JP2009260077A - 発光装置およびリードフレーム - Google Patents
発光装置およびリードフレーム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009260077A JP2009260077A JP2008108091A JP2008108091A JP2009260077A JP 2009260077 A JP2009260077 A JP 2009260077A JP 2008108091 A JP2008108091 A JP 2008108091A JP 2008108091 A JP2008108091 A JP 2008108091A JP 2009260077 A JP2009260077 A JP 2009260077A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- side wall
- pair
- portions
- emitting device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
【課題】 小型化が可能で、光の取出し効率が向上した発光装置、および発光装置の製造に用いるリードフレームを提供することができる。
【解決手段】 発光装置は、金属で形成された一対の電極部と、一対の電極部に接続された光源と、それぞれ金属で形成され、光源の光照射方向の周囲を囲んで起立した少なくとも一対の側壁部22a、22bを備えている。一対の側壁部は一対の電極部にそれぞれ接続されているとともに、互いに隙間を置いて対向した端縁部を有し、この隙間に絶縁材料が充填されている。側壁部の端縁部は、側壁部の厚さ方向の中途部が最も厚さが小さく、中途部から厚さ方向の両側に向かって厚さが大きくなるように形成されている。
【選択図】 図1
【解決手段】 発光装置は、金属で形成された一対の電極部と、一対の電極部に接続された光源と、それぞれ金属で形成され、光源の光照射方向の周囲を囲んで起立した少なくとも一対の側壁部22a、22bを備えている。一対の側壁部は一対の電極部にそれぞれ接続されているとともに、互いに隙間を置いて対向した端縁部を有し、この隙間に絶縁材料が充填されている。側壁部の端縁部は、側壁部の厚さ方向の中途部が最も厚さが小さく、中途部から厚さ方向の両側に向かって厚さが大きくなるように形成されている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、携帯電話機のフラッシュランプや液晶表示装置のバックライトとして用いられる発光装置、および発光装置の製造に用いるリードフレームに関する。
近年、発光ダイオード(LED)等の半導体発光素子を備えた高出力で小型の発光装置が開発され、安価で長寿命な発光装置として注目されている。このような発光装置は、小型、低消費電力、軽量等の特徴を生かして、例えば、携帯電話機のフラッシュランプ、液晶表示装置のバックライトの光源等に用いられている。
この種の発光装置は、一対の電極上に実装された発光素子と、光放出用の開口を除いて発光素子の周囲を覆った外囲器と、を有している。この外囲器は、合成樹脂により電極上に成形されている。
例えば、バックライトの光源として用いられる発光装置は、機器の小型化および軽量化に伴い、小型化および薄型化が求められている。発光装置の小型化、主に高さ方向の薄型化を図るため、樹脂で形成された外囲器自体の薄型化が図られている(例えば、特許文献1および2)。
特開2007−311736号公報
特開2007−280983号公報
上記のような発光装置において、外囲器の内面は、発光素子から放出された光を反射する反射面となるが、外囲器が合成樹脂により形成されている場合、反射率が低く、光の取出し効率が悪い。また、発光装置の薄型化により、樹脂からなる外囲器の壁部は極力薄く形成されている。そのため、発光素子から放出された光が外囲器を通して外部に漏れてしまう場合があり、光の取出し効率が低下する。
これらの問題を解決するため、樹脂表面にメッキや蒸着などの表面処理を施す方法が考えられるが、樹脂へのメッキは困難であるとともに、発光装置を基板へ実装する際、はんだリフローの熱によりメッキがはがれたてしまう問題がある。
この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、小型化が可能であるとともに、光の取出し効率の向上を図ることができる発光装置、および発光装置の製造に用いるリードフレームを提供することにある。
上記課題を達成するため、この発明の態様に係る発光装置は、金属で形成された一対の電極部と、前記一対の電極部に接続された光源と、それぞれ金属板で形成され、前記光源の光照射方向の周囲を囲んで起立した少なくとも一対の側壁部を備え、前記一対の側壁部は前記一対の電極部にそれぞれ接続されているとともに、互いに隙間を置いて対向した端縁部を有し、上記隙間に絶縁材料が充填され、前記側壁部の前記端縁部は、前記側壁部の厚さ方向の中途部が最も厚さが小さく、中途部から厚さ方向の両側に向かって厚さが大きくなるように形成されている。
この発明の他の態様に係るリードフレームは、 金属で形成された一対の電極部と、前記一対の電極部に接続された光源と、それぞれ金属板で形成され、前記光源の光照射方向の周囲を囲んで起立した少なくとも一対の側壁部を備え、前記一対の側壁部は前記一対の電極部にそれぞれ接続されているとともに、互いに隙間を置いて対向した端縁部を有し、上記隙間に絶縁材料が充填され、前記側壁部の前記端縁部は、前記側壁部の厚さ方向の中途部が最も厚さが小さく、中途部から厚さ方向の両側に向かって厚さが大きくなるように形成されている発光装置の製造に用いるリードフレームであって、前記一対の電極部および側壁部を形成する金属部を一体に備えている。
