐、四苯基鏻·四萘甲酰氧基硼酸盐、四苯基鏻·四萘氧基硼酸盐等四取代鏻·四取代硼酸盐；加合苯醌而得的三苯基膦等。它们可以单独使用1种，也可以2种以上并用。
固化性树脂40中可使用无机填充材料。作为无机填充材料，只要是通常用于半导体密封材料的材料即可，没有特别限制，可例举熔融破碎二氧化硅、熔融球状二氧化硅、结晶二氧化硅、2次凝集二氧化硅等二氧化硅；氧化铝；钛白；氢氧化铝；滑石；粘土；云母；玻璃纤维等。
固化性树脂40中，在上述的成分以外可根据需要掺合3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷等偶联剂；炭黑等着色剂；天然蜡、合成蜡、高级脂肪酸或其金属盐类、链烷烃、氧化聚乙烯等脱模剂；硅油、有机硅橡胶等低应力化剂；水滑石等离子捕捉剂；氢氧化铝等阻燃剂；抗氧化剂等各种添加剂。
另外，此处，作为固化性树脂40，例示了填充固体者，但本发明不受此所限，也可填充液状的固化性树脂。
作为这些混合物，在例如上述试验法B中使用的住友电木株式会社制的SUMIKONEME G770H type F ver.GR之外，例如可例举长濑化学技术株式会社(ナガセケムテックス社)制的T693/R4719-SP10等环氧树脂的市售品。
作为有机硅树脂的市售品，可例举信越化学工业株式会社(信越化学工業社)制的LPS-3412AJ、LPS-3412B等。
工序(α4)：
如图3所示，在将固化性树脂40填充在内腔26内的脱模膜30之上的状态下，使内腔底面构件22以及可动下模24上升，与固定上模20合模。
接着，如图4所示，在仅使内腔底面构件22上升的同时加热模具，使固化性树脂40固化，形成密封半导体片12的树脂密封部14。
工序(α4)中，利用使内腔底面构件22上升时的压力，填充于内腔26内的固化性树脂40被进一步压入内腔面。藉此脱模膜30被拉伸变形，密合在内腔面上。因此，形成了与内腔26的形状对应的形状的树脂密封部14。
模具的加热温度、即固化性树脂40的加热温度优选100～185℃，特别优选140～175℃。如果加热温度在上述范围的下限值以上，则半导体封装体1的生产性提高。如果加热温度在上述范围的上限值以下，则可抑制固化性树脂40的劣化。
从抑制因固化性树脂40的热膨胀率导致的树脂密封部14的形状变化的方面考虑，在特别要求半导体封装体1的保护的情况下，优选在上述范围内中尽可能低的温度下进行加热。
工序(α5)：
固定上模20和内腔底面构件22和可动下模24开模，取出一次性密封体。
在将一次性密封体脱模的同时，将脱模膜30的使用过的部分送至卷取辊(图示略)，将脱模膜30的未使用部分从卷出辊(图示略)送出。
从卷出辊向卷取辊运送时的脱模膜30的厚度优选16μm以上。如果厚度低于16μm，则在脱模膜30的运送时容易产生褶皱。如果在脱模膜30上产生褶皱，则有褶皱被转印在树脂密封部14上造成产品不良之虞。如果厚度在16μm以上，则由于对脱模膜30充分施加张力，因此可抑制褶皱的产生。
工序(α6)：
将从模具内取出的一次性密封体的基板10以及树脂密封部14切断以使多个半导体片12分离(单片化)，得到具有基板10和至少1个半导体片12和密封半导体片12的树脂密封部的单片化密封体。
单片化可通过公知的方法进行，例如可例举切割法。切割法是一边使切割刀片旋转一边切断对象物的方法。作为切割刀片，典型的是使用将金刚石粉烧结在圆盘外周的旋转刃(金刚石切割器)。利用切割法的单片化例如可将作为切断对象物的一次性密封体通过夹具固定在处理台上，在切断对象物的切断区域和上述夹具之间存在切割刀片插入空间的状态下，通过使上述切割刀片移动的方法来进行。
工序(α6)中，在如上所述切断一次性密封体的工序(切断工序)之后，也可包括一边从配置在远离覆盖上述切割刀片的盒的位置的喷嘴向着上述切断对象物供给液体、一边使上述处理台移动的异物去除工序。
工序(α7)：
为了显示任意信息，在工序(α6)中得到的单片化密封体的树脂密封部14的上表面(与脱模膜30接触的面)14a上涂布墨水，形成墨水层16得到半导体封装体1。
作为通过墨水层16显示的信息，没有特别的限定，可例举序列号、与制造商有关的信息、产品的种类等。
墨水的涂布方法没有特别的限定，例如可适用喷墨法、丝网印刷、从橡胶版的转印等各种印刷法。
作为墨水，没有特别的限定，可在公知的墨水中适当选择。
