CN103460416B - 发光装置、发光装置的制造方法及封装阵列 - Google Patents

发光装置、发光装置的制造方法及封装阵列 Download PDF

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Abstract

一种发光装置、发光装置的制造方法以及封装。在本发明的发光装置(100)中,第一引线(50)具有与第一连接部(51)相连的第一端子部(52)。第一端子部(52)包含在载置凹部(11)的内周面(11B)从成形体(40)露出的第一凸部(520b)和形成于第一凸部(520b)的背面(10B)的第一凹部(521a)。

Description

发光装置、发光装置的制造方法及封装阵列
技术领域
本发明涉及具备发光元件的发光装置、发光装置的制造方法及封装阵列。
背景技术
目前,作为液晶电视用背光灯、照明器材或光通信用设备等光源,广泛使用具备发光元件(例如发光二极管或激光二极管)的发光装置。
在这种发光装置中,发光元件配置在由引线和成形体构成的封装的载置凹部内。发光元件被载置于载置凹部的底面并且被载置凹部的内周面包围。
在此,为了抑制发光元件的出射光带来的内周面的劣化或变色,提出有使引线在载置凹部的内周面露出的方法(参照专利文献1)。在专利文献1中,在由金属板冲裁出具有主体部和与主体部相连且向载置凹部的开口部方向弯曲并在内周面露出的翼部的引线片后,通过将翼部弯折,从而制作引线。
专利文献文献1:(日本)特开2008-53726号公报
但是,在由一张金属板冲裁多个引线片的情况下,由于各引线片具有翼部,故而难以增加可由一张金属板冲裁的引线片的数量。其结果,具有发光装置的制造成品率降低的问题。
发明内容
本发明是鉴于上述状况而设立的,其目的在于提供一种可抑制制造成品率的降低的发光装置、发光装置的制造方法及封装阵列。
本发明第一方面的发光装置,其具备:发光元件;封装,其为大致长方体形状,由成形体和埋设于所述成形体中的引线构成。所述封装具有光出射面、设于所述光出射面的相反侧的背面、形成于所述光出射面且具有载置所述发光元件的底面和与所述底面相连的内周面的载置凹部。所述引线具有向所述光出射面侧突出且在所述载置凹部的所述内周面从所述成形体露出的第一凸部和形成于所述第一凸部的背面的第一凹部。
因此,由形成有第一凹部的情况表明,第一凸部通过从背面侧的冲压加工而形成。因此,可以增加由一个引线架冲裁的引线片的数量,故而能够抑制发光装置的制造成品率的降低。
本发明第二方面的发光装置,其具备:发光元件;封装,其为大致长方体形状,由成形体和埋设于所述成形体的引线构成。所述封装具有光出射面、设于所述光出射面的相反侧的背面、与所述光出射面及所述背面相连的下面、与所述光出射面及所述下面相连的侧面、形成于所述光出射面且具有载置所述发光元件的底面的载置凹部。所述引线具有形成所述底面的一部分的连接部和与所述连接部的所述下面侧相连的端子部。所述端子部具有向所述光出射面侧突出且从所述下面到所述侧面从所述成形体露出的凸部。
在此,在侧视型的发光装置中,由于进深相对于高度的比率小,故而具有立位稳定性低的问题。因此,在进行发光装置的安装时,如果将设于光出射面的相反侧的背面焊接于安装面,则发光装置会被焊锡拉伸而倾斜。
因此,在第二方面的发光装置中,由于端子部从封装的下面到侧面而露出,故而安装时的熔融焊料从封装的下面蔓延到侧面,从而能够使焊料的表面张力产生的应力也作用于侧面方向。因此,能够抑制发光装置在安装时的倾斜。
根据本发明,能够提供可抑制制造成品率的降低的发光装置、发光装置的制造方法及封装阵列。
附图说明
图1是实施方式的发光装置100的正面立体图;
图2是实施方式的发光装置100的背面立体图;
图3是实施方式的发光装置100的正面图;
图4是实施方式的发光装置100的背面图;
图5是第一引线50及第二引线60的正面立体图;
图6是第一引线50及第二引线60的背面立体图;
图7是图3的P-P剖面图;
图8是图3的Q-Q剖面图;
图9是实施方式的金属板70的平面图;
图10是图9的R1-R1线的剖面图;
图11是实施方式的引线架80的平面图;
图12是图11的R2-R2线的剖面图;
图13是实施方式的引线架80的平面图;
图14是图13的R3-R3线的剖面图;
图15是实施方式的引线架80的平面图;
图16是图15的R4-R4线的剖面图;
图17是实施方式的封装阵列90的背面侧平面图;
图18是实施方式的封装阵列90的光出射面侧平面图。
标记说明
10:封装
20:发光元件
21:第一导线
22:第二导线
30:密封树脂
40:成形体
50:第一引线
51:第一连接部
52:第一端子部(“外缘部”之一例)
520:第一端子凸部
520a:延伸部
520b:第一凸部
520c:第二凸部
521:第一端子凹部
521a:第一凹部
521b:第二凹部
52S:第一端子内侧露出面
53:第一散热器部(“外缘部”之一例)
530:第一端子凸部
530a:延伸部
530b:第一凸部
530c:第二凸部
531:第一端子凹部
531a:第一凹部
531b:第二凹部
53S:第一散热器内侧露出面
60:第二引线
61:第二连接部
62:第二端子部(“外缘部”之一例)
63:第二散热器部
