TW202104294A - 電子零件的製造方法及電子零件 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種藉由簡便的手法來製造氟樹脂與電子元件的密接性優異的電子零件的方法及電子零件。一種電子零件的製造方法，包括：在裝配於配線基材的電子元件的上方設置樹脂組成物的步驟；以及藉由將所述樹脂組成物加熱至熔點以上而用所述樹脂組成物覆蓋所述電子元件的步驟，所述電子零件的製造方法的特徵在於：所述樹脂組成物包含結晶性氟樹脂，並且實質上不含揮發成分。

Description

電子零件的製造方法及電子零件
本發明是有關於一種電子零件的製造方法及電子零件。
於包括發光二極體（Light Emitting Diode，LED）等電子元件的電子零件中，為了防止電子元件的劣化，大多利用環氧樹脂或矽酮樹脂對該電子元件進行密封，亦有利用氟樹脂進行密封的例子。
專利文獻1中，記載有一種由被覆層（密封層）密封的LED元件，且記載有：所述被覆層可藉由如下方式來製作，即，將至少包含四氟乙烯（tetrafluoroethylene，TFE）、六氟丙烯（hexafluoropropylene，HFP）及偏二氟乙烯（vinylidene fluoride，VdF）的氟聚合物（THV）溶解於溶媒中來製作黏度適於塗佈的溶液，塗佈所述溶液並進行乾燥。另外，專利文獻1中，記載有：為了於維持塗佈膜的透明性的同時增厚厚度，而使用包含氟樹脂的填料來提高溶液的固體成分濃度。
另一方面，專利文獻2中，記載有一種使用非晶性氟樹脂作為對紫外線發光元件進行密封的密封樹脂的紫外線發光裝置。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2009-51876號公報 [專利文獻2]國際公開第2014/178288號公報
[發明所欲解決之課題] 然而，於將THV溶解於溶媒中的情況下，若提高溶液的濃度，則黏度會過於變高，從而無法塗佈溶液。因此，為了使用THV溶液對電子元件進行密封，需要多次塗佈低濃度的溶液，但由於每次重覆進行塗佈均會損及基材的平坦性，因此塗佈次數有限。另外，於使用填料來增厚塗佈膜的情況下，難以使樹脂與填料的折射率完全一致，因此透過率降低。另一方面，於使用非晶性氟樹脂的情況下，非晶性氟樹脂與電子元件的密接性不充分。本發明是著眼於所述般的情況而成，其目的在於提供一種藉由更簡便的手法來製造氟樹脂與電子元件的密接性優異的電子零件的方法。 [解決課題之手段]
可解決所述課題的本發明的製造方法及電子零件包含以下構成。
[1] 一種電子零件的製造方法，包括：在裝配於配線基材的電子元件的上方設置樹脂組成物的步驟；以及藉由將所述樹脂組成物加熱至熔點以上而用所述樹脂組成物覆蓋所述電子元件的步驟，所述電子零件的製造方法的特徵在於：所述樹脂組成物包含結晶性氟樹脂，並且實質上不含揮發成分。 [2] 如[1]所述的製造方法，其中所述結晶性氟樹脂的熔點為278℃以下。 [3] 如[1]或[2]所述的製造方法，其中所述結晶性氟樹脂的一部分碳原子上鍵結有碳及氟以外的原子。 [4] 如[1]至[3]中任一項所述的製造方法，其中所述結晶性氟樹脂為四氟乙烯-六氟丙烯-偏二氟乙烯共聚物。 [5] 如[4]所述的製造方法，其中相對於源自四氟乙烯的構成單元T、源自六氟丙烯的構成單元H、以及源自偏二氟乙烯的構成單元V的合計的、構成單元T的莫耳比為0.50以下。 [6] 如[1]至[4]中任一項所述的製造方法，其中所述電子元件為LED。 [7] 一種電子零件，其是用樹脂組成物覆蓋裝配於配線基材的電子元件而成，所述電子零件中，所述樹脂組成物包含結晶性氟樹脂，並且實質上不含揮發成分及填料，所述樹脂組成物的厚度為0.5 mm以上。 [8] 如[7]所述的電子零件，其中所述結晶性氟樹脂為四氟乙烯-六氟丙烯-偏二氟乙烯共聚物。 [9] 如[8]所述的電子零件，其中相對於源自四氟乙烯的構成單元T、源自六氟丙烯的構成單元H、以及源自偏二氟乙烯的構成單元V的合計的、構成單元T的莫耳比為0.50以下。 [發明的效果]
藉由使用本發明的製造方法，可簡便地對電子元件進行密封。另外，經密封的電子元件中，樹脂組成物與電子元件的密接性優異。
本發明是有關於一種電子零件的製造方法及電子零件，所述製造方法包括：在裝配於配線基材的電子元件的上方設置包含結晶性氟樹脂的樹脂組成物的步驟；以及藉由將所述樹脂組成物加熱至熔點以上而用所述樹脂組成物覆蓋所述電子元件的步驟。再者，於本說明書中，所謂「密封」，是指使作為對象物的電子元件與外部氣體隔斷。
（1）電子元件 作為所述電子元件，通常為半導體，可列舉電晶體、二極體等，較佳為半導體二極體。作為半導體二極體，較佳為發光二極體（LED），特佳為紫外線發光二極體（以下，亦存在稱為紫外線發光元件的情況）。若利用環氧樹脂或矽酮樹脂對紫外線發光二極體進行密封，則因紫外線而樹脂的劣化加劇，相對於此，若利用結晶性氟樹脂進行密封，則可抑制樹脂的劣化。另一方面，若利用非晶性氟樹脂進行密封，則樹脂組成物與電子元件的密接性會降低。
圖1是表示所述紫外線發光元件的一例的概略剖面圖。圖示例的紫外線發光元件2為覆晶型（flip chip type）元件，於下側表面的一部分包括陽極側的p電極10，於該p電極10上形成有p層12。進而，於紫外線發光元件2的下側表面的另一部分包括陰極側的n電極11，於n電極11上形成有n層14。該些n電極11與n層14較所述p電極10與p層12而言更向上方偏移地形成，在存在於上方的n層14與存在於下方的p層12之間形成有活性層13。此外，在較存在於上方的n層14更靠上而存在元件基板15。
