KR101865438B1 - 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법 및 패키지 어레이 - Google Patents

발광 장치, 발광 장치의 제조 방법 및 패키지 어레이 Download PDF

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Abstract

발광 장치(100)에 있어서, 제1 리드(50)는, 제1 접속부(51)에 이어지는 제1 단자부(52)를 갖는다. 제1 단자부(52)는, 적재 오목부(11)의 내주면(11B)에 있어서 성형체(40)로부터 노출되는 제1 볼록부(520b)와, 제1 볼록부(520b)의 배면(10B)에 형성되는 제1 오목부(521a)를 포함한다.

Description

발광 장치, 발광 장치의 제조 방법 및 패키지 어레이{LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT EMITTING DEVICE, AND PACKAGE ARRAY}
본 발명은, 발광 소자를 구비하는 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법 및 패키지 어레이에 관한 것이다.
종래, 액정 텔레비전용 백라이트, 조명 기구, 혹은 광 통신용 디바이스 등의 광원으로서, 발광 소자(예를 들어, 발광 다이오드나 레이저 다이오드)를 구비하는 발광 장치가 널리 사용되고 있다.
이러한 발광 장치에 있어서, 발광 소자는, 리드와 성형체에 의해 구성되는 패키지의 적재 오목부 내에 배치된다. 발광 소자는, 적재 오목부의 저면에 적재되며, 적재 오목부의 내주면에 둘러싸여 있다.
여기서, 발광 소자의 출사광에 의한 내주면의 열화나 변색을 억제하기 위해서, 적재 오목부의 내주면에 리드를 노출시키는 방법이 제안되어 있다(특허 문헌 1 참조). 특허 문헌 1에서는, 본체부와, 본체부에 이어지며 적재 오목부의 개구부 방향으로 굴곡되어 내주면에 노출되는 날개부를 갖는 리드편을 금속판으로부터 펀칭한 후에, 날개부를 절곡함으로써 리드가 제작된다.
일본 특허 공개 제2008-53726호 공보
그러나, 1매의 금속판으로부터 복수의 리드편을 펀칭하는 경우, 각 리드편이 날개부를 갖고 있으므로, 1매의 금속판으로부터 펀칭할 수 있는 리드편의 수를 늘리는 것은 곤란하다. 그 결과, 발광 장치의 제조 수율이 저하되어 버린다는 문제가 있다.
본 발명은, 상술한 상황을 감안하여 이루어진 것이며, 제조 수율의 저하를 억제 가능한 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법 및 패키지 어레이를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 제1 관점에 관한 발광 장치는, 발광 소자와, 성형체와 상기 성형체에 매설되는 리드에 의해 구성되는 대략 직육면체 형상의 패키지를 구비한다. 상기 패키지는, 광 출사면과, 상기 광 출사면의 반대쪽에 설치되는 배면과, 상기 광 출사면에 형성되어 있고, 상기 발광 소자가 적재되는 저면과 상기 저면에 이어지는 내주면을 갖는 적재 오목부를 갖는다. 상기 리드는, 상기 광 출사면측으로 돌출되고, 상기 적재 오목부의 상기 내주면에 있어서 상기 성형체로부터 노출되는 제1 볼록부와, 상기 제1 볼록부의 배면에 형성되는 제1 오목부를 갖는다.
따라서, 제1 오목부가 형성되어 있는 것으로부터 명백해지는 바와 같이, 제1 볼록부는, 배면측으로부터의 프레스 가공에 의해 형성되어 있다. 그 때문에, 1매의 리드 프레임으로부터 펀칭되는 리드편의 수를 늘릴 수 있으므로, 발광 장치의 제조 수율의 저하를 억제할 수 있다.
본 발명의 제2 관점에 관한 발광 장치는, 발광 소자와, 성형체와 상기 성형체에 매설되는 리드에 의해 구성되는 대략 직육면체 형상의 패키지를 구비한다. 상기 패키지는, 광 출사면과, 상기 광 출사면의 반대쪽에 설치되는 배면과, 상기 광 출사면 및 상기 배면에 이어지는 하면과, 상기 광 출사면 및 상기 하면에 이어지는 측면과, 상기 광 출사면에 형성되어 있고, 상기 발광 소자가 적재되는 저면을 갖는 적재 오목부를 갖는다. 상기 리드는, 상기 저면의 일부를 형성하는 접속부와, 상기 접속부의 상기 하면측에 이어지는 단자부를 갖는다. 상기 단자부는, 상기 광 출사면측으로 돌출되고, 상기 하면으로부터 상기 측면에 걸쳐 상기 성형체로부터 노출되는 볼록부를 갖는다.
여기서, 사이드 뷰형 발광 장치에서는, 높이에 대한 깊이의 비율이 작기 때문에 입위 안정성이 낮다는 문제가 있다. 그 때문에, 발광 장치의 실장 시에 있어서, 광 출사면의 반대쪽에 설치되는 배면을 실장면에 납땜하면, 발광 장치가 땜납에 의해 끌어당겨짐으로써 기울어져 버린다.
따라서, 제2 관점에 관한 발광 장치에서는, 단자부가, 패키지의 하면으로부터 측면에 걸쳐 노출되어 있기 때문에, 실장 시의 용융 땜납이 패키지의 하면으로부터 측면에 걸쳐 기어오르게 함으로써, 땜납의 표면 장력에 의한 응력이 측면 방향으로도 가해지도록 할 수 있다. 그 때문에, 발광 장치가 실장 시에 기우는 것을 억제할 수 있다.
본 발명에 따르면, 제조 수율의 저하를 억제 가능한 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법 및 패키지 어레이를 제공할 수 있다.
도 1은 실시 형태에 관한 발광 장치(100)의 정면 사시도이다.
도 2는 실시 형태에 관한 발광 장치(100)의 배면 사시도이다.
도 3은 실시 형태에 관한 발광 장치(100)의 정면도이다.
도 4는 실시 형태에 관한 발광 장치(100)의 배면도이다.
도 5는 제1 리드(50) 및 제2 리드(60)의 정면 사시도이다.
도 6은 제1 리드(50) 및 제2 리드(60)의 배면 사시도이다.
도 7은 도 3의 P-P 단면도이다.
도 8은 도 3의 Q-Q 단면도이다.
도 9는 실시 형태에 관한 금속판(70)의 평면도이다.
도 10은 도 9의 R1-R1선에 있어서의 단면도이다.
도 11은 실시 형태에 관한 리드 프레임(80)의 평면도이다.
도 12는 도 11의 R2-R2선에 있어서의 단면도이다.
도 13은 실시 형태에 관한 리드 프레임(80)의 평면도이다.
도 14는 도 13의 R3-R3선에 있어서의 단면도이다.
도 15는 실시 형태에 관한 리드 프레임(80)의 평면도이다.
도 16은 도 15의 R4-R4선에 있어서의 단면도이다.
도 17은 실시 형태에 관한 패키지 어레이(90)의 배면측 평면도이다.
도 18은 실시 형태에 관한 패키지 어레이(90)의 광 출사면측 평면도이다.
