JPH0845972A - 半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
封止用樹脂を効率よく充填する。 【構成】多数のキャビティ12が形成された多連キャビ
ティ回路基板10に、架橋ポリオレフィン類によって構
成された封止用樹脂シート20、表面成形離型シート3
1、および重り板32を順番に重ねて、真空加熱炉33
内に入れ、真空状態で加熱する。封止用樹脂シート20
は加熱されると溶融して、各キャビティ12内に充填さ
れた状態になり、さらに多連キャビティ回路基板10を
加熱することにより、各キャビティ12内に充填された
溶融樹脂が硬化する。
Description
インタラプタ、リードレスIC、さらには、多数の発光
素子によって数字等を表示する発光表示デバイス等の半
導体デバイスの製造方法に関する。さらに詳述すれば、
本発明は、金属基板、ガラスエポキシ樹脂やMID(M
olded Interconnection Dev
ice、射出立体配線成形基板)等の樹脂基板によって
構成されている回路基板に発光素子、IC等の機能素子
が配置されて封止用樹脂にて封止された半導体デバイス
の製造方法および発光表示デバイスの製造方法に関す
る。
MID等の樹脂基板のように、反射機能を有する回路基
板を使用した1mm角程度の超小型の反射板付の発光デ
バイスが開発されている。このような反射板付の発光デ
バイスは、反射機能を有する回路基板上にキャビティが
形成され、そのキャビティ内に発光素子がマウントされ
て、光透過性熱硬化性樹脂等の封止用樹脂にて封止され
ている。キャビティの内周面は、反射板として機能し、
キャビティ内の発光素子から発せられる光が封止用樹脂
を通ってキャビティの内周面にて反射される。
は、通常、多数のキャビティが縦方向および横方向に並
んだマトリクス状に形成された1枚のMIDの多連キャ
ビティ回路基板を使用して、同時に多数個が製造される
ようになっている。
ティ回路基板は、まず、全てのキャビティ内に発光素子
(LED)がダイボンディングおよびワイヤーボンディ
ングされた後に、全てのキャビティ内に液状または溶融
状態の封止用樹脂が充填される。その後、各キャビティ
内に充填された液状または溶融状態の樹脂が硬化され
る。各キャビティ内に封止用樹脂を充填する方法として
は、一般的に、キャスティングモールド法、インジェク
ションモールド法、トランスファーモールド法が採用さ
れている。
止用樹脂の充填方法について、図25に基づいて説明す
る。この封止用樹脂の充填方法は、図25(a)に示す
ように、まず、主剤91aと硬化剤91bとを混合して
液体状態の封止用樹脂91を製造する。封止用樹脂91
としては、通常、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂が使
用される。得られた封止用樹脂91は、図25(b)に
示すように、よく撹拌して、図25(c)に示すよう
に、脱泡槽92によって脱泡された後に、図25(d)
に示すように、注型機93に投入される。
うに、多数のキャビティ94aがマトリクス状に形成さ
れた多連キャビティ回路基板94が注型機93にセット
されて、注型機93の空気圧送式、チュービング式、マ
イクロギアポンプ式等のディスペンサー93aによって
各キャビティ94a内に液体状態の封止用樹脂91が充
填される。多連キャビティ回路基板94の各キャビティ
94a内には、予め発光素子がダイボンディングおよび
ワイヤーボンディングされており、全てのキャビティ9
4a内に封止用樹脂91が充填されると、多連キャビテ
ィ回路基板94は、加熱炉95によって加熱されて、各
キャビティ94a内の溶融状態の熱硬化性樹脂であるエ
ポキシ樹脂が硬化される。
各キャビティ94a毎に分割されることにより、回路基
板のキャビティ内に設けられた発光素子が封止用樹脂9
1によって封止されている超小型反射板付の発光デバイ
スが製造される。
よる封止用樹脂の充填方法を示している。この充填方法
では、図26(e)に示すように、多数のキャビティ9
6aがマトリクス状に形成された多連キャビティ回路基
板96が使用される。この多連キャビティ回路基板96
には、横方向に並んだ各キャビティ96a同士を連通す
る溝部96bが表面に設けられている。そして、このよ
うな多連キャビティ回路基板96が、図26(a)に示
すように、射出成形用金型97の上金型97aおよび下
金型97bの間にセットされて型締めされ、図26
(b)に示すように、射出成形用金型97に設けられた
ノズル部97c内に、射出シリンダ97dの先端部が挿
入される。射出シリンダ97dには、溶融状態の熱可塑
性樹脂が供給されるようになっており、射出シリンダー
97dに供給された熱可塑性樹脂が、図26(c)に示
すように、射出プランジャー97eによって加圧されつ
つ、射出成形用金型97のノズル部97c内に射出され
る。
は、ゲートを通って多連キャビティ回路基板96の各溝
部96bから各キャビティ96a内に充填される。全て
のキャビティ96a内に溶融樹脂が充填されると、図2
6(d)に示すように、射出成形用金型97から多連キ
ャビティ回路基板96が離型され、図26(e)に示す
ように、各キャビティ96a内に溶融樹脂が充填された
状態の多連キャビティ回路基板96が取り出される。そ
して、図26(f)に示すように、ゲートブレイク10
0することにより、各キャビティ96a内に熱可塑性樹
脂が充填された多連キャビティ回路基板96が得られ
る。得られた多連キャビティ回路基板96は、各キャビ
ティ96a毎に分割されることにより、超小型反射板付
発光デバイスが製造される。
る封止用樹脂の充填方法を示している。この充填方法で
も、図27(e)に示すように、多数のキャビティ96
aがマトリクス状に形成され、しかも、横方向に並んだ
各キャビティ96a同士を連通する溝部96bがそれぞ
れ設けられた多連キャビティ回路基板96が使用され
る。そして、このような多連キャビティ回路基板96
が、図27(a)に示すように、トランスファー成形用
金型98の上金型98aおよび下金型98bの間にセッ
トされて型締めされる。上金型98aには、溶融樹脂が
充填されて加熱される加熱室98cが設けられている。
次に、図27(b)に示すように、上金型98aに設け
られた加熱室98c内に、Bステージ化されて必要に応
じて可塑化した熱硬化性の封止用樹脂99が投入され
て、図27(c)に示すように、封止用樹脂99が加熱
室98c内にて加熱されて溶融され、加圧されつつ、多
連キャビティ回路基板96の各キャビティ96a内に圧
入される。
した後に、図27(d)に示すように、トランスファー
成形用金型98から多連キャビティ回路基板96が離型
され、図27(e)に示すように、多連キャビティ回路
基板96が取り出される。その後、図27(f)に示す
ように、ゲートブレイク101されて、図27(g)に
示すように、ゲートブレイクされた多連キャビティ回路
基板96は、加熱炉95にて2次加熱されて、各キャビ
ティ96a内の熱硬化性樹脂が2次硬化される。これに
より、各キャビティ96a内に熱硬化性の封止用樹脂が
充填されて硬化した多連キャビティ回路基板96が得ら
れ、この多連キャビティ回路基板96が各キャビティ9
6a毎に分割されて、超小型反射板付発光デバイスが製
造される。
ャビティ96a毎に分割せずに、所定の個数毎に分割す
ることにより、数字等を可変表示し得るドットマトリク
ス型の発光表示デバイスが製造される。
た多連キャビティ回路基板を使用することなく、表面が
平坦になった平面回路基板、あるいはリードフレームを
使用して、超小型の発光デバイスを製造する方法もあ
る。この場合には、平面回路基板あるいはリードフレー
ムに複数の発光素子をマトリクス状にダイボンディング
およびワイヤーボンディングし、各発光素子に対して、
液状のエポキシ樹脂を滴下して硬化させることにより、
各発光素子を封止するポッティング法、液状エポキシ樹
脂に発光素子が設けられた平面回路基板あるいはリード
フレームを、液状のエポキシ樹脂に浸漬して引き上げた
後に、平面回路基板あるいはリードフレームに付着した
余分なエポキシ樹脂をスピナー等によって除去し、平面
回路基板等に付着したエポキシ樹脂を硬化させるディピ
ング法等がある。
ムを使用する場合にも、金型を使用したトランスファー
モールド法、液状の熱硬化性樹脂あるいは熱可塑性樹脂
を金型によって成形するインジェクションモールド法も
採用されている。
型の発光表示デバイスも、反射機能を有する多連キャビ
ティ回路基板を使用することなく、表面が平坦になった
平面回路基板を使用して製造する方法もある。この場合
には、平面回路基板上に、複数の発光素子をマトリクス
状にダイボンディングおよびワイヤーボンディングし、
各発光素子がそれぞれ収容される複数の開口部が形成さ
れた反射板が、平面回路基板上に重ね合わされる。反射
板は、金属、樹脂成形品等によって構成されており、反
射板が平面回路基板に重ね合わされることにより、平面
回路基板上の各発光素子は、反射板の各開口部内にそれ
ぞれ収容された状態になる。このとき、平面回路基板上
の各発光素子およびワイヤーは、予め、シリコーン樹脂
や液状の熱硬化性樹脂を刷毛等によって、直接、塗布す
ることにより、あるいは、スプレーやノズルによって、
直接、吹き付けた後に硬化させることにより保護されて
いる。
発光素子から照射される光が均一になるように、反射板
の表面に拡散シートが貼り付けられる。