70:金属板
80:引线架
90:封装阵列
10A:光出射面
10B:背面
10C:下面
10D:上面
10E:第一侧面
10F:第二侧面
11:载置凹部
11A:载置凹部11的底面
11B:载置凹部11的内周面
具体实施方式
接着,使用附图对本发明的实施方式进行说明。在以下的附图的记载中,对相同或类似的部分标注相同或类似的标记。但是,附图是示意性的,各尺寸的比率等有时与现实不同。因此,具体的尺寸等应参考以下的说明进行判断。另外,显然,附图相互之间也包含相互的尺寸关系及比率不同的部分。
此外,在以下的实施方式中,作为发光装置之一例,对侧视型的发光装置进行说明。侧视型的发光装置是指在与安装基板的安装面平行的方向上取出发光元件的射出光的类型的发光装置。但是,以下公开的技术不限于侧视型,也可适用于顶视型的发光装置。顶视型的发光装置是指在与安装基板的安装面垂直的方向上取出发光元件的射出光的类型的发光装置。
另外,在以下的实施方式中,将取出发光元件的射出光的方向称作“第一方向”,在将发光装置安装于安装面的情况下,将与安装面垂直的方向称作“第二方向”,将与第一方向及第二方向垂直的方向称作“第三方向”。
〈1〉发光装置100的概略构成
参照附图对实施方式的发光装置100的概略构成进行说明。图1是实施方式的发光装置100的正面立体图。图2是实施方式的发光装置100的背面立体图。图3是实施方式的发光装置100的正面图。图4是实施方式的发光装置100的背面图。
发光装置100具备封装10、发光元件20和密封树脂30。发光装置100是侧视型的发光装置,具有沿着第三方向延伸的大致长方体状的外形。在发光装置100中,第一方向的进深为1mm左右,第二方向的高度为1mm左右,第三方向的宽度为3mm左右。但是,发光装置100的尺寸不限于此。
(i)封装10
封装10具有大致长方体状的外形,形成发光装置100的轮廓。封装10由成形体40、第一引线50和第二引线60构成。
封装10具有光出射面10A、背面10B、下面10C、上面10D、第一侧面10E、第二侧面10F和载置凹部11。
光出射面10A与第一方向垂直。从光出射面10A取出发光元件20的射出光。光出射面10A由成形体40构成。背面10B设于光出射面10A的相反侧。下面10C与第二方向垂直,与光出射面10A及背面10B相连。下面10C在安装有发光装置100的情况下与安装面抵接。上面10D设于下面10C的相反侧。第一侧面10E与第三方向垂直。第二侧面10F设于第一侧面10E的相反侧。
载置凹部11形成于光出射面10A上。载置凹部11是为了配置发光元件20而设置的凹陷。载置凹部11以沿第三方向延伸的方式形成。载置凹部11的底面11A是用于载置发光元件20的载置面。载置凹部11的内周面11B与底面11A和光出射面10A相连,包围发光元件20。在本实施方式中,载置凹部11从光出射面10A侧朝向背面10B侧锥状地形成。因此,载置凹部11的内周面11B相对于底面11A倾斜,作为反射发光元件20的射出光的反射镜起作用。
在此,如图1及图3所示,在载置凹部11的内周面11B,第一引线50具有的第一端子内侧露出面52S及第一散热器内侧露出面53S和第二引线60具有的第二端子内侧露出面62S从成形体40露出。在本实施方式中,第一端子内侧露出面52S、第一散热器内侧露出面53S及第二端子内侧露出面62S为“内侧露出面”之一例。
另外,如图2及图4所示,在背面10B,第一引线50具有的第一背侧露出面50S和第二引线60具有的第二背侧露出面60S从成形体40露出。
第一端子内侧露出面52S、第一散热器内侧露出面53S及第二端子内侧露出面62S为载置凹部11的内周面11B的一部分,第一背侧露出面50S及第二背侧露出面60S为封装10的背面10B的一部分。对第一引线50及第二引线60的构成在后文中进行说明。
(ii)发光元件20
发光元件20被载置于载置凹部11的底面11A。发光元件20通过第一导线21与第一引线50电连接,且通过第二导线22与第二引线60电连接。发光元件20的射出光从载置凹部11在第一方向取出。
发光元件20例如是被称作所谓的发光二极管的半导体发光元件。作为发光元件20,适合使用在基板上作为发光层而具有GaAlN、ZnS、SnSe、SiC、GaP、GaAlAs、AlN、InN、AlInGaP、InGaN、GaN、AlInGaN等半导体的发光元件,但不限于此。
另外,发光元件20可采用面朝上构造或面朝下构造。发光元件20的尺寸没有特别限定,只要为350μm见方、500μm见方、1mm见方程度即可。
(iii)密封树脂30
密封树脂30被充填于载置凹部11,将发光元件20密封。作为密封树脂30,可使用具有透光性的树脂,例如选自聚烯烃类树脂、聚碳酸酯树脂、聚苯乙烯树脂、环氧树脂、丙烯酸树脂、丙烯酸酯树脂、甲基丙烯酸树脂(PMMA等)、聚氨酯树脂、聚酰亚胺树脂、聚降冰片烯树脂、氟树脂、硅树脂、改性硅树脂、改性环氧树脂等的至少一种树脂。另外,这样的材料中例如也可以含有WO2006/038502号、(日本)特开2006-229055号记载的荧光体或颜料、填充剂或扩散材料等。
〈2〉成形体40
成形体40形成封装10的外形。成形体40通过覆盖第一引线50及第二引线60而支承第一引线50及第二引线60。