作为墨水层16的形成方法，从固化速度快、在封装体上的渗出少、此外由于不对着热风而封装体的位置偏离少等方面考虑，优选使用光固化型的墨水，通过喷墨法使该墨水附着在树脂密封部14的上表面14a上，使该墨水通过光的照射固化的方法。
作为光固化型的墨水，典型的是使用含有聚合性化合物(单体、低聚物等)的墨水。墨水中，可根据需要添加颜料、染料等着色材料，液体介质(溶剂或分散介质)，阻聚剂，光聚合引发剂，其它各种添加剂等。作为其他的添加剂，例如可例举助流剂、聚合促进剂、浸透促进剂，湿潤剂(保湿剂)、固定剂、防霉剂、防腐剂、抗氧化剂、放射线吸收剂、螯合剂、pH调整剂、增粘剂等。
作为将光固化型的墨水固化的光，可例举紫外线、可见光线、红外线、电子射线、放射线等。
作为紫外线的光源，可例举杀菌灯、紫外线用荧光灯、碳弧灯、氙灯、复印用高压汞灯、中压或高压汞灯、超高压汞灯、无电极灯、金属卤化物灯、紫外线发光二极管、紫外线激光二极管、自然光等。
光的照射可在常压下进行，也可在减压下进行。此外，可以在空气中进行，也可在氮气氛、二氧化碳气氛等惰性气体气氛中进行。
(第二实施方式)
作为半导体封装体的制造方法的其它实施方式，对通过传递成形法制造图1所示的半导体封装体1的情况进行详细说明。
本实施方式的半导体封装体的制造方法具有下述的工序(β1)～(β6)或工序(β1)～(β7)。
(β1)以脱模膜覆盖模具的内腔且脱模膜的第1面向着内腔内的空间的方式(第2面向着内腔面)配置本发明的脱模膜的工序。
(β2)将脱模膜真空抽吸到模具的内腔面一侧的工序。
(β3)将安装有多个半导体元件的基板配置于内腔内的规定位置的工序。
(β4)在内腔内填充固化性树脂，利用该固化性树脂将多个半导体元件一次性密封而形成树脂密封部，藉此得到具有基板和安装于上述基板上的多个半导体元件和对上述多个半导体元件进行一次性密封的树脂密封部的一次性密封体的工序。
(β5)从模具内将一次性密封体取出的工序。
(β6)将上述一次性密封体的上述基板以及上述树脂密封部切断，使上述多个半导体元件分离，藉此得到具有基板和安装于上述基板上的至少1个半导体元件和将上述半导体元件密封的树脂密封部的单片化密封体的工序。
(β7)在单片化密封体的树脂密封部的与上述脱模膜接触的面上，使用墨水形成墨水层，得到半导体封装体的工序。
模具：
作为第二实施方式中的模具，作为传递成形法所使用的模具可使用公知的模具，例如可例举如图5所示具有上模50和下模52的模具。上模50中，形成有与工序(α4)中形成的树脂密封部14的形状对应的形状的内腔54、和向内腔54内导入固化性树脂40的凹状的树脂导入部60。下模52中，形成有设置搭载半导体片12的基板10的基板设置部58、和配置固化性树脂40的树脂配置部62。此外，树脂配置部62内，设置有将固化性树脂40向上模50的树脂导入部60挤出的柱塞64。
工序(β1)：
如图6所示，以覆盖上模50的内腔54的方式配置脱模膜30。脱模膜30优选以覆盖内腔54、树脂导入部60的整体的方式进行配置。由于脱模膜30被卷出辊(图示略)以及卷取辊(图示略)拉伸，因此在被拉伸的状态下以覆盖上模50的内腔54的方式被配置。
工序(β2)：
如图7所示，通过形成于上模50的内腔54的外部的沟(图示略)进行真空抽吸，对脱模膜30和内腔面56之间的空间、以及脱模膜30和树脂导入部60的内壁之间的空间进行减压，使脱模膜30拉伸变形，使其真空吸附在上模50的内腔面56上。
另外，根据高温环境下的脱模膜30的强度、厚度，以及内腔54的形状，脱模膜30不限于与内腔面56密合。如图7所示，在工序(β2)的真空吸附的阶段中，脱模膜30和内腔面56之间留有少量空隙。
工序(β3)：
如图8所示，安装有多个半导体片12的基板10设置在基板设置部58，上模50和下模52合模，将多个半导体片12配置于内腔54内的规定位置。此外，预先在树脂配置部62的柱塞64上配置固化性树脂40。
作为固化性树脂40，可例举与方法(α)所举出的固化性树脂40相同的树脂。
工序(β4)：
如图9所示，将下模52的柱塞64向上推，通过树脂导入部60向内腔54内填充固化性树脂40。接着，加热模具，使固化性树脂40固化，形成将多个半导体片12密封的树脂密封部14。
工序(β4)中，通过在内腔54内填充固化性树脂40，利用树脂压力将脱模膜30进一步压入内腔面56侧，使其拉伸，通过变形密合于内腔面56。因此，形成了与内腔54的形状对应的形状的树脂密封部14。
