KR101099494B1

KR101099494B1 - 발광다이오드 패키지

Info

Publication number: KR101099494B1
Application number: KR1020100115550A
Authority: KR
Inventors: 김상웅; 정동하; 이인수
Original assignee: (주)네오빛
Priority date: 2010-11-19
Filing date: 2010-11-19
Publication date: 2011-12-27

Abstract

발광다이오드 패키지가 개시된다. 개시된 발광다이오드 패키지는, 2개의 제1,2리드부재로 구분되어 구비되고, LED칩이 실장되도록 상기 제1,2리드부재 중 면적이 넓은 쪽에 메탈컵을 형성한 리드프레임과; 상기 제1,2리드부재의 일부를 내부에 수용하도록 성형되고, 상기 LED칩의 빛이 반사되도록 상부에 반사부가 형성된 패키지 몰딩부재;를 포함하며, 그리고, 상기 제1,2리드부재의 좌측 및 우측 가장자리에는 상기 패키지 몰딩부재의 외부로 돌출된 전극부가 형성되고, 또한, 상기 제1,2리드부재가 상기 패키지 몰딩부재에 이격되며 매립될 때 상기 제1,2리드부재 사이에는 전극분리공간이 형성되되, 상기 전극분리공간이 적어도 하나의 'L'자 또는 'S'자가 형성되도록 상기 제1,2리드부재가 구비된 것을 그 특징으로 한다.

Description

발광다이오드 패키지{LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE}

본 발명은 발광다이오드 패키지에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 발광다이오드의 열적 및 광학적 특성을 향상시키고, 필요에 따라 상면 및 측면 발광 소자로 활용할 수 있도록 개선된 발광다이오드 패키지에 관한 것이다.

일반적으로 발광다이오드(Light Emitting Diode, 이하 LED라 함)칩(chip)은 전기 에너지를 광반사(optical radiation)로 변환하는 반도체 소자로서, 사용 목적 또는 형태에 따라 LED칩을 선택적으로 박막패턴이 형성된 인쇄회로기판(PCB) 또는 리드 단자의 상부면에 실장한 후, 상기 LED칩과 기판 또는 리드 단자를 전기적으로 연결하고, 그 상부에 에폭시(epoxy) 수지 등을 사용하여 몰드 성형부를 형성하거나, 미리 플라스틱이나 유리로 렌즈를 만들어 조립형으로 LED 패키지(Light Emitting Diode Package)를 제조할 수 있다.

이러한 LED 패키지는 일반적으로 표시소자 및 백라이트(back light)용으로 사용되며, 최근에는 핸드폰이나 휴대용 개인정보단말기(PDA: Personal Digital Assistant) 등에 그 적용이 증대되고 있는 추세이다.

다시 말해서, LED 패키지는 전원을 공급받으면 발광할 수 있는 LED칩을 먼지, 습기, 전기적, 기계적 부하 등의 각종 외부 환경으로부터 보호하고, 상기 LED칩의 전기적 성능을 최적화, 극대화시키기 위해 리드프레임(lead frame)이나 인쇄회로기판(PCB) 등을 이용해 메인보드(main board)로의 신호 입/출력 단자를 형성하고 봉지재를 이용하여 몰딩(molding)한 것을 말한다.

그리고 상기한 LED 패키지는, 방열을 위한 슬러그(slug)를 포함하여 발열체의 하단부로만 열을 전도하여 2차 방열물에 의존하며 광의 반사도를 극대화하기 위해 프리몰딩 반사체를 갖는 구조로 이루어졌다.

그런데, 상기한 프리몰딩 반사체는 통상 내열특성 및 고 반사도를 유지하도록 PPA 수지로 사출 성형하여 제조되는데, 대부분의 구조가 열전도 및 방열 특성이 좋지 않은 구조로 이루어져 있고, 열가소성 수지가 적용되므로 외부 환경에 직접 노출되어 적용하기 어려웠다.