板94を使用するキャスティングモールド法では、多連
キャビティ回路基板94の各キャビティ94a内に充填
される熱硬化性樹脂が、ディスペンサー93a内にて経
時的に粘度が変化するおそれがある。このために、ディ
スペンサー93aとしては、投入された液状樹脂の粘度
が変化しても、所定量の液状樹脂を各キャビティ94a
内に注入し得るように、高精度に吐出量を制御しなけれ
ばならない。特に、超小型反射板付発光デバイスの場合
には、各キャビティ96a内に充填される樹脂容量が、
0.001cc程度と非常に小さく、樹脂の粘度が変化
しても、所定量の樹脂を正確に注入するために、ディス
ペンサー93aの吐出量を高精度で制御する必要があ
る。
定量の樹脂を正確に注入するためには、液状樹脂の粘度
が変化しないように、ディスペンサー93a内に投入さ
れる樹脂量を少なくすればよい。しかし、ディスペンサ
ー93a内に投入される樹脂量を少なくすると、ディス
ペンサー93a内の樹脂が短時間で消費されるために、
頻繁にディスペンサー93a内に液状樹脂を投入しなけ
ればならず、作業効率は著しく低下する。
ス状に設けられた多連キャビティ回路基板94に対し
て、各キャビティ94a内に効率よく樹脂を注入するた
めには、各キャビティ94aに対応した個数のディスペ
ンサー93aを配置したり、あるいは、高精度に位置決
めできるX−Yテーブルと、単数あるいは複数のディス
ペンサー93aとを組み合わせて配置する必要がある。
しかし、そのためには、設備が大型化および複雑化して
経済性が損なわれるという問題がある。
キャビティ94a内に液状樹脂が注入され加熱硬化する
と、液状樹脂内の低沸点成分が蒸発するが、各キャビテ
ィ94aの容量が小さい場合には、キャビティ94a内
の樹脂全体量に対して蒸発する低沸点成分量の割合が大
きくなり、キャビティ96a内には、所定量の樹脂成分
が残留しないことにより、硬化した樹脂は、設計通りの
特性が得られないおそれがある。
ャスティングモールド法により液状樹脂を多連キャビテ
ィ回路基板の各キャビティ内に充填する方法では、複雑
で高価なディスペンサーシステムが必要であるにもかか
わらず、樹脂の配合や注入に時間を要し、さらに、硬化
した封止用樹脂の量、特性等も不安定なものになるとい
う問題がある。
スファーモールド法を使用した樹脂の充填方法では、多
連キャビティ回路基板96に、一列に並んだ各キャビテ
ィ96a同士を連通させる溝部96bを設けなければな
らない。また、このインジェクションモールド法では、
各キャビティ96a内に樹脂を圧入し得るような金型お
よび成型機が必要であるが、各キャビティ96a内に気
泡が混入されることなく、さらには、各キャビティの隅
々にまで溶融樹脂を圧入するためには、精密に加工され
た金型、および、高圧で溶融樹脂を注入し得る成型機が
必要になり、設備費が嵩んで経済性が損なわれるという
問題がある。このような高価な金型や成型機を使用する
ことなく、各キャビティ96aの隅々にまで溶融樹脂を
充填するためには、多連キャビティ回路基板96におけ
るキャビティ96aの数を少なくすればよいが、その場
合には生産効率が低下するという問題がある。
多連キャビティ回路基板96を使用して、各キャビティ
96a内の発光素子を封止用樹脂によって封止した発光
デバイスを製造すると、各キャビティ96aの側方の溝
部96b内にも封止用樹脂が充填されて硬化した状態に
なり、発光素子から発せられた光が、溝部96b内の樹
脂を通って出射されることになる。その結果、発光デバ
イスは光漏れによる輝度の低下および迷光の発生等を招
来し、品質が低下するという問題もある。
用して、発光デバイス等を製造するに際して、ポッティ
ング法およびディピング法によって素子を封止する場合
には、液状の樹脂を所定の特性になるように配合して、
所定の形状になるように硬化させなければならず、工程
管理が複雑になるという問題がある。しかも、硬化した
封止樹脂を、均一な形状にすることは容易ではないとい
う問題もある。
用する際に、液状封止樹脂を金型によって成形する場合
には、多連キャビティ回路基板に対する液状の封止樹脂
を各キャビティに充填する場合と同様に、高価な金型や
成形機が必要になり、さらには、平面回路基板に樹脂注
入用の樹脂通路を形成しなければならない。また、液状
の熱硬化性樹脂を使用する場合、特にインジェクション
法では、樹脂が金型内で加熱されるために、樹脂が金型
内に注入された当初は、樹脂の粘度が極端に低くなり、
平面回路基板等の裏面等の不必要な部分にまで樹脂が回
り込むおそれがある。
トリクス型の発光表示デバイスを製造するに際して、平
面回路基板に液状の保護樹脂を、刷毛によって塗布する
場合には、発光素子にワイヤーボンディングされた金線
等のボンディングワイヤーが、刷毛に触れて変形したり
剥がれたりするおそれがある。ボンディングワイヤーの
変形等を防止するためには、細心の注意が必要になり、
生産効率が悪くなるという問題もある。また、スプレー
やノズルによって液状の保護樹脂を塗布する方法では、
液状樹脂が基板以外の部分に塗布されるおそれがあり、
作業環境が汚染されるという問題がある。
デバイスを製造する場合には、反射板が平面回路基板か
ら脱落しないように固定したり、拡散シートを貼り付け
たりする工程が必要になるために、生産効率がさらに低
下するという問題もある。
であり、その目的は、多数のキャビティが設けられた回
路基板に対して、キャビティ容量の大小を問わず、しか
も、高精度なディスペンサー、成型機等を使用すること
なく、各キャビティに効率よく所定量の封止用樹脂を充
填することができる半導体デバイスの製造方法を提供す
ることにある。本発明の他の目的は、各キャビティ内に
所望の特性を有する封止用樹脂を所定量ずつ正確に充填
し得る半導体デバイスの製造方法を提供することにあ
る。さらに、本発明の他の目的は、封止用樹脂として光
透過性が必要である発光デバイスのような半導体デバイ
スを、高品質に製造し得る方法を提供することにある。
なった平面回路基板にマウントされた半導体素子を、簡
単な作業で効率よく封止することができる半導体デバイ
スの製造方法を提供することにある。
にマウントされた発光素子のボンディングワイヤーを損
傷したり、作業環境を汚染することなく、しかも、製造
効率に優れた半導体デバイスの製造方法を提供すること
にある。
の製造方法は、上方に向かって開口する多数のキャビテ
ィが形成された多連キャビティ回路基板に対して、各キ
ャビティ内に機能素子を配置する工程と、加熱されて溶
融した後にさらに加熱を続けると架橋硬化する熱可塑性
樹脂または熱硬化性樹脂によって所定の厚さのシート状
に構成された封止用樹脂シートを、前記多連キャビティ
回路基板の全てのキャビティを覆うように多連キャビテ
ィ回路基板上に重ね合わせる工程と、多連キャビティ回
路基板上に重ねられた封止用樹脂シートを加熱して溶融
するとともに、その溶融した樹脂が各キャビティ内に充
填されるように加圧する工程と、各キャビティ内に充填
された樹脂を硬化させる工程と、を包含することを特徴
とするものであり、そのことにより、上記目的が達成さ
れる。
圧された状態で加熱されるが、特に、真空熱プレス装置
によって加圧および加熱されることが好ましい。
なった表面成形用離型シートが圧接された状態で、加熱
されて溶融される。
ビティに通じる貫通孔が設けられている。
ビティに対向する部分に貫通孔が設けられている。
複数枚のシートを重ね合わせて使用される。
用樹脂シートが光透過性を有している。
透過性を有するレンズ成形用樹脂シートが重ねられてお
り、その封止用樹脂シートを加熱して溶融する際に、レ
ンズ成形用樹脂シートも加熱されて溶融され、所定のレ
ンズ形状に成形される。
て架橋する熱硬化性の架橋ポリオレフィンによって構成
されているか、フェノキシ樹脂と不飽和イソシナートを
反応させてなる硬化可能な不飽和基を有する変成フェノ
キシ樹脂に架橋剤を添加した架橋変成フェノキシ樹脂に
よって構成されているか、さらには、数平均分子量が5
000以上の高分子量不飽和ポリエステル樹脂およびそ
の変成物によって構成されている。
は、上方に向かって開口する多数のキャビティが形成さ
れた多連キャビティ回路基板に対して、各キャビティ内
に機能素子を配置する工程と、加熱されて溶融した後に
さらに加熱を続けると架橋硬化する熱可塑性樹脂または
熱硬化性樹脂によって微細な粉末に構成された粉末樹脂
を、前記多連キャビティ回路基板の各キャビティ内にそ
れぞれ充填する工程と、多連キャビティ回路基板の各キ
ャビティ内に充填された粉末樹脂を加熱して溶融する工
程と、各キャビティ内に充填された溶融樹脂を硬化させ
る工程と、を包含することを特徴とするものであり、そ
のことにより上記目的が達成される。
架橋する熱硬化性の架橋ポリオレフィンによって構成さ
れているか、フェノキシ樹脂と不飽和イソシナートを反
応させてなる硬化可能な不飽和基を有する変成フェノキ
シ樹脂に架橋剤を添加した架橋変成フェノキシ樹脂によ
って構成されているか、さらには、数平均分子量が50
00以上の高分子量不飽和ポリエステル樹脂およびその
変成物によって構成されている。
法は、表面が平坦な平面回路基板の表面上に、複数の機
能素子を配置する工程と、加熱されて溶融した後にさら
に加熱を続けると架橋硬化する熱可塑性樹脂または熱硬
化性樹脂によって、所定の厚さのシート状に構成され、
前記平面回路基板上の各機能素子を覆うように突出した
凹部がそれぞれ形成された封止用樹脂シートを、前記平
面回路基板上に重ねる工程と、平面回路基板上に重ねら
