JP2009094262A - 発光装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】蛍光体を高濃度に充填してシート10を作成し、この蛍光体シート10を反射ケース3内へ被せてこれを反射ケース3内へ落とし込み、少なくともLEDチップ5の表面を被覆する。更には、蛍光体シート10を軟化させてLEDチップ5の側面を含めて全面を蛍光体シート10で囲繞する。
【選択図】図2
Description
一般的に、LEDチップを高出力化すると、封止部材中に蛍光体を均一に分散させたときに比べて、蛍光体をLEDチップの周辺に集中させたときのほうが、LEDチップからの光と蛍光体からの光との混合が促進され、白色光源としてより好ましい発光態様となることが知られている。
そのため、従来では、硬化前の封止部材へ蛍光体を導入し、蛍光体を沈降させることにより、LEDチップの周辺へ蛍光体を集中させている。
本発明に関連する文献として特許文献1〜特許文献4を参照されたい。
蛍光体をその自重により沈降させるには時間がかかり、遠心力を利用して蛍光体の沈降を促進させることには遠心装置など装置コストが嵩むこととなる。
即ち、本発明の第1の局面は次のように規定される。
壁状部材で包囲された状態のLEDチップに対し、蛍光体を高密度に充填した蛍光体シートを被せる工程と、
該蛍光体シートを前記壁状部材内へ落し込む工程と、
を含む発光装置の製造方法。
このように規定される第1の局面の製造方法によれば、壁状部材内へ落とし込まれた蛍光体シートはLEDチップの近傍に配置されるので、高出力の発光装置として好ましいものとなる。
この壁状部材として反射ケースを採用することができる(本発明の第2の局面)。
配線基板上へLEDチップを直接マウントするタイプにおいては、LEDチップを仕切り板で仕切り、この仕切り板をガイドとして蛍光体シートとLEDチップとの位置合わせをすることができる。この仕切り板が壁状部材となる。
第1の局面の製造方法において、前記壁状部材内に落とし込まれた蛍光体シートを変形させて、該蛍光体シートで前記LEDチップを囲繞する。
このように規定される第2の局面の製造方法によれば、蛍光体シートでLEDチップが囲繞される。蛍光体シートにおいて蛍光体は同一濃度に分布しているので、LEDチップからみると、その近傍に蛍光体が同一の濃度でかつ同一の厚みで分布することとなる。蛍光体シートにおいて蛍光体の濃度およびその厚みは容易に制御できる。よって、LEDチップの周囲の蛍光体の濃度や厚みを容易にかつ正確に制御できる。これにより、高出力に適した発光装置の提供が可能となる。
蛍光体シートの変形は、蛍光体シートにおいてシートの母材(蛍光体のバインダ)を変形することにより行なう。
母材をポリビニルアルコールなどの溶媒に可溶な材料で形成すれば、溶媒(アルコール等)を添加することにより母材が変形可能となり、その自重によりLEDチップへなじんでこれを囲繞する。また、母材をシリコーン樹脂等の熱可塑性材料としたときには、熱を加えることにより母材を変形可能とし、その自重によりLEDチップを囲繞する。
母材を消失させることにより、LEDチップからの光による母材の劣化(黄変等)が生じることもない。
図1はこの発明の実施例の発光装置1の要部を示す断面図である。
この発光装置1では、反射ケース3の底面の中央にフェイスアップタイプの青色発光ダイオードからなるLEDチップ5がマウントされている。
ここにLEDチップ5の種類は特に限定されるものではなく、任意の構成のもの(例えばフリップチップタイプ)を採用することができる。かかるLEDチップはIII族窒化物系化合物半導体により形成できる。III族窒化物系化合物半導体は、一般式としてAlXGaYIn1−X−YN(0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦X+Y≦1)で表され、AlN、GaN及びInNのいわゆる2元系、AlxGa1−xN、AlxIn1−xN及びGaxIn1−xN(以上において0<x<1)のいわゆる3元系を包含する。III族元素の少なくとも一部をボロン(B)、タリウム(Tl)等で置換しても良く、また、窒素(N)の少なくとも一部もリン(P)、ヒ素(As)、アンチモン(Sb)、ビスマス(Bi)等で置換できる。LEDの素子機能部分は上記2元系若しくは3元系のIII族窒化物系化合物半導体より構成することが好ましい。
III族窒化物系化合物半導体は任意のドーパントを含むものであっても良い。n型不純物として、シリコン(Si)、ゲルマニウム(Ge)、セレン(Se)、テルル(Te)、カーボン(C)等を用いることができる。p型不純物として、マグネシウム(Mg)、亜鉛(Zn)、ベリリウム(Be)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、バリウム(Ba)等を用いることができる。なお、p型不純物をドープした後にIII族窒化物系化合物半導体を電子線照射、プラズマ照射若しくは炉による加熱にさらすことができるが必須ではない。
III族窒化物系化合物半導体は、有機金属気相成長法(MOCVD法)のほか、周知の分子線結晶成長法(MBE法)、ハライド系気相成長法(HVPE法)、スパッタ法、イオンプレーティング法などによっても形成することができる。