또한 종래의 기술에 따른 LED 패키지는, 정면광 또는 측면광을 발광하도록 제작되어 지는데, 이는 적용 어플리케이션에 따라 이중으로 설비투자 및 관리를 해야 하며, 제조 공정도 이중으로 분리하여 운영해야 함으로써, 다양한 환경에 상용화되지 못하였다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 방열성을 향상시키고, 다양한 환경에 상용화가 가능하도록 한 발광다이오드 패키지를 제공하는데 그 목적이 있다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 발광다이오드 패키지는, 2개의 제1,2리드부재로 구분되어 구비되고, LED칩이 실장되도록 상기 제1,2리드부재 중 면적이 넓은 쪽에 메탈컵을 형성한 리드프레임과; 상기 제1,2리드부재의 일부를 내부에 수용하도록 성형되고, 상기 LED칩의 빛이 반사되도록 상부에 반사부가 형성된 패키지 몰딩부재;를 포함하며,

그리고, 상기 제1,2리드부재의 좌측 및 우측 가장자리에는 상기 패키지 몰딩부재의 외부로 돌출된 전극부가 형성되고, 또한, 상기 제1,2리드부재가 상기 패키지 몰딩부재에 이격되며 매립될 때 상기 제1,2리드부재 사이에는 전극분리공간이 형성되되, 상기 전극분리공간이 적어도 하나의 'L'자 또는 'S'자가 형성되도록 상기 제1,2리드부재가 구비된 것을 그 특징으로 한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 열경화성 수지를 적용하여 방열 및 열전달이 가능하도록 하는 패키지 몰드부재가 적용되어 방열성이 향상되었다.

또한 동일 소비전력 내의 열을 소화하는 양이 증대되어 발광반도체의 정션(junction) 온도를 낮출 수 있으며, 이로 인해 LED 수명이 증가된다. 이에 따라 기존 LED가 갖는 열 저항보다 5도 내지 10도 정도의 낮은 열 저항을 갖게 하며, 2차 방열의 상태에 따라 저가의 LED칩으로 고가의 LED칩을 대체할 수 있다,

그리고 측면 LED가 갖는 방열 경로의 길어짐 문제를 해결하기 위해 상면 LED 구조를 수용하면서 측면 발광 소자로 사용할 수 있으며, 보다 안정적인 방열 및 회로기판 안착을 위해 슬러그 핀과 전극핀이 기판에 삽입되는 구조를 갖도록 하여 솔더량이 최대한 넓은 면적으로 접촉될 수 있다. 따라서 상면 LED와 동일한 방열 특성을 구현할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 구성을 나타낸 사시도.
도 2는 도 1의 평면도.
도 3은 도 2에서 리드프레임만을 강조하여 나타내 보인 평면도.
도 4는 도 2의 저면도.
도 5는 도 1에서 리드프레임만을 나타내 보인 사시도.
도 6은 도 1의 배면 사시도.
도 7은 도 3에서 A-A선을 따라 절개하여 나타내 보인 단면도.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 구성을 나타낸 사시도.
도 9는 도 8의 평면도.
도 10은 도 9에서 리드프레임만을 강조하여 나타내 보인 평면도.
도 11은 도 9의 저면도.
도 12는 도 8에서 리드프레임만을 나타내 보인 사시도.
도 13은 도 8의 배면 사시도.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.

도 1에는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 구성을 나타낸 사시도가 도시되어 있고, 도 2에는 도 1의 평면도가 도시되어 있으며, 도 3에는 도 2에서 리드프레임만을 강조하여 나타내 보인 평면도가 도시되어 있고, 도 4에는 도 2의 저면도가 도시되어 있다.

그리고 도 5에는 도 1에서 리드프레임만을 나타내 보인 사시도가 도시되어 있고, 도 6에는 도 1의 배면 사시도가 도시되어 있으며, 도 7에는 도 3에서 A-A선을 따라 절개하여 나타내 보인 단면도가 도시되어 있다.

한편, 도 7은 후술하는 도 10에서 A-A선을 따라 절개하여 나타내 보인 단면도와 동일한 형태의 단면도이다.

이들 도면을 각각 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드 패키지(100)는, 리드프레임(20), LED칩(30), 본딩 와이어(31), 패키지 몰딩부재(10) 및 몰딩재(41)를 포함하여 구성된다.

이 중 상기 리드프레임(20)은 캐소드 및 애노드 전극 단자가 구비되도록 하기 위해 2개의 제1,2리드부재(21,22)로 구분되어 구비되고, 이들 리드부재(21,22) 중 면적이 넓은 제1리드부재(21)에 메탈컵(metal cup)(24)이 형성된다.

