JP2994219B2 - 半導体デバイスの製造方法 - Google Patents

半導体デバイスの製造方法

Info

Publication number
JP2994219B2
JP2994219B2 JP6310352A JP31035294A JP2994219B2 JP 2994219 B2 JP2994219 B2 JP 2994219B2 JP 6310352 A JP6310352 A JP 6310352A JP 31035294 A JP31035294 A JP 31035294A JP 2994219 B2 JP2994219 B2 JP 2994219B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
cavity
circuit board
sealing resin
resin sheet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP6310352A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0845972A (ja
Inventor
正宏 小西
俊郎 肥田
雅子 矢部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP6310352A priority Critical patent/JP2994219B2/ja
Priority to US08/446,434 priority patent/US5635115A/en
Priority to KR1019950013523A priority patent/KR0180931B1/ko
Priority to EP95303481A priority patent/EP0684648B1/en
Priority to MYPI95001366A priority patent/MY114173A/en
Priority to CN95106581A priority patent/CN1100347C/zh
Priority to DE69518793T priority patent/DE69518793T2/de
Publication of JPH0845972A publication Critical patent/JPH0845972A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2994219B2 publication Critical patent/JP2994219B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00—Simple or compound lenses
    • G02B3/0006—Arrays
    • G02B3/0037—Arrays characterized by the distribution or form of lenses
    • G02B3/005—Arrays characterized by the distribution or form of lenses arranged along a single direction only, e.g. lenticular sheets
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00—Simple or compound lenses
    • G02B3/0006—Arrays
    • G02B3/0037—Arrays characterized by the distribution or form of lenses
    • G02B3/0056—Arrays characterized by the distribution or form of lenses arranged along two different directions in a plane, e.g. honeycomb arrangement of lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222—Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01075—Rhenium [Re]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1515—Shape
    • H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光デバイス、フォト
インタラプタ、リードレスＩＣ、さらには、多数の発光
素子によって数字等を表示する発光表示デバイス等の半
導体デバイスの製造方法に関する。さらに詳述すれば、
本発明は、金属基板、ガラスエポキシ樹脂やＭＩＤ（Ｍ
ｏｌｄｅｄ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ Ｄｅｖ
ｉｃｅ、射出立体配線成形基板）等の樹脂基板によって
構成されている回路基板に発光素子、ＩＣ等の機能素子
が配置されて封止用樹脂にて封止された半導体デバイス
の製造方法および発光表示デバイスの製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近時、金属基板、ガラスエポキシ樹脂や
ＭＩＤ等の樹脂基板のように、反射機能を有する回路基
板を使用した１ｍｍ角程度の超小型の反射板付の発光デ
バイスが開発されている。このような反射板付の発光デ
バイスは、反射機能を有する回路基板上にキャビティが
形成され、そのキャビティ内に発光素子がマウントされ
て、光透過性熱硬化性樹脂等の封止用樹脂にて封止され
ている。キャビティの内周面は、反射板として機能し、
キャビティ内の発光素子から発せられる光が封止用樹脂
を通ってキャビティの内周面にて反射される。
【０００３】このような超小型反射板付発光デバイス
は、通常、多数のキャビティが縦方向および横方向に並
んだマトリクス状に形成された１枚のＭＩＤの多連キャ
ビティ回路基板を使用して、同時に多数個が製造される
ようになっている。
【０００４】多数のキャビティが設けられた多連キャビ
ティ回路基板は、まず、全てのキャビティ内に発光素子
（ＬＥＤ）がダイボンディングおよびワイヤーボンディ
ングされた後に、全てのキャビティ内に液状または溶融
状態の封止用樹脂が充填される。その後、各キャビティ
内に充填された液状または溶融状態の樹脂が硬化され
る。各キャビティ内に封止用樹脂を充填する方法として
は、一般的に、キャスティングモールド法、インジェク
ションモールド法、トランスファーモールド法が採用さ
れている。
【０００５】従来のキャスティングモールド法による封
止用樹脂の充填方法について、図２５に基づいて説明す
る。この封止用樹脂の充填方法は、図２５（ａ）に示す
ように、まず、主剤９１ａと硬化剤９１ｂとを混合して
液体状態の封止用樹脂９１を製造する。封止用樹脂９１
としては、通常、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂が使
用される。得られた封止用樹脂９１は、図２５（ｂ）に
示すように、よく撹拌して、図２５（ｃ）に示すよう
に、脱泡槽９２によって脱泡された後に、図２５（ｄ）
に示すように、注型機９３に投入される。
【０００６】このような状態で、図２５（ｅ）に示すよ
うに、多数のキャビティ９４ａがマトリクス状に形成さ
れた多連キャビティ回路基板９４が注型機９３にセット
されて、注型機９３の空気圧送式、チュービング式、マ
イクロギアポンプ式等のディスペンサー９３ａによって
各キャビティ９４ａ内に液体状態の封止用樹脂９１が充
填される。多連キャビティ回路基板９４の各キャビティ
９４ａ内には、予め発光素子がダイボンディングおよび
ワイヤーボンディングされており、全てのキャビティ９
４ａ内に封止用樹脂９１が充填されると、多連キャビテ
ィ回路基板９４は、加熱炉９５によって加熱されて、各
キャビティ９４ａ内の溶融状態の熱硬化性樹脂であるエ
ポキシ樹脂が硬化される。
【０００７】その後、多連キャビティ回路基板９４は、
各キャビティ９４ａ毎に分割されることにより、回路基
板のキャビティ内に設けられた発光素子が封止用樹脂９
１によって封止されている超小型反射板付の発光デバイ
スが製造される。
【０００８】図２６は、インジェクションモールド法に
よる封止用樹脂の充填方法を示している。この充填方法
では、図２６（ｅ）に示すように、多数のキャビティ９
６ａがマトリクス状に形成された多連キャビティ回路基
板９６が使用される。この多連キャビティ回路基板９６
には、横方向に並んだ各キャビティ９６ａ同士を連通す
る溝部９６ｂが表面に設けられている。そして、このよ
うな多連キャビティ回路基板９６が、図２６（ａ）に示
すように、射出成形用金型９７の上金型９７ａおよび下
金型９７ｂの間にセットされて型締めされ、図２６
（ｂ）に示すように、射出成形用金型９７に設けられた
ノズル部９７ｃ内に、射出シリンダ９７ｄの先端部が挿
入される。射出シリンダ９７ｄには、溶融状態の熱可塑
性樹脂が供給されるようになっており、射出シリンダー
９７ｄに供給された熱可塑性樹脂が、図２６（ｃ）に示
すように、射出プランジャー９７ｅによって加圧されつ
つ、射出成形用金型９７のノズル部９７ｃ内に射出され
る。
【０００９】ノズル部９７ｃから射出される溶融樹脂
は、ゲートを通って多連キャビティ回路基板９６の各溝
部９６ｂから各キャビティ９６ａ内に充填される。全て
のキャビティ９６ａ内に溶融樹脂が充填されると、図２
６（ｄ）に示すように、射出成形用金型９７から多連キ
ャビティ回路基板９６が離型され、図２６（ｅ）に示す
ように、各キャビティ９６ａ内に溶融樹脂が充填された
状態の多連キャビティ回路基板９６が取り出される。そ
して、図２６（ｆ）に示すように、ゲートブレイク１０
０することにより、各キャビティ９６ａ内に熱可塑性樹
脂が充填された多連キャビティ回路基板９６が得られ
る。得られた多連キャビティ回路基板９６は、各キャビ
ティ９６ａ毎に分割されることにより、超小型反射板付
発光デバイスが製造される。
【００１０】図２７は、トランスファーモールド法によ
る封止用樹脂の充填方法を示している。この充填方法で
も、図２７（ｅ）に示すように、多数のキャビティ９６
ａがマトリクス状に形成され、しかも、横方向に並んだ
各キャビティ９６ａ同士を連通する溝部９６ｂがそれぞ
れ設けられた多連キャビティ回路基板９６が使用され
る。そして、このような多連キャビティ回路基板９６
が、図２７（ａ）に示すように、トランスファー成形用
金型９８の上金型９８ａおよび下金型９８ｂの間にセッ
トされて型締めされる。上金型９８ａには、溶融樹脂が
充填されて加熱される加熱室９８ｃが設けられている。
次に、図２７（ｂ）に示すように、上金型９８ａに設け
られた加熱室９８ｃ内に、Ｂステージ化されて必要に応
じて可塑化した熱硬化性の封止用樹脂９９が投入され
て、図２７（ｃ）に示すように、封止用樹脂９９が加熱
室９８ｃ内にて加熱されて溶融され、加圧されつつ、多
連キャビティ回路基板９６の各キャビティ９６ａ内に圧
入される。
【００１１】そして、熱硬化性樹脂が金型内で１次硬化
した後に、図２７（ｄ）に示すように、トランスファー
成形用金型９８から多連キャビティ回路基板９６が離型
され、図２７（ｅ）に示すように、多連キャビティ回路
基板９６が取り出される。その後、図２７（ｆ）に示す
ように、ゲートブレイク１０１されて、図２７（ｇ）に
示すように、ゲートブレイクされた多連キャビティ回路
基板９６は、加熱炉９５にて２次加熱されて、各キャビ
ティ９６ａ内の熱硬化性樹脂が２次硬化される。これに
より、各キャビティ９６ａ内に熱硬化性の封止用樹脂が
充填されて硬化した多連キャビティ回路基板９６が得ら
れ、この多連キャビティ回路基板９６が各キャビティ９
６ａ毎に分割されて、超小型反射板付発光デバイスが製
造される。
【００１２】また、多連キャビティ回路基板９６を各キ
ャビティ９６ａ毎に分割せずに、所定の個数毎に分割す
ることにより、数字等を可変表示し得るドットマトリク
ス型の発光表示デバイスが製造される。
【００１３】このように、複数のキャビティが形成され
た多連キャビティ回路基板を使用することなく、表面が
平坦になった平面回路基板、あるいはリードフレームを
使用して、超小型の発光デバイスを製造する方法もあ
る。この場合には、平面回路基板あるいはリードフレー
ムに複数の発光素子をマトリクス状にダイボンディング
およびワイヤーボンディングし、各発光素子に対して、
液状のエポキシ樹脂を滴下して硬化させることにより、
各発光素子を封止するポッティング法、液状エポキシ樹
脂に発光素子が設けられた平面回路基板あるいはリード
フレームを、液状のエポキシ樹脂に浸漬して引き上げた
後に、平面回路基板あるいはリードフレームに付着した
余分なエポキシ樹脂をスピナー等によって除去し、平面
回路基板等に付着したエポキシ樹脂を硬化させるディピ
ング法等がある。
【００１４】また、平面回路基板あるいはリードフレー
ムを使用する場合にも、金型を使用したトランスファー
モールド法、液状の熱硬化性樹脂あるいは熱可塑性樹脂
を金型によって成形するインジェクションモールド法も
採用されている。
【００１５】複数の発光素子を有するドットマトリクス
型の発光表示デバイスも、反射機能を有する多連キャビ
ティ回路基板を使用することなく、表面が平坦になった
平面回路基板を使用して製造する方法もある。この場合
には、平面回路基板上に、複数の発光素子をマトリクス
状にダイボンディングおよびワイヤーボンディングし、
各発光素子がそれぞれ収容される複数の開口部が形成さ
れた反射板が、平面回路基板上に重ね合わされる。反射
板は、金属、樹脂成形品等によって構成されており、反