以上構成によれば、小型化が可能で、光の取出し効率が向上した発光装置、および発光装置の製造に用いるリードフレームを提供することができる。
以下、図面を参照しながら、この発明の実施形態に係る発光装置およびリードフレームについて詳細に説明する。
図1は、第1の実施形態に係る発光装置全体を示す斜視図、図2、図3はそれぞれ発光装置の異なる断面を示し、図4および図5は、発光装置の外囲器を省略して金属構成部分を示している。
図1は、第1の実施形態に係る発光装置全体を示す斜視図、図2、図3はそれぞれ発光装置の異なる断面を示し、図4および図5は、発光装置の外囲器を省略して金属構成部分を示している。
図1ないし図5に示すように、発光装置10は、光源として、発光素子である発光ダイオード(LED)を備えたサイドビュー型として構成されている。発光装置10は、例えば、銅からなる金属板を加工して形成された金属部材12と、金属部材の下部を覆っているとともに金属部材の隙間に充填され金属部材を支持した樹脂からなる外囲器14と、を有している。
金属部材12は、正極および負極からなる一対の電極部16a、16bを有し、これらの電極部16a、16bは、細長い平坦な板状に形成され、互いに隙間を置いて直線状に配列されている。LED20は、例えば、銀ペースト等の接着剤により負極側の電極部16b上に固定され電極部16bに導通しているとともに、ボンディングワイヤ21により、電極部16aに電気的に接続されている。LED20は、光を放射する出射面20aを有し、この出射面20aが電極部16a、16bと平行に位置した状態で、かつ、出射面が電極部と反対側を向いた状態で、配置されている。
金属部材12は、LED20の光照射方向C、ここでは、LEDの出射面20aと直交する方向、の周囲を囲むように起立して設けられた側壁部22a、22b、22cを有している。側壁部22a、22b、22cは、それぞれ平坦な板状に形成され、電極部16a、16bの両側に配置され互いに対向している。側壁部22a、22b、22cは、長手方向の端部が、それぞれ電極部16a、16bの延出方向とほぼ直交する方向に折曲げられ、全体として、LED20を囲んだ細長い矩形枠状に形成されている。そして、側壁部22a、22b、22cの電極部16a、16bと反対側の端は、光を放出するほぼ矩形状の照射開口24を規定している。
一対の側壁部である側壁部22a、22bは、LED20に対して片側に並んで配置され、矩形枠の一側面を構成している。また、側壁部22a、22bは、互いに隙間25aを置いて対向した端縁部を有し、この隙間には、後述する絶縁材料が充填されている。側壁部22cは、LED20対して側壁部22a、22bと反対側に並んで配置され、矩形枠の他側面を構成している。側壁部22cの長手方向の両端縁は、それぞれ側壁部22a、22bの端縁部と隙間25bを置いて対向し、これらの隙間25bには後述する絶縁材料が充填されている。
後述するように、側壁部22a、22b、22cの端縁部および電極部16a、16bの端縁部は、金属板をその両面側からエッチング処理することにより、所定形状に形成されている。これにより、図1、図4、図5、および図6に示すように、側壁部22a、22bの端縁部は、側壁部の厚さ方向Wの中途部が最も厚さが小さく、中途部から厚さ方向の両側に向かって厚さが大きくなる形状に形成されている。金属部材12の他の端縁部も上記と同様の形状に形成されている。そして、端縁部同士間に規定された隙間25a、25bおよび金属部材の他の隙間には、外囲器14を構成する合成樹脂が充填されている。
側壁部22a、22b、22cは金属で形成されていることから、光を反射する反射部材として機能し、各側壁部の内面は、LED20から射出される光の少なくとも一部、および後述する波長変換部材から出射される光の少なくとも一部を反射する反射面23を形成している。各側壁部の内面に、反射率の高い材料、例えば、Ag、Alの少なくとも一方を主成分とする材料をメッキあるいは蒸着し、より高い反射率の高い、つまり、光取出し効率の高い反射面23を形成してもよい。
側壁部22aは、金属からなるつなぎ部26aにより電極部16aに連結され、側壁部22bは、金属からなるつなぎ部26bにより他方の電極部16bに連結されている。側壁部22a、22bは、電極部16a、16bに電気的に接続され、かつ、互いに電気的に絶縁されることにより、外部に露出し外部から電圧を供給可能な外部電極を構成している。側壁部22cは、一対のつなぎ部26cにより電極部16に連結されているとともに、側壁部22a、22bに対して電気的に絶縁されている。
このように、電極部16a、つなぎ部26a、および側壁部22aは、共通の金属板により一体に形成され、また、電極部16b、つなぎ部26b、26c、および側壁部22b、22cは、共通の金属板により一体に形成されている。
図1および図4に示すように、外部電極として機能する一対の側壁部22a、22bは、それぞれ外部に露出した外面と、この外面の少なくとも一部の領域に形成され外部に導通可能な導通部34a、34bと、を有している。各導通部34a、34bは、この導通部の周囲の領域よりもハンダに対して高い濡れ性を有している。本実施形態では、側壁部22a、22bの外面に、ハンダなどに対して高い濡れ性を有するAg等の金属膜がスポットメッキあるいは蒸着され、導通部34a、34bを形成している。導通部34a、34bの濡れ性を良くする金属膜はAgに限らず、Au等の他の金属をもちいてもよい。それ以外にも、導通部の濡れ性を周囲の領域よりも高くすればよく、導通部34a、34bの周囲に、ハンダ濡れ性を悪くする材料、例えば、ハンダレジスト等で被覆する構成としてもよい。