특히 상기 제1,2리드부재(21,22)가 패키지 몰딩부재(10)에 이격되며 매립될 때 상기 제1,2리드부재(21,22) 사이에는 전극분리공간(23)이 형성되되, 상기 전극분리공간(23)이 적어도 2개 이상의 'L'자 또는 'S'자(미도시)가 형성되도록 제1,2리드부재(21,22)가 구비된다.

즉, 상기 제1,2리드부재(21,22)가 서로 인접하는 제1,2리드부재(21,22)의 외곽 가장자리는 일정 길이마다 방향을 직선 또는 곡선으로 변경하며 형성한다.

그리고 상기 LED칩(30)은 제1리드부재(21)의 메탈컵(24) 바닥에 실장되고, 상기 본딩 와이어(31)(또는 골드 와이어)는 LED칩(30)과 제1,2리드부재(21,22)가 전기적으로 접속되게 설치된다.

또한 상기 패키지 몰딩부재(10)는 제1,2리드부재(21,22)의 일부를 수용하도록 성형되고, 상기 LED칩(30)의 빛이 반사되도록 상부에 경사면으로 된 반사부(또는 방사창)(11)가 형성된다.

그리고 상기 몰딩재(41)는 패키지 몰딩부재(10)의 반사부(11)에 충진되어 LED칩(30) 및 본딩 와이어(31)를 보호한다. 이러한 몰딩재(41)는 상기 LED칩(30)의 빛이 외부로 방사되도록 하기 위해 투명한 에폭시, 실리콘 또는 형광체 혼합물 등으로 이루어지며, LED칩(30)에서 발생되는 열을 방출하는 기능도 가진다.

특히, 상기 LED칩(30)은 와이어 본딩을 거쳐 전극을 형성시키며 백색광을 내기 위한 공정으로 LED칩(30)의 보색이 되는 에미팅(emitting)을 하는 형광체를 몰딩재(41)에 일정 량을 첨가하여 LED칩(30) 주변으로 충진하는데, 이때 LED칩(30)의 동일 거리에 형광체가 분포하도록 설계함이 바람직하다.

이를 위해 특히 가로의 길이는 세로길이의 2배가 넘지 않도록 설계해야 한다. 이때 몰딩재(41)의 두께는 수지의 빛 흡수를 최소화하고 일정한 강도를 유지하기 위해 적어도 200㎛ 이상 되는 것이 바람직하다.

또한 상기 제1,2리드부재(21,22)의 좌측 및 우측에는 패키지 몰딩부재(10)의 외부로 돌출되며 노출되는 전극부(21a,22a)가 적어도 2개씩 형성된다. 따라서 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지에는 패키지 몰딩부재(10)의 좌우 측면으로 4개 이상의 전극부(21a,22a)가 구비되게 된다.

그리고 상기 제1리드부재(21)의 메탈컵(24)의 저면부(28)는, LED칩(30)에서 발생된 열이 외부로 용이하게 방출될 수 있도록 패키지 몰딩부재(10)의 외부로 노출되도록 구비된다.

또한 상기 제1,2리드부재(21,22)의 저면부 표면에는 도 7에 도시된 바와 같이, Ag 도금층(29)이 도금되어 형성된다. 특히 광의 반사도를 높이기 위해 상기 Ag 도금층(29)은 고광택으로 적용되고, 와이어 본딩성을 증가시키기 위해 반광택 도금을 선정할 수 있으며, 도금 두께도 작업성을 고려하여 유동적으로 선택할 수 있다.

그리고 상기 Ag 도금층(29)을 형성하기 위한 도금공정은 선 도금 후 몰드 성형을 실시하며, 기밀성 및 밀착성 확보를 위해 몰드 성형 후 성형된 상태로 후 도금을 실시할 수도 있다.

한편, 상기한 후 도금 방법은 구석진 부분의 도금 두께 관리가 어렵고 일정한 품질의 도금상태를 기대하기 어려워 극히 제한적으로 사용하도록 한다.

또한 상기 전극부(21a,22a)와 패키지 몰딩부재(10)를 일체로 연결하는 연결부(26)는, 제1,2리드부재(21,22)의 일부가 커팅되고, 상부로 꺾이며 형성된다.

즉, 상기 전극부(21a,22a)는 적어도 4개가 형성되는데, 이 전극부(21a,22a)의 안쪽에는 연결부(26)가 형성되는데, 이 연결부(26)는 커팅홈(26a)과 밴딩부(26b)로 이루어진다. 이 중 상기 커팅홈(26a)은 패키지 몰딩부재(10)의 수지가 접촉하는 면적을 늘리고 외부로 연하는 면적을 최소화해서 외부에서 유입될 수 있는 유해 가스나 습도에 LED칩(30)과 본딩 와이어(31)를 보호하기 위한 것이다.