射板が平面回路基板に重ね合わされることにより、平面
回路基板上の各発光素子は、反射板の各開口部内にそれ
ぞれ収容された状態になる。このとき、平面回路基板上
の各発光素子およびワイヤーは、予め、シリコーン樹脂
や液状の熱硬化性樹脂を刷毛等によって、直接、塗布す
ることにより、あるいは、スプレーやノズルによって、
直接、吹き付けた後に硬化させることにより保護されて
いる。
【００１６】反射板が平面回路基板に固定された後に、
発光素子から照射される光が均一になるように、反射板
の表面に拡散シートが貼り付けられる。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】多連キャビティ回路基
板９４を使用するキャスティングモールド法では、多連
キャビティ回路基板９４の各キャビティ９４ａ内に充填
される熱硬化性樹脂が、ディスペンサー９３ａ内にて経
時的に粘度が変化するおそれがある。このために、ディ
スペンサー９３ａとしては、投入された液状樹脂の粘度
が変化しても、所定量の液状樹脂を各キャビティ９４ａ
内に注入し得るように、高精度に吐出量を制御しなけれ
ばならない。特に、超小型反射板付発光デバイスの場合
には、各キャビティ９６ａ内に充填される樹脂容量が、
０．００１ｃｃ程度と非常に小さく、樹脂の粘度が変化
しても、所定量の樹脂を正確に注入するために、ディス
ペンサー９３ａの吐出量を高精度で制御する必要があ
る。
【００１８】これに対して、各キャビティ９４ａ内に所
定量の樹脂を正確に注入するためには、液状樹脂の粘度
が変化しないように、ディスペンサー９３ａ内に投入さ
れる樹脂量を少なくすればよい。しかし、ディスペンサ
ー９３ａ内に投入される樹脂量を少なくすると、ディス
ペンサー９３ａ内の樹脂が短時間で消費されるために、
頻繁にディスペンサー９３ａ内に液状樹脂を投入しなけ
ればならず、作業効率は著しく低下する。
【００１９】また、多数のキャビティ９４ａがマトリク
ス状に設けられた多連キャビティ回路基板９４に対し
て、各キャビティ９４ａ内に効率よく樹脂を注入するた
めには、各キャビティ９４ａに対応した個数のディスペ
ンサー９３ａを配置したり、あるいは、高精度に位置決
めできるＸ−Ｙテーブルと、単数あるいは複数のディス
ペンサー９３ａとを組み合わせて配置する必要がある。
しかし、そのためには、設備が大型化および複雑化して
経済性が損なわれるという問題がある。
【００２０】さらに、ディスペンサー９３ａによって各
キャビティ９４ａ内に液状樹脂が注入され加熱硬化する
と、液状樹脂内の低沸点成分が蒸発するが、各キャビテ
ィ９４ａの容量が小さい場合には、キャビティ９４ａ内
の樹脂全体量に対して蒸発する低沸点成分量の割合が大
きくなり、キャビティ９６ａ内には、所定量の樹脂成分
が残留しないことにより、硬化した樹脂は、設計通りの
特性が得られないおそれがある。
【００２１】このように、ディスペンサーを使用したキ
ャスティングモールド法により液状樹脂を多連キャビテ
ィ回路基板の各キャビティ内に充填する方法では、複雑
で高価なディスペンサーシステムが必要であるにもかか
わらず、樹脂の配合や注入に時間を要し、さらに、硬化
した封止用樹脂の量、特性等も不安定なものになるとい
う問題がある。
【００２２】インジェクションモールド法およびトラン
スファーモールド法を使用した樹脂の充填方法では、多
連キャビティ回路基板９６に、一列に並んだ各キャビテ
ィ９６ａ同士を連通させる溝部９６ｂを設けなければな
らない。また、このインジェクションモールド法では、
各キャビティ９６ａ内に樹脂を圧入し得るような金型お
よび成型機が必要であるが、各キャビティ９６ａ内に気
泡が混入されることなく、さらには、各キャビティの隅
々にまで溶融樹脂を圧入するためには、精密に加工され
た金型、および、高圧で溶融樹脂を注入し得る成型機が
必要になり、設備費が嵩んで経済性が損なわれるという
問題がある。このような高価な金型や成型機を使用する
ことなく、各キャビティ９６ａの隅々にまで溶融樹脂を
充填するためには、多連キャビティ回路基板９６におけ
るキャビティ９６ａの数を少なくすればよいが、その場
合には生産効率が低下するという問題がある。
【００２３】また、このように溝部９６ｂが形成された
多連キャビティ回路基板９６を使用して、各キャビティ
９６ａ内の発光素子を封止用樹脂によって封止した発光
デバイスを製造すると、各キャビティ９６ａの側方の溝
部９６ｂ内にも封止用樹脂が充填されて硬化した状態に
なり、発光素子から発せられた光が、溝部９６ｂ内の樹
脂を通って出射されることになる。その結果、発光デバ
イスは光漏れによる輝度の低下および迷光の発生等を招
来し、品質が低下するという問題もある。
【００２４】平面回路基板あるいはリードフレームを使
用して、発光デバイス等を製造するに際して、ポッティ
ング法およびディピング法によって素子を封止する場合
には、液状の樹脂を所定の特性になるように配合して、
所定の形状になるように硬化させなければならず、工程
管理が複雑になるという問題がある。しかも、硬化した
封止樹脂を、均一な形状にすることは容易ではないとい
う問題もある。
【００２５】平面回路基板あるいはリードフレームを使
用する際に、液状封止樹脂を金型によって成形する場合
には、多連キャビティ回路基板に対する液状の封止樹脂
を各キャビティに充填する場合と同様に、高価な金型や
成形機が必要になり、さらには、平面回路基板に樹脂注
入用の樹脂通路を形成しなければならない。また、液状
の熱硬化性樹脂を使用する場合、特にインジェクション
法では、樹脂が金型内で加熱されるために、樹脂が金型
内に注入された当初は、樹脂の粘度が極端に低くなり、
平面回路基板等の裏面等の不必要な部分にまで樹脂が回
り込むおそれがある。
【００２６】さらに、平面回路基板を使用してドットマ
トリクス型の発光表示デバイスを製造するに際して、平
面回路基板に液状の保護樹脂を、刷毛によって塗布する
場合には、発光素子にワイヤーボンディングされた金線
等のボンディングワイヤーが、刷毛に触れて変形したり
剥がれたりするおそれがある。ボンディングワイヤーの
変形等を防止するためには、細心の注意が必要になり、
生産効率が悪くなるという問題もある。また、スプレー
やノズルによって液状の保護樹脂を塗布する方法では、
液状樹脂が基板以外の部分に塗布されるおそれがあり、
作業環境が汚染されるという問題がある。
【００２７】さらに、平面回路基板を使用して発光表示
デバイスを製造する場合には、反射板が平面回路基板か
ら脱落しないように固定したり、拡散シートを貼り付け
たりする工程が必要になるために、生産効率がさらに低
下するという問題もある。
【００２８】本発明は、このような問題を解決するもの
であり、その目的は、多数のキャビティが設けられた回
路基板に対して、キャビティ容量の大小を問わず、しか
も、高精度なディスペンサー、成型機等を使用すること
なく、各キャビティに効率よく所定量の封止用樹脂を充
填することができる半導体デバイスの製造方法を提供す
ることにある。本発明の他の目的は、各キャビティ内に
所望の特性を有する封止用樹脂を所定量ずつ正確に充填
し得る半導体デバイスの製造方法を提供することにあ
る。さらに、本発明の他の目的は、封止用樹脂として光
透過性が必要である発光デバイスのような半導体デバイ
スを、高品質に製造し得る方法を提供することにある。
【００２９】また、本発明の他の目的は、表面が平坦に
なった平面回路基板にマウントされた半導体素子を、簡
単な作業で効率よく封止することができる半導体デバイ
スの製造方法を提供することにある。
【００３０】本発明のさらに他の目的は、平面回路基板
にマウントされた発光素子のボンディングワイヤーを損
傷したり、作業環境を汚染することなく、しかも、製造
効率に優れた半導体デバイスの製造方法を提供すること
にある。
【００３１】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体デバイス
の製造方法は、上方に向かって開口する多数のキャビテ
ィが形成された多連キャビティ回路基板に対して、各キ
ャビティ内に機能素子を配置する工程と、加熱されて溶
融した後にさらに加熱を続けると架橋硬化する熱可塑性
樹脂または熱硬化性樹脂によって所定の厚さのシート状
に構成された封止用樹脂シートを、前記多連キャビティ
回路基板の全てのキャビティを覆うように多連キャビテ
ィ回路基板上に重ね合わせる工程と、多連キャビティ回
路基板上に重ねられた封止用樹脂シートを加熱して溶融
するとともに、その溶融した樹脂が各キャビティ内に充
填されるように加圧する工程と、各キャビティ内に充填
された樹脂を硬化させる工程と、を包含することを特徴
とするものであり、そのことにより、上記目的が達成さ
れる。
【００３２】前記封止用樹脂シートは、真空中において
加圧された状態で加熱されるが、特に、真空熱プレス装
置によって加圧および加熱されることが好ましい。
【００３３】前記封止用樹脂シートは、表面が梨地状に
なった表面成形用離型シートが圧接された状態で、加熱
されて溶融される。
【００３４】前記多連キャビティ回路基板には、各キャ
ビティに通じる貫通孔が設けられている。
【００３５】また、前記封止用樹脂シートには、各キャ
ビティに対向する部分に貫通孔が設けられている。
【００３６】前記封止用樹脂シートは、弾性率の異なる
複数枚のシートを重ね合わせて使用される。
【００３７】前記機能素子が光学素子であり、前記封止
用樹脂シートが光透過性を有している。
【００３８】この場合、前記封止用樹脂シートには、光
透過性を有するレンズ成形用樹脂シートが重ねられてお
り、その封止用樹脂シートを加熱して溶融する際に、レ
ンズ成形用樹脂シートも加熱されて溶融され、所定のレ
ンズ形状に成形される。
【００３９】前記封止用樹脂シートは、２次加熱によっ
て架橋する熱硬化性の架橋ポリオレフィンによって構成
されているか、フェノキシ樹脂と不飽和イソシナートを
反応させてなる硬化可能な不飽和基を有する変成フェノ
キシ樹脂に架橋剤を添加した架橋変成フェノキシ樹脂に
よって構成されているか、さらには、数平均分子量が５
０００以上の高分子量不飽和ポリエステル樹脂およびそ
の変成物によって構成されている。
【００４０】また、本発明の半導体デバイスの製造方法
は、上方に向かって開口する多数のキャビティが形成さ
れた多連キャビティ回路基板に対して、各キャビティ内
に機能素子を配置する工程と、加熱されて溶融した後に
さらに加熱を続けると架橋硬化する熱可塑性樹脂または
熱硬化性樹脂によって微細な粉末に構成された粉末樹脂
を、前記多連キャビティ回路基板の各キャビティ内にそ
れぞれ充填する工程と、多連キャビティ回路基板の各キ
ャビティ内に充填された粉末樹脂を加熱して溶融する工
程と、各キャビティ内に充填された溶融樹脂を硬化させ
る工程と、を包含することを特徴とするものであり、そ
のことにより上記目的が達成される。
【００４１】前記封止用樹脂粉末は、２次加熱によって
架橋する熱硬化性の架橋ポリオレフィンによって構成さ
れているか、フェノキシ樹脂と不飽和イソシナートを反
応させてなる硬化可能な不飽和基を有する変成フェノキ
シ樹脂に架橋剤を添加した架橋変成フェノキシ樹脂によ
って構成されているか、さらには、数平均分子量が５０
００以上の高分子量不飽和ポリエステル樹脂およびその
変成物によって構成されている。
【００４２】さらに、本発明の半導体デバイスの製造方
法は、表面が平坦な平面回路基板の表面上に、複数の機
能素子を配置する工程と、加熱されて溶融した後にさら
に加熱を続けると架橋硬化する熱可塑性樹脂または熱硬
化性樹脂によって、所定の厚さのシート状に構成され、
前記平面回路基板上の各機能素子を覆うように突出した
凹部がそれぞれ形成された封止用樹脂シートを、前記平
面回路基板上に重ねる工程と、平面回路基板上に重ねら
れた封止用樹脂シートを加熱して溶融し、溶融状態の樹
脂を、各機能素子がそれぞれ封止されるように所定の形
状に成形して硬化させる工程と、を包含することを特徴
とするものであり、そのことにより上記目的が達成され
る。
【００４３】前記機能素子が光学素子であり、前記封止
用樹脂シートは光透過性を有している。
【００４４】この場合、前記封止用樹脂シートは、溶融
状態で所定のレンズ形状に成形される。
【００４５】さらにまた、本発明の半導体デバイスの製
造方法は、表面が平坦な平面回路基板の表面上に複数の
発光素子を配置する工程と、各発光素子を収容し得る開
口部が形成された反射機能を有する反射板を、各開口部
内にそれぞれの発光素子が収容されるように、平面回路
基板上に重ねる工程と、加熱されて溶融した後にさらに
加熱を続けると架橋硬化する熱可塑性樹脂または熱硬化
性樹脂によって、所定の厚さのシート状に構成された封
止用樹脂シートを、前記反射板上に重ねる工程と、反射
板上に重ねられた封止用樹脂シートを加熱して溶融し、
その溶融した樹脂を、反射板の各開口部内に充填する工
程と、その溶融樹脂にて反射板の表面を覆う工程と、溶
融樹脂を硬化させる工程と、を包含することを特徴とす
るものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００４６】
【作用】本発明の半導体デバイスの製造方法では、各キ
ャビティ内に機能素子が配置された回路基板上に封止用
樹脂シートを重ねた状態で、封止用樹脂シートを加熱す
ると、封止用樹脂シートが溶融して、各キャビティ内に
溶融した樹脂が充填される。各キャビティ内に充填され
た樹脂は、熱硬化性の場合には、再度、加熱することに
より、熱可塑性の場合には、冷却することにより、それ
ぞれ硬化し、各キャビティ内の機能素子は硬化した封止
用樹脂によって封止された状態になる。
【００４７】封止用樹脂シートは、真空中において、加
圧された状態で加熱されることにより、各キャビティ内
の空気が確実に排出され、溶融樹脂内に空気が混入する
ことが抑制されるとともに、各キャビティ内に充填され
