KR100855062B1 - 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법 - Google Patents

발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법 Download PDF

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김기정
이성휘
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럭스피아(주)
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Abstract

발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법이 개시된다.
개시된 발광 다이오드 패키지는 발광다이오드 칩이 실장되는 중앙면과, 상기 중앙면으로부터 상부로 절곡되어 형성된 측면을 구비하고, 상기 중앙면의 하면이 노출된 방열 패드; 상기 방열 패드와 같은 두께를 가지고, 상기 측면의 상단부로부터 절연홈에 의해 이격되게 배치되어 상기 방열 패드와 절연되고, 상기 발광 다이오드 칩과 전기적으로 연결되는 리드; 상기 방열 패드의 하면으로부터 연장된 하면을 가지도록 상기 방열 패드의 측면의 외벽 둘레와 상기 리드의 하면 일부에 몰딩된 하부 몸체와, 상기 리드의 내측 단부가 노출되도록 상기 리드의 상면에 몰딩된 상부 몸체를 구비하는 몸체;를 포함한다.

Description

발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법{Light emitting diode package and method of producing the same}
도 1은 종래의 발광 다이오드 패키지의 단면도이다.
도 2는 종래의 또 다른 발광 다이오드 패키지의 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지의 리드 프레임을 도시한 것이다.
도 4a는 도 3의 A-A선 단면도이다.
도 4b는 도 3의 B-B선 단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지의 평면도이다.
도 6은 도 5의 C-C선 단면도이다.
도 7은 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지의 저면도이다.
<도면 중 주요 부분에 대한 설명>
300...리드 프레임, 310...방열 패드
310a...중앙면, 310b...측면
313...보조 방열부, 315...절연홈
320...리드, 320a...연결부
320b...리드 단자, 330...몸체
331...하부 몸체, 332...상부 몸체
335...발광 다이오드 칩, 340...와이어 본딩
본 발명은 열 전달 효율을 향상시키고, 제조 공정을 단순화 한 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전기적 극성을 가지는 리드와 방열 패드를 동일한 두께의 리드 프레임으로 가공하여 제조 공정을 단순화하고, 방열 패드를 하부로 노출시켜 열 전달 효율을 향상한 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 발광 소자는 반도체의 p-n 접합 구조를 이용하여 주입된 소수 캐리어를 만들어 내고, 이들의 재결합에 의해 발광된다. 반도체 발광 소자는 크게 발광 다이오드와 레이저 다이오드로 나뉘며, 특히 발광 다이오드는 전력 소모가 상대적으로 적은 반면 밝기가 밝아 다양한 분야에서 광원으로 폭넓게 이용되고 있다.
일반적으로 발광 다이오드 패키지는 발광 다이오드 칩이 실장되고, 발광 다이오드 칩의 동작 열을 발산시키기 위한 방열판, 발광다이오드 칩과 와이어 본딩에 의해 전기적으로 연결되어 패키지 외부 단자로 연장되는 리드를 구비한다. 발광 다이오드 칩에 전기 에너지를 가할 경우 전기 에너지는 광 에너지와 열 에너지로 변환되며, 이때 발생하는 열을 얼마나 효율적으로 방열시켜 온도를 낮추느냐가 발광 다이오드 패키지의 성능 및 신뢰성을 결정하는 중요한 관건 중 하나이다.
따라서, 발광 다이오드 패키지에서 열 전달 능력을 향상시키기 위한 노력이 다양하게 경주되고 있다. 발광 다이오드 패키지에서 열 전달 효율을 향상시키기 위해 방열 패드를 하방 또는 사방으로 노출시키고 노출된 방열 패드를 2차 방열판 구조에 직접 접촉할 수 있는 형태로 제작한다.
도 1은 종래 발광 다이오드 패키지의 단면도를 도시한 것으로, 박판 형태의 리드 프레임을 프레스 절단하여 전기적 극성을 가지는 리드(100)를 형성하고, 방열을 목적으로 하는 금속 재질의 열 전달 슬러그(101)를 별도로 제작한 후 고내열성 플라스틱 재질의 패키지 몰딩재(102)로 몰딩한다. 그리고, 상기 열 전달 슬러그(101)의 상면에 발광 다이오드 칩(103)을 부착하고, 상기 리드(100)와 발광 다이오드 칩(103)을 와이어 본딩(104)으로 결합한다. 그리고, 열 전달 슬러그(101)의 하면이 상기 몰딩재(102)로부터 노출되도록 한다.