그리고 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 메탈컵(24)의 경사면(24a)의 각도(α)가 55∼65도로 형성되고, LED칩(30)의 반사거리를 최소화하는 메탈컵(24)의 깊이(d)는 150∼250㎛로 이루어지며, 상기 메탈컵(24) 바닥의 면적은 LED칩(30)의 표면적의 1,5배 이내로 구비된다.

또한 상기 제1,2리드부재(21,22)의 전단부 및 후단부는 패키지 몰딩부재(10)에 매립되고, 상기 전단부 및 후단부의 가장자리 길이가 연장되도록 인입홈(27)이 적어도 하나 형성된다.

그리고 상기 제1,2리드부재(21,22) 중 상기 전극분리공간(23)의 반대쪽의 리드프레임(20) 즉, 제1리드부재(21)는 패키지 몰딩부재(10)에 매립되지 않아 반사부(11) 내에서 노출되도록 제2리드부재(22)보다 더 커팅된 노출부(25)가 형성된다.

또한 상기 패키지 몰딩부재(10)는 정사각형 또는 직사각형의 사각형으로 형성되되, 도 2 및 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 전극부(21a,22a)가 형성된 쪽의 좌,우부의 두께(a)보다 전,후부의 두께(b)가 2배 이상 두껍게 성형된다.

그리고 상기 메탈컵(24)이 형성되지 않은 쪽의 리드프레임(20)에는 제너다이오드 또는 TVS(Transient Voltage Suppression)다이오드(50)가 실장된다.

또한 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지에 적용되는 LED칩(30)은 가로 길이가 세로 길이의 2배 이하인 직사각형의 것이 적용되고, 발광부는 3.0mm 이하이며 세로 길이의 2/3 이하인 것이 적용된다.

상기 패키지 몰딩부재(10)는, 열경화성 백색 수지로 성형되는데, 구체적으로는 폴리에스테르 계열이나 에폭시 계열의 열경화성 백색 수지를 사용하여 프리몰딩(pre-molding) 공정 등에 의해 형성된다. 따라서 쉽게 깨지지 않으며, 열특성 및 백색도를 고온에서 유지된다.

도 8에는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 구성을 나타낸 사시도가 도시되어 있고, 도 9에는 도 8의 평면도가 도시되어 있으며, 도 10에는 도 9에서 리드프레임만을 강조하여 나타내 보인 평면도가 도시되어 있고, 도 11에는 도 9의 저면도가 도시되어 있다.

그리고 도 12에는 도 8에서 리드프레임만을 나타내 보인 사시도가 도시되어 있고, 도 13에는 도 8의 배면 사시도가 도시되어 있다.

설명에 앞서, 본 발명에 따른 다른 실시예인 도 8 내지 도 13에서, 일 실시예인 도 1 내지 도 7과 동일한 도면부호는 동일한 부재를 나타낸 것이므로, 이들 부재에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.

이들 도면을 각각 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광다이오드 패키지(200)의 리드프레임(120)은 제1,2리드부재(121,122)로 이루어지며, 이 중 제1리드부재(21)에는 방열을 위해 패키지 몰딩부재(110) 전방으로 적어도 1.0mm 이상 돌출된 슬러그 핀(121b)이 형성된다.

그리고 상기 슬러그 핀(121b)의 좌우로 제1,2리드부재(21,22)에는 각각 사이드뷰 실장을 위해 패키지 몰딩부재(110) 전방으로 적어도 1.0mm 이상 돌출된 전극핀(121a,122a)이 형성된다.

한편, 상기 슬러그 핀(121b)은 실장 깊이를 제어하기 위해 적어도 한 구간 이상 동일 리드에서 동일 두께를 가지지 않도록 제작되어 진다.

상기한 바와 같은 구성을 갖는 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지의 작용을 설명하면 다음과 같다.

도면을 다시 참조하면, 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지는, 우선, 상기 패캐지 몰딩부재(10,110)를 높은 방열성, 신뢰성, 및 기밀성을 갖도록 열경화성 백색 수지를 적용하고, 상기 리드프레임(20,120)의 저면부에는 반사도 및 신뢰성을 확보하기 위해 고광택의 Ag도금층(29)을 형성하며, LED칩(30)의 발광부를 최소화하고 방열성을 향상시키기 위해 패캐지 몰딩부재(10,110)를 최대화가 되도록 하였다.