れた封止用樹脂シートを加熱して溶融し、溶融状態の樹
脂を、各機能素子がそれぞれ封止されるように所定の形
状に成形して硬化させる工程と、を包含することを特徴
とするものであり、そのことにより上記目的が達成され
る。
用樹脂シートは光透過性を有している。
状態で所定のレンズ形状に成形される。
造方法は、表面が平坦な平面回路基板の表面上に複数の
発光素子を配置する工程と、各発光素子を収容し得る開
口部が形成された反射機能を有する反射板を、各開口部
内にそれぞれの発光素子が収容されるように、平面回路
基板上に重ねる工程と、加熱されて溶融した後にさらに
加熱を続けると架橋硬化する熱可塑性樹脂または熱硬化
性樹脂によって、所定の厚さのシート状に構成された封
止用樹脂シートを、前記反射板上に重ねる工程と、反射
板上に重ねられた封止用樹脂シートを加熱して溶融し、
その溶融した樹脂を、反射板の各開口部内に充填する工
程と、その溶融樹脂にて反射板の表面を覆う工程と、溶
融樹脂を硬化させる工程と、を包含することを特徴とす
るものであり、そのことにより上記目的が達成される。
ャビティ内に機能素子が配置された回路基板上に封止用
樹脂シートを重ねた状態で、封止用樹脂シートを加熱す
ると、封止用樹脂シートが溶融して、各キャビティ内に
溶融した樹脂が充填される。各キャビティ内に充填され
た樹脂は、熱硬化性の場合には、再度、加熱することに
より、熱可塑性の場合には、冷却することにより、それ
ぞれ硬化し、各キャビティ内の機能素子は硬化した封止
用樹脂によって封止された状態になる。
された状態で加熱されることにより、各キャビティ内の
空気が確実に排出され、溶融樹脂内に空気が混入するこ
とが抑制されるとともに、各キャビティ内に充填された
樹脂がキャビティ内周面に良好に密着する。
た表面成形用離型シートが圧接された状態で、加熱、溶
融、硬化されると、硬化した封止用樹脂の表面が梨地状
に成形される。この場合、離型シートにシリコーン離型
紙等のポーラス状の紙質のものを用いると、キャビティ
内の空気の排出が円滑に行われる。
に通じる貫通孔をそれぞれ設けるか、封止用樹脂シート
に、各キャビティに対向する部分に貫通孔をそれぞれ設
けることによっても、各キャビティ内の空気の排出が促
進される。
枚を重ね合わせて使用することによって、キャビティ内
の半導体素子の周囲をその半導体素子を保護する低弾性
樹脂、キャビティ表面の近傍は、傷がつきにくい高弾性
樹脂とすることができる。
学素子であって、封止用樹脂シートが光透過性を有して
いる場合に、封止用樹脂シートに光透過性を有するレン
ズ成形用樹脂シートを重ねて、レンズ成形用金型を用い
て封止用樹脂シートを加熱して溶融すると、レンズ成形
用樹脂シートも加熱して溶融される。従って、レンズ成
形用シートは、その溶融状態で所定のレンズ形状に成形
される。
止用樹脂シートは、加熱して溶融状態でキャビティ内に
充填した後に、再度、加熱することによって架橋硬化す
る。架橋硬化した架橋ポリオレフィンは、低弾性を有し
ているために、機能素子を傷つけることなく封止する。
5000以上の高分子量不飽和ポリエステル樹脂および
その変成物は、架橋ポリオレフィンの硬化物とエポキシ
樹脂等の熱硬化性樹脂の硬化物との間の硬度および弾性
特性を容易に調整し得るために、架橋ポリオレフィンに
よって十分な弾性が得られない場合には、封止用樹脂シ
ートとして好適に使用される。
充填して加熱することにより、各キャビティ内の粉末樹
脂は溶融されて各キャビティ内に充填された状態にな
り、このような状態で溶融樹脂が硬化されることによっ
て、各キャビティ内の機能素子が硬化した封止用樹脂に
よって封止される。
構成された粉末樹脂は、溶融させてキャビティ内に充填
した後に、再度、加熱することによって架橋硬化する
と、低弾性を有しているために、機能素子を傷つけるこ
となく封止する。
5000以上の高分子量不飽和ポリエステル樹脂および
その変成物は、架橋ポリオレフィンの硬化物とエポキシ
樹脂等の熱硬化性樹脂の硬化物との間の硬度および弾性
特性を容易に調整し得るために、架橋ポリオレフィンに
よって十分な弾性が得られない場合に、封止用樹脂粉末
として好適に使用される。
面が平坦な平面回路基板の表面上に、複数の機能素子を
配置して、熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂によって構
成された封止用樹脂シートが平面回路基板に重ねられ
る。そして、平面回路基板上の各機能素子が、封止用樹
脂シートの各凹部にて覆われた状態になると、封止用樹
脂シートが加熱されて溶融し、溶融状態の樹脂が、各機
能素子をそれぞれ封止するように所定の形状に成形され
る。そして、溶融樹脂が硬化することにより、各機能素
子が封止樹脂にて封止される。
記封止用樹脂シートは光透過性を有していると、封止用
樹脂シートは、溶融状態で所定のレンズ形状に容易に成
形することができる。
トマトリクス型の発光表示デバイスも、平面回路基板を
使用して容易に製造することができる。この場合は、ま
ず、表面が平坦な平面回路基板の表面上に、複数の発光
素子を配置し、各発光素子を収容し得る開口部が形成さ
れた反射板を、各開口部内に各発光素子がそれぞれ収容
されるようにこの平面回路基板上に重ね合わせる。そし
て、反射板上に封止用樹脂シートを重ねて、封止用樹脂
シートを加熱して溶融する。これにより、溶融した樹脂
は、反射板の各開口部内に充填され、このような状態で
溶融樹脂が硬化することによって、半導体デバイスであ
るドットマトリクス型の発光表示装置が製造される。
する。図1は、本発明の半導体デバイスの製造方法によ
って製造された超小型反射板付発光デバイスの外観斜視
図である。この発光デバイスは、一辺が1mm程度の直
方体状のMID(Molded Interconne
ction Device、射出立体配線成形基板)の
回路基板11内に、上方に開口する直方体状のキャビテ
ィ12が形成されており、このキャビティ12内に、発
光素子(LED)13が配置されている。発光素子13
は、キャビティ12の底面に設けられたマウント用導電
パターン14上に、導電性接着剤15によって接続され
ている(ダイボンディング)。発光素子13の上面は、
キャビティ12の底面に設けられた接続用導電パターン
16と、金線等によって構成された導電線17により接
続されている(ワイヤーボンディング)。回路基板11
のキャビティ12内には、光透過性の架橋EVA(エチ
レン−酢酸ビニル共重合体)によって構成された封止用
樹脂21が充填されて硬化しており、この封止用樹脂2
1によってキャビティ12内に配置された発光素子13
が封止されている。
うな発光デバイスの製造工程の一例を示す概略図であ
る。発光デバイスは、図2(a)に示すように、多数の
キャビティ12が縦方向および横方向にマトリクス状に
形成された多連キャビティ回路基板10を使用して、多
数を同時に製造されるようになっている。この多連キャ
ビティ基板10は、例えば、厚さが1.0mmであり、
各キャビティ12の深さは0.6mmになっている。各
キャビティ12内の底面には、まず、発光素子マウント
用導電パターン14および接続用導電パターン16が、
それぞれ設けられる。
2(b)に示すように、各キャビティ12内のマウント
用導電パターン14上に導電性接着剤15がそれぞれ塗
布されて、図2(c)に示すように、その導電性接着剤
15上に発光素子13がダイボンディングされる。そし
て、図2(d)に示すように、発光素子13と、キャビ
ティ12内の底面上に配置された接続用導電パターン1
6とが、金線等によって構成された導電線17によって
ワイヤーボンディングされる。
10の各キャビティ12内に、発光素子13がダイボン
ディングおよびワイヤーボンディングされると、各キャ
ビティ12内に光透過性の架橋EVAによって構成され
た封止用樹脂21が充填される。図3(a)〜(c)
は、それぞれ、キャビティ12内へ封止用樹脂21を充
填する一連の工程を示す概略図である。
過性の封止用樹脂21を充填するために、図3(a)に
示すように、熱硬化性樹脂である架橋EVA(エチレン
−酢酸ビニル共重合体)によって構成された封止用樹脂
シート20が使用される。この封止用樹脂シート20
は、多連キャビティ回路基板10上に重ねられ、さら
に、その封止用樹脂シート20上に、表面成形用離型シ
ート31および平板状の重り板32が重ね合わせられ
る。表面成形用離型シート31は、製造される発光デバ
イスの封止樹脂21の表面を梨地状、あるいは鏡面状に
仕上げるために、封止用樹脂シート20と接する表面
が、梨地状あるいは鏡面状になっている。
って、全てのキャビティ12を覆い得るように、多連キ
ャビティ回路基板10とほぼ同様の大きさで、しかも、
各キャビティ12の深さ(0.6mm)よりも若干小さ
い0.2〜0.4mm程度の厚さになっている。
ビニル共重合体(EVA)に、架橋剤としての有機過酸
化物、黄変防止剤、安定剤、カップリング剤等の添加剤
を練り混んで、シート状に成形されている。このような
封止用樹脂シート20は、加熱することにより溶融し、
さらに、架橋剤分解温度に達するまで加熱することによ
って、三次元架橋される。
VA)は酢酸ビニル含有量によっては結晶化度が高くな
って白濁しているものもあるが、加熱して架橋すること
により、透明性が得られる。本実施例においては、封止
用樹脂シート20を構成する架橋EVAとして、株式会
社ブリジストン製の商品名「EVASAFE WGシリ