このような構成により、側壁部22a、22bに対して外部から的確に電圧供給を行うことができる。すなわち、上記のような導通部34a、34bを設けない場合には、発光装置10をプリント基板などに設置する際、ハンダなどが、側壁部22a、22bの不所望の部分に流れ、正極と負極が短絡してしまう可能性が考えられる。導通部34a、34bのハンダ濡れ性を良くする処置を施すことにより、発光装置をプリント基板上に設置した後、接続不良の発生、誤動作などを防止することができる。
図1ないし図3に示すように、電極部16a、16bの下面側を覆っているとともに、金属部材12の隙間に充填された樹脂からなる外囲器14が設けられている。外囲器14を構成する樹脂は、絶縁材料として機能し、側壁部22a、22b間の隙間、側壁部22a、22bと側壁部22cとの間の隙間にも充填されている。これにより、金属部材12の各構成部分は外囲器14によって固定および支持されている。なお、外囲器14を形成する樹脂としては、反射率の高い樹脂材料を用いるのが好ましい。反射率の高い樹脂材料として、例えばポリアミドフタル系の樹脂などがある。
金属部材12の内側、ここでは、側壁部22a、22b、22cの内側には、LED20および電極部16a、16bに重ねて、シリコーン樹脂等の封止体30が充填されている。封止体30内には、波長変換部材として機能する粒子状の蛍光体32が分散されている。LED20から射出される第1波長領域を含む励起光は、発光ピーク波長が400nm以下の紫外領域を主として構成されている。蛍光体32としては、400nm以下の一次光により励起される蛍光体を用いる。蛍光体32は、LED20から射出された第1波長領域を含む励起光の少なくとも一部を吸収して、第2波長領域の光を射出する。第2波長領域の光は、主として400〜700nmの一部を含む可視波長領域の光を含んでいる。
蛍光体は1種類のもののみを用いてもよいが、複数種類の蛍光体を組み合わせて用いても良い。
蛍光体は1種類のもののみを用いてもよいが、複数種類の蛍光体を組み合わせて用いても良い。
次に、以上のように構成された発光装置10の製造方法について説明する。
図7は、発光装置の製造に用いるリードフレームを示し、図8は、リードフレームの1ユニットを拡大して示している。
図7は、発光装置の製造に用いるリードフレームを示し、図8は、リードフレームの1ユニットを拡大して示している。
図7および図8に示すように、リードフレーム40は、銅あるいは鉄系素材(Fe-42%Ni)等からなる薄い金属板に所望形状のマスクを形成した状態で、金属板をその両面側からエッチングすることにより、所定形状に外形加工されている。エッチング処理を行うことにより、マスク露光側は大きくエッチングされ、金属板の板厚は、この板厚方向に従って徐々に小さく形成される。エッチングを金属板の両面側から行うことにより、図6に示したように、所定形状に形成された各部の端縁部は、板厚方向の中途部が最も薄く、金属板の両側に向かって徐々に厚さが厚くなる構造が得られる。
高い光の取出し効率を必要とする場合は、予めAgなど反射率の高い材料を所定位置にメッキあるいは蒸着し、反射面を形成しておく。また、側壁部の導通部を形成する領域に、予めAgなどのハンダ濡れ性の高い金属をメッキあるいは蒸着し、導通部を形成しておく。反射面および導通部を同一の金属であるAgにより形成する場合、これらを同一工程で形成でき、製造コストを抑制することができる。
エッチングにより所定形状に形成されたリードフレーム40は、互いに隙間を置いて平行に延びた一対のフレーム部42と、リードフレームの長手方向に一定の間隔を置いて設けられ、フレーム部間を連結している複数のブリッジ部44と、隣り合うブリッジ部間、およびフレーム部間に形成された複数のリードユニット46と、を有し、例えば、銅板により一体にプレス成形されている。各フレーム部42には、長手方向に一定の間隔をおいて、複数の送り孔45が形成されている。複数のリードユニット46は、リードフレーム40の長手方向に沿って、2列に並んで形成されている。
各リードユニット46は、一方のブリッジ部44から延出したリードにより形成された電極部16a、つなぎ部26a、および側壁部22aと、他方のブリッジ部44から延出したリードにより形成された電極部16b、つなぎ部26b、26c、および側壁部22b、22cと、を有し、これらは、フレーム部42と面一の平坦な金属板により形成されている。
発光装置10を製造する場合、リードフレーム40の各リードユニット46における側壁部22a、22b、22cを曲げ起こし、同時に、必要な反射面形状となるように成形する。これにより、図4に示した形状の金属部材12が得られる。そして、側壁部22a、22b、22cの端縁部同士間、および、側壁部の端縁部と電極部の端縁部と間に、絶縁ギャップとしての隙間が形成され、各隙間は、金属板の厚さ方向の中途部が最も幅が狭くなっている。
次いで、図9に示すように、電極部16a、16bの裏側から合成樹脂をインサートモールドすることにより、各リードユニット46に外囲器14を成形する。その際、側壁部22a、22b、22cの端縁部同士間、および、側壁部の端縁部と電極部の端縁部と間に形成された絶縁ギャップとしての隙間に合成樹脂が流れ込み、これらの隙間に充填される。図6に示したように、各隙間に充填された合成樹脂は、各端縁部の厚さ方向に沿った形状に応じて、端縁部の厚さ方向の中途部、ここでは、厚さ方向の中央部の幅が最も小さく、厚さ方向両側に向かって徐々に幅が広くなる構造体を形成する。これにより、合成樹脂からなる外囲器14は、各側壁部の端縁部および電極部の端縁部に対して密着し、強固なアンカー効果を得ることができる。