使固化性树脂40固化时的模具的加热温度、即固化性树脂40的加热温度优选设为与方法(α)中的温度范围相同的范围。
固化性树脂40的填充时的树脂压力优选2～30MPa，特别优选3～10MPa。如果树脂压力在上述范围的下限值以上，则不易产生固化性树脂40的填充不足等缺点。如果树脂压力在上述范围的上限值以下，则容易得到优良的品质的半导体封装体1。固化性树脂40的树脂压力可利用柱塞64进行调整。
工序(β5)：
如图10所示，将一次性密封体1A从模具取出。此时，固化性树脂40在树脂导入部60内固化后的固化物19在附着于一次性密封体1A的状态下与一次性密封体1A一起从模具中被取出。因此，切除取出的一次性密封体1A上附着着的固化物19，得到一次性密封体1A。
工序(β6)：
将工序(β5)中得到的一次性密封体1A的基板10以及树脂密封部14切断以使多个半导体片12分离(单片化)，得到具有基板10和至少1个半导体片12和密封半导体片12的树脂密封部的单片化密封体。
工序(β6)可与上述工序(α6)同样地进行。
工序(β7)：
为了显示任意信息，在得到的单片化密封体的树脂密封部14的上表面(与脱模膜30的第1面接触的面)14a上涂布墨水，形成墨水层16，得到半导体封装体1。
工序(β7)可与上述工序(α7)同样地进行。
以上，对本发明的半导体封装体的制造方法示出第一～第二实施方式来进行说明，但本发明不受上述实施方式所限。上述实施方式中的各结构及其组合等为一例，在不脱离本发明的技术思想的范围内，可进行构成的附加、省略、置换以及其它变更。
例如，第一实施方式中，示出了在工序(α5)之后，依次实施工序(α6)、工序(α7)的例子，但工序(α6)、工序(α7)也可以相反的顺序进行。即，也可以在从模具中取出的一次性密封体的树脂密封部的与上述脱模膜接触的面上使用墨水形成墨水层，之后切断一次性密封体的上述基板以及上述树脂密封部。
同样地，在第二实施方式中，示出了在工序(β5)之后，依次实施工序(β6)、工序(β7)的例子，但工序(β6)、工序(β7)也可以相反的顺序进行。即，也可以在从模具中取出的一次性密封体的树脂密封部的与上述脱模膜接触的面上使用墨水形成墨水层，之后切断一次性密封体的上述基板以及上述树脂密封部。
将树脂密封部从脱模膜剥离的时机不限于将树脂密封部从模具取出时，也可以将脱模膜与树脂密封部一起从模具取出，之后将脱模膜从树脂密封部剥离。
各个一次性密封的多个半导体片12之间的距离可以是均匀的，也可以不均匀。从使密封均质化、对多个半导体片12分别施加均一的负荷(即负荷变得最小)的方面考虑，优选将多个半导体片12彼此之间的距离设为均一。
此外，通过本发明的半导体封装体的制造方法制造的半导体封装体不限于半导体封装体1。
例如不限于树脂密封部的形状为如图1所示的截面大致矩形的封装体。
在第一～第二实施方式中，也可以在工序(α5)或(β5)之后不进行工序(α6)或(β6)，在从模具取出的一次性密封体的树脂密封部的与上述脱模膜接触的面上使用墨水形成墨水层，将其作为半导体封装体。
在第一～第二实施方式的工序(α3)或(β3)中，也可使用安装有1个半导体元件的基板来代替安装有多个半导体元件的基板。在该情况下，可在将工序(α4)或(β4)中得到的密封体从模具取出后，在该密封体的树脂密封部的与上述脱模膜接触的面上使用墨水形成墨水层，将其作为半导体封装体。
而且，在不设置墨水层的实施方式中，本发明中的半导体封装体也可以是发光二极管。在制造发光二极管的情况下，由于树脂密封部还作为透镜部起作用，因此通常在树脂密封部的表面不形成墨水层。在作为透镜部的情况下，树脂密封部的形状可采用大致半球形、炮弹形、菲涅耳透镜形、半圆柱体形、大致半球菲涅耳透镜形等各种的透镜形状。
实施例
下面，示出实施例来对本发明进行详细说明。但是，本发明并不受到下述记载的限定。
在后述的例1～10中，例1、2、4、8以及10为实施例，例3、5～7以及9为比较例。
各例所使用的材料以及评价方法如下所示。
〔使用材料〕
氟树脂(1)：后述的制造例1所得的E/TFE/PFBE＝52.7/46.5/0.8(摩尔比)的共聚物(熔点：260℃，玻璃化温度95℃，MFR：10.1g/10分钟)。
氟树脂(2)：后述的制造例2所得的E/TFE/PFBE＝52.5/46.3/1.2(摩尔比)的共聚物(熔点：255℃，玻璃化温度90℃，MFR：12g/10分钟)。
