JP5888236B2 - 発光装置、回路基板、発光装置用パッケージアレイ、及び発光装置用パッケージアレイの製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 97
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 31
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 24
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 21
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 19
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 6
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 3
- -1 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000004611 light stabiliser Substances 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000636 poly(norbornene) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
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Description
ここに開示される技術は、発光素子を備える発光装置、及びその発光装置と実装基板とを備える回路基板に関する。
近年、液晶テレビ用バックライト、照明器具、或いは光通信用デバイスなどに用いられる発光素子（例えば、発光ダイオードやレーザーダイオード）の高出力化に伴って、発光素子からの効率的な放熱を可能にする技術が望まれている。
ここで、発光素子と、発光素子が載置されるパッケージとを備える発光装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。パッケージは、例えば樹脂によって構成される成形体と、成形体に埋設される金属製のリード部と、を有する。リード部は、発光素子が載置される載置部と、載置部に連結され、半田フィレットを介して実装基板に接続される端子部とを含む。
（発明が解決しようとする課題）
このような発光装置では、成形体の熱伝導率がリード部の熱伝導率よりも著しく低いため、発光素子からの放熱経路としては、載置部、端子部及び半田フィレットを順次介して実装基板に至る経路が支配的となる。
このような発光装置では、成形体の熱伝導率がリード部の熱伝導率よりも著しく低いため、発光素子からの放熱経路としては、載置部、端子部及び半田フィレットを順次介して実装基板に至る経路が支配的となる。
しかしながら、端子部のうち成形体から露出する部分の面積が小さく、また、発光素子から端子部までの距離が大きいため、上記経路が支配的な状況では、発光素子からの効率的な放熱を図ることが困難である。
ここに開示される技術は、上述の状況に鑑みてなされたものであり、発光素子から効率的に放熱可能な発光装置、回路基板、発光装置用パッケージアレイ、及び発光装置用パッケージアレイの製造方法を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
ここに開示される発光装置は、発光素子と、パッケージと、を備える。パッケージは、成形体と成形体に埋設されるリードとによって構成される。リードは、発光素子が載置される載置部と、載置部に連結される端子部と、露出部と、を含む。パッケージは、光出射面と、光出射面に対向する背面と、光出射面及び背面に連なる底面と、を有する。発光素子は、載置部の光出射面側に載置される。露出部は、載置部の背面側に連結され、底面及び背面で成形体から露出される。端子部は、底面で成形体から露出される。
ここに開示される発光装置は、発光素子と、パッケージと、を備える。パッケージは、成形体と成形体に埋設されるリードとによって構成される。リードは、発光素子が載置される載置部と、載置部に連結される端子部と、露出部と、を含む。パッケージは、光出射面と、光出射面に対向する背面と、光出射面及び背面に連なる底面と、を有する。発光素子は、載置部の光出射面側に載置される。露出部は、載置部の背面側に連結され、底面及び背面で成形体から露出される。端子部は、底面で成形体から露出される。
（発明の効果）
ここに開示される技術によれば、発光素子から効率的に放熱可能な発光装置、回路基板、発光装置用パッケージアレイ、及び発光装置用パッケージアレイの製造方法を提供することができる。
ここに開示される技術によれば、発光素子から効率的に放熱可能な発光装置、回路基板、発光装置用パッケージアレイ、及び発光装置用パッケージアレイの製造方法を提供することができる。
次に、図面を用いて、実施形態について説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には、同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なっている場合がある。従って、具体的な寸法等は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
［第１実施形態］
（第１実施形態の概要）
第１実施形態では、発光素子から効率的に放熱可能な発光装置、及びその発光装置と実装基板とを備える回路基板について説明する。具体的に、発光装置は、発光素子からの放熱を促進するヒートシンクとして機能する露出部を有する。
以下、発光装置、実装基板及び回路基板の構成と、発光装置の製造方法とについて順次説明する。
（第１実施形態の概要）
第１実施形態では、発光素子から効率的に放熱可能な発光装置、及びその発光装置と実装基板とを備える回路基板について説明する。具体的に、発光装置は、発光素子からの放熱を促進するヒートシンクとして機能する露出部を有する。
以下、発光装置、実装基板及び回路基板の構成と、発光装置の製造方法とについて順次説明する。
（発光装置の構成）
第１実施形態に係る発光装置の構成について、図面を参照しながら説明する。図１は、第１実施形態に係る発光装置１００を前方から見た斜視図である。図２は、第１実施形態に係る発光装置１００を後方から見た斜視図である。
第１実施形態に係る発光装置の構成について、図面を参照しながら説明する。図１は、第１実施形態に係る発光装置１００を前方から見た斜視図である。図２は、第１実施形態に係る発光装置１００を後方から見た斜視図である。
発光装置１００は、発光素子１０と、パッケージ２０と、を備える。なお、本実施形態に係る発光装置１００は、いわゆるサイドビュー型の発光装置であり、発光素子１０の出射光は、後述する実装基板２００の実装面２００Ａ（図７参照）に平行な方向に取り出される。
本実施形態において、発光装置１００の外形は、実装面２００Ａに平行な第１方向に沿って延びる略直方体形状である。ただし、発光装置１００の外形は、これに限られるものではなく、立方体形状、円柱形状、楕円柱形状などであってもよい。
本実施形態において、発光装置１００のサイズは、第１方向において約３ｍｍ程度、第１方向に直交し、実装面２００Ａに平行な方向（以下、「第２方向」という。）において１ｍｍ程度、第１方向及び第２方向に直交する方向（すなわち、実装面２００Ａに直交する方向。以下、「第３方向」という。）において１ｍｍ程度である。発光装置１００のサイズは、これに限られるものではない。
ただし、本実施形態に係る発光装置１００は、サイドビュー型であり、第２方向の奥行きよりも第３方向の高さの方が大きい。従って、サイドビュー型の発光装置１００は、第２方向の奥行きよりも第３方向の高さの方が小さいトップビュー型の発光装置に比べて背高であるので、倒れやすい特徴を有する。
〈発光素子１０〉
発光素子１０は、パッケージ２０に載置される。発光素子１０は、第１ワイヤ１１及び第２ワイヤ１２を介して、パッケージ２０と電気的に接続される。
発光素子１０は、パッケージ２０に載置される。発光素子１０は、第１ワイヤ１１及び第２ワイヤ１２を介して、パッケージ２０と電気的に接続される。
発光素子１０は、板状に形成されており、第２方向に対して垂直に配置されている。発光素子１０の出射光は、後述する前面開口２０Ｅから第２方向に対して平行な方向に取り出される。
発光素子１０は、例えば、いわゆる発光ダイオードと呼ばれる半導体発光素子である。発光素子１０としては、基板上にＧａＡｌＮ、ＺｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＡｌＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ等の半導体を発光層として有するものが好適に用いられるが、これに限られるものではない。
発光素子１０には、フェイスアップ構造やフェイスダウン構造を採用することができる。発光素子１０のサイズは、特に限定されないが、３５０μｍ角、５００μｍ角、１ｍｍ角などである。
〈パッケージ２０〉
本実施形態において、パッケージ２０の外形は、第１方向に沿って延びる略直方体形状である。パッケージ２０は、底面２０Ａと、上面２０Ｂと、前面２０Ｃと、第１側面２０Ｄ１（サイドビュー型の発光装置１００の「背面」に相当する。）と、第２側面２０Ｄ２と、第３側面２０Ｄ３とを有する。
本実施形態において、パッケージ２０の外形は、第１方向に沿って延びる略直方体形状である。パッケージ２０は、底面２０Ａと、上面２０Ｂと、前面２０Ｃと、第１側面２０Ｄ１（サイドビュー型の発光装置１００の「背面」に相当する。）と、第２側面２０Ｄ２と、第３側面２０Ｄ３とを有する。
底面２０Ａは、発光装置１００が実装された場合、実装面２００Ａ（図７参照）に当接される。上面２０Ｂは、底面２０Ａに対向する。前面２０Ｃは、底面２０Ａと上面２０Ｂとに連なる光出射面である。前面２０Ｃは、前面開口２０Ｅを有する。前面開口２０Ｅは、発光素子１０の出射光を、パッケージ２０の外部に導く。前面開口２０Ｅの内部に露出する載置面４１Ａ（図３参照）上には、発光素子１０が載置されている。第１側面２０Ｄ１は、底面２０Ａと上面２０Ｂとに連なり、前面２０Ｃに対向して設けられる。第１側面２０Ｄ１は、第２方向（すなわち、発光素子１０の出射光が取り出される方向）に対して垂直である。第１側面２０Ｄ１と底面２０Ａとの境界は、第１方向に平行である。第２側面２０Ｄ２は、第１側面２０Ｄ１と前面２０Ｃとに連なる。第３側面２０Ｄ３は、第２側面２０Ｄ２に対向して設けられる。第２側面２０Ｄ２及び第３側面２０Ｄ３は、第１方向に対して垂直である。