종래 발광 다이오드 패키지는 박판 형태의 1개 이상의 금속 재질로 리드 프레임 패턴을 제작하고, 별도의 방열 패드(101)를 제작하여야 하는 번거로움과 제조 비용이 많이 드는 문제점이 있다. 리드 프레임과 방열 패드가 별도의 도금 처리를 하여야 하고, 별도 몸체로 되어 있기 때문에 이들을 서로 일체화하기 위한 사출 몰딩에서의 제작 공정이 매우 복잡하다. 또한, 상기 방열 패드는 크기가 커 경박 단소화가 어렵고, 방열 패드와 사출 몰딩의 결속력을 높이기 위해 2단계 이상의 단차(105)를 가지는 복잡한 구조로 제작되어야 하기 때문에 제조 원가가 상승되는 원인이 되기도 한다.
도 2는 종래의 또 다른 발광 다이오드 패키지를 도시한 것으로, 하나의 리드 프레임(206)에서 서로 다른 두께를 가지는 박판 형태의 리드(207)와 방열 패드(205)를 제작하여 패키지 단위 별로 절단한다. 그런 다음 고내열성 플라스틱 재질의 몰딩재(202)로 몰딩한다. 상기 리드(207)는 두께가 상대적으로 얇고, 상기 방열 패드(205)는 상대적으로 두껍다. 그리고, 상기 방열 패드(205)는 몰딩재(202)의 하부로 노출되어 열이 방출되도록 되어 있다. 상기 방열 패드(205)의 상면에 발광 칩(203)을 부착하고, 와이어 본딩(204)으로 전기적 결합을 한다. 여기서, 방열 패드(205)의 배면 혹은 측면을 고내열성 플라스틱 몰드재로부터 하향 혹은 사방으로 노출시킨다.
이러한 구조의 패키지는 리드 프레임이 서로 다른 두께를 가지도록 제작되므로 재료비 및 재료 가공비가 비싸다. 그리고, 두꺼운 부분으로 된 방열 패드를 프레스로 절단시 절단 압력을 분산시키기 위해 방열 패드의 중앙 부분에 갭(205a)을 구비하는데, 방열 패드의 두께가 두꺼워질수록 리드 패턴이 가지는 갭(205a)이 비례적으로 증가하므로 발광 다이오드 패키지가 경박 단소해질 수 없는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로, 제조 단가가 저감되고, 제조 공정이 단순화되며 열 전달 효율이 향상된 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법을 제공하는데 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 발광다이오드 칩이 실장되는 중앙 면과, 상기 중앙면으로부터 상부로 절곡되어 형성된 측면을 구비하고, 상기 중앙면의 하면이 노출된 방열 패드; 상기 방열 패드와 같은 두께를 가지고, 상기 측면의 상단부로부터 절연홈에 의해 이격되게 배치되어 상기 방열 패드와 절연되고, 상기 발광 다이오드 칩과 전기적으로 연결되는 리드; 상기 방열 패드의 하면으로부터 연장된 하면을 가지도록 상기 방열 패드의 측면의 외벽 둘레와 상기 리드의 하면 일부에 몰딩된 하부 몸체와, 상기 리드의 내측 단부가 노출되도록 상기 리드의 상면에 몰딩된 상부 몸체를 구비하는 몸체;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 측면은 상부로 갈수록 넓어지는 경사면으로 형성될 수 있다.
상기 경사면의 기울기는 상기 중앙면의 법선에 대해 5도 이상 27.5도 이하의 범위를 가질 수 있다.
상기 방열 패드가 상기 중앙면으로부터 0.1-1.6mm 범위의 높이 단차를 가질 수 있다.
상기 상부 몸체의 외측벽에 단차가 형성될 수 있다.
상기 방열 패드의 하면에서 상부 몸체의 최상면까지의 높이가 0.3 이상 1.9mm 이하의 범위를 가질 수 있다.
상기 리드의 내측 단부가 방사형으로 노출되도록 상부 몸체가 원형 단면을 가질 수 있다.
상기 리드의 내측 단부가 노출되어 형성된 연결부에 상기 발광 다이오드 칩의 보호용 칩이 실장될 수 있다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 균일한 두께를 가지는 리드 프레임을 절단하여 절연홈을 형성하는 단계; 상기 리드 프레임을 절곡하여 측면과 중앙면을 가지는 방열 패드를 형성하는 단계; 상기 절연홈 둘레에 위치한 리드 프레임을 절단하여 리드를 형성하는 단계; 상기 방열 패드의 측면 외벽 둘레에 몰딩재를 주입하여 하부 몸체를 형성하는 단계; 상기 리드의 내측 단부가 노출되도록 리드의 상면에 몰딩하여 상부 몸체를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 제조 방법을 제공한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지의 리드 프레임(300)을 도시한 것이다. 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지는 일정한 두께를 가지는 리드 프레임(300)을 프레스 절단과 절곡을 통해 리드 프레임 패턴을 형성하고, 그 패턴에 몰딩을 하여 제작된다.