III族窒化物系化合物半導体層を成長させる基板の材質はIII族窒化物系化合物半導体層を成長させられるものであれば特に限定されないが、例えば、サファイア、窒化ガリウム、スピネル、シリコン、炭化シリコン、酸化亜鉛、リン化ガリウム、ヒ化ガリウム、酸化マグネシウム、酸化マンガン、III族窒化物系化合物半導体単結晶などを基板の材料として挙げることができる。中でも、サファイア基板を用いることが好ましい。
LEDチップ5の発光色は目的に応じて適宜選択される。例えば、青色、緑色等、所望の発光色に応じて選択される。白色光を放出する照明装置を構成する場合には、青色光を放射するLEDチップ5を好適に用いることができる。
LEDチップ5を複数個用いることもできる。その場合には、同種類のLEDチップを組み合わせることはもちろんのこと、異なる種類のLEDチップを複数組み合わせても良い。
この蛍光体シート10はシート状のシリコーン樹脂(バインダ)へYAGからなる黄色系蛍光体(粒子)を高濃度に充填したものである。ここに蛍光体シート10においては、シート状態を維持しつつ、できる限り多くの蛍光体粒子をバインダへ分散させることが好ましい。ここに高濃度とは、従来例のように封止部材へ蛍光体を沈降させたときのLEDチップ周辺の蛍光体の濃度と等しいか又はそれ以上の濃度とする。反射ケース3の開口形状に合わせてこの蛍光体シート10をカットし、図1に示すように、反射ケース3へ被せるとともに、これを反射ケース3内へ落とし込んでLEDチップ5の上面へ接するようにする。これにより、主たる光放出面であるLEDチップ5の上面が蛍光体シート10で被覆される。蛍光体シート10において蛍光体は層をなし、その蛍光体層において蛍光体は均一の濃度でかつ均一の厚みで存在する。これにより、LEDチップ5から放出された青色系光と、該光の一部を吸収して蛍光体が放出する黄色系光とが均一に混合され、ムラのない白色光が形成される。
図1及び図2の発光装置において、反射ケース3の開口部はシリコーン樹脂その他の封止材料で封止しても、しなくてもよい。
この実施例では、蛍光体シート35を何らカットせず、反射ケース3の周縁部までこれで被覆する。製造工程において反射ケースはその複数が短冊状に並べて準備されているので、その全部を被覆するように蛍光体シート35を被せる。
この蛍光体シート35ではバインダとしてポリビニルアルコールを選択している。従って、アルコール等の溶媒を蛍光体シート35へ供給することにより、バインダが軟化し、図3のように蛍光体シート35はその自重でLEDチップ5に沿って配置される。溶媒供給の方法は特に限定されるものではないが、塗布、噴霧若しくは浸漬などの方法を採用することによる。
これにより、LEDチップ5の全周に均一に蛍光体が存在し、よりムラのない白色光を形成できる。
このようにして得られた図4に示す発光装置41では、バインダが存在しないので、LEDチップ5による高エネルギー光放出に伴う周辺材料の黄変問題が何ら影響しなくなる。
図3及び図4の発光装置において反射ケースの開口部へシリコーン樹脂等の封止材料を充填しても、しなくてもよい。また、反射ケース3の上面に付着した蛍光体は除去しても良い。
反射ケース3の内側側面(反射面)における反射効率を確保するため、蛍光体として白色の粉末を利用することが好ましい。
図1及び図2に示す実施例においても、蛍光体シートのバインダに溶媒に溶解する材料を選択すれば、図4と同様にバインダの除去が可能である。
この実施例では、セラミックス等からなる配線基板50の上にLEDチップ5が直接マウントされている。配線基板50には各LEDチップ5を包囲する仕切り板51がマス目状に立設されている。蛍光体シート10はこの仕切り板51の開口形状に合わせてカットされ、仕切り板51の開口から落とし込まれてLEDチップ5へ被せられる。このとき、仕切り板51は蛍光体シート10とLEDチップ5との位置合わせのためのガイドとなる。
この仕切り板51は樹脂、金属ないしはセラミックで形成され、基板50へ載置される。蛍光体シート10をLEDチップ5へ貼り合わせた後、この仕切り板51は基板50から除去される。
図6の例においても、蛍光体シート10を軟化させてLEDチップ5の側面へ沿わせるようにしてもよい。さらに、蛍光体シート10からバインダを除去してもよい。
3 反射ケース
5 LEDチップ
10,35 蛍光体シート
Claims (5)
- 壁状部材で包囲された状態のLEDチップに対し、蛍光体を高密度に充填した蛍光体シートを被せる工程と、
該蛍光体シートを前記壁状部材内へ落し込む工程と、
を含む発光装置の製造方法。 - 前記壁状部材は反射ケースである、ことを特徴とする請求項1に記載の発光装置の製造方法。
- 前記壁状部材内に落とし込まれた蛍光体シートを変形させて、該蛍光体シートで前記LEDチップを囲繞する、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の発光装置の製造方法。
- 前記蛍光体シートは蛍光体と該蛍光体を結合するバインダとを備えてなり、前記壁状部材内に落とし込まれた蛍光体シートから前記バインダを除去して、前記蛍光体で前記LEDチップを囲繞する、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の発光装置の製造方法。
- 前記蛍光体シートのバインダは溶媒に溶解する材料若しくは熱可塑性材料で形成されている、ことを特徴とする請求項3又は4に記載の発光装置の製造方法。
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