パッケージ２０は、成形体３０と、第１リード４０と、第２リード５０と、封止樹脂６０と、によって構成される。
パッケージ２０は、成形体３０と、第１リード４０と、第２リード５０と、封止樹脂６０と、によって構成される。
（１）成形体３０
成形体３０は、パッケージ２０の外形を成す。成形体３０は、耐熱性及び適度な強度を有し、発光素子１０の出射光や外光などが透過しにくい絶縁性の材料によって構成される。このような材料としては、熱硬化性樹脂であるトリアジン誘導体エポキシ樹脂が好適である。このような熱硬化性樹脂には、酸無水物、酸化防止剤、離型材、光反射部材、無機充填材、硬化触媒、光安定剤、滑剤が含有されていてもよい。光反射部材としては、０．１〜９０ｗｔ％、好ましくは１０〜６０ｗｔ％充填される二酸化チタンを用いることができる。ただし、成形体３０の材料は、これに限られるものではなく、例えば、熱硬化性樹脂のうち、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂から選択される少なくとも１種の樹脂を用いることができる。特に、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂は、成形体３０の材料として好適である。また、液晶ポリマー、ポリフタルアミド樹脂、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）などの熱可塑性樹脂を用いてもよい。
成形体３０は、パッケージ２０の外形を成す。成形体３０は、耐熱性及び適度な強度を有し、発光素子１０の出射光や外光などが透過しにくい絶縁性の材料によって構成される。このような材料としては、熱硬化性樹脂であるトリアジン誘導体エポキシ樹脂が好適である。このような熱硬化性樹脂には、酸無水物、酸化防止剤、離型材、光反射部材、無機充填材、硬化触媒、光安定剤、滑剤が含有されていてもよい。光反射部材としては、０．１〜９０ｗｔ％、好ましくは１０〜６０ｗｔ％充填される二酸化チタンを用いることができる。ただし、成形体３０の材料は、これに限られるものではなく、例えば、熱硬化性樹脂のうち、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂から選択される少なくとも１種の樹脂を用いることができる。特に、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂は、成形体３０の材料として好適である。また、液晶ポリマー、ポリフタルアミド樹脂、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）などの熱可塑性樹脂を用いてもよい。
（２）第１リード４０及び第２リード５０
第１リード４０及び第２リード５０は、比較的大きな熱伝導率（例えば、２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度以上）を有する材料によって構成されることが好ましい。これにより、発光素子１０から発生する熱を効率的に伝達できる。このような材料としては、例えば、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｗ、アルミニウム、金、鉄等の金属又は鉄−ニッケル合金、りん青銅、鉄入り銅等の合金等の単層又は複数層を用いることができる。また、第１リード４０及び第２リード５０それぞれの表面には、メッキが施されていてもよい。
第１リード４０及び第２リード５０は、比較的大きな熱伝導率（例えば、２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度以上）を有する材料によって構成されることが好ましい。これにより、発光素子１０から発生する熱を効率的に伝達できる。このような材料としては、例えば、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｗ、アルミニウム、金、鉄等の金属又は鉄−ニッケル合金、りん青銅、鉄入り銅等の合金等の単層又は複数層を用いることができる。また、第１リード４０及び第２リード５０それぞれの表面には、メッキが施されていてもよい。
第１リード４０及び第２リード５０の大部分は、成形体３０に埋設されており、第１リード４０及び第２リード５０の一部分のみが、成形体３０から露出している。すなわち、第１リード４０及び第２リード５０の一部分のみが、パッケージ２０の外部から観察される。第１リード４０及び第２リード５０の構成については後述する。
（３）封止樹脂６０
封止樹脂６０は、前面開口２０Ｅの内部に充填されており、発光素子１０を封止する。このような封止樹脂６０としては、透光性を有する樹脂、例えば、ポリオレフィン系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、アクリレート樹脂、メタクリル樹脂（ＰＭＭＡ等）、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリノルボルネン樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、変性エポキシ樹脂等から選択される少なくとも１種の樹脂を用いることができる。また、このような材料には、例えば、ＷＯ２００６／０３８５０２号、特開２００６−２２９０５５号に記載の蛍光体又は顔料、フィラー又は拡散材等が含有されていてもよい。
封止樹脂６０は、前面開口２０Ｅの内部に充填されており、発光素子１０を封止する。このような封止樹脂６０としては、透光性を有する樹脂、例えば、ポリオレフィン系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、アクリレート樹脂、メタクリル樹脂（ＰＭＭＡ等）、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリノルボルネン樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、変性エポキシ樹脂等から選択される少なくとも１種の樹脂を用いることができる。また、このような材料には、例えば、ＷＯ２００６／０３８５０２号、特開２００６−２２９０５５号に記載の蛍光体又は顔料、フィラー又は拡散材等が含有されていてもよい。
（リードの構成）
次に、実施形態に係るリードの構成について、図面を参照しながら説明する。図３は、図１の透視図である。図４は、図２の透視図である。図５は、発光装置１００の底面２０Ａの平面図である。図６は、発光装置１００の第１側面２０Ｄ１の平面図である。なお、図３及び図４では、成形体３０の輪郭が示されている。
次に、実施形態に係るリードの構成について、図面を参照しながら説明する。図３は、図１の透視図である。図４は、図２の透視図である。図５は、発光装置１００の底面２０Ａの平面図である。図６は、発光装置１００の第１側面２０Ｄ１の平面図である。なお、図３及び図４では、成形体３０の輪郭が示されている。
また、以下の説明では、第１方向における寸法を「幅」、第２方向における寸法を「奥行き」、第３方向における寸法を「高さ」という。
〈第１リード４０の構成〉
第１リード４０は、載置部４１と、第１端子部４２と、露出部４３とによって構成される。本実施形態において、第１端子部４２及び露出部４３は、載置部４１に一体的に連結されている。従って、第１端子部４２と露出部４３とは、載置部４１に機械的、かつ、電気的に接続されている。ただし、第１端子部４２と露出部４３とは、互いに離間しており、直接的には連結されていない。
第１リード４０は、載置部４１と、第１端子部４２と、露出部４３とによって構成される。本実施形態において、第１端子部４２及び露出部４３は、載置部４１に一体的に連結されている。従って、第１端子部４２と露出部４３とは、載置部４１に機械的、かつ、電気的に接続されている。ただし、第１端子部４２と露出部４３とは、互いに離間しており、直接的には連結されていない。
（１）載置部４１
載置部４１は、板状に形成されており、第１側面２０Ｄ１に沿って配置される。載置部４１の第１〜第３側面２０Ｄ１〜２０Ｄ３側は、成形体３０に覆われている。一方で、載置部４１は、成形体３０から露出する載置面４１Ａを有する。
載置部４１は、板状に形成されており、第１側面２０Ｄ１に沿って配置される。載置部４１の第１〜第３側面２０Ｄ１〜２０Ｄ３側は、成形体３０に覆われている。一方で、載置部４１は、成形体３０から露出する載置面４１Ａを有する。
載置面４１Ａは、前面開口２０Ｅの内部で成形体３０から露出する。載置面４１Ａには、発光素子１０が載置されるとともに、第１ワイヤ１１が接続されている。載置面４１Ａは、封止樹脂６０によって封止されている（図１参照）。
（２）第１端子部４２
第１端子部４２は、略立方体状に形成されており、載置部４１の第２側面２０Ｄ２側の下端部に連結される。第１端子部４２の一部は、成形体３０から露出しており、発光装置１００の外部電極として機能する。第１端子部４２は、第１端面４２Ａと、第２端面４２Ｂと、第３端面４２Ｃと、第１端子凹部４２Ｓとを有する。
第１端子部４２は、略立方体状に形成されており、載置部４１の第２側面２０Ｄ２側の下端部に連結される。第１端子部４２の一部は、成形体３０から露出しており、発光装置１００の外部電極として機能する。第１端子部４２は、第１端面４２Ａと、第２端面４２Ｂと、第３端面４２Ｃと、第１端子凹部４２Ｓとを有する。
第１端面４２Ａは、パッケージ２０の第１側面２０Ｄ１において成形体３０から露出する。第１端面４２Ａは、第１側面２０Ｄ１の一部を形成する。第２端面４２Ｂは、パッケージ２０の第２側面２０Ｄ２において成形体３０から露出する。第２端面４２Ｂは、第２側面２０Ｄ２の一部を形成する。第３端面４２Ｃは、パッケージ２０の底面２０Ａにおいて成形体３０から露出する。第３端面４２Ｃは、底面２０Ａの一部を形成する。第１端子凹部４２Ｓは、底面２０Ａと第１側面２０Ｄ１と第２側面２０Ｄ２との境界に形成される切り欠きである。
