WO2020230715A1 - 電子部品及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

フッ素樹脂封止部材の耐熱変形性が良好な電子部品の製造方法を提供する。 配線基材に取り付けられた電子素子をフッ素樹脂で覆う工程と、電子素子を覆った前記フッ素樹脂に放射線を照射する工程とを有する方法により電子部品が製造される。前記フッ素樹脂は、好ましくは、テトラフルオロエチレン－ヘキサフルオロプロピレン－フッ化ビニリデン共重合体である。前記放射線は、好ましくは、電子線である。前記電子線の加速電圧が、好ましくは、５０ｋＶ以上である。前記電子線の照射エネルギーが、好ましくは、吸収線量で２０ｋＧｙ以上である。

Description

電子部品及びその製造方法
　本発明は電子部品とその製造方法に関する。
　ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）等の電子素子を備えた電子部品では、電子素子の劣化を防ぐために該電子素子をエポキシ樹脂やシリコーン樹脂により封止することが多く、フッ素樹脂により封止する例もある。
　例えば非特許文献１には、ＣＦ3末端を有するパーフルオロ（４－ビニルオキシ－１－ブテン）（ＢＶＥ）系重合体は深紫外線に対する耐久性に優れるため、深紫外ＡｌＧａＮ系ＬＥＤの封止に用いることができることが記載されている。また特許文献１には、非晶質フッ素樹脂により紫外線発光素子が封止された紫外線発光装置が開示されている。特許文献２には、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）及びビニリデンフルオライド（ＶｄＦ）を少なくとも含むフッ素ポリマー（ＴＨＶ）をＬＥＤ素子の封止に用いることが開示されている。
国際公開第２０１４／１７８２８８号 特開２００９－５１８７６号公報
　ところで電子素子は、その種類や使用状態によっては発熱することがあり、その一例として深紫外線を発光するＬＥＤ素子が知られている。一方、封止剤で使用するフッ素樹脂は一般的に熱可塑性樹脂であり、素子から発せられた熱により変形する場合がある。従って本発明の目的は、フッ素樹脂封止部材の耐熱変形性が良好な電子部品を提供することにある。
　上記課題を解決することのできた本発明の電子部品及びその製造方法は、以下の構成からなる。
　［１］　配線基材に取り付けられた電子素子をフッ素樹脂で覆う工程と、
　電子素子を覆った前記フッ素樹脂に放射線を照射する工程とを有する電子部品の製造方法。
　［２］　前記フッ素樹脂が、テトラフルオロエチレン－ヘキサフルオロプロピレン－フッ化ビニリデン共重合体である［１］に記載の製造方法。
　［３］　前記放射線が電子線である［１］又は［２］に記載の製造方法。
　［４］　前記電子線の加速電圧が５０ｋＶ以上である［３］に記載の製造方法。
　［５］　前記電子線の照射エネルギーが吸収線量で２０ｋＧｙ以上である［３］又は［４］に記載の製造方法。
　［６］　配線基材と、該配線基材に封止部として充填されたフッ素樹脂とを有する電子部品であり、
　前記電子部品を、充填されたフッ素樹脂と空気との界面が下になる状態で、温度１５０℃で６０時間保持した時、下記式（１）で算出される平均変形率Ｖが１．３０未満である電子部品。
　　平均変形率Ｖ＝（ＲS×Ｒd）1/2　　　（１）
（式中、ＲSは、封止部の単位正面投影面積あたりの配線基材から突出したフッ素樹脂の側面投影面積を規格化面積としたとき、保持前の当該規格化面積に対する保持後の当該規格化面積の比を表し、Ｒdは、封止部の単位正面投影面積あたりの配線基材から突出したフッ素樹脂の高さを規格化高さとしたとき保持前の当該規格化高さに対する保持後の当該規格化高さの比を表す。電子部品の電子素子実装面又は電子素子実装予定面を電子部品の正面といい、該電子素子実装面又は電子素子実装予定面と直交する面を側面という。）
　［７］　前記フッ素樹脂が、テトラフルオロエチレン－ヘキサフルオロプロピレン－フッ化ビニリデン共重合体である［６］に記載の電子部品。
　本発明によれば、フッ素樹脂封止部材の耐熱変形性が良好な電子部品を提供することができる。
図１は従来の電子素子の一例を示す概略断面図である。 図２は従来の電子素子を実装した配線基材の一例を示す概略断面図である。 図３は本発明の電子部品の一例を示す概略断面図である。 図４は本発明の電子部品の他の例を示す概略断面図である。 図５は本発明の電子部品のその他の例を示す概略断面図である。 図６は本発明の電子部品の別の例を示す概略断面図である。 図７は従来の配線基材の一例を示す概略図である。 図８は本発明の電子部品の試験状況を説明するための概略図である。 図９は本発明の電子部品の試験状況を説明するための他の概略図である。
　本発明は、配線基材に取り付けられた電子素子をフッ素樹脂で覆う工程と、電子素子を覆った前記フッ素樹脂に放射線を照射する工程とを有する電子部品の製造方法に関する。
　（１）電子素子
　前記電子素子としては、一般的に半導体でありトランジスタ、ダイオードなどが挙げられ、半導体ダイオードが好ましい。半導体ダイオードとしては、発光ダイオードが好ましく、特に紫外線発光ダイオード（以下、紫外線発光素子という場合もある）が好ましい。紫外線発光ダイオードをエポキシ樹脂やシリコーン樹脂で封止すると、紫外線によって樹脂の劣化が大きくなるのに対して、フッ素樹脂で封止すると樹脂の劣化を抑制できる。また紫外線発光ダイオードは発熱が大きくて封止部が熱変形する恐れがあるが、本発明によれば封止部の耐熱変形性を良好にできる。
　図１は前記紫外線発光素子の一例を示す概略断面図である。電子素子としての紫外線発光素子２はフリップチップタイプの素子であり、下側面の一部にアノード側のｐ電極１０を備え、該ｐ電極１０の上にｐ層１２が形成されている。更に紫外線発光素子２の下側面の別の一部に、カソード側のｎ電極１１を備え、ｎ電極１１の上にｎ層１４が形成されている。これらｎ電極１１とｎ層１４は、前記ｐ電極１０とｐ層１２よりも上方にシフトして形成されており、上方に存在するｎ層１４と下方に存在するｐ層１２との間に活性層１３が形成されている。加えて上方に存在するｎ層１４のさらに上に素子基板１５が存在する。