그리고 상기 패키지 몰딩부재(10,110)의 전,후부의 수지 두께(b)가 좌,우부의 수지 두께(a)보다 2배 이상 두껍게 하여 신뢰성 및 수지의 빛 흡수를 최저로 줄여 전방 광 반사율을 증대시켰다.

또한 LED칩(30)이 회로기판(미도시)에 실장될 때, 솔더 리드의 최소화와 안정적인 안착을 위해 4개의 대칭된 전극부(21a,22a)를 구비하여 회로기판의 방열을 위한 공간을 확보하고, SMT(Surface Mount Technology) 실장시 틀어짐이 방지되도록 하였다.

그리고 제1,2리드부재(21,22,121,122)를 설치하면서 전극분리공간(23)을 형성하는데 있어, 기존과 같이 일자 형태가 아닌 L자 또는 S자 형태로 형성하였다. 이에 따라 패키지 몰딩부재(10)와 리드프레임(20,120)의 결합력을 증대시켜 외부 충격에 깨짐이 방지된다.

즉, 외곽 수지 몰딩 후 전극분리공간(23)을 중심으로 발광다이오드 패키지(100,200)가 깨지는 힘이 분산되도록 하며, 힘을 받는 위치를 양 수지벽의 위치가 다르게 배치되도록 하였다.

그리고 전극분리공간(23) 근처에 정전기나 고장의 발생시 회로를 복원시키기 위해 제너다이오드 또는 TVS다이오드(50)를 실장하였다.

또한 상기 LED칩(30)은 직사각형을 이루며 특히 세로의 비율은 기존 CCFL 등의 표준 크기인 3mm가 넘지 않게 비율을 유지하는 게 바람직하며, 발광부의 크기는 세로 길이의 2/3 이하가 되도록 한다. 만약, 상기한 크기 정도를 벗어나면 조명 및 모듈의 조립 후 빛이 새게 되어 광의 산란이 생기며, 발광다이오드 패키지(100,200) 자체의 강도가 취약해져 전극분리공간(23)을 주위가 부서지기 쉬운 상태가 된다. 특히, 가로의 길이 3mm는 반드시 유지할 필요는 없지만 실제 빛을 발광하는 발광부의 크기는 3mm 이내가 되는 것이 바람직하다.

또한 전극분리공간(23)의 반대측에는 수지 성형이 용이하도록 노출부(25)가 형성되며, 이는 몰딩시 수지가 바닥부에 보이도록 하기 위해서이다.

또한 상기 전극부(21a,22a)를 적어도 4개 형성함으로써, 발광다이오드 패키지(100,200)의 균형을 이루며, 반도체 공정 중 테스트 공정에서 전원을 인가하기 위해 테스트 핀이 접촉하도록 구성될 때 바닥이 아닌 좌우 측면에서 접촉을 하도록 한다.

이때 균형을 유지해서 접촉 불량률 및 접촉 에러를 최소화하는 역할을 하며, 상기 LED칩(30)을 회로가 구성된 회로기판에 실장시 솔더 랜드를 4개 이상 확보함으로써 정확한 위치 보정 및 안착이 가능하도록 구성되어 진다.

그리고 상기 리드프레임(20,120)의 가장자리 변은 최대한 직선구간이 없도록 설계되며, 특히 외부와 이어진 부분은 반드시 밴딩부(26b)가 형성되도록 하였다. 특히, LED칩(30)이 안착되는 메탈컵(24)의 바닥부(28)는 수지 성형시 외부로 노출되어 회로기판에 실장시 방열 솔더링되도록 하였다.

한편, 상기 패키지 몰드부재(10,110) 성형시 무기물 필러가 다량 함유된 열경화성 백색 수지를 이용하는데, 트랜스퍼 몰딩 공정을 거쳐 성형이 이루어져야 함으로 발생하는 플래시나 미성형 방지를 위해 LED칩(30)이 안착되는 면과 와이어 본딩이 되는 면이 하측에는 반드시 금형이 들어가는 자리가 확보되어야 한다.