ーズ」を使用した。
ィ12を覆い、しかも、多連キャビティ回路基板10の
全面を覆い得る大きさになっている。封止用樹脂シート
20が多連キャビティ回路基板10に重ねられると、封
止用樹脂シート20には、表面成形用離型シート31お
よび重り板32が重ね合わされて、図3(b)に示すよ
うに、真空加熱炉33に挿入される。真空加熱炉33
は、90〜100℃の温度で封止用樹脂シート20を加
熱するようになっている。
加熱するようになっており、真空状態下に置かれた多連
キャビティ回路基板10上の封止用樹脂シート20およ
び表面成形用離型シート31は、重り板32による押圧
作用と相まって、相互に密着状態となって加熱される。
熱炉33における封止用樹脂シート20の状態を示す概
略図である。封止用樹脂シート20は、真空加熱炉33
内に入れられた当初は、図4(a)に示すように、シー
ト状を保持しているが、真空加熱炉33によって加熱さ
れると、図4(b)に示すように、封止用樹脂シート2
0は溶融を開始して湾曲状態になり、その後、図4
(c)に示すように、各キャビティ12内に溶融した樹
脂が充填される。また、封止用樹脂シート20は重り板
32によって押圧されているために、樹脂の引っ張り合
いによって各キャビティ12内に対して樹脂が不均一に
充填されるというおそれがなく、各キャビティ12内に
は溶融樹脂が均一に充填される。本実施例では、各キャ
ビティ12内に封止用樹脂が充填されるまでに、30分
程度の時間を要した。
ビティ12内に溶融樹脂が充填された状態になると、多
連キャビティ回路基板10は、真空加熱炉33内に収容
された状態で、再度、150℃の温度にまで加熱され
る。このとき、溶融状態の架橋EVAは、加熱の初期は
低粘度状態になるために、各キャビティ12間の回路基
板10の表面に残った溶融樹脂が、隣接する各キャビテ
ィ12内に流れ込む。これにより、回路基板10表面に
は、溶融樹脂が残らない状態になるともに、封止用樹脂
シート20は、各キャビティ12の深さよりも小さな厚
さであったにもかかわらず、各キャビティ12内には溶
融樹脂がほぼ満杯に充填される。
た溶融樹脂は、真空加熱炉33によって150℃の高温
に加熱されることにより架橋されて硬化する。本実施例
では、各キャビティ12内の溶融樹脂であるEVAが架
橋されて硬化するまでに30分程度の時間を要した。
表面が密着した状態で、封止用樹脂シート20が溶融し
て各キャビティ12内に溶融樹脂が充填され、さらにそ
の後に、溶融樹脂が再度加熱することにより硬化する。
そして、溶融樹脂が硬化した後に、図3(c)に示すよ
うに、真空加熱炉33から多連キャビティ回路基板1
0、表面成形用離型シート31および重り板32が取り
出されて、重り板32および表面成形用離型シート31
が、多連キャビティ回路基板10から順次取り除かれ
る。これにより、各キャビティ12内の発光素子13
が、硬化した封止用樹脂21によって封止された状態に
なるとともに、各キャビティ12内にて硬化した封止用
樹脂21の表面が、鏡面状あるいは梨地状に仕上げられ
る。
用樹脂21によって封止されると、図5に示すように、
多連キャビティ回路基板10が、1つのキャビティ12
毎にそれぞれ分割される。これにより、封止用樹脂21
表面が鏡面状あるいは梨地状になった多数の発光デバイ
スが得られる。
して発光デバイスを製造する場合には、各キャビティ1
2内の発光素子13同士が電気的に接続された回路構成
とすることにより、各キャビティ12毎に分割しなくと
も、多数の発光素子がマトリクス状になったドットマト
リクス型の発光デバイスが得られる。
21は、架橋されることにより透明になるために、本実
施例の超小型反射板付発光デバイスの光学素子の封止に
好適に使用される。また、架橋EVAによって構成され
た封止用樹脂は低弾性を有しているために、各キャビテ
ィ12内の発光素子13が破損しやすく低応力を要求さ
れる場合にも、好適に使用される。
10に重ねられる封止用樹脂シート20は、キャビティ
12の深さが0.6mmであるのに対して、0.2〜
0.4mm程度の厚さにされている。封止用樹脂シート
20が厚くなりすぎると、加熱が終了した後にも、多連
キャビティ回路基板10における各キャビティ12間の
表面に溶融樹脂が残った状態になる。このように、多連
キャビティ回路基板10の表面に溶融樹脂が残った状態
で溶融樹脂が硬化すると、製造される発光デバイスは、
発光素子13から発せられる光が、キャビティ12の周
辺の回路基板11表面に残った封止用樹脂を通って散乱
されてしまう。このために、封止用樹脂シート20は、
キャビティ12の深さよりも若干小さな厚さにすること
が好ましい。封止用樹脂シート20の厚さがキャビティ
12の深さよりも若干小さくなっていても、各キャビテ
ィ12周辺の多連キャビティ回路基板10表面上に位置
する樹脂が溶融して、各キャビティ12内に流入するこ
とにより、全てのキャビティ12内に溶融樹脂がほぼ満
杯に充填される。
20上に、表面成形用離型シート31を介して重り板3
2を重ねた状態で、真空加熱炉33によって真空状態で
加熱する構成としたが、図6に示すように、重り板32
を使用することなく、真空状態で加圧して加熱し得る真
空加熱装置(株式会社エヌ・ピー・シー製、商品名「真
空ラミネーター」)40によって、加熱するようにして
もよい。この真空加熱装置40は、上部チャンバー41
と、下部チャンバー42とがダイヤフラムゴム43によ
って隔絶された状態になっており、上部チャンバー41
および下部チャンバー42内がそれぞれ真空状態とされ
るようになっている。下部チャンバー42内には熱板4
4が配置されており、この熱板44上に、多連キャビテ
ィ回路基板10が、封止用樹脂シート20および表面成
形用離型シート31を重ねた状態で載置される。
に、多連キャビティ回路基板10が、封止用樹脂シート
20および表面成形用離型シート31を重ねた状態で載
置されると、上部チャンバー41内および下部チャンバ
ー42内が真空にされるとともに、熱板44が加熱され
て、封止用樹脂シート20が溶融状態とされる。そし
て、下部チャンバー42内の真空状態を維持して、上部
チャンバー41内のみを大気に開放することにより、ダ
イヤフラムゴム43によって表面成形用離型シート31
が多連キャビティ回路基板10に圧接される。これによ
り、多連キャビティ回路基板10の各キャビティ12内
に充填された溶融樹脂の表面には、表面成形用離型シー
ト31が、ダイヤフラムゴム43および真空によって圧
接されるために、溶融樹脂内に気泡が混入することな
く、樹脂表面は、確実に鏡面状あるいは梨地状に成形さ
れる。この場合には、熱板44の温度を制御することに
より、樹脂を溶融させて各キャビティ12内に充填した
後に、溶融樹脂を架橋するまでの作業をを、真空加熱装
置40によって行うことができる。
ビティ回路基板10に、封止用樹脂シート20と表面成
形用離型シート31とを重ねた状態で、耐熱性の真空引
き用袋38a内に収容して、図7(b)に示すように、
真空引き用袋38aの開口部にチューブ38bの一端部
を気密状態で接続し、図7(c)に示すように、真空引
き用袋38aを加熱炉38c内に入れて、真空引き用袋
38a内を真空ポンプ38dによって真空状態としつ
つ、加熱するようにしてもよい。
ィ回路基板10上に封止用樹脂シート20を載せて加熱
する場合には、図8(a)〜(c)に示すように、各キ
ャビティ12の底部に、予め、一対の貫通孔12aを、
それぞれ設けておいてもよい。このように、各キャビテ
ィ12の底部に貫通孔12aを設けることにより、多連
キャビティ回路基板10の周囲が真空状態になって、封
止用樹脂シート12が溶融状態になった際に、各キャビ
ティ12内の空気が容易に排出されるために、各キャビ
ティ12内に充填される溶融樹脂内へ気泡が混入するこ
とが抑制され、しかも、各キャビティ12の内周面と、
各キャビティ12内に充填されて硬化した封止樹脂21
との密着性が向上する。
aからは、溶融樹脂が流出するおそれがあるが、各貫通
孔12aの大きさ、溶融樹脂の粘度等を適当に選定する
ことによって、溶融樹脂が各貫通孔12aから流出する
ことを防止することができる。例えば、図8(a)〜
(c)に示すように、各キャビティ12の開口部の大き
さが、3.0×1.8mmの長方形、各キャビティ12
の底部の大きさが、2.2×0.6mmの長方形、各キ
ャビティ12の深さが0.7mm、ただし、各キャビテ
ィ12の底部は、開口部に対応して下方に0.4mmだ
け突出した状態になっている場合には、各キャビティ1
2の底部の長手方向の各端部に、0.4×0.6mmの
長方形状の一対の貫通孔12aを、相互に1.4mmの
間隔をあけて形成することにより、各貫通孔12aから
溶融樹脂は流出しなかった。ただし、樹脂封止シート2
0は、前述したように、厚さが0.2〜0.6mmの架
橋EVA(株式会社ブリジストン製、商品名「EVAS
AFE WGシリーズ」)を使用した。
するおそれがある場合には、多連キャビティ回路基板1
0の下方に、離型性に優れたシート、板体等を敷いてお
けばよい。このようにすれば、各貫通孔12aから溶融
樹脂が流出しても、多連キャビティ回路基板10が、加
熱板等に密着することなく、加熱炉等から容易に取り出
すことができる。
る貫通孔12aは、一対である必要はなく、図9(a)
に示すように、1個の貫通孔12aを設けるようにして
もよい。しかも、貫通孔12aは、各キャビティ12の
底部に限らず、可能であれば各キャビティ12の側面に