本実施形態において、発光装置１００が実装された場合、第１端面４２Ａ上及び第２端面４２Ｂ上には、第１半田フィレット３０１が形成され、第１端子凹部４２Ｓ内には、第１半田フィレット３０１の一部が充填される（図８参照）。また、発光装置１００が実装された場合、第３端面４２Ｃは、実装面２００Ａと接触する。
（３）露出部４３
露出部４３は、Ｌ字状に形成されており、載置部４１の第１側面２０Ｄ１（背面）側及び底面２０Ａ側に連結される。露出部４３の一部は、成形体３０から露出しており、ヒートシンクとして機能する。
露出部４３は、第１露出面４３Ａと、第２露出面４３Ｂと、凹部４３Ｓ（「凹部」の一例）とを有する。
露出部４３は、Ｌ字状に形成されており、載置部４１の第１側面２０Ｄ１（背面）側及び底面２０Ａ側に連結される。露出部４３の一部は、成形体３０から露出しており、ヒートシンクとして機能する。
露出部４３は、第１露出面４３Ａと、第２露出面４３Ｂと、凹部４３Ｓ（「凹部」の一例）とを有する。
第１露出面４３Ａは、パッケージ２０の第１側面２０Ｄ１において成形体３０から露出する。第１露出面４３Ａは、第１側面２０Ｄ１の一部を形成する。第１露出面４３Ａの面積は、第１端面４２Ａの面積よりも大きい。具体的には、図６に示すように、第１露出面４３Ａの高さｈ４３は、第１端面４２Ａの高さｈ４２よりも大きく、第１露出面４３Ａの幅ｗ４３は、第１端面４２Ａの幅ｗ４２よりも大きい。
第２露出面４３Ｂは、パッケージ２０の底面２０Ａにおいて成形体３０から露出する。第２露出面４３Ｂは、底面２０Ａの一部を形成する。第２露出面４３Ｂの面積は、第３端面４２Ｃの面積よりも大きい。具体的には、図５に示すように、第２露出面４３Ｂの奥行きｄ４３は、第３端面４２Ｃの奥行きｄ４２と同じであるが、第２露出面４３Ｂの幅ｗ４３は、第３端面４２Ｃの幅ｗ４２よりも大きい。
凹部４３Ｓは、底面２０Ａと第１側面２０Ｄ１との境界の一部に形成される切り欠きである。従って、凹部４３Ｓは、底面２０Ａ及び第１側面２０Ｄ１に連なって開口している。凹部４３Ｓは、第１方向に沿って延びるように形成されている。
凹部４３Ｓは、図４に示すように、第１内壁４３Ｓａと、第２内壁４３Ｓｂと、第３内壁４３Ｓｃとを有する。第１内壁４３Ｓａは、第１方向に直交する。第２内壁４３Ｓｂは、第１内壁４３Ｓａと対向する。第３内壁４３Ｓｃは、第２方向に直交しており、第１内壁４３Ｓａと第２内壁４３Ｓｂとに連なる。
本実施形態において、発光装置１００が実装された場合、第１露出面４３Ａは発光装置１００の外部に露出し、第２露出面４３Ｂは実装面２００Ａと接触する（図８参照）。また、発光装置１００が実装された場合、第１内壁４３Ｓａ上には、第２半田フィレット３０３ａ（「第２半田フィレット」の一例）が形成され、第２内壁４３Ｓｂ上には、第２半田フィレット３０３ｂ（「第２半田フィレット」の一例）が形成される。一方、発光装置１００が実装された場合、第３内壁４３Ｓｃは、発光装置１００の外部に露出する。
なお、本実施形態において、露出部４３は、一対の第２半田フィレット３０３ａ、３０３ｂを介して実装基板２００と電気的に接続されることによって、第１端子部４２とともに発光装置１００の外部電極として機能する。
〈第２リード５０の構成〉
第２リード５０は、接続部５１と、第２端子部５２とによって構成される。本実施形態において、接続部５１と第２端子部５２とは、一体的に形成されている。
第２リード５０は、接続部５１と、第２端子部５２とによって構成される。本実施形態において、接続部５１と第２端子部５２とは、一体的に形成されている。
（１）接続部５１
接続部５１は、板状に形成されており、第１側面２０Ｄ１に沿って配置される。接続部５１の第１〜第３側面２０Ｄ１〜２０Ｄ３側は、成形体３０に覆われている。一方で、接続部５１は、成形体３０から露出する接続面５１Ａを有する。
接続部５１は、板状に形成されており、第１側面２０Ｄ１に沿って配置される。接続部５１の第１〜第３側面２０Ｄ１〜２０Ｄ３側は、成形体３０に覆われている。一方で、接続部５１は、成形体３０から露出する接続面５１Ａを有する。
接続面５１Ａは、前面開口２０Ｅの内部で成形体３０から露出する。接続面５１Ａには、第２ワイヤ１２が接続されている。接続面５１Ａは、封止樹脂６０によって封止されている（図１参照）。
（２）第２端子部５２
第２端子部５２は、略立方体状に形成されており、接続部５１の端部に連結される。第２端子部５２の一部は、成形体３０から露出しており、発光装置１００の外部電極として機能する。第２端子部５２は、第１端面５２Ａと、第２端面５２Ｂと、第３端面５２Ｃと、第２端子凹部５２Ｓとを有する。
第２端子部５２は、略立方体状に形成されており、接続部５１の端部に連結される。第２端子部５２の一部は、成形体３０から露出しており、発光装置１００の外部電極として機能する。第２端子部５２は、第１端面５２Ａと、第２端面５２Ｂと、第３端面５２Ｃと、第２端子凹部５２Ｓとを有する。
第１端面５２Ａは、パッケージ２０の第１側面２０Ｄ１において成形体３０から露出する。第１端面５２Ａは、第１側面２０Ｄ１の一部を形成する。第２端面５２Ｂは、パッケージ２０の第３側面２０Ｄ３において成形体３０から露出する。第２端面５２Ｂは、第３側面２０Ｄ３の一部を形成する。第３端面５２Ｃは、パッケージ２０の底面２０Ａにおいて成形体３０から露出する。第３端面５２Ｃは、底面２０Ａの一部を形成する。第２端子凹部５２Ｓは、底面２０Ａと第１側面２０Ｄ１と第３側面２０Ｄ３との境界に形成される切り欠きである。
本実施形態において、発光装置１００が実装された場合、第１端面５２Ａ上及び第２端面５２Ｂ上には、第３半田フィレット３０２が形成され、第２端子凹部５２Ｓ内には、第３半田フィレット３０２の一部が充填される（図８参照）。また、発光装置１００が実装された場合、第３端面５２Ｃは、実装面２００Ａと接触する。
なお、第１露出面４３Ａの面積は、第１端面５２Ａの面積よりも大きい。具体的には、図６に示すように、第１露出面４３Ａの高さｈ４３は、第１端面５２Ａの高さｈ５２よりも大きく、第１露出面４３Ａの幅ｗ４３は、第１端面５２Ａの幅ｗ５２よりも大きい。
また、第２露出面４３Ｂの面積は、第３端面５２Ｃの面積よりも大きい。具体的には、図５に示すように、第２露出面４３Ｂの奥行きｄ４３は、第３端面５２Ｃの奥行きｄ５２と同じであるが、第２露出面４３Ｂの幅ｗ４３は、第３端面５２Ｃの幅ｗ５２よりも大きい。
（実装基板の構成）
次に、実施形態に係る実装基板の構成について、図面を参照しながら説明する。図７は、第１実施形態に係る実装基板２００の斜視図である。なお、図７では、発光装置１００が実装される領域を実装領域１００Ｒとして示している。
次に、実施形態に係る実装基板の構成について、図面を参照しながら説明する。図７は、第１実施形態に係る実装基板２００の斜視図である。なお、図７では、発光装置１００が実装される領域を実装領域１００Ｒとして示している。
図７に示すように、実装基板２００は、実装面２００Ａと、第１ランド２０１と、第２ランド２０２と、電気回路２０４とを有する。
実装面２００Ａには、発光装置１００が実装される。第１ランド２０１は、第１端子部４２を接続するための金属部材である。第２ランド２０２は、第２端子部５２を接続するための金属部材である。第１及び第２ランド２０１,２０２としては、例えば銅箔などを用いることができる。なお、第１及び第２ランド２０１,２０２それぞれの表面は、実装面２００Ａの一部を形成する。
実装面２００Ａには、発光装置１００が実装される。第１ランド２０１は、第１端子部４２を接続するための金属部材である。第２ランド２０２は、第２端子部５２を接続するための金属部材である。第１及び第２ランド２０１,２０２としては、例えば銅箔などを用いることができる。なお、第１及び第２ランド２０１,２０２それぞれの表面は、実装面２００Ａの一部を形成する。
ここで、電気回路２０４は、第１ランド２０１及び第２ランド２０２それぞれに接続されている。これにより、第１ランド２０１は、第１端子部４２及び露出部４３に対応する外部端子として機能し、第２ランド２０２は、第２端子部５２に対応する外部端子として機能する。
（回路基板の構成）
次に、本実施形態に係る回路基板の構成について、図面を参照しながら説明する。図８は、第１実施形態に係る回路基板３００の斜視図である。
次に、本実施形態に係る回路基板の構成について、図面を参照しながら説明する。図８は、第１実施形態に係る回路基板３００の斜視図である。
図８に示すように、回路基板３００は、発光装置１００と、実装基板２００と、第１半田フィレット３０１と、一対の第２半田フィレット３０３ａ、３０３ｂ（「第２半田フィレット」の一例）と、第３半田フィレット３０２と、を備える。
第１半田フィレット３０１は、実装面２００Ａ、第１側面２０Ｄ１、及び第２側面２０Ｄ２に跨って接続される。また、第１半田フィレット３０１は、第１端子凹部４２Ｓの内部に充填される。これにより、第１端子部４２と第１ランド２０１（すなわち、実装基板２００）とが、電気的かつ機械的に接続されている。
第３半田フィレット３０２は、実装面２００Ａ、第１側面２０Ｄ１、及び第３側面２０Ｄ３に跨って接続される。また、第３半田フィレット３０２は、第２端子凹部５２Ｓの内部に充填される。これにより、第２端子部５２と第２ランド２０２（すなわち、実装基板２００）とが、電気的、機械的、かつ熱的に接続されている。
一対の第２半田フィレット３０３ａ、３０３ｂは、凹部４３Ｓの内部に配置される。具体的に、第２半田フィレット３０３ａは、実装面２００Ａと第１内壁４３Ｓａとに跨って接続され、第２半田フィレット３０３ｂは、実装面２００Ａと第２内壁４３Ｓｂとに跨って接続される。第２半田フィレット３０３ａと第２半田フィレット３０３ｂとは、互いに対向する。第２半田フィレット３０３ａと第２半田フィレット３０３ｂとによって、露出部４３と第１ランド２０１（すなわち、実装基板２００）とが、電気的、機械的かつ熱的に接続されている。一方で、第３内壁４３Ｓｃは、発光装置１００の外部に露出している。
（放熱経路）
次に、本実施形態に係る発光素子１０からの放熱経路について説明する。以下、放熱効率が高い順に、４つの放熱経路を列挙する。
次に、本実施形態に係る発光素子１０からの放熱経路について説明する。以下、放熱効率が高い順に、４つの放熱経路を列挙する。
〈第１放熱経路〉
発光素子１０→載置部４１→露出部４３→一対の第２半田フィレット３０３ａ、３０３ｂ→実装基板２００
〈第２放熱経路〉
発光素子１０→載置部４１→露出部４３→第１露出面４３Ａ→外気
〈第３放熱経路〉
発光素子１０→載置部４１→露出部４３→第２露出面４３Ｂ→実装基板２００
〈第４放熱経路〉
発光素子１０→載置部４１→第１端子部４２→第１半田フィレット３０１→実装基板２００