氟树脂(3)：后述的制造例3所得的E/TFE/PFBE＝52.7/45.4/1.9(摩尔比)的共聚物(MFR：27.6g/10分钟)。
氟树脂(4)：后述的制造例4所得的TFE/PPVE＝98.5/1.5(摩尔比)的共聚物(熔点：310℃，玻璃化温度100℃，MFR：12g/10分钟)。
氟树脂(5)：后述的制造例5所得的TFE/E/PFBE＝52.7/47.1/0.2(摩尔比)的共聚物(熔点265℃，玻璃化温度100℃，MFR：10.6g/10分钟)。
氟树脂(6)：后述的制造例6所得的TFE/E/PFBE＝56.3/40.2/3.5(摩尔比)的共聚物(熔点225℃，玻璃化温度70℃，MFR：12.5g/10分钟)。
<制造例1：氟树脂(1)的制造>
对内容积为1.3L的带搅拌机的聚合槽进行脱气，投入881.9g的1-氢十三氟己烷、335.5g的1,3-二氯-1,1,2,2,3-五氟丙烷(商品名“AK225cb”旭硝子株式会社制，以下称为AK225cb。)、3.9g的CH2＝CHCF2CF2CF2CF3(PFBE)，压入165.2g的TFE、9.8g的乙烯(以下称为E。)，将聚合槽内升温至66℃，作为聚合引发剂溶液加入5.8mL的过氧化新戊酸叔丁酯(以下称为PBPV。)的1质量％的AK225cb溶液，使聚合开始。
以使聚合中压力达到一定的条件连续地投入TFE/E＝54/46的摩尔比的单体混合气体。此外，与单体混合气体的投入一起，连续投入相对于TFE和E的总摩尔数，相当于0.8摩尔％的量的PFBE。聚合开始2.9小时后，在投入100g单体混合气体的时刻，将聚合槽内温降至室温的同时将聚合槽的压力排气至常压。
之后，用玻璃滤器对得到的浆料进行抽滤，回收固体成分通过在150℃下干燥15小时得到105g的氟树脂(1)。
<制造例2：氟树脂(2)的制造>
除了在使聚合开始前分别将投入的PFBE的量由3.9g变更为7.0g，将PBPV的1质量％的AK225cb溶液的量由5.8mL变更为7.7mL，在聚合中将连续投入的PFBE的量相对于TFE和E的总摩尔数由0.8摩尔％变更为1.4摩尔％以外，以与制造例1相同的方式得到107g的氟树脂(2)。
<制造例3：氟树脂(3)的制造>
除了在使聚合开始前分别将投入的1-氢十三氟己烷的量由881.9g变更为837.8g，将AK225cb的量由335.5g变更为376.4g，将PFBE的量由7.0g变更为9.3g，将PBPV的1质量％的AK225cb溶液的量由5.8mL变更为11.5mL，在聚合中将连续投入的PFBE的量(相对于TFE和E的总摩尔数)由0.8摩尔％变更为2.2摩尔％，将从聚合引发开始到投入100g的单体混合气体为止的时间由2.9小时变更为2.7小时以外，以与制造例1相同的方式，得到99g的氟树脂(3)。
<制造例4：氟树脂(4)的制造>
对内容积为1.3L的带搅拌机的聚合槽进行脱气，投入662.8g的进行了氮置换的离子交换水、377.5g的AK225cb、28g的CF2＝CFOCF2CF2CF3(PPVE)、61g的甲醇，压入105g的TFE，将聚合槽内升温至66℃，作为聚合引发剂溶液投入3.8mL的七氟丁酰基过氧化物(日文：ヘプタフルオロブチロイルパーオキサイド)(以下称为PFB。)的0.05质量％的AK225cb溶液，使聚合开始。
以使聚合中压力达到一定的条件连续地投入TFE的单体气体。此外，以使聚合速度达到一定的方式连续投入24mL的0.05质量％的PFB和2质量％的PPVE的AK225cb溶液。聚合开始3.4小时后，在投入160g单体气体的时刻，将聚合槽内温降至室温的同时将聚合槽的压力排气至常压。
之后，用玻璃滤器对得到的浆料进行抽滤，回收固体成分通过在150℃下干燥15小时得到170g的氟树脂(4)。
<制造例5：氟树脂(5)的制造>
除了将聚合槽的内容积设为1.2L，在使聚合开始前分别将投入的1-氢十三氟己烷的量由881.9g变更为0g，将AK225cb的量由335.5g变更为291.6g，将PFBE的量由7.0g变更为16.0g，将TFE的量由165.2g变更为186.6g，将E的量由9.8g变更为6.4g，将PBPV的1质量％的AK225cb溶液的量由5.8mL变更为5.3mL，在聚合中将连续投入的单体混合气体的TFE/E的摩尔比由54/46变更为58/42，将PFBE的量(相对于TFE和E的总摩尔数)由0.8摩尔％变更为3.6摩尔％，在聚合引发开始3小时后、在投入90g的单体混合气体的时刻将聚合槽内温降温至室温以外，以与制造例1相同的方式得到90g的氟树脂(5)。
