JP2019050383A - Ledモジュール及び製造方法 - Google Patents
Ledモジュール及び製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019050383A JP2019050383A JP2018192726A JP2018192726A JP2019050383A JP 2019050383 A JP2019050383 A JP 2019050383A JP 2018192726 A JP2018192726 A JP 2018192726A JP 2018192726 A JP2018192726 A JP 2018192726A JP 2019050383 A JP2019050383 A JP 2019050383A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermal conductivity
- particles
- led die
- binder
- led
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 83
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 43
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 41
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims abstract description 35
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 37
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 12
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 10
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 8
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 52
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 13
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 description 1
- 241000255969 Pieris brassicae Species 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 208000021760 high fever Diseases 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 239000002470 thermal conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/644—Heat extraction or cooling elements in intimate contact or integrated with parts of the device other than the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0075—Processes relating to semiconductor body packages relating to heat extraction or cooling elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Abstract
Description
(付記1)
発光ダイオード(LED)モジュールを製造する方法であって、
少なくとも1つのLEDダイを含む反射カップを提供するステップと、
前記のカップ内であって前記LEDダイ上に固体片を配置するステップであって、前記固体片は、
第1屈折率及び第1熱伝導度を有するバインダと、
前記バインダ内に混合される波長変換粒子であって、前記LEDダイにより発せられる第1光を異なる波長の第2光に変換する波長変換粒子と、
前記バインダ内に混合される高熱伝導粒子であって、前記第1屈折率に実質的に等しい第2屈折率と、前記第1熱伝導度より大きい第2熱伝導度とを有する高熱伝導粒子とを有する、ステップと、
前記固体片が配置された後に、前記固体片を軟化させ、前記波長変換粒子、前記高熱伝導粒子及び前記バインダを前記LEDダイの周囲に流し、前記LEDダイを封止するステップと、
前記LEDダイの封止後に、軟化した前記固体片を硬化させるステップと、
を有する方法。
(付記2)
前記固体片を軟化させることは、前記固体片を加熱して前記バインダを溶かすことを含む、付記1に記載の方法。
(付記3)
前記固体片を軟化させることは真空中で実行される、付記1に記載の方法。
(付記4)
前記バインダはシリコーンを含む、付記1に記載の方法。
(付記5)
前記波長変換粒子は少なくとも1つの蛍光体を含む、付記1に記載の方法。
(付記6)
前記高熱伝導粒子は石英又は結晶シリカを含む、付記1に記載の方法。
(付記7)
前記高熱伝導粒子はクリストバライトを含む、付記1に記載の方法。
(付記8)
前記高熱伝導粒子はガラスを含む、付記1に記載の方法。
(付記9)
前記高熱伝導粒子は前記固体片の大部分を占める、付記1に記載の方法。
(付記10)
前記のカップ内に前記固体片を配置することが、前記固体片を前記のカップ内の実質的に中央部に配置することを含む、付記1に記載の方法。
(付記11)
前記のカップが円錐状である、付記1に記載の方法。
(付記12)
前記波長変換粒子と前記高熱伝導粒子とを前記バインダ内で混合するステップであって、前記バインダはスラリーを形成するように軟化される、ステップと、
前記スラリーのシートを形成するステップと、
前記バインダを硬化させるステップと、
硬化した結果のシートを、実質的に同様な固体片に分離するステップと、
を有するステップにより、前記固体片を形成するステップを更に有する付記1に記載の方法。
(付記13)
前記固体片はほぼ円柱状の形状を有する、付記1に記載の方法。
(付記14)
少なくとも1つのLEDダイを含む反射カップを提供するステップが、基板に複数の同様なカップを提供するステップであって、各々のカップは少なくとも1つのLEDダイを含む、ステップを有する、付記1に記載の方法。
(付記15)
封止後の硬化した前記固体片は、前記LEDダイから前記のカップへ及び前記のカップの基部へ熱を伝える、付記1に記載の方法。
(付記16)
前記第2熱伝導度は、前記第1熱伝導度より3倍以上大きい、付記1に記載の方法。
(付記17)
発光ダイオード(LED)モジュールであって、
少なくとも1つのLED第を含む反射カップと、
前記LEDダイを封止する波長変換混合物であって、
第1屈折率及び第1熱伝導度を有するバインダと、
前記バインダ内で混合される波長変換粒子であって、前記LEDダイにより発せられる第1光を異なる波長の第2光に変換する波長変換粒子と、