다음에, 도면을 사용하여, 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명한다. 이하의 도면의 기재에 있어서, 동일 또는 유사한 부분에는, 동일 또는 유사한 부호를 붙이고 있다. 단, 도면은 모식적인 것이며, 각 치수의 비율 등은 현실의 것과는 상이한 경우가 있다. 따라서, 구체적인 치수 등은 이하의 설명을 참작하여 판단해야 할 것이다. 또한, 도면 상호간에 있어서도 서로의 치수의 관계나 비율이 상이한 부분이 포함되어 있는 것은 물론이다.
또한, 이하의 실시 형태에서는, 발광 장치의 일례로서 사이드 뷰형 발광 장치에 대하여 설명한다. 사이드 뷰형 발광 장치란, 발광 소자의 출사광이 실장 기판의 실장면에 평행한 방향으로 취출되는 타입의 발광 장치이다. 단, 이하에 개시되는 기술은, 사이드 뷰형에 한하지 않고, 톱 뷰형 발광 장치에도 적용 가능하다. 톱 뷰형 발광 장치란, 발광 소자의 출사광이 실장 기판의 실장면에 수직인 방향으로 취출되는 타입의 발광 장치이다.
또한, 이하의 실시 형태에서는, 발광 소자의 출사광이 취출되는 방향을 "제1 방향"이라 칭하고, 발광 장치가 실장면에 실장된 경우에 실장면에 수직인 방향을 "제2 방향"이라 칭하고, 제1 방향 및 제2 방향에 수직인 방향을 "제3 방향"이라 칭한다.
<1> 발광 장치(100)의 개략 구성
실시 형태에 관한 발광 장치(100)의 개략 구성에 대하여, 도면을 참조하면서 설명한다. 도 1은 실시 형태에 관한 발광 장치(100)의 정면 사시도이다. 도 2는 실시 형태에 관한 발광 장치(100)의 배면 사시도이다. 도 3은 실시 형태에 관한 발광 장치(100)의 정면도이다. 도 4는 실시 형태에 관한 발광 장치(100)의 배면도이다.
발광 장치(100)는, 패키지(10)와, 발광 소자(20)와, 밀봉 수지(30)를 구비한다. 발광 장치(100)는, 사이드 뷰형 발광 장치이며, 제3 방향을 따라서 연장되는 대략 직육면체 형상의 외형을 갖는다. 발광 장치(100)에 있어서, 제1 방향에 있어서의 깊이는 1㎜ 정도, 제2 방향에 있어서의 높이는 1㎜ 정도, 제3 방향에 있어서의 폭은 3㎜ 정도이다. 단, 발광 장치(100)의 크기는 이것에 한정되는 것은 아니다.
(ⅰ) 패키지(10)
패키지(10)는, 대략 직육면체 형상의 외형을 갖고 있고, 발광 장치(100)의 외곽을 형성한다. 패키지(10)는, 성형체(40)와, 제1 리드(50)와, 제2 리드(60)에 의해 구성된다.
패키지(10)는, 광 출사면(10A)과, 배면(10B)과, 하면(10C)과, 상면(10D)과, 제1 측면(10E)과, 제2 측면(10F)과, 적재 오목부(11)를 갖는다.
광 출사면(10A)은, 제1 방향에 대하여 수직이다. 광 출사면(10A)으로부터는, 발광 소자(20)의 출사광이 취출된다. 광 출사면(10A)은, 성형체(40)에 의해 구성된다. 배면(10B)은, 광 출사면(10A)의 반대쪽에 설치된다. 하면(10C)은, 제2 방향에 대하여 수직이고, 광 출사면(10A) 및 배면(10B)에 이어진다. 하면(10C)은, 발광 장치(100)가 실장된 경우, 실장면에 접촉된다. 상면(10D)은 하면(10C)의 반대쪽에 설치된다. 제1 측면(10E)은, 제3 방향에 대하여 수직이다. 제2 측면(10F)은 제1 측면(10E)의 반대쪽에 설치된다.
적재 오목부(11)는 광 출사면(10A)에 형성된다. 적재 오목부(11)는 발광 소자(20)를 배치하기 위해서 형성되는 오목부이다. 적재 오목부(11)는 제3 방향을 따라서 연장되도록 형성된다. 적재 오목부(11)의 저면(11A)은, 발광 소자(20)를 적재하기 위한 적재면이다. 적재 오목부(11)의 내주면(11B)은, 저면(11A)과 광 출사면(10A)에 이어져, 발광 소자(20)를 둘러싸고 있다. 본 실시 형태에 있어서, 적재 오목부(11)는, 광 출사면(10A)측으로부터 배면(10B)측을 향하여 테이퍼 형상으로 형성되어 있다. 그 때문에, 적재 오목부(11)의 내주면(11B)은, 저면(11A)에 대하여 경사져 있어, 발광 소자(20)의 출사광을 반사하는 리플렉터로서 기능한다.
여기서, 도 1 및 도 3에 도시한 바와 같이, 적재 오목부(11)의 내주면(11B)에서는, 제1 리드(50)가 갖는 제1 단자 내측 노출면(52S) 및 제1 히트 싱크 내측 노출면(53S)과, 제2 리드(60)가 갖는 제2 단자 내측 노출면(62S)이, 성형체(40)로부터 노출되어 있다. 본 실시 형태에 있어서, 제1 단자 내측 노출면(52S), 제1 히트 싱크 내측 노출면(53S) 및 제2 단자 내측 노출면(62S)은, 「내측 노출면」의 일례이다.
또한, 도 2 및 도 4에 도시한 바와 같이, 배면(10B)에서는, 제1 리드(50)가 갖는 제1 배면측 노출면(50S)과, 제2 리드(60)가 갖는 제2 배면측 노출면(60S)이, 성형체(40)로부터 노출되어 있다.
제1 단자 내측 노출면(52S), 제1 히트 싱크 내측 노출면(53S) 및 제2 단자 내측 노출면(62S)은, 적재 오목부(11)의 내주면(11B)의 일부이고, 제1 배면측 노출면(50S) 및 제2 배면측 노출면(60S)은, 패키지(10)의 배면(10B)의 일부이다. 제1 리드(50) 및 제2 리드(60)의 구성에 대해서는 후술한다.
(ⅱ) 발광 소자(20)
발광 소자(20)는, 적재 오목부(11)의 저면(11A)에 적재된다. 발광 소자(20)는, 제1 와이어(21)에 의해 제1 리드(50)와 전기적으로 접속되고, 제2 와이어(22)에 의해 제2 리드(60)와 전기적으로 접속된다. 발광 소자(20)의 출사광은, 적재 오목부(11)로부터 제1 방향으로 취출된다.
발광 소자(20)는, 예를 들어 소위 발광 다이오드라 불리는 반도체 발광 소자이다. 발광 소자(20)로서는, 기판 상에 GaAlN, ZnS, SnSe, SiC, GaP, GaAlAs, AlN, InN, AlInGaP, InGaN, GaN, AlInGaN 등의 반도체를 발광층으로서 갖는 것이 적절하게 사용되지만, 이것에 한정되는 것은 아니다.