紫外線發光元件2中的n層14例如可列舉含Si的AlGaN層。p層12例如可列舉含Mg的GaN層。該p層12視需要亦可與電子阻擋層等形成積層結構。活性層13例如可列舉AlGaN層。
藉由自p電極10、p層12朝向n層14、n電極11流通前向電流，而產生與活性層13中的能帶隙能量（band gap energy）相應的發光。藉由調整活性層13的例如AlN莫耳分率，可於GaN與AlN可取得的能帶隙能量（約3.4 eV與約6.2 eV）的範圍內控制能帶隙能量，可獲得發光波長為約200 nm至約365 nm的紫外線發光。
再者，元件基板15可使用藍寶石基板、氮化鋁基板等。作為p電極10的原材料，可使用Ni/Au，n電極11可使用Ti/Al/Ti/Au等。另外，為了防止短路，p電極10與n電極11之間的露出面亦可由SiO2 等保護絕緣膜（未圖示）被覆。
紫外線發光元件2的發光峰值波長可於200 nm～365 nm的範圍內適宜設定，較佳為300 nm以下。藉由發光峰值波長為300 nm以下，容易發揮殺菌效果，因此可於殺菌用的發光裝置中使用紫外線發光元件2。發光峰值波長更佳為280 nm以下。
（2）配線基材 配線基材為於表面形成有電極配線的基材，有時稱為封裝體。該封裝體可為表面安裝型、晶片板（chip on board）型的任一種，較佳為於安裝電子元件的面形成有凸塊。配線基材的基材可使用氮化鋁（AlN）、氧化鋁（Al2 O3 ）等陶瓷。
圖2是表示於表面安裝型封裝體安裝有圖1的紫外線發光元件的狀態的概略剖面圖。圖2的紫外線發光元件安裝封裝體6中，經由金屬製的凸塊5，將紫外線發光元件2的p電極10、n電極11與基材4上的未圖示的配線以可分別電連接的方式加以固定。再者，如上所述，本發明中亦可使用晶片板型的封裝體，並不限定於圖示例。
（3）樹脂組成物 所述樹脂組成物包含結晶性氟樹脂。本說明書中，所謂「氟樹脂」，是指包含氟的烯烴的聚合物或其改質物，所述改質物例如包含在主鏈末端鍵結有-OH或-COOH等極性基的物質。另外，作為結晶性氟樹脂，就維持電子零件的性能的觀點而言，較佳為於側鏈不具有-SO3 H基等極性基的結晶性氟樹脂，例如可列舉：四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物（tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymer，PFA）、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物（tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer，FEP）、氯三氟乙烯聚合物（PCTFE（聚氯三氟乙烯，polychlorotrifluoroethylene））、四氟乙烯-六氟丙烯-偏二氟乙烯共聚物（tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene-vinylidene fluoride copolymer，THV）等。結晶性氟樹脂可為一種，亦可併用兩種以上。結晶性氟樹脂較佳為於一部分碳原子上鍵結有碳及氟以外的原子，更佳為包含C-H鍵或C-Cl鍵，進而佳為包含四氟乙烯-六氟丙烯-偏二氟乙烯共聚物（THV）或氯三氟乙烯聚合物（PCTFE），最佳為包含四氟乙烯-六氟丙烯-偏二氟乙烯共聚物（THV）。四氟乙烯-六氟丙烯-偏二氟乙烯共聚物（THV）對於基材或電子元件的密接性特別優異。 再者，本發明中所使用的結晶性氟樹脂於室溫（約25℃）下為結晶性。關於氟樹脂是結晶性還是非晶性，例如可藉由進行X射線繞射測定來進行判斷。
作為所述THV，較佳為如下樹脂：包含源自四氟乙烯的構成單元T、源自六氟丙烯的構成單元H、以及源自偏二氟乙烯的構成單元V，且構成單元T相對於構成單元T、構成單元H、以及構成單元V的合計的莫耳比（T）為0.25以上，構成單元V相對於構成單元T、構成單元H、以及構成單元V的合計的莫耳比（V）為0.60以下。
構成單元T相對於構成單元T、構成單元H、以及構成單元V的合計的莫耳比（T）較佳為0.25以上。藉此，有密接性提高的傾向。因此，構成單元T的莫耳比（T）的下限更佳為0.28以上，進而佳為0.30以上。另一方面，就透明性、密接性、不易產生氣泡的觀點而言，構成單元T的莫耳比（T）的上限較佳為0.75以下，更佳為0.60以下，進而佳為0.50以下，特佳為0.40以下。
構成單元V相對於構成單元T、構成單元H、以及構成單元V的合計的莫耳比（V）較佳為0.60以下。藉此，有密接性提高的傾向。因此，構成單元V的莫耳比（V）的上限較佳為0.58以下，更佳為0.56以下。另一方面，構成單元V的莫耳比（V）的下限較佳為0.20以上，更佳為0.30以上，進而佳為0.40以上，進而更佳為0.50以上。
構成單元H相對於構成單元T、構成單元H、以及構成單元V的合計的莫耳比（H）較佳為0.05以上且0.50以下。就溶解性的觀點而言，構成單元H的莫耳比（H）的下限更佳為0.07以上，進而佳為0.09以上。另一方面，就耐熱性的觀點而言，構成單元H的莫耳比（H）的上限更佳為0.40以下，進而佳為0.30以下，進而更佳為0.20以下，特佳為0.12以下。