　紫外線発光素子２におけるｎ層１４は、例えばＳｉ含有ＡｌＧａＮ層が挙げられる。ｐ層１２は、例えばＭｇ含有ＧａＮ層が挙げられる。このｐ層１２は、必要に応じて電子ブロック層などと積層構造にしてもよい。活性層１３は、例えばＡｌＧａＮ層が挙げられる。
　ｐ電極１０、ｐ層１２からｎ層１４、ｎ電極１１に向けて順方向電流を流すことにより活性層１３におけるバンドギャップエネルギーに応じた発光が生じる。バンドギャップエネルギーは、活性層１３の例えばＡｌＮモル分率を調整することにより、ＧａＮとＡｌＮが取り得るバンドギャップエネルギー（約３．４ｅＶと約６．２ｅＶ）の範囲内で制御することができ、発光波長が約２００ｎｍから約３６５ｎｍまでの紫外線発光を得ることができる。
　なお素子基板１５には、サファイア基板、窒化アルミニウム基板等が使用可能である。ｐ電極１０の素材としてＮｉ／Ａｕ、ｎ電極１１の素材としてＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ／Ａｕ等が使用できる。またｐ電極１０とｎ電極１１の間の露出面は、短絡を防止するためにＳｉＯ2等の保護絶縁膜（図示せず）により被覆されていてもよい。
　紫外線発光素子２の発光ピーク波長は２００～３６５ｎｍの範囲で適宜設定でき、３００ｎｍ以下であることが好ましい。発光ピーク波長が３００ｎｍ以下であることにより殺菌効果が発揮され易くなるため、殺菌用の発光装置に紫外線発光素子２を用いることができる。発光ピーク波長は、より好ましくは２８０ｎｍ以下である。
　（２）配線基材
　配線基材は、表面に電極配線が形成された基材であり、パッケージと称されることがある。該配線基材は、表面実装型、チップオンボード型のいずれでもよく、電子素子を実装する面にバンプが形成されていることが好ましい。配線基材の基材には、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等のセラミックスが使用できる。
　図２は表面実装型配線基材に図１の紫外線発光素子を実装した状態を示す概略断面図である。図２の紫外線発光素子実装配線基材６は、基材４上の図示しない配線に、金属製のバンプ５を介して、紫外線発光素子２のｐ電極１０、ｎ電極１１とがそれぞれ電気接続できるように固定されている。なお上述した様に、本発明には、チップオンボード型の配線基材も使用可能であり、図示例に限定されない。
　（３）フッ素樹脂
　本発明では、上述した様に、配線基材に取り付けられた電子素子をフッ素樹脂で覆うことで電子素子を封止する。本明細書で「フッ素樹脂」とは、フッ素を含むオレフィンの重合体又はその変性物を意味し、前記変性物には、例えば、主鎖末端に－ＯＨや－ＣＯＯＨなどの極性基が結合するものが含まれる。フッ素樹脂としては、－ＳＯ3Ｈ基などの極性基を側鎖に有さないフッ素樹脂が電子部品の性能維持の観点から好ましく、例えば、テトラフルオロエチレン－パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、テトラフルオロエチレン－ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、クロロトリフルオロエチレン重合体（ＰＣＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン－ヘキサフルオロプロピレン－フッ化ビニリデン共重合体（ＴＨＶ）などの結晶性フッ素樹脂；テフロンＡＦ（商標；三井・ケマーズフロロプロダクツ社製）、サイトップ（商標；ＡＧＣ社製）などの非晶質フッ素樹脂などが挙げられ、これらフッ素樹脂は、１種で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。前記フッ素樹脂としては、結晶性フッ素樹脂がより好ましく、テトラフルオロエチレン－ヘキサフルオロプロピレン－フッ化ビニリデン共重合体（ＴＨＶ）がよりさらに好ましい。結晶性フッ素樹脂、特にテトラフルオロエチレン－ヘキサフルオロプロピレン－フッ化ビニリデン共重合体（ＴＨＶ樹脂）は、基材や電子素子に対する密着性が優れている。
　前記ＴＨＶ樹脂としては、テトラフルオロエチレン由来の構成単位Ｔ、ヘキサフルオロプロピレン由来の構成単位Ｈ、及びフッ化ビニリデン由来の構成単位Ｖを含み、構成単位Ｔ、構成単位Ｈ、及び構成単位Ｖの合計に対する構成単位Ｔのモル比（Ｔ）が０．２５以上であり、構成単位Ｔ、構成単位Ｈ、及び構成単位Ｖの合計に対する構成単位Ｖのモル比（Ｖ）が０．６０以下である樹脂が好ましい。これにより紫外線発光素子の発熱に対する耐熱性、および紫外線発光装置の基材等に対する密着性を向上することができる。
　構成単位Ｔ、構成単位Ｈ、及び構成単位Ｖの合計に対する構成単位Ｔのモル比（Ｔ）は０．２５以上であることが好ましい。これにより密着性が向上する傾向となる。そのため構成単位Ｔのモル比（Ｔ）の下限は、より好ましくは０．２８以上、更に好ましくは０．３０以上である。一方、構成単位Ｔのモル比（Ｔ）の上限は、透明性の観点から好ましくは０．７５以下、より好ましくは０．６０以下、更に好ましくは０．５０以下である。
　構成単位Ｔ、構成単位Ｈ、及び構成単位Ｖの合計に対する構成単位Ｖのモル比（Ｖ）は０．６０以下であることが好ましい。これにより密着性が向上する傾向となる。そのため構成単位Ｖのモル比（Ｖ）の上限は、好ましくは０．５８以下、より好ましくは０．５６以下である。一方、構成単位Ｖのモル比（Ｖ）の下限は、好ましくは０．２０以上であることが好ましい。これにより、有機溶媒に対する溶解性が向上するため、紫外線発光素子を封止するに当たって樹脂組成物の塗布回数を低減することができる。そのため構成単位Ｖのモル比（Ｖ）の下限は、より好ましくは０．３０以上、更に好ましくは０．４０以上、更により好ましくは０．５０以上である。