設けてもよい。各貫通孔12は、断面長方形状に限ら
ず、断面円形状、断面三角形状等であってもよい。
12aを設ける構成に替えて、図9(b)に示すよう
に、各キャビティ12に対向する封止用樹脂シート20
の部分に、それぞれ貫通孔20aを形成するようにして
もよい。この場合にも、多連キャビティ回路基板10の
周囲が真空状態になって、封止用樹脂シート20が溶融
する際に、封止用樹脂シート20に設けられた各貫通孔
20aから各キャビティ12内の空気が容易に排出され
るために、各キャビティ12内に充填される溶融樹脂内
への気泡の混入を抑制することができ、しかも、各キャ
ビティ12の内周面と、各キャビティ12内に充填され
て硬化した封止樹脂21との密着性が向上する。
ージ化エポキシ樹脂、架橋ポリオレフィン類、架橋変成
フェノキシ樹脂、数平均分子量が5000以上の高分子
量ポリエステル樹脂およびその変成物等のように、加熱
によって溶融して多連キャビティ回路基板10の各キャ
ビティ12内に充填された後に、さらに加熱することに
より三次元架橋する熱硬化性樹脂が好適に使用される
が、特に、架橋EVA、架橋EMAA(エチレン−メタ
クリル酸共重合体)等のエチレンコポリマーを架橋させ
るものや、フェノキシ樹脂と不飽和イソシナートを反応
させてなる硬化可能な不飽和基を有する変成フェノキシ
樹脂に架橋剤を添加した架橋変成フェノキシ樹脂、数平
均分子量が5000以上の高分子量ポリエステル樹脂お
よびその変成物が最も好適である。封止用樹脂シート2
0は、使用用途に適応した耐熱温度を有するように、種
々の添加剤によって特性が調整される。
ポリオレフィン製の封止用樹脂シート20の場合には、
樹脂溶融温度を越えて架橋温度にまで一挙に上昇させる
と、気泡が溶融樹脂から抜けた後に樹脂の粘度が架橋の
ために上昇した状態になり、各キャビティ12内の隅々
にまで溶融樹脂が行き渡らず、樹脂の充填量が少ないキ
ャビティ12が生じるおそれがあるが、前記各実施例の
ように、封止用樹脂シートに重り板32を重ねた状態で
真空加熱することにより、あるいは、真空加熱時に加圧
することにより、さらに、真空引き用袋38aを使用し
て真空度を大きくすることにより、さらにまた、多連キ
ャビティ回路基板10に各キャビティ12に通じる貫通
孔12aを形成したり、封止用樹脂シート20の各キャ
ビティ12に対向する部分に貫通孔20aを形成するこ
とにより、各キャビティ12内に樹脂を均一に充填する
ことができる。
するため、場合によっては、必要な硬度が得られないお
それがある。これに対して、架橋変成フェノキシ樹脂や
数平均分子量が5000以上の高分子量ポリエステル樹
脂およびその変成物は、硬度および弾性特性を、架橋ポ
リオレフィンとエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂との間の
レベルで容易に調整できるために、封止用樹脂シート2
0として好適に用いられる。
バイスの製造方法における他の実施例のそれぞれの工程
を示す概略図である。本実施例では、製造される半導体
デバイスの特性を考慮して、半導体デバイスのキャビテ
ィ12内部の底部に配置された発光素子13の周囲を低
応力性の樹脂によって封止し、キャビティ12の上部表
面側を高硬度の樹脂によって封止するように、図10
(a)に示すように、弾性率の異なる一対の低弾性封止
用樹脂シート23および高弾性封止用樹脂シート24が
重ね合わせて使用されるようになっている。各封止用樹
脂シート23および24は、数平均分子量が5000以
上の高分子量ポリエステル樹脂およびその変成物が使用
されており、回路基板10上に直接重ねられる低弾性封
止用樹脂シート23は低弾性率、その低弾性封止用樹脂
シート23上に重ねられる高弾性封止用樹脂シート24
は高弾性率になっている。
2の深さが0.6mmに対して、下側の封止用樹脂シー
ト23の厚さは0.5mm、上側の封止用シート24の
厚さは0.1mmとされる。
23および24を構成する高分子量不飽和ポリエステル
樹脂として、昭和高分子株式会社製の商品名「ビオレッ
クスシート」を使用した。
ャビティ12が覆われるように多連キャビティ回路基板
10と同様の大きさになっており、多連キャビティ回路
基板10と10に整合状態で重ねられる。低弾性封止用
シート23上に高弾性封止用樹脂シート24が重ねられ
ると、さらに、その高弾性封止用樹脂シート24上に、
表面が梨地処理された表面成形用離型シート31が重ね
合わされる。このような状態で、各封止用樹脂シート2
3および24と表面成形用離型シート31とが重ねられ
た多連キャビティ回路基板10は、図10(b)に示す
ように、真空熱プレス装置35内に挿入される。
機株式会社製の商品名「真空積層板プレス」が使用され
る。この真空熱プレス装置35は、真空チャンバー35
c内に配置された加熱可能なヒーター台35aと、この
ヒーター台35aに接離可能になった加熱可能なプレス
ヒーター35bとを有しており、ヒーター台35a上
に、各封止用樹脂シート23および24と表面成形用離
型シート31とが順番に重ねられた多連キャビティ回路
基板10がセットされる。
基板10がセットされると、真空チャンバー35c内が
減圧されて10torrとされる。このような状態にな
ると、加熱されたプレスヒーター35bが下降して、ヒ
ーター台35a上の多連キャビティ回路基板10が、各
封止用樹脂シート23および24と表面成形用離型シー
ト31とともに、100〜130℃の温度で、20kg
/cm2 の圧力が加えられるように熱プレスされる。こ
のとき、下側のヒーター台35aは加熱されない。プレ
スヒーター35bによる熱プレスが5分間にわたって実
施されると、真空チャンバー35c内の減圧状態が解除
されて、真空チャンバー35c内が常圧に復帰される。
その後、プレスヒーター35bによる熱プレスが解除さ
れて、真空熱プレス装置35による真空熱プレス処理が
終了する。
処理される間に、各封止用樹脂シート23および24は
それぞれ溶融して、各キャビティ12内に溶融した各樹
脂が充填され、続いて加熱されることによって架橋硬化
される。この場合、表面成形用離型シート31を使用す
ることなく、直接、プレスヒーター35bの表面に離型
剤を噴霧しておいてもよい。
た高分子量不飽和ポリエステル樹脂製の各封止樹脂シー
ト23および24は、真空熱プレス装置35による真空
熱プレス処理によって架橋されて硬化する。これによ
り、各キャビティ12の上部を除いた底部側部分には、
低弾性の高分子量不飽和ポリエステル樹脂が充填された
状態になり、各キャビティ12の上部表面側には、高弾
性の高分子量不飽和ポリエステル樹脂が充填された状態
になる。
13は、低弾性の高分子量不飽和ポリエステル樹脂によ
って覆われた状態になっているために、発光素子13
は、傷つくことなく安定的に保護される。これに対し
て、キャビティ12の上部の表面側には、高弾性の高分
子量不飽和ポリエステル樹脂が充填されていることによ
り、その表面部分には傷がつきにくくなっている。従っ
て、発光素子13の発光特性等の試験に際してのテスタ
ーとの接触、製造された発光デバイスが所定の機器に搭
載された際における他の部品との接触等によって、封止
樹脂21の表面が傷つくおそれがない。
12が充填された多連キャビティ回路基板10は、前記
実施例と同様に、各キャビティ12毎に分割することに
より、あるいは、所定の個数のキャビティ12毎に分割
することにより、所定の形状の発光デバイスとされる。
明のさらに他の実施例の発光デバイスの製造方法におけ
る各工程示す概略図である。本実施例では、内部に発光
素子13がそれぞれマウントされた多数のキャビティ1
2を有する多連キャビティ回路基板10上に、図11
(a)に示すように、低弾性封止樹脂用シート23と、
レンズ成形用樹脂シート25とが重ねられた状態で、図
11(b)に示すように、真空熱プレス装置35内に挿
入されるようになっている。この場合、多連キャビティ
回路基板10における各キャビティ12の深さが0.6
mmであり、低弾性封止用樹脂シート23の厚さは、前
記実施例と同様に0.5mmになっているのに対して、
レンズ成形用樹脂シート25の厚さは、その低弾性封止
用樹脂シート23の厚さの2倍である1.0mmとされ
ている。
35bの下側に、レンズ成形用金型35dが取り付けら
れている。このレンズ成形用金型35dは、図12に示
すように、例えば、半径0.9mmの半円筒状の複数の
成形用溝部35eが、多連キャビティ回路基板10にお
ける列状になったキャビティ12に沿った平行状態で形
成されている。
上に多連キャビティ回路基板10がセットされると、真
空チャンバー35c内が減圧されて10torrとされ
る。このような状態になると、図11(c)に示すよう
に、加熱されたプレスヒーター35bが下降して、多連
キャビティ回路基板10上の低弾性封止用樹脂シート2
3およびレンズ成形用樹脂シート25が、100〜13
0℃の温度、および、20kg/cm2 の圧力で熱プレ
スされる。これにより、低弾性封止用樹脂シート23お
よびレンズ成形用樹脂シート25が溶融状態になって低
弾性封止用樹脂シート23が各キャビティ12内に充填
されるとともに、レンズ成形用樹脂シート25は溶融さ
れて、レンズ成形用金型35dによって、多連キャビテ
ィ回路基板10上に、所定の半円筒状に成形される。
分間にわたって実施されると、真空チャンバー35c内
の減圧状態が解除されて、真空チャンバー35c内が常