その後、電極部16b上に発光素子を実装し、かつ、ボンディングワイヤ21により他方の電極部16aに接続する。更に、蛍光体が分散された封止体、例えば、シリコーン樹脂を発光素子に重ねてリードユニット46内に充填する。以後、リードユニット46をブリッジ部44から切り離すことにより、発光装置10が得られる。
上記のように構成された発光装置10は、側壁部22a、22bが露出している側の側壁が例えば、プリント回路基板上に実装され、導通部34a、34bがハンダ等により電源等に電気的に接続される。そして、外部電極として機能する側壁部22a、22b、電極部16a、16bおよびボンディングワイヤ21を介してLED20に通電されると、LED20は主として紫外線領域の波長を含む光を出射する。この光により、蛍光体32が励起され、主として可視領域の波長を含む光を出射する。
これらの光は、発光装置10の照射開口24からプリント回路基板とほぼ平行な方向に沿って出射される。また、LED20から射出される第1波長領域の光の一部、および蛍光体32から射出される第2波長領域の光の一部は、側壁部22a、22bの反射面23によって光取出し方向に反射され、つまり、照射開口24側に反射され、この照射開口から外部に出射される。
このように、側壁部22a、22b、22cは金属板で形成され、高い反射率を有していることから、LED20および蛍光体32から出射された光の一部を照射開口に向けて反射することができる。同時に、側壁部22a、22b、22cは、発光装置の薄型化を図る目的で、側壁部自体および外囲器14を薄く形成した場合でも、光の透過を遮蔽し、光漏れを抑制することができる。これにより、発光装置としての光取出し効率を上げることができる。
LED20に接続されている電極部16a、16bと、光照射方向に起立している金属の側壁部22a、22b、22cと、を接続することにより、LEDから発生する熱を、電極部および側壁部により効率的に放熱させることができ、LEDの光照射能力を長期間保持することが可能となる。つまり、LED20は、温度が上がると発光効率が落ちることが知られているが、本発光装置によれば、LEDの温度上昇を抑制し、光照射能力を維持することができる。
一対の側壁部22a、22bは外部に露出して設けられ、外部電極として機能することから、これら側壁部の外側に更に別の外部電極を設ける必要がなく、装置全体を小型した場合でも、側壁部によって囲まれる照射開口24の大きさを大きくとることができる。また、金属部材12の曲げ加工などを最小限とすることができ、製造コストの低減および歩留まりも向上を図ることが可能となる。
電極部および金属の側壁部を接続する構成とすることにより、構造体としての機械的強度を上げることができ、発光装置製造時のハンドリング性を良好にすると共に、構造体の製造時の破壊による歩留まり低下を防ぐことができる。
前述したように、外部電極として機能する側壁部に、ハンダなどに対して濡れ性の高い導通部を形成することにより、プリント基板等に発光装置を実装する際、ハンダなどが、不所望の部分に流れてしまうことを防止することができ、電極のショート、誤動作などを防止することができる。また、導通部の位置、形状を容易に変更することができ、発光装置を種々の機器に適用させることができる。
LEDに重ねて蛍光体32を配置することにより、LEDから射出できる波長とは異なる波長領域の光を取り出すことが可能となり、発光装置を広範囲な用途として使用できるようになる。例えば、LEDとしては紫外領域の波長を含む青色を発光させ、紫外光を黄色の蛍光体(波長変換部材)に照射させることにより波長領域を広げた照射光としたり、紫外領域の光を用いて、赤、青、緑などの3色蛍光体に照射励起することによりそれぞれの波長の光を取り出すことができ、例えばテレビなどにも活用することができる。更に、発光素子の種類を1種類とした場合でも、あらゆる光の波長を取り出すことができ、製造コストを抑制することが可能となる。
金属で形成された側壁部の反射面を、Ag、Alなどの反射率の高い材料で形成することにより、製造コストを抑制しながら、所望の光照射方向への光取出し効率を更に上げることができるようになる。
すなわち、このような構成とすることにより、側壁部の主成分を例えばSUS、りん青銅等のあまり反射率の高くない、低コストながら強度、光透過抑制性を有する材料とし、表面の反射面のみを高価であるが、反射率の高いAgなどを使うことができる。また、Alなどは、反射率は高いが、柔らかい材料の為、側壁部全体を構成するには強度不足となる。そのため、側壁部の主要部をSUS等の強度の高い材料で形成し、反射面のみをAlで構成することが望ましい。
電極部および側壁部の下端を合成樹脂からなる外囲器14で覆うことにより、一対の電極部16a、16bと、これに接続された側壁部22a、22b、22cと、を強固に固定することができる。また、電極部や側壁部の隙間を樹脂で埋めることができ、LED20や蛍光体32で発生させた光を、不所望の方向に漏らすことなく、所望の光照射方向に取出すことができる。
また、各側壁部の端縁部および電極部の端縁部を、金属板の厚さ方向の中途部が最も厚さが小さく、中途部から厚さ方向の両側に向かって厚さが大きくなるように形成することにより、端縁部間の隙間に充填された合成樹脂と各端縁部との密着性を向上し、各端縁部と外囲器とを強固に固定することができる。
前述したリードフレームを用いて発光装置を製造することにより、平板から電極面と反射面を形成でき、絞り加工を行う場合等に比較して製造コストの面で有利となる。リードフレーム上でプレス、成型、加工などが行え、製造が簡単に行える。反射板となる側壁部の傾斜角度を容易に変更することができる。
更に、リードフレームの各リードユニットをエッチングによって形成することにより、外形抜きの際に高価な金型製作を行う必要が無くなり、製造コストを抑制することができる。デザイン変更時にはエッチング用のマスクを製作するだけで済む為、低コストでの製作、完成までのスピードを確保することができる。
なお、金属部材の外形加工は、エッチングに限らず、レーザー加工などで行ってもよい。この場合、側壁部および電極部の端縁部の加工については、該当部分のみに切削加工を追加して、所望形状に加工するようにしてもよい。
以上のことから、小型化が可能で、光の取出し効率が向上した発光装置、および発光装置の製造に用いるリードフレームが得られる。
上述した第1の実施形態において、金属部材12の側壁部22a、22b、22cは、それぞれLED20の出射面20aと直交する光照射方向Cとほぼ平行に延びた構成としたが、これに限らず、図10に示す第2の実施形態のように、側壁部22a、22b、22cは、光照射方向Cに対して、外側に傾斜して延びていてもよい。すなわち、側壁部22a、22b、22cは、電極部16a、16b側から徐々に内径が広がるように、傾斜して延びた構成としてもよい。
第2の実施形態において、他の構成は前述した第1の実施形態と同一であり、同一の部分には、同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。第2の実施形態においても、第1の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。また、第2の実施形態によれば、側壁部22a、22b、22cの反射面23によって、より効率よく、光を照射開口24側に反射することができ、光の取出し効率を向上することが可能となる。また、側壁部の外面側を合成樹脂からなる外囲器14で覆うことができ、発光装置10の強度を向上することができる。
なお、この発明は上記実施の形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化可能である。また、上記実施の形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
例えば、上述した実施形態において、外部電極として機能する一対の側壁部は、発光素子の片側に並んで配置された構成としたが、これに限らず、一対の側壁部を発光素子の両側にそれぞれ配置し、これら一対の側壁部をそれぞれ電極部に接続した構成としてもよい。電極部と側壁部とを共通の金属板で一体に形成する構成としたが、側壁部を別体の金属で形成し、電極部に溶接等によって連結する構成としてもよい。
蛍光体を分散させた封止体は、シリコーン樹脂に限らず、例えばエポキシ系樹脂や、その他光透過性を有する樹脂を用いることができる。また、蛍光体が分散された封止体を省略し、発光素子からの出射光のみを照射する発光装置としてもよい。
蛍光体を分散させた封止体は、シリコーン樹脂に限らず、例えばエポキシ系樹脂や、その他光透過性を有する樹脂を用いることができる。また、蛍光体が分散された封止体を省略し、発光素子からの出射光のみを照射する発光装置としてもよい。
前述した実施形態では、電極部16a、16bから一つのつなぎ部を介して側壁部が延出する構成としたが、これに限らず、例えば、電極部16aから2つのつなぎ部を介して、対向する側壁部を形成しても、片側の側壁部を2つ以上のつなぎ部を介して形成しても良い。例えば、電極部16aから2つのつなぎ部を介して、対向する側壁部を形成した場合、曲げ加工時にバランスよく側壁部を曲げることができ、ねじれなどの加工不良がおきにくくすることができる。
10…発光装置、12…金属部材、14…外囲器、16a、16b…電極部、
20…LED、20a…出射面、22a、22b、22c…側壁部、23…反射面、
24…照射開口、25a、25b…隙間、26a、26b、26c…つなぎ部、
30…封止体、32…蛍光体、34a、34b…導通部、40…リードフレーム、
46…リードユニット
20…LED、20a…出射面、22a、22b、22c…側壁部、23…反射面、
24…照射開口、25a、25b…隙間、26a、26b、26c…つなぎ部、
30…封止体、32…蛍光体、34a、34b…導通部、40…リードフレーム、
46…リードユニット
Claims (12)
- 金属で形成された一対の電極部と、前記一対の電極部に接続された光源と、それぞれ金属板で形成され、前記光源の光照射方向の周囲を囲んで起立した少なくとも一対の側壁部を備え、前記一対の側壁部は前記一対の電極部にそれぞれ接続されているとともに、互いに隙間を置いて対向した端縁部を有し、上記隙間に絶縁材料が充填され、前記側壁部の前記端縁部は、前記側壁部の厚さ方向の中途部が最も厚さが小さく、中途部から厚さ方向の両側に向かって厚さが大きくなるように形成されている発光装置。
- 前記一対の側壁部の端縁部は、前記側壁部をその両面側からエッチングすることにより、前記側壁部の厚さ方向の中途部が最も厚さが小さく、中途部から厚さ方向の両側に向かって厚さが大きくなる形状に形成されている請求項1に記載の発光装置。
- 前記一対の側壁部は、それぞれ露出した外面と、この外面の少なくとも一部の領域に形成され外部に導通可能な導通部と、を有している請求項1に記載の発光装置。
- 前記一対の側壁部の導通部は、前記光源に対して片側に並んで配置されている請求項3に記載の発光装置。
- 前記側壁部の内側で前記光源に重ねて配設され、前記光源から射出される第1波長領域を含む励起光の少なくとも一部を吸収して、第1波長領域と異なる第2波長領域の光を射出する波長変換部材を備えている請求項1に記載の発光装置。
- 前記光源から射出される第1波長領域を含む励起光は、紫外領域を主として含み、前記第2波長領域の光は主として可視光領域の光を含んでいる請求項5に記載の発光装置。
- 前記側壁部は、前記光源から射出される光の内、少なくとも一部を反射する反射面を有している請求項1に記載の発光装置。
- 前記側壁部は、前記光源から射出される第1波長領域の光の一部、もしくは前記波長変換部材から射出される第2波長領域の光の一部を反射する反射面を有している請求項5に記載の発光装置。
- 前記側壁部の反射面は、Ag、Alの少なくとも一方を主成分とする材料で形成されている請求項7又は8に記載の発光装置。
- 前記一対の電極部を覆って設けられ、電極部および側壁部を支持しているとともに、前記一対の側壁部間の隙間に充填された樹脂で形成された外囲器を備えている請求項1ないし9のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記電極部および側壁部は、共通の金属板により形成されている請求項1ないし10のいずれか1項に記載の発光装置。
- 金属で形成された一対の電極部と、前記一対の電極部に接続された光源と、それぞれ金属板で形成され、前記光源の光照射方向の周囲を囲んで起立した少なくとも一対の側壁部を備え、前記一対の側壁部は前記一対の電極部にそれぞれ接続されているとともに、互いに隙間を置いて対向した端縁部を有し、上記隙間に絶縁材料が充填され、前記側壁部の前記端縁部は、前記側壁部の厚さ方向の中途部が最も厚さが小さく、中途部から厚さ方向の両側に向かって厚さが大きくなるように形成されている発光装置の製造に用いるリードフレームであって、前記一対の電極部および側壁部を形成する金属部を一体に備えたリードフレーム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008108091A JP2009260077A (ja) | 2008-04-17 | 2008-04-17 | 発光装置およびリードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008108091A JP2009260077A (ja) | 2008-04-17 | 2008-04-17 | 発光装置およびリードフレーム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009260077A true JP2009260077A (ja) | 2009-11-05 |
Family
ID=41387121
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008108091A Withdrawn JP2009260077A (ja) | 2008-04-17 | 2008-04-17 | 発光装置およびリードフレーム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009260077A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011151069A (ja) * | 2010-01-19 | 2011-08-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 樹脂付リードフレーム、リードフレーム、半導体装置および樹脂付リードフレームの製造方法 |
JP2012104542A (ja) * | 2010-11-08 | 2012-05-31 | Toppan Printing Co Ltd | Led発光素子用リードフレーム及びそれを用いたledパッケージ、およびその製造方法 |
WO2012108356A1 (ja) * | 2011-02-10 | 2012-08-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、発光装置の製造方法、及びパッケージアレイ |
JP2013236113A (ja) * | 2013-08-27 | 2013-11-21 | Dainippon Printing Co Ltd | 樹脂付リードフレーム、リードフレーム、半導体装置および樹脂付リードフレームの製造方法 |
JP2013243409A (ja) * | 2013-08-27 | 2013-12-05 | Dainippon Printing Co Ltd | 樹脂付リードフレーム、リードフレーム、半導体装置および樹脂付リードフレームの製造方法 |
JP2014064031A (ja) * | 2013-12-10 | 2014-04-10 | Dainippon Printing Co Ltd | 樹脂付リードフレーム、リードフレーム、半導体装置および樹脂付リードフレームの製造方法 |
KR20150013066A (ko) * | 2013-07-26 | 2015-02-04 | 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 | 발광 소자 패키지 및 발광 소자 탑재용 패키지 |
US9362473B2 (en) | 2010-11-02 | 2016-06-07 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Lead frame for mounting LED elements, lead frame with resin, method for manufacturing semiconductor devices, and lead frame for mounting semiconductor elements |
US9887331B2 (en) | 2010-03-30 | 2018-02-06 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | LED leadframe or LED substrate, semiconductor device, and method for manufacturing LED leadframe or LED substrate |
JP2018056535A (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
-
2008
- 2008-04-17 JP JP2008108091A patent/JP2009260077A/ja not_active Withdrawn
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011151069A (ja) * | 2010-01-19 | 2011-08-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 樹脂付リードフレーム、リードフレーム、半導体装置および樹脂付リードフレームの製造方法 |
US9887331B2 (en) | 2010-03-30 | 2018-02-06 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | LED leadframe or LED substrate, semiconductor device, and method for manufacturing LED leadframe or LED substrate |
US9899583B2 (en) | 2010-11-02 | 2018-02-20 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Lead frame for mounting LED elements, lead frame with resin, method for manufacturing semiconductor devices, and lead frame for mounting semiconductor elements |
US9773960B2 (en) | 2010-11-02 | 2017-09-26 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Lead frame for mounting LED elements, lead frame with resin, method for manufacturing semiconductor devices, and lead frame for mounting semiconductor elements |
US9553247B2 (en) | 2010-11-02 | 2017-01-24 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Lead frame for mounting LED elements, lead frame with resin, method for manufacturing semiconductor devices, and lead frame for mounting semiconductor elements |
US9412923B2 (en) | 2010-11-02 | 2016-08-09 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Lead frame for mounting LED elements, lead frame with resin, method for manufacturing semiconductor devices, and lead frame for mounting semiconductor elements |
US9362473B2 (en) | 2010-11-02 | 2016-06-07 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Lead frame for mounting LED elements, lead frame with resin, method for manufacturing semiconductor devices, and lead frame for mounting semiconductor elements |
JP2012104542A (ja) * | 2010-11-08 | 2012-05-31 | Toppan Printing Co Ltd | Led発光素子用リードフレーム及びそれを用いたledパッケージ、およびその製造方法 |