<制造例6：氟树脂(6)的制造>
除了在使聚合开始前分别将投入的PFBE的量由16.0g变更为1.1g，将TFE的量由186.6g变更为151.2g，将E的量由6.4g变更为18.1g，在聚合中将连续投入的单体混合气体的TFE/E的摩尔比由58/42变更为54/46，将PFBE的量(相对于TFE和E的总摩尔数)由3.6摩尔％变更为0.2摩尔％以外，以与制造例5相同的方式得到90g氟树脂(6)。
〔评价方法〕
(MFR)
氟树脂(1)～(3)、(5)、(6)的MFR根据ASTM D3159，在荷重49N、297℃下进行测定。
此外，氟树脂(4)的MFR根据ASTM D3307，在荷重49N、372℃下进行测定。
(熔点)
使用扫描型差示热分析计(SII纳米技术公司(SIIナノテクノロジーズ社)制，DSC220CU)，根据将各氟树脂在空气气氛下以10℃/分钟加热至350℃时的吸热峰求得。
(玻璃化温度)
根据ISO6721-4：1994(JIS K7244-4：1999)测定的储能模量E’以及损耗模量E”的比tanδ(E”/E’)取到最大值时的温度。具体而言，用动态粘弹性测定装置SOLID L-1(東洋精机株式会社(東洋精機社)制)进行测定。
样品尺寸：宽度8mm×长度20mm
测定频率：10Hz
变形：0.035％
升温速度：2℃/分钟
(膜的厚度的测定)
根据ISO4591：1992(JIS K7130：1999的B1法)测定。
<F/(C+F+O)的测定>
在厚度3mm、大小15cm×15cm的正方形第一金属板之上，放置厚度100μm、大小15cm×15cm的正方形铝箔，在上述铝箔之上，放置厚度100mm、大小15cm×15cm的正方形的在中央开有10cm×8cm的长方形的孔的间隔物(材质：聚酰亚胺)，在该孔的中心附近放置2g的半导体密封用环氧颗粒树脂(商品名：SUMIKON EME G770H type F ver.GR，住友电木株式会社制)，进一步在其上以第1面向着上述间隔物侧的方式放置大小15cm×15cm的正方形的脱模膜，再在该脱模膜上放置厚度3mm、大小15cm×15cm的正方形第二金属板，制造层叠样品。
将该层叠样品放入加热为180℃的加压机(50t加压机，加压面积45cm×50cm)中，以10MPa的压力加压5分钟。
加压后，去除第二金属板、脱模膜以及间隔物。藉此，得到第一金属板和铝箔和环氧树脂板(固化物)层叠而成的评价样品。
通过X射线光电子能谱分析对得到的评价样品的环氧树脂面(评价样品制造时与脱模膜的第1面接触的面)进行分析。根据该分析结果，求出该表面中的氟原子(atomic％)与碳原子(atomic％)和氟原子(atomic％)和氧原子(atomic％)的和的比(F/(C+F+O))。
XPS使用ULVAC-PHI公司(ULVAC－PHI社)制的QuanteraSXM型X射线光电子能谱分析装置。作为X射线源使用15kV、25W下的单色化AlKα线，将X射线照射面光电子检出角设为45度，将光电子的通能(Pass Energy)设为224eV。另外，式F/(C+F+O)中的C、F、O分别用该方法进行测定，根据C1s、F1s、O1s的峰面积的测定值算出。
<墨水密合性的评价>
除了使用厚度125μm、大小15cm×15cm的正方形聚酰亚胺膜(商品名：UPILEX125S，宇部兴产株式会社(宇部興産社)制)来代替铝箔以外以与上述<F/(C+F+O)的测定>相同的方式，制造第一金属板和聚酰亚胺膜和环氧树脂板层叠而成的评价样品。
将紫外线(UV)固化型墨水(型号：4466，马肯依玛士公司(マーケム·イマージュ)制)用乙酸乙酯稀释至3倍。使用3号棒涂器将稀释的墨水涂布在评价样品的环氧树脂面(评价样品制造时与脱模膜的第1面接触的面)上。涂布量设为1g/m2。涂布后，将评价样品放入100℃的热风炉中，使其干燥3分钟。
将涂布了上述的墨水并使其干燥后的评价样品在UV照射装置中以10秒钟、3kW的条件照射UV，使墨水固化，形成墨水层。
基于ISO2409(JIS K5600-5-6-2009)评价形成的墨水层的对环氧树脂面的密合性。根据该结果，按照以下的基准评价墨水密合性。◎以及○是实际使用时可接受的评价基准。
◎(优良)：格子都没有剥落。
○(良好)：发现格子的一部分剥落。
△(不良)：发现格子的50％以上剥落。