前記バインダ内で混合される高熱伝導粒子であって、前記第1屈折率に実質的に等しい第2屈折率と、前記第1熱伝導度より大きい第2熱伝導度とを有する高熱伝導粒子とを有する、波長変換混合物と、
を有するLEDモジュール。
(付記18)
前記LEDダイを封止する波長変換混合物は、
前記のカップ内であって前記LEDダイ上に固体片を配置するステップであって、前記固体片は、前記バインダと、前記波長変換粒子と、前記高熱伝導粒子とを含む、ステップと、
前記固体片が配置された後に、前記固体片を軟化させ、前記波長変換粒子、前記高熱伝導粒子及び前記バインダを前記LED第の周囲に流し、前記LEDダイを封止するステップと、
により形成される、付記17に記載のLEDモジュール。
(付記19)
前記バインダはシリコーンを含む、付記17に記載のLEDモジュール。
(付記20)
前記高熱伝導粒子は石英又は結晶シリカを含む、付記17に記載のLEDモジュール。
Claims (17)
- 発光ダイオード(LED)モジュールを製造する方法であって、
少なくとも1つのLEDダイを含む反射カップを提供するステップと、
前記反射カップ内の前記少なくとも1つのLEDダイ上に固体片を配置するステップであって、前記固体片は前記固体片より下位に少なくとも1つの隙間を形成するように前記反射カップの内壁に隣接し、前記固体片は、
バインダと、
高熱伝導粒子であって、前記バインダの屈折率及び前記高熱伝導粒子の屈折率は実質的に等しく、前記高熱伝導粒子の熱伝導度は前記バインダの熱伝導度より大きい、高熱伝導粒子と、
前記少なくとも1つのLEDダイにより発せられる光の波長を異なる波長に変換する波長変換粒子とを有し、前記波長変換粒子及び前記高熱伝導粒子は前記バインダ内で一様に混合されている、ステップと、
前記反射カップを実質的に充填し、前記少なくとも1つのLEDダイを封止し、前記少なくとも1つのLEDダイから熱を引き出すように、配置された固体片を軟化させるステップと、
前記少なくとも1つのLEDダイの封止後に、軟化した前記固体片を硬化させるステップと、
を有する方法。 - 前記配置された固体片を軟化させることは、前記配置された固体片を加熱して前記バインダを溶かすことを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記配置された固体片を軟化させることは、真空中で実行される、請求項1に記載の方法。
- 前記バインダはシリコーンを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記波長変換粒子は少なくとも1つの蛍光体を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記高熱伝導粒子は、石英、結晶シリカ、クリストバライト及びガラスのうち少なくとも何れかを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記高熱伝導粒子は前記固体片の大部分を占める、請求項1に記載の方法。
- 前記反射カップ内に前記固体片を配置することが、前記固体片を前記反射カップ内の実質的に中央部に配置することを含む、請求項1に記載の方法。
- スラリーを形成するように前記バインダを軟化させながら前記波長変換粒子と前記高熱伝導粒子とを前記バインダ内で混合するステップと、
前記スラリーのシートを形成するステップと、
前記バインダを硬化させるステップと、
硬化した結果のシートを、実質的に同様な固体片に分離するステップと、
を行うことにより、前記固体片を形成するステップを更に有する請求項1に記載の方法。 - 前記固体片を形成することは、実質的に同様な固体片の少なくとも何れかを、ターゲットのカラーポイントに合うまで薄化することを更に含む、請求項9に記載の方法。
- 少なくとも1つのLEDダイを含む反射カップを提供するステップが、基板に複数の同様な反射カップを提供するステップであって、各々の反射カップは少なくとも1つのLEDダイを含む、ステップを有する、請求項1に記載の方法。
- 封止後の硬化した前記固体片は、前記少なくとも1つのLEDダイから前記反射カップへ及び前記反射カップの基部へ熱を伝える、請求項1に記載の方法。
- 前記高熱伝導粒子の熱伝導度は、前記バインダの熱伝導度の3倍である、請求項1に記載の方法。
- 前記LEDダイの封止後に、軟化した前記固体片を硬化させることは、硬化した固体片に、前記反射カップにわたって実質的に平坦な上面を持たせる、請求項1に記載の方法。
- 発光ダイオード(LED)モジュールであって、
少なくとも1つのLEDダイを含む反射カップと、
波長変換混合部であって、軟化の前に、前記反射カップ内の前記少なくとも1つのLEDダイ上に、前記波長変換混合部のブロック構造を配置することにより、前記反射カップを実質的に充填し、前記少なくとも1つのLEDダイを封止し、前記少なくとも1つのLEDダイから熱を引き出し、前記ブロック構造は、前記ブロック構造より下位に少なくとも1つの隙間を形成するように前記反射カップの内壁に隣接する、波長変換混合部と、
を有し、前記ブロック構造は、
バインダと、
高熱伝導粒子であって、前記バインダの屈折率及び前記高熱伝導粒子の屈折率は実質的に等しく、前記高熱伝導粒子の熱伝導度は前記バインダの熱伝導度より大きい、高熱伝導粒子と、
前記少なくとも1つのLEDダイにより発せられる光の波長を異なる波長に変換する波長変換粒子とを有し、
前記波長変換粒子及び前記高熱伝導粒子は前記バインダ内で一様に混合されている、LEDモジュール。 - 前記ブロック構造は、ターゲットのカラーポイントに合う厚さを有する、請求項15に記載のLEDモジュール。
- 前記波長変換混合部は、前記反射カップにわたって実質的に平坦な上面を有する、請求項15に記載のLEDモジュール。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201361809451P | 2013-04-08 | 2013-04-08 | |
US61/809,451 | 2013-04-08 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016507083A Division JP2016519850A (ja) | 2013-04-08 | 2014-04-02 | Ledモジュールの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019050383A true JP2019050383A (ja) | 2019-03-28 |
Family
ID=50543275
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016507083A Pending JP2016519850A (ja) | 2013-04-08 | 2014-04-02 | Ledモジュールの製造方法 |
JP2018192726A Pending JP2019050383A (ja) | 2013-04-08 | 2018-10-11 | Ledモジュール及び製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016507083A Pending JP2016519850A (ja) | 2013-04-08 | 2014-04-02 | Ledモジュールの製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9761765B2 (ja) |