た樹脂がキャビティ内周面に良好に密着する。
【００４８】封止用樹脂シートは、表面が梨地状になっ
た表面成形用離型シートが圧接された状態で、加熱、溶
融、硬化されると、硬化した封止用樹脂の表面が梨地状
に成形される。この場合、離型シートにシリコーン離型
紙等のポーラス状の紙質のものを用いると、キャビティ
内の空気の排出が円滑に行われる。
【００４９】多連キャビティ回路基板に、各キャビティ
に通じる貫通孔をそれぞれ設けるか、封止用樹脂シート
に、各キャビティに対向する部分に貫通孔をそれぞれ設
けることによっても、各キャビティ内の空気の排出が促
進される。
【００５０】封止用樹脂シートは、弾性率の異なる複数
枚を重ね合わせて使用することによって、キャビティ内
の半導体素子の周囲をその半導体素子を保護する低弾性
樹脂、キャビティ表面の近傍は、傷がつきにくい高弾性
樹脂とすることができる。
【００５１】本発明の製造方法は、特に、機能素子が光
学素子であって、封止用樹脂シートが光透過性を有して
いる場合に、封止用樹脂シートに光透過性を有するレン
ズ成形用樹脂シートを重ねて、レンズ成形用金型を用い
て封止用樹脂シートを加熱して溶融すると、レンズ成形
用樹脂シートも加熱して溶融される。従って、レンズ成
形用シートは、その溶融状態で所定のレンズ形状に成形
される。
【００５２】架橋ポリオレフィンによって構成された封
止用樹脂シートは、加熱して溶融状態でキャビティ内に
充填した後に、再度、加熱することによって架橋硬化す
る。架橋硬化した架橋ポリオレフィンは、低弾性を有し
ているために、機能素子を傷つけることなく封止する。
【００５３】架橋変成フェノキシ樹脂や数平均分子量が
５０００以上の高分子量不飽和ポリエステル樹脂および
その変成物は、架橋ポリオレフィンの硬化物とエポキシ
樹脂等の熱硬化性樹脂の硬化物との間の硬度および弾性
特性を容易に調整し得るために、架橋ポリオレフィンに
よって十分な弾性が得られない場合には、封止用樹脂シ
ートとして好適に使用される。
【００５４】また、各キャビティ内に微細な粉末樹脂を
充填して加熱することにより、各キャビティ内の粉末樹
脂は溶融されて各キャビティ内に充填された状態にな
り、このような状態で溶融樹脂が硬化されることによっ
て、各キャビティ内の機能素子が硬化した封止用樹脂に
よって封止される。
【００５５】この場合も、架橋ポリオレフィンによって
構成された粉末樹脂は、溶融させてキャビティ内に充填
した後に、再度、加熱することによって架橋硬化する
と、低弾性を有しているために、機能素子を傷つけるこ
となく封止する。
【００５６】架橋変成フェノキシ樹脂や数平均分子量が
５０００以上の高分子量不飽和ポリエステル樹脂および
その変成物は、架橋ポリオレフィンの硬化物とエポキシ
樹脂等の熱硬化性樹脂の硬化物との間の硬度および弾性
特性を容易に調整し得るために、架橋ポリオレフィンに
よって十分な弾性が得られない場合に、封止用樹脂粉末
として好適に使用される。
【００５７】さらに、本発明の半導体製造方法では、表
面が平坦な平面回路基板の表面上に、複数の機能素子を
配置して、熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂によって構
成された封止用樹脂シートが平面回路基板に重ねられ
る。そして、平面回路基板上の各機能素子が、封止用樹
脂シートの各凹部にて覆われた状態になると、封止用樹
脂シートが加熱されて溶融し、溶融状態の樹脂が、各機
能素子をそれぞれ封止するように所定の形状に成形され
る。そして、溶融樹脂が硬化することにより、各機能素
子が封止樹脂にて封止される。
【００５８】この場合、機能素子が光学素子であり、前
記封止用樹脂シートは光透過性を有していると、封止用
樹脂シートは、溶融状態で所定のレンズ形状に容易に成
形することができる。
【００５９】本発明では、半導体デバイスとしてのドッ
トマトリクス型の発光表示デバイスも、平面回路基板を
使用して容易に製造することができる。この場合は、ま
ず、表面が平坦な平面回路基板の表面上に、複数の発光
素子を配置し、各発光素子を収容し得る開口部が形成さ
れた反射板を、各開口部内に各発光素子がそれぞれ収容
されるようにこの平面回路基板上に重ね合わせる。そし
て、反射板上に封止用樹脂シートを重ねて、封止用樹脂
シートを加熱して溶融する。これにより、溶融した樹脂
は、反射板の各開口部内に充填され、このような状態で
溶融樹脂が硬化することによって、半導体デバイスであ
るドットマトリクス型の発光表示装置が製造される。
【００６０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１は、本発明の半導体デバイスの製造方法によ
って製造された超小型反射板付発光デバイスの外観斜視
図である。この発光デバイスは、一辺が１ｍｍ程度の直
方体状のＭＩＤ（Ｍｏｌｄｅｄ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅ
ｃｔｉｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ、射出立体配線成形基板）の
回路基板１１内に、上方に開口する直方体状のキャビテ
ィ１２が形成されており、このキャビティ１２内に、発
光素子（ＬＥＤ）１３が配置されている。発光素子１３
は、キャビティ１２の底面に設けられたマウント用導電
パターン１４上に、導電性接着剤１５によって接続され
ている（ダイボンディング）。発光素子１３の上面は、
キャビティ１２の底面に設けられた接続用導電パターン
１６と、金線等によって構成された導電線１７により接
続されている（ワイヤーボンディング）。回路基板１１
のキャビティ１２内には、光透過性の架橋ＥＶＡ（エチ
レン−酢酸ビニル共重合体）によって構成された封止用
樹脂２１が充填されて硬化しており、この封止用樹脂２
１によってキャビティ１２内に配置された発光素子１３
が封止されている。
【００６１】図２（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ、このよ
うな発光デバイスの製造工程の一例を示す概略図であ
る。発光デバイスは、図２（ａ）に示すように、多数の
キャビティ１２が縦方向および横方向にマトリクス状に
形成された多連キャビティ回路基板１０を使用して、多
数を同時に製造されるようになっている。この多連キャ
ビティ基板１０は、例えば、厚さが１．０ｍｍであり、
各キャビティ１２の深さは０．６ｍｍになっている。各
キャビティ１２内の底面には、まず、発光素子マウント
用導電パターン１４および接続用導電パターン１６が、
それぞれ設けられる。
【００６２】多連キャビティ回路基板１０は、まず、図
２（ｂ）に示すように、各キャビティ１２内のマウント
用導電パターン１４上に導電性接着剤１５がそれぞれ塗
布されて、図２（ｃ）に示すように、その導電性接着剤
１５上に発光素子１３がダイボンディングされる。そし
て、図２（ｄ）に示すように、発光素子１３と、キャビ
ティ１２内の底面上に配置された接続用導電パターン１
６とが、金線等によって構成された導電線１７によって
ワイヤーボンディングされる。
【００６３】このようにして、多連キャビティ回路基板
１０の各キャビティ１２内に、発光素子１３がダイボン
ディングおよびワイヤーボンディングされると、各キャ
ビティ１２内に光透過性の架橋ＥＶＡによって構成され
た封止用樹脂２１が充填される。図３（ａ）〜（ｃ）
は、それぞれ、キャビティ１２内へ封止用樹脂２１を充
填する一連の工程を示す概略図である。
【００６４】本実施例では、各キャビティ１２内に光透
過性の封止用樹脂２１を充填するために、図３（ａ）に
示すように、熱硬化性樹脂である架橋ＥＶＡ（エチレン
−酢酸ビニル共重合体）によって構成された封止用樹脂
シート２０が使用される。この封止用樹脂シート２０
は、多連キャビティ回路基板１０上に重ねられ、さら
に、その封止用樹脂シート２０上に、表面成形用離型シ
ート３１および平板状の重り板３２が重ね合わせられ
る。表面成形用離型シート３１は、製造される発光デバ
イスの封止樹脂２１の表面を梨地状、あるいは鏡面状に
仕上げるために、封止用樹脂シート２０と接する表面
が、梨地状あるいは鏡面状になっている。
【００６５】封止用樹脂シート２０は、架橋ＥＶＡによ
って、全てのキャビティ１２を覆い得るように、多連キ
ャビティ回路基板１０とほぼ同様の大きさで、しかも、
各キャビティ１２の深さ（０．６ｍｍ）よりも若干小さ
い０．２〜０．４ｍｍ程度の厚さになっている。
【００６６】封止用樹脂シート２０は、エチレン−酢酸
ビニル共重合体（ＥＶＡ）に、架橋剤としての有機過酸
化物、黄変防止剤、安定剤、カップリング剤等の添加剤
を練り混んで、シート状に成形されている。このような
封止用樹脂シート２０は、加熱することにより溶融し、
さらに、架橋剤分解温度に達するまで加熱することによ
って、三次元架橋される。
【００６７】なお、エチレン−酢酸ビニル共重合体（Ｅ
ＶＡ）は酢酸ビニル含有量によっては結晶化度が高くな
って白濁しているものもあるが、加熱して架橋すること
により、透明性が得られる。本実施例においては、封止
用樹脂シート２０を構成する架橋ＥＶＡとして、株式会
社ブリジストン製の商品名「ＥＶＡＳＡＦＥ ＷＧシリ
ーズ」を使用した。
【００６８】封止用樹脂シート２０は、全てのキャビテ
ィ１２を覆い、しかも、多連キャビティ回路基板１０の
全面を覆い得る大きさになっている。封止用樹脂シート
２０が多連キャビティ回路基板１０に重ねられると、封
止用樹脂シート２０には、表面成形用離型シート３１お
よび重り板３２が重ね合わされて、図３（ｂ）に示すよ
うに、真空加熱炉３３に挿入される。真空加熱炉３３
は、９０〜１００℃の温度で封止用樹脂シート２０を加
熱するようになっている。
【００６９】真空加熱炉３３は、内部を真空状態にして
加熱するようになっており、真空状態下に置かれた多連
キャビティ回路基板１０上の封止用樹脂シート２０およ
び表面成形用離型シート３１は、重り板３２による押圧
作用と相まって、相互に密着状態となって加熱される。
【００７０】図４（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、真空加
熱炉３３における封止用樹脂シート２０の状態を示す概
略図である。封止用樹脂シート２０は、真空加熱炉３３
内に入れられた当初は、図４（ａ）に示すように、シー
ト状を保持しているが、真空加熱炉３３によって加熱さ
れると、図４（ｂ）に示すように、封止用樹脂シート２
０は溶融を開始して湾曲状態になり、その後、図４
（ｃ）に示すように、各キャビティ１２内に溶融した樹
脂が充填される。また、封止用樹脂シート２０は重り板
３２によって押圧されているために、樹脂の引っ張り合
いによって各キャビティ１２内に対して樹脂が不均一に
充填されるというおそれがなく、各キャビティ１２内に
は溶融樹脂が均一に充填される。本実施例では、各キャ
ビティ１２内に封止用樹脂が充填されるまでに、３０分
程度の時間を要した。
【００７１】封止用樹脂シート２０が溶融して、各キャ
ビティ１２内に溶融樹脂が充填された状態になると、多
連キャビティ回路基板１０は、真空加熱炉３３内に収容
された状態で、再度、１５０℃の温度にまで加熱され
る。このとき、溶融状態の架橋ＥＶＡは、加熱の初期は
低粘度状態になるために、各キャビティ１２間の回路基
板１０の表面に残った溶融樹脂が、隣接する各キャビテ
ィ１２内に流れ込む。これにより、回路基板１０表面に
は、溶融樹脂が残らない状態になるともに、封止用樹脂
シート２０は、各キャビティ１２の深さよりも小さな厚
さであったにもかかわらず、各キャビティ１２内には溶
融樹脂がほぼ満杯に充填される。
【００７２】各キャビティ１２内にほぼ満杯に充填され
た溶融樹脂は、真空加熱炉３３によって１５０℃の高温
に加熱されることにより架橋されて硬化する。本実施例
では、各キャビティ１２内の溶融樹脂であるＥＶＡが架
橋されて硬化するまでに３０分程度の時間を要した。
【００７３】このように、表面成形用離型シート３１の
表面が密着した状態で、封止用樹脂シート２０が溶融し
て各キャビティ１２内に溶融樹脂が充填され、さらにそ
の後に、溶融樹脂が再度加熱することにより硬化する。
そして、溶融樹脂が硬化した後に、図３（ｃ）に示すよ
うに、真空加熱炉３３から多連キャビティ回路基板１
０、表面成形用離型シート３１および重り板３２が取り
出されて、重り板３２および表面成形用離型シート３１
が、多連キャビティ回路基板１０から順次取り除かれ
る。これにより、各キャビティ１２内の発光素子１３
が、硬化した封止用樹脂２１によって封止された状態に
なるとともに、各キャビティ１２内にて硬化した封止用
樹脂２１の表面が、鏡面状あるいは梨地状に仕上げられ
る。
【００７４】各キャビティ１２内の発光素子１３が封止
用樹脂２１によって封止されると、図５に示すように、
多連キャビティ回路基板１０が、１つのキャビティ１２
毎にそれぞれ分割される。これにより、封止用樹脂２１
表面が鏡面状あるいは梨地状になった多数の発光デバイ
スが得られる。
【００７５】なお、多連キャビティ回路基板１０を使用
して発光デバイスを製造する場合には、各キャビティ１
２内の発光素子１３同士が電気的に接続された回路構成
とすることにより、各キャビティ１２毎に分割しなくと
も、多数の発光素子がマトリクス状になったドットマト
リクス型の発光デバイスが得られる。
【００７６】架橋ＥＶＡによって構成された封止用樹脂
２１は、架橋されることにより透明になるために、本実
施例の超小型反射板付発光デバイスの光学素子の封止に
好適に使用される。また、架橋ＥＶＡによって構成され
た封止用樹脂は低弾性を有しているために、各キャビテ
ィ１２内の発光素子１３が破損しやすく低応力を要求さ
れる場合にも、好適に使用される。
【００７７】前述したように、多連キャビティ回路基板
１０に重ねられる封止用樹脂シート２０は、キャビティ
１２の深さが０．６ｍｍであるのに対して、０．２〜