圧に復帰される。その後、プレスヒーター35bによる
熱プレスが解除されて、真空熱プレス装置35による真
空熱プレス処理が終了する。
脂、および多連キャビティ回路基板10上に半円筒状に
成形された溶融樹脂は、熱プレス処理されることによっ
て、架橋されて硬化する。これにより、図13(a)に
示すように、多連キャビティ回路基板10上に、半円筒
状に硬化した高分子量不飽和ポリエステル樹脂によって
複数本のロッドレンズ25aが形成された状態になる。
各キャビティ12内には、低弾性の高分子量不飽和ポリ
エステル樹脂が充填された状態になっている。
キャビティ12毎に分割されることにより、図13
(b)に示すように、回路基板11のキャビティ12内
に配置された発光素子13が低弾性封止樹脂23aによ
って封止され、さらに、その低弾性封止樹脂23a上に
半円筒状のロッドレンズ25aが設けられた発光デバイ
スが得られる。
溶融状態にしてレンズ成形用金型35dによって成形す
る際に、溶融樹脂内に混入される気泡が確実に排出され
るように、形成されるロッドレンズ25aの半径よりも
大きな厚さのレンズ成形用シート25が使用される。ま
た、レンズ成形用金型35cは、プレスヒーター35b
に取り付ける必要がなく、レンズ成形用シート25上に
載置した状態で使用してもよい。
ンズ25aを成形する場合に限らず、図14(a)に示
すように、多連キャビティ回路基板10の各キャビティ
12上に半球状の凸レンズ25bを成形することもでき
る。この場合には、図14(b)に示すように、多連キ
ャビティ回路基板10を各キャビティ12毎に切断する
ことによって、回路基板11の各キャビティ12内に配
置された発光素子13が低弾性封止樹脂23aによって
封止され、さらに、その低弾性封止樹脂23a上に凸レ
ンズ25bが設けられた発光デバイスが得られる。
施例における発光デバイスの製造方法を示す概略工程図
である。本実施例では、前述した封止用樹脂シート20
に替えて、その封止用樹脂シート20に使用される高分
子量不飽和ポリエステル樹脂またはその変成物を微細な
粉末にした粉末樹脂22が使用される。
に、各キャビティ12内に発光素子13がダイレクトボ
ンディングされた多連キャビティ回路基板10の表面全
体に振りかけられて、図15(b)に示すように、多連
キャビティ回路基板10全体が粉末樹脂22にて覆われ
た状態とされる。
うに、スキージ36が多連キャビティ回路基板10の表
面に沿って移動されることにより、多連キャビティ回路
基板10の各キャビティ12内に粉末樹脂22が充填さ
れて、不要な粉末樹脂22が除去される。各キャビティ
12内には微細な粉末樹脂22が満杯に充填されてい
る。
されると、図15(d)に示すように、多連キャビティ
回路基板10が、真空加熱炉37内に挿入されて加熱さ
れる。真空加熱炉37によって粉末樹脂が100〜13
0℃程度に加熱されると、各キャビティ12内の粉末樹
脂22は、溶融状態になるとともに、真空加熱炉37内
が真空になることによって脱泡される。その後、真空加
熱炉37によって、さらに、溶融樹脂が150℃程度の
高温に加熱されると、溶融樹脂は架橋されて硬化する。
そして、多連キャビティ回路基板10が、各キャビティ
12毎に分割されることにより、図16に示すように、
キャビティ12内の発光素子13が、硬化した封止用樹
脂21にて封止された発光デバイスが得られる。
は、キャビティ12内に充填された粉末樹脂が溶融して
各粉末間の間隙が消滅していることにより、上面が若
干、凹状に窪んだ状態になる。従って、各キャビティ1
2内に充填される樹脂としては、各粉末間の間隙が小さ
くなるように、可能な限り微細になっていることが好ま
しい。粉末樹脂の粉末度が大きい場合には、各キャビテ
ィ12内に粉末樹脂を充填して加熱して溶融させた後
に、再度、各キャビティ12内に粉末樹脂を充填して、
各キャビティ12内での粉末樹脂22の溶融による容量
の減少を補うようにすればよい。
発光デバイスの製造方法について説明したが、本発明
は、図17(a)に示すように、基板71内に一対のキ
ャビティ72および73が形成され、各キャビティ72
および73内に発光素子74および受光素子75がそれ
ぞれマウントされて封止用樹脂76および77にて封止
されたフォトインタラプタ70の製造にも適用できる。
このようなフォトインタラプタを製造する場合には、図
17(b)に示すように、対をなすキャビティ72およ
び73がマトリクス状に多数形成された多連キャビティ
回路基板79に、封止用樹脂シート78を重ねた状態
で、真空下で加熱および加圧すればよい。加熱された封
止用樹脂シート78は溶融して各キャビティ72および
73内に充填して硬化する。その後、図17(c)に示
すように、多連キャビティ回路基板79は、対をなすキ
ャビティ72および73毎に分割されて、図17(a)
に示すフォトインタラプタ70が製造される。
レス基板81内にキャビティ82が形成されて、キャビ
ティ82内にICチップ83がマウントされたリードレ
スIC80の製造にも、本発明は適用される。このよう
なリードレスICを製造する場合には、例えば、図18
(b)に示すように、基板81上に、キャビティ82を
覆う封止用樹脂シート84を載置して、加熱炉にて加熱
することにより封止用樹脂シート84を溶融させて、脱
泡しつつキャビティ82内に充填し、その後に硬化させ
ることにより、図17(c)に示すように、封止用樹脂
85にてICチップ83が封止されたリードレスICが
製造される。
止用樹脂としては、光透過性を有していることが要求さ
れるが、図17に示すようなリードレスICのような機
能素子を封止する封止用樹脂としては、特に光透過性は
要求されない。
バイスの製造方法のさらに他の実施例における各工程を
示す概略図である。本実施例では、図19(a)に示す
ように、前記各実施例で使用した多連キャビティ回路基
板10に替えて、表面が平坦になった薄い平面回路基板
61が使用される。そして、この平面回路基板61上
に、対になった発光素子マウント用導電パターン64お
よび接続用導電パターン66が、縦方向および横方向に
マトリクス状に配置される。
(b)に示すように、各発光素子マウント用導電パター
ン64上に、導電性接着剤65が塗布されて、図19
(c)に示すように、各導電性接着剤65上に発光素子
63がダイボンディングされる。そして、図19(d)
に示すように、発光素子63と、発光素子63がマウン
トされた発光素子マウント用導電パターン64と対をな
す接続用導電パターン66とが、金線等によって構成さ
れた導電線67によってワイヤーボンディングされる。
示すように、対になった発光素子マウント用導電パター
ン64および接続用導電パターン66が嵌入し得る中空
直方体状の凹部26aが、それぞれ、上方に突出するよ
うに、エンボス加工によって形成された封止用樹脂シー
ト26が、平面回路基板61上に載置される。封止用樹
脂シート26は、発光素子63および導電線67に接触
しないように、図20に示すように、平面回路基板61
上に設けられた一対の発光素子マウント用導電パターン
64および接続用導電パターン66を、各凹部26aが
それぞれ覆うように、平面回路基板61上に載置され
る。この封止用樹脂シート26は、前記実施例の封止用
樹脂シートと同様に、高分子量不飽和ポリエステルによ
って構成されている。
樹脂シート26が載置されると、真空熱プレス処理すべ
く、真空熱プレス装置に挿入される。この場合、真空熱
プレス装置は、図20に示すように、それぞれが上方に
半球状に突出する多数の凹部35fが設けられたレンズ
成形用金型35dがプレスヒーター35bに取り付けら
れている。
面回路基板61がセットされると、真空チャンバー内が
減圧されて10torrとされ、このような状態になる
と、プレスヒーター35bに取り付けられたレンズ成形
用金型35dが加熱された状態になり、平面回路基板6
1上に載置された封止用樹脂シート26を、100〜1
30℃の温度で、20kg/cm2 の圧力で熱プレスす
る。これにより、封止用樹脂シート26が溶融状態にな
り、続いて加熱されることにより架橋されて、溶融状態
の封止用樹脂が、レンズ成形用金型35dの各凹部35
f内に流入して半球状に成形される。
にわたって実施されると、真空チャンバー内の減圧状態
が解除されて、真空チャンバー内が常圧に復帰される。
その後、レンズ成形用金型35dが上昇して、真空熱プ
レス装置による真空熱プレス処理が終了する。これによ
り、図21(a)に示すように、平面回路基板61上に
は、各発光素子63が半球状の封止樹脂26bによって
封止された状態になり、その後、平面回路基板61が各
発光素子63毎に分割されることにより、図21(b)
に示すように、透明な半球状の凸レンズ型封止樹脂26
bによって発光素子63が封止された発光デバイスが得
られる。
2に示すドットマトリクス型の発光表示装置も製造する
ことができる。図22(a)は、本発明方法によって製
造されたドットマトリクス型の発光表示デバイス50の
平面図、図22(b)はその断面図である。
板51上に、対になった発光素子マウント用導電パター
ン54および接続用導電パターン56が、縦方向および
横方向にマトリクス状に配置されており、各発光素子マ
ウント用導電パターン54上に、導電性接着剤が塗布さ
れて、各導電性接着剤上に発光素子53がダイボンディ
ングされている。そして、発光素子53と、接続用導電
パターン56とが、金線等によって構成された導電線5
7によってワイヤーボンディングされている。平面回路