発光素子１０→載置部４１→露出部４３→一対の第２半田フィレット３０３ａ、３０３ｂ→実装基板２００
〈第２放熱経路〉
発光素子１０→載置部４１→露出部４３→第１露出面４３Ａ→外気
〈第３放熱経路〉
発光素子１０→載置部４１→露出部４３→第２露出面４３Ｂ→実装基板２００
〈第４放熱経路〉
発光素子１０→載置部４１→第１端子部４２→第１半田フィレット３０１→実装基板２００
（発光装置の製造方法）
次に、本実施形態に係る複数の発光装置１００を一括して製造する方法について、図面を参照しながら説明する。図９（ａ）は、金属薄板４５１の断面図であり、図９（ｂ）は、金属薄板４５１の平面図である。図１０（ａ）は、リードフレーム４５の断面図であり、図１０（ｂ）は、リードフレーム４５の平面図である。図１１は、リードフレーム４５の拡大図である。図１２は、図１１のＡ−Ａ線における断面図である。図１３は、本実施形態に係る発光装置用パッケージアレイＰＡの平面図である。
次に、本実施形態に係る複数の発光装置１００を一括して製造する方法について、図面を参照しながら説明する。図９（ａ）は、金属薄板４５１の断面図であり、図９（ｂ）は、金属薄板４５１の平面図である。図１０（ａ）は、リードフレーム４５の断面図であり、図１０（ｂ）は、リードフレーム４５の平面図である。図１１は、リードフレーム４５の拡大図である。図１２は、図１１のＡ−Ａ線における断面図である。図１３は、本実施形態に係る発光装置用パッケージアレイＰＡの平面図である。
まず、第１主面Ｓ１と、第１主面Ｓ１の反対に設けられる第２主面Ｓ２とを有する金属薄板４５１を準備する。本実施形態において、金属薄板４５１は、厚みｔ１（例えば、０．５ｍｍ程度）を有する。
次に、図９（ａ）に示すように、第１主面Ｓ１上に所定のパターンの第１マスクＭ１を形成するとともに、第２主面Ｓ２上に第１マスクＭ１と対称なパターンの第２マスクＭ２を形成し、第１主面Ｓ１と第２主面Ｓ２とを同時にエッチングする。これによって、図９（ｂ）に示すように、金属薄板４５１にエッチング孔部Ｇが形成される。なお、エッチング手法としては、ドライエッチング及びウェットエッチングを用いることができる。また、エッチャントは、金属薄板４５１の材質に対応する適切なものを選択すればよい。
次に、図１０（ａ）に示すように、第１主面Ｓ１上に所定のパターンの第３マスクＭ３を形成するとともに、第２主面Ｓ２上に第２主面Ｓ２の全面を覆う第４マスクＭ４を形成し、第１主面Ｓ１のみをエッチングする。これによって、図１０（ｂ）に示すように、第１主面Ｓ１に形成されるエッチング凹部Ｈを有するリードフレーム４５が完成する。エッチング凹部Ｈの深さは、例えば、０．３ｍｍ程度である。そのため、金属薄板４５１のうちエッチング凹部Ｈが形成された部分は、厚みｔ１よりも小さい厚みｔ２（例えば、０．２ｍｍ程度）を有する。
このように形成されるリードフレーム４５の詳細な構成について、図面を参照しながら説明する。図１１に示すように、リードフレーム４５は、第１フレーム部Ｆ１、第２フレーム部Ｆ２、第３フレーム部Ｆ３、及び第４フレーム部Ｆ４を有する。
第１フレーム部Ｆ１と第２フレーム部Ｆ２とは、所定方向において互いに隣接しており、第１連結フレームＲ１によって連結される。第３フレーム部Ｆ３と第４フレーム部Ｆ４とは、所定方向において互いに隣接しており、第２連結フレームＲ２によって連結される。第１フレーム部Ｆ１と第３フレーム部Ｆ３とは、所定方向に直交する直交方向（直交方向の一例）において互いに隣接しており、第３連結フレームＲ３及び第４連結フレームＲ４によって連結される。第２フレーム部Ｆ２と第４フレーム部Ｆ４とは、直交方向において互いに隣接しており、第５連結フレームＲ５及び第６連結フレームＲ６によって連結される。
第１乃至第４フレーム部Ｆ１〜Ｆ４は、それぞれ同じ構成を有しており、第１肉厚部Ｐ１と、第２肉厚部Ｐ２と、第１肉薄部Ｑ１と、第２肉薄部Ｑ２とを含む。
第１肉厚部Ｐ１は、第１厚みｔ１（すなわち、金属薄板４５１の厚み）を有する。後工程において、第１肉厚部Ｐ１がダイシングソーによって切断されることによって、露出部４３が形成される。第２肉厚部Ｐ２は、第１厚みｔ１を有する。第２肉厚部Ｐ２は、所定方向において第１肉厚部Ｐ１から離間している。後工程において、第２肉厚部Ｐ２がダイシングソーによって切断されることによって、第１端子部４２及び第２端子部５２が形成される。
第１肉厚部Ｐ１は、第１厚みｔ１（すなわち、金属薄板４５１の厚み）を有する。後工程において、第１肉厚部Ｐ１がダイシングソーによって切断されることによって、露出部４３が形成される。第２肉厚部Ｐ２は、第１厚みｔ１を有する。第２肉厚部Ｐ２は、所定方向において第１肉厚部Ｐ１から離間している。後工程において、第２肉厚部Ｐ２がダイシングソーによって切断されることによって、第１端子部４２及び第２端子部５２が形成される。
第１肉薄部Ｑ１は、第２厚みｔ２（すなわち、金属薄板４５１のうちエッチング凹部Ｈが形成された部分の厚み）を有する。第１肉薄部Ｑ１は、第１肉厚部Ｐ１と第２肉厚部Ｐ２とに連結される。第１肉薄部Ｑ１は、発光装置１００の載置部４１の外周部分に対応する。第２肉薄部Ｑ２は、第２厚みｔ２を有する。第２肉薄部Ｑ２は、第２肉厚部Ｐ１に連結されるとともに、所定方向においてエッチング孔部Ｇ（図９参照）を介して第１肉薄部Ｑ１から離間している。第２肉薄部Ｑ２は、発光装置１００の接続部５１に対応する。
ここで、本実施形態において、リードフレーム４５の平面視において、各フレーム部Ｆの第１肉厚部Ｐ１の内側には、エッチング凹部Ｈの一部である片面エッチング凹部Ｘが形成されている。図１２に示すように、第１肉厚部Ｐ１のうち片面エッチング凹部Ｘが形成された部分は、第２厚みｔ２を有する。後工程において、片面エッチング凹部Ｘがダイシングソーによって切断されることによって、凹部４３Ｓ（図４参照）が形成される。
同様に、本実施形態において、リードフレーム４５Ｄの平面視において、各フレーム部Ｆの第２肉厚部Ｐ２の内側には、エッチング凹部Ｈの一部である片面エッチング凹部Ｙが形成されている。図１２に示すように、第２肉厚部Ｐ２のうち片面エッチング凹部Ｙが形成された部分は、第２厚みｔ２を有する。後工程において、片面エッチング凹部Ｙがダイシングソーによって切断されることによって、第１端子凹部４２Ｓ及び第２端子凹部５２Ｓ（図４参照）が形成される。
また、本実施形態において、第３フレーム部Ｆ３の第１肉薄部Ｑ１は、第３連結フレームＲ３を介して、第１フレーム部Ｆ１の第１肉厚部Ｐ１に連結される。第３フレーム部Ｆ３の第２肉薄部Ｑ２は、第４連結フレームＲ４を介して、第１フレーム部Ｆ１の第２肉厚部Ｐ２に連結される。同様に、第４フレーム部Ｆ４の第１肉薄部Ｑ１は、第５連結フレームＲ５を介して、第２フレーム部Ｆ２の第１肉厚部Ｐ１に連結される。第４フレーム部Ｆ４の第２肉薄部Ｑ２は、第６連結フレームＲ６を介して、第２フレーム部Ｆ２の第２肉厚部Ｐ２に連結される。
なお、第１乃至第６連結フレームＲ１〜Ｒ６は、後工程においてダイシングソーによって切除される（図１３参照）。すなわち、第１乃至第６連結フレームＲ１〜Ｒ６は、ダイシング用の切除代を構成している。また、図１１に示すように、第１肉厚部Ｐ１のうち第３連結フレームＲ３に連結される部分と、第２肉厚部Ｐ２のうち第４連結フレームＲ４に連結される部分とは、所定方向に沿って配置されており、第１乃至第６連結フレームＲ１〜Ｒ６と共に切除代を構成している。
次に、リードフレーム４５を金型内に配置する。具体的には、リードフレーム４５を上金型と下金型とで挟み込む。
次に、上金型と下金型との間に成形体３０を構成する樹脂材料を注入する。
次に、上金型と下金型との間に成形体３０を構成する樹脂材料を注入する。
次に、所定の温度で加熱することによって、成型材料をトランスファモールドする。これによって、図１３に示すように、リードフレーム４５と、リードフレーム４５が埋設されるモールド板４６とによって構成される発光装置用パッケージアレイＰＡが完成する。なお、発光装置用パッケージアレイＰＡにおいて、第１肉厚部Ｐ１及び片面エッチング凹部Ｘと、第２肉厚部Ｐ２及び片面エッチング凹部Ｙとは、モールド板４６から露出していることに留意すべきである。
次に、図１３に示すように、ダイシングソーを用いて、所定幅の切断線Ｇ１及び切断線Ｇ２に沿って発光装置用パッケージアレイＰＡを切断する。これによって、複数の発光装置１００が一括して製造される。
（作用及び効果）
（１）第１実施形態に係る発光装置１００において、第１リード４０は、露出部４３を有する。露出部４３は、載置部４１に連結されており、底面２０Ａ及び第１側面２０Ｄ１（背面）において成形体３０から露出する。
（１）第１実施形態に係る発光装置１００において、第１リード４０は、露出部４３を有する。露出部４３は、載置部４１に連結されており、底面２０Ａ及び第１側面２０Ｄ１（背面）において成形体３０から露出する。
従って、発光素子１０から発生する熱を、発光素子１０が載置される第１リード４０から発光装置１００の外部に直接放出することができる。具体的には、第１露出面４３Ａから外気へ至る第２放熱経路や、第２露出面４３Ｂから実装基板２００へ至る第３放熱経路が形成される。さらに、露出部４３に第２半田フィレット３０３（第２半田フィレット３０３ａ及び／又は第２半田フィレット３０３ｂ）が接続される場合には、露出部４３から第２半田フィレット３０３ａを介して実装基板２００へ至る第１放熱経路を形成することができる。
このように、第１端子部４２を利用した放熱経路以外に、複数の放熱経路を形成できるので、発光素子１０から発生する熱を効率的に発光装置１００から放出することができる。
（２）第１実施形態に係る発光装置１００において、露出部４３は、底面２０Ａと第１側面２０Ｄ１とに連なって開口する凹部４３Ｓ（「凹部」の一例）を有する。
従って、一対の第２半田フィレット３０３ａ、３０３ｂそれぞれを実装面２００Ａ上から内壁４３Ｓ（第１内壁４３Ｓａ及び第２内壁４３Ｓｂ）上に跨るように接続できる。そのため、一対の第２半田フィレット３０３ａ、３０３ｂが固化収縮する際、一対の第２半田フィレット３０３ａ、３０３ｂそれぞれが発光装置１００を引っ張る力は、第１方向に沿って発光装置１００に働く。そのため、一対の第２半田フィレット３０３ａ、３０３ｂの引っ張り力によって、発光装置１００のバランスが悪くなることを抑制できる。このような効果は、倒れやすい特徴を有するサイドビュー型の発光装置１００において特に有効である。