상기 리드 프레임(300)은 복수 개의 단위 리드 프레임(300a)을 포함하고, 각 단위 리드 프레임(300a)은 발광 다이오드 칩이 실장되는 방열 패드(310)와, 상기 방열 패드(310)로부터 절연홈(315)들에 의해 이격되어 배열된 리드(320)를 포함한다. 도 4a는 도 3의 A-A선 단면도로서, 상기 방열 패드(310)는 발광 다이오드 칩이 실장되는 중앙면(310a)과, 상기 중앙면(310a)으로부터 상부로 절곡되어 형성된 측면(310b)을 구비한다.
상기 측면(310b)은 상기 중앙면(310a)의 법선에 대해 소정 기울기(α)로 기울어진 경사면으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 측면(310b)의 기울기(α)는 법선에 대해 5도 이상이고 27.5 이하의 범위를 가질 수 있다. 이는 LED 패키지를 제작할 때, 방열 패드와 후술될 고내열성 플라스틱 몰드재와의 결합 면적을 넓혀 안정적으로 결합되도록 하고, 절연홈의 간격을 최소화하여 경박 단소화를 이룰 수 있도록 하기 위한 것이다. 그리고, 발광 다이오드 칩에서 발산되는 광의 효율적인 반사 각도를 확보하도록 정해진다. 상기 방열 패드(310)는 상기 측면(310b)의 상단부로부터 절곡 연장되어 후술될 몸체(도 5의 330 참조) 외부로 돌출되어 노출되는 보조 방열부(313)를 더 구비할 수 있다.
도 4b는 도 3의 B-B선 단면도로서, 리드(320)가 방열 패드(310)의 측면(310b) 상단부로부터 절연홈(315)에 의해 이격되어 위치하고 있다. 리드(320)는 후술될 발광 다이오드 칩(도 5의 335 참조)과 와이어 본딩(도 5의 340 참조)에 의해 접속되는 연결부(320a)와 외부와의 전기적 접속을 위한 리드 단자(320b)를 포함한다.
상기 방열 패드(310)와 리드(320)는 일정하고 균일한 두께를 가지는 리드 프레임(300)에서 절단과 절곡의 공정만으로 제조 가능하므로 제조 공정이 간단한 이점이 있다.
리드 프레임에서 방열 패드와 리드의 패턴이 완성되면 도금 공정을 거친 다음 도 5에 도시된 바와 같이 몰딩을 통해 몸체(330)를 형성하여 리드와 방열 패드를 일체화한다. 몰딩재로는 고내열성 플라스틱 재료, 예를 들어 가소성 수지나 고내열성 세라믹 재료가 사용될 수 있다. 고내열성 플라스틱 재료로는 예를 들어, PPA(Poly Phthal Amide), PE(Poly Ethylene), PP(Poly Propylene), ABS(Acrylonitrile Butadiene Styrene), PMMA(Poly Methyl Meta Acrylate), PA(Poly Amide), PC(Poly Carbonate) 중 적어도 하나의 재질로 몰딩될 수 있다. 또한, 고내열성 세라믹 재료로는 알루미나(Al2O3), 질화알루미늄(AlN), 또는 탄화규소(SiC)등이 사용될 수 있다. 도 6은 도 5의 C-C 선 단면도로서 상기 몸체(330)는 상기 방열 패드(310)의 측면(310b) 외측 둘레와 리드(320)의 하부면 일부에 몰딩되는 하부 몸체(331)와 상기 리드(320)의 상부면 일부에 몰딩되는 상부 몸체(332)를 포함한다.
상기 하부 몸체(331)는 방열 패드(310)의 중앙면(310a)의 하면으로부터 연장된 하면을 가진다. 즉, 방열 패드(310)와 상부 몸체(331)는 동일한 높이의 하면을 가진다. 상기 방열 패드(310)가 상기 중앙면(310a)으로부터 0.1-1.6mm 범위의 높이 단차(t)를 가지질 수 있으며, 방열 패드(310)의 하면에서 상기 상부 몸체(332)의 최상면까지의 높이(d)가 0.3mm 이상 1.9mm 이하로 제작될 수 있다. 리드(320)의 외측 단부에 형성된 리드 단자(320b)는 하향 절곡되어 형성되며, 그 단차의 높이(t')는 0.1-1.6mm 범위를 가질 수 있다. 상기 상부 몸체(332)는 도 5에 도시된 바와 같이 리드(320)의 연결부(320a)와 방열 패드(310)의 중앙면(310a)과 측면(310b)이 노출되도록 리드(320)의 상면 일부에 몰딩되어 내부에 컵 모양이 형성된다. 상기 연결부(320a)는 중앙면(310a)을 중심으로 방사형으로 위치될 수 있다. 즉, 상기 연결부(320a)가 방사형으로 노출되도록 상부 몸체가 원형의 단면을 가질 수 있다. 상기 연결부(320a)에 상기 발광 다이오드 칩의 보호용 칩(334)이 실장될 수 있다.