　構成単位Ｔ、構成単位Ｈ、及び構成単位Ｖの合計に対する構成単位Ｈのモル比（Ｈ）は０．０５以上、０．５０以下であることが好ましい。構成単位Ｈのモル比（Ｈ）の下限は溶解性の観点から、より好ましくは０．０７以上、更に好ましくは０．０９以上である。一方、構成単位Ｂのモル比（Ｈ）の上限は、耐熱性の観点からより好ましくは０．４０以下、更に好ましくは０．３０以下、更により好ましくは０．２０以下である。
　モル比（Ｖ）のモル比（Ｔ）に対する比（モル比（Ｖ）／モル比（Ｔ））は、０．２０以上、３．５０以下であることが好ましい。モル比（Ｖ）／モル比（Ｔ）を上記範囲に制御することによって、密着性が向上する傾向となる。また、高温加熱時の樹脂の着色を防止できる。モル比（Ｖ）／モル比（Ｔ）の下限は、より好ましくは０．５０以上、更に好ましくは１．００以上、更により好ましくは１.３０以上である。一方、モル比（Ｖ）／モル比（Ｔ）の上限は、より好ましくは３．００以下、更に好ましくは２．５０以下、更により好ましくは２．００以下である。
　モル比（Ｈ）のモル比（Ｔ）に対する比（モル比（Ｈ）／モル比（Ｔ））は、０．１０以上、０．８０以下であることが好ましい。モル比（Ｈ）／モル比（Ｔ）を上記範囲に制御することにより、密着性が向上する傾向となる。モル比（Ｈ）／モル比（Ｔ）の下限は、より好ましくは０．２０以上、更に好ましくは０．２４以上、更により好ましくは０．２８以上である。一方、モル比（Ｈ）／モル比（Ｔ）の上限は、より好ましくは０．６０以下、更に好ましくは０．５０以下、更により好ましくは０．４０以下である。
　フッ素樹脂の各構成単位のモル比は、後記する実施例に記載のＮＭＲ測定により求めることができる。モル比の算出に当たっては、例えばEric B. Twum et al., “Multidimensional 19F NMR Analyses of Terpolymers from Vinylidene Fluoride (VDF)-Hexafluoropropylene(HFP)-Tetrafluoroethylene (TFE)”, Macromolecules、2015年, 48巻, 11号, p.3563-3576を参照することができる。
　前記ＴＨＶ樹脂は、構成単位Ｔ、構成単位Ｈ、及び構成単位Ｖ以外の他の構成単位を含む樹脂であってもよい。他の構成単位としては、例えばエチレン由来の構成単位、パーフルオロアルキルビニルエーテル由来の構成単位、クロロトリフルオロエチレン由来の構成単位等が挙げられる。
　前記ＴＨＶ樹脂の全構成単位に対する構成単位Ｔ、構成単位Ｈ、及び構成単位Ｖの合計モル比は、好ましくは０．７０以上、より好ましくは０．８０以上、更に好ましくは０．９０以上、特に好ましくは０．９５以上、最も好ましくは１である。即ち変性されていないＴＨＶ樹脂であることが最も好ましい。これにより耐熱変形性を向上し易くすることができる。
　前記フッ素樹脂（好ましくは前記ＴＨＶ樹脂）の重量平均分子量は５０，０００以上、１，０００，０００以下であることが好ましい。重量平均分子量を５０，０００以上とすることにより融解時の粘度を高くすることができるため、ＬＥＤ点灯時の封止樹脂の形状変化を抑制することができる。前記フッ素樹脂（好ましくは前記ＴＨＶ樹脂）の重量平均分子量の下限は、より好ましくは１００，０００以上、更に好ましくは２００，０００以上、更により好ましくは２５０，０００以上、特に好ましくは３００，０００以上である。一方、前記フッ素樹脂（好ましくは前記ＴＨＶ樹脂）の重量平均分子量を１，０００，０００以下とすることにより溶解性が良くなる。前記フッ素樹脂（好ましくは前記ＴＨＶ樹脂）の重量平均分子量の上限は、より好ましくは８００，０００以下、更に好ましくは５００，０００以下、更により好ましくは４５０，０００以下、特に好ましくは４００，０００以下である。なお、重量平均分子量は標準ポリスチレン換算値である。
　前記フッ素樹脂が共重合体である場合、該共重合体は、ランダム共重合体、またはブロック共重合体のいずれであってもよいが、ランダム共重合体であることが好ましい。特にＴＨＶ樹脂をランダム共重合体樹脂にすることにより、構成単位Ｔや構成単位Ｖの結晶化度を抑制することができ、透明性を確保しやすい。
　前記フッ素樹脂の屈折率は、好ましくは１．３４超、より好ましくは１．３５以上、更に好ましくは１．３６以上である。これにより、後述する発光素子（好ましくは紫外線発光素子）と封止部の屈折率の差を小さくすることができ、発光素子と封止部との界面における全反射を低減して、光取出し効率を向上させることができる。なお光取出し効率とは、発光素子で発生した光が発光素子の外部に取り出される効率のことである。一方、フッ素樹脂の屈折率の上限は、例えば１．４５以下、好ましくは １．４０以下であってもよい。屈折率は、カタログ値や一般的な物性表に記載の数値を使用しても良いし、アッベ屈折率計、エリプソメーターなどにより測定することができる。
　前記フッ素樹脂は、加熱変形温度が９０℃以上、２７８℃以下であることが好ましい。加熱変形温度が９０℃以上であることにより、電子素子の発熱による封止部材の溶融、変形を防止でき、また放射線照射により耐熱変形性を高めやすい。フッ素樹脂の加熱変形温度の下限は、より好ましくは１００℃以上、更に好ましくは１１０℃以上、更により好ましくは１１５℃以上である。一方、一般的なハンダ材であるＡｕ－Ｓｎ（２０質量％）の融点が２７８℃であることから、樹脂の加熱変形温度が２７８℃以下であることにより、フッ素樹脂の加熱溶融による電子素子の封止を容易にできる。また加熱溶融で封止するときの後述のバンプの溶融を防止できる。フッ素樹脂の加熱変形温度の上限は、より好ましくは２００℃以下、更に好ましくは１７０℃以下、更により好ましくは１５０℃以下、特に好ましくは１３０℃以下である。ここで、加熱変形温度とは、結晶性樹脂の場合には融点であり、非晶性樹脂の場合にはガラス転移点である。加熱溶融による電子素子の封止では、結晶性樹脂の割合が５０質量％以上である樹脂シートの場合は融点以上、非晶性樹脂の割合が５０質量％よりも多い樹脂シートの場合には、ガラス転移点以上に樹脂シートを加熱することが好ましい。本発明のフッ素樹脂の融点又はガラス転移点は、示差走査熱量計（ＤＳＣ、株式会社日立ハイテクサイエンス製）を用いて、昇温速度１０℃／分で－５０℃から２００℃の温度まで変化させ、これにより得られるＤＳＣ曲線（融点の場合は融解曲線）から中間ガラス温度又は融解ピーク温度（Ｔｍ）を測定することにより求めることができる。例えば、結晶性樹脂である３Ｍ社製の「ＴＨＶ５００ＧＺ」の加熱変形温度（融点）は１６５℃程度、３Ｍ社製の「ＴＨＶ２２１ＡＺ」の加熱変形温度（融点）は１１５℃程度であり、非晶性樹脂であるＡＧＣ社製の「サイトップ（登録商標）」の加熱変形温度（ガラス転移点温度）は１０８℃程度である。また、本発明で好適に用いられる結晶性フッ素樹脂は、室温で固体であり、封止後の表面にタック性が無く、硬度も十分であり、さらには加熱変形温度（融点）以上への加熱により適度な流動性を発現できることから、電子素子の封止への適用は非常に有効である。