従って、一対の第２半田フィレット３０３ａ、３０３ｂそれぞれを実装面２００Ａ上から内壁４３Ｓ（第１内壁４３Ｓａ及び第２内壁４３Ｓｂ）上に跨るように接続できる。そのため、一対の第２半田フィレット３０３ａ、３０３ｂが固化収縮する際、一対の第２半田フィレット３０３ａ、３０３ｂそれぞれが発光装置１００を引っ張る力は、第１方向に沿って発光装置１００に働く。そのため、一対の第２半田フィレット３０３ａ、３０３ｂの引っ張り力によって、発光装置１００のバランスが悪くなることを抑制できる。このような効果は、倒れやすい特徴を有するサイドビュー型の発光装置１００において特に有効である。
（３）第１実施形態に係る発光装置１００において、凹部４３Ｓは、第１方向に沿って延びる。
従って、互いに対向する一対の第２半田フィレット３０３ａ、３０３ｂを、凹部４３Ｓ内に容易に配置できる。そのため、第２半田フィレット３０３ａが第１内壁４３Ｓａを引っ張る力と、第２半田フィレット３０３ｂが第２内壁４３Ｓｂを引っ張る力とを互いに相殺させることができる。その結果、発光装置１００のバランスをより向上させることができる。
従って、互いに対向する一対の第２半田フィレット３０３ａ、３０３ｂを、凹部４３Ｓ内に容易に配置できる。そのため、第２半田フィレット３０３ａが第１内壁４３Ｓａを引っ張る力と、第２半田フィレット３０３ｂが第２内壁４３Ｓｂを引っ張る力とを互いに相殺させることができる。その結果、発光装置１００のバランスをより向上させることができる。
（４）第１実施形態に係る発光装置１００において、第１側面２０Ｄ１の平面視において、露出部４３は、第１端子部４２よりも大きい。
従って、上述の第１放熱経路における放熱効果を第４放熱経路における放熱効果よりもより大きくできるので、発光素子１０をより効率的に放熱できる。
従って、上述の第１放熱経路における放熱効果を第４放熱経路における放熱効果よりもより大きくできるので、発光素子１０をより効率的に放熱できる。
（５）第１実施形態に係る発光装置１００において、露出部４３は、載置部４１を挟んで発光素子１０の反対側に配置される。
従って、発光素子１０から発生する熱が載置部４１の内部で移動する距離を短くすることができる。そのため、発光素子１０から露出部４３への熱伝導効率を向上させることができる。
従って、発光素子１０から発生する熱が載置部４１の内部で移動する距離を短くすることができる。そのため、発光素子１０から露出部４３への熱伝導効率を向上させることができる。
（６）第１実施形態に係る回路基板３００は、露出部４３と実装基板２００とに接続される一対の第２半田フィレット３０３ａ、３０３ｂ（「第２半田フィレット」の一例）を有する。
従って、一対の第２半田フィレット３０３ａ、３０３ｂによって第１放熱経路が形成されるので、発光装置１００から実装基板２００へ効率的に熱を伝達させることができる。
従って、一対の第２半田フィレット３０３ａ、３０３ｂによって第１放熱経路が形成されるので、発光装置１００から実装基板２００へ効率的に熱を伝達させることができる。
（７）第１実施形態に係る回路基板３００において、第２半田フィレット３０３ａは、実装面２００Ａと第１内壁４３Ｓａとに跨って接続されている。同様に、第２半田フィレット３０３ｂは、実装面２００Ａと第２内壁４３Ｓｂとに跨って接続されている。
従って、一対の第２半田フィレット３０３ａ、３０３ｂが固化収縮する際、一対の第２半田フィレット３０３ａ、３０３ｂそれぞれが発光装置１００を引っ張る力は、第１方向に沿って発光装置１００に働く。そのため、一対の第２半田フィレット３０３ａ、３０３ｂの引っ張り力によって、発光装置１００のバランスが悪くなることを抑制できる。このような効果は、倒れやすい特徴を有するサイドビュー型の発光装置１００において特に有効である。
［第２実施形態］
次に、第２実施形態について図面を参照しながら説明する。第１実施形態と第２実施形態との相違点は、凹部４３Ｓの内部が複数の空間に区切られる点である。以下においては、この相違点について主に説明する。
次に、第２実施形態について図面を参照しながら説明する。第１実施形態と第２実施形態との相違点は、凹部４３Ｓの内部が複数の空間に区切られる点である。以下においては、この相違点について主に説明する。
（発光装置の構成）
図１４は、第２実施形態に係る発光装置１００を後方から見た透視斜視図である。図１４に示すように、発光装置１００において、露出部４３は、第１隔壁部４３１、第２隔壁部４３２、第１半田収容部４３３、第２半田収容部４３４、及び第３半田収容部４３５を有する。本実施形態において、第１隔壁部４３１、第２隔壁部４３２、第１半田収容部４３３、第２半田収容部４３４、及び第３半田収容部４３５は、凹部４３Ｓを構成している。
図１４は、第２実施形態に係る発光装置１００を後方から見た透視斜視図である。図１４に示すように、発光装置１００において、露出部４３は、第１隔壁部４３１、第２隔壁部４３２、第１半田収容部４３３、第２半田収容部４３４、及び第３半田収容部４３５を有する。本実施形態において、第１隔壁部４３１、第２隔壁部４３２、第１半田収容部４３３、第２半田収容部４３４、及び第３半田収容部４３５は、凹部４３Ｓを構成している。
第１隔壁部４３１及び第２隔壁部４３２のそれぞれは、凹部４３Ｓの内部空間を第１方向において２つの空間に隔てている。そのため、本実施形態において、凹部４３Ｓの内部空間は、３つの空間に区切られている。
第１半田収容部４３３、第２半田収容部４３４、及び第３半田収容部４３５それぞれは、第１隔壁部４３１及び第２隔壁部４３２によって区切られた３つの空間それぞれを内包している。
ここで、図示しないが、第１半田収容部４３３には、第２半田フィレット３０３ａが配置され、第３半田収容部４３５には、第２半田フィレット３０３ｂが配置される。第２半田フィレット３０３ａは、第１隔壁部４３１に遮られることによって、第２半田収容部４３４には流れ込まない。第２半田フィレット３０３ｂは、第２隔壁部４３１に遮られることによって、第２半田収容部４３４には流れ込まない。なお、第２半田収容部４３４には、図示しない他の半田フィレットが配置される。
（発光装置の製造方法）
まず、図１５に示すようなリードフレーム４５Ａを準備する。リードフレーム４５Ａは、第１隔壁元部４３１Ａ、第２隔壁元部４３１Ａ、第１半田収容元部４３３Ａ、第２半田収容元部４３４Ａ、及び第３半田収容元部４３５Ａを備える。
まず、図１５に示すようなリードフレーム４５Ａを準備する。リードフレーム４５Ａは、第１隔壁元部４３１Ａ、第２隔壁元部４３１Ａ、第１半田収容元部４３３Ａ、第２半田収容元部４３４Ａ、及び第３半田収容元部４３５Ａを備える。
このようなリードフレーム４５Ａは、金属薄板に片面エッチングを施す領域を細かく設定することによって形成することができる。具体的には、第１半田収容元部４３３、第２半田収容元部４３４及び第３半田収容元部４３５が形成される領域を、第１端子凹部４２Ｓ及び第２端子凹部５２Ｓと同じ深さまで片面エッチングすることによって、第１隔壁元部４３１Ａ及び第２隔壁元部４３１Ａが形成される。
次に、トランスファモールド法によってリードフレーム４５Ａをモールド板４６（図１３参照）に埋設する。
次に、ダイシングソーを用いて、所定幅の切断線（図１３参照）に沿ってリードフレーム４５Ａ及びモールド板４６を一緒に切断する。
次に、ダイシングソーを用いて、所定幅の切断線（図１３参照）に沿ってリードフレーム４５Ａ及びモールド板４６を一緒に切断する。
（作用及び効果）
第２実施形態に係る発光装置１００において、露出部４３は、凹部４３Ｓの内部を２つの空間に隔てる第１隔壁部４３１及び第２隔壁部４３２を有する。
第２実施形態に係る発光装置１００において、露出部４３は、凹部４３Ｓの内部を２つの空間に隔てる第１隔壁部４３１及び第２隔壁部４３２を有する。
従って、第２実施形態に係る発光装置１００によれば、第２半田フィレット３０３ａは、第１隔壁部４３１によって第１半田収容部４３３内に収容され、第２半田フィレット３０３ｂは、第２隔壁部４３２によって第３半田収容部４３５内に収容される。そのため、一対の第２半田フィレット３０３ａ,３０３ｂが凹部４３Ｓ内において広がりすぎることを抑制できるので、発光装置１００のバランスをさらに向上させることができる。また、第２半田収容部４３４に他の半田フィレットを配置できるので、発光装置１００の放熱効率をさらに向上させることができる。
［第３実施形態］
次に、第３実施形態について図面を参照しながら説明する。第１実施形態と第３実施形態との相違点は、露出部４３が外部端子として機能しない点である。以下においては、この相違点について主に説明する。
次に、第３実施形態について図面を参照しながら説明する。第１実施形態と第３実施形態との相違点は、露出部４３が外部端子として機能しない点である。以下においては、この相違点について主に説明する。
（実装基板の構成）
図１６は、第３実施形態に係る実装基板２００の斜視図である。図１６に示すように、実装基板２００は、第３ランド２０３を有する。第３ランド２０３は、第１ランド２０１及び第２ランド２０２から離間しており、電気回路２０４から電気的に隔離されている。
図１６は、第３実施形態に係る実装基板２００の斜視図である。図１６に示すように、実装基板２００は、第３ランド２０３を有する。第３ランド２０３は、第１ランド２０１及び第２ランド２０２から離間しており、電気回路２０４から電気的に隔離されている。
（回路基板の構成）
図１７は、第３実施形態に係る回路基板３００の斜視図である。図１７に示すように、発光装置１００が実装基板２００に実装されると、露出部４３は、一対の第２半田フィレット３０３ａ,３０３ｂによって、第３ランド２０３と機械的かつ熱的に接続される。
図１７は、第３実施形態に係る回路基板３００の斜視図である。図１７に示すように、発光装置１００が実装基板２００に実装されると、露出部４３は、一対の第２半田フィレット３０３ａ,３０３ｂによって、第３ランド２０３と機械的かつ熱的に接続される。
また、露出部４３は、一対の第２半田フィレット３０３ａ,３０３ｂを介して、第３ランド２０３と電気的にも接続されるが、第３ランド２０３は電気回路２０４から電気的に隔離されているので、露出部４３は、外部端子として機能しない。
［第４実施形態］
次に、第４実施形態について図面を参照しながら説明する。第１実施形態と第４実施形態との相違点は、第２リード５０の一部が第１側面２０Ｄ１（背面）に向かって延出している点である。以下においては、この相違点について主に説明する。