또한, 발광 소자(20)에는, 페이스 업 구조나 페이스 다운 구조를 채용할 수 있다. 발광 소자(20)의 크기는 특별히 한정되지 않지만, 한 변이 350㎛인 직사각형, 한 변이 500㎛인 직사각형, 한 변이 1㎜인 직사각형 정도이면 된다.
(ⅲ) 밀봉 수지(30)
밀봉 수지(30)는, 적재 오목부(11)에 충전되어 있고, 발광 소자(20)를 밀봉한다. 밀봉 수지(30)로서는, 투광성을 갖는 수지, 예를 들어 폴리올레핀계 수지, 폴리카르보네이트 수지, 폴리스티렌 수지, 에폭시 수지, 아크릴 수지, 아크릴레이트 수지, 메타크릴 수지(PMMA 등), 우레탄 수지, 폴리이미드 수지, 폴리노르보르넨 수지, 불소 수지, 실리콘 수지, 변성 실리콘 수지, 변성 에폭시 수지 등으로부터 선택되는 적어도 1종의 수지를 사용할 수 있다. 또한, 이러한 재료에는, 예를 들어 WO2006/038502호, 일본 특허 공개 제2006-229055호에 기재된 형광체 또는 안료, 필러 또는 확산재 등이 함유되어 있어도 된다.
<2> 성형체(40)
성형체(40)는 패키지(10)의 외형을 이룬다. 성형체(40)는, 제1 리드(50) 및 제2 리드(60)를 덮음으로써, 제1 리드(50) 및 제2 리드(60)를 지지하고 있다.
성형체(40)는, 발광 소자(20)의 출사광이나 외광 등이 투과하기 어려운 절연성 재료에 의해 구성되어 있고, 내열성과 적당한 강도를 갖고 있다. 이러한 절연성 재료로서는, 열경화성 수지인 트리아진 유도체 에폭시 수지가 적합하다. 열경화성 수지로서는, 산무수물, 산화 방지제, 이형재, 광반사 부재, 무기 충전재, 경화 촉매, 광안정제, 활제가 함유되어 있어도 된다. 광반사 부재로서는, 0 내지 90wt％, 바람직하게는 10 내지 60wt％ 충전되는 이산화티타늄을 사용할 수 있다. 단, 성형체(40)를 구성하는 재료는 이것에 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 열경화성 수지 중, 에폭시 수지, 변성 에폭시 수지, 실리콘 수지, 변성 실리콘 수지, 아크릴레이트 수지, 우레탄 수지로부터 선택되는 적어도 1종의 수지를 사용할 수 있다. 특히, 에폭시 수지, 변성 에폭시 수지, 실리콘 수지, 변성 실리콘 수지는, 성형체(40)의 재료로서 적합하다. 또한, 성형체(40)를 구성하는 재료로서, 액정 중합체, 폴리프탈아미드 수지, 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT) 등의 열가소성 수지를 사용할 수도 있다.
<3> 제1 리드(50)
도 5는 제1 리드(50) 및 제2 리드(60)의 정면 사시도이다. 도 6은 제1 리드(50) 및 제2 리드(60)의 배면 사시도이다. 도 5 및 도 6에서는, 성형체(10)의 외곽이 파선으로 도시되어 있다.
제1 리드(50)는, 제1 접속부(51)와, 제1 단자부(52)와, 제1 히트 싱크부(53)를 갖는다. 단, 제1 접속부(51)와, 제1 단자부(52)와, 제1 히트 싱크부(53)는, 일체적으로 형성되어 있어, 서로의 경계는 명확하게는 정해져 있지 않다.
제1 리드(50)는, 발광 소자(20)로부터 발생하는 열의 방산성을 고려하여, 큰 열전도율(예를 들어, 200W/(mㆍK) 정도 이상)을 갖는 재료에 의해 구성되는 것이 바람직하다. 이러한 제1 리드(50)는, 예를 들어 Ni, Au, Cu, Ag, Mo, W, 알루미늄, 금, 철 등의 금속, 또는, 철-니켈 합금, 인청동, 철 함유 구리 등의 합금의 단판 혹은 적층판을 사용하여 제작할 수 있다. 또한, 제1 리드(50)의 표면에는, Ag 도금이 실시되어 있다.
(ⅰ) 제1 접속부(51)
제1 접속부(51)는, 판상으로 형성되어 있고, 제2 방향 및 제3 방향을 따라서 배치된다. 제1 접속부(51)는, 적재 오목부(11)의 저면(11A)의 일부를 형성한다. 구체적으로, 제1 접속부(51)는, 저면(11A)의 일부인 제1 접속면(51S)을 갖는다. 제1 접속면(51S)에는, 발광 소자(20)가 적재됨과 함께, 제1 와이어(21)를 통하여 발광 소자(20)가 전기적으로 접속된다.
(ⅱ) 제1 단자부(52)
제1 단자부(52)는 발광 장치(100)의 캐소드이다. 제1 단자부(52)는, 제1 접속부(51) 중 하면(10C)측의 외측 모서리에 이어지는 「외측 모서리부」의 일례이다. 본 실시 형태에 있어서, 제1 단자부(52)는, 제1 접속부(51) 중 제1 측면(10E)측의 하측 코너에 연결되어 있다. 제1 단자부(52)는, 배면(10B), 하면(10C) 및 제1 측면(10E)에 있어서 성형체(40)로부터 노출된다.
제1 단자부(52)는, 도 5 및 도 6에 도시한 바와 같이, 제1 단자 볼록부(520)(「볼록부」의 일례)와 제1 단자 오목부(521)(「오목부」의 일례)를 갖는다. 제1 단자 볼록부(520)와 제1 단자 오목부(521)는, 후술하는 바와 같이, 프레스 가공에 의해 형성된다. 또한, 발광 장치(100)의 실장 시, 제1 단자 오목부(521)에는 땜납 필렛의 일부가 충전된다.
여기서, 도 7은 도 3의 P-P 단면도이다. 도 7에 도시한 바와 같이, 제1 단자부(52)는, 연장부(520a), 제1 볼록부(520b), 제2 볼록부(520c), 제1 오목부(521a) 및 제2 오목부(521b)를 갖는다. 연장부(520a), 제1 볼록부(520b) 및 제2 볼록부(520c)는, 제1 단자 볼록부(520)를 구성하고, 제1 오목부(521a) 및 제2 오목부(521b)는 제1 단자 오목부(521)를 구성한다.
연장부(520a)는, 제1 접속부(51) 중 하면(10C)측의 외측 모서리로부터 패키지(10)의 배면(10B)을 향하여 연장된다. 본 실시 형태에 있어서, 연장부(520a)는, 제1 히트 싱크부(53)의 외측 모서리에 이어져 있다. 연장부(520a)는, 배면(10B)에 있어서 성형체(40)로부터 노출된다. 연장부(520a)는, 제1 리드(50)의 제1 배면측 노출면(50S)의 일부를 형성하고 있다.