　前記フッ素樹脂は、必要に応じて、フィラー、及びその他の成分を含む樹脂組成物としてもよい。フッ素樹脂組成物がフィラーを含有することによってフッ素樹脂の熱分解を防止できる。なお、樹脂組成物中、フッ素樹脂は、マトリックス成分又は主成分であることが好ましく、樹脂組成物中のフッ素樹脂の含有量は、例えば、４０質量％以上、好ましくは５０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上であり、より更に好ましくは７０質量％以上であり、１００質量％であってもよい。
　フィラーとしては、例えば、金属、金属フッ化物、金属酸化物、金属リン酸塩、金属炭酸塩、金属スルホン酸塩、金属硝酸塩、金属窒化物、窒化ホウ素等の無機フィラーが挙げられる。フィラーは、１種で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。好ましいフィラーは、金属フッ化物である。金属フッ化物は、フッ素樹脂との屈折率差が小さく、発光素子を封止する際に、光の取り出し効率を高めることができる。
　金属フッ化物としては、フッ化カルシウム、フッ化バリウム、フッ化ストロンチウム、フッ化リチウム、フッ化マグネシウム、フッ化ナトリウム、氷晶石等が挙げられ、フッ化マグネシウムが好ましい。これら金属フッ化物は１種で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
　無機フィラーの粒径は３００μｍ以下であることが好ましい。無機フィラーが３００μｍ以下であることによりフッ素樹脂の温度上昇に伴う変色を低減することができる。無機フィラーの粒径は、より好ましくは２００μｍ以下、更に好ましくは１００μｍ以下、更により好ましくは５０μｍ以下、殊更好ましくは３０μｍ以下、特に好ましくは２０μｍ以下である。一方、無機フィラーの粒径は０．５μｍ以上であることが好ましい。無機フィラーの粒径を０．５μｍ以上とすることにより樹脂とフィラー間での光の散乱を抑えることができ、樹脂の透明性が優れる。無機フィラーの粒径の下限は、より好ましくは１μｍ以上、更に好ましくは５μｍ以上である。この無機フィラーの粒径とは、レーザー回析法による体積累積頻度５０％の粒子径Ｄ50である。
　本発明のフッ素樹脂と無機フィラーとの屈折率の差は、０．０５以下であることが好ましい。このように屈折率の差を低減することにより、無機フィラーの表面（組成物中における、無機フィラーの表面とフッ素樹脂との界面）での光の散乱を抑制できるため、光取出し効率を向上することができる。本発明のフッ素樹脂と無機フィラーとの屈折率の差は、より好ましくは０．０４以下、更に好ましくは０．０３以下であることが更により好ましい。一方、本発明のフッ素樹脂と無機フィラーとの屈折率の差の下限は特に限定されないが例えば０．００１以上であってもよい。本発明の無機フィラーの屈折率は、カタログ値や一般的な物性表に記載の数値を使用しても良いし、アッベ屈折率計、エリプソメーターなどにより測定することができる。
　フッ素樹脂がフィラーを含有する場合、フッ素樹脂及びフィラーの合計１００質量部に対するフィラーの量は１質量部以上、６０質量部以下であることが好ましい。フィラーの量が１質量部以上であることにより、フッ素樹脂の熱分解を防止し易くできる。フィラー量の下限は、より好ましくは１０質量部以上、更に好ましくは１５質量部以上である。一方、フィラーの量が６０質量部以下であることにより、フッ素樹脂の密着性が発揮され易くなる。フィラーの量の上限は、より好ましくは５０質量部以下、更に好ましくは４５質量部以下である。
　フィラーを含有するフッ素樹脂組成物は、フッ素樹脂と無機フィラーを混合することによって調製できる。調製方法としては、例えば、溶融状態のフッ素樹脂とフィラーを混合して冷却する方法、フッ素樹脂を溶解又は分散する溶媒の存在下で無機フィラーと混合する方法、前記溶媒存在下での混合後、溶媒を、ろ過、濃縮などによって除去する方法などがある。
　溶媒としては、酢酸エチル、酢酸メチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオン酸エチル、グリコールエーテルに酢酸基を付加したグリコールエステル等のエステル系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒；ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ブチルエーテル、グリコールエーテル、テロラヒドロフラン等のエーテル類系溶媒；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジブチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒；Ｎ－メチル－２－ピロリドンなどのラクタム系溶媒；等が挙げられる。このうちエステル系溶媒、ケトン系溶媒、エーテル系溶媒が好ましく、エステル系溶媒がより好ましい。これら有機溶媒は１種で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