상부 몸체(332)의 내측면(332a)은 소정 각도로 기울어진 경사면으로 형성될 수 있다. 예를 들어 상기 내측면(332a)은 광반사 효율을 높이기 위해 방열 패드(310)의 중앙면(310a)의 법선에 대해 5도 이상 27.5도 이하의 범위의 기울기(β)를 가질 수 있다. 방열 패드(310)의 측면(310b)의 기울기와 상기 내측면(332a)의 기울기는 같을 수도 있으며 서로 다르게 구성할 수도 있다. 이렇게 내측면을 경사지게 형성함으로써 발광 칩과 와이어 본딩의 보호재로 사용되는 내부 충진재와의 결합력을 높일 수 있다. 그리고, 상부 몸체(332)의 외측면은 광학 렌즈를 장착할 수 있도록 단차(332b)가 형성될 수 있다.
도 5를 참조하면, 중앙면(310a)에 발광 다이오드 칩(335)이 실장되고, 발광 다이오드 칩(335)과 연결부(320a)는 와이어 본딩(340)에 의해 전기적으로 접속된다. 발광 다이오드 칩(335)의 개수와 배열 방법은 여러 가지 실시 예가 가능하며, 여기서는 세 개의 발광 다이오드 칩(335)이 삼각형 형태로 배열되어 있는 구조를 예시하였다. 그리고, 리드는 여섯 개가 구비되고, 각 발광 다이오드 칩(335)의 (+) 단자와 (-) 단자가 각 리드의 연결부(320a)에 와이어 본딩(340)에 의해 연결된다. 와이어 본딩(340)은 6개로 구성될 수 있으며, 리드 단자(320b)는 상기 몸체(330) 외부로 돌출되어 다른 부품과 전기적으로 접속된다. 리드 단자(320b)는 리드의 외측 단부가 적어도 한 번 절곡되어 형성될 수 있으며, 절곡면(320c)이 경사면으로 형성될 수 있다. 상기 리드 단자(320b)의 하면은 상기 방열 패드(310)의 중앙면(310a)의 하면으로부터 연장된 선상에 위치할 수 있다.
도 7은 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지의 저면도를 나타낸 것으로, 방열 패드(310)의 중앙면(310a)이 하부로 노출되어 있으며, 보조 방열 패드(313)가 몸체(330)의 외부로 돌출되어 있다. 상기 보조 방열 패드(313)는 몸체(330)의 외측벽을 따라 저면까지 감싸는 형태로 형성될 수 있으며, 발광 다이오드 패키지로부터 발생된 열을 더욱 효율적으로 배출할 수 있도록 한다.
다음, 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지의 제조 방법을 설명한다. 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지 제조 방법은 도 3을 참조하면, 균일한 두께를 가지는 리드 프레임을 절단하여 절연홈(315)을 형성한다. 그리고, 상기 리드 프레임을 절곡하여 중앙면(310a)과 측면(310b)을 가지는 방열 패드(310)를 형성한다. 상기 절연홈(315) 둘레에 위치한 리드 프레임을 절단하여 리드(320)를 형성하여, 방열 패드(310)와 리드(320)를 패턴화 한다. 그리고, 상기 리드(320)를 절곡하여 리드 단자(320b)를 형성한다. 그런 다음 후술될 내부 충진제와 리드 프레임의 접착 기밀성을 향상하기 위해 Ni, Cu, Au, Sn, Ag 중 한 가지 또는 2가지 이상의 재질로 리드 프레임(300)을 도금 처리한다.