０．４ｍｍ程度の厚さにされている。封止用樹脂シート
２０が厚くなりすぎると、加熱が終了した後にも、多連
キャビティ回路基板１０における各キャビティ１２間の
表面に溶融樹脂が残った状態になる。このように、多連
キャビティ回路基板１０の表面に溶融樹脂が残った状態
で溶融樹脂が硬化すると、製造される発光デバイスは、
発光素子１３から発せられる光が、キャビティ１２の周
辺の回路基板１１表面に残った封止用樹脂を通って散乱
されてしまう。このために、封止用樹脂シート２０は、
キャビティ１２の深さよりも若干小さな厚さにすること
が好ましい。封止用樹脂シート２０の厚さがキャビティ
１２の深さよりも若干小さくなっていても、各キャビテ
ィ１２周辺の多連キャビティ回路基板１０表面上に位置
する樹脂が溶融して、各キャビティ１２内に流入するこ
とにより、全てのキャビティ１２内に溶融樹脂がほぼ満
杯に充填される。
【００７８】なお、上記実施例では、封止用樹脂シート
２０上に、表面成形用離型シート３１を介して重り板３
２を重ねた状態で、真空加熱炉３３によって真空状態で
加熱する構成としたが、図６に示すように、重り板３２
を使用することなく、真空状態で加圧して加熱し得る真
空加熱装置（株式会社エヌ・ピー・シー製、商品名「真
空ラミネーター」）４０によって、加熱するようにして
もよい。この真空加熱装置４０は、上部チャンバー４１
と、下部チャンバー４２とがダイヤフラムゴム４３によ
って隔絶された状態になっており、上部チャンバー４１
および下部チャンバー４２内がそれぞれ真空状態とされ
るようになっている。下部チャンバー４２内には熱板４
４が配置されており、この熱板４４上に、多連キャビテ
ィ回路基板１０が、封止用樹脂シート２０および表面成
形用離型シート３１を重ねた状態で載置される。
【００７９】この真空加熱装置４０では、熱板４４上
に、多連キャビティ回路基板１０が、封止用樹脂シート
２０および表面成形用離型シート３１を重ねた状態で載
置されると、上部チャンバー４１内および下部チャンバ
ー４２内が真空にされるとともに、熱板４４が加熱され
て、封止用樹脂シート２０が溶融状態とされる。そし
て、下部チャンバー４２内の真空状態を維持して、上部
チャンバー４１内のみを大気に開放することにより、ダ
イヤフラムゴム４３によって表面成形用離型シート３１
が多連キャビティ回路基板１０に圧接される。これによ
り、多連キャビティ回路基板１０の各キャビティ１２内
に充填された溶融樹脂の表面には、表面成形用離型シー
ト３１が、ダイヤフラムゴム４３および真空によって圧
接されるために、溶融樹脂内に気泡が混入することな
く、樹脂表面は、確実に鏡面状あるいは梨地状に成形さ
れる。この場合には、熱板４４の温度を制御することに
より、樹脂を溶融させて各キャビティ１２内に充填した
後に、溶融樹脂を架橋するまでの作業をを、真空加熱装
置４０によって行うことができる。
【００８０】また、図７（ａ）に示すように、多連キャ
ビティ回路基板１０に、封止用樹脂シート２０と表面成
形用離型シート３１とを重ねた状態で、耐熱性の真空引
き用袋３８ａ内に収容して、図７（ｂ）に示すように、
真空引き用袋３８ａの開口部にチューブ３８ｂの一端部
を気密状態で接続し、図７（ｃ）に示すように、真空引
き用袋３８ａを加熱炉３８ｃ内に入れて、真空引き用袋
３８ａ内を真空ポンプ３８ｄによって真空状態としつ
つ、加熱するようにしてもよい。
【００８１】上述した各実施例のように、多連キャビテ
ィ回路基板１０上に封止用樹脂シート２０を載せて加熱
する場合には、図８（ａ）〜（ｃ）に示すように、各キ
ャビティ１２の底部に、予め、一対の貫通孔１２ａを、
それぞれ設けておいてもよい。このように、各キャビテ
ィ１２の底部に貫通孔１２ａを設けることにより、多連
キャビティ回路基板１０の周囲が真空状態になって、封
止用樹脂シート１２が溶融状態になった際に、各キャビ
ティ１２内の空気が容易に排出されるために、各キャビ
ティ１２内に充填される溶融樹脂内へ気泡が混入するこ
とが抑制され、しかも、各キャビティ１２の内周面と、
各キャビティ１２内に充填されて硬化した封止樹脂２１
との密着性が向上する。
【００８２】この場合、各キャビティ１２の貫通孔１２
ａからは、溶融樹脂が流出するおそれがあるが、各貫通
孔１２ａの大きさ、溶融樹脂の粘度等を適当に選定する
ことによって、溶融樹脂が各貫通孔１２ａから流出する
ことを防止することができる。例えば、図８（ａ）〜
（ｃ）に示すように、各キャビティ１２の開口部の大き
さが、３．０×１．８ｍｍの長方形、各キャビティ１２
の底部の大きさが、２．２×０．６ｍｍの長方形、各キ
ャビティ１２の深さが０．７ｍｍ、ただし、各キャビテ
ィ１２の底部は、開口部に対応して下方に０．４ｍｍだ
け突出した状態になっている場合には、各キャビティ１
２の底部の長手方向の各端部に、０．４×０．６ｍｍの
長方形状の一対の貫通孔１２ａを、相互に１．４ｍｍの
間隔をあけて形成することにより、各貫通孔１２ａから
溶融樹脂は流出しなかった。ただし、樹脂封止シート２
０は、前述したように、厚さが０．２〜０．６ｍｍの架
橋ＥＶＡ（株式会社ブリジストン製、商品名「ＥＶＡＳ
ＡＦＥ ＷＧシリーズ」）を使用した。
【００８３】なお、各貫通孔１２ａから溶融樹脂が流出
するおそれがある場合には、多連キャビティ回路基板１
０の下方に、離型性に優れたシート、板体等を敷いてお
けばよい。このようにすれば、各貫通孔１２ａから溶融
樹脂が流出しても、多連キャビティ回路基板１０が、加
熱板等に密着することなく、加熱炉等から容易に取り出
すことができる。
【００８４】また、各キャビティ１２の底部に設けられ
る貫通孔１２ａは、一対である必要はなく、図９（ａ）
に示すように、１個の貫通孔１２ａを設けるようにして
もよい。しかも、貫通孔１２ａは、各キャビティ１２の
底部に限らず、可能であれば各キャビティ１２の側面に
設けてもよい。各貫通孔１２は、断面長方形状に限ら
ず、断面円形状、断面三角形状等であってもよい。
【００８５】さらに、各キャビティ１２の底部に貫通孔
１２ａを設ける構成に替えて、図９（ｂ）に示すよう
に、各キャビティ１２に対向する封止用樹脂シート２０
の部分に、それぞれ貫通孔２０ａを形成するようにして
もよい。この場合にも、多連キャビティ回路基板１０の
周囲が真空状態になって、封止用樹脂シート２０が溶融
する際に、封止用樹脂シート２０に設けられた各貫通孔
２０ａから各キャビティ１２内の空気が容易に排出され
るために、各キャビティ１２内に充填される溶融樹脂内
への気泡の混入を抑制することができ、しかも、各キャ
ビティ１２の内周面と、各キャビティ１２内に充填され
て硬化した封止樹脂２１との密着性が向上する。
【００８６】なお、封止用樹脂シートとしては、Ｂステ
ージ化エポキシ樹脂、架橋ポリオレフィン類、架橋変成
フェノキシ樹脂、数平均分子量が５０００以上の高分子
量ポリエステル樹脂およびその変成物等のように、加熱
によって溶融して多連キャビティ回路基板１０の各キャ
ビティ１２内に充填された後に、さらに加熱することに
より三次元架橋する熱硬化性樹脂が好適に使用される
が、特に、架橋ＥＶＡ、架橋ＥＭＡＡ（エチレン−メタ
クリル酸共重合体）等のエチレンコポリマーを架橋させ
るものや、フェノキシ樹脂と不飽和イソシナートを反応
させてなる硬化可能な不飽和基を有する変成フェノキシ
樹脂に架橋剤を添加した架橋変成フェノキシ樹脂、数平
均分子量が５０００以上の高分子量ポリエステル樹脂お
よびその変成物が最も好適である。封止用樹脂シート２
０は、使用用途に適応した耐熱温度を有するように、種
々の添加剤によって特性が調整される。
【００８７】架橋剤として有機過酸化物を使用した架橋
ポリオレフィン製の封止用樹脂シート２０の場合には、
樹脂溶融温度を越えて架橋温度にまで一挙に上昇させる
と、気泡が溶融樹脂から抜けた後に樹脂の粘度が架橋の
ために上昇した状態になり、各キャビティ１２内の隅々
にまで溶融樹脂が行き渡らず、樹脂の充填量が少ないキ
ャビティ１２が生じるおそれがあるが、前記各実施例の
ように、封止用樹脂シートに重り板３２を重ねた状態で
真空加熱することにより、あるいは、真空加熱時に加圧
することにより、さらに、真空引き用袋３８ａを使用し
て真空度を大きくすることにより、さらにまた、多連キ
ャビティ回路基板１０に各キャビティ１２に通じる貫通
孔１２ａを形成したり、封止用樹脂シート２０の各キャ
ビティ１２に対向する部分に貫通孔２０ａを形成するこ
とにより、各キャビティ１２内に樹脂を均一に充填する
ことができる。
【００８８】架橋ポリオレフィンの硬化物は低弾性を有
するため、場合によっては、必要な硬度が得られないお
それがある。これに対して、架橋変成フェノキシ樹脂や
数平均分子量が５０００以上の高分子量ポリエステル樹
脂およびその変成物は、硬度および弾性特性を、架橋ポ
リオレフィンとエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂との間の
レベルで容易に調整できるために、封止用樹脂シート２
０として好適に用いられる。
【００８９】図１０（ａ）〜（ｃ）は、本発明の発光デ
バイスの製造方法における他の実施例のそれぞれの工程
を示す概略図である。本実施例では、製造される半導体
デバイスの特性を考慮して、半導体デバイスのキャビテ
ィ１２内部の底部に配置された発光素子１３の周囲を低
応力性の樹脂によって封止し、キャビティ１２の上部表
面側を高硬度の樹脂によって封止するように、図１０
（ａ）に示すように、弾性率の異なる一対の低弾性封止
用樹脂シート２３および高弾性封止用樹脂シート２４が
重ね合わせて使用されるようになっている。各封止用樹
脂シート２３および２４は、数平均分子量が５０００以
上の高分子量ポリエステル樹脂およびその変成物が使用
されており、回路基板１０上に直接重ねられる低弾性封
止用樹脂シート２３は低弾性率、その低弾性封止用樹脂
シート２３上に重ねられる高弾性封止用樹脂シート２４
は高弾性率になっている。
【００９０】この場合、回路基板１０の各キャビティ１
２の深さが０．６ｍｍに対して、下側の封止用樹脂シー
ト２３の厚さは０．５ｍｍ、上側の封止用シート２４の
厚さは０．１ｍｍとされる。
【００９１】なお、本実施例では、各封止用樹脂シート
２３および２４を構成する高分子量不飽和ポリエステル
樹脂として、昭和高分子株式会社製の商品名「ビオレッ
クスシート」を使用した。
【００９２】低弾性封止用樹脂シート２３は、全てのキ
ャビティ１２が覆われるように多連キャビティ回路基板
１０と同様の大きさになっており、多連キャビティ回路
基板１０と１０に整合状態で重ねられる。低弾性封止用
シート２３上に高弾性封止用樹脂シート２４が重ねられ
ると、さらに、その高弾性封止用樹脂シート２４上に、
表面が梨地処理された表面成形用離型シート３１が重ね
合わされる。このような状態で、各封止用樹脂シート２
３および２４と表面成形用離型シート３１とが重ねられ
た多連キャビティ回路基板１０は、図１０（ｂ）に示す
ように、真空熱プレス装置３５内に挿入される。
【００９３】真空熱プレス装置３５は、例えば、北川精
機株式会社製の商品名「真空積層板プレス」が使用され
る。この真空熱プレス装置３５は、真空チャンバー３５
ｃ内に配置された加熱可能なヒーター台３５ａと、この
ヒーター台３５ａに接離可能になった加熱可能なプレス
ヒーター３５ｂとを有しており、ヒーター台３５ａ上
に、各封止用樹脂シート２３および２４と表面成形用離
型シート３１とが順番に重ねられた多連キャビティ回路
基板１０がセットされる。
【００９４】ヒーター台３５ａ上に多連キャビティ回路
基板１０がセットされると、真空チャンバー３５ｃ内が
減圧されて１０ｔｏｒｒとされる。このような状態にな
ると、加熱されたプレスヒーター３５ｂが下降して、ヒ
ーター台３５ａ上の多連キャビティ回路基板１０が、各
封止用樹脂シート２３および２４と表面成形用離型シー
ト３１とともに、１００〜１３０℃の温度で、２０ｋｇ
／ｃｍ2 の圧力が加えられるように熱プレスされる。こ
のとき、下側のヒーター台３５ａは加熱されない。プレ
スヒーター３５ｂによる熱プレスが５分間にわたって実
施されると、真空チャンバー３５ｃ内の減圧状態が解除
されて、真空チャンバー３５ｃ内が常圧に復帰される。
その後、プレスヒーター３５ｂによる熱プレスが解除さ
れて、真空熱プレス装置３５による真空熱プレス処理が
終了する。
【００９５】真空熱プレス装置３５による真空熱プレス
処理される間に、各封止用樹脂シート２３および２４は
それぞれ溶融して、各キャビティ１２内に溶融した各樹
脂が充填され、続いて加熱されることによって架橋硬化
される。この場合、表面成形用離型シート３１を使用す
ることなく、直接、プレスヒーター３５ｂの表面に離型
剤を噴霧しておいてもよい。
【００９６】多連キャビティ回路基板１０上に載置され
た高分子量不飽和ポリエステル樹脂製の各封止樹脂シー
ト２３および２４は、真空熱プレス装置３５による真空
熱プレス処理によって架橋されて硬化する。これによ
り、各キャビティ１２の上部を除いた底部側部分には、
低弾性の高分子量不飽和ポリエステル樹脂が充填された
状態になり、各キャビティ１２の上部表面側には、高弾
性の高分子量不飽和ポリエステル樹脂が充填された状態
になる。
【００９７】各キャビティ１２内に配置された発光素子
１３は、低弾性の高分子量不飽和ポリエステル樹脂によ
って覆われた状態になっているために、発光素子１３
は、傷つくことなく安定的に保護される。これに対し
て、キャビティ１２の上部の表面側には、高弾性の高分
子量不飽和ポリエステル樹脂が充填されていることによ
り、その表面部分には傷がつきにくくなっている。従っ
て、発光素子１３の発光特性等の試験に際してのテスタ
ーとの接触、製造された発光デバイスが所定の機器に搭
載された際における他の部品との接触等によって、封止
樹脂２１の表面が傷つくおそれがない。
【００９８】その後、各キャビティ１２内に封止用樹脂