莫耳比（V）相對於莫耳比（T）的比（莫耳比（V）/莫耳比（T））較佳為0.20以上且3.50以下。藉由將莫耳比（V）/莫耳比（T）控制為所述範圍，而有密接性提高的傾向。另外，可防止高溫加熱時的樹脂的著色。莫耳比（V）/莫耳比（T）的下限更佳為0.50以上，進而佳為0.80以上，進而更佳為1.00以上，特佳為1.30以上。另一方面，莫耳比（V）/莫耳比（T）的上限更佳為3.00以下，進而佳為2.50以下，進而更佳為2.00以下。
莫耳比（H）相對於莫耳比（T）的比（莫耳比（H）/莫耳比（T））較佳為0.10以上且0.80以下。藉由將莫耳比（H）/莫耳比（T）控制為所述範圍，而有密接性提高的傾向。莫耳比（H）/莫耳比（T）的下限更佳為0.20以上，進而佳為0.24以上，進而更佳為0.28以上。另一方面，莫耳比（H）/莫耳比（T）的上限更佳為0.60以下，進而佳為0.50以下，進而更佳為0.40以下。
結晶性氟樹脂的各構成單元的莫耳比可藉由後述實施例中記載的核磁共振（Nuclear Magnetic Resonance，NMR）測定來求出。於算出莫耳比時，例如可參照：埃里克B.吐溫等人，「源自偏二氟乙烯（VDF）-六氟丙烯（HFP）-四氟乙烯（TFE）的三元共聚物的多維19F NMR分析」，「大分子」（Eric B. Twum et al., “Multidimensional 19F NMR Analyses of Terpolymers from Vinylidene Fluoride (VDF)-Hexafluoropropylene (HFP)-Tetrafluoroethylene (TFE)”, Macromolecules）（2015年，48卷，11號，p.3563-3576）。
所述結晶性氟樹脂較佳為包含源自四氟乙烯的構成單元T、源自六氟丙烯的構成單元H、以及源自偏二氟乙烯的構成單元V，亦可包含構成單元T、構成單元H、以及構成單元V以外的其他構成單元。作為其他構成單元，例如可列舉：源自乙烯的構成單元、源自全氟烷基乙烯基醚的構成單元、源自氯三氟乙烯的構成單元等。
相對於所述結晶性氟樹脂的所有構成單元的、構成單元T、構成單元H、以及構成單元V的合計莫耳比較佳為0.70以上，更佳為0.80以上，進而佳為0.90以上，特佳為0.95以上，最佳為1。即，最佳為所述結晶性氟樹脂的所有構成單元是由構成單元T、構成單元H、以及構成單元V構成（為未改質的THV）。藉此，可容易提高耐熱變形性。
所述結晶性氟樹脂的重量平均分子量較佳為50,000以上且1,000,000以下。藉由將重量平均分子量設為50,000以上，可提高熔解時的黏度，因此可抑制LED點燈時的密封樹脂的形狀變化。所述結晶性氟樹脂的重量平均分子量的下限更佳為100,000以上，進而佳為200,000以上，進而更佳為250,000以上，特佳為300,000以上。另一方面，藉由將所述結晶性氟樹脂的重量平均分子量設為1,000,000以下，溶解性變良好。所述結晶性氟樹脂的重量平均分子量的上限更佳為800,000以下，進而佳為500,000以下，進而更佳為450,000以下，特佳為400,000以下。再者，重量平均分子量為標準聚苯乙烯換算值。
所述結晶性氟樹脂可為無規共聚物或嵌段共聚物的任一種，較佳為無規共聚物。藉此，可抑制構成單元T或構成單元V的結晶度，容易確保透明性。
所述結晶性氟樹脂的折射率較佳為超過1.34，更佳為1.35以上，進而佳為1.36以上。藉此，可減小後述的紫外線發光元件與密封部的折射率的差，可減少紫外線發光元件與密封部的界面處的全反射，提高光取出效率。再者，所謂光取出效率，為將紫外線發光元件中所產生的光取出至紫外線發光元件的外部的效率。另一方面，本發明的結晶性氟樹脂的折射率的上限例如可為1.45以下，較佳為1.40以下。折射率可使用目錄值或通常的物性表中記載的數值，亦可利用市售的阿貝（Abbe）折射率計或橢圓儀等進行測定。
相對於所述樹脂組成物中所含的樹脂的總質量（固體成分）100質量份的結晶性氟樹脂的含量較佳為50質量%以上，更佳為75質量%以上，進而佳為90質量%以上，特佳為99質量%以上，最佳為100質量%。即，本發明中所使用的樹脂組成物中所含的樹脂最佳為僅包含結晶性氟樹脂。再者，於包含兩種以上的結晶性氟樹脂的情況下，結晶性氟樹脂的含量是指結晶性氟樹脂的總含量。
所述結晶性氟樹脂的熔點較佳為90℃以上且278℃以下。藉由熔點為90℃以上，可防止因電子元件的發熱而導致的密封構件的熔融。結晶性氟樹脂的熔點的下限更佳為100℃以上，進而佳為110℃以上，進而更佳為115℃以上。另一方面，藉由熔點為278℃以下，可容易進行基於結晶性氟樹脂的加熱熔融的電子元件的密封。另外，可防止藉由加熱熔融進行密封時的凸塊的熔融。結晶性氟樹脂的熔點的上限更佳為200℃以下，進而佳為170℃以下，進而更佳為150℃以下，特佳為130℃以下。本發明中所使用的結晶性氟樹脂的熔點可使用目錄值，另外，例如亦可藉由如下方式來求出：使用示差掃描熱量計（DSC，日立高科技科學（Hitachi High-Tech Science）股份有限公司製造），以10℃/分鐘的升溫速度自-50℃變化至200℃的溫度，並根據藉此獲得的熔解曲線測定熔解峰值溫度（Tm）。另外，本發明中所使用的結晶性氟樹脂在室溫下為固體，密封後的表面並無黏性，硬度亦充分，進而藉由加熱至熔點以上可顯現出適度的流動性，因此，即便為單層亦可對電子元件進行密封。
所述樹脂組成物實質上不含揮發成分。樹脂組成物中所含的揮發成分較佳為5質量%以下，更佳為3質量%以下，進而佳為1質量%以下。