또한 도 8 내지 도 13에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광다이오드 패키지(200)는, 슬러그 구조를 가지는 상면 발광다이오드를 제공하면서 필요에 따라 측면 발광다이오드로 사용할 수 있도록 측면 랜드 단자를 추가로 3단자 이상 보유하도록 구성된 것이다. 즉, 열전달을 위한 슬러그 핀(121b)을 형성하여 회로기판의 비아 홀(via hole)에 안착되는 구조를 갖도록 하였다. 상기 슬러그 핀(121b)을 비아 홀에 삽입하여 실장되도록 함으로써, 방열 및 얼라인(align) 최적화 기능을 구현하고, 발광 효율을 높였다.

또한 상기 슬러그 핀(121b)은 전극핀(121a,122a)보다 면적을 넓게 하여 회로기판 위에 홀을 뚫어 솔더링되도록 최소 1mm 이상의 돌출 길이를 갖게 하였다. 이는 반도체 공정 중 트리밍 공정에서 트리밍 위치만 조정하면 길이를 용이하게 가변할 수 있고, 실장되는 회로기판의 조건에 따라 선택할 수 있도록 하였다.

상술한 바와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.

10,110. 패키지 몰딩부재
11. 반사부
20,120. 리드프레임
21. 제1리드부재
22. 제2리드부재
23. 전극분리공간
24. 메탈컵
30. LED칩
31. 본딩 와이어
41. 몰딩재
100,200. 발광다이오드 패키지

Claims

2개의 제1,2리드부재로 구분되어 구비되고, LED칩이 실장되도록 상기 제1,2리드부재 중 면적이 넓은 쪽에 메탈컵을 형성한 리드프레임과;
상기 제1,2리드부재의 일부를 내부에 수용하도록 성형되고, 상기 LED칩의 빛이 반사되도록 상부에 반사부가 형성된 패키지 몰딩부재;를 포함하며,
그리고, 상기 제1,2리드부재의 좌측 및 우측 가장자리에는 상기 패키지 몰딩부재의 외부로 돌출된 전극부가 형성되고,
또한, 상기 제1,2리드부재가 상기 패키지 몰딩부재에 이격되며 매립될 때 상기 제1,2리드부재 사이에는 전극분리공간이 형성되되, 상기 전극분리공간이 적어도 하나의 'L'자 또는 'S'자가 형성되도록 상기 제1,2리드부재가 구비된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
제1항에 있어서,
상기 전극부는 적어도 2개씩 형성되고, 상기 메탈컵의 저면부는 상기 패키지 몰딩부재의 외부로 노출되도록 구비되며,
상기 제1,2리드부재의 저면부의 표면에는 고광택의 Ag 도금층이 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
제2항에 있어서,
상기 전극부와 상기 패키지 몰딩부재를 일체로 연결하는 연결부는, 상기 제1,2리드부재의 일부가 커팅되고, 상부로 꺾이며 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
제1항에 있어서,
상기 메탈컵의 측면은 55∼65도 경사지며 형성되고, 상기 메탈컵의 깊이는 150∼250㎛로 이루어지며, 상기 메탈컵 바닥의 면적은 상기 LED칩의 표면적의 1,5배 이내로 구비된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
제1항에 있어서,
상기 제1,2리드부재의 전단부 및 후단부는 상기 패키지 몰딩부재에 매립되고, 상기 전단부 및 상기 후단부의 가장자리 길이가 연장되도록 인입홈이 적어도 하나 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
제1항에 있어서,
상기 제1,2리드부재 중 상기 전극분리공간의 반대쪽의 리드프레임은 상기 패키지 몰딩부재에 매립되지 않도록 일부가 커팅되어 상기 반사부 내로 노출된 노출부가 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
제1항에 있어서,
상기 패키지 몰딩부재는 사각형으로 형성되되, 상기 전극부가 형성된 좌,우부의 두께보다 전,후부의 두께가 2배 이상 두껍게 성형된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
제1항에 있어서,
상기 패키지 몰딩부재는, 열경화성 백색 수지를 포함하여 된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
제1항에 있어서,
상기 제1,2리드부재 중 어느 하나에는 방열을 위해 상기 패키지 몰딩부재 전방으로 적어도 1.0mm 이상 돌출된 슬러그 핀이 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
제9항에 있어서,
상기 슬러그 핀의 좌우로 상기 제1,2리드부재에는 각각 사이드뷰 실장을 위해 상기 패키지 몰딩부재 전방으로 적어도 1.0mm 이상 돌출된 전극핀이 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.