제1 볼록부(520b)는, 연장부(520a)의 광 출사면(10A)측에 배치되고, 제1 접속부(51)의 광 출사면(10A)측으로 돌출된다. 제1 볼록부(520b)의 광 출사면(10A)측에는, 성형체(40)가 배치되어 있다. 제1 볼록부(520b)는, 적재 오목부(11)의 내주면(11B)에 있어서 성형체(40)로부터 노출되는 제1 단자 내측 노출면(52S)을 갖는다. 제1 단자 내측 노출면(52S)은, 적재 오목부(11)의 저면(11A)(제1 접속면(51S))에 이어져 있고, 저면(11A)에 대하여 비스듬하게 배치되어 있다.
제2 볼록부(520c)는, 제1 볼록부(520b)의 광 출사면(10A)측에 배치되고, 제1 접속부(51)의 광 출사면(10A)측으로 돌출되어 있다. 제2 볼록부(520c)의 광 출사면(10A)측은, 성형체(40)에 의해 덮여 있다. 또한, 제2 볼록부(520c)는 패키지(10)의 하면(10C)에 노출된다.
제1 오목부(521a)는, 패키지(10)의 배면(10B)으로부터 제1 볼록부(520b)를 향하여 형성되는 오목부이다. 본 실시 형태에 있어서, 제1 오목부(521a)는, 연장부(520a) 및 제1 볼록부(520b)의 내측에 형성된다. 제1 오목부(521a)는, 패키지(10)의 배면(10B), 하면(10C) 및 제1 측면(10E)의 각각에 이어져 개구된다.
제2 오목부(521b)는, 제1 오목부(521a)로부터 제2 볼록부(520c)를 향하여 형성된다. 본 실시 형태에 있어서, 제2 오목부(521b)는, 제2 볼록부(520c)의 내측에 형성된다. 제2 오목부(521b)는, 패키지(10)의 하면(10C) 및 제1 측면(10E)의 각각에 이어져 개구된다.
(ⅲ) 제1 히트 싱크부(53)
제1 히트 싱크부(53)는 발광 장치(100)의 방열부이다. 제1 히트 싱크부(53)는, 제1 접속부(51) 중 하면(10C)측의 외측 모서리에 이어지는 「외측 모서리부」의 일례이다. 본 실시 형태에 있어서, 제1 히트 싱크부(53)는, 제1 접속부(51)의 배면(10B)측 및 하면(10C)측에 연결되어 있다. 제1 히트 싱크부(53)는, 배면(10B) 및 하면(10C)에 있어서 성형체(40)로부터 노출된다.
제1 히트 싱크부(53)는, 도 5 및 도 6에 도시한 바와 같이, 제1 히트 싱크 볼록부(530)와 제1 히트 싱크 오목부(531)를 갖는다. 제1 히트 싱크 볼록부(530)(「볼록부」의 일례)와 제1 히트 싱크 오목부(531)(「오목부」의 일례)는, 후술하는 바와 같이, 프레스 가공에 의해 형성된다. 또한, 발광 장치(100)의 실장 시, 제1 히트 싱크 오목부(531)의 내부에는 땜납 필릿이 배치된다.
여기서, 도 8은 도 3의 Q-Q 단면도이다. 도 8에 도시한 바와 같이, 제1 히트 싱크부(53)는, 연장부(530a), 제1 볼록부(530b), 제2 볼록부(530c), 배면부(530d), 제1 오목부(531a) 및 제2 오목부(531b)를 갖는다. 연장부(530a), 제1 볼록부(530b) 및 제2 볼록부(530c)는, 제1 단자 볼록부(530)를 구성하고, 제1 오목부(531a) 및 제2 오목부(531b)는, 제1 단자 오목부(531)를 구성한다.
연장부(530a)는, 제1 접속부(51) 중 하면(10C)측의 외측 모서리로부터 패키지(10)의 배면(10B)을 향하여 연장된다. 본 실시 형태에 있어서, 연장부(530a)는, 배면부(530d) 중 하면(10C)측의 외측 모서리에 이어져 있다. 연장부(530a)는, 배면(10B)에 있어서 성형체(40)로부터 노출된다. 연장부(530a)는, 제1 리드(50)의 제1 배면측 노출면(50S)의 일부를 형성하고 있다.
제1 볼록부(530b)는, 연장부(530a)의 광 출사면(10A)측에 배치되고, 제1 접속부(51)의 광 출사면(10A)측으로 돌출되다. 제1 볼록부(530b)의 광 출사면(10A)측에는, 성형체(40)가 배치되어 있다. 제1 볼록부(530b)는, 적재 오목부(11)의 내주면(11B)에 있어서 성형체(40)로부터 노출되는 제1 히트 싱크 내측 노출면(53S)을 갖는다. 본 실시 형태에 있어서, 제1 볼록부(530b)는, 발광 소자(20)의 하면(10C)측에 배치되어 있고, 제1 히트 싱크 내측 노출면(53S)은, 발광 소자(20)의 하단부에 인접하여 대향한다. 제1 히트 싱크 내측 노출면(53S)은, 적재 오목부(11)의 저면(11A)에 비스듬하게 이어진다. 제1 히트 싱크 내측 노출면(53S)은, 저면(11A)에 대하여 둔각 α를 이루고 있다.
제2 볼록부(530c)는, 제1 볼록부(530b)의 광 출사면(10A)측에 배치되고, 제1 접속부(51)의 광 출사면(10A)측으로 돌출되어 있다. 제2 볼록부(530c)의 외면(제2 볼록부(530c)의 광 출사면(10A)측을 포함함)은, 성형체(40)에 의해 덮여 있다. 또한, 제2 볼록부(530c)는 패키지(10)의 하면(10C)에 노출된다.
배면부(530d)는, 제1 접속부(51)의 배면(10B)측에 배치된다. 배면부(530d)는, 배면(10B)에 있어서 성형체(40)로부터 노출된다. 배면부(530d)는, 제1 리드(50)의 제1 배면측 노출면(50S)의 일부를 형성하고 있다. 배면부(530d)는, 발광 소자(20)로부터 제1 접속부(51)를 통하여 전달되는 열을 제1 배면측 노출면(50S)으로부터 공기 중에 방출한다.
제1 오목부(531a)는, 패키지(10)의 배면(10B)으로부터 제1 볼록부(530b)를 향하여 형성되는 오목부이다. 본 실시 형태에 있어서, 제1 오목부(531a)는, 연장부(530a) 및 제1 볼록부(530b)의 내측에 형성된다. 제1 오목부(531a)는, 패키지(10)의 배면(10B) 및 하면(10C)의 각각에 이어져 개구된다.
제2 오목부(531b)는, 제1 오목부(531a)로부터 제2 볼록부(530c)를 향하여 형성된다. 본 실시 형태에 있어서, 제2 오목부(531b)는, 제2 볼록부(530c)의 내측에 형성된다. 제2 오목부(531b)는 패키지(10)의 하면(10C)에 개구된다.