揮發成分的含有率可藉由熱分析來測定。樹脂組成物中所含的揮發成分的含有率可使用示差熱熱重量同時測定裝置等進行測定，且可藉由如下方式來求出：使樹脂組成物升溫，測定30℃時的樹脂組成物的質量與300℃時的樹脂組成物的質量，用30℃時的樹脂組成物的質量與300℃時的樹脂組成物的質量差除以30℃時的樹脂組成物的質量。另外，作為揮發成分，可列舉水、溶媒等，在欲確定揮發成分的情況下，只要併用氣體質量分析機對該揮發成分進行分析即可。
於本發明的電子零件中，藉由使用實質上不含填料的樹脂組成物，可增厚對裝配於配線基材的電子元件進行覆蓋的樹脂組成物的厚度（以下，簡稱為「樹脂組成物的厚度」）。由於實質上不含填料，因此與包含填料的情況相比，可維持透明性，可提高透鏡的聚光性。另外，若樹脂組成物的厚度變厚，則阻氣性或相對於來自外部的力學性衝擊的電子元件的保護性能提高。此處，所謂實質上不含填料，是指樹脂組成物中所含的填料濃度為5質量%以下，較佳為3質量%以下，更佳為1質量%以下，進而佳為0質量%。
本發明的樹脂組成物較佳為透明性優異、尤其是紫外區域的透過率高。例如，厚度1.5 mm的樹脂組成物的波長265 nm的光的透過率較佳為50%以上，更佳為55%以上，進而佳為60%以上，特佳為65%以上。關於密封後的樹脂組成物，亦較佳為經密封的厚度下的透過率為所述範圍。
另一方面，樹脂組成物視需要亦可含有填料。藉由填料，可防止結晶性氟樹脂的熱分解。作為填料，例如可列舉：金屬、金屬氟化物、金屬氧化物、金屬磷酸鹽、金屬碳酸鹽、金屬磺酸鹽、金屬硝酸鹽、金屬氮化物、氮化硼等無機填料。填料可使用一種，亦可併用兩種以上。較佳的填料為金屬氟化物。金屬氟化物與結晶性氟樹脂的折射率差小，對發光元件進行密封時，可提高光的取出效率。
作為金屬氟化物，可列舉：氟化鈣、氟化鋇、氟化鍶、氟化鋰、氟化鎂、氟化鈉、冰晶石等，較佳為氟化鎂。該些金屬氟化物可使用一種，亦可併用兩種以上。
無機填料的粒徑較佳為500 μm以下。藉由無機填料為300 μm以下，可減少結晶性氟樹脂的伴隨溫度上升的熱分解。另一方面，無機填料的粒徑較佳為0.5 μm以上。藉由將無機填料的粒徑設為0.5 μm以上，可抑制結晶性氟樹脂與無機填料間的光的散射，結晶性氟樹脂的透明性優異。所謂該無機填料的粒徑，為利用雷射繞射法而獲得的體積累計頻率為50%的粒子徑D50 。
結晶性氟樹脂與無機填料的折射率的差較佳為0.05以下。藉由如此減少折射率的差，可抑制無機填料的表面（組成物中的無機填料的表面與結晶性氟樹脂的界面）中的光的散射，因此可提高光取出效率。結晶性氟樹脂與無機填料的折射率的差更佳為0.04以下，進而佳為0.03以下。另一方面，結晶性氟樹脂與無機填料的折射率的差的下限並無特別限定，例如可為0.001以上。無機填料的折射率可使用目錄值或通常的物性表中記載的數值，亦可利用阿貝折射率計、橢圓儀等進行測定。
於樹脂組成物含有填料的情況下，相對於結晶性氟樹脂以及填料的合計100質量份的填料的量較佳為1質量份以上且60質量份以下。藉由填料的量為1質量份以上，可容易防止結晶性氟樹脂的熱分解。填料的量的下限更佳為10質量份以上，進而佳為15質量份以上。另一方面，藉由填料的量為60質量份以下，容易發揮結晶性氟樹脂的密接性。填料的量的上限更佳為50質量份以下，進而佳為45質量份以下。
含有填料的樹脂組成物可藉由將結晶性氟樹脂與填料混合來製備。作為製備方法，可列舉如下方法等：將熔融狀態的結晶性氟樹脂與填料混合並進行冷卻的方法；在溶解或分散結晶性氟樹脂的溶媒的存在下將結晶性氟樹脂與無機填料混合的方法；於所述溶媒存在下的混合後，藉由過濾、濃縮等去除溶媒的方法。
作為溶媒，可列舉：乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯、丙酸乙酯、對二醇醚加成乙酸基而成的二醇酯等酯系溶媒；丙酮、甲基乙基酮、二乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮等酮系溶媒；二乙基醚、二丙基醚、丁基醚、二醇醚、四氫呋喃等醚系溶媒；N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二丁基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺等醯胺系溶媒；N-甲基-2-吡咯啶酮等內醯胺系溶媒等。其中，較佳為酯系溶媒、酮系溶媒、醚系溶媒，更佳為酯系溶媒。該些有機溶媒可使用一種，亦可併用兩種以上。
於在混合中使用溶媒的情況下，相對於結晶性氟樹脂100質量份的溶媒的量較佳為100質量份以上且5000質量份以下。藉由為100質量份以上，可容易溶解或分散結晶性氟樹脂。溶媒的量更佳為200質量份以上，進而佳為400質量份以上，進而更佳為600質量份以上。另一方面，藉由為5000質量份以下，可減少將紫外線發光裝置密封時的塗佈次數。溶媒的量更佳為2000質量份以下，進而佳為1200質量份以下，進而更佳為1000質量份以下。
於在混合中使用溶媒的情況下，混合後將溶媒去除。去除溶媒的方法並無特別限定，較佳為施加熱的方法、進行減壓的方法以及將該些組合而成的方法。相對於樹脂組成物，去除後的溶媒的殘存量為5質量%以下，較佳為3質量%以下，更佳為1質量%以下，進而佳為0.5質量%以下，進而更佳為0.1質量%以下。
此外，於結晶性氟樹脂使用THV或其改質物的較佳形態中，樹脂組成物亦可含有其他氟樹脂、添加劑等。