　混合に溶媒を用いる場合、フッ素樹脂１００質量部に対する溶媒の量は、好ましくは１００質量部以上であり、また５０００質量部以下である。１００質量部以上であることにより本発明のフッ素樹脂を溶解又は分散し易くすることができる。溶媒の量は、より好ましくは２００質量部以上、更に好ましくは４００質量部以上、更により好ましくは６００質量部以上である。一方、５０００質量部以下であることにより、紫外線発光装置を封止するに当たっての塗布回数を減らすことができる。溶媒の量は、より好ましくは２０００質量部以下、更に好ましくは１２００質量部以下、更により好ましくは１０００質量部以下である。
　混合後に、溶媒を除去する場合、除去後の溶媒の残存量は、フッ素樹脂１００質量部に対して、好ましくは２００質量部以下、より好ましくは１００質量部以下、更に好ましくは５０質量部以下、更により好ましくは２０質量部以下である。
　フッ素樹脂にテトラフルオロエチレン－ヘキサフルオロプロピレン－フッ化ビニリデン共重合体又はその変性物（ＴＨＶ樹脂）を用いる好ましい形態において、フッ素樹脂組成物は、ＴＨＶ樹脂以外のフッ素樹脂（以下、フッ素樹脂Ｘという場合がある）を含有していてもよい。
　フッ素樹脂Ｘとして、結晶性フッ素樹脂が挙げられ、具体的には、テトラフルオロエチレン－パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、テトラフルオロエチレン－ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、クロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）等が挙げられる。これらフッ素樹脂Ｘは、１種で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
　ＴＨＶ樹脂とフッ素樹脂Ｘとを併用する場合、ＴＨＶ１００質量部に対するフッ素樹脂Ｘの量は、好ましくは１０質量部以下、より好ましくは５質量部以下、更に好ましくは２質量部以下、特に好ましくは１質量部以下、最も好ましくは０質量部である。即ち、本発明の樹脂組成物に含まれるフッ素樹脂は、ＴＨＶ樹脂からなることが最も好ましい。これにより樹脂間の屈折率差が低減されて光取出し効率を向上することができる。
　樹脂組成物（固形分）の総質量に対するフッ素樹脂、及び無機フィラーの合計含量は９０質量％以上であることが好ましく、９５質量％以上であることがより好ましく、９７質量％以上であることが更により好ましく、９９質量％以上であることが特に好ましい。これにより、フッ素樹脂の密着性と無機フィラーの熱伝導性が発揮され易く、またフッ素樹脂部材の耐熱変形性が良好となる。
　（４）封止
　フッ素樹脂による封止は、前記電子素子を固定できる限り特に限定されないが、電子素子が発光素子である場合、活性層を外部の酸素や水分から遮断できることが好ましく、発光素子全体を外部の酸素や水分から遮断できることがより好ましい。図３、図４、図５、図６は、図２の紫外線発光素子実装配線基材６を封止して電子部品にした例を示す概略断面図である。
　図３の電子部品１ａは、図２に示した紫外線発光素子実装配線基材６の紫外線発光素子２の下面（電極１０、１１）から上面（素子基板１５まで）までをフッ素樹脂で被覆して封止部３ａにすることで形成できる。なお紫外線発光素子を有する電子部品では、フッ素樹脂が紫外線発光素子２を封止している限り、種々の形状をとることができ、例えば、その上面を凸状の曲面として集光レンズとして使用することが好ましい。図４の電子部品１ｂは、フッ素樹脂による封止部３ｂ自体が上面に盛り上がって凸状の曲面を形成している例である。図５の電子部品１ｃは、上面が平坦な封止部３ａの上部に凸状の曲面を有する集光レンズ７ａを積層した例である。図６の電子部品１ｄは、紫外線発光素子２の上面に集光レンズ７ｂを積層し、この集光レンズ７ｂの途中から下を封止部３ｄで封止した例である。また図示しないが、チップオンボード型の配線基材に電子素子を実装し、かつ封止してもよい。
　フッ素樹脂による封止は、例えば、以下のａ）～ｃ）の方法により行うことができる。作業効率の観点から、ｂ）の溶融封止法が好ましい。特に図４の電子部品１ｂの様に、封止部の上面を凸状に盛り上がった形状にする場合、溶融封止法が好ましい。
　ａ）フッ素樹脂を適当な溶媒と混合して得られるスラリー又は溶液（以下、塗布液という場合がある）を塗布し、乾燥する工程を１回以上繰り返す方法（以下、塗布法という場合がある）。
　ｂ）フッ素樹脂を、必要に応じてシート状に成形した後、フッ素樹脂又はそのシートを配線基材の電子素子実装側に積層した後、フッ素樹脂又はそのシートを加熱変形温度（融点又はガラス転移点）以上に加熱して溶融し、冷却する方法（以下、溶融封止法という場合がある）。
　ｃ）前記塗布法と溶融封止法とを適宜組み合わせた方法。
　前記塗布液の調製に使用し得る溶媒としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル系溶媒、テロラヒドロフランなどの環状エーテル、Ｎ－メチル－２－ピロリドンなどのラクタム類が挙げられる。
　塗布液中のフッ素樹脂の濃度は、例えば、１質量％以上である。濃度を高くするほど、塗布回数を減らすことができる。好ましい濃度は５質量％以上であり、より好ましくは７質量％以上である。また前記濃度は、例えば、５０質量％以下である。濃度を低くするほど、塗布液の粘性の向上を防ぐことができ、処理精度を高めることができる。好ましい濃度は４０質量％以下であり、より好ましくは３０質量％以下である。
　溶融封止法を行う場合のフッ素樹脂の加熱温度は、フッ素樹脂の加熱変形温度（融点又はガラス転移点）より１０℃以上高い温度が好ましく、加熱変形温度（融点又はガラス転移点）より２０℃以上高い温度がより好ましい。加熱温度の上限は、例えば、２７８℃であり、より好ましくは２５０℃であり、更により好ましくは２００℃であり、特に好ましくは１５０℃である。上記の加熱温度であれば、熱による配線基材の劣化などを抑制することができる。
　フッ素樹脂の加熱は、大気中などの酸素含有雰囲気下で行ってもよいが、窒素雰囲気中、アルゴン雰囲気中などの不活性ガス雰囲気下で行う方が好ましい。さらにフッ素樹脂の加熱は、大気圧下で行ってもよいが、真空中などの減圧下で行うことも好ましい。減圧下でフッ素樹脂を加熱すると、封止後の樹脂中に残存する気泡が低減されて透明性が向上する。