<4> 제2 리드(60)
제2 리드(60)는, 도 5 및 도 6에 도시한 바와 같이, 제2 접속부(61)와, 제2 단자부(62)와, 제2 히트 싱크부(63)를 갖는다. 제2 리드(60)의 표면에는, Ag 도금이 실시되어 있다.
제2 접속부(61)는, 제1 리드(50)의 제1 접속부(51)와 마찬가지로, 적재 오목부(11)의 저면(11A)의 일부인 제2 접속면(61S)을 갖는다. 제2 접속면(61S)에는, 제2 와이어(22)를 통하여 발광 소자(20)가 전기적으로 접속된다.
제2 단자부(62)는 발광 장치(100)의 애노드이다. 제2 단자부(62)는, 제2 단자 볼록부(620)와 제2 단자 오목부(621)를 갖는다. 제2 단자 볼록부(620) 및 제2 단자 오목부(621)의 구성은, 제1 단자 볼록부(520) 및 제1 단자 오목부(521)의 구성과 마찬가지이므로 설명을 생략한다. 또한, 발광 장치(100)의 실장 시, 제2 단자 오목부(621)에는 땜납 필릿의 일부가 충전된다.
제2 히트 싱크부(63)는 발광 장치(100)의 방열부이다. 제2 히트 싱크부(63)는 제2 접속부(61)의 배면(10B)측에 연결되며, 배면(10B)에 있어서 성형체(40)로부터 노출된다. 제2 히트 싱크부(63)의 구성은, 제1 히트 싱크부(53)의 배면부(530d)의 구성과 마찬가지이므로 설명을 생략한다.
또한, 제2 단자부(62)는, 제2 접속부(61) 중 하면(10C)측의 외측 모서리에 이어지는 「외측 모서리부」의 일례이다.
<5> 발광 장치(100)의 제조 방법
다음에, 실시 형태에 관한 복수의 발광 장치(100)를 일괄하여 제조하는 방법에 대하여, 도 9 내지 도 18을 참조하면서 설명한다.
(ⅰ) 펀칭 공정
도 9는 본 실시 형태에 관한 금속판(70)의 평면도이다. 도 10은 도 9의 R1-R1선에 있어서의 단면도이다. 도 11은 본 실시 형태에 관한 리드 프레임(80)의 평면도이다. 도 12는 도 11의 R2-R2선에 있어서의 단면도이다.
우선, 도 9 및 도 10에 도시한 바와 같이, 제1 면(70A)과, 제1 면(70A)의 반대쪽에 설치되는 제2 면(70B)을 갖는 금속판(70)(본 실시 형태에서는, Ag 도금이 미리 실시된 Cu판)을 준비한다. 금속판(70)은, 제1 두께 t1(예를 들어, 0.5㎜ 정도)을 갖는다.
다음에, 도 11 및 도 12에 도시한 바와 같이, 소정의 금형으로 펀칭 가공함으로써, 금속판(70)에 복수의 펀칭 구멍 U를 형성한다. 이에 의해, 소정 형상의 리드 프레임(80)을 형성한다. 본 실시 형태에 있어서, 리드 프레임(80)은, 제1 리드편(81A)과 제2 리드편(81B)을 포함하는 한 쌍의 리드편(81)(도 11에 있어서 파선으로 둘러싸인 영역)이 매트릭스 형상으로 교대로 연결된 형상을 갖는다.
(ⅱ) 프레스 공정
도 13은 본 실시 형태에 관한 리드 프레임(80)의 평면도이다. 도 14는 도 13의 R3-R3선에 있어서의 단면도이다. 도 15는 본 실시 형태에 관한 리드 프레임(80)의 평면도이다. 도 16은 도 15의 R4-R4선에 있어서의 단면도이다.
우선, 도 13 및 도 14에 도시한 바와 같이, 리드 프레임(80)의 제1 면(70A)에 프레스 가공을 실시함으로써, 제1 면(70A)에 복수의 제1 오목부(82A) 및 복수의 제1 오목부(82B)를 형성함과 함께, 제2 면(70B)으로부터 돌출되는 복수의 제1 볼록부(83A) 및 복수의 제1 볼록부(83B)를 형성한다. 이때, 도시하지 않지만, 제1 볼록부(83A)의 측면에는, 제1 히트 싱크 내측 노출면(53S)에 대응하는 경사면이 형성된다.
또한, 이때, 도 13에 도시한 바와 같이, 소정의 금형으로 리드 프레임(80)을 하프 블랭킹 가공함으로써, 제1 리드편(81A) 및 제2 리드편(81B) 각각의 외측 모서리의 두께를 제1 두께 t1보다도 얇은 제2 두께 t2(예를 들어, 0.3㎜ 정도)로 한다. 이에 의해, 후술하는 패키지 어레이(90)(도 17 참조)에 있어서, 리드 프레임(80)과 수지 재료의 밀착 면적을 증대시킬 수 있다.
다음에, 도 15 및 도 16에 도시한 바와 같이, 제1 오목부(82A) 및 제1 오목부(82B)의 대략 중심에 프레스 가공을 실시함으로써, 복수의 제2 오목부(84)를 형성함과 함께, 제1 오목부(82A) 및 제1 오목부(82B) 각각으로부터 돌출되는 복수의 제2 볼록부(85)를 형성한다.
(ⅲ) 트랜스퍼 몰드 공정
다음에, 소정의 상부 금형과 하부 금형 사이에 리드 프레임(80)을 고정하고, 상부 금형과 하부 금형 사이에 수지 재료를 주입한다. 계속해서, 수지 재료를 소정 온도에서 가열 경화시킴으로써, 패키지 어레이(90)를 제작한다.
도 17은 본 실시 형태에 관한 패키지 어레이(90)의 배면측 평면도이다. 도 18은 본 실시 형태에 관한 패키지 어레이(90)의 광 출사면측 평면도이다.
도 17 및 도 18에 도시한 바와 같이, 패키지 어레이(90)는, 상술한 패키지(10)와 동일한 구성을 갖는 복수의 패키지(10')(도 17 및 도 18에 있어서 파선으로 둘러싸인 영역)가 서로 연결된 구성을 갖는다.
구체적으로, 각 패키지(10')에서는, 제1 리드편(81A)과 제2 리드편(81B)을 포함하는 한 쌍의 리드편(81)이 성형 수지판(40')에 매설되어 있다. 각 패키지(10')는, 광 출사면(10A)과, 배면(10B)과, 광 출사면(10A)에 형성된 적재 오목부(11')를 갖는다. 제1 리드편(81A)은, 적재 오목부(11')의 내주면에 노출되는 제1 볼록부(82A)(제1 히트 싱크부(53)의 제1 볼록부(530b)에 대응) 및 제1 볼록부(82B)(제1 단자부(52)의 제1 볼록부(520b)에 대응)를 갖고 있다.