次に、第４実施形態について図面を参照しながら説明する。第１実施形態と第４実施形態との相違点は、第２リード５０の一部が第１側面２０Ｄ１（背面）に向かって延出している点である。以下においては、この相違点について主に説明する。
（発光装置の構成）
図１８は、第４実施形態に係る発光装置１００を後方から見た透視斜視図である。図１８に示すように、発光装置１００において、第２リード５０は、第１延出部１０１を有する。
図１８は、第４実施形態に係る発光装置１００を後方から見た透視斜視図である。図１８に示すように、発光装置１００において、第２リード５０は、第１延出部１０１を有する。
第１延出部１０１は、接続部５１上に配置されており、第２端子部５２に接続されている。第１延出部１０１は、接続部５１の第１側面２０Ｄ１側の表面から第１側面２０Ｄ１に向かって延出しており、第１側面２０Ｄ１において成形体３０から露出している。第１延出部１０１は、第１側面２０Ｄ１の一部を形成する第１延出面１０１Ｓを有する。
（発光装置の製造方法）
まず、図１９に示すようなリードフレーム４５Ｂを準備する。リードフレーム４５Ｂは、第１延出元部１０１Ａを備える。このようなリードフレーム４５Ｂは、接続元部５１Ａを形成するために片面エッチングを施す領域をＣ形に設定することによって形成できる。
まず、図１９に示すようなリードフレーム４５Ｂを準備する。リードフレーム４５Ｂは、第１延出元部１０１Ａを備える。このようなリードフレーム４５Ｂは、接続元部５１Ａを形成するために片面エッチングを施す領域をＣ形に設定することによって形成できる。
次に、トランスファモールド法によってリードフレーム４５Ｂをモールド板４６（図１３参照）に埋設する。
次に、ダイシングソーを用いて、所定幅の切断線（図１３参照）に沿ってリードフレーム４５Ｂ及びモールド板４６を一緒に切断する。
次に、ダイシングソーを用いて、所定幅の切断線（図１３参照）に沿ってリードフレーム４５Ｂ及びモールド板４６を一緒に切断する。
（作用及び効果）
第４実施形態に係る発光装置１００において、第２リード５０は、第１延出部１０１を有する。第１延出部１０１は、接続部５１上に配置されており、第２端子部５２に接続されている。第１延出部１０１は、第１側面２０Ｄ１において成形体３０から露出している。
第４実施形態に係る発光装置１００において、第２リード５０は、第１延出部１０１を有する。第１延出部１０１は、接続部５１上に配置されており、第２端子部５２に接続されている。第１延出部１０１は、第１側面２０Ｄ１において成形体３０から露出している。
このように、第１延出部１０１は、第１側面２０Ｄ１において成形体３０から露出しているので、“発光素子１０→成形体３０及び第２ワイヤ１２→接続部５１→第１延出部１０１→第１延出面１０１Ｓ→外気”という放熱経路を形成することができる。そのため、発光素子１０から発生する熱をより効率的に発光装置１００から放出することができる。
また、第１延出部１０１は、第２端子部５２に接続されているので、“発光素子１０→成形体３０及び第２ワイヤ１２→接続部５１→第１延出部１０１→第２端子部５２→実装基板２００”という放熱経路を形成することができる。そのため、発光素子１０から発生する熱をより効率的に発光装置１００から放出することができる。
また、第１延出面１０１Ｓは、成形体３０の外表面に露出している。すなわち、成形体３０の製造工程において、第１延出部１０１が金型の内面に当接される。これによって、接続部５１が第１延出部１０１に支持されるため、注入される樹脂材料によって接続部５１が微小に振動することを抑制できる。従って、接続部５１の周囲に樹脂材料を一様に行き渡らせることができるので、成形体３０と第２リード５０との密着力を向上させることができる。
［第５実施形態］
次に、第５実施形態について図面を参照しながら説明する。第４実施形態と第５実施形態との相違点は、第１リード４０の一部も第１側面２０Ｄ１（背面）に向かって延出している点である。以下においては、この相違点について主に説明する。
次に、第５実施形態について図面を参照しながら説明する。第４実施形態と第５実施形態との相違点は、第１リード４０の一部も第１側面２０Ｄ１（背面）に向かって延出している点である。以下においては、この相違点について主に説明する。
（発光装置の構成）
図２０は、第５実施形態に係る発光装置１００を後方から見た透視斜視図である。図２０に示すように、発光装置１００において、第１リード４０は、第２延出部１０２を有し、第２リード５０は、第１延出部１０１を有する。
図２０は、第５実施形態に係る発光装置１００を後方から見た透視斜視図である。図２０に示すように、発光装置１００において、第１リード４０は、第２延出部１０２を有し、第２リード５０は、第１延出部１０１を有する。
第１延出部１０１の構成は、上記第４実施形態において説明した通りである。
第２延出部１０２の構成は、第１延出部１０１の構成と同様である。第２延出部１０２は、載置部４１上に配置されており、第１端子部４２に接続されている。第２延出部１０２は、載置部４１の第１側面２０Ｄ１側の表面から第１側面２０Ｄ１に向かって延出しており、第１側面２０Ｄ１において成形体３０から露出している。第２延出部１０２は、第１側面２０Ｄ１の一部を形成する第２延出面１０２Ｓを有する。
第２延出部１０２の構成は、第１延出部１０１の構成と同様である。第２延出部１０２は、載置部４１上に配置されており、第１端子部４２に接続されている。第２延出部１０２は、載置部４１の第１側面２０Ｄ１側の表面から第１側面２０Ｄ１に向かって延出しており、第１側面２０Ｄ１において成形体３０から露出している。第２延出部１０２は、第１側面２０Ｄ１の一部を形成する第２延出面１０２Ｓを有する。
（発光装置の製造方法）
まず、図２１に示すようなリードフレーム４５Ｃを準備する。リードフレーム４５Ｃは、第１延出元部１０１Ａと第２延出元部１０２Ａとを備える。このようなリードフレーム４５Ｃは、載置元部４１Ａ及び接続元部５１Ａを形成するために片面エッチングを施す領域を図２１に示すように設定することによって形成できる。
まず、図２１に示すようなリードフレーム４５Ｃを準備する。リードフレーム４５Ｃは、第１延出元部１０１Ａと第２延出元部１０２Ａとを備える。このようなリードフレーム４５Ｃは、載置元部４１Ａ及び接続元部５１Ａを形成するために片面エッチングを施す領域を図２１に示すように設定することによって形成できる。
なお、本実施形態に係るリードフレーム４５Ｃでは、片面エッチング凹部Ｘと片面エッチング凹部Ｙとが、第１実施形態に係るリードフレーム４５よりも大きく設定されている。これによって、片面エッチング可能な寸法上の加工限界が高められている。
このように、本実施形態に係るリードフレーム４５Ｃは、第１実施形態に係るリードフレーム４５とは基本的に異なる構成を有している。以下、リードフレーム４５Ｃの詳細な構成について、図面を参照しながら説明する。図２２は、リードフレーム４５Ｃの部分拡大図である。図２２に示すように、リードフレーム４５Ｃは、第１乃至第４フレーム部Ｆ１〜Ｆ４を有する。第１フレーム部Ｆ１と第２フレーム部Ｆ２とは、所定方向において互いに隣接しているが、連結はされていない。同様に、第３フレーム部Ｆ３と第４フレーム部Ｆ４とは、所定方向において互いに隣接しているが、連結はされていない。
ここで、本実施形態では、第３フレーム部Ｆ３及び第４フレーム部Ｆ４は、厚み方向（所定方向及び直交方向に直交する方向、すなわち紙面に直交する方向）に平行な軸心Ｔを中心として、第１フレーム部Ｆ１及び第２フレーム部Ｆ２に対して回転対称に配置されている。また、第３フレーム部Ｆ３の第１肉厚部Ｐ１は、第１フレーム部Ｆ１の第１肉厚部Ｐ１に直接連結される。第３フレーム部Ｆ３の第２肉厚部Ｐ２は、第２フレーム部Ｆ２の第２肉厚部Ｐ２に直接連結される。第４フレーム部Ｆ４の第２肉厚部Ｐ２は、第１フレーム部Ｆ１の第２肉厚部Ｐ２に直接連結される。
また、本実施形態では、リードフレーム４５Ｄの平面視において、各フレーム部Ｆの第１肉厚部Ｐ１の内側には、エッチング凹部Ｈの一部が形成されている。これにより、第３フレーム部Ｆ３の第１肉厚部Ｐ１と第１フレーム部Ｆ１の第１肉厚部Ｐ１とが連結されることによって、片面エッチング凹部Ｘが形成されている。
また、本実施形態では、リードフレーム４５Ｄの平面視において、各フレーム部Ｆの第２肉厚部Ｐ２の内側には、エッチング凹部Ｈの一部が形成されている。これにより、第１フレーム部Ｆ１の第２肉厚部Ｐ２と第４フレーム部Ｆ４の第２肉厚部Ｐ２とが連結されることによって、片面エッチング凹部Ｙが形成されている。同様に、第２フレーム部Ｆ２の第２肉厚部Ｐ２と第３フレーム部Ｆ３の第２肉厚部Ｐ２とが連結されることによって、片面エッチング凹部Ｙが形成されている。
なお、第３フレーム部Ｆ３の第１肉厚部Ｐ１と第１フレーム部Ｆ１の第１肉厚部Ｐ１とが連結される部分は、ダイシング用の切除代を構成している（図２３参照）。同様に、第３フレーム部Ｆ３の第２肉厚部Ｐ２と第２フレーム部Ｆ２の第２肉厚部Ｐ２とが連結される部分は、ダイシング用の切除代を構成している。第４フレーム部Ｆ４の第２肉厚部Ｐ２と第１フレーム部Ｆ１の第２肉厚部Ｐ２とが連結される部分は、ダイシング用の切除代を構成している。
次に、トランスファモールド法によって、図２３に示すように、リードフレーム４５Ｃをモールド板４６に埋設することによって、発光装置用パッケージアレイＰＡが完成する。なお、発光装置用パッケージアレイＰＡにおいて、第１肉厚部Ｐ１及び片面エッチング凹部Ｘと、第２肉厚部Ｐ２及び片面エッチング凹部Ｙとは、モールド板４６から露出していることに留意すべきである。
次に、ダイシングソーを用いて、図２３に示すように、所定幅の切断線Ｈ１及び切断線Ｈ２に沿って発光装置用パッケージアレイＰＡを切断する。
次に、ダイシングソーを用いて、図２３に示すように、所定幅の切断線Ｈ１及び切断線Ｈ２に沿って発光装置用パッケージアレイＰＡを切断する。
（作用及び効果）
第５実施形態に係る発光装置１００において、第１リード４０は、第２延出部１０２を有する。第２延出部１０２は、載置部４１上に配置されており、第１端子部４２に接続されている。第２延出部１０２は、第１側面２０Ｄ１において成形体３０から露出している。
第５実施形態に係る発光装置１００において、第１リード４０は、第２延出部１０２を有する。第２延出部１０２は、載置部４１上に配置されており、第１端子部４２に接続されている。第２延出部１０２は、第１側面２０Ｄ１において成形体３０から露出している。