이와 같이 방열 패드와 리드를 패턴화한 다음 몰딩을 통해 방열 패드와 리드를 고정시킨다. 몰딩시, 방열 패드의 중앙면과 측면 그리고 하면은 노출되도록 방열 패드의 외측면 둘레로 하부 몸체(331)가 몰딩되고, 리드(320)의 내측 단부인 연결부(320a)가 방사형으로 노출되도록 상부 몸체(332)가 몰딩된다. 상기 하부 몸체(331)를 몰딩시 방열 패드의 하면과 하부 몸체의 하면이 동일한 높이에 위치하도록 한다. 몰딩 공정 후 방열 패드(310)의 중앙면(310a)에 발광 다이오드 칩(335)을 실장하고, 발광 다이오드 칩(335)과 연결부(320a)를 와이어 본딩(340)에 의해 연결한다. 그리고, 상기 방열 패드와 상부 몸체 내부에 충진재를 채워 넣어 발광 다이 오드 칩과 와이어 본딩을 보호할 수 있다. 그런 다음, 단위 리드 프레임별로 절단하여 발광 다이오드 패키지를 완성한다.
본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지는 일정한 두께를 가지는 리드 프레임을 이용하여 리드와 방열 패드를 형성하여 경박 단소화가 가능하고, 방열 패드의 하면이 외부로 노출됨으로써 방열 효율이 우수하다.
또한, 본 발명에서는 일정한 두께를 가지는 리드 프레임을 절단과 절곡 공정만을 통해 패턴화하고, 패턴화된 리드 프레임을 몰딩 공정을 통해 고정하므로 제조 공정이 단순하고 간단하므로 수율이 개선되고, 생산 비용을 절감할 수 있다.
상기한 실시예들은 예시적인 것에 불과한 것으로, 당해 기술분야의 통상을 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 하기의 특허청구범위에 기재된 발명의 기술적 사상에 의해 정해져야만 할 것이다.

Claims (15)

  1. 발광다이오드 칩이 실장되는 중앙면과, 상기 중앙면으로부터 상부로 절곡되어 형성된 측면을 구비하고, 상기 중앙면의 하면이 노출된 방열 패드;
    상기 방열 패드와 같은 두께를 가지고, 상기 측면의 상단부로부터 절연홈에 의해 이격되게 배치되어 상기 방열 패드와 절연되고, 상기 발광 다이오드 칩과 전기적으로 연결되는 리드;
    상기 방열 패드의 하면으로부터 연장된 하면을 가지도록 상기 방열 패드의 측면의 외벽 둘레와 상기 리드의 하면 일부에 몰딩된 하부 몸체와, 상기 리드의 내측 단부가 노출되도록 상기 리드의 상면에 몰딩된 상부 몸체를 구비하는 몸체;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 측면은 상부로 갈수록 넓어지는 경사면으로 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 경사면의 기울기는 상기 중앙면의 법선에 대해 5도 이상 27.5도 이하의 범위를 가지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 방열 패드가 상기 중앙면으로부터 0.1-1.6mm 범위의 높이 단차를 가지는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 상부 몸체의 외측벽에 단차가 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 방열 패드의 하면에서 상부 몸체의 최상면까지의 높이가 0.3 이상 1.9mm 이하인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 몸체의 재질이 PPA, PE, PP, ABS, PMMA, PA, PC 중 어느 한 가지 이상의 재질로 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 방열 패드의 일부가 몸체의 측면 외부로 돌출된 보조 방열부가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 리드의 내측 단부가 방사형으로 노출되도록 상부 몸체가 원형 단면을 가지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 리드의 내측 단부가 노출되어 형성된 연결부에 상기 발광 다이오드 칩의 보호용 칩이 실장되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  11. 균일한 두께를 가지는 리드 프레임을 절단하여 절연홈을 형성하는 단계;
    상기 리드 프레임을 절곡하여 측면과 중앙면을 가지는 방열 패드를 형성하는 단계;
    상기 절연홈 둘레에 위치한 리드 프레임을 절단하여 리드를 형성하는 단계;
    상기 방열 패드의 측면 외벽 둘레에 몰딩재를 주입하여 하부 몸체를 형성하는 단계;
    상기 리드의 내측 단부가 노출되도록 리드의 상면에 몰딩하여 상부 몸체를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 제조 방법.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 상부 몸체와 하부 몸체의 재질이 PPA, PE, PP, ABS, PMMA, PA, PC 중 어느 한 가지 이상의 재질로 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 제조 방법.
  13. 제11 항에 있어서,
    상기 측면은 상부로 갈수록 넓어지는 경사면으로 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 제조 방법.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 경사면의 기울기는 상기 중앙면의 법선에 대해 5도 이상 27.5도 이하의 범위를 가지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지 제조 방법.
  15. 제11 항에 있어서,
    상기 방열 패드가 상기 중앙면으로부터 0.1-1.6mm 범위의 높이 단차를 가지는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 제조 방법.
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