(ⅳ) 발광 소자 접속 공정
다음에, 각 적재 오목부(11') 내에 발광 소자(20)를 접속함으로써, 발광 장치 어레이를 제작한다. 구체적으로는, 제1 리드편(81A) 상에 발광 소자(20)를 적재하고, 발광 소자(20)와 제1 리드편(81A)을 제1 와이어(21)로 접속함과 함께, 발광 소자(20)와 제2 리드편(81B)을 제2 와이어(22)로 접속한다.
(ⅴ) 다이싱 공정
다음에, 다이싱 쏘오에 의해 발광 장치 어레이를 절단함으로써, 발광 장치 어레이로부터 복수의 발광 장치(100)를 잘라낸다. 그 후, 발광 장치 어레이의 다이싱 소어에 의한 절단면에 Ag 도금을 실시함으로써, 리드편과 성형체 사이의 간극을 Ag로 매립함과 함께, 노출된 Cu 부분을 Ag로 덮는다. 이에 의해, 간극으로부터의 수분의 침윤이 억제됨과 함께, 리드의 땜납 습윤성이 향상된다.
<6> 작용 및 효과
(ⅰ) 실시 형태에 관한 발광 장치(100)에 있어서, 제1 리드(50)는, 제1 접속부(51)에 이어지는 제1 히트 싱크부(53)를 갖는다. 제1 히트 싱크부(53)는, 적재 오목부(11)의 내주면(11B)에 있어서 성형체(40)로부터 노출되는 제1 볼록부(530b)와, 제1 볼록부(530b)의 배면에 형성되는 제1 오목부(531a)를 포함한다.
이와 같이, 내주면(11B)에 제1 볼록부(530b)가 노출되어 있으므로, 발광 소자(20)의 출사광을 제1 볼록부(530b)에서 받을 수 있다. 그 때문에, 발광 소자(20)의 출사광에 의한 내주면(11B)에 있어서의 수지의 열화나 변색을 억제할 수 있다.
또한, 제1 오목부(531a)가 형성되어 있는 것으로부터 명백해지는 바와 같이, 제1 볼록부(530b)는, 배면(10B)측으로부터의 프레스 가공에 의해 형성되어 있다. 구체적으로, 본 실시 형태에서는, 리드 프레임(80)의 제1 면(70A)에 프레스 가공을 실시함으로써, 제1 리드편(81A)에 제1 오목부(82A)와 제1 볼록부(83A)가 형성된다. 그 때문에, 1매의 리드 프레임(80)으로부터 펀칭되는 리드편의 수를 늘릴 수 있으므로, 발광 장치(100)의 제조 수율의 저하를 억제할 수 있다.
또한, 제1 리드(50)는, 적재 오목부(11)의 저면(11A)의 일부를 형성하는 제1 접속부(51)와, 제1 접속부(51)의 외측 모서리에 이어지는 제1 단자부(52)(외측 모서리부의 일례)를 갖는다. 제1 단자부(52)는, 제1 볼록부(520b) 및 제1 오목부(521a)를 갖는다. 따라서, 제1 단자부(52)에 있어서도, 상술과 마찬가지의 효과를 발휘할 수 있다.
(ⅱ) 제1 히트 싱크부(53)는, 제1 볼록부(530b)의 광 출사면(10A)측으로 돌출되는 제2 볼록부(530c)를 더 포함한다. 제2 볼록부(530c)의 광 출사면(10A)측은, 성형체(40)로 덮여 있다.
이와 같이, 제1 볼록부(530b) 상에 계단 형상으로 형성된 제2 볼록부(530c)를 성형체(40)로 덮음으로써, 제1 리드(50)와 성형체(40)의 밀착력을 향상시킬 수 있다.
(ⅲ) 성형체(40)는, 제1 볼록부(530b)의 광 출사면(10A)측에 설치되어 있다. 따라서, 제1 리드(50)와 성형체(40)의 밀착력을 더욱 향상시킬 수 있다.
(ⅳ) 제1 볼록부(530b)는, 제1 접속부(51)의 하면(10C)측에 배치되어 있다. 따라서, 제1 볼록부(530b)가 제1 접속부(51)의 제1 측면(10E)측이나 상면(10D)측에 배치되는 경우에 비해, 제1 리드(50)의 무게 중심을 하방 또한 전방으로 이동시킬 수 있다. 그 때문에, 사이드 뷰형 발광 장치(100)의 입위 안정성을 향상시킬 수 있다.
(ⅴ) 제1 볼록부(530b)는, 적재 오목부(11)의 저면(11A)에 대하여 둔각 α를 이루는 제1 히트 싱크 내측 노출면(53S)을 갖는다. 따라서, 제1 히트 싱크 내측 노출면(53S)을 리플렉터로서 이용함으로써, 발광 장치(100)로부터 취출되는 광량을 증대시킬 수 있다.
또한, 이상의 효과는, 제1 접속부(51)에 이어지는 제1 단자부(52) 및 제2 접속부(61)에 이어지는 제2 단자부(62)에 있어서도 마찬가지로 얻을 수 있다.
(ⅵ) 제1 볼록부(530b)는, 발광 소자(20)의 하면(10C)측에 배치되어 있고, 제1 히트 싱크 내측 노출면(53S)은, 발광 소자(20)의 하단부에 인접하여 대향한다. 따라서, 발광 소자(20)의 출사광을 제1 히트 싱크 내측 노출면(53S)에 있어서 받기 쉽기 때문에, 내주면(11B)에 있어서의 수지의 열화나 변색을 보다 억제할 수 있음과 함께, 발광 소자(20)의 출사광을 효율적으로 반사할 수 있다.
(ⅶ) 또한, 제1 리드(50)는, 적재 오목부(11)의 저면(11A)의 일부를 형성하는 제1 접속부(51)와, 제1 접속부(51)의 하면(10C)측에 이어지는 제1 단자부(52)를 갖는다. 제1 단자부(52)는, 광 출사면(10A)측으로 돌출되고, 하면(10C)으로부터 측면(10E)에 걸쳐 성형체(40)로부터 노출되는 제1 볼록부(520)(볼록부의 일례)를 갖는다.
이와 같이, 제1 단자부(52)가, 패키지(10)의 하면(10C)으로부터 측면(10E)에 걸쳐 노출되어 있기 때문에, 실장 시의 용융 땜납이 패키지(10)의 하면(10C)으로부터 측면(10E)에 걸쳐 기어오르게 함으로써, 땜납의 표면 장력에 의한 응력이 측면 방향으로도 가해지도록 할 수 있다. 그 때문에, 발광 장치(100)가 실장 시에 기우는 것을 억제할 수 있다.
(ⅷ) 제1 단자부(52)는, 배면(10B)에 있어서 성형체(40)로부터 노출되어 있다. 따라서, 발광 소자(20)로부터 발생하는 열을 제1 단자부(52)의 배면(10B)측으로부터 공기 중에 효율적으로 방산시킬 수 있다.
(ix) 제1 단자부(52)는, 제1 볼록부(520b) 및 제2 볼록부(520c)의 배면에 형성되는 제1 단자 오목부(521)(오목부의 일례)를 포함한다. 따라서, 땜납 필릿의 일부를 제1 단자 오목부(521)에 충전시킴으로써, 발광 장치(100)를 견고하게 실장할 수 있음과 함께, 발광 소자(20)로부터 발생하는 열을 땜납 필릿을 통하여 실장 기판에 효율적으로 전달시킬 수 있다.