×(不可)：发现整体剥落。
<脱模性的评价>
根据JIS K6854-2：1999，如下进行脱模膜和热固化性环氧树脂的180度剥离试验，测定剥离力。剥离力越小则脱模性越优良。
(a)按照与<F/(C+F+O)的测定>相同的方法，得到第一金属板和铝箔和环氧树脂板(固化物)层叠而成的评价样品。
(b)将上述评价样品切断为25mm宽度。
(c)使用上述25mm宽度的评价样品，使用拉伸试验机(奥利安泰克公司(オリエンテック社)制RTC-131-A)以100mm/分钟的速度对常温中的脱模膜和热固化性环氧树脂的180度剥离力进行测定。
(d)求出力(N)-夹具移动距离曲线中的从夹具移动距离25mm到125mm为止的剥离力的平均值。
(e)求出5个评价样品的剥离力的平均值(单位为N/cm)的算术平均。
(F/Al的测定)
在厚度1mm的厚纸(大小5cm×10cm)之上载放厚度0.1mm、由JIS H4160中的A1N30H-H18材料构成的铝板(大小5cm×10cm)，在其上放置脱模膜(大小5cm×10cm)使其第1面向着下侧(铝板侧)，在其上(第1面侧)进一步放置厚度1mm的厚纸(大小5cm×10cm)，制成层叠样品。将该层叠样品放入加热为180℃的加压机(50t加压机，加压面积45cm×50cm)中，以10MPa的压力加压5分钟。加压后，去除两侧的厚纸，将脱模膜从铝板剥离，通过X射线光电子能谱分析(XPS)对铝板的与脱模膜接触的表面进行分析。根据该分析结果求出该表面中的氟原子(atomic％)与铝原子(atomic％)的比(F/Al)。
XPS使用ULVAC-PHI公司(ULVAC－PHI社)制的QuanteraSXM型X射线光电子分光分析装置。作为X射线源使用15kV、25W下的单色化AlKα线，将X射线照射面光电子检出角设为45度，将光电子的通能(Pass Energy)设为224eV。F/Al由通过该方法所测定的F1s以及Al1s的测定值算出。
(污染性评价(替代试验))
在厚度1mm的厚纸(大小13cm×13cm)之上载置厚度1mm的经镜面加工的不锈钢板(SUS303制，13cm×13cm)，使镜面加工面(60度镜面光泽度为680)向着上侧(与厚纸相反侧)，在其上放置脱模膜(大小13cm×13cm)，使第1面向着下侧(不锈钢板侧)，在其上(第1面侧)进一步放置厚度1mm的厚纸(大小13cm×13cm)，制成层叠样品。将该层叠样品放入加热为180℃的加压机(50t加压机，加压面积45cm×50cm)中，以10MPa的压力加压5分钟。加压后，去除两侧的厚纸，将脱模膜从不锈钢板剥离，测定不锈钢板的镜面加工面(与脱模膜接触的面)的60度镜面光泽度。
重复上述试验，直至不锈钢板的镜面加工面(与脱模膜接触的面)的60度镜面光泽度达到500以下。试验次数越多，则表示该脱模膜接触的其他面(模具的内腔面或树脂密封部的表面)越不易受到污染。
不锈钢板的镜面加工面的60度镜面光泽度基于ISO7668：1984，通过日本电色工业株式会社(日本電色工業社)制的光泽度计PG-1M进行测定。
[例1]
将氟树脂(1)利用调整了前缘的挤出机以使厚度达到50μm的方式在320℃下熔融挤出，制造厚度50μm的氟树脂膜，将其作为例1的脱模膜。测定该脱模膜的F/(C+F+O)，结果示于表1。
此外，测定该脱模膜的F/Al，结果示于表2。
另外，氟树脂膜的制造条件如下所示。
挤出机条件：挤出机气缸口径65mm，旋转数20rpm，螺杆计量部沟深度0.5cm，计量部剪切速度14s-1，L/D＝26，L(计量部)/D＝8。
拉取条件：金属镜面辊(Ra0.05，表面温度180℃)，按压橡胶辊(肖氏D硬度70，表面温度180℃，按压压力98N/cm)
出口条件：在压缩部设置出口，将出口管路的气压设为500Pa。
[例2]
除了使用氟树脂(2)作为氟树脂以外，以与例1相同的方式制造厚度50μm的氟树脂膜，将其作为例2的脱模膜。测定该脱模膜的F/(C+F+O)，结果示于表1。
此外，测定该脱模膜的F/Al，结果示于表2。
[例3]
除了使用氟树脂(3)作为氟树脂以外，以与例1相同的方式制造厚度50μm的氟树脂膜，将其作为例3的脱模膜。测定该脱模膜的F/(C+F+O)，结果示于表1。
此外，测定该脱模膜的F/Al，结果示于表2。
[例4]