　（５）放射線照射
　上記の様にしてフッ素樹脂で封止した後は、該フッ素樹脂に放射線を照射する。フッ素樹脂に放射線を照射すると、フッ素樹脂表面（封止部表面）を硬化することができ、電子素子からの発熱が大きくても封止部が熱変形するのを抑制できる。そのため、例えば、電子素子として発光素子を用いた場合、光の配向が変化することがなく、長期に亘って同等の光を取り出すことができる。特に溶融封止を行う場合、熱流動性の良好なフッ素樹脂、例えば、結晶性樹脂、とりわけＴＨＶ樹脂を使用することがあり、こうしたフッ素樹脂で封止すると、封止後の耐熱変形性が不十分な場合がある。従って、溶融封止を行う場合、又は熱流動性の良好なフッ素樹脂を用いる場合には、放射線照射をして封止後の耐熱変形性を高めることが特に有効になる。
　放射線としては、紫外線、Ｘ線、γ線、電子線、イオンビームなどが挙げられ、電子線が好ましい。電子線は硬化深さの制御に優れており、封止部全体の特性に悪影響を与えることなく、耐熱変形性を高めることが容易になる。
　電子線照射における加速電圧は、例えば、５０ｋＶ以上、好ましくは７０ｋＶ以上、より好ましくは１２０ｋＶ以上である。加速電圧を大きくするほど、硬化深さを大きくできる。また加速電圧は、例えば、１０００ｋＶ以下、好ましくは５００ｋＶ以下、より好ましくは３００ｋＶ以下である。過剰な加速電圧を防止することで、フッ素樹脂の分解を防止できる。
　電子線の照射エネルギーによる吸収線量は、例えば、２０ｋＧｙ以上、好ましくは３０ｋＧｙ以上、より好ましくは４０ｋＧｙ以上である。特に加速電圧が１２０ｋＶ未満のとき、吸収線量を４０ｋＧｙ以上とし、加速電圧が１２０ｋＶ以上のとき、吸収線量を２０ｋＧｙ以上とすることが好ましい。吸収線量を大きくすることで硬化硬さを高めることができる。また吸収線量は、例えば、３００ｋＧｙ以下、好ましくは２００ｋＧｙ以下、より好ましくは１５０ｋＧｙ以下である。
　電子線の加速電圧（ｋＶ）と電子線の照射エネルギーによる吸収線量（ｋＧｙ）とを掛けた合わせた値（積）は、例えば、１０００以上、好ましくは３０００以上、より好ましくは４０００以上である。前記積を大きくするほど、硬化深さ及び硬化硬さの少なくとも一方、好ましくはその両方を良好にできる。また前記積は、例えば、１０００００以下、好ましくは４００００以下、より好ましくは３００００以下である。積を小さくすることで、フッ素樹脂の分解を防ぎ、耐熱変形性を高めることができる。
　放射線、例えば電子線を照射する場合、フッ素樹脂による封止部を適当な温度に加熱又は冷却してもよい。封止部の温度をコントロールすることで、封止部の表面硬化を適切に制御できる。封止部の温度は、例えば、０℃以上、好ましくは１０℃以上、より好ましくは２０℃以上であり、約１００℃以下、好ましくは約８０℃以下、より好ましくは約６０℃以下である。
　本発明の電子部品は、フッ素樹脂が放射線照射により硬化されているため、封止部の耐熱変形性が良好である。そのため、電子部品に以下の耐熱試験を行った際に、フッ素樹脂の平均変形率Ｖを小さくできる。平均変形率Ｖが小さい電子部品、特に発光電子部品を用いると、光の配向変化を防止でき、長期に亘って同等の光を取り出すことができる。平均変形率Ｖは、例えば、１．３０未満、好ましくは１．２０未満、より好ましくは１．１５未満、よりさらに好ましくは１．１０未満である。
　耐熱試験は、配線基材と、該配線基材に封止部として充填されたフッ素樹脂とを有する電子部品を、充填されたフッ素樹脂と空気との界面が下になる状態で、温度１５０℃で６０時間保持する方法により行うことができる。
　平均変形率Ｖは、電子部品に上記耐熱試験を行い、下記式（１）によって算出される。式中、ＲSは、封止部の単位正面投影面積あたりの配線基材から突出したフッ素樹脂の側面投影面積を規格化面積としたとき、耐熱試験前（単に保持前とも言う）の当該規格化面積に対する耐熱試験後（単に保持後とも言う）の当該規格化面積の比を表す。また、Ｒdは、封止部の単位正面投影面積あたりの配線基材から突出したフッ素樹脂の高さを規格化高さとしたとき、保持前の当該規格化高さに対する保持後の当該規格化高さの比を表す。保持前後において、フッ素樹脂の高さとは、配線基材から突出したフッ素樹脂における配線基材の表面からの最大高さである。電子部品の電子素子実装面又は電子素子実装予定面（ｐ電極用配線形成面、ｎ電極用配線形成面など）を電子部品の正面といい、該電子素子実装面又は電子素子実装予定面と直交する面を側面という。
　　平均変形率Ｖ＝（ＲS×Ｒd）1/2　　　（１）
　平均変形率Ｖは、配線基材、電子素子及び電子素子を封止するフッ素樹脂を有する電子部品に耐熱試験を行い算出してもよいし、評価モデルに耐熱試験を行い算出してもよい。評価モデルとしては、配線基材及び該配線基材に充填されたフッ素樹脂を有する電子部品を用いることができる。以下に、評価モデルを用いて平均変形率Ｖを算出する方法を記載するが、電子部品を用いる場合も評価モデルを用いる場合と同様にして平均変形率Ｖを算出することができる。
　評価モデル及びこれを用いた耐熱試験について、図７～図９を参照して説明する。図７（ａ）は、評価モデルに使用される一例の配線基材２１の正面図であり、図７（ｂ）は前記配線基材２１の側面図である。この配線基材２１は、基材の内側に凹部２１ｂを有しており、凹部２１ｂの内側の底面（基材の表面）にｐ電極用配線２３とｎ電極用配線２４が形成されている。凹部２１ｂは、内径ＩＤ、外径ＯＤ、及び凹部２１ｂの側面に相当する側部２２を有する。後述の実施例では、内径ＩＤが２．００ｍｍで、外径ＯＤが３．０４ｍｍである凹部を有し、配線基材の高さｈが０．８０ｍｍである配線基材を使用している。なお、図７で図示した側部２２は、凹部２１ｂの開口面に対して斜行する側面（いわゆる斜面）になっているが、評価モデルに使用する配線基材の凹部は、図２の配線基材４の凹部２１ｃの様に、凹部開口面に対して直交する側面（いわゆる壁面）２２ｃを有していてもよい。また、側部２２は、配線基材の一部であってもよいし、配線基材の凹部に配置された部材であってもよい。配線基材２１がＬＥＤ用配線基材の場合は、側部２２をリフレクターということもある。