EP (1) | EP2984686B1 (ja) |
JP (2) | JP2016519850A (ja) |
KR (1) | KR102071463B1 (ja) |
WO (1) | WO2014167458A1 (ja) |
Families Citing this family (46)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10240724B2 (en) | 2015-08-17 | 2019-03-26 | Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. | LED filament |
US10473271B2 (en) | 2015-08-17 | 2019-11-12 | Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. | LED filament module and LED light bulb |
US10487987B2 (en) | 2015-08-17 | 2019-11-26 | Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. | LED filament |
US10677396B2 (en) | 2006-07-22 | 2020-06-09 | Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd | LED light bulb with symmetrical filament |
US10655792B2 (en) | 2014-09-28 | 2020-05-19 | Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. | LED bulb lamp |
US10544905B2 (en) | 2014-09-28 | 2020-01-28 | Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. | LED bulb lamp |
US9995474B2 (en) | 2015-06-10 | 2018-06-12 | Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. | LED filament, LED filament assembly and LED bulb |
CN106462033A (zh) * | 2014-06-17 | 2017-02-22 | 皇家飞利浦有限公司 | 包含磷转换led的反射器杯的阵列的闪光灯模块 |
TW201616689A (zh) * | 2014-06-25 | 2016-05-01 | 皇家飛利浦有限公司 | 經封裝之波長轉換發光裝置 |
US11686436B2 (en) | 2014-09-28 | 2023-06-27 | Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd | LED filament and light bulb using LED filament |
US11997768B2 (en) | 2014-09-28 | 2024-05-28 | Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd | LED filament and LED light bulb |
US11259372B2 (en) | 2015-06-10 | 2022-02-22 | Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd | High-efficiency LED light bulb with LED filament therein |
US11421827B2 (en) | 2015-06-19 | 2022-08-23 | Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd | LED filament and LED light bulb |
US11015764B2 (en) | 2014-09-28 | 2021-05-25 | Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd | LED light bulb with flexible LED filament having perpendicular connecting wires |
US11085591B2 (en) | 2014-09-28 | 2021-08-10 | Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd | LED light bulb with curved filament |
US10976009B2 (en) | 2014-09-28 | 2021-04-13 | Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd | LED filament light bulb |
US12007077B2 (en) | 2014-09-28 | 2024-06-11 | Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. | LED filament and LED light bulb |
US10982816B2 (en) | 2014-09-28 | 2021-04-20 | Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd | LED light bulb having uniform light emmision |
US10784428B2 (en) | 2014-09-28 | 2020-09-22 | Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. | LED filament and LED light bulb |
US11028970B2 (en) | 2014-09-28 | 2021-06-08 | Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd | LED filament light bulb having organosilicon-modified polyimide resin composition filament base layer |
US11073248B2 (en) | 2014-09-28 | 2021-07-27 | Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. | LED bulb lamp |