将例3的氟树脂膜浸渍在ASAHIKLIN AK225(旭硝子株式会社制)中，在40℃的条件下放置3天后，再用清洁的ASAHIKLIN AK225清洗，在60℃下干燥1小时，将其作为例4的脱模膜。测定该脱模膜的F/(C+F+O)，结果示于表1。
此外，测定该脱模膜的F/Al，结果示于表2。
[例5]
除了使用氟树脂(4)作为氟树脂，将熔融挤出温度设为380℃以外，以与例1相同的方式制造厚度50μm的氟树脂膜，将其作为例5的脱模膜。测定该脱模膜的F/(C+F+O)，结果示于表1。
此外，测定该脱模膜的F/Al，结果示于表2。
[例6]
除了使用氟树脂(5)作为氟树脂以外，以与例1相同的方式制造厚度50μm的氟树脂膜，将其作为例6的脱模膜。测定该脱模膜的F/(C+F+O)，结果示于表1。
[例7]
除了使用氟树脂(6)作为氟树脂以外，以与例1相同的方式制造厚度50μm的氟树脂膜，将其作为例7的脱模膜。测定该脱模膜的F/(C+F+O)，结果示于表1。
[例8]
对例5的氟树脂膜进行与例4相同的处理，将其作为例8的脱模膜。测定该脱模膜的F/Al，结果示于表2。
[例9]
除了将膜的制造条件如下变更以外以与例1相同的方式制造厚度50μm的氟树脂膜，将其作为例9的脱模膜。测定该脱模膜的F/(C+F+O)，结果示于表1。
此外，测定该脱模膜的F/Al，结果示于表2。
另外，氟树脂膜的制造条件如下所示。
挤出机条件：挤出机气缸口径65mm，旋转数40rpm，螺杆计量部沟深度0.2cm，计量部剪切速度85s-1，L/D＝26，L(计量部)/D＝8。
拉取条件：金属镜面辊(Ra0.05，表面温度90℃)，按压橡胶辊(肖氏D硬度70，表面温度90℃，按压压力98N/cm)
出口条件：不设置出口。
[例10]
送出例3所制造的膜，2次通过以下记载的条件的辊间，进行卷取。
金属镜面辊(Ra0.05，表面温度190℃)，按压橡胶辊(肖氏D硬度80，表面温度190℃，按压压力294N/cm)
将其作为例10的脱模膜。测定该脱模膜的F/(C+F+O)，结果示于表1。
此外，测定该脱模膜的F/Al，结果示于表2。
对例1～7以及9～10得到的脱模膜进行墨水密合性以及脱模性的评价。结果示于表1。
另外，表1中，“(3)*1”表示对氟树脂(3)进行溶剂萃取处理后的氟树脂，“(1)*2”表示与氟树脂(1)相同单体单元组成但在不同制造条件下得到的氟树脂，“(3)*3”表示对氟树脂(3)的膜进行辊转印处理后的膜。
如下述的结果所示，F/(C+F+O)为0.1～0.3的例1、2、4以及10的脱模膜与环氧树脂板(固化性树脂的固化物)的脱模性优良。此外，使用这些脱模膜而形成的环氧树脂板的墨水密合性优良。与此相对，使用F/(C+F+O)超过0.3的例3、5、7以及9的脱模膜而形成的环氧树脂板的墨水密合性不足。F/(C+F+O)低于0.1的例6的脱模膜与环氧树脂板的脱模性不足。
[表1]
对例1～5以及8～9得到的脱模膜进行污染性评价。结果示于表2。
另外，表1中，“(3)*1”表示对氟树脂(3)进行溶剂萃取处理后的氟树脂，“(4)*1”表示对氟树脂(4)进行溶剂萃取处理后的氟树脂，“(1)*2”表示与氟树脂(1)相同单体单元组成但在不同制造条件下得到的氟树脂。
如下述的结果所示，F/Al为0.2～4的例1、2、4、8的脱模膜不易污染与该脱模膜接触的其他面。
[表2]
产业上的利用可能性
本发明的脱模膜在用固化性树脂密封半导体元件时脱模性优良，且可抑制脱模膜导致的树脂密封部的污染，可形成与墨水层的密合性优良的树脂密封部。使用本发明的脱模膜，可制造集成了晶体管、二极管等半导体元件的集成回路等半导体封装体。
这里引用2013年11月7日提出申请的日本专利申请2013-231364号以及日本专利申请2013-231365号的说明书、权利要求书、附图和摘要的全部内容作为本发明的说明书的揭示。
符号说明
1半导体封装体，10基板，12半导体片(半导体元件)，14树脂密封部，16墨水层，18焊丝，19固化物，20固定上模，22内腔底面构件，24可动下模，26内腔，30脱模膜，40固化性树脂，50上模，52下模，54内腔，56内腔面，58基板设置部，60树脂导入部，62树脂配置部，64柱塞。

Claims (11)

1.一种脱模膜，它是在将半导体元件配置在模具内、用固化性树脂进行密封形成树脂密封部的半导体封装体的制造方法中配置于模具的内腔面的脱模膜，其特征在于，
具备在上述树脂密封部的形成时与上述固化性树脂接触的第1面和与上述内腔面接触的第2面，