作為其他氟樹脂，較佳為可列舉結晶性氟樹脂，具體可列舉：四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物（PFA）、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物（FEP）、氯三氟乙烯聚合物（PCTFE）等。該些其他氟樹脂可使用一種，亦可併用兩種以上。
相對於THV 100質量份的其他氟樹脂的量較佳為10質量份以下，更佳為5質量份以下，進而佳為2質量份以下，特佳為1質量份以下，最佳為0質量份。即，最佳為本發明的樹脂組成物中所含的氟樹脂是由THV構成。藉此，可減少樹脂間的折射率差而提高光取出效率。
相對於樹脂組成物（固體成分）的總質量的所有氟樹脂（THV與其他氟樹脂的合計）、以及無機填料的合計含量較佳為90質量%以上，更佳為95質量%以上，進而佳為97質量%以上，特佳為99質量%以上。藉此，容易發揮氟樹脂的密接性與無機填料的導熱性。
（4）密封 於本發明中，如上所述，在裝配於配線基材（亦稱為封裝體）的電子元件的上方設置所述樹脂組成物，其後，藉由將樹脂組成物加熱至熔點以上而用所述樹脂組成物覆蓋所述電子元件來密封電子元件。藉由利用樹脂組成物進行的密封，可將電子元件與外部的氧或水分隔斷。圖4是表示對圖2的紫外線發光元件2進行密封並製成電子零件的例子的概略剖面圖，圖3是表示對圖2的電子元件安裝封裝體進行密封來製造圖4的電子零件的密封步驟的一例的概略剖面圖。
於圖4的電子零件1a中，形成有密封部3a，所述密封部3a是用樹脂組成物自圖2所示的紫外線發光元件安裝封裝體6的紫外線發光元件2的下表面（電極10、電極11）起進行被覆直至上表面（直至元件基板15）為止而成，如上所述，該電子零件1a是經過圖3所示的密封步驟來製造。
圖3表示將樹脂片3'配置於圖2的電子元件安裝封裝體的上表面的狀態。樹脂片3'是藉由將所述樹脂組成物預先成形為片狀來製造。樹脂片3'的成形方法可採用公知的各種成形方法，可採用壓製成形法、擠出成形法、射出成形法、吹塑成形法、塗佈法等使用熔融氟樹脂或溶解氟樹脂的成形方法。如圖3所示，將所獲得的樹脂片3'設置於紫外線發光元件2的上方。其次，藉由將樹脂片3'加熱至熔點以上，樹脂片3'（樹脂組成物）熔融，並因自重下垂。而且，下垂的樹脂組成物覆蓋紫外線發光元件2整體（形成密封部3a），從而可密封紫外線發光元件2。最後，冷卻電子零件1a，使覆蓋紫外線發光元件2整體的樹脂組成物固化。
再者，關於利用樹脂組成物進行的密封，較佳為如所述般利用樹脂片，但並非必須使用樹脂片。例如，藉由將粉末狀的樹脂組成物散佈於電子元件的上表面後，加熱至樹脂組成物的熔點以上，亦可同樣地進行密封。
片狀、粉末狀等的樹脂組成物的加熱可於大氣中等含氧環境下進行，較佳為於氮氣環境中、氬氣環境中等惰性氣體環境下進行。進而，樹脂組成物的加熱可於大氣壓下進行，亦較佳為於真空中等減壓下進行。若於減壓下對規定的樹脂組成物進行加熱，則密封後的樹脂組成物中所殘存的氣泡減少，透明性提高。
樹脂組成物（粉末、樹脂片等）的加熱溫度較佳為樹脂組成物的熔點+10℃以上，更佳為熔點+20℃以上。加熱溫度的上限例如為278℃以下，更佳為250℃以下，進而更佳為200℃以下，特佳為150℃以下。
樹脂組成物（粉末、樹脂片等）的加熱時間較佳為10分鐘以上且20小時以下，更佳為30分鐘以上且10小時以下。
藉由使用實質上不含填料的樹脂組成物，可將樹脂組成物的厚度設為0.5 mm以上。樹脂組成物的厚度較佳為0.5 mm以上，更佳為0.7 mm以上，進而佳為0.8 mm以上，特佳為1.0 mm以上。如圖4所示，此處所述的厚度為自設置有電子元件的封裝體的底面起至樹脂組成物的最大高度為止的距離（圖4中的T1）。例如，如實施例中記載般，樹脂組成物的厚度可利用光學顯微鏡對密封後的電子零件的側面投影圖像進行觀察來求出。於樹脂組成物的厚度為0.5 mm以上的情況下，所使用的樹脂組成物更佳為包含結晶性氟樹脂，並且實質上不含揮發成分及填料。
於具有紫外線發光元件的電子零件中，只要樹脂組成物密封紫外線發光元件，則密封部可採用各種形狀，例如，可列舉透鏡狀、板狀、圓錐台狀、圓柱狀、半球狀、半橢圓球狀等形狀，較佳為將紫外線發光元件的上表面設為透鏡狀（將紫外線發光元件的上表面設為凸狀的曲面）而作為聚光透鏡來使用。圖4的電子零件1a為由樹脂組成物形成的密封部3a自身向上表面隆起而形成凸狀的曲面的例子。因此，於密封步驟（圖3）中，使用充分量的體積的樹脂片3'或樹脂粉末並藉由熔融時的表面張力形成凸狀的聚光透鏡。
另外，圖6的電子零件1c為密封部3b成為板狀的例子。該電子零件1c可藉由使用體積與圍堰（bank）內的容積大致同等的樹脂片3'或樹脂粉末並進行熔融密封來形成。如圖6般，於密封部3b的上表面不具有凸狀的曲面的情況下，例如，如圖5的電子零件1b般，亦可於密封部3b的上部積層具有凸狀的曲面的聚光透鏡零件7。另外，雖未圖示，但亦可於晶片板型的配線基材安裝電子元件且進行密封。
於圖4～圖6中，列舉了於一個封裝體中以覆蓋紫外線發光元件整體的方式使樹脂組成物進行密封的例子，但例如可排列設置多個封裝體，以覆蓋多個封裝體的方式配置一片樹脂片，與圖4中的製造步驟同樣地將樹脂片加熱至熔點以上並進行熔融，藉此用樹脂組成物同時覆蓋多個紫外線發光元件。其後，與圖4中的製造步驟同樣地冷卻樹脂組成物並進行固化。此時，各封裝體彼此成為藉由進行覆蓋的樹脂組成物而連結的狀態，但藉由利用切刀（cutter）等將連結封裝體彼此的樹脂組成物切斷，可將連結的封裝體分離。