成形体40由发光元件20的射出光及外光等难以透过的绝缘性材料构成,具有耐热性和适当的强度。作为这种绝缘性材料,优选热固化性树脂即三嗪衍生物环氧树脂。作为热固化性树脂,也可以含有酸酐、抗氧化剂、脱模剂、光反射部件、无机充填材料、固化催化剂、光稳定剂、滑剂。作为光反射部件,可使用充填0~90wt%、优选充填10~60wt%的二氧化钛。但是,构成成形体40的材料不限于此,可使用例如选自热固化性树脂中的环氧树脂、改性环氧树脂、硅树脂、改性硅树脂、丙烯酸酯树脂、聚氨酯树脂中的至少一种树脂。特别是,环氧树脂、改性环氧树脂、硅树脂、改性硅树脂适合作为成形体40的材料。另外,作为构成成形体40的材料,也可使用液晶聚合物、聚邻苯二甲酰胺树脂、聚对苯二甲酸丁二醇酯树脂(PBT)等热塑性树脂。
〈3〉第一引线50
图5是第一引线50及第二引线60的正面立体图。图6是第一引线50及第二引线60的背面立体图。在图5及图6中,由虚线表示成形体10的轮廓。
第一引线50具有第一连接部51、第一端子部52和第一散热器部53。其中,第一连接部51、第一端子部52和第一散热器部53一体形成,彼此的边界不能明确界定。
考虑由发光元件20产生的热的放散性,第一引线50优选由具有大的导热率(例如200W/(m·K)程度以上)的材料构成。这种第一引线50可使用例如Ni、Au、Cu、Ag、Mo、W、铝、金、铁等金属、或铁-镍合金、磷青铜、加铁铜等合金的单板或层叠板制作。此外,在第一引线50的表面实施镀Ag。
(i)第一连接部51
第一连接部51形成为板状,沿第二方向及第三方向配置。第一连接部51形成载置凹部11的底面11A的一部分。具体而言,第一连接部51具有作为底面11A的一部分的第一连接面51S。在第一连接面51S配置发光元件20,并且经由第一导线21电连接发光元件20。
(ii)第一端子部52
第一端子部52是发光装置100的阴极。第一端子部52是与第一连接部51中的下面10C侧的外缘相连的“外缘部”之一例。在本实施方式中,第一端子部52与第一连接部51中的第一侧面10E侧的下角相连。第一端子部52在背面10B、下面10C及第一侧面10E从成形体40露出。
如图5及图6所示,第一端子部52具有第一端子凸部520(“凸部”之一例)和第一端子凹部521(“凹部”之一例)。第一端子凸部520和第一端子凹部521如后所述地通过冲压加工而形成。此外,在进行发光装置100的安装时,在第一端子凹部521充填焊料填充剂的一部分。
在此,图7是图3的P-P剖面图。如图7所示,第一端子部52具有延伸部520a、第一凸部520b、第二凸部520c、第一凹部521a及第二凹部521b。延伸部520a、第一凸部520b及第二凸部520c构成第一端子凸部520,第一凹部521a及第二凹部521b构成第一端子凹部521。
延伸部520a从第一连接部51中的下面10C侧的外缘朝向封装10的背面10B延伸。在本实施方式中,延伸部520a与第一散热器部53的外缘相连。延伸部520a在背面10B从成形体40露出。延伸部520a形成第一引线50的第一背侧露出面50S的一部分。
第一凸部520b配置在延伸部520a的光出射面10A侧,向第一连接部51的光出射面10A侧突出。在第一凸部520b的光出射面10A侧配置有成形体40。第一凸部520b具有在载置凹部11的内周面11B从成形体40露出的第一端子内侧露出面52S。第一端子内侧露出面52S与载置凹部11的底面11A(第一连接面51S)相连,相对于底面11A倾斜配置。
第二凸部520c配置在第一凸部520b的光出射面10A侧,向第一连接部51的光出射面10A侧突出。第二凸部520c的光出射面10A侧被成形体40覆盖。另外,第二凸部520c在封装10的下面10C露出。
第一凹部521a为从封装10的背面10B朝向第一凸部520b形成的凹陷。在本实施方式中,第一凹部521a设于延伸部520a及第一凸部520b的内侧。第一凹部521a与封装10的背面10B、下面10C及第一侧面10E分别相连并开口。
第二凹部521b从第一凹部521a朝向第二凸部520c形成。在本实施方式中,第二凹部521b设于第二凸部520c的内侧。第二凹部521b与封装10的下面10C及第一侧面10E分别相连并开口。
(iii)第一散热器部53
第一散热器部53是发光装置100的放热部。第一散热器部53是与第一连接部51中的下面10C侧的外缘相连的“外缘部”之一例。在本实施方式中,第一散热器部53与第一连接部51的背面10B侧及下面10C侧连结。第一散热器部53在背面10B及下面10C从成形体40露出。
如图5及图6所示,第一散热器部53具有第一散热器凸部530和第一散热器凹部531。第一散热器凸部530(“凸部”之一例)和第一散热器凹部531(“凹部”之一例)如后所述地通过冲压加工而形成。此外,在进行发光装置100的安装时,在第一散热器凹部531的内部配置焊锡填充剂。
在此,图8是图3的Q-Q剖面图。如图8所示,第一散热器部53具有延伸部530a、第一凸部530b、第二凸部530c、背部530d、第一凹部531a及第二凹部531b。延伸部530a、第一凸部530b及第二凸部530c构成第一端子凸部530,第一凹部531a及第二凹部531b构成第一端子凹部531。