(x) 제1 단자 볼록부(520)(구체적으로는, 제1 볼록부(520b))는, 적재 오목부(11)의 내주면(11B)에 있어서 성형체(40)로부터 노출되어 있다. 따라서, 발광 소자(20)의 출사광을 제1 볼록부(520b)에서 받을 수 있으므로, 발광 소자(20)의 출사광에 의한 내주면(11B)의 열화나 변색을 억제할 수 있다.
또한, 이상의 효과는, 제1 접속부(51)에 이어지는 제1 히트 싱크부(53) 및 제2 접속부(61)에 이어지는 제2 단자부(62)에 있어서도 마찬가지로 얻을 수 있다.
또한, 제1 히트 싱크부(53)에서는, 제1 히트 싱크 볼록부(530)가 성형체(40)에 매설되어 있으므로, 제1 리드(50)와 성형체(40)의 밀착력을 향상시킬 수 있다.
<7> 그 밖의 실시 형태
본 발명은 상기의 실시 형태에 의해 기재하였지만, 이 개시의 일부를 이루는 논술 및 도면은 본 발명을 한정하는 것이라고 이해해서는 안된다. 이 개시로부터 당업자에게는 다양한 대체 실시 형태, 실시예 및 운용 기술이 명확해질 것이다.
(A) 상기 실시 형태에 있어서, 발광 장치(100)는, 1개의 발광 소자(20)를 구비하는 것으로 하였지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 발광 장치(100)는, 복수의 발광 소자(20)를 구비하고 있어도 된다. 이 경우, 복수의 발광 소자(20) 각각에 대응하도록, 제1 단자부(52), 제1 히트 싱크부(53) 및 제2 단자부(62) 각각의 볼록부를 배치해도 된다. 이에 의해, 발광 소자(20)의 수를 많게 한 경우에 있어서도, 성형체(40)의 열화나 변색을 억제할 수 있다.
(B) 상기 실시 형태에 있어서, 외측 모서리부는, 2회의 프레스 가공에 의해 형성되는 2단의 볼록부를 갖는 것으로 하였지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 복수회의 프레스 가공에 의해 1단의 볼록부를 형성해도 되고, 1회의 프레스 가공에 의해 복수단의 볼록부를 형성해도 된다.
(C) 상기 실시 형태에 있어서, 볼록부의 단면 형상을 직사각형으로 하는 것으로 하였지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 볼록부의 단면 형상은, 사다리꼴이나 반원형 등이어도 된다. 볼록부의 단면 형상은, 리드 프레임(80)의 제2 면(70B)측에 접촉되는 금형의 형상에 따라서 적절히 변경 가능하다.
(D) 상기 실시 형태에서는, 트랜스퍼 몰드법에 의해 성형 수지판(40')을 형성하는 것으로 하였지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 성형 수지판(40')은, 가열되어 점토 형상으로 된 수지 재료를 사용하는 압축 성형법에 의해 형성해도 된다.
(E) 상기 실시 형태에서는, 프레스 가공에 의해 리드 프레임(80)을 하프 블랭킹 가공하는 것으로 하였지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 리드 프레임(80)의 하프 블랭킹 가공에는, 에칭법(하프 에칭법을 포함함)을 사용할 수 있다.
(F) 상기 실시 형태에서는, 발광 장치(100)는, 제1 단자 오목부(521)에 대응하는 제1 단자 볼록부(520)와, 제1 히트 싱크 오목부(531)에 대응하는 제1 히트 싱크 볼록부(530)와, 제2 단자 오목부(621)에 대응하는 제2 단자 볼록부(620)를 구비하는 것으로 하였지만, 이들 중 적어도 하나의 볼록부를 구비하고 있으면 된다. 이때, 예를 들어 발광 장치(100)가 제1 단자 볼록부(520)를 구비하지 않는 경우라도, 에칭법(하프 에칭법을 포함함)에 의해 제1 단자 오목부(521)를 형성할 수 있다.
(G) 상기 실시 형태에서는, 제1 히트 싱크부(53)는, 배면부(530d)를 구비하는 것으로 하였지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 제1 히트 싱크부(53)는, 배면부(530d)를 구비하지 않아도 된다.
(H) 상기 실시 형태에서는, 외측 모서리부의 일례로서, 제1 단자부(52), 제1 히트 싱크부(53) 및 제2 접속부(61)를 예로 들어 설명하였지만, 외측 모서리부의 위치는 이것에 한정되는 것은 아니다. 또한, 외측 모서리부는, 제1 접속부(51) 및 제2 접속부(61) 각각을 둘러싸도록 형성되어 있어도 된다.
(I) 상기 실시 형태에서는, 각 제1 볼록부 및 각 제2 볼록부의 광 출사면(10A)측에는, 성형체(40)가 배치되는 것으로 하였지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 각 제1 볼록부 및 각 제2 볼록부는, 광 출사면(10A)에 노출되어 있어도 된다. 이 경우에는, 내주면(11B)에 노출되는 「내측 노출면」의 높이를 크게 할 수 있으므로, 내주면(11B)의 열화나 변색을 보다 억제할 수 있다.
(J) 상기 실시 형태에서는, 외측 모서리부는, 배면에 형성되는 오목부를 갖는 것으로 하였지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 외측 모서리부는, 오목부를 갖지 않아도 된다.
(K) 상기 실시 형태에서는, 제1 오목부(82A) 및 제1 오목부(82B)의 대략 중심에 프레스 가공을 실시함으로써, 복수의 제2 오목부(84)를 형성함과 함께, 제1 오목부(82A) 및 제1 오목부(82B) 각각으로부터 돌출되는 복수의 제2 볼록부(85)를 형성하는 것으로 하였지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 프레스 가공에 의해 제2 오목부(84) 및 제2 볼록부(85)를 형성한 후, 제2 오목부(84)의 주변을 프레스 가공함으로써, 제2 오목부(84)보다도 직경이 큰 제1 오목부(82A) 및 제1 오목부(82B)를 형성함과 함께, 제1 볼록부(83A) 및 제1 볼록부(83B)를 형성할 수 있다.
(L) 상기 실시 형태에서는, 리드 프레임(80)을 하프 블랭킹 가공함으로써, 제1 리드편(81A) 및 제2 리드편(81B) 각각의 외측 모서리의 두께를 제1 두께 t1보다도 얇은 제2 두께 t2(예를 들어, 0.3㎜ 정도)로 하는 것으로 하였지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 리드 프레임(80)을 하프 블랭킹 가공하는 공정은 생략해도 된다.
(M) 상기 실시 형태에서는, 제1 볼록부(530b)는, 발광 소자(20)의 하면(10C)측에 배치되는 것으로 하였지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 제1 볼록부(530b)는 발광 소자(20)의 상면(10D)측에 배치되어도 된다.