　図８（ａ）は、図７（ａ）の配線基材２１の前記凹部２１ｂ内をフッ素樹脂２６で充填した評価モデル２５の正面図である。フッ素樹脂の充填は、フッ素樹脂が前記凹部２１ｂの外枠（側部２２の外枠とも言う）から配線基材２１上にはみ出ないように行われることが好ましい。なお、式（１）中のＲS及びＲdは、耐熱試験前は、配線基材２１の上面（側部２２の外枠がある基材の表面で、図７の２１ａで示した面。正面に相当する）からみたフッ素樹脂で覆われている部分の投影面積Ｓ2bを用いて算出される。フッ素樹脂が側部２２の外枠から配線基材２１上にはみ出ないように充填される場合、評価モデルは通常図８（ａ）のような形状になるため、当該投影面積Ｓ2bは側部２２の外枠で囲まれた面積（図８（ａ）で射線で示した部分の面積Ｓ2b）となる。
　上記耐熱試験は、図８（ｂ）の評価モデル２５の側面図に示すように、評価モデル２５におけるフッ素樹脂と空気との界面が下になる状態（すなわち評価モデル２５の正面を下に向けた状態）で評価モデルを保持し、行われる。図９（ａ）は、評価モデル２５に耐熱試験をした後の正面図であり、図９（ｂ）は側面図であり、図示される様に、耐熱試験によりフッ素樹脂が変形している。式（１）中のＲS及びＲdは、耐熱試験後は、配線基材２１の上面（側部２２の外枠がある基材の表面で、図７の２１ａで示した面。正面に相当する）からみたフッ素樹脂で覆われている部分の投影面積Ｓ2aを用いて算出される。
　平均変形率Ｖは、耐熱試験前後における、配線基材から突出したフッ素樹脂の側面投影面積（図８（ｂ）の射線部Ｓb、図９（ｂ）の射線部Ｓa）を、上記式（１）の様に、正面図でフッ素樹脂が覆う投影面積Ｓ2a、Ｓ2bで規格化した値を用いて算出される。なお前記投影面積Ｓ2a、Ｓ2b、Ｓa、Ｓbは、より具体的には、耐熱試験前後における評価モデルの正面図及び側面図を電子化したデータを使って市販の画像解析ソフトを用いて決定したり、前記正面図及び側面図を印刷した紙を使って対象部分の質量を測定することで決定したりすることができる。ここで、電子データ化したり印刷したりする正面図及び側面図には、例えば光学顕微鏡などを用いて撮影した顕微鏡像などが挙げられ、正面図には配線基材の上面２１ａに正対する方向から撮影した図が使用でき、側面図には前記上面２１ａを真横から撮影した図（上面２１ａに対して平行な方向から撮影した図）が使用でき、該側面図は配線基材の側面を複数の方向から撮影したものを全て用いてもよいが（この場合は、計算結果を平均する）、代表値として必要な精度を保てる場合には、配線基材を一つの方向から撮影したものであってもよい。
　一方、上面２１ａに正対する方向から正面図に該当する顕微鏡像を撮影する場合、配線基材から突出したフッ素樹脂の空気との界面を上に向け、これを真上から撮影する。以下、評価モデルを側面から撮影した顕微鏡像を側面顕微鏡像と、評価モデルを正面から撮影した顕微鏡像を正面顕微鏡像とそれぞれ言うことがある。
　耐熱試験前後の評価モデルの側面顕微鏡像と評価モデルの上面顕微鏡像を用いる場合、式（１）中のＲS及びＲdは、下記式により算出される。
　　平均変形率Ｖ＝（ＲS×Ｒd）1/2　　　（１）
　　ＲS＝Ｓｎa／Ｓｎb
　　Ｓｎa＝Ｓa／Ｓ2a
　　Ｓｎb＝Ｓb／Ｓ2b
　　Ｒd＝ｄｎa／ｄｎb
　　ｄｎa＝ｄa／Ｓ2a
　　ｄｎb＝ｄb／Ｓ2b
　上記式において、Ｓaは、耐熱試験後（保持後）の評価モデルの側面顕微鏡像における配線基材から突出した部分のフッ素樹脂の面積を表す。Ｓbは、耐熱試験前（保持前）の評価モデルの側面顕微鏡像における配線基材から突出した部分のフッ素樹脂の面積を表す。Ｓ2aは、耐熱試験後（保持後）の評価モデルの正面顕微鏡像の配線基材の正面において、フッ素樹脂が覆う部分の面積を表す。Ｓ2bは、耐熱試験前（保持前）の評価モデルの正面顕微鏡像の配線基材の正面において、フッ素樹脂が覆う面積を表す。Ｓｎaは、Ｓ2aに対するＳaの比であり、保持後の封止部の単位正面面積あたりの配線基材から突出したフッ素樹脂の側面面積（保持後の規格化面積）を表す。Ｓｎbは、Ｓ2bに対するＳbの比であり、保持前の封止部の単位正面面積あたりの配線基材から突出したフッ素樹脂の側面面積（保持前の規格化面積）を表す。
　また、上記式において、ｄaは、耐熱試験後（保持後）の評価モデルの側面顕微鏡像における配線基材から突出した部分のフッ素樹脂の高さを表す。ｄbは、耐熱試験前（保持前）の評価モデルの側面顕微鏡像における配線基材から突出した部分のフッ素樹脂の高さを表す。ｄｎaは、Ｓ2aに対するｄaの比であり、保持後の封止部の単位面積あたりの配線基材から突出したフッ素樹脂の高さ（保持後の規格化高さ）を表す。ｄｎbは、Ｓ2bに対するｄbの比であり、保持前の封止部の単位面積あたりの配線基材から突出したフッ素樹脂の高さ（保持前の規格化高さ）を表す。
　（６）集光レンズ
　本発明の電子部品は、図４、図５、図６の様に集光レンズを有していてもよく、集光レンズを有する場合、図５、図６に示すように集光レンズ部品７ａ、７ｂを取り付けてもよい。集光レンズ部品７ａ、７ｂは、例えば、シリカガラス、ホウケイ酸ガラス等で構成されている。
　（７）電子部品
　本発明の電子部品としては、発光素子を備えた電子部品が好ましく、紫外線発光素子を備えた電子部品がより好ましい。紫外線発光素子を備えた電子部品は、例えば、分析機器、光触媒装置、光治療装置、紙幣鑑定装置、空気／水殺菌浄化装置、ＵＶ樹脂硬化装置などに利用できる。
　以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はもとより下記実施例によって制限を受けるものではなく、前後の記述の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも勿論可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。
　（１）フッ素樹脂組成