延伸部530a从第一连接部51中的下面10C侧的外缘朝向封装10的背面10B延伸。在本实施方式中,延伸部530a与背部530d中的下面10C侧的外缘相连。延伸部530a在背面10B从成形体40露出。延伸部530a形成第一引线50的第一背侧露出面50S的一部分。
第一凸部530b配置在延伸部530a的光出射面10A侧,向第一连接部51的光出射面10A侧突出。在第一凸部530b的光出射面10A侧配置有成形体40。第一凸部530b具有在载置凹部11的内周面11B从成形体40露出的第一散热器内侧露出面53S。在本实施方式中,第一凸部530b配置在发光元件20的下面10C侧,第一散热器内侧露出面53S与发光元件20的下端部相邻并相对。第一散热器内侧露出面53S与载置凹部11的底面11A倾斜地相连。第一散热器内侧露出面53S相对于底面11A形成钝角α。
第二凸部530c配置在第一凸部530b的光出射面10A侧,向第一连接部51的光出射面10A侧突出。第二凸部530c的外面(包含第二凸部530c的光出射面10A侧)被成形体40覆盖。另外,第二凸部530c在封装10的下面10C露出。
背部530d配置在第一连接部51的背面10B侧。背部530d在背面10B从成形体40露出。背部530d形成有第一引线50的第一背侧露出面50S的一部分。背部530d将从发光元件20经由第一连接部51传递的热量从第一背侧露出面50S向空气中排放出。
第一凹部531a是从封装10的背面10B朝向第一凸部530b形成的凹陷。在本实施方式中,第一凹部531a设于延伸部530a及第一凸部530b的内侧。第一凹部531a与封装10的背面10B及下面10C分别相连并开口。
第二凹部531b从第一凹部531a朝向第二凸部530c形成。在本实施方式中,第二凹部531b设于第二凸部530c的内侧。第二凹部531b在封装10的下面10C开口。
〈4〉第二引线60
如图5及图6所示,第二引线60具有第二连接部61、第二端子部62和第二散热器部63。在第二引线60的表面实施镀Ag。
第二连接部61与第一引线50的第一连接部51同样地,具有载置凹部11的底面11A的一部分即第二连接面61S。在第二连接面61S经由第二导线22电连接发光元件20。
第二端子部62是发光装置100的阳极。第二端子部62具有第二端子凸部620和第二端子凹部621。第二端子凸部620及第二端子凹部621的构成与第一端子凸部520及第一端子凹部521的构成相同,因此省略说明。此外,在进行发光装置100的安装时,在第二端子凹部621充填焊料填充剂的一部分。
第二散热器部63是发光装置100的散热部。第二散热器部63与第二连接部61的背面10B侧连结,在背面10B从成形体40露出。第二散热器部63的构成与第一散热器部53的背部530d的构成相同,故而省略说明。
此外,第二端子部62是与第二连接部61中的下面10C侧的外缘相连的“外缘部”之一例。
〈5〉发光装置100的制造方法
接着,参照图9~图18对一并制造多个实施方式的发光装置100的方法进行说明。
(i)冲裁工序
图9是本实施方式的金属板70的平面图。图10是图9的R1-R1线的剖面图。图11是本实施方式的引线架80的平面图。图12是图11的R2-R2线的剖面图。
首先,如图9及图10所示,准备具有第一面70A和设于第一面70A的相反侧的第二面70B的金属板70(在本实施方式中为预先实施了镀Ag的Cu板)。金属板70具有第一厚度t1(例如0.5mm左右)。
其次,如图11及图12所示,通过用规定的模具进行冲裁加工,在金属板70上形成多个冲孔U。由此,形成规定形状的引线架80。在本实施方式中,引线架80具有将包含第一引线片81A和第二引线片81B的一对引线片81(在图11中由虚线包围的区域)矩阵状地交互连结的形状。
(ii)冲压工序
图13是本实施方式的引线架80的平面图。图14是图13的R3-R3线的剖面图。图15是本实施方式的引线架80的平面图。图16是图15的R4-R4线的剖面图。
首先,如图13及图14所示,通过对引线架80的第一面70A实施冲压加工,在第一面70A上形成多个第一凹部82A及多个第一凹部82B,并且形成从第二面70B突出的多个第一凸部83A及多个第一凸部83B。此时,虽然未作图示,但在第一凸部83A的侧面形成与第一散热器内侧露出面53S对应的斜面。
此时,如图13所示,通过用规定的模具对加工引线架80进行半冲裁加工,设定使第一引线片81A及第二引线片81B各自的外缘的厚度比第一厚度t1薄的第二厚度t2(例如0.3mm左右)。由此,在后述的封装阵列90(参照图17)中,能够增大引线架80和树脂材料的紧密贴合面积。
其次,如图15及图16所示,通过对第一凹部82A及第一凹部82B的大致中心实施冲压加工,形成多个第二凹部84,并形成从第一凹部82A及第一凹部82B分别突出的多个第二凸部85。
(iii)传递模塑工序
其次,将引线架80固定在规定的上模型与下模型之间,在上模型与下模型之间注入树脂材料。接着,以规定温度将树脂材料加热固化,由此制作封装阵列90。
图17是本实施方式的封装阵列90的背面侧平面图。图18是本实施方式的封装阵列90的光出射面侧平面图。
如图17及图18所示,封装阵列90具有将具有与上述的封装10相同的构成的多个封装10′(在图17及图18中由虚线包围的区域)相互连结的构成。