このように、第２延出部１０２は、第１側面２０Ｄ１において成形体３０から露出しているので、“発光素子１０→載置部４１→第２延出部１０２→第２延出面１０２Ｓ→外気”という放熱経路を形成することができる。そのため、発光素子１０から発生する熱をより効率的に発光装置１００から放出することができる。
また、第２延出部１０２は、第１端子部４２に接続されているので、“発光素子１０→載置部４１→第２延出部１０２→第１端子部４２→実装基板２００”という放熱経路を形成することができる。そのため、発光素子１０から発生する熱をより効率的に発光装置１００から放出することができる。
また、第２延出面１０２Ｓは、成形体３０の外表面に露出している。すなわち、成形体３０の製造工程において、第２延出部１０２が金型の内面に当接される。これによって、載置部４１が第２延出部１０２に支持されるため、注入される樹脂材料によって載置部４１が微小に振動することを抑制できる。従って、載置部４１の周囲に樹脂材料を一様に行き渡らせることができるので、成形体３０と第１リード４０との密着力を向上させることができる。
なお、第２リード５０が第１延出部１０１を有することによる効果は、上記第４実施形態において説明したとおりである。
なお、第２リード５０が第１延出部１０１を有することによる効果は、上記第４実施形態において説明したとおりである。
（その他の実施形態）
本発明は上記の実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
本発明は上記の実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
（Ａ）上記実施形態では、いわゆるサイドビュー型の発光装置１００について説明したが、これに限られるものではない。露出部４３は、実装面２００Ａに垂直な光が発光素子１０から出射される、いわゆるトップビュー型の発光装置にも適用可能である。
（Ｂ）上記実施形態では、露出部４３は、凹部４３Ｓを有することとしたが、これに限られるものではない。露出部４３は、凹部４３Ｓを有していなくてもよい。この場合であっても、第１露出面４３Ａ及び第２露出面４３Ｂから効果的に放熱することができる。
（Ｃ）上記実施形態では、一対の第２半田フィレット３０３ａ、３０３ｂが形成されることとしたが、これに限られるものではない。例えば、一対の第２半田フィレット３０３ａ、３０３ｂのうち一方のみが形成されていてもよいし、一対の第２半田フィレット３０３ａ、３０３ｂに加えて他の半田フィレットが形成されていてもよい。なお、半田フィレットの数が多いほど、発光装置１００と実装基板２００との接続を強固にすることができる。
（Ｄ）上記実施形態では、一対の第２半田フィレット３０３ａ、３０３ｂは、凹部４３Ｓにおいて、互いに離間することとしたが、これに限られるものではない。一対の第２半田フィレット３０３ａ、３０３ｂは、互いに連結されていてもよい。すなわち、第１内壁４３Ｓａから第２内壁４３Ｓｂにかけて、第１方向に沿って延びる一つの第２半田フィレット３０３が形成されてもよい。これによって、発光装置１００の実装基板２００への密着性を向上させるとともに、露出部４３から実装基板２００への放熱効率をさらに向上させることができる。
（Ｅ）上記実施形態では、発光装置１００は、一つの発光素子１０のみを備えることとしたが、これに限られるものではない。発光装置１００は、互いに連結された複数の発光素子１０を備えていてもよい。この場合、複数の発光素子１０は、全て同種類であってもよいし、また、光の三原色となる赤・緑・青の発光色を示す異種類のものの組み合わせであってもよい。
（Ｆ）上記実施形態では、発光装置１００の外形は、６面（底面２０Ａ、上面２０Ｂ、前面２０Ｃ、第１側面２０Ｄ１、第２側面２０Ｄ２、第３側面２０Ｄ３）を有する略直方体形状であることとしたが、これに限られるものではない。発光装置１００は、底面と少なくとも一つの側面とを有していればよい。従って、発光装置１００の外形は、円柱形状や楕円柱形状であってもよい。
（Ｇ）上記実施形態では、載置部４１は板状に形成され、露出部４３はＬ字状に形成され、第１端子部４２及び第２端子部５２は立方体状に形成されることとしたが、これに限られるものではない。発光装置１００の外形などに応じて、適宜変更可能である。
（Ｈ）上記実施形態では、リードフレーム４５は、金属薄板をエッチングすることによって形成されることとしたが、これに限られるものではない。例えば、複数枚の薄金属薄板を所定の形状に打ち抜き加工した後に、複数枚の薄金属薄板を互いに圧着することによっても、リードフレーム４５を形成することができる。
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。従って、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
ここに開示される技術は、発光素子から効率的に放熱可能であるので発光装置分野において利用可能である。
１００…発光装置
１０…発光素子
１１…第１ワイヤ
１２…第２ワイヤ
２０…パッケージ
２０Ａ…底面
２０Ｄ１…第１側面
３０…成形体
４０…第１リード
４１…載置部
４２…第１端子部
４３…露出部
４３Ｓ…凹部
４３Ａ…第１露出面
４３Ｂ…第２露出面
４５…リードフレーム
４５１…金属薄板
４６…モールド板
５０…第２リード
５１…接続部
５２…第２端子部
６０…封止樹脂
１０１…第１延出部
１０２…第２延出部
２００…実装基板
２００Ａ…実装面
２０１…第１ランド
２０２…第２ランド
２０３…第３ランド
２０４…電気回路
３００…回路基板
３０１…第１半田フィレット
３０３ａ、３０３ｂ…第２半田フィレット
３０２…第３半田フィレット
Ｓ…主面
Ｍ…マスク
Ｆ…フレーム部
Ｇ…エッチング孔部
Ｈ…エッチング凹部
Ｐ…肉厚部
Ｑ…肉薄部
Ｒ…連結フレーム
ＰＡ…発光装置用パッケージアレイ
Ｘ，Ｙ…片面エッチング凹部
１０…発光素子
１１…第１ワイヤ
１２…第２ワイヤ
２０…パッケージ
２０Ａ…底面
２０Ｄ１…第１側面
３０…成形体
４０…第１リード
４１…載置部
４２…第１端子部
４３…露出部
４３Ｓ…凹部
４３Ａ…第１露出面
４３Ｂ…第２露出面
４５…リードフレーム
４５１…金属薄板
４６…モールド板
５０…第２リード
５１…接続部
５２…第２端子部
６０…封止樹脂
１０１…第１延出部
１０２…第２延出部
２００…実装基板
２００Ａ…実装面
２０１…第１ランド
２０２…第２ランド
２０３…第３ランド
２０４…電気回路
３００…回路基板
３０１…第１半田フィレット
３０３ａ、３０３ｂ…第２半田フィレット
３０２…第３半田フィレット
Ｓ…主面
Ｍ…マスク
Ｆ…フレーム部
Ｇ…エッチング孔部
Ｈ…エッチング凹部
Ｐ…肉厚部
Ｑ…肉薄部
Ｒ…連結フレーム
ＰＡ…発光装置用パッケージアレイ
Ｘ，Ｙ…片面エッチング凹部
Claims (17)
- 発光素子と、
成形体と前記成形体に埋設されるリードとによって構成されるパッケージと、
を備え、
前記リードは、前記発光素子が載置される載置部と、前記載置部に連結される端子部と、露出部と、を含み、
前記パッケージは、光出射面と、前記光出射面に対向する背面と、前記光出射面及び前記背面に連なる底面と、前記光出射面、前記背面及び前記底面に連なる側面とを有し、
前記発光素子は、前記載置部の前記光出射面側に載置され、
前記露出部は、前記載置部の前記背面側に連結され、前記底面及び前記背面で前記成形体から露出し、
前記端子部は、前記底面及び前記側面で前記成形体から露出し、
前記側面に露出する前記端子部の端面と前記側面に露出する前記成形体の側面とが略同一面である、
発光装置。 - 前記露出部は、前記底面と前記背面とに連なって開口する凹部を有する、
請求項１に記載の発光装置。 - 前記凹部は、前記底面と前記背面との境界線に平行な第１方向に沿って延びる、
請求項２に記載の発光装置。 - 前記露出部は、前記凹部の内部を前記第１方向において２つの空間に隔てる隔壁部を有する、
請求項３に記載の発光装置。 - 前記リードは、前記載置部上に配置され、前記背面において前記成形体から露出する延出部を含み、
前記延出部は、前記端子部に接続されている、
請求項１乃至４のいずれかに記載の発光装置。 - 前記端子部は、前記背面から露出しており、
前記背面の平面視において、前記露出部は、前記端子部よりも大きい、
請求項１乃至５のいずれかに記載の発光装置。 - 前記露出部は、前記載置部を挟んで前記発光素子の反対側に配置される、
請求項１乃至６のいずれかに記載の発光装置。 - 前記端子部は、端子凹部を有する、
請求項１乃至７のいずれかに記載の発光装置。 - 前記端子凹部は、前記背面、前記底面及び前記側面に連なって開口する、
請求項８に記載の発光装置。 - 発光装置と、
前記発光装置が実装される実装基板と、
前記実装基板上にそれぞれ配置される第１半田フィレット及び第２半田フィレットと、
を備え、
前記発光装置は、
発光素子と、
成形体と前記成形体に埋設されるリードとによって構成されるパッケージと、
を有し、
前記リードは、前記発光素子が載置される載置部と、前記載置部に連結される端子部と、露出部と、を含み、
前記パッケージは、光出射面と、前記光出射面に対向する背面と、前記光出射面及び前記背面に連なる底面と、前記光出射面、前記背面及び前記底面に連なる側面とを有し、
前記発光素子は、前記載置部の前記光出射面側に載置され、
前記露出部は、前記載置部の前記背面側に連結され、前記底面及び前記背面で前記成形体から露出し、
前記端子部は、前記底面及び前記側面で前記成形体から露出し、
前記側面に露出する前記端子部の端面と前記側面に露出する前記成形体の側面とが略同一面であり、
前記第１半田フィレットは、前記端子部と前記実装基板とに接続され、
前記第２半田フィレットは、前記露出部と前記実装基板とに接続されている、
回路基板。 - 前記露出部は、前記底面と前記背面とに連なって開口する凹部を有し、
前記凹部は、前記底面と前記背面との境界線に平行な第１方向と交差する内壁を含み、
前記第２半田フィレットは、前記実装基板と前記内壁とに跨って接続されており、
前記発光素子の出射光は、前記背面に対して垂直な第２方向に取り出される、
請求項１０に記載の回路基板。 - 前記端子部は、端子凹部を有する、
請求項１０又は１１に記載の発光装置。 - 前記端子凹部は、前記背面、前記底面及び前記側面に連なって開口する、
請求項１２に記載の発光装置。 - 樹脂によって構成されるモールド板と、
第１フレーム部と、所定方向において前記第１フレーム部に隣接する第２フレーム部と、を有し、前記モールド板に埋設される薄板状のリードフレームと、