１２が充填された多連キャビティ回路基板１０は、前記
実施例と同様に、各キャビティ１２毎に分割することに
より、あるいは、所定の個数のキャビティ１２毎に分割
することにより、所定の形状の発光デバイスとされる。
【００９９】図１１（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、本発
明のさらに他の実施例の発光デバイスの製造方法におけ
る各工程示す概略図である。本実施例では、内部に発光
素子１３がそれぞれマウントされた多数のキャビティ１
２を有する多連キャビティ回路基板１０上に、図１１
（ａ）に示すように、低弾性封止樹脂用シート２３と、
レンズ成形用樹脂シート２５とが重ねられた状態で、図
１１（ｂ）に示すように、真空熱プレス装置３５内に挿
入されるようになっている。この場合、多連キャビティ
回路基板１０における各キャビティ１２の深さが０．６
ｍｍであり、低弾性封止用樹脂シート２３の厚さは、前
記実施例と同様に０．５ｍｍになっているのに対して、
レンズ成形用樹脂シート２５の厚さは、その低弾性封止
用樹脂シート２３の厚さの２倍である１．０ｍｍとされ
ている。
【０１００】真空熱プレス装置３５は、プレスヒーター
３５ｂの下側に、レンズ成形用金型３５ｄが取り付けら
れている。このレンズ成形用金型３５ｄは、図１２に示
すように、例えば、半径０．９ｍｍの半円筒状の複数の
成形用溝部３５ｅが、多連キャビティ回路基板１０にお
ける列状になったキャビティ１２に沿った平行状態で形
成されている。
【０１０１】真空熱プレス装置３５のヒーター台３５ａ
上に多連キャビティ回路基板１０がセットされると、真
空チャンバー３５ｃ内が減圧されて１０ｔｏｒｒとされ
る。このような状態になると、図１１（ｃ）に示すよう
に、加熱されたプレスヒーター３５ｂが下降して、多連
キャビティ回路基板１０上の低弾性封止用樹脂シート２
３およびレンズ成形用樹脂シート２５が、１００〜１３
０℃の温度、および、２０ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で熱プレ
スされる。これにより、低弾性封止用樹脂シート２３お
よびレンズ成形用樹脂シート２５が溶融状態になって低
弾性封止用樹脂シート２３が各キャビティ１２内に充填
されるとともに、レンズ成形用樹脂シート２５は溶融さ
れて、レンズ成形用金型３５ｄによって、多連キャビテ
ィ回路基板１０上に、所定の半円筒状に成形される。
【０１０２】プレスヒーター３５ｂによる熱プレスが５
分間にわたって実施されると、真空チャンバー３５ｃ内
の減圧状態が解除されて、真空チャンバー３５ｃ内が常
圧に復帰される。その後、プレスヒーター３５ｂによる
熱プレスが解除されて、真空熱プレス装置３５による真
空熱プレス処理が終了する。
【０１０３】各キャビティ１２内に充填された溶融樹
脂、および多連キャビティ回路基板１０上に半円筒状に
成形された溶融樹脂は、熱プレス処理されることによっ
て、架橋されて硬化する。これにより、図１３（ａ）に
示すように、多連キャビティ回路基板１０上に、半円筒
状に硬化した高分子量不飽和ポリエステル樹脂によって
複数本のロッドレンズ２５ａが形成された状態になる。
各キャビティ１２内には、低弾性の高分子量不飽和ポリ
エステル樹脂が充填された状態になっている。
【０１０４】その後、多連キャビティ回路基板１０が各
キャビティ１２毎に分割されることにより、図１３
（ｂ）に示すように、回路基板１１のキャビティ１２内
に配置された発光素子１３が低弾性封止樹脂２３ａによ
って封止され、さらに、その低弾性封止樹脂２３ａ上に
半円筒状のロッドレンズ２５ａが設けられた発光デバイ
スが得られる。
【０１０５】本実施例では、レンズ成形用シート２５を
溶融状態にしてレンズ成形用金型３５ｄによって成形す
る際に、溶融樹脂内に混入される気泡が確実に排出され
るように、形成されるロッドレンズ２５ａの半径よりも
大きな厚さのレンズ成形用シート２５が使用される。ま
た、レンズ成形用金型３５ｃは、プレスヒーター３５ｂ
に取り付ける必要がなく、レンズ成形用シート２５上に
載置した状態で使用してもよい。
【０１０６】さらに、本実施例は、半円筒状のロッドレ
ンズ２５ａを成形する場合に限らず、図１４（ａ）に示
すように、多連キャビティ回路基板１０の各キャビティ
１２上に半球状の凸レンズ２５ｂを成形することもでき
る。この場合には、図１４（ｂ）に示すように、多連キ
ャビティ回路基板１０を各キャビティ１２毎に切断する
ことによって、回路基板１１の各キャビティ１２内に配
置された発光素子１３が低弾性封止樹脂２３ａによって
封止され、さらに、その低弾性封止樹脂２３ａ上に凸レ
ンズ２５ｂが設けられた発光デバイスが得られる。
【０１０７】図１５（ａ）〜（ｄ）は、本発明の他の実
施例における発光デバイスの製造方法を示す概略工程図
である。本実施例では、前述した封止用樹脂シート２０
に替えて、その封止用樹脂シート２０に使用される高分
子量不飽和ポリエステル樹脂またはその変成物を微細な
粉末にした粉末樹脂２２が使用される。
【０１０８】この粉末樹脂は、図１５（ａ）に示すよう
に、各キャビティ１２内に発光素子１３がダイレクトボ
ンディングされた多連キャビティ回路基板１０の表面全
体に振りかけられて、図１５（ｂ）に示すように、多連
キャビティ回路基板１０全体が粉末樹脂２２にて覆われ
た状態とされる。
【０１０９】このような状態で、図１５（ｃ）に示すよ
うに、スキージ３６が多連キャビティ回路基板１０の表
面に沿って移動されることにより、多連キャビティ回路
基板１０の各キャビティ１２内に粉末樹脂２２が充填さ
れて、不要な粉末樹脂２２が除去される。各キャビティ
１２内には微細な粉末樹脂２２が満杯に充填されてい
る。
【０１１０】各キャビティ１２内に粉末樹脂２２が充填
されると、図１５（ｄ）に示すように、多連キャビティ
回路基板１０が、真空加熱炉３７内に挿入されて加熱さ
れる。真空加熱炉３７によって粉末樹脂が１００〜１３
０℃程度に加熱されると、各キャビティ１２内の粉末樹
脂２２は、溶融状態になるとともに、真空加熱炉３７内
が真空になることによって脱泡される。その後、真空加
熱炉３７によって、さらに、溶融樹脂が１５０℃程度の
高温に加熱されると、溶融樹脂は架橋されて硬化する。
そして、多連キャビティ回路基板１０が、各キャビティ
１２毎に分割されることにより、図１６に示すように、
キャビティ１２内の発光素子１３が、硬化した封止用樹
脂２１にて封止された発光デバイスが得られる。
【０１１１】得られた発光デバイスの封止用樹脂２１
は、キャビティ１２内に充填された粉末樹脂が溶融して
各粉末間の間隙が消滅していることにより、上面が若
干、凹状に窪んだ状態になる。従って、各キャビティ１
２内に充填される樹脂としては、各粉末間の間隙が小さ
くなるように、可能な限り微細になっていることが好ま
しい。粉末樹脂の粉末度が大きい場合には、各キャビテ
ィ１２内に粉末樹脂を充填して加熱して溶融させた後
に、再度、各キャビティ１２内に粉末樹脂を充填して、
各キャビティ１２内での粉末樹脂２２の溶融による容量
の減少を補うようにすればよい。
【０１１２】なお、上記各実施例では、超小型反射板付
発光デバイスの製造方法について説明したが、本発明
は、図１７（ａ）に示すように、基板７１内に一対のキ
ャビティ７２および７３が形成され、各キャビティ７２
および７３内に発光素子７４および受光素子７５がそれ
ぞれマウントされて封止用樹脂７６および７７にて封止
されたフォトインタラプタ７０の製造にも適用できる。
このようなフォトインタラプタを製造する場合には、図
１７（ｂ）に示すように、対をなすキャビティ７２およ
び７３がマトリクス状に多数形成された多連キャビティ
回路基板７９に、封止用樹脂シート７８を重ねた状態
で、真空下で加熱および加圧すればよい。加熱された封
止用樹脂シート７８は溶融して各キャビティ７２および
７３内に充填して硬化する。その後、図１７（ｃ）に示
すように、多連キャビティ回路基板７９は、対をなすキ
ャビティ７２および７３毎に分割されて、図１７（ａ）
に示すフォトインタラプタ７０が製造される。
【０１１３】また、図１８（ａ）に示すように、リード
レス基板８１内にキャビティ８２が形成されて、キャビ
ティ８２内にＩＣチップ８３がマウントされたリードレ
スＩＣ８０の製造にも、本発明は適用される。このよう
なリードレスＩＣを製造する場合には、例えば、図１８
（ｂ）に示すように、基板８１上に、キャビティ８２を
覆う封止用樹脂シート８４を載置して、加熱炉にて加熱
することにより封止用樹脂シート８４を溶融させて、脱
泡しつつキャビティ８２内に充填し、その後に硬化させ
ることにより、図１７（ｃ）に示すように、封止用樹脂
８５にてＩＣチップ８３が封止されたリードレスＩＣが
製造される。
【０１１４】なお、発光素子、受光素子等を封止する封
止用樹脂としては、光透過性を有していることが要求さ
れるが、図１７に示すようなリードレスＩＣのような機
能素子を封止する封止用樹脂としては、特に光透過性は
要求されない。
【０１１５】図１９（ａ）〜（ｅ）は、本発明の発光デ
バイスの製造方法のさらに他の実施例における各工程を
示す概略図である。本実施例では、図１９（ａ）に示す
ように、前記各実施例で使用した多連キャビティ回路基
板１０に替えて、表面が平坦になった薄い平面回路基板
６１が使用される。そして、この平面回路基板６１上
に、対になった発光素子マウント用導電パターン６４お
よび接続用導電パターン６６が、縦方向および横方向に
マトリクス状に配置される。
【０１１６】このような平面回路基板６１は、図１９
（ｂ）に示すように、各発光素子マウント用導電パター
ン６４上に、導電性接着剤６５が塗布されて、図１９
（ｃ）に示すように、各導電性接着剤６５上に発光素子
６３がダイボンディングされる。そして、図１９（ｄ）
に示すように、発光素子６３と、発光素子６３がマウン
トされた発光素子マウント用導電パターン６４と対をな
す接続用導電パターン６６とが、金線等によって構成さ
れた導電線６７によってワイヤーボンディングされる。
【０１１７】このような状態になると、図１９（ｅ）に
示すように、対になった発光素子マウント用導電パター
ン６４および接続用導電パターン６６が嵌入し得る中空
直方体状の凹部２６ａが、それぞれ、上方に突出するよ
うに、エンボス加工によって形成された封止用樹脂シー
ト２６が、平面回路基板６１上に載置される。封止用樹
脂シート２６は、発光素子６３および導電線６７に接触
しないように、図２０に示すように、平面回路基板６１
上に設けられた一対の発光素子マウント用導電パターン
６４および接続用導電パターン６６を、各凹部２６ａが
それぞれ覆うように、平面回路基板６１上に載置され
る。この封止用樹脂シート２６は、前記実施例の封止用
樹脂シートと同様に、高分子量不飽和ポリエステルによ
って構成されている。
【０１１８】このように、平面回路基板６１上に封止用
樹脂シート２６が載置されると、真空熱プレス処理すべ
く、真空熱プレス装置に挿入される。この場合、真空熱
プレス装置は、図２０に示すように、それぞれが上方に
半球状に突出する多数の凹部３５ｆが設けられたレンズ
成形用金型３５ｄがプレスヒーター３５ｂに取り付けら
れている。
【０１１９】真空熱プレス装置におけるヒーター台に平
面回路基板６１がセットされると、真空チャンバー内が
減圧されて１０ｔｏｒｒとされ、このような状態になる
と、プレスヒーター３５ｂに取り付けられたレンズ成形
用金型３５ｄが加熱された状態になり、平面回路基板６
１上に載置された封止用樹脂シート２６を、１００〜１
３０℃の温度で、２０ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で熱プレスす
る。これにより、封止用樹脂シート２６が溶融状態にな
り、続いて加熱されることにより架橋されて、溶融状態
の封止用樹脂が、レンズ成形用金型３５ｄの各凹部３５
ｆ内に流入して半球状に成形される。
【０１２０】真空熱プレス装置による熱プレスが５分間
にわたって実施されると、真空チャンバー内の減圧状態
が解除されて、真空チャンバー内が常圧に復帰される。
その後、レンズ成形用金型３５ｄが上昇して、真空熱プ
レス装置による真空熱プレス処理が終了する。これによ
り、図２１（ａ）に示すように、平面回路基板６１上に
は、各発光素子６３が半球状の封止樹脂２６ｂによって
封止された状態になり、その後、平面回路基板６１が各
発光素子６３毎に分割されることにより、図２１（ｂ）
に示すように、透明な半球状の凸レンズ型封止樹脂２６
ｂによって発光素子６３が封止された発光デバイスが得
られる。
【０１２１】本発明の発光デバイスの製造方法は、図２
２に示すドットマトリクス型の発光表示装置も製造する
ことができる。図２２（ａ）は、本発明方法によって製
造されたドットマトリクス型の発光表示デバイス５０の
平面図、図２２（ｂ）はその断面図である。
【０１２２】この発光表示デバイス５０は、平面回路基
板５１上に、対になった発光素子マウント用導電パター
ン５４および接続用導電パターン５６が、縦方向および
横方向にマトリクス状に配置されており、各発光素子マ
ウント用導電パターン５４上に、導電性接着剤が塗布さ
れて、各導電性接着剤上に発光素子５３がダイボンディ
ングされている。そして、発光素子５３と、接続用導電
パターン５６とが、金線等によって構成された導電線５
７によってワイヤーボンディングされている。平面回路
基板５１の裏面には、複数のリードピン５１ａが設けら
れている。
【０１２３】平面回路基板５１上には、各発光素子５３
がマウントされた発光素子マウント用導電パターン５
４、および、その発光素子５３に導電線５７がワイヤー
ボンディングされた接続用導電パターン５６を取り囲む
断面円形状の開口孔５８ａがそれぞれ形成された反射板
５８が設けられている。反射板５８は、反射機能を有し
ており、反射板の各開口部５８ａ内には、発光素子５
３、発光素子マウント用導電パターン５４および接続用