이와 같이, 본 발명은 여기에서는 기재하지 않은 다양한 실시 형태 등을 포함하는 것은 물론이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 상기의 설명으로부터 타당한 특허 청구 범위에 관한 발명 특정 사항에 의해서만 정해지는 것이다.
10 : 패키지
20 : 발광 소자
21 : 제1 와이어
22 : 제2 와이어
30 : 밀봉 수지
40 : 성형체
50 : 제1 리드
51 : 제1 접속부
52 : 제1 단자부(「외측 모서리부」의 일례)
520 : 제1 단자 볼록부
520a : 연장부
520b : 제1 볼록부
520c : 제2 볼록부
521 : 제1 단자 오목부
521a : 제1 오목부
521b : 제2 오목부
52S : 제1 단자 내측 노출면
53 : 제1 히트 싱크부(「외측 모서리부」의 일례)
530 : 제1 단자 볼록부
530a : 연장부
530b : 제1 볼록부
530c : 제2 볼록부
531 : 제1 단자 오목부
531a : 제1 오목부
531b : 제2 오목부
53S : 제1 히트 싱크 내측 노출면
60 : 제2 리드
61 : 제2 접속부
62 : 제2 단자부(「외측 모서리부」의 일례)
63 : 제2 히트 싱크부
70 : 금속판
80 : 리드 프레임
90 : 패키지 어레이
10A : 광 출사면
10B : 배면
10C : 하면
10D : 상면
10E : 제1 측면
10F : 제2 측면
11 : 적재 오목부
11A : 적재 오목부(11)의 저면
11B : 적재 오목부(11)의 내주면

Claims (14)

  1. 발광 소자와,
    성형체와 상기 성형체에 매설되는 리드에 의해 구성되는 직육면체 형상의 패키지를 구비하고,
    상기 패키지는, 광 출사면과, 상기 광 출사면의 반대쪽에 설치되는 배면과, 상기 광 출사면과 상기 배면에 이어지는 하면과, 상기 광 출사면에 형성되어 있고, 상기 발광 소자가 적재되는 저면과 상기 저면에 이어지는 내주면을 갖는 적재 오목부를 갖고,
    상기 리드는, 상기 광 출사면측으로 돌출되고, 상기 적재 오목부의 상기 내주면에 있어서 상기 성형체로부터 노출되는 제1 볼록부와, 상기 제1 볼록부의 배면에 형성되는 제1 오목부를 갖고,
    상기 제1 오목부는 상기 배면과 상기 하면에 이어져 개구되는 발광 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 리드는, 상기 적재 오목부의 상기 저면의 일부를 형성하는 접속부와, 상기 접속부의 외측 모서리에 이어지는 외측 모서리부를 갖고, 상기 제1 볼록부 및 제1 오목부는 상기 외측 모서리부에 형성되는 발광 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 외측 모서리부는, 상기 제1 볼록부의 상기 광 출사면측으로 돌출되는 제2 볼록부와, 상기 제1 오목부로부터 상기 제2 볼록부를 향하여 형성되는 제2 오목부를 더 포함하고,
    상기 제2 볼록부의 상기 광 출사면측은, 상기 성형체로 덮여 있고,
    상기 제2 오목부는 상기 배면과 상기 하면에 이어져 개구되는 발광 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 성형체는, 상기 제1 볼록부의 상기 광 출사면측에 설치되는 발광 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 볼록부는, 상기 광 출사면에 있어서 상기 성형체로부터 노출되는 발광 장치.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 제1 볼록부는, 상기 접속부의 상기 하면측에 배치되는 발광 장치.
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 볼록부는, 상기 적재 오목부의 상기 저면에 대하여 둔각을 이루고, 상기 내주면에 있어서 상기 성형체로부터 노출되는 내측 노출면을 갖는 발광 장치.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 패키지는, 상기 하면의 반대쪽에 설치되는 상면을 더 갖고 있고,
    상기 제1 볼록부는, 상기 발광 소자의 상기 하면측 또는 상기 상면측에 배치되는 발광 장치.
  9. 제1항에 기재된 발광 장치를 제조하는 발광 장치의 제조 방법이며,
    제1 면과 상기 제1 면의 반대쪽에 설치되는 제2 면을 갖는 리드편에 프레스 가공을 실시함으로써, 상기 제1 면에 제1 오목부를 형성함과 함께, 상기 제2 면으로부터 돌출되는 제1 볼록부를 형성하는 프레스 공정과,
    상기 리드편을 성형체에 매설하여, 저면과 상기 저면에 이어지는 내주면을 포함하는 적재 오목부를 갖는 패키지를 형성하는 매설 공정과,
    상기 적재 오목부의 상기 저면에 발광 소자를 적재하는 적재 공정을 구비하고,
    상기 매설 공정에서는, 상기 적재 오목부의 상기 내주면에 있어서 상기 제1 볼록부를 상기 성형체로부터 노출시키는 발광 장치의 제조 방법.
  10. 제1항에 기재된 발광 장치를 제조하기 위한 패키지 어레이이며,
    성형 수지판과 상기 성형 수지판에 매설되는 리드편에 의해 각각 구성되어 있고, 광 출사면과, 상기 광 출사면의 반대쪽에 설치되는 배면과, 상기 광 출사면에 형성되어 있고, 저면과 상기 저면 및 상기 광 출사면에 이어지는 내주면을 포함하는 적재 오목부를 각각 갖고, 서로 연결된 복수의 패키지를 구비하고,
    상기 리드편은, 상기 광 출사면측으로 돌출되고, 상기 적재 오목부의 상기 내주면에 있어서 상기 성형체로부터 노출되는 제1 볼록부와, 상기 제1 볼록부의 배면에 형성되는 제1 오목부를 갖는 패키지 어레이.
  11. 발광 소자와, 성형체와 상기 성형체에 매설되는 리드에 의해 구성되는 직육면체 형상의 패키지를 구비하고,
    상기 패키지는, 광 출사면과, 상기 광 출사면의 반대쪽에 설치되는 배면과, 상기 광 출사면 및 상기 배면에 이어지는 하면과, 상기 광 출사면 및 상기 하면에 이어지는 측면과, 상기 광 출사면에 형성되어 있고, 상기 발광 소자가 적재되는 저면을 갖는 적재 오목부를 갖고,
    상기 리드는, 상기 저면의 일부를 형성하는 접속부와, 상기 접속부의 상기 하면측에 이어지는 단자부를 갖고,
    상기 단자부는, 상기 광 출사면측으로 돌출되고, 상기 하면으로부터 상기 측면에 걸쳐 상기 성형체로부터 노출되는 볼록부와, 상기 볼록부의 배면에 형성되는 오목부를 갖고,
    상기 오목부는 상기 배면과 상기 하면에 이어져 개구되는 발광 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 단자부는, 상기 배면에 있어서 상기 성형체로부터 노출되어 있는 발광 장치.
  13. 삭제
  14. 제11항 또는 제12항에 있어서,
    상기 볼록부는, 상기 적재 오목부의 내주면에 있어서 상기 성형체로부터 노출되는 발광 장치.
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