具体而言,在各封装10′中,将包含第一引线片81A和第二引线片81B的一对引线片81埋设于成型树脂板40′中。各封装10′具有光出射面10A、背面10B和形成于光出射面10A的载置凹部11′。第一引线片81A具有在载置凹部11′的内周面露出的第一凸部82A(与第一散热器部53的第一凸部530b对应)及第一凸部82B(与第一端子部52的第一凸部520b对应)。
(iv)发光元件连接工序
其次,通过在各载置凹部11′内连接发光元件20,制作发光装置阵列。具体而言,在第一引线片81A上载置发光元件20,通过第一导线21将发光元件20和第一引线片81A连接,并且通过第二导线22将发光元件20和第二引线片81B连接。
(v)切割工序
接着,利用切割锯切断发光装置阵列,由此从发光装置阵列切出多个发光装置100。然后,对发光装置阵列的基于切割锯的切断面实施镀Ag,由此将引线片与成形体之间的间隙用Ag填埋,并且将露出的Cu部分用Ag覆盖。由此,抑制水分从间隙的浸润,并且提高引线的焊锡润湿性。
〈6〉作用及效果
(i)在实施方式的发光装置100中,第一引线50具有与第一连接部51相连的第一散热器部53。第一散热器部53包含在载置凹部11的内周面11B从成形体40露出的第一凸部530b和形成于第一凸部530b的背面的第一凹部531a。
这样,由于第一凸部530b在内周面11B露出,故而能够利用第一凸部530b接受发光元件20的射出光。因此,能够抑制发光元件20的射出光导致的内周面11B的树脂的劣化及变色。
另外,由形成有第一凹部531a的情况表明,第一凸部530b通过自背面10B侧的冲压加工而形成。具体而言,在本实施方式中,通过对引线架80的第一面70A实施冲压加工,在第一引线片81A上形成第一凹部82A和第一凸部83A。因此,能够增加由一个引线架80冲裁的引线片的数量,故而能够抑制发光装置100的制造成品率的降低。
另外,第一引线50具有形成载置凹部11的底面11A的一部分的第一连接部51和与第一连接部51的外缘相连的第一端子部52(外缘部之一例)。第一凸部520b及第一凹部521a具有第一端子部52。因此,在第一端子部52中也能够实现与上述相同的效果。
(ii)第一散热器部53还包含向第一凸部530b的光出射面10A侧突出的第二凸部530c。第二凸部530c的光出射面10A侧覆盖在成形体40上。
这样,通过由成形体40覆盖阶梯状形成于第一凸部530b上的第二凸部530c,能够提高第一引线50和成形体40的紧密贴合力。
(iii)成形体40设于第一凸部530b的光出射面10A侧。因此,能够进一步提高第一引线50和成形体40的紧密贴合力。
(iv)第一凸部530b配置在第一连接部51的下面10C侧。因此,相比将第一凸部530b配置在第一连接部51的第一侧面10E侧や上面10D侧的情况,能够使第一引线50的重心向下方且向前方移动。因此,能够提高侧视型的发光装置100的立位稳定性。
(v)第一凸部530b具有相对于载置凹部11的底面11A成钝角α的第一散热器内侧露出面53S。因此,通过将第一散热器内侧露出面53S用作为反射镜,能够增大从发光装置100取出的光量。
此外,以上的效果在与第一连接部51相连的第一端子部52及与第二连接部61相连的第二端子部62中也能够同样得到。
(vi)第一凸部530b配置在发光元件20的下面10C侧,第一散热器内侧露出面53S与发光元件20的下端部相邻并相对。因此,由于容易在第一散热器内侧露出面53S接受发光元件20的射出光,故而能够进一步抑制内周面11B的树脂的劣化及变色,并且能够更高效地反射发光元件20的射出光。
(vii)另外,第一引线50具有形成载置凹部11的底面11A的一部分的第一连接部51和与第一连接部51的下面10C侧相连的第一端子部52。第一端子部52向光出射面10A侧突出,从下面10C到侧面10E具有从成形体40露出的第一凸部520(凸部之一例)。
这样,由于第一端子部52从封装10的下面10C到侧面10E而露出,故而安装时的熔融焊料从封装10的下面10C蔓延到侧面10E,由此,焊料的表面张力产生的应力也作用于侧面方向。因此,能够抑制发光装置100在安装时倾斜。
(viii)第一端子部52在背面10B从成形体40露出。因此,能够将从发光元件20产生的热量从第一端子部52的背面10B侧高效地排放到空气中。
(iv)第一端子部52包含形成于第一凸部520b及第二凸部520c的背面的第一端子凹部521(凹部之一例)。因此,通过将焊料填充剂的一部分充填于第一端子凹部521,能够牢固地安装发光装置100,并且能够将从发光元件20产生的热量经由焊料填充剂高效地传递到安装基板上。
(v)第一端子凸部520(具体而言为第一凸部520b)在载置凹部11的内周面11B从成形体40露出。因此,由于能够利用第一凸部520b接受发光元件20的射出光,故而能够抑制发光元件20的射出光导致的内周面11B的劣化及变色。
此外,以上的效果在与第一连接部51相连的第一散热器部53及与第二连接部61相连的第二端子部62中也能够同样得到。
另外,在第一散热器部53,将第一散热器凸部530埋设于成形体40,故而能够提高第一引线50和成形体40的紧密贴合力。
〈7〉其它实施方式