導電パターン５６が、それぞれ収容されている。そし
て、各開口部５８ａ内には、封止樹脂５２ａがそれぞれ
充填されている。
【０１２４】このようなドットマトリクス型の発光表示
デバイス５０は、次のように製造される。図２３に示す
ように、平面回路基板５１上に、発光素子マウント用導
電パターン５４および接続用導電パターン５６がそれぞ
れ配置されると、各発光素子マウント用導電パターン５
４上に、発光素子５３が導電性接着剤によってダイボン
ディングされる。そして、発光素子５３と、接続用導電
パターン５６とが、金線等によって構成された導電線５
７によってワイヤーボンディングされる。
【０１２５】このような状態になると、図２３に示すよ
うに、発光素子５３がマウントされた発光素子マウント
用導電パターン５４および接続用パターン５６が、各開
口部５８ａ内に嵌合されるように、平面回路基板５１上
に反射板５８が積層されるとともに、その反射板５８上
に封止用樹脂シート５２が積層される。反射板５８は、
例えば、反射機能を有する樹脂成形品によって構成され
ている。また、封止用樹脂シート５２は、前記実施例と
同様に、架橋ＥＶＡまたは高分子量不飽和ポリエステル
樹脂によって構成されており、例えば、高分子量不飽和
ポリエステル樹脂としては、昭和高分子株式会社製の商
品名「ビオレックスシート」が使用される。
【０１２６】このように、平面回路基板５１上に、反射
板５８および封止用樹脂シート５２が順番に積層された
状態になると、真空熱プレス装置に挿入される。この真
空熱プレス装置は、図１０に示す実施例において使用さ
れた真空熱プレス装置３５と同様に、例えば、北川精機
株式会社製の商品名「真空積層板プレス」が使用され
る。この真空熱プレス装置３５は、図２４に示すよう
に、真空チャンバー３５ｃ内に配置されたヒーター台３
５ａ上に、直方体状の固定具３５ｇが載置されるととも
に、上側のヒートプレス３５ｂの下面に押圧具３５ｋが
取り付けられている。固定具３５ｇは、反射板５８およ
び封止用樹脂シート５２が積層された平面回路基板５１
が嵌入される凹部３５ｈが中央部に設けられている。
【０１２７】固定具３５ｇの凹部３５ｈ内には、離型紙
３５ｍが予め底面に沿って敷かれており、凹部３５ｈ内
に、平面回路基板５１を反転させた状態で、この平面回
路基板５１に重ねられた封止用樹脂シート５２および反
射板５８が、順番に挿入される。これにより、封止用樹
脂シート５２は、離型紙３５ｍに接触した状態になり、
固定具３５ｇの凹部３５ｈ内には、下側から、封止用樹
脂シート５２、反射板５８、および平面回路基板５１が
順番に挿入される。
【０１２８】このような状態になると、真空チャンバー
３５ｃ内が減圧されて１０ｔｏｒｒとされるとともに、
ヒーター台３５ａが１２０℃に加熱される。そして、ヒ
ートプレス３５ｂが下降して、ヒートプレス３５ｂの下
面に取り付けられた押圧具３５ｋが、固定具３５ｇの凹
部内３５ｈ内に配置された平面回路基板５１の裏面にお
ける各リードピン５９間に嵌入した状態になり、平面回
路基板５１を押圧する。押圧具３５ｋは、平面回路基板
５１を、２０ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で押圧して、封止用樹
脂シート５２を熱プレスする。このとき、ヒートプレス
３５ｂは加熱されない状態になっている。
【０１２９】このような熱プレス処理によって、封止用
樹脂シート５２は、加熱されて溶融および架橋した状態
になり、反射板５８の各開口部５８ａ内に流入する。そ
して、溶融状態の樹脂は、反射板５８の全ての開口部５
８ａ内に充填された状態になるとともに、反射板５８と
離型紙３５ｍとの間にも残留した状態になる。
【０１３０】押圧具３５ｋによる熱プレスが１０分程度
にわたって実施されると、真空チャンバー３５ｃ内の減
圧状態が解除されて、真空チャンバー３５ｃ内が常圧に
復帰される。その後、押圧具３５ｋによる熱プレスが解
除されて、真空熱プレス装置３５による真空熱プレス処
理が終了する。
【０１３１】真空熱プレス処理が終了すると、溶融状態
の封止樹脂が硬化され、これにより、図２２（ａ）およ
び（ｂ）に示すドットマトリクス型の発光表示デバイス
が得られる。
【０１３２】このようなドットマトリクス型の発光表示
デバイスの製造方法では、反射板５８上に封止用樹脂シ
ート５２を重ねるだけでよく、反射板５８を固定するた
めの特別な作業も不要になる。
【０１３３】
【発明の効果】本発明の半導体デバイスの製造方法は、
このように、加熱して溶融状態になった後に硬化する樹
脂によって構成された封止用樹脂シートを、多数のキャ
ビティが形成された多連キャビティ回路基板に重ねた状
態で加熱して溶融することにより、各キャビティ内に溶
融樹脂を充填することができ、しかも、溶融樹脂を硬化
させることにより、各キャビティ内の機能素子を封止用
樹脂によって封止することができる。従って、各キャビ
ティ内に同時に溶融樹脂を充填させて硬化させることが
できるために、各キャビティ内の樹脂の特性が変化した
り、充填される樹脂の量が変化するおそれもない。封止
用樹脂シートを回路基板に重ねた状態で加熱することに
より、溶融樹脂が各キャビティ内に充填されるために、
特別なディスペンサーや成形機等を必要とせず、また、
全てのキャビティ内に同時に樹脂を充填できるために、
生産効率は著しく向上する。
【０１３４】封止用樹脂シートは、真空中において、加
圧された状態で加熱されることにより、各キャビティ内
の空気が確実に排出され、溶融樹脂内に空気が混入する
ことが抑制される。
【０１３５】多連キャビティ回路基板に、各キャビティ
に通じる貫通孔をそれぞれ設けるか、封止用樹脂シート
に、各キャビティに対向する部分に貫通孔をそれぞれ設
けることによっても、各キャビティ内の空気の排出が促
進される。
【０１３６】封止用樹脂シートは、弾性率の異なる複数
枚を重ね合わせて使用することによって、キャビティ内
の半導体素子の周囲を低弾性の樹脂によって取り囲み、
キャビティ表面の近傍を、傷がつきにくい高弾性樹脂と
することができる。
【０１３７】本発明方法では、封止用樹脂シートに、光
透過性を有するレンズ成形用樹脂シートを重ねて、封止
用樹脂シートを加熱して溶融する際に、レンズ成形用樹
脂シートも加熱して溶融させて、所定のレンズ形状に成
形することができる。従って、レンズ付の光学デバイス
を容易に製造することができる。
【０１３８】また、微細な粉末樹脂を各キャビティ内に
充填して溶融させた後に硬化させる方法でも、特別な装
置等を必要とせずに、半導体デバイスをを効率よく製造
することができる。各キャビティ内には粉末樹脂を同時
に充填して、同時に溶融および硬化させることができる
ために、各キャビティ内の封止樹脂は、特性にばらつき
が生じるおそれがない。
【０１３９】封止用樹脂として架橋ポリオレフィンや架
橋変成フェノキシ樹脂、数平均分子量が５０００以上の
高分子量不飽和ポリエステル樹脂およびその変成物を使
用することにより、キャビティ内に配置される発光素子
等の機能素子が低い応力を要求される場合にも、機能素
子が損傷するおそれがない。
【０１４０】さらに、本発明の半導体製造方法は、表面
が平坦な平面回路基板に複数の機能素子がマウントされ
ている場合にも、封止用樹脂シートを重ねて加熱し、所
定の形状に成形することによって、各機能素子を確実に
封止樹脂によって封止することができる。
【０１４１】さらに、本発明では、半導体デバイスとし
てドットマトリクス型の発光表示デバイスも、平面回路
基板に反射板および封止用樹脂シートを重ねて加熱する
ことにより、容易に製造することができる。この場合に
は、各反射板の開口部内に収容された発光素子が傷つく
おそれがなく、また、作業環境を汚染するおそれもな
い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体デバイスの製造方法によって製
造された超小型反射板付発光デバイスの外観斜視図であ
る。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ、このような発光
デバイスの製造工程における回路基板の概略図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、キャビティ内へ
の封止用樹脂の充填工程の一例を示す概略図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、真空加熱炉にお
ける封止用樹脂シートの状態を示す概略図である。
【図５】各キャビティ内に封止用樹脂が充填された多連
キャビティ回路基板の分割工程を示す斜視図である。
【図６】超小型反射板付発光デバイスの製造に使用され
る真空加熱装置の横断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、超小型反射板付
発光デバイスの製造に使用される他の真空加熱方法の工
程を示す概略図である。
【図８】（ａ）は、多連キャビティ回路基板の他の実施
例におけるキャビティの縦断面図、（ｂ）はその平面
図、（ｃ）はその横断面図である。
【図９】（ａ）は、多連キャビティ回路基板の他の実施
例におけるキャビティの縦断面図、（ｂ）は多連キャビ
ティ回路基板のさらに他の実施例におけるキャビティの
縦断面図である。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、本発明の発光
デバイスの製造方法における他の実施例における各工程
を示す概略図である。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、本発明のさら
に他の実施例の半導体デバイスの製造方法における各工
程示す概略図である。
【図１２】その半導体デバイスの製造方法に使用される
真空熱プレス装置の要部の断面図である。
【図１３】（ａ）は、その半導体デバイスの製造方法に
て製造される多連キャビティ回路基板の斜視図、（ｂ）
はその製造方法によって製造された超小型反射板付発光
デバイスの斜視図である。
【図１４】（ａ）は、その半導体デバイスの製造方法に
て製造される多連キャビティ回路基板の他の例を示す斜
視図、（ｂ）はその製造方法によって製造された超小型
反射板付発光デバイスの斜視図である。
【図１５】（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ、超小型反射板
付発光デバイスの他の製造方法の各工程を示す概略図で
ある。
【図１６】その製造方法によって製造された超小型反射
板付発光デバイスの外観斜視図である。
【図１７】（ａ）は本発明の製造方法によって製造され
たフォトインタラプタの外観斜視図、（ｂ）および
（ｃ）は、それぞれ、その製造工程における多連キャビ
ティ回路基板を示す概略斜視図である。
【図１８】（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、本発明の製造
方法によって製造されたリードレスＩＣの製造工程にお
ける回路基板を示す概略斜視図である。
【図１９】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の半導体デバイス
の製造方法のさらに他の実施例における各工程を示す概
略図である。
【図２０】その製造方法に使用される真空熱プレス装置
の要部の断面図である。
【図２１】（ａ）は、その製造方法によって製造される
平面回路基板の斜視図、（ｂ）はその製造方法によって
製造された発光デバイスの斜視図である。
【図２２】（ａ）は本発明の製造方法によって製造され
たドットマトリクス型の発光表示装置の一例を示す平面
図、（ｂ）はその断面図である。
【図２３】その発光表示装置の製造工程における概略図
である。
【図２４】その発光表示装置の製造工程に使用される真
空熱プレス装置の要部の一部破断正面図である。
【図２５】（ａ）〜（ｆ）は、それぞれ、超小型反射板
付発光デバイスの製造するために実施される従来のキャ
スティングモールド法による封止用樹脂の充填工程を示
す概略図である。
【図２６】（ａ）〜（ｆ）は、それぞれ、超小型反射板
付発光デバイスの製造するために実施される従来のイン
ジェクションモールド法による封止用樹脂の充填工程を
示す概略図である。
【図２７】（ａ）〜（ｇ）は、それぞれ、超小型反射板
付発光デバイスの製造するために実施される従来のトラ
ンスファーモールド法による封止用樹脂の充填工程を示
す概略図である。
【符号の説明】
１０ 多連キャビティ回路基板 １１ 基板 １２ キャビティ １３ 発光素子 １４ マウント用導電パターン １５ 導電性接着剤 １６ 接続用導電パターン １７ 導電線 ２０ 封止用樹脂シート ２１ 封止用樹脂 ２２ 粉末樹脂 ２３ 低弾性封止用樹脂シート ２４ 高弾性封止用樹脂シート ２５ レンズ成形用シート ２６ 封止用樹脂シート ２６ａ 凹部 ３１ 表面成形離型シート ３２ 重り板 ３３ 真空加熱炉 ３５ 真空熱プレス装置 ３５ａ ヒーター台 ３５ｂ プレスヒーター ３８ａ 真空引き用袋 ３８ｃ 加熱炉 ３８ｄ 真空ポンプ ４０ 真空加熱装置 ４１ 上部チャンバー ４２ 下部チャンバー ４３ ダイヤフラムゴム ４４ 熱板 ５１ 平面回路基板 ５２ 封止用樹脂シート ５３ 発光素子 ５８ 反射板 ５８ａ 開口部 ６１ 平面回路基板 ６３ 発光素子 ７０ フォトインタラプタ ７４ 発光素子 ７５ 受光素子 ８０ リードレスＩＣ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 33/00 Ｈ０１Ｌ 33/00 Ｎ Ｈ０５Ｋ 1/18 Ｈ０５Ｋ 1/18 Ｑ 3/28 3/28 Ｇ (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/56 C08L 101/00 H01L 33/00 H05K 1/18 H05K 3/28