至少上述第1面由氟树脂构成，
上述氟树脂为由基于四氟乙烯的单元、和基于乙烯的单元、和基于四氟乙烯以及乙烯以外的第三单体的单元构成的乙烯/四氟乙烯共聚物，
在上述乙烯/四氟乙烯共聚物的全部单元中，基于四氟乙烯的单元为40～69.7摩尔％，基于乙烯的单元为30～59.7摩尔％，基于上述第三单体的单元为0.3～1.7摩尔％，
下述试验法A中的F/Al为0.2～4，或下述试验法B中的F/(C+F+O)为0.1～0.3；
<试验法A>
以使上述第1面和厚度0.1mm的由JIS H4160中的A1N30H-H18材料构成的铝板接触的方式依次将厚度1mm的厚纸、脱模膜、上述铝板、厚度1mm的厚纸重叠，在180℃、5MPa的条件下加压5分钟，将上述脱模膜从上述铝板剥离，通过X射线光电子能谱分析对上述铝板的与上述脱模膜接触的表面进行分析，求出氟原子和铝原子的比F/Al；
<试验法B>
在厚度3mm、大小15cm×15cm的正方形第一金属板之上，放置厚度100μm、大小15cm×15cm的正方形铝箔，在上述铝箔之上，放置厚度100mm、大小15cm×15cm的正方形的在中央开有10cm×8cm的长方形的孔的间隔物，在该孔的中心附近放置2g的下述环氧树脂，进一步在其上以上述第1面向着上述间隔物侧的方式放置大小15cm×15cm的正方形的脱模膜，再在该脱模膜上放置厚度3mm、大小15cm×15cm的正方形第二金属板，制造层叠样品，将上述层叠样品以180℃、10MPa的条件加压5分钟，使上述环氧树脂固化，加压后，除去上述第二金属板、上述脱模膜以及上述间隔物，通过X射线光电子能谱分析对上述环氧树脂的固化物的与上述脱模膜接触的表面进行分析，求出氟原子与碳原子、氟原子、氧原子之和的比F/(C+F+O)；
环氧树脂：半导体密封用环氧颗粒树脂，商品名：SUMIKON EME G770H型号F ver.GR，住友电木株式会社制。
2.如权利要求1所述的脱模膜，其特征在于，厚度为16～200μm。
3.如权利要求1或2所述的脱模膜，其特征在于，该脱模膜是由上述氟树脂构成的单层构造的膜。
4.如权利要求1所述的脱模膜，其特征在于，上述乙烯/四氟乙烯共聚物中的基于四氟乙烯的单元和基于乙烯的单元的摩尔比TFE/E为80/20～40/60。
5.如权利要求1所述的脱模膜，其特征在于，上述第三单体为六氟丙烯、全氟(丙基乙烯基醚)、(全氟乙基)乙烯或(全氟丁基)乙烯。
6.如权利要求5所述的脱模膜，其特征在于，上述第三单体为(全氟丁基)乙烯。
7.如权利要求1所述的脱模膜，其特征在于，上述乙烯/四氟乙烯共聚物的熔体流动速率MFR为2～40g/10分钟。
8.如权利要求1所述的脱模膜，其特征在于，上述氟树脂为全氟(烷基乙烯基醚)/四氟乙烯共聚物。
9.如权利要求1所述的脱模膜，其特征在于，上述脱模膜由通过使氟树脂膜与溶剂接触而减少了被溶剂提取的成分的氟树脂膜构成。
10.一种半导体封装体的制造方法，它是具有半导体元件和由固化性树脂形成的用于密封上述半导体元件的树脂密封部的半导体封装体的制造方法，其特征在于，具备
将权利要求1～9中任一项所述的脱模膜以上述第1面向着内腔内的空间的方式配置在模具的接触上述固化性树脂的内腔面上的工序，和在上述内腔内配置安装有半导体元件的基板并用固化性树脂将该半导体元件密封，使该固化性树脂在与上述脱模膜接触的状态下固化来形成树脂密封部，藉此得到具有基板和安装于上述基板上的半导体元件和用于密封上述半导体元件的树脂密封部的密封体的工序，和
将上述密封体从上述模具脱模的工序。
11.一种半导体封装体的制造方法，它是具有半导体元件、由固化性树脂形成的用于密封上述半导体元件的树脂密封部、和形成于上述树脂密封部的表面的墨水层的半导体封装体的制造方法，其特征在于，具备
将权利要求1～9中任一项所述的脱模膜以上述第1面向着内腔内的空间的方式配置在模具的接触上述固化性树脂的内腔面上的工序，和
在上述内腔内配置安装有半导体元件的基板并用固化性树脂将该半导体元件密封，使该固化性树脂在与上述脱模膜接触的状态下固化来形成树脂密封部，藉此得到具有基板和安装于上述基板上的半导体元件和用于密封上述半导体元件的树脂密封部的密封体的工序，和
将上述密封体从上述模具脱模的工序，和
在上述密封体的树脂密封部的与上述脱模膜接触的面上使用墨水形成墨水层的工序。
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