本发明通过上述实施方式进行了记载,但构成其公开的一部分的说明及附图不应理解为限定本发明。本领域技术人员能够由该公开明了各种的代替实施方式、实施例及运用技术。
(A)在上述实施方式中,发光装置100具备一个发光元件20,但不限于此。发光装置100也可以具备多个发光元件20。该情况下,也可以以与多个发光元件20分别对应的方式配置第一端子部52、第一散热器部53及第二端子部62各自的凸部。由此,在增多发光元件20数量的情况下,也能够抑制成形体40的劣化及变色。
(B)在上述实施方式中,外缘部具有通过两次冲压加工而形成的2级凸部,但不限于此。也可以通过多次的冲压加工而形成1级凸部,还可以通过一次冲压加工而形成多级凸部。
(C)在上述实施方式中,将凸部的截面形状设为矩形,但不限于此。凸部的截面形状也可以为梯形或半圆形等。凸部的截面形状可以根据与引线架80的第二面70B侧抵接的模型的形状适宜变更。
(D)在上述实施方式中,通过传递模塑法形成成型树脂板40′,但不限于此。成型树脂板40′也可以通过使用被加热而形成粘土状的树脂材料的压缩成形法来形成。
(E)在上述实施方式中,通过冲压加工对引线架80进行半冲裁加工,但不限于此。引线架80的半冲裁加工也可以使用蚀刻法(包含半蚀刻法)。
(F)在上述实施方式中,发光装置100具备与第一端子凹部521对应的第一端子凸部520、与第一散热器凹部531对应的第一散热器凸部530、与第二端子凹部621对应的第二端子凸部620,只要具备其中至少一个凸部即可。此时,例如即使在发光装置100不具备第一端子凸部520的情况下,也能够通过蚀刻法(包含半蚀刻法)形成第一端子凹部521。
(G)在上述实施方式中,第一散热器部53具备背部530d,但不限于此。第一散热器部53也可以不具备背部530d。
(H)在上述实施方式中,作为外缘部之一例,以第一端子部52、第一散热器部53及第二连接部61为例进行了说明,但外缘部的位置不限于此。另外,外缘部也可以以分别包围第一连接部51及第二连接部61的方式形成。
(I)在上述实施方式中,在各第一凸部及各第二凸部的光出射面10A侧配置有成形体40,但不限于此。各第一凸部及各第二凸部也可以在光出射面10A露出。该情况下,由于可增大在内周面11B露出的“内侧露出面”的高度,故而能够进一步抑制内周面11B的劣化及变色。
(J)在上述实施方式中,外缘部具有形成于背面的凹部,但不限于此。外缘部也可以不具有凹部。
(K)在上述实施方式中,通过对第一凹部82A及第一凹部82B的大致中心实施冲压加工,形成多个第二凹部84,并且形成从第一凹部82A及第一凹部82B分别突出的多个第二凸部85,但不限于此。在通过冲压加工形成了第二凹部84及第二凸部85之后,通过对第二凹部84的周边进行冲压加工,从而能够形成直径比第二凹部84大的第一凹部82A及第一凹部82B,并且能够形成第一凸部83A及第一凸部83B。
(L)在上述实施方式中,通过对引线架80进行半冲裁加工,将第一引线片81A及第二引线片81B各自的外缘的厚度设为比第一厚度t1薄的第二厚度t2(例如0.3mm左右),但不限于此。也可以省略对引线架80进行半冲裁加工的工序。
(M)在上述实施方式中,第一凸部530b配置在发光元件20的下面10C侧,但不限于此。第一凸部530b也可以配置在发光元件20的上面10D侧。
这样,本发明显然包含在此未记载的各种实施方式等。因此,本发明的技术范围仅由根据上述的说明而概括得出的权利要求中的发明特定事项来决定。

Claims (14)

1.一种发光装置,其具备:
发光元件;
封装,其为长方体形状,由成形体和埋设于所述成形体中的引线构成,
所述封装具有光出射面、设于所述光出射面的相反侧的背面、与所述光出射面和所述背面相连的下面、形成于所述光出射面且具有载置所述发光元件的底面和与所述底面相连的内周面的载置凹部,
所述引线具有向所述光出射面侧突出且在所述载置凹部的所述内周面从所述成形体露出的第一凸部和形成于所述第一凸部的背面的第一凹部,
所述第一凹部与所述背面和所述下面相连而开口。
2.如权利要求1所述的发光装置,其中,
所述引线具有形成所述载置凹部的所述底面的一部分的连接部和与所述连接部的外缘相连的外缘部,所述第一凸部及第一凹部形成于所述外缘部。
3.如权利要求2所述的发光装置,其中,
所述外缘部还包含向所述第一凸部的所述光出射面侧突出的第二凸部和从所述第一凹部朝向所述第二凸部形成的第二凹部,
所述第二凸部的所述光出射面侧覆盖于所述成形体,
所述第二凹部与所述背面和所述下面相连而开口。
4.如权利要求1~3中任一项所述的发光装置,其中,
所述成形体设于所述第一凸部的所述光出射面侧。
5.如权利要求1所述的发光装置,其中,
所述第一凸部在所述光出射面从所述成形体露出。
6.如权利要求2所述的发光装置,其中,
所述封装具有与所述光出射面和所述背面相连的下面,
所述第一凸部配置在所述连接部的所述下面侧。
7.如权利要求1~3中任一项所述的发光装置,其中,
所述第一凸部相对于所述载置凹部的所述底面形成钝角,具有在所述内周面从所述成形体露出的内侧露出面。
8.如权利要求1~3中任一项所述的发光装置,其中,
所述封装还具有与所述光出射面和所述背面相连的下面、设于所述下面的相反侧的上面,