Claims (20)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 上方に向かって開口する多数のキャビテ
    ィが形成された多連キャビティ回路基板に対して、各キ
    ャビティ内に機能素子を配置する工程と、 加熱されて溶融した後にさらに加熱を続けると架橋硬化
    する熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂によって所定の厚
    さのシート状に構成された封止用樹脂シートを、前記多
    連キャビティ回路基板の全てのキャビティを覆うように
    多連キャビティ回路基板上に重ね合わせる工程と、 多連キャビティ回路基板上に重ねられた封止用樹脂シー
    トを加熱して溶融するとともに、その溶融した樹脂が各
    キャビティ内に充填されるように加圧する工程と、 各キャビティ内に充填された樹脂を硬化させる工程と、 を包含することを特徴とする半導体デバイスの製造方
    法。
  2. 【請求項２】 前記封止用樹脂シートは真空中において
    加圧された状態で加熱される請求項１に記載の半導体デ
    バイスの製造方法。
  3. 【請求項３】 前記封止用樹脂シートは真空熱プレス装
    置によって加圧および加熱される請求項２に記載の半導
    体デバイスの製造方法。
  4. 【請求項４】 前記封止用樹脂シートは、表面が梨地状
    になった表面成形用離型シートが圧接された状態で加熱
    されて溶融される請求項１に記載の半導体デバイスの製
    造方法。
  5. 【請求項５】 前記多連キャビティ回路基板には、各キ
    ャビティに通じる貫通孔が設けられている請求項１に記
    載の半導体デバイスの製造方法。
  6. 【請求項６】 前記封止用樹脂シートには、各キャビテ
    ィに対向する部分に貫通孔が設けられている請求項１に
    記載の半導体デバイスの製造方法。
  7. 【請求項７】 前記封止用樹脂シートは、弾性率の異な
    る複数枚が重ね合わされて使用される請求項１に記載の
    半導体デバイスの製造方法。
  8. 【請求項８】 前記機能素子が光学素子であり、前記封
    止用樹脂シートが光透過性を有している請求項１に記載
    の半導体デバイスの製造方法。
  9. 【請求項９】 前記封止用樹脂シートには、光透過性を
    有するレンズ成形用樹脂シートが重ねられており、封止
    用樹脂シートを加熱して溶融する際に、レンズ成形用樹
    脂シートも加熱されて溶融され、所定のレンズ形状に成
    形される請求項８に記載の半導体デバイスの製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記封止用樹脂シートは、２次加熱に
    よって架橋する熱硬化性の架橋ポリオレフィンによって
    構成されている請求項１に記載の半導体デバイスの製造
    方法。
  11. 【請求項１１】 前記封止用樹脂シートは、フェノキシ
    樹脂と不飽和イソシナートを反応させてなる硬化可能な
    不飽和基を有する変成フェノキシ樹脂に架橋剤を添加し
    た架橋変成フェノキシ樹脂によって構成されている請求
    項１に記載の半導体デバイスの製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記封止用樹脂シートは、数平均分子
    量５０００以上の高分子量不飽和ポリエステル樹脂また
    はその変成物によって構成されている請求項１に記載の
    半導体デバイスの製造方法。
  13. 【請求項１３】 上方に向かって開口する多数のキャビ
    ティが形成された多連キャビティ回路基板に対して、各
    キャビティ内に機能素子を配置する工程と、 加熱されて溶融した後にさらに加熱を続けると架橋硬化
    する熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂によって微細な粉
    末に構成された粉末樹脂を、前記多連キャビティ回路基
    板の各キャビティ内にそれぞれ充填する工程と、 多連キャビティ回路基板の各キャビティ内に充填された
    粉末樹脂を加熱して溶融する工程と、 各キャビティ内に充填された溶融樹脂を硬化させる工程
    と、 を包含することを特徴とする半導体デバイスの製造方
    法。
  14. 【請求項１４】 前記封止用樹脂粉末は、２次加熱によ
    って架橋する熱硬化性の架橋ポリオレフィンによって構
    成されている請求項１３に記載の半導体デバイスの製造
    方法。
  15. 【請求項１５】 前記封止用樹脂粉末は、フェノキシ樹
    脂と不飽和イソシナートを反応させてなる硬化可能な不
    飽和基を有する変成フェノキシ樹脂に架橋剤を添加した
    架橋変成フェノキシ樹脂によって構成されている請求項
    １３に記載の半導体デバイスの製造方法。
  16. 【請求項１６】 前記封止用樹脂粉末は、数平均分子量
    ５０００以上の高分子量不飽和ポリエステル樹脂または
    その変成物によって構成されている請求項１３に記載の
    半導体デバイスの製造方法。
  17. 【請求項１７】 表面が平坦な平面回路基板の表面上
    に、複数の機能素子を配置する工程と、 加熱されて溶融した後にさらに加熱を続けると架橋硬化
    する熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂により、所定の厚
    さのシート状に構成され、前記平面回路基板上の各機能
    素子を覆うように突出した凹部がそれぞれ形成された封
    止用樹脂シートを、前記平面回路基板上に重ねる工程
    と、 平面回路基板上に重ねられた封止用樹脂シートを加熱し
    て溶融し、溶融状態の樹脂を、各機能素子がそれぞれ封
    止されるように所定の形状に成形して硬化させる工程
    と、 を包含することを特徴とする半導体デバイスの製造方
    法。
  18. 【請求項１８】 前記機能素子が光学素子であり、前記
    封止用樹脂シートは光透過性を有している請求項１７に
    記載の半導体デバイスの製造方法。
  19. 【請求項１９】 前記封止用樹脂シートは、溶融状態で
    所定のレンズ形状に成形される請求項１８に記載の半導
    体デバイスの製造方法。
  20. 【請求項２０】 表面が平坦な平面回路基板の表面上に
    複数の発光素子を配置する工程と、 各発光素子を収容し得る開口部が形成された反射機能を
    有する反射板を、各開口部内にそれぞれの発光素子が収
    容されるように、平面回路基板上に重ねる工程と、 加熱されて溶融した後にさらに加熱を続けると架橋硬化
    する熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂によって、所定の
    厚さのシート状に構成された封止用樹脂シートを、前記
    反射板上に重ねる工程と、 反射板上に重ねられた封止用樹脂シートを加熱して溶融
    し、その溶融した樹脂を、反射板の各開口部内に充填す
    る工程と、 その溶融樹脂にて反射板の表面を覆う工程と、 溶融樹脂を硬化させる工程と、 を包含することを特徴とする半導体デバイスの製造方
    法。
JP6310352A 1994-05-24 1994-12-14 半導体デバイスの製造方法 Expired - Fee Related JP2994219B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6310352A JP2994219B2 (ja) 1994-05-24 1994-12-14 半導体デバイスの製造方法
US08/446,434 US5635115A (en) 1994-05-24 1995-05-22 Method for producing semiconductor device
EP95303481A EP0684648B1 (en) 1994-05-24 1995-05-24 Method for producing semiconductor device
MYPI95001366A MY114173A (en) 1994-05-24 1995-05-24 Method for producing semiconductor device
KR1019950013523A KR0180931B1 (ko) 1994-05-24 1995-05-24 반도체 디바이스의 제조방법
CN95106581A CN1100347C (zh) 1994-05-24 1995-05-24 制造半导体器件的方法
DE69518793T DE69518793T2 (de) 1994-05-24 1995-05-24 Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6-109828 1994-05-24
JP10982894 1994-05-24
JP6310352A JP2994219B2 (ja) 1994-05-24 1994-12-14 半導体デバイスの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0845972A JPH0845972A (ja) 1996-02-16
JP2994219B2 true JP2994219B2 (ja) 1999-12-27