　なお、以下の実施例では、テトラフルオロエチレン－ヘキサフルオロプロピレン－フッ化ビニリデン共重合体（ＴＨＶ）を用いた。ＴＨＶにおけるテトラフルオロエチレン由来の構成単位Ｔ、ヘキサフルオロプロピレン由来の構成単位Ｈ、及びフッ化ビニリデン由来の構成単位Ｖ、それぞれのモル比を以下のＮＭＲ測定によって求めた。
　測定装置：ＪＥＯＬ　ＥＣＺ－４００
　試料：約６０ｍｇ／０．８ｍｌ　ＡＣＴ－ｄ６
　ＩＳ：４－クロロベンゾドリフルオリド　０．０１ｍＬ
　測定モード：1Ｈ、19Ｆ
　緩和時間：1Ｈ　３０秒、19Ｆ　２０秒
　構成単位Ｈのユニット数：19Ｆ－ＮＭＲにおけるＣＦ3の積分比を３で除して算出（ＣＦ3積分比／３）
　構成単位Ｖのユニット数：1Ｈ－ＮＭＲにおけるＣＨ2の積分比を２で除して算出（ＣＨ2積分比／２）
　構成単位Ｔのユニット数：19Ｆ－ＮＭＲにおけるＣＦ2の合計積分比より、構成単位Ｈ由来のＣＦ2と構成単位Ｖ由来のＣＦ2を差し引いたものを４で除して算出（ＣＦ2合計積分比－構成単位Ｖのユニット数×２－構成単位Ｈのユニット数×２）／４
　実施例で使用したフッ素樹脂（商品名：ダイニオンＴＨＶ２２１ＡＺ；３Ｍ社製）は、構成単位Ｔのモル比が０．３５、構成単位Ｈのモル比が０．１１、構成単位Ｖのモル比が０．５４であった。
　実施例１
　フッ素樹脂（商品名「ＴＨＶ２２１ＡＺ」）３．５ｇを直径４８ｍｍのＰＦＡ（テトラフルオロエチレン－パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）製シャーレに入れ、温度２００℃で３時間加熱することによりフッ素樹脂シートを作製し、カッターナイフで大きさ３．０×３．０ｍｍの四角形のシートを切り出した。
　ＬＥＤ用パッケージ（ＫＤ－ＬＡ９Ｒ４８、京セラ社製）の上に前記シートを設置し、温度２００℃で３時間加熱することによってフッ素樹脂を溶融し、パッケージ内をフッ素樹脂で充填（封止）することで電子部品（評価モデル）を得た。なおＬＥＤ用パッケージ（ＫＤ－ＬＡ９Ｒ４８、京セラ社製）の形状は図７及び図８に示した通りであり、封止後の形状は、概略、図９に示した通りである。
　上記で得られた評価モデルを、電子線装置（ＣＢ２５０／３０／２０ｍＡ、岩崎電気社製）の装置を用い、上記で得られた評価モデルを搬送速度１０ｍ／ｍｉｎで供給し、フッ素樹脂部分（封止部分）に電子線を照射した。電子線の加速電圧は１００～２５０ｋＶの中で設定し、吸収線量は２５～１００ｋＧｙの中で設定した。
　電子線でフッ素樹脂を硬化させた評価モデルの封止フッ素樹脂面を下側にして、温度１５０℃で６０時間保持する耐熱試験を行い、平均変形率Ｖを調べた。平均変形率Ｖは、評価モデルの正面図及び側面図を紙面に印刷し、その質量から対象部分の面積を算出することにより求めた。平均変形率Ｖに基づき、下記基準に従って耐熱変形性を評価した。結果を表１に示す。平均変形率Ｖが１．３０未満であると、耐熱変形性が良好であると言える。
　Ａ：平均変形率Ｖが１．１０未満である。
　Ｂ：平均変形率Ｖが１．１０以上、１．１５未満である。
　Ｃ：平均変形率Ｖが１．１５以上、１．３０未満である。
　Ｄ：平均変形率Ｖが１．３０以上である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　本発明は電子素子を備えた電子部品の製造に利用でき、好ましくは発光素子、より好ましくは紫外線発光素子を備えた電子部品に利用できる。
　１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、２５　電子部品
　２　電子素子（紫外線発光素子）
　３ａ、３ｂ　封止部
　４　配線基材
　５　金属製のバンプ
　６　紫外線発光素子実装配線基材
　７ａ、７ｂ　集光レンズ部品
　１０　ｐ電極
　１１　ｎ電極
　１２　ｐ層
　１３　活性層
　１４　ｎ層
　１５　素子基板
　２１　配線基材
　２１ａ　配線基材の正面（上面）
　２１ｂ、２１ｃ　配線基材の凹部
　２２、２２ｃ　配線基材における凹部の側部
　２３　ｐ電極用配線
　２４　ｎ電極用配線
　２５　評価モデル
　２６　フッ素樹脂
　ｈ　配線基材の高さ
　Ｓa、Ｓb　配線基材から突出したフッ素樹脂の側面投影面積
　Ｓ2a、Ｓ2b　配線基材の正面からみたフッ素樹脂で覆われている部分の投影面積
　ｄa、ｄb　配線基材から突出した部分のフッ素樹脂の高さ

Claims (7)

  1. 　配線基材に取り付けられた電子素子をフッ素樹脂で覆う工程と、
    　電子素子を覆った前記フッ素樹脂に放射線を照射する工程とを有する電子部品の製造方法。
  2. 　前記フッ素樹脂が、テトラフルオロエチレン－ヘキサフルオロプロピレン－フッ化ビニリデン共重合体である請求項１に記載の製造方法。
  3. 　前記放射線が電子線である請求項１又は２に記載の製造方法。
  4. 　前記電子線の加速電圧が５０ｋＶ以上である請求項３に記載の製造方法。
  5. 　前記電子線の照射エネルギーが吸収線量で２０ｋＧｙ以上である請求項３又は４に記載の製造方法。
  6. 　配線基材と、該配線基材に封止部として充填されたフッ素樹脂とを有する電子部品であり、
    　前記電子部品を、充填されたフッ素樹脂と空気との界面が下になる状態で、温度１５０℃で６０時間保持した時、下記式（１）で算出される平均変形率Ｖが１．３０未満である電子部品。
    　　平均変形率Ｖ＝（ＲS×Ｒd）1/2　　　（１）
    （式中、ＲSは、封止部の単位正面投影面積あたりの配線基材から突出したフッ素樹脂の側面投影面積を規格化面積としたとき、保持前の当該規格化面積に対する保持後の当該規格化面積の比を表し、Ｒdは、封止部の単位正面投影面積あたりの配線基材から突出したフッ素樹脂の高さを規格化高さとしたとき保持前の当該規格化高さに対する保持後の当該規格化高さの比を表す。電子部品の電子素子実装面又は電子素子実装予定面を電子部品の正面といい、該電子素子実装面又は電子素子実装予定面と直交する面を側面という。）
  7. 　前記フッ素樹脂が、テトラフルオロエチレン－ヘキサフルオロプロピレン－フッ化ビニリデン共重合体である請求項６に記載の電子部品。
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