（5）放射線照射 若利用包含結晶性氟樹脂的樹脂組成物進行密封，則存在密封後的耐熱變形性不充分的情況。因此，於利用樹脂組成物進行密封後，較佳為對該樹脂組成物照射放射線。若對包含結晶性氟樹脂的樹脂組成物照射放射線，則可使樹脂組成物表面（密封部表面）硬化，即便自電子元件的發熱劇烈，亦可抑制密封部的熱變形。因此，例如，於使用發光元件作為電子元件的情況下，光的配向不會發生變化，可長期取出同等的光。
作為放射線，可列舉：紫外線、X射線、γ射線、電子束、離子束等，較佳為電子束。電子束於控制硬化深度的方面優異，不會對密封部整體的特性造成不良影響，容易提高耐熱變形性。
（6）聚光透鏡 藉由本發明的製造方法來製造的電子零件亦可如圖4、圖6般具有聚光透鏡，於具有聚光透鏡的情況下，亦可如圖6所示般裝配聚光透鏡零件7。聚光透鏡零件7例如包含二氧化矽玻璃、硼矽酸玻璃等。
（7）電子零件 作為藉由本發明的製造方法來製造的電子零件，較佳為包括發光元件的電子零件，更佳為包括紫外線發光元件的電子零件。包括紫外線發光元件的電子零件例如可於分析設備、光觸媒裝置、光治療裝置、紙幣鑑定裝置、空氣/水殺菌淨化裝置、紫外線（Ultraviolet，UV）樹脂硬化裝置等中利用。 [實施例]
以下，列舉實施例對本發明更具體地進行說明，但本發明根本不受下述實施例的限制，當然亦能夠於可適合於前後所敘述的主旨的範圍內適當地施加變更來實施，該些均包含於本發明的技術範圍內。
（1）氟樹脂的組成 以下的實施例1、實施例3、及實施例4中，使用四氟乙烯-六氟丙烯-偏二氟乙烯共聚物（THV）。藉由以下的NMR測定來求出THV中的源自四氟乙烯的構成單元T、源自六氟丙烯的構成單元H、以及源自偏二氟乙烯的構成單元V、各自的莫耳比。 測定裝置：JEOL ECZ-400 試樣：約60 mg/0.8 ml ACT-d6 IS：4-氯三氟甲苯 0.01 mL 測定模式：1 H、19 F 弛豫時間：1 H 30秒、19 F 20秒 構成單元H的單元數：用19 F-NMR中的CF3 的積分比除以3來算出（CF3 積分比/3） 構成單元V的單元數：用1 H-NMR中的CH2 的積分比除以2來算出（CH2 積分比/2） 構成單元T的單元數：用自19 F-NMR中的CF2 的合計積分比減去源自構成單元H的CF2 與源自構成單元V的CF2 而得的值除以4來算出（CF2 合計積分比-構成單元V的單元數×2-構成單元H的單元數×2）/4 實施例中所使用的結晶性氟樹脂（商品名：代尼翁（Dyneon）THV221AZ；3M公司製造，熔點120℃）中，構成單元T的莫耳比為0.35，構成單元H的莫耳比為0.11，構成單元V的莫耳比為0.54。另外，結晶性氟樹脂（商品名：代尼翁（Dyneon）THV500GZ；3M公司製造，熔點165℃）中，構成單元T的莫耳比為0.55，構成單元H的莫耳比為0.13，構成單元V的莫耳比為0.33。
（2）X射線繞射測定 對THV221AZ及以下實施例2中所使用的PCTFE進行X射線繞射測定，結果，THV221AZ、THV500GZ及PCTFE為結晶性。 裝置：MiniFlex600（理學（Rigaku）股份有限公司製造） 波長：CuKα 電壓：40 kV 電流：15 mA 測定範圍：2θ=3°～80° 測定溫度：室溫（約25℃）
（3）樹脂組成物中的揮發成分的含有率 使樣品（作為結晶性氟樹脂的THV221AZ及PCTFE）升溫，測定30℃時的樣品的質量與300℃時的樣品的質量，用30℃時的樣品的質量與300℃時的樣品的質量的差除以30℃時的樣品的質量，藉此求出樣品中的揮發成分的比例。測定中所使用的裝置及測定條件為如下所述。THV221AZ中的揮發成分的比例為0.55質量%。另外，THV500GZ中的揮發成分的比例為0.99質量%。另外，PCTFE中的揮發成分的比例為0.28質量%。 測定裝置：TG/DTA6200（SII奈米科技（SII Nanotechnology）股份有限公司製造） 測定環境：大氣 升溫範圍：30℃至500℃ 升溫速度：10℃/分鐘
（4）拉伸強度 準備兩個相同的樣品，對於各樣品，使用島津製作所公司製造的「小型台式試驗機EZ-L」，測定於荷重元（load cell）500 N、拉伸速度5 mm/分鐘的條件下斷裂時的強度。將兩次的測定結果的平均值設為樣品的拉伸強度。
實施例1 於76 mm×26 mm（厚度0.8 mm～1.0 mm）的載玻片（slide glass）上的一端部，使用耐熱膠帶製作由耐熱膠帶包圍的26 mm×25 mm的區域。其次，使結晶性氟樹脂（商品名「THV221AZ」）溶解於乙酸丙酯中，準備9質量%的樹脂溶液，於由耐熱膠帶包圍的26 mm×25 mm的區域內塗佈200 μl的所述樹脂溶液後，在200℃下進行3小時乾燥。繼而，於樹脂上以一端部重疊的方式放置載玻片，一邊施加100 g的負荷，一邊於200℃下加熱3小時，進行熔接，製作樣品。其中，所述區域上方的載玻片是以自上方進行觀察時所述區域上方的載玻片的另一端部不與所述區域下方的載玻片重疊的方式進行設置。所述樣品的拉伸強度為73.9 N。
實施例2 於載玻片上的一端部設置25 mm×25 mm、厚度75 μm的PCTFE（熔點210℃）膜（東邦化成股份有限公司）。其次，於PCTFE膜上以一端部重疊的方式放置載玻片，一邊施加100 g的負荷，一邊於200℃下加熱3小時，進行熔接，製作樣品。其中，所述區域上方的載玻片是以自上方進行觀察時PCTFE膜上方的載玻片的另一端部不與PCTFE膜下方的載玻片重疊的方式進行設置。所述樣品的拉伸強度為58.7 N。
比較例1 除了使用非晶性氟樹脂即賽托普（CYTOP）（商標；AGC公司製造，9質量%）代替THV以外，與實施例1同樣地製作樣品。所述樣品的拉伸強度為14.3 N。