所述第一凸部配置在所述发光元件的所述下面侧或所述上面侧。
9.一种发光装置的制造方法,其是权利要求1所述的发光装置的制造方法,该制造方法具备:
冲压工序,通过对具有第一面和设于所述第一面的相反侧的第二面的引线片实施冲压加工,在所述第一面形成第一凹部,并且形成从所述第二面突出的第一凸部;
埋设工序,将所述引线片埋设于成形体中,形成具有包含底面和与所述底面相连的内周面的载置凹部的封装;
载置工序,在所述载置凹部的所述底面载置发光元件,
在所述埋设工序中,在所述载置凹部的所述内周面使所述第一凸部从所述成形体露出。
10.一种封装阵列,其用于构成权利要求1所述的发光装置,其中,
具备彼此连结的多个封装,
所述封装分别由成形树脂板和埋设于所述成形树脂板中的引线片构成,分别具有光出射面、设于所述光出射面的相反侧的背面、形成于所述光出射面且包含底面和与所述底面及所述光出射面相连的内周面的载置凹部,
所述引线片具备向所述光出射面侧突出且在所述载置凹部的所述内周面从所述成形体露出的第一凸部和形成于所述第一凸部的背面的第一凹部。
11.一种发光装置,
其具备发光元件、由成形体和埋设于所述成形体中的引线构成的长方体形状的封装,
所述封装具有光出射面、设于所述光出射面的相反侧的背面、与所述光出射面及所述背面相连的下面、与所述光出射面及所述下面相连的侧面、形成于所述光出射面且具有载置所述发光元件的底面的载置凹部,
所述引线具有形成所述底面的一部分的连接部和与所述连接部的所述下面侧相连的端子部,
所述端子部具有向所述光出射面侧突出且从所述下面到所述侧面从所述成形体露出的凸部、在所述凸部的背面形成的凹部,
所述凹部与所述背面和所述下面相连而开口。
12.如权利要求11所述的发光装置,其中,
所述端子部在所述背面从所述成形体露出。
13.如权利要求12所述的发光装置,其中,
所述端子部包含形成于所述凸部的背面的凹部。
14.如权利要求11~13中任一项所述的发光装置,其中,
所述凸部在所述载置凹部的内周面从所述成形体露出。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102101400B1 (ko) * 2013-08-20 2020-04-16 엘지디스플레이 주식회사 발광다이오드 패키지 및 이를 이용한 액정표시장치
DE102016121510A1 (de) 2016-11-10 2018-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leiterrahmen, optoelektronisches Bauelement mit einem Leiterrahmen und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
CN116031350A (zh) 2017-04-28 2023-04-28 日亚化学工业株式会社 发光装置
JP6432639B2 (ja) * 2017-04-28 2018-12-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2019031904A1 (ko) 2017-08-10 2019-02-14 엘지전자 주식회사 무선 통신 시스템에서 단말이 물리 상향링크 제어 채널을 전송하는 방법 및 이를 지원하는 장치
JP6705479B2 (ja) * 2018-09-12 2020-06-03 日亜化学工業株式会社 光源装置の製造方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101127350A (zh) * 2006-08-16 2008-02-20 华刚光电零件有限公司 用于安装电子元件的装置、系统和方法

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2994219B2 (ja) * 1994-05-24 1999-12-27 シャープ株式会社 半導体デバイスの製造方法
TW540168B (en) * 2002-03-11 2003-07-01 Harvatek Corp LED package with metal substrates protrusion outside the glue
US7758224B2 (en) 2004-10-01 2010-07-20 Nichia Corporation Light emitting device
JP5123466B2 (ja) 2005-02-18 2013-01-23 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR100735325B1 (ko) * 2006-04-17 2007-07-04 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR100735432B1 (ko) * 2006-05-18 2007-07-04 삼성전기주식회사 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 어레이