を備え、
前記第１フレーム部及び前記第２フレーム部のそれぞれは、
第１厚みを有し、前記モールド板から露出する第１肉厚部と、
前記第１厚みを有し、前記モールド板から露出しており、前記所定方向において前記第１肉厚部から離間する第２肉厚部と、
前記第１厚みよりも小さい第２厚みを有し、前記第１肉厚部と前記第２肉厚部とに連結される第１肉薄部と、
前記第２厚みを有し、前記第２肉厚部に連結されており、前記所定方向において前記第１肉薄部から離間する第２肉薄部と、
を含み、
前記所定方向において、前記第２フレーム部の前記第１肉厚部は、前記第１フレーム部の前記第２肉厚部と隣接する、
発光装置用パッケージアレイ。 - 前記リードフレームは、前記第１フレーム部及び第２フレーム部と同様の構成を有する第３フレーム部及び第４フレーム部を有し、
前記第３フレーム部及び第４フレーム部は、厚み方向に平行な軸心を中心として、前記第１フレーム部及び前記第２フレーム部に対して回転対称に配置されており、
前記第３フレーム部の前記第１肉厚部は、前記第１フレーム部の前記第１肉厚部に連結され、
前記第３フレーム部の前記第２肉厚部は、前記第２フレーム部の前記第２肉厚部に連結され、
前記第４フレーム部の前記第２肉厚部は、前記第１フレーム部の前記第２肉厚部に連結されている、
請求項１４に記載の発光装置用パッケージアレイ。 - 前記リードフレームは、前記第１フレーム部及び第２フレーム部と同様の構成を有する第３フレーム部及び第４フレーム部を有し、
前記第３フレーム部は、前記所定方向に直交する直交方向において前記第１フレーム部に隣接し、
前記第４フレーム部は、前記直交方向において前記第２フレーム部に隣接しており、
前記第３フレーム部の前記第１肉薄部は、前記第１フレーム部の前記第１肉厚部に連結され、
前記第３フレーム部の前記第２肉薄部は、前記第１フレーム部の前記第２肉厚部に連結され、
前記第４フレーム部の前記第１肉薄部は、前記第２フレーム部の前記第１肉厚部に連結され、
前記第４フレーム部の前記第２肉薄部は、前記第２フレーム部の前記第２肉厚部に連結されている、
請求項１４に記載の発光装置用パッケージアレイ。 - 金属薄板の第１主面と前記第１主面の反対に設けられる第２主面とをエッチングして、前記金属薄板にエッチング孔部を形成する両面エッチング工程と、
前記金属薄板の前記第１主面の一部をエッチングして、前記第１主面に所定パターンのエッチング凹部を形成することによって、所定形状のリードフレームを形成する片面エッチング工程と、
前記リードフレームを金型内に配置し、前記金型内に樹脂を注入することによって、前記リードフレームが埋設されるモールド板を形成するモールド工程と、
を備え、
前記リードフレームは、発光素子を載置するための載置部に連結された露出部を構成する肉厚部と、前記載置部から離間する接続部を構成する肉薄部とを有し、
前記肉厚部と前記肉薄部は、前記エッチング孔部を介して配置される、
発光装置用パッケージアレイの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012531959A JP5888236B2 (ja) | 2010-09-03 | 2011-09-01 | 発光装置、回路基板、発光装置用パッケージアレイ、及び発光装置用パッケージアレイの製造方法 |
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010198371 | 2010-09-03 | ||
| JP2010198371 | 2010-09-03 | ||
| JP2010253159 | 2010-11-11 | ||
| JP2010253159 | 2010-11-11 | ||
| PCT/JP2011/069915 WO2012029910A1 (ja) | 2010-09-03 | 2011-09-01 | 発光装置、回路基板、発光装置用パッケージアレイ、及び発光装置用パッケージアレイの製造方法 |
| JP2012531959A JP5888236B2 (ja) | 2010-09-03 | 2011-09-01 | 発光装置、回路基板、発光装置用パッケージアレイ、及び発光装置用パッケージアレイの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2012029910A1 JPWO2012029910A1 (ja) | 2013-10-31 |
| JP5888236B2 true JP5888236B2 (ja) | 2016-03-16 |
Family
ID=45772985
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012531959A Active JP5888236B2 (ja) | 2010-09-03 | 2011-09-01 | 発光装置、回路基板、発光装置用パッケージアレイ、及び発光装置用パッケージアレイの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9018653B2 (ja) |
| JP (1) | JP5888236B2 (ja) |
| TW (1) | TWI569475B (ja) |
| WO (1) | WO2012029910A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5862572B2 (ja) | 2010-11-11 | 2016-02-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置と、回路基板の製造方法 |
| JP5867417B2 (ja) * | 2011-02-10 | 2016-02-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、発光装置の製造方法、及びパッケージアレイ |
| JP2014216622A (ja) * | 2013-04-30 | 2014-11-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| JP6432639B2 (ja) * | 2017-04-28 | 2018-12-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| CN108807652B (zh) * | 2017-04-28 | 2023-03-21 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置 |
| JP2023046654A (ja) * | 2021-09-24 | 2023-04-05 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
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Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020123163A1 (en) * | 2000-04-24 | 2002-09-05 | Takehiro Fujii | Edge-emitting light-emitting semiconductor device and method of manufacture thereof |
| TWI249864B (en) * | 2003-03-20 | 2006-02-21 | Toyoda Gosei Kk | LED lamp |
| US20100025722A1 (en) * | 2006-11-14 | 2010-02-04 | Harison Toshiba Lighting Corp. | Light emitting device, its manufacturing method and its mounted substrate |
| JP5217800B2 (ja) | 2008-09-03 | 2013-06-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法 |
-
2011
- 2011-09-01 JP JP2012531959A patent/JP5888236B2/ja active Active
- 2011-09-01 US US13/820,322 patent/US9018653B2/en active Active
- 2011-09-01 WO PCT/JP2011/069915 patent/WO2012029910A1/ja active Application Filing
- 2011-09-02 TW TW100131815A patent/TWI569475B/zh active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000196000A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Rohm Co Ltd | チップ電子部品及びその製造方法 |
| JP2007134376A (ja) * | 2005-11-08 | 2007-05-31 | Akita Denshi Systems:Kk | 発光ダイオード装置及びその製造方法 |
| JP2009212228A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板及びその製造方法 |
| JP2010003743A (ja) * | 2008-06-18 | 2010-01-07 | Toshiba Corp | 発光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20130153942A1 (en) | 2013-06-20 |
| WO2012029910A1 (ja) | 2012-03-08 |
| TWI569475B (zh) | 2017-02-01 |
| JPWO2012029910A1 (ja) | 2013-10-31 |
| TW201220547A (en) | 2012-05-16 |
| US9018653B2 (en) | 2015-04-28 |
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