實施例3 將結晶性氟樹脂（商品名「THV221AZ」）3.5 g放入直徑48 mm的PFA（四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物）製的淺底盤中，於溫度200℃下加熱3小時，藉此製成氟樹脂片，利用切割刀（cutter knife）切出大小為3.0 mm×3.0 mm的四邊形的片。 於LED用封裝體（KD-LA9R48，京瓷（kyocera）公司製造）上設置所述片，在溫度200℃下加熱3小時，藉此使氟樹脂熔融，利用氟樹脂對封裝體內進行填充（密封），藉此獲得密封後的樹脂組成物的厚度為1.47 mm、且由不含填料的樹脂組成物密封的電子零件。樹脂組成物的厚度是藉由以下方法來算出。藉由利用光學顯微鏡（VHX-2000，基恩士（keyence）股份有限公司製造）自側面對密封後的電子零件進行觀察，求出自封裝體向外側突出的樹脂組成物部分的長度（圖4中的T2），根據圖式求出由封裝體的側壁隱藏的部分的長度（圖4中的T3（封裝體的深度部分的厚度）），將兩者相加而得的值設為樹脂組成物的厚度（圖4中的T1）。
實施例4 將結晶性氟樹脂（商品名「THV221AZ」）3.5 g放入直徑48 mm的PFA（四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物）製的淺底盤中，於溫度200℃下加熱3小時，藉此製成氟樹脂片，利用切割刀切出大小為10.5 mm×10.5 mm的四邊形的片。
使3.5 mm見方的平板型LED用封裝體（YCL-2X97ES，友華（Yokowo）公司製造）以縱橫各3片密接排列（合計9片），於其上設置所述片，在溫度200℃下加熱3小時，使結晶性氟樹脂熔融，用結晶性氟樹脂將9片封裝體全部覆蓋（密封）。進而，沿各封裝體間的邊界線用切刀進行切斷，藉此獲得9個電子零件。樹脂組成物不含填料，藉由與實施例3中記載的方法相同的方法算出中心的1個電子零件中的樹脂組成物的厚度，結果，樹脂組成物的厚度為1.38 mm。
實施例5 [填料的製作] 於以下條件下利用球磨機對匹亞光學（pier-optics）公司製造的MgF2 粉末（對產品編號：MFGR3-6進行粉碎並通過60目的篩子而成者，D50 =218 μm，589 nm下的折射率為1.38）進行粉碎，藉此調節粒度。 ＜粉碎條件＞ 粉碎裝置：球磨機ANZ-51S（日陶科學製造） 容器：250 ml 艾博（I-Boy）廣口瓶（亞速旺（Asone）公司製造 產品編號5-002-03） 介質：400 g 氧化鋯球 10 mmΦ（亞速旺（Asone）公司製造 產品編號：5-4060-14） MgF2 粉末：100 g 溶媒：異丙醇（IPA，納卡拉伊泰斯庫（Nacalai tesque）公司製造）100 g 轉數：58 rpm 粉碎時間：4小時 [MgF2 粉末（填料）的粒度分佈測定] MgF2 粉末（填料）的粒度分佈測定是藉由如下方法來進行：利用下述條件的雷射繞射法，獲得各製備完成的MgF2 填料的粒度的累計分佈曲線，求出體積累計頻率50%時的粒徑即粒徑D50 。MgF2 粉末（填料）的粒徑D50 為112 μm。 測定裝置：LS230（貝克曼庫爾特（beckman-coulter）股份有限公司製造） 分散溶媒：離子交換水+中性洗滌劑 分散方法：攪拌器攪拌+超音波照射 3分鐘 折射率（MgF2 ）：1.40-0.20i ＜樹脂溶液（THV221溶液）的製作＞ 向放置於水浴中的可分離燒瓶中，量取乙酸丁酯（富士軟片和光純藥公司製造）160 g，一邊進行攪拌，一邊將水浴升溫至85℃。一邊進行攪拌，一邊一點點地加入40 g的THV221AZ（3M公司製造，利用橢圓儀測定的相對於波長589 nm的光的折射率：1.36，熔點：115℃，重量平均分子量：384,000）並使其溶解，製作樹脂溶液。將所獲得的溶液於120℃下加熱3小時，根據剩餘部分求出固體成分濃度，結果為19.5質量%。 ＜樹脂-填料複合材料的顆粒的製作＞ 將所述製作的19.5質量%的濃度的樹脂溶液35 g放入250 ml的一次性杯子（disposable cup）中，於其中添加2.76 g的粒徑D50 為112 μm的所述MgF2 粉末作為填料。若將樹脂的密度作為1.95 g/cm3 、將MgF2 粉末的密度作為3.15 g/cm3 來計算，則填料的濃度為20體積%。使用去泡攪拌太郎ARV-310，對該溶液實施3次以轉數2000 rpm混合2分鐘的操作，將溶液與填料混合，繼而放入作為不良溶媒的異丙醇（IPA，納卡拉伊泰斯庫（Nacalai tesque）公司製造）70 g，使含有填料的氟樹脂析出。將所析出的樹脂自螺旋管取出，利用乾燥機使其乾燥，獲得樹脂組成物的固化物。使用剪刀將所獲得的試樣剪切為2 mm見方左右的尺寸，製成顆粒。 ＜樹脂-填料複合體的片的製作＞ 使用模具於200℃下對所述獲得的顆粒進行熱壓製，製作厚度1.5 mm、50 mm見方的片，利用切割刀切出大小為10 mm×10 mm的四邊形的片。 使3.5 mm見方的平板型LED用封裝體（YCL-2X97ES，友華（Yokowo）公司製造）以縱橫各2片密接排列（合計4片），於其上設置所述片，在溫度200℃下加熱3小時，藉此使含有填料的結晶性氟樹脂熔融，用結晶性氟樹脂將4片封裝體全部覆蓋（密封）。進而，沿各封裝體的邊界線用切刀進行切斷，藉此獲得4個電子零件。藉由與實施例3中記載的方法相同的方法算出其中1個電子零件中的樹脂組成物的厚度，結果，樹脂組成物的厚度為1.42 mm。 ＜片的透過率的測定＞ 藉由熱壓製來製作包含不含填料的THV221AZ的厚度1.5 mm、50 mm見方的片，於下述條件下測定多個波長下的透過率。另外，所述製作的加入有填料的樹脂片的透過率亦是同樣地進行測定。 透過率的測定條件 裝置：島津製作所公司製造的UV-3600 附件（attachment）：積分球 ISR-3100 背景測定：大氣 將測定結果示於表1中。