基板51の裏面には、複数のリードピン51aが設けら
れている。
がマウントされた発光素子マウント用導電パターン5
4、および、その発光素子53に導電線57がワイヤー
ボンディングされた接続用導電パターン56を取り囲む
断面円形状の開口孔58aがそれぞれ形成された反射板
58が設けられている。反射板58は、反射機能を有し
ており、反射板の各開口部58a内には、発光素子5
3、発光素子マウント用導電パターン54および接続用
導電パターン56が、それぞれ収容されている。そし
て、各開口部58a内には、封止樹脂52aがそれぞれ
充填されている。
デバイス50は、次のように製造される。図23に示す
ように、平面回路基板51上に、発光素子マウント用導
電パターン54および接続用導電パターン56がそれぞ
れ配置されると、各発光素子マウント用導電パターン5
4上に、発光素子53が導電性接着剤によってダイボン
ディングされる。そして、発光素子53と、接続用導電
パターン56とが、金線等によって構成された導電線5
7によってワイヤーボンディングされる。
うに、発光素子53がマウントされた発光素子マウント
用導電パターン54および接続用パターン56が、各開
口部58a内に嵌合されるように、平面回路基板51上
に反射板58が積層されるとともに、その反射板58上
に封止用樹脂シート52が積層される。反射板58は、
例えば、反射機能を有する樹脂成形品によって構成され
ている。また、封止用樹脂シート52は、前記実施例と
同様に、架橋EVAまたは高分子量不飽和ポリエステル
樹脂によって構成されており、例えば、高分子量不飽和
ポリエステル樹脂としては、昭和高分子株式会社製の商
品名「ビオレックスシート」が使用される。
板58および封止用樹脂シート52が順番に積層された
状態になると、真空熱プレス装置に挿入される。この真
空熱プレス装置は、図10に示す実施例において使用さ
れた真空熱プレス装置35と同様に、例えば、北川精機
株式会社製の商品名「真空積層板プレス」が使用され
る。この真空熱プレス装置35は、図24に示すよう
に、真空チャンバー35c内に配置されたヒーター台3
5a上に、直方体状の固定具35gが載置されるととも
に、上側のヒートプレス35bの下面に押圧具35kが
取り付けられている。固定具35gは、反射板58およ
び封止用樹脂シート52が積層された平面回路基板51
が嵌入される凹部35hが中央部に設けられている。
35mが予め底面に沿って敷かれており、凹部35h内
に、平面回路基板51を反転させた状態で、この平面回
路基板51に重ねられた封止用樹脂シート52および反
射板58が、順番に挿入される。これにより、封止用樹
脂シート52は、離型紙35mに接触した状態になり、
固定具35gの凹部35h内には、下側から、封止用樹
脂シート52、反射板58、および平面回路基板51が
順番に挿入される。
35c内が減圧されて10torrとされるとともに、
ヒーター台35aが120℃に加熱される。そして、ヒ
ートプレス35bが下降して、ヒートプレス35bの下
面に取り付けられた押圧具35kが、固定具35gの凹
部内35h内に配置された平面回路基板51の裏面にお
ける各リードピン59間に嵌入した状態になり、平面回
路基板51を押圧する。押圧具35kは、平面回路基板
51を、20kg/cm2 の圧力で押圧して、封止用樹
脂シート52を熱プレスする。このとき、ヒートプレス
35bは加熱されない状態になっている。
樹脂シート52は、加熱されて溶融および架橋した状態
になり、反射板58の各開口部58a内に流入する。そ
して、溶融状態の樹脂は、反射板58の全ての開口部5
8a内に充填された状態になるとともに、反射板58と
離型紙35mとの間にも残留した状態になる。
にわたって実施されると、真空チャンバー35c内の減
圧状態が解除されて、真空チャンバー35c内が常圧に
復帰される。その後、押圧具35kによる熱プレスが解
除されて、真空熱プレス装置35による真空熱プレス処
理が終了する。
の封止樹脂が硬化され、これにより、図22(a)およ
び(b)に示すドットマトリクス型の発光表示デバイス
が得られる。
デバイスの製造方法では、反射板58上に封止用樹脂シ
ート52を重ねるだけでよく、反射板58を固定するた
めの特別な作業も不要になる。
このように、加熱して溶融状態になった後に硬化する樹
脂によって構成された封止用樹脂シートを、多数のキャ
ビティが形成された多連キャビティ回路基板に重ねた状
態で加熱して溶融することにより、各キャビティ内に溶
融樹脂を充填することができ、しかも、溶融樹脂を硬化
させることにより、各キャビティ内の機能素子を封止用
樹脂によって封止することができる。従って、各キャビ
ティ内に同時に溶融樹脂を充填させて硬化させることが
できるために、各キャビティ内の樹脂の特性が変化した
り、充填される樹脂の量が変化するおそれもない。封止
用樹脂シートを回路基板に重ねた状態で加熱することに
より、溶融樹脂が各キャビティ内に充填されるために、
特別なディスペンサーや成形機等を必要とせず、また、
全てのキャビティ内に同時に樹脂を充填できるために、
生産効率は著しく向上する。
された状態で加熱されることにより、各キャビティ内の
空気が確実に排出され、溶融樹脂内に空気が混入するこ
とが抑制される。
に通じる貫通孔をそれぞれ設けるか、封止用樹脂シート
に、各キャビティに対向する部分に貫通孔をそれぞれ設
けることによっても、各キャビティ内の空気の排出が促
進される。
枚を重ね合わせて使用することによって、キャビティ内
の半導体素子の周囲を低弾性の樹脂によって取り囲み、
キャビティ表面の近傍を、傷がつきにくい高弾性樹脂と
することができる。
透過性を有するレンズ成形用樹脂シートを重ねて、封止
用樹脂シートを加熱して溶融する際に、レンズ成形用樹
脂シートも加熱して溶融させて、所定のレンズ形状に成
形することができる。従って、レンズ付の光学デバイス
を容易に製造することができる。
充填して溶融させた後に硬化させる方法でも、特別な装
置等を必要とせずに、半導体デバイスをを効率よく製造
することができる。各キャビティ内には粉末樹脂を同時
に充填して、同時に溶融および硬化させることができる
ために、各キャビティ内の封止樹脂は、特性にばらつき
が生じるおそれがない。
橋変成フェノキシ樹脂、数平均分子量が5000以上の
高分子量不飽和ポリエステル樹脂およびその変成物を使
用することにより、キャビティ内に配置される発光素子
等の機能素子が低い応力を要求される場合にも、機能素
子が損傷するおそれがない。
が平坦な平面回路基板に複数の機能素子がマウントされ
ている場合にも、封止用樹脂シートを重ねて加熱し、所
定の形状に成形することによって、各機能素子を確実に
封止樹脂によって封止することができる。
てドットマトリクス型の発光表示デバイスも、平面回路
基板に反射板および封止用樹脂シートを重ねて加熱する
ことにより、容易に製造することができる。この場合に
は、各反射板の開口部内に収容された発光素子が傷つく
おそれがなく、また、作業環境を汚染するおそれもな
い。
造された超小型反射板付発光デバイスの外観斜視図であ
る。
デバイスの製造工程における回路基板の概略図である。
の封止用樹脂の充填工程の一例を示す概略図である。
ける封止用樹脂シートの状態を示す概略図である。
キャビティ回路基板の分割工程を示す斜視図である。
る真空加熱装置の横断面図である。
発光デバイスの製造に使用される他の真空加熱方法の工
程を示す概略図である。
例におけるキャビティの縦断面図、(b)はその平面
図、(c)はその横断面図である。
例におけるキャビティの縦断面図、(b)は多連キャビ
ティ回路基板のさらに他の実施例におけるキャビティの
縦断面図である。
デバイスの製造方法における他の実施例における各工程
を示す概略図である。
に他の実施例の半導体デバイスの製造方法における各工
程示す概略図である。
真空熱プレス装置の要部の断面図である。
て製造される多連キャビティ回路基板の斜視図、(b)
はその製造方法によって製造された超小型反射板付発光
デバイスの斜視図である。
て製造される多連キャビティ回路基板の他の例を示す斜
視図、(b)はその製造方法によって製造された超小型
反射板付発光デバイスの斜視図である。
付発光デバイスの他の製造方法の各工程を示す概略図で
ある。
板付発光デバイスの外観斜視図である。
たフォトインタラプタの外観斜視図、(b)および
(c)は、それぞれ、その製造工程における多連キャビ
ティ回路基板を示す概略斜視図である。
方法によって製造されたリードレスICの製造工程にお
ける回路基板を示す概略斜視図である。
の製造方法のさらに他の実施例における各工程を示す概
略図である。
の要部の断面図である。
平面回路基板の斜視図、(b)はその製造方法によって
製造された発光デバイスの斜視図である。
たドットマトリクス型の発光表示装置の一例を示す平面
図、(b)はその断面図である。
である。
空熱プレス装置の要部の一部破断正面図である。
付発光デバイスの製造するために実施される従来のキャ
スティングモールド法による封止用樹脂の充填工程を示
す概略図である。
付発光デバイスの製造するために実施される従来のイン
ジェクションモールド法による封止用樹脂の充填工程を
示す概略図である。
付発光デバイスの製造するために実施される従来のトラ
ンスファーモールド法による封止用樹脂の充填工程を示
す概略図である。
造された超小型反射板付発光デバイスの外観斜視図であ
る。