Family

ID=26449542

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6310352A Expired - Fee Related JP2994219B2 (ja) 1994-05-24 1994-12-14 半導体デバイスの製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5635115A (ja)
EP (1) EP0684648B1 (ja)
JP (1) JP2994219B2 (ja)
KR (1) KR0180931B1 (ja)
CN (1) CN1100347C (ja)
DE (1) DE69518793T2 (ja)
MY (1) MY114173A (ja)

Families Citing this family (116)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5851449A (en) * 1995-09-27 1998-12-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing a surface-mounted type optical semiconductor device
US6274890B1 (en) 1997-01-15 2001-08-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and its manufacturing method
WO1998041071A1 (en) * 1997-03-11 1998-09-17 Xemod, Inc. Hybrid module assembling method and apparatus
JP3391282B2 (ja) * 1998-07-02 2003-03-31 株式会社村田製作所 電子部品の製造方法
JP2001168400A (ja) * 1999-12-09 2001-06-22 Rohm Co Ltd ケース付チップ型発光装置およびその製造方法
US6856006B2 (en) * 2002-03-28 2005-02-15 Siliconix Taiwan Ltd Encapsulation method and leadframe for leadless semiconductor packages
KR20020079087A (ko) * 2001-04-13 2002-10-19 주식회사한영전자 표시등의 발광다이오드 보호 구조
CN102266272B (zh) * 2002-11-27 2012-12-26 Dmi生物科学公司 一种个人护理组合物及其产品
CN101556985B (zh) * 2003-04-30 2017-06-09 克利公司 具有小型光学元件的高功率发光器封装
TWI263403B (en) * 2004-01-22 2006-10-01 Murata Manufacturing Co Electronic component manufacturing method
JP2005259847A (ja) * 2004-03-10 2005-09-22 Nitto Denko Corp 光半導体装置の製造方法
JP2005294733A (ja) 2004-04-05 2005-10-20 Nitto Denko Corp 光半導体素子封止用シートおよび該シートを用いた光半導体装置の製造方法
JP5004410B2 (ja) * 2004-04-26 2012-08-22 Ｔｏｗａ株式会社 光素子の樹脂封止成形方法および樹脂封止成形装置
DE102004021927B4 (de) * 2004-05-04 2008-07-03 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Verfahren zur inneren elektrischen Isolation eines Substrats für ein Leistungshalbleitermodul
US20080297906A1 (en) * 2004-06-18 2008-12-04 Toray Industries, Inc. Anisotropic Diffusion Film
US7534633B2 (en) 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
JP4031784B2 (ja) * 2004-07-28 2008-01-09 シャープ株式会社 発光モジュールおよびその製造方法
JP5128047B2 (ja) * 2004-10-07 2013-01-23 Ｔｏｗａ株式会社 光デバイス及び光デバイスの生産方法
JP4627177B2 (ja) * 2004-11-10 2011-02-09 スタンレー電気株式会社 Ｌｅｄの製造方法
JP2006140362A (ja) * 2004-11-15 2006-06-01 Nitto Denko Corp 光半導体素子封止用シートおよび該シートを用いた光半導体装置の製造方法
JP2007079526A (ja) * 2004-11-26 2007-03-29 Hasegawa Kagaku Kogyo Kk Ｉｃタグ及びその製造方法
JP2006173536A (ja) * 2004-12-20 2006-06-29 Nec Lighting Ltd 表面実装型ｌｅｄ及びその製造方法
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
TWI419375B (zh) 2005-02-18 2013-12-11 Nichia Corp 具備控制配光特性用之透鏡之發光裝置
JP4889076B2 (ja) * 2005-04-14 2012-02-29 アサ電子工業株式会社 インジケータランプ
EP1715521B1 (en) 2005-04-21 2012-02-22 C.R.F. Società Consortile per Azioni Use of a transparent display having light-emitting diodes (LED) in a motor vehicle
DE102005036520A1 (de) * 2005-04-26 2006-11-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optisches Bauteil, optoelektronisches Bauelement mit dem Bauteil und dessen Herstellung
TWI256737B (en) * 2005-05-19 2006-06-11 Pi-Fu Yang One-block light-emitting device and manufacturing method thereof
US7985357B2 (en) 2005-07-12 2011-07-26 Towa Corporation Method of resin-sealing and molding an optical device
JP4818654B2 (ja) * 2005-07-25 2011-11-16 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 発光素子の封止方法
US8007885B2 (en) * 2005-09-14 2011-08-30 Georgios Topoulos Light-emitting diode assembly housing comprising poly(cyclohexanedimethanol terephthalate) compositions
JP4969830B2 (ja) * 2005-10-26 2012-07-04 中島硝子工業株式会社 発光素子モジュールの製造方法
US7344952B2 (en) * 2005-10-28 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Laminating encapsulant film containing phosphor over LEDs
US20070096132A1 (en) * 2005-11-01 2007-05-03 Jiahn-Chang Wu Coaxial LED lighting board
US20080151562A1 (en) * 2005-11-02 2008-06-26 Hwa Su Fabrication structure for light emitting diode component
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
JP2007201354A (ja) * 2006-01-30 2007-08-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光モジュール
US7675145B2 (en) 2006-03-28 2010-03-09 Cree Hong Kong Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
JP4954591B2 (ja) * 2006-04-13 2012-06-20 シャープ株式会社 発光装置およびその製造方法
EP1848042A1 (en) 2006-04-21 2007-10-24 LEXEDIS Lighting GmbH LED package with submount
JP2009538536A (ja) 2006-05-26 2009-11-05 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 固体発光デバイス、および、それを製造する方法
KR100789951B1 (ko) * 2006-06-09 2008-01-03 엘지전자 주식회사 발광 유닛 제작 장치 및 방법
JP2006310887A (ja) * 2006-07-25 2006-11-09 Nippon Leiz Co Ltd 光源装置の製造方法
JP2006287267A (ja) * 2006-07-25 2006-10-19 Nippon Leiz Co Ltd 光源装置の製造方法
EP3624560A1 (en) 2006-08-23 2020-03-18 IDEAL Industries Lighting LLC Lighting device and lighting method
DE102006048592A1 (de) * 2006-10-13 2008-04-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Moduls
JP4858966B2 (ja) * 2006-11-02 2012-01-18 Ｔｏｗａ株式会社 電子部品の圧縮成形方法及び成形装置
US20080111148A1 (en) * 2006-11-09 2008-05-15 Zimmerman Michael A Led reflective package
EP2095018A1 (en) 2006-12-04 2009-09-02 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
US9310026B2 (en) 2006-12-04 2016-04-12 Cree, Inc. Lighting assembly and lighting method
JP2008159942A (ja) * 2006-12-25 2008-07-10 Matsushita Electric Works Ltd 物体検出センサ
US9711703B2 (en) 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US20080290359A1 (en) 2007-04-23 2008-11-27 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method of the same
JP5080881B2 (ja) * 2007-06-27 2012-11-21 ナミックス株式会社 発光ダイオードチップの封止体の製造方法
WO2009012287A1 (en) 2007-07-17 2009-01-22 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Optical elements with internal optical features and methods of fabricating same
US11114594B2 (en) 2007-08-24 2021-09-07 Creeled, Inc. Light emitting device packages using light scattering particles of different size
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
DE102008014122A1 (de) * 2007-11-29 2009-06-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
US9431589B2 (en) 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
JP5064278B2 (ja) * 2008-03-25 2012-10-31 日東電工株式会社 光半導体素子封止用樹脂シートおよび光半導体装置
JP5324114B2 (ja) * 2008-03-27 2013-10-23 リンテック株式会社 発光モジュール用シートの製造方法、発光モジュール用シート
JP5125748B2 (ja) * 2008-05-13 2013-01-23 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
US8461613B2 (en) * 2008-05-27 2013-06-11 Interlight Optotech Corporation Light emitting device
CN101577301B (zh) * 2008-09-05 2011-12-21 佛山市国星光电股份有限公司 白光led的封装方法及使用该方法制作的led器件
KR100993317B1 (ko) * 2008-08-26 2010-11-09 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지의 렌즈 제조방법
JP5174630B2 (ja) * 2008-11-26 2013-04-03 Ｔｏｗａ株式会社 光学成形品の圧縮成形方法
US8368112B2 (en) 2009-01-14 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Aligned multiple emitter package
US8357998B2 (en) * 2009-02-09 2013-01-22 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Wirebonded semiconductor package
CN101852384B (zh) * 2009-03-31 2013-08-28 光宝科技股份有限公司 形成发光二极管的透镜结构的方法及其相关架构
US8212263B2 (en) * 2009-04-03 2012-07-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Backlight including semiconductior light emitting devices
JP5301339B2 (ja) * 2009-04-14 2013-09-25 スタンレー電気株式会社 半導体装置
JP5440096B2 (ja) * 2009-10-26 2014-03-12 日立化成株式会社 光半導体装置の製造方法、光半導体素子搭載用基板の製造方法及び光半導体装置
CN102148311B (zh) * 2010-02-09 2013-06-05 良盟塑胶股份有限公司 Led封装方法
US10500770B2 (en) * 2010-03-02 2019-12-10 So-Semi Technologies, Llc LED packaging with integrated optics and methods of manufacturing the same
US8329482B2 (en) 2010-04-30 2012-12-11 Cree, Inc. White-emitting LED chips and method for making same
DE102010049333B4 (de) * 2010-10-22 2012-07-05 Jürgen Hackert Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer bandförmigen Struktur zur Aufnahme von elektronischen Bauteilen
JP2012142364A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Nitto Denko Corp 封止部材、封止方法、および、光半導体装置の製造方法
CN103460416B (zh) * 2011-02-10 2016-11-09 日亚化学工业株式会社 发光装置、发光装置的制造方法及封装阵列
JP5447407B2 (ja) * 2011-02-24 2014-03-19 日亜化学工業株式会社 発光装置
US8480254B2 (en) 2011-04-14 2013-07-09 Ticona, Llc Molded reflective structures for light-emitting diodes
US9062198B2 (en) 2011-04-14 2015-06-23 Ticona Llc Reflectors for light-emitting diode assemblies containing a white pigment
US9453119B2 (en) 2011-04-14 2016-09-27 Ticona Llc Polymer composition for producing articles with light reflective properties
US9284448B2 (en) 2011-04-14 2016-03-15 Ticona Llc Molded reflectors for light-emitting diode assemblies
EP2924744B1 (en) * 2011-11-29 2019-03-06 Sharp Kabushiki Kaisha Manufacturing method for light-emitting device
JP5923183B2 (ja) 2011-12-30 2016-05-24 ティコナ・エルエルシー 発光デバイス用の反射板
US20130181227A1 (en) * 2012-01-12 2013-07-18 King Dragon International Inc. LED Package with Slanting Structure and Method of the Same
US20130214418A1 (en) * 2012-01-12 2013-08-22 King Dragon International Inc. Semiconductor Device Package with Slanting Structures
JP6362834B2 (ja) * 2012-07-17 2018-07-25 晶元光電股▲ふん▼有限公司Ｅｐｉｓｔａｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 半導体装置の製造方法
US9029880B2 (en) 2012-12-10 2015-05-12 LuxVue Technology Corporation Active matrix display panel with ground tie lines
US9178123B2 (en) 2012-12-10 2015-11-03 LuxVue Technology Corporation Light emitting device reflective bank structure
US9159700B2 (en) 2012-12-10 2015-10-13 LuxVue Technology Corporation Active matrix emissive micro LED display
JP2016504459A (ja) 2012-12-18 2016-02-12 ティコナ・エルエルシー 発光ダイオードアセンブリ用の成形反射体
TWI539872B (zh) * 2013-01-09 2016-06-21 聯京光電股份有限公司 基板、半導體結構以及其相關製造方法
CN105264283B (zh) * 2013-01-10 2018-06-12 莫列斯公司 Led组件
WO2014150841A2 (en) * 2013-03-15 2014-09-25 Dow Corning Corporation Powdered resin linear organopolysiloxane compositions
EP2984686B1 (en) * 2013-04-08 2020-07-08 Lumileds Holding B.V. Method of fabricating led with high thermal conductivity particles in phosphor conversion layer
US9111464B2 (en) 2013-06-18 2015-08-18 LuxVue Technology Corporation LED display with wavelength conversion layer
US10147854B2 (en) 2014-05-10 2018-12-04 Sensor Electronic Technology, Inc. Packaging for ultraviolet optoelectronic device
US9548429B2 (en) * 2014-05-10 2017-01-17 Sensor Electronic Technology, Inc. Packaging for ultraviolet optoelectronic device
CN104091860B (zh) * 2014-07-01 2017-01-11 东莞市万丰纳米材料有限公司 Led封装光源及其生产工艺
US9601670B2 (en) 2014-07-11 2017-03-21 Cree, Inc. Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate
JP2016046491A (ja) * 2014-08-26 2016-04-04 信越化学工業株式会社 光半導体装置の封止方法及び該封止方法によって製造された光半導体装置
US10622522B2 (en) 2014-09-05 2020-04-14 Theodore Lowes LED packages with chips having insulated surfaces
JP6909213B2 (ja) * 2015-07-30 2021-07-28 ゲイリー エス． セルウィンＧａｒｙ Ｓ． ＳＥＬＷＹＮ 有機重合性処理剤を塗布および硬化する高圧プロセス
CN105318200A (zh) * 2015-10-12 2016-02-10 深圳万城节能股份有限公司 发光单元的制造方法
JP2017183856A (ja) * 2016-03-29 2017-10-05 京セラ株式会社 水晶発振器
CN106252243A (zh) * 2016-09-09 2016-12-21 深圳连硕三悠自动化科技有限公司 一种用于球头型半导体元器件封装的装置及方法
CN106531865B (zh) * 2016-10-24 2019-06-21 东莞市国瓷新材料科技有限公司 一种紫外led封装用的围坝陶瓷基板制备方法
US20200357967A1 (en) * 2018-02-05 2020-11-12 Lg Innotek Co., Ltd. Semiconductor device package and light emitting device comprising same
US11419221B2 (en) 2018-05-02 2022-08-16 Eleadtk Co., Ltd. Method of forming protective film on at least one electronic module
WO2020230716A1 (ja) * 2019-05-16 2020-11-19 住友化学株式会社 電子部品の製造方法および電子部品
JP6998362B2 (ja) * 2019-05-16 2022-01-18 住友化学株式会社 電子部品及びその製造方法
KR20220009993A (ko) * 2019-05-16 2022-01-25 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 전자 부품 및 그 제조 방법
CN110491295B (zh) * 2019-08-26 2020-07-17 苹果公司 织物覆盖的电子设备中的显示器
JP6856787B1 (ja) * 2020-01-29 2021-04-14 住友化学株式会社 電子部品の製造方法
CN114046697B (zh) * 2021-08-02 2023-09-19 北京信息科技大学 炮弹船尾及炮弹船尾的装配方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4445952A (en) * 1981-11-03 1984-05-01 Trw Inc. Apparatus and method for filling holes in a circuit board
JPS58165333A (ja) * 1982-03-26 1983-09-30 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JPS61163644A (ja) * 1985-01-16 1986-07-24 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置の封止方法と封止部材
JPS6245138A (ja) * 1985-08-23 1987-02-27 Sony Corp 電子部品装置の製法
JPS63193814A (ja) * 1987-02-06 1988-08-11 Nec Corp トランスフアモ−ルド金型
DE4242842C2 (de) * 1992-02-14 1999-11-04 Sharp Kk Lichtemittierendes Bauelement zur Oberflächenmontage und Verfahren zu dessen Herstellung

Also Published As

Publication number Publication date
DE69518793D1 (de) 2000-10-19
JPH0845972A (ja) 1996-02-16
US5635115A (en) 1997-06-03
EP0684648A3 (ja) 1995-12-27
EP0684648B1 (en) 2000-09-13
DE69518793T2 (de) 2001-02-08
MY114173A (en) 2002-08-30
CN1100347C (zh) 2003-01-29
EP0684648A2 (en) 1995-11-29
KR950034859A (ko) 1995-12-28
KR0180931B1 (ko) 1999-04-15
CN1119343A (zh) 1996-03-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2994219B2 (ja) 半導体デバイスの製造方法
JP5407007B2 (ja) 発光デバイスの製造方法
KR101561754B1 (ko) 렌즈 부착 광반도체 장치 및 그 제조방법
EP1864780B1 (en) Apparatus and method for manufacturing a light emitting unit
US7452737B2 (en) Molded lens over LED die
US8039848B2 (en) Semiconductor light emitting device substrate strips and packaged semiconductor light emitting devices
US8008755B2 (en) Mold for forming molding member and method of manufacturing LED package using the same
US7187009B2 (en) Light emitting diode device for illumination objects
US5614131A (en) Method of making an optoelectronic device
EP3664167B1 (en) Light emitting diode
KR101283182B1 (ko) 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
EP1976028A1 (en) Method of photoelement resin sealing/molding
KR20100016402A (ko) 광전 소자의 제조 방법 및 광전 소자
CN110459481A (zh) 半导体元件的封装方法及其对位模具
KR100796670B1 (ko) 발광다이오드 및 그 제조방법
TW201232849A (en) Methodology of forming optical lens for semiconductor light emitting device
KR101273045B1 (ko) 발광 다이오드 패키지
US20050266592A1 (en) Method of fabricating an encapsulated chip and chip produced thereby
CN116960729A (zh) 带有ito屏蔽层的光学双模压模组封装工艺
WO2009145376A1 (en) Light emitting diode module having lens and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071022

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081022

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081022

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091022

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091022

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101022

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111022

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121022

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131022

Year of fee payment: 14

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees