KR101147614B1 - 발광 다이오드 칩 패키지 - Google Patents

발광 다이오드 칩 패키지

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KR101147614B1
KR101147614B1 KR1020100056844A KR20100056844A KR101147614B1 KR 101147614 B1 KR101147614 B1 KR 101147614B1 KR 1020100056844 A KR1020100056844 A KR 1020100056844A KR 20100056844 A KR20100056844 A KR 20100056844A KR 101147614 B1 KR101147614 B1 KR 101147614B1
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김희은
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솔레즈 주식회사
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Abstract

발광 다이오드 칩 패키지를 제공한다. 발광 다이오드 칩 패키지는, 발광 다이오드 칩이 실장되는 제1 리드 프레임; 제1 리드 프레임의 장축 방향 양단에, 제1 리드 플레임과 이격되어 배치되는 제2 리드 프레임들; 제1 및 제2 리드 프레임들 사이에 배치되는 제1 몰딩부들; 제1 몰딩부들과 연결되며, 발광 다이오드 칩을 감싸는 환형 구조를 가지며, 발광 다이오드 칩 및 제2 리드 프레임의 일부를 노출시키는 제2 몰딩부; 제2 몰딩부의 외각에 연결되며, 발광 다이오드 칩을 감싸는 환형 구조를 가지며 제3 몰딩부; 그리고, 제2 몰딩부에 의해 한정된 내부 공간을 채우며, 돔 형상을 갖는 제4 몰딩부를 포함한다.

Description

발광 다이오드 칩 패키지{Light Emitting Diode Chip Package}
본 발명은 칩 패키지에 관련된 것으로서, 더욱 상세하게는 발광 다이오드 칩 패키지에 관련된 것이다.
통상적으로 발광 다이오드 칩 패키지는 발광 다이오드 칩, 리드 프레임 및 몰드 구조물을 포함한다. 리드 프레임 상에 발광 다이오드 칩이 실장되고, 발광 다오드 칩과 리드 프레임을 본딩 와이어로 전기적으로 연결되며, 발광 다이오드 칩을 패키징하는 몰드 구조물이 배치된다. 이때, 몰드 구조물 중 발광 다이오드 칩의 상부를 덮는 몰드부에 있어서, 발광 다이오드의 응용 분야 및 광 손실 측면에서 상기 몰드부의 새로운 구조가 요구되고 있다.
본 발명이 이루고자 하는 일 기술적 과제는 다양한 발광 다이오드 응용 기기에서 발광 다이오드의 광의 손실을 감소시킬 수 있는 발광 다이오드 칩 패키지를 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 개념에 따른 일 실시예는 발광 다이오드 칩 패키지를 제공한다. 발광 다이오드 칩 패키지는, 발광 다이오드 칩이 실장되는 제1 리드 프레임; 상기 제1 리드 프레임의 장축 방향 양단에, 상기 제1 리드 플레임과 이격되어 배치되는 제2 리드 프레임들; 상기 제1 및 제2 리드 프레임들 사이에 배치되는 제1 몰딩부들; 상기 제1 몰딩부들과 연결되며, 상기 발광 다이오드 칩을 감싸는 환형 구조를 가지며, 상기 발광 다이오드 칩 및 제2 리드 프레임의 일부를 노출시키는 제2 몰딩부; 상기 제2 몰딩부의 외각에 연결되며, 상기 발광 다이오드 칩을 감싸는 환형 구조를 가지며 제3 몰딩부; 그리고, 상기 제2 몰딩부에 의해 한정된 내부 공간을 채우며, 돔 형상을 갖는 제4 몰딩부를 포함한다.
본 발명의 개념에 따른 실시예들에 따르면, 돔 형상을 갖는 제4 몰드부에 의해 발광 다이오드 칩으로부터 발광된 광의 손실을 감소시킬 수 있다. 또한, 제1 내지 제3 몰드부가 제1 및 제2 리드 프레임들과 단차부들을 이용하여 더욱 강하게 결합될 수 있다. 더불어, 발광 다이오드 칩과 마주보는 제1 내지 제3 몰드부들의 일 측벽들이 양의 기울기를 갖는 경사면을 가짐으로써, 발광된 광의 반사 효율을 증대시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드 칩 패키지를 설명하기 위한 사시도이다.
도 2a는 도 1에 도시된 발광 다이오드 칩 패키지를 하방에서 바라본 사시도이다.
도 2b는 도 1에 도시된 발광 다이오드 칩 패키지에 제1 영역과 제2 영역을 표시하여 하방에서 바라본 사시도이다.
도 3은 도 1에 도시된 발광 다이오드 칩 패키지를 상방에서 바라본 평면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 발광 다이오드 칩 패키지를 하방에서 바라본 평면도이다.
도 5a는 도 3에 도시된 발광 다이오드 칩 패키지를 A-A`으로 절단한 단면도이다.
도 5b는 도 5a의 발광 다이오드 칩 패키지에 제3 영역과 제4 영역을 표시한 단면도이다.
도 6은 도 3에 도시된 발광 다이오드 칩 패키지를 B-B`으로 절단한 단면도이다.
도 7은 도 3에 도시된 발광 다이오드 칩 패키지를 C-C`으로 절단한 단면도이다.
도 8a는 도 3에 도시된 발광 다이오드 칩 패키지의 제1 및 제2 리드 프레임 구조를 설명하기 위한 단면도이다.
도 8b는 일반적인 발광 다이오드 칩 패키지의 제1 및 제2 리드 프레임을 설명하기 위한 단면도이다.
도 9a는 도 3에 도시된 발광 다이오드 칩 패키지의 광 출사각을 설명하기 위한 단면도이다.
도 9a는 일반적인 발광 다이오드 칩 패키지의 광 출사각을 설명하기 위한 단면도이다.
도 10a는 도 3에 도시된 발광 다이오드 칩 패키지를 포함하는 히트 싱크를 설명하기 위한 단면도이다.
도 10b는 일반적인 발광 다이오드 칩 패키지를 포함하는 히트 싱크를 설명하기 위한 단면도이다.
이상의 본 발명의 목적들, 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부된 도면과 관련된 이하의 바람직한 실시예들을 통해서 쉽게 이해될 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 평면도들을 참고하여 설명될 것이다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 예를 들면, 직각으로 도시된 식각 영역은 라운드지거나 소정 곡률을 가지는 형태일 수 있다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이며 발명의 범주를 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서의 다양한 실시예들에서 제1, 제2 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 여기에 설명되고 예시되는 실시예들은 그것의 상보적인 실시예들도 포함한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소는 하나 이상의 다른 구성요소의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
이하, 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명하기로 한다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드 칩 패키지를 설명하기 위한 사시도들이다. 도 1은 발광 다이오드 칩 패키지를 상방에서, 도 2a는 발광 다이오드 칩 패키지를 하방에서 바라본 사시도들이다. 도 2b는 도 1에 도시된 발광 다이오드 칩 패키지에 영역을 표시하여 하방에서 바라본 사시도이다. 도 3 및 도 4는 도 1에 도시된 발광 다이오드 칩 패키지를 설명하기 위한 평면도들이다. 도 3은 발광 다이오드 칩 패키지를 상방에서, 도 4는 발광 다이오드 칩 패키지를 하방에서 바라본 평면도들이다. 도 5 내지 도 7은 도 1에 도시된 발광 다이오드 칩 패키지를 설명하기 위한 단면도들이다. 도 5a는 발광 다이오드 칩 패키지를 A-A`으로, 도 6은 발광 다이오드 칩 패키지를 B-B`으로, 도 7은 발광 다이오드 칩 패키지를 C-C`으로 절단한 단면도들이다. 또한, 도 5b는 도 5a의 발광 다이오드 칩 패키지에 영역을 표시한 단면도이다.
도 1 내지 도 7을 참조하면, 발광 다이오드 칩 패키지(100)는, 제1 리드 프레임(1), 제2 리드 프레임들(5), 제1 몰딩부들(15), 제2 몰딩부(13), 제3 몰딩부(11) 및 제4 몰딩부(23)를 포함할 수 있다. 발광 다이오드 칩(2)을 중심으로, 안에서 밖으로 제1 몰딩부들(15), 제2 몰딩부(13) 및 제3 몰딩부(11)가 순차적으로 배치될 수 있다. 또한, 제1 몰딩부들(15), 제2 몰딩부(13) 및 제3 몰딩부(11)로 갈수록 그 높이가 실질적으로 커질 수 있다.
제1 리드 프레임(1)은 발광 다이오드 칩(2)이 실장되는 제1 영역 및 제1 영역과 연결되는 제2 영역을 포함할 수 있다. 제1 영역 및 제2 영역은 상부가 하부보다 실질적으로 넓은 면적을 가질 수 있다. 따라서, 제1 및 제2 영역의 상부 및 하부 사이에 제1 단차부(17, 19)가 형성될 수 있다. 일 예로, 제1 단차부(17, 19)는 수직면을 가질 수 있다. 다른 예로, 제1 단차부(17, 19)는 소정의 각도로 기울어진 경사면을 가질 수 있다.
제2 영역은 제1 영역의 연결 방향과 수직된 방향으로 연장할 수 있다. 이때, 제2 영역의 연장 방향이 제1 리드 프레임(1)의 장축 방향일 수 있다. 제1 및 제2 영역을 포함하는 제1 리드 프레임(1)은 H자 형상을 가질 수 있다.
제1 몰딩부들(15)이 제1 단차부(17, 19)를 매립하면서 형성될 수 있다. 제1 몰딩부들(15)이 제1 리드 프레임(1)의 제1 단차부(17, 19)와 결합하며 형성됨으로써, 제1 몰딩부들(15) 및 제1 리드 프레임(1)의 결합 신뢰성이 향상될 수 있다.
제2 리드 프레임들(5)은 제1 리드 프레임(1)의 장축 방향 양단에, 제1 리드 프레임(1)과 이격되어 배치될 수 있다. 제2 리드 프레임들(5)은 제1 리드 프레임(1)에 실장된 발광 다이오드 칩(2)이 외부와 전기적으로 연결되는 전극의 기능을 수행할 수 있다. 본 발명의 몇몇 실시예들에 따르면, 발광 다이오드 칩(2)은 각각의 제2 리드 프레임(5)과 본딩 와이어(bonding wire, 3)로 전기적으로 연결될 수 있다.
각각의 제2 리드 프레임(5)은 각각의 제1 몰딩부(15) 상에 배치되는 제3 영역 및 제3 영역으로부터 측방으로 연장되는 제4 영역을 포함할 수 있다. 제4 영역은 제3 영역보다 낮은 레벨을 가지며, 제3 몰드부 하부에 배치될 수 있다. 또한, 제3 및 제4 영역의 연결 부위에 제2 단차부가 형성될 수 있다. 일 예로, 제2 단차부는 경사면을 가질 수 있다. 다른 예로, 제2 단차부는 수직면을 가질 수 있다. 이때, 제1 몰드부들은 제2 단차부를 매립하면서 형성될 수 있다. 제1 몰딩부(15)가 제2 리드 프레임(5)의 제2 단차부와 결합하며 형성됨으로써, 제1 몰딩부(15), 제1 및 제2 리드 프레임들(1, 5)의 결합 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 8a는 도 3에 도시된 발광 다이오드 칩 패키지의 제1 및 제2 리드 프레임 구조를 설명하기 위한 단면도이고, 도 8b는 일반적인 발광 다이오드 칩 패키지의 제1 및 제2 리드 프레임을 설명하기 위한 단면도이다.
도 8a를 참조하면, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 제1 리드 프레임(1) 및 제2 리드 프레임들(5)은 각각이 이격되어 배치됨으로써, 제2 리드 프레임들(5)이 발광 다이오드 칩(2)으로부터 발생되는 열의 영향을 상대적으로 적게 받을 수 있다.
반면, 도 8b를 참조하면, 일반적으로 제2 리드 프레임들(22b) 중 하나가 제1 리드 프레임(22a)으로부터 연장되어 구비되는데, 이 경우, 제1 리드 프레임(22a) 상부에 실장된 발광 다이오드 칩으로부터 발생되는 열에 의해 제1 리드 프레임(22a)이 확장될 수 있다. 제1 리드 프레임(22a)이 확장되고, 제1 리드 프레임(22a)으로부터 연장되어 구비된 제2 리드 프레임도 확장될 수 있어, 발광 다이오드 칩과 제2 리드 프레임(22a)을 연결하는 본딩 와이어(3a)가 절단될 수 있다.
도 8a 및 도 8b를 참조하면, 제1 및 제2 리드 프레임들(1, 5)이 서로 이격되어 배치됨으로써, 발광 다이오드 칩(2) 및 제2 리드 프레임(5)을 연결하는 본딩 와이어(3)의 절단 등의 불량을 미연에 방지할 수 있다
제1 몰딩부들(15)은 제1 리드 프레임(1) 및 제2 리드 프레임들(5) 사이에 배치될 수 있다. 본 발명의 몇몇 실시에들에 따르면, 제1 몰딩부들(15)은 제1 리드 프레임(1)의 제1 단차부(17, 19) 및 제2 리드 프레임(5)의 제2 단차부를 채우면서 구비될 수 있다.
각각의 제1 몰딩부(15)는, 제1 및 제2 단차부의 구조를 주형으로, 제1 및 제2 단차부들과 대응되는 형상을 갖는 하부 및 하부로부터 연장하는 상부를 포함할 수 있다. 제1 몰딩부(15)의 상부는 제2 리드 프레임(5)의 상부와 실질적으로 동일한 레벨을 가질 수 있다. 또한, 제1 몰딩부(15)의 상부는 아래로 갈수록 넓어지는 폭을 가질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 발광 다이오드 칩(2)을 바라보는 제1 몰딩부(15)의 상부의 일 측벽은 양의 기울기를 갖는 경사면을 가질 수 있다. 발광 다이오드 칩(2)을 등지는 제1 몰딩부(15)의 상부의 타 측벽은 제2 리드 프레임(5)의 구조에 대응되는 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 제1 몰딩부(15)의 상부의 타 측벽은 수직면을 가질 수 있다.
제2 몰딩부(13)는 발광 다이오드 칩(2)을 감싸며 구비되는 환형 구조를 가질 수 있다. 이때, 제2 몰딩부(13)는 발광 다이오드 칩(2) 및 제2 리드 프레임들(5)의 일부를 노출시킬 수 있다.
제2 몰딩부(13)는 제1 몰딩부들(15)과 연결될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제2 몰딩부(13)는 제1 몰딩부들(15)의 하부로부터 연장되는 하부 및 제2 몰딩부(13)의 하부로부터 연장되는 상부를 포함할 수 있다.
제2 몰딩부(13)는 제2 리드 프레임(5)의 상부면 상에 배치될 수 있다. 제2 몰딩부(13)는 아래로 갈수록 실질적으로 넓어지는 폭을 가질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 발광 다이오드 칩(2)을 바라보는 제2 몰딩부(13)의 상부의 일 측벽은 양의 기울기를 갖는 경사면을 가질 수 있다. 발광 다이오드 칩(2)을 등지는 제2 몰딩부(13)의 상부의 타 측벽은 수직면 또는 음의 기울기를 갖는 경사면을 가질 수 있다.
제3 몰딩부(11)는 발광 다이오드 칩(2)을 감싸며 구비되는 환형 구조를 가질 수 있다. 또한, 제3 몰딩부(11)는 제2 몰딩부(13)과 연결될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제3 몰딩부(11)는 제2 몰딩부(13)의 하부로부터 연장되는 하부 및 제3 몰딩부(11)의 하부로부터 연장되는 상부를 포함할 수 있다. 제3 몰딩부(11)의 상부는 상기 제2 몰딩부(13)의 상부면보다 실질적으로 높게, 제3 몰딩부(11)의 하부로부터 연장될 수 있다.
제3 몰딩부(11)는 아래로 갈수록 실질적으로 넓어지는 폭을 가질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 발광 다이오드 칩(2)을 바라보는 제3 몰딩부(11)의 상부의 일 측벽은 양의 기울기를 갖는 경사면을 가질 수 있다. 발광 다이오드 칩(2)을 등지는 제3 몰딩부(11)의 상부의 타 측벽은 수직면 또는 음의 기울기를 갖는 경사면을 가질 수 있다.
제1 내지 제3 몰딩부(11)의 상부들의 일 측벽들이 양의 기울기를 갖는 경사면을 가짐으로써, 발광 다이오드 칩(2)으로부터 광이 발생되는 동안, 경사면들이 리플렉터(reflector)의 기능을 수행할 수 있다.
제4 몰딩부(23)는 제2 몰딩부(13)에 의해 한정된 내부 공간을 채우며 구비될 수 있다. 제4 몰딩부(23)는 굴절율이 약 1.4 내지 약 1.8을 갖는 물질을 가질 수 있다. 또한, 제4 몰딩부(23)는 투명한 물질을 포함할 수 있다.
제4 몰딩부(23)는 볼록한 돔 형상을 가질 수 있다. 제4 몰딩부(23)가 돔 형상을 가짐으로써, 발광 다이오드 칩(2)으로부터 발광된 광의 임계각이 증가될 수 있다. 이하에서는 이에 대한 설명을 보다 상세하게 하기로 한다.
도 9a는 도 3에 도시된 발광 다이오드 칩 패키지의 광 출사각을 설명하기 위한 단면도이고, 도 9b는 일반적인 발광 다이오드 칩 패키지의 광 출사각을 설명하기 위한 단면도이다.
도 9a를 참조하면, 제4 몰딩부(23)가 제2 몰딩부(13)에 의해 한정된 내부 공간을 볼록한 돔 형상으로 매립하는 경우, 발광되는 광의 임계각이 약 40.81°일 수 있다. 이 경우, 발광 다이오드 칩(2)의 중심축을 기준으로 발광되는 광의 각도는 약 94.50°일 수 있다.
도 9b를 참조하면, 제4 몰딩부(23)가 제3 몰딩부(11)에 의해 한정된 내부 공간을 오목한 형상으로 매립하는 경우, 발광되는 광의 임계각이 약 40.81°일 수 있다. 이 경우, 발광 다이오드 칩(2)의 중심축을 기준으로 발광되는 광의 각도는 약 78°일 수 있다.
도 9a 및 도 9b에 따르면, 동일한 임계각 40.81°을 가질 경우, 볼록한 돔 형상의 제4 몰딩부(23)를 포함하는 발광 다이오드 칩 패키지(100)로부터 발광되는 광의 각도가 약 94.50°로 더 많은 광이 외부로 발광될 수 있다.
이하에서는, 발광 다이오드 칩 패키지(100)가 다수 개일 경우, 다수 개의 발광 다이오드 칩 패키지들(100)이 실장된 히트 싱크를 설명하기로 한다.
도 10a는 도 3에 도시된 발광 다이오드 칩 패키지를 포함하는 히트 싱크를 설명하기 위한 단면도이고, 도 10b는 일반적인 발광 다이오드 칩 패키지를 포함하는 히트 싱크를 설명하기 위한 단면도이다.
도 10a 및 도 10b를 참조하면, 히트 싱크(30)는 인쇄 회로 기판(32), 비아 패턴들(36) 및 금속 패드(34)를 포함할 수 있다.
인쇄 회로 기판(32)은 에폭시 수지 또는 금속을 포함할 수 있다. 본 발명의 몇몇 실시예들에 따르면, 인쇄 회로 기판(32)의 상면에는 발광 다이오 칩 패키지들이 실장될 수 있다. 인쇄 회로 기판(32)의 하면에는 금속 패드(34)가 구비될 수 있다. 예컨대, 금속 패드(34)는 구리를 포함할 수 있다.
비아 패턴들(36)은 인쇄 회로 기판(32)을 관통하는 도전 패턴들일 수 있다. 비아 패턴들(36)의 일 면은 발광 다이오드 칩 패키지(100)의 제1 리드 프레임(1)과 전기적으로 연결될 수 있다. 비아 패턴들(36)의 타면은 금속 패드(34)와 연결될 수 있다.
도 10a를 참조하면, 제1 리드 프레임(1)과 제2 리드 프레임들(5)이 각각 분리되어 배치된 발광 다이오드 칩 패키지(100)를 제공한다. 이 경우, 히트 싱크(30)는 무극성 상태일 수 있다. 따라서, 다수의 발광 다이오드 칩 패키지들(100)을 조립할 때 단락되는 경우를 방지할 수 있다.
도 10b를 참조하면, 제1 리드 프레임(22)의 일 측이 제2 리드 프레임들 중 하나와 연결된 발광 다이오드 칩 패키지(100)를 제공한다. 이 경우, 히트 싱크(30)는 극성 상태가 될 수 있다. 히트 싱크(30)가 극성 상태가 되는 것을 방지하기 위하여 금속 패드(34)를 각 발광 다이오드 칩 패키지(100)마다 독립적으로 구비시켜야 한다.
도 10a 및 도 10b에 따르면, 제1 리드 프레임(1) 및 제2 리드 프레임들(5)을 분리 배치시킴으로써, 발광 다이오드 칩 패키지들(100)이 단락되는 것을 미연에 방지할 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징으로 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 발광 다이오드 칩 패키지
1: 제1 리드 프레임 2: 발광 다이오드 칩
3: 본딩 와이어 5: 제2 리드 프레임
7: 관통 홀 11: 제1 몰드부
13: 제2 몰드부 15: 제3 몰드부
17, 19: 제1 단차부 23: 제4 몰드부

Claims (12)

  1. 발광 다이오드 칩(Light Emitting Diode Chip)이 실장되는 제1 리드 프레임;
    상기 제1 리드 프레임의 장축 방향 양단에, 상기 제1 리드 프레임과 이격되어 배치되는 제2 리드 프레임들;
    상기 제1 및 제2 리드 프레임들 사이에 배치되는 제1 몰딩부들;
    상기 제1 몰딩부들과 연결되며, 상기 발광 다이오드 칩을 감싸는 환형 구조를 가지며, 상기 발광 다이오드 칩 및 제2 리드 프레임의 일부를 노출시키는 제2 몰딩부;
    상기 제2 몰딩부의 외각에 연결되며, 상기 발광 다이오드 칩을 감싸는 환형 구조를 가지는 제3 몰딩부; 그리고,
    상기 제2 몰딩부에 의해 한정된 내부 공간을 채우며, 돔(dome) 형상을 갖는 제4 몰딩부를 포함하며,
    상기 발광 다이오드 칩을 마주하는 상기 제1 몰딩부들의 일 측벽은 양의 기울기의 경사면을 갖는 발광 다이오드 칩 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 리드 프레임은,
    상기 발광 다이오드 칩이 실장되는 제1 영역;
    상기 제1 영역과 연결되며, 상기 제1 영역의 연결 방향과 수직된 방향으로 연장하는 제2 영역; 그리고,
    상기 제1 및 제2 영역의 연결 부위에 배치된 관통 홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 칩 패키지.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 리드 프레임의 제1 영역은 상부가 하부보다 넓은 면적을 가지며, 상기 제1 리드 프레임은 상기 제1 영역의 상부 및 하부 사이에 형성된 제1 단차부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 칩 패키지.
  4. 제3항에 있어서,
    각각의 제1 몰딩부는 상기 제1 리드 프레임의 제1 단차부를 채우며 구비되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 칩 패키지.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2 리드 프레임은,
    각각의 제1 몰딩부 상에 배치되는 제3 영역;
    상기 제3 영역의 측면으로부터 연장되며, 상기 제3 영역보다 낮은 레벨(level)을 가지며, 상기 제3 몰딩부 하부에 배치되는 제4 영역; 및
    상기 제2 리드 프레임의 제3 및 제4 영역의 연결 부위에 형성된 제2 단차부를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 칩 패키지.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 몰딩부는 상기 제2 리드 프레임의 제2 단차부를 채우며 구비되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 칩 패키지.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제2 단차부는 경사면을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 칩 패키지.
  8. 제1항에 있어서,
    각각의 제1 몰딩부의 최상부면과 상기 제2 리드 프레임의 최상부면은 동일한 레벨을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 칩 패키지.
  9. 삭제
  10. 제1항에 있어서,
    상기 발광 다이오드 칩을 마주하는 제2 몰딩부의 일 측벽은 양의 기울기의 경사면을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 칩 패키지.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 발광 다이오드 칩을 마주하는 제3 몰딩부의 일 측벽은 양의 기울기의 경사면을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 칩 패키지.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 제3 몰딩부는 상기 제2 몰딩부의 상부면보다 높은 상부면을 가지며,
    상기 제2 몰딩부는 상기 제1 몰딩부들의 상부면들보다 높은 상부면을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 칩 패키지.
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