デバイスの製造工程における回路基板の概略図である。
の封止用樹脂の充填工程の一例を示す概略図である。
ける封止用樹脂シートの状態を示す概略図である。
キャビティ回路基板の分割工程を示す斜視図である。
る真空加熱装置の横断面図である。
発光デバイスの製造に使用される他の真空加熱方法の工
程を示す概略図である。
例におけるキャビティの縦断面図、(b)はその平面
図、(c)はその横断面図である。
例におけるキャビティの縦断面図、(b)は多連キャビ
ティ回路基板のさらに他の実施例におけるキャビティの
縦断面図である。
デバイスの製造方法における他の実施例における各工程
を示す概略図である。
に他の実施例の半導体デバイスの製造方法における各工
程示す概略図である。
真空熱プレス装置の要部の断面図である。
て製造される多連キャビティ回路基板の斜視図、(b)
はその製造方法によって製造された超小型反射板付発光
デバイスの斜視図である。
て製造される多連キャビティ回路基板の他の例を示す斜
視図、(b)はその製造方法によって製造された超小型
反射板付発光デバイスの斜視図である。
付発光デバイスの他の製造方法の各工程を示す概略図で
ある。
板付発光デバイスの外観斜視図である。
たフォトインタラプタの外観斜視図、(b)および
(c)は、それぞれ、その製造工程における多連キャビ
ティ回路基板を示す概略斜視図である。
方法によって製造されたリードレスICの製造工程にお
ける回路基板を示す概略斜視図である。
の製造方法のさらに他の実施例における各工程を示す概
略図である。
の要部の断面図である。
平面回路基板の斜視図、(b)はその製造方法によって
製造された発光デバイスの斜視図である。
たドットマトリクス型の発光表示装置の一例を示す平面
図、(b)はその断面図である。
である。
空熱プレス装置の要部の一部破断正面図である。
付発光デバイスの製造するために実施される従来のキャ
スティングモールド法による封止用樹脂の充填工程を示
す概略図である。
付発光デバイスの製造するために実施される従来のイン
ジェクションモールド法による封止用樹脂の充填工程を
示す概略図である。
付発光デバイスの製造するために実施される従来のトラ
ンスファーモールド法による封止用樹脂の充填工程を示
す概略図である。
Claims (20)
- 【請求項1】 上方に向かって開口する多数のキャビテ
ィが形成された多連キャビティ回路基板に対して、各キ
ャビティ内に機能素子を配置する工程と、 加熱されて溶融した後にさらに加熱を続けると架橋硬化
する熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂によって所定の厚
さのシート状に構成された封止用樹脂シートを、前記多
連キャビティ回路基板の全てのキャビティを覆うように
多連キャビティ回路基板上に重ね合わせる工程と、 多連キャビティ回路基板上に重ねられた封止用樹脂シー
トを加熱して溶融するとともに、その溶融した樹脂が各
キャビティ内に充填されるように加圧する工程と、 各キャビティ内に充填された樹脂を硬化させる工程と、 を包含することを特徴とする半導体デバイスの製造方
法。 - 【請求項2】 前記封止用樹脂シートは真空によって加
圧された状態で加熱される請求項1に記載の半導体デバ
イスの製造方法。 - 【請求項3】 前記封止用樹脂シートは真空熱プレス装
置によって加圧および加熱される請求項2に記載の半導
体デバイスの製造方法。 - 【請求項4】 前記封止用樹脂シートは、表面が梨地状
になった表面成形用離型シートが圧接された状態で加熱
されて溶融される請求項1に記載の半導体デバイスの製
造方法。 - 【請求項5】 前記多連キャビティ回路基板には、各キ
ャビティに通じる貫通孔が設けられている請求項1に記
載の半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項6】 前記封止用樹脂シートには、各キャビテ
ィに対向する部分に貫通孔が設けられている請求項1に
記載の半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項7】 前記封止用樹脂シートは、弾性率の異な
る複数枚が重ね合わされて使用される請求項1に記載の
半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項8】 前記機能素子が光学素子であり、前記封
止用樹脂シートが光透過性を有している請求項1に記載
の半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項9】 前記封止用樹脂シートには、光透過性を
有するレンズ成形用樹脂シートが重ねられており、封止
用樹脂シートを加熱して溶融する際に、レンズ成形用樹
脂シートも加熱されて溶融され、所定のレンズ形状に成
形される請求項8に記載の半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項10】 前記封止用樹脂シートは、2次加熱に
よって架橋する熱硬化性の架橋ポリオレフィンによって
構成されている請求項1に記載の半導体デバイスの製造
方法。 - 【請求項11】 前記封止用樹脂シートは、フェノキシ
樹脂と不飽和イソシナートを反応させてなる硬化可能な
不飽和基を有する変成フェノキシ樹脂に架橋剤を添加し
た架橋変成フェノキシ樹脂によって構成されている請求
項1に記載の半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項12】 前記封止用樹脂シートは、数平均分子
量5000以上の高分子量不飽和ポリエステル樹脂また
はその変成物によって構成されている請求項1に記載の
半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項13】 上方に向かって開口する多数のキャビ
ティが形成された多連キャビティ回路基板に対して、各
キャビティ内に機能素子を配置する工程と、 加熱されて溶融した後にさらに加熱を続けると架橋硬化
する熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂によって微細な粉
末に構成された粉末樹脂を、前記多連キャビティ回路基
板の各キャビティ内にそれぞれ充填する工程と、 多連キャビティ回路基板の各キャビティ内に充填された
粉末樹脂を加熱して溶融する工程と、 各キャビティ内に充填された溶融樹脂を硬化させる工程
と、 を包含することを特徴とする半導体デバイスの製造方
法。 - 【請求項14】 前記封止用樹脂粉末は、2次加熱によ
って架橋する熱硬化性の架橋ポリオレフィンによって構
成されている請求項13に記載の半導体デバイスの製造
方法。 - 【請求項15】 前記封止用樹脂粉末は、フェノキシ樹
脂と不飽和イソシナートを反応させてなる硬化可能な不
飽和基を有する変成フェノキシ樹脂に架橋剤を添加した
架橋変成フェノキシ樹脂によって構成されている請求項
13に記載の半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項16】 前記封止用樹脂粉末は、数平均分子量
5000以上の高分子量不飽和ポリエステル樹脂または
その変成物によって構成されている請求項13に記載の
半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項17】 表面が平坦な平面回路基板の表面上
に、複数の機能素子を配置する工程と、 加熱されて溶融した後にさらに加熱を続けると架橋硬化
する熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂により、所定の厚
さのシート状に構成され、前記平面回路基板上の各機能
素子を覆うように突出した凹部がそれぞれ形成された封
止用樹脂シートを、前記平面回路基板上に重ねる工程
と、 平面回路基板上に重ねられた封止用樹脂シートを加熱し
て溶融し、溶融状態の樹脂を、各機能素子がそれぞれ封
止されるように所定の形状に成形して硬化させる工程
と、 を包含することを特徴とする半導体デバイスの製造方
法。 - 【請求項18】 前記機能素子が光学素子であり、前記
封止用樹脂シートは光透過性を有している請求項17に
記載の半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項19】 前記封止用樹脂シートは、溶融状態で
所定のレンズ形状に成形される請求項18に記載の半導
体デバイスの製造方法。 - 【請求項20】 表面が平坦な平面回路基板の表面上に
複数の発光素子を配置する工程と、 各発光素子を収容し得る開口部が形成された反射機能を
有する反射板を、各開口部内にそれぞれの発光素子が収
容されるように、平面回路基板上に重ねる工程と、 加熱されて溶融した後にさらに加熱を続けると架橋硬化
する熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂によって、所定の
厚さのシート状に構成された封止用樹脂シートを、前記
反射板上に重ねる工程と、 反射板上に重ねられた封止用樹脂シートを加熱して溶融
し、その溶融した樹脂を、反射板の各開口部内に充填す
る工程と、 その溶融樹脂にて反射板の表面を覆う工程と、 溶融樹脂を硬化させる工程と、 を包含することを特徴とする半導体デバイスの製造方
法。
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