US7960819B2 (en) * 2006-07-13 2011-06-14 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state emitting devices
KR100772433B1 (ko) * 2006-08-23 2007-11-01 서울반도체 주식회사 반사면을 구비하는 리드단자를 채택한 발광 다이오드패키지
JP2009059870A (ja) 2007-08-31 2009-03-19 Sanyo Electric Co Ltd 発光モジュールおよびその製造方法
WO2009082177A2 (en) * 2007-12-24 2009-07-02 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Light emitting diode package
JP5186930B2 (ja) * 2008-01-24 2013-04-24 豊田合成株式会社 発光装置
EP2244310B1 (en) * 2008-02-08 2016-06-29 Nichia Corporation Light emitting device
JP2009260076A (ja) 2008-04-17 2009-11-05 Toshiba Corp 発光装置およびリードフレーム
JP2009260075A (ja) 2008-04-17 2009-11-05 Toshiba Corp 発光装置およびリードフレーム
JP2009260077A (ja) 2008-04-17 2009-11-05 Toshiba Corp 発光装置およびリードフレーム
JP2009260078A (ja) 2008-04-17 2009-11-05 Toshiba Corp 発光装置およびリードフレーム
KR101101134B1 (ko) 2008-07-03 2012-01-05 삼성엘이디 주식회사 Led 패키지 및 그 led 패키지를 포함하는 백라이트 유닛
US8258526B2 (en) 2008-07-03 2012-09-04 Samsung Led Co., Ltd. Light emitting diode package including a lead frame with a cavity
TWI456784B (zh) * 2008-07-29 2014-10-11 Nichia Corp 發光裝置
JP5444654B2 (ja) * 2008-07-29 2014-03-19 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP5217800B2 (ja) 2008-09-03 2013-06-19 日亜化学工業株式会社 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法
US7905617B2 (en) 2008-09-23 2011-03-15 Samsung LED. Co., Ltd. Backlight unit
US9159893B2 (en) 2010-09-03 2015-10-13 Nichia Corporation Light emitting device including lead having terminal part and exposed part, and method for manufacturing the same
JP5696441B2 (ja) 2010-09-03 2015-04-08 日亜化学工業株式会社 発光装置、発光装置の製造方法、及び発光装置用パッケージアレイ
JP5803926B2 (ja) 2010-09-03 2015-11-04 日亜化学工業株式会社 発光装置、及び発光装置用パッケージアレイ
JP5888236B2 (ja) 2010-09-03 2016-03-16 日亜化学工業株式会社 発光装置、回路基板、発光装置用パッケージアレイ、及び発光装置用パッケージアレイの製造方法
JP5667820B2 (ja) 2010-09-14 2015-02-12 東芝電子エンジニアリング株式会社 光半導体装置
TWM406752U (en) 2010-12-02 2011-07-01 Silitek Electronic Guangzhou Light source device of a backlight module and LED package structure thereof

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101127350A (zh) * 2006-08-16 2008-02-20 华刚光电零件有限公司 用于安装电子元件的装置、系统和方法

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Publication number Publication date
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