US11525547B2 (en) | 2014-09-28 | 2022-12-13 | Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd | LED light bulb with curved filament |
US11543083B2 (en) | 2014-09-28 | 2023-01-03 | Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd | LED filament and LED light bulb |
US10845008B2 (en) | 2014-09-28 | 2020-11-24 | Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. | LED filament and LED light bulb |
JP2016225581A (ja) * | 2015-06-04 | 2016-12-28 | 日本電気硝子株式会社 | 波長変換部材及びそれを用いた発光装置 |
US9966514B2 (en) * | 2015-07-02 | 2018-05-08 | Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Light emitting diode package structure and fabrication method |
US11168844B2 (en) | 2015-08-17 | 2021-11-09 | Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd | LED light bulb having filament with segmented light conversion layer |
GB2543139B (en) * | 2015-08-17 | 2018-05-23 | Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co Ltd | LED light bulb and LED filament thereof |
US10359152B2 (en) | 2015-08-17 | 2019-07-23 | Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co, Ltd | LED filament and LED light bulb |
CN108352434A (zh) * | 2015-11-10 | 2018-07-31 | 亿光电子工业股份有限公司 | 发光二极管装置与其制作方法 |
CN207584413U (zh) * | 2015-12-19 | 2018-07-06 | 嘉兴山蒲照明电器有限公司 | Led灯丝及应用所述led灯丝的led球泡灯 |
US10193030B2 (en) | 2016-08-08 | 2019-01-29 | General Electric Company | Composite materials having red emitting phosphors |
JP6868842B2 (ja) * | 2016-10-25 | 2021-05-12 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 波長変換デバイス、光源装置、照明装置、及び、投写型映像表示装置 |
JP6848582B2 (ja) * | 2017-03-24 | 2021-03-24 | 日本電気硝子株式会社 | 波長変換部材及び発光デバイス |
US10790419B2 (en) | 2017-12-26 | 2020-09-29 | Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd | LED filament and LED light bulb |
CN109973833B (zh) | 2017-12-26 | 2023-03-28 | 嘉兴山蒲照明电器有限公司 | Led灯丝及led球泡灯 |
CN118712183A (zh) * | 2018-02-01 | 2024-09-27 | 晶元光电股份有限公司 | 发光装置及其制造方法 |
US10982048B2 (en) | 2018-04-17 | 2021-04-20 | Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd | Organosilicon-modified polyimide resin composition and use thereof |
CN110687674B (zh) * | 2018-07-06 | 2021-10-29 | 中强光电股份有限公司 | 波长转换模块、波长转换模块的形成方法以及投影装置 |
US11152545B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-10-19 | Lumileds Llc | Inert filler to increase wavelength converting material volume and improve color over angle |
WO2020033327A1 (en) * | 2018-08-06 | 2020-02-13 | Lumileds Llc | Inert filler to increase wavelength converting material volume and improve color over angle |
US11183616B2 (en) * | 2018-09-26 | 2021-11-23 | Lumileds Llc | Phosphor converter structures for thin film packages and method of manufacture |
WO2020065539A1 (en) * | 2018-09-26 | 2020-04-02 | Lumileds Holding B.V. | Phosphor converter structures for thin film packages and method of manufacture |
CN112420897A (zh) * | 2019-08-20 | 2021-02-26 | 群创光电股份有限公司 | 电子装置 |
CN111429816A (zh) * | 2020-04-28 | 2020-07-17 | 广东三橙电子科技有限公司 | 一种led模组封装方法及led模组 |
WO2023102366A1 (en) * | 2021-12-01 | 2023-06-08 | Lumileds Llc | Phosphor layer with improved high-temperature reliability for phosphor converted leds |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0845972A (ja) * | 1994-05-24 | 1996-02-16 | Sharp Corp | 半導体デバイスの製造方法 |
JP2002510866A (ja) * | 1998-04-01 | 2002-04-09 | マサチューセッツ・インスティテュート・オブ・テクノロジー | 量子ドット白色及び着色発光ダイオード |
JP2009094262A (ja) * | 2007-10-09 | 2009-04-30 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置の製造方法 |
JP2009206459A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Sharp Corp | 色変換部材およびそれを用いた発光装置 |
JP2011144360A (ja) * | 2009-12-15 | 2011-07-28 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 光半導体素子封止用樹脂組成物及び当該組成物で封止した光半導体装置 |
KR20120019385A (ko) * | 2010-08-25 | 2012-03-06 | 삼성엘이디 주식회사 | 형광체 필름, 이의 제조방법, 형광층 도포 방법, 발광소자 패키지의 제조방법 및 발광소자 패키지 |
JP2013505347A (ja) * | 2009-09-23 | 2013-02-14 | ナノコ テクノロジーズ リミテッド | カプセル化された半導体ナノ粒子ベース材料 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7314770B2 (en) * | 2004-11-18 | 2008-01-01 | 3M Innovative Properties Company | Method of making light emitting device with silicon-containing encapsulant |
JP4820184B2 (ja) * | 2006-02-20 | 2011-11-24 | シチズン電子株式会社 | 発光装置とその製造方法 |
US8728833B2 (en) * | 2006-05-09 | 2014-05-20 | Intellectual Discovery Co., Ltd. | Light emitting device using a thermally activated coating and method of manufacturing |
JP4905069B2 (ja) | 2006-11-09 | 2012-03-28 | 豊田合成株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
US8288936B2 (en) * | 2007-06-05 | 2012-10-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting apparatus, method for manufacturing the light emitting apparatus, electronic device and cell phone device |
US9287469B2 (en) * | 2008-05-02 | 2016-03-15 | Cree, Inc. | Encapsulation for phosphor-converted white light emitting diode |
DE102008030253B4 (de) | 2008-06-25 | 2020-02-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Konversionselement und Leuchtmittel |
US8203161B2 (en) * | 2009-11-23 | 2012-06-19 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Wavelength converted semiconductor light emitting device |
JP2011222555A (ja) * | 2010-04-02 | 2011-11-04 | Denso Corp | 半導体チップ内蔵配線基板の製造方法 |
US20110309393A1 (en) * | 2010-06-21 | 2011-12-22 | Micron Technology, Inc. | Packaged leds with phosphor films, and associated systems and methods |
US8210698B2 (en) * | 2010-07-28 | 2012-07-03 | Bridgelux, Inc. | Phosphor layer having enhanced thermal conduction and light sources utilizing the phosphor layer |
JP5554680B2 (ja) * | 2010-10-15 | 2014-07-23 | スタンレー電気株式会社 | 発光素子搭載用基板、発光装置およびこれらの製造方法 |
US8841689B2 (en) * | 2012-02-03 | 2014-09-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Heat-curable silicone resin sheet having phosphor-containing layer and phosphor-free layer, method of producing light emitting device utilizing same and light emitting semiconductor device obtained by the method |
-
2014
- 2014-04-02 KR KR1020157031963A patent/KR102071463B1/ko active IP Right Grant
- 2014-04-02 JP JP2016507083A patent/JP2016519850A/ja active Pending
- 2014-04-02 EP EP14718771.0A patent/EP2984686B1/en active Active
- 2014-04-02 US US14/782,774 patent/US9761765B2/en active Active
- 2014-04-02 WO PCT/IB2014/060366 patent/WO2014167458A1/en active Application Filing
-
2017
- 2017-09-06 US US15/697,087 patent/US10153404B2/en active Active
-
2018
- 2018-10-11 JP JP2018192726A patent/JP2019050383A/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0845972A (ja) * | 1994-05-24 | 1996-02-16 | Sharp Corp | 半導体デバイスの製造方法 |
JP2002510866A (ja) * | 1998-04-01 | 2002-04-09 | マサチューセッツ・インスティテュート・オブ・テクノロジー | 量子ドット白色及び着色発光ダイオード |
JP2009094262A (ja) * | 2007-10-09 | 2009-04-30 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置の製造方法 |
JP2009206459A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Sharp Corp | 色変換部材およびそれを用いた発光装置 |
JP2013505347A (ja) * | 2009-09-23 | 2013-02-14 | ナノコ テクノロジーズ リミテッド | カプセル化された半導体ナノ粒子ベース材料 |
JP2011144360A (ja) * | 2009-12-15 | 2011-07-28 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 光半導体素子封止用樹脂組成物及び当該組成物で封止した光半導体装置 |
KR20120019385A (ko) * | 2010-08-25 | 2012-03-06 | 삼성엘이디 주식회사 | 형광체 필름, 이의 제조방법, 형광층 도포 방법, 발광소자 패키지의 제조방법 및 발광소자 패키지 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20170365747A1 (en) | 2017-12-21 |
KR102071463B1 (ko) | 2020-01-30 |
US10153404B2 (en) | 2018-12-11 |
WO2014167458A1 (en) | 2014-10-16 |
JP2016519850A (ja) | 2016-07-07 |
EP2984686B1 (en) | 2020-07-08 |
EP2984686A1 (en) | 2016-02-17 |
US9761765B2 (en) | 2017-09-12 |
KR20150143599A (ko) | 2015-12-23 |
US20160043285A1 (en) | 2016-02-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2019050383A (ja) | Ledモジュール及び製造方法 | |
JP6599295B2 (ja) | 斜角反射体を備えた発光素子およびその製造方法 | |
CN101636851B (zh) | 发光二极管结构以及用于制成发光二极管结构的工艺 | |
US20090114937A1 (en) | Resin-sealed light emitting device and its manufacturing method | |
KR100665121B1 (ko) | 파장변환형 발광 다이오드 패키지 제조방법 | |
US20100181582A1 (en) | Light emitting devices with phosphor wavelength conversion and methods of manufacture thereof | |
CN102130235B (zh) | 一种led芯片的封装方法及封装器件 | |
CN101123286A (zh) | 发光二极管封装结构和方法 | |
JP5307364B2 (ja) | 蛍光体含有ガラスの製造方法及び固体素子デバイスの製造方法 | |
WO2014101602A1 (zh) | 应用远距式荧光粉层的led封装结构及其制成方法 | |
KR20120119350A (ko) | 발광소자 모듈 및 이의 제조방법 | |
CN106058013A (zh) | 一种芯片级led封装工艺 | |
JP5239941B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
KR102091534B1 (ko) | 칩 스케일 패키지 발광 디바이스 및 그 제조 방법 | |
US10693046B2 (en) | Chip scale packaging light emitting device and manufacturing method of the same | |
CN103840063A (zh) | Led封装基板及其制作方法 | |
Cheng et al. | White LEDs with high optical consistency packaged using 3D ceramic substrate | |
WO2010023992A1 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
US8828754B2 (en) | Method for manufacturing LED | |
CN208315595U (zh) | Csp led的封装结构 | |
CN100463239C (zh) | 发光半导体组件封装结构及其制造方法 | |
US20120235188A1 (en) | Method and Apparatus for a Flat Top Light Source | |
CN102244177A (zh) | 半导体发光装置 | |
US20120236529A1 (en) | Method And Apparatus For A Light Source | |
TWM324287U (en) | Light-emitting semiconductor device package structure |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181011 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190819 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190910 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20191206 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20191226 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200310 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200526 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200824 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20201222 |