[表1]
波長 （nm） 透過率（%）
僅THV221 （無填料） THV221+20 vol%MgF2 （有填料）
50 mm×50 mm×1.5 mm 50 mm×50 mm×1.5 mm
265 67.0 55.2
300 75.3 66.5
400 87.2 81.9
500 91.1 86.1
589 92.6 87.6
650 93.2 88.2
750 93.8 88.9
實施例6 製作27個實施例3中記載的電子零件。於27個電子零件中，密封後的樹脂組成物的平均厚度為1.5 mm。對於所製作的27個電子零件，利用光學顯微鏡（VHX-2000，基恩士（keyence）股份有限公司製造）以50倍的倍率自上方進行觀察，結果，於9個電子零件中確認到氣泡的產生。再者，於利用光學顯微鏡的確認中，在存在最大徑為100 μm以上的氣泡的情況下，判斷為產生氣泡。
實施例7 除了將結晶性氟樹脂自THV221AZ變更為THV500GZ以外，與實施例6同樣地製作27個經樹脂密封的電子零件。密封後的樹脂組成物的平均厚度為1.7 mm。對於27個電子零件，與實施例6中記載的方法同樣地確認有無氣泡的產生，結果，於24個中確認到氣泡的產生。
實施例8 使用模具對結晶性氟樹脂（商品名「THV221AZ」）進行熱壓製，藉此製成厚度100 μm的氟樹脂片，利用切割刀切出大小為10 mm×10 mm的四邊形的片。 於20 mm×75 mm、厚度100 μm的聚醯亞胺膜（亞速旺（Asone）公司製造，型號HJA-A4-100 μm）的一端部設置10 mm×10 mm、厚度100 μm的所述結晶性氟樹脂THV221AZ膜。其次，於聚醯亞胺膜上以一端部重疊的方式放置聚醯亞胺膜，一邊施加100 g的負荷，一邊於200℃下加熱1小時，進行熔接，製作樣品。其中，所述區域上方的聚醯亞胺膜是以自上方進行觀察時所述區域上方的聚醯亞胺膜的另一端部不與所述區域下方的聚醯亞胺膜重疊的方式進行設置。即便拉伸強度超過200 N，所述樣品亦未斷裂。
實施例9 除了使用THV500GZ代替THV221AZ來作為結晶性氟樹脂以外，與實施例8同樣地製作樣品。所述樣品的拉伸強度為113.5 N。於實施例9的拉伸試驗中，聚醯亞胺膜與聚醯亞胺膜的界面剝離而斷裂。
1a、1b、1c:電子零件 2:紫外線發光元件 3a、3b:樹脂組成物/密封部 3':樹脂片 4:基材 5:凸塊 6:紫外線發光元件安裝封裝體 7:聚光透鏡零件 10:p電極 11:n電極 12:p層 13:活性層 14:n層 15:元件基板 T1:樹脂組成物的厚度 T2:自封裝體向外側突出的樹脂組成物部分的長度 T3:封裝體的深度部分的長度
圖1是表示現有的電子元件的一例的概略剖面圖。 圖2是安裝有現有的電子元件的封裝體的一例的概略剖面圖。 圖3是表示於電子元件的上方設置有樹脂組成物的狀態的一例的概略剖面圖。 圖4是表示藉由本發明的製造方法來製造的電子零件的一例的概略剖面圖。 圖5是表示藉由本發明的製造方法來製造的電子零件的另一例的概略剖面圖。 圖6是表示藉由本發明的製造方法來製造的電子零件的又一例的概略剖面圖。
1a:電子零件
2:紫外線發光元件
3a:樹脂組成物/密封部
4:基材
5:凸塊
10:p電極
11:n電極
T1:樹脂組成物的厚度
T2:自封裝體向外側突出的樹脂組成物部分的長度
T3:封裝體的深度部分的長度

Claims (9)

  1. 一種電子零件的製造方法，包括：在裝配於配線基材的電子元件的上方設置樹脂組成物的步驟；以及 藉由將所述樹脂組成物加熱至熔點以上而用所述樹脂組成物覆蓋所述電子元件的步驟，所述電子零件的製造方法的特徵在於： 所述樹脂組成物包含結晶性氟樹脂，並且實質上不含揮發成分。
  2. 如請求項1所述的電子零件的製造方法，其中所述結晶性氟樹脂的熔點為278℃以下。
  3. 如請求項1或請求項2所述的電子零件的製造方法，其中所述結晶性氟樹脂的一部分碳原子上鍵結有碳及氟以外的原子。
  4. 如請求項1所述的電子零件的製造方法，其中所述結晶性氟樹脂為四氟乙烯-六氟丙烯-偏二氟乙烯共聚物。
  5. 如請求項4所述的電子零件的製造方法，其中相對於源自四氟乙烯的構成單元T、源自六氟丙烯的構成單元H、以及源自偏二氟乙烯的構成單元V的合計的構成單元T的莫耳比為0.50以下。
  6. 如請求項1所述的電子零件的製造方法，其中所述電子元件為發光二極體。
  7. 一種電子零件，其是用樹脂組成物覆蓋裝配於配線基材的電子元件而成， 所述樹脂組成物包含結晶性氟樹脂，並且實質上不含揮發成分及填料， 所述樹脂組成物的厚度為0.5 mm以上。
  8. 如請求項7所述的電子零件，其中所述結晶性氟樹脂為四氟乙烯-六氟丙烯-偏二氟乙烯共聚物。
  9. 如請求項8所述的電子零件，其中相對於源自四氟乙烯的構成單元T、源自六氟丙烯的構成單元H、以及源自偏二氟乙烯的構成單元V的合計的構成單元T的莫耳比為0.50以下。
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