JP5867417B2 (ja) * | 2011-02-10 | 2016-02-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、発光装置の製造方法、及びパッケージアレイ |
US9312460B2 (en) | 2011-02-10 | 2016-04-12 | Nichia Corporation | Light emitting device, method for manufacturing light emitting device, and package array |
JPWO2012108356A1 (ja) * | 2011-02-10 | 2014-07-03 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、発光装置の製造方法、及びパッケージアレイ |
WO2012108356A1 (ja) * | 2011-02-10 | 2012-08-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、発光装置の製造方法、及びパッケージアレイ |
KR20150013066A (ko) * | 2013-07-26 | 2015-02-04 | 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 | 발광 소자 패키지 및 발광 소자 탑재용 패키지 |
KR102210072B1 (ko) * | 2013-07-26 | 2021-02-01 | 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 | 발광 소자 패키지 및 발광 소자 탑재용 패키지 |
JP2013243409A (ja) * | 2013-08-27 | 2013-12-05 | Dainippon Printing Co Ltd | 樹脂付リードフレーム、リードフレーム、半導体装置および樹脂付リードフレームの製造方法 |
JP2013236113A (ja) * | 2013-08-27 | 2013-11-21 | Dainippon Printing Co Ltd | 樹脂付リードフレーム、リードフレーム、半導体装置および樹脂付リードフレームの製造方法 |
JP2014064031A (ja) * | 2013-12-10 | 2014-04-10 | Dainippon Printing Co Ltd | 樹脂付リードフレーム、リードフレーム、半導体装置および樹脂付リードフレームの製造方法 |
JP2018056535A (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2009260077A (ja) | 発光装置およびリードフレーム | |
JP3976063B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5482098B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2006005290A (ja) | 発光ダイオード | |
JP2005079329A (ja) | 表面実装型発光ダイオード | |
JP2009283653A (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
JP2009290180A (ja) | Ledパッケージ及びその製造方法 | |
JP2009188187A (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
JP2009194319A (ja) | 表面実装型発光ダイオード | |
JP2014130967A (ja) | 発光装置 | |
JP2010199253A (ja) | 光半導体装置及びその製造方法 | |
KR20110125064A (ko) | 발광소자 어레이, 조명장치 및 백라이트 장치 | |
JP2010080640A (ja) | 表面実装型発光ダイオード | |
JP2009260075A (ja) | 発光装置およびリードフレーム | |
US9711700B2 (en) | Light emitting device and method for producing the same | |
JP2009260078A (ja) | 発光装置およびリードフレーム | |
JP4010340B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2008160032A (ja) | 発光装置 | |
JP2009260076A (ja) | 発光装置およびリードフレーム | |
JP5405602B2 (ja) | Ledパッケージ及びledパッケージ用フレーム | |
JP4944428B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2009283654A (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
JP6627490B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP2011082259A (ja) | Led素子載置部材およびその製造方法、ならびにled素子パッケージおよびその製造方法 | |
JP2015138902A (ja) | 発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20110705 |