KR101161385B1 - 발광 다이오드 패키지 - Google Patents

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KR101161385B1
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Abstract

본 발명은 발광 다이오드 칩이 실장되는 제 1 리드프레임 및 제 2 리드프레임이 외부로 노출되는 면적을 크게 늘려 발광 다이오드 패키지의 방열 특성을 향상시킬 수 있으며, 이에 의해, 발광 다이오드 패키지의 광량 저하를 막고 발광 다이오드 패키지의 수명을 향상시킬 수 있도록 한 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.
이를 위하여 본 발명은 발광 다이오드 칩; 서로 이웃하는 함몰부들을 구비하되, 상기 함몰부들로 컵을 형성하는 제 1 리드프레임 및 제 2 리드프레임; 및 상기 함몰부들의 컵 바닥면이 외부로 노출되게 상기 제 1 리드프레임 및 제 2 리드프레임을 지지하는 몸체를 포함하는 발광 다이오드 패키지를 제공한다.

Description

발광 다이오드 패키지{LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE}
본 발명은 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로, 특히 방열 특성을 향상시키고, 발광 다이오드 칩의 광량 저하를 막을 수 있는 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED; Light Emitting Diode)는 전류 인가에 의해 P-N 반도체 접합(P-N junction)에서 전자와 정공이 만나 빛을 발하는 소자로서, 통상, 발광 다이이오드 칩이 탑재된 패키지의 구조로 제작되며, 흔히, '발광 다이오드 패키지'라고 칭해지고 있다. 위와 같은 발광 다이오드 패키지는 일반적으로 인쇄회로기판(PCB; Printed Circuit Board) 상에 장착되어 그 인쇄회로기판에 형성된 전극으로부터 전류를 인가받아 발광 동작하도록 구성된다.
발광 다이오드 패키지에 있어서, 발광 다이오드 칩으로부터 발생한 열은 발광 다이오드 패키지의 발광 성능 및 수명에 직접적인 영향을 미친다. 그 이유는 발광 다이오드 칩에 발생한 열이 그 발광 다이오드 칩에 오래 머무르는 경우 발광 ㄷ다이오드 칩을 이루는 결정 구조에 전위(dislocation) 및 부정합(mismatch)를 일으키기 때문이다.
이에 따라, 종래에는 발광 다이오드 칩으로부터 발생한 열의 방출을 촉진시키기 위한 기술들이 제안된 바 있다. 그 중 대표적인 것은, 발광 다이오드 칩을 리드프레임 상에 장착하는 대신에, 패키지 몸체 내부에 열전도성이 뛰어난 금속소재의 방열 슬러그를 삽입 설치하고, 그 방열 슬러그에 발광 다이오드 칩을 장착한 발광 다이오드 패키지이다.
그러나, 종래의 발광 다이오드 패키지는, 방열 슬러그가 외부로 노출되는 방열 면적에 비해 그 체적이 상대적으로 크므로, 고가의 열전도성 재료가 아니면 그 이용이 제한되며, 또한 그 방열슬러그를 설치하는데 따른 많은 공정상의 어려움이 뒤따르는 문제점이 있다. 게다가, 위의 방열 슬러그는 발광 다이오드 패키지의 컴팩트화를 저해하는 원인이 되기도 한다.
또한 종래의 발광 다이오드 패키지는, 리드프레임과 방열 슬러그를 지지하는 패키지 몸체의 재료로 통상 PPA 등과 같은 합성수지를 하는데, 그 합성수지가 발광 다이오드 칩의 빛 에너지에 의해 변색되기 쉬우며, 패키지 내부의 형광체 및 발광 다이오드 칩의 신뢰성에도 영향을 미치어 전체적인 광량을 저하시키고 있다.
또한 종래의 발광 다이오드 패키지는 방향성 있는 전기적 특성을 가지고 동작하는데, 잘못 인가될 수 있는 역전류에 의한 손상을 방지하기 위하여 패키지 몸체내에 제너 다이오드를 함께 실장하고 있다.
그러나, 제너 다이오드는 발광 다이오드 칩에서 발생된 광을 흡수 또는 왜곡시켜 발광효율의 저하요인으로 작용할 수 있다.
본 발명의 목적은, 발광 다이오드 칩이 실장되는 제 1 리드프레임 및 제 2 리드프레임이 외부로 노출되는 면적을 크게 늘려 발광 다이오드 패키지의 방열 특성을 향상시킬 수 있으며, 이에 의해, 발광 다이오드 패키지의 광량 저하를 막고 발광 다이오드 패키지의 수명을 향상시킬 수 있도록 한 발광 다이오드 패키지를 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 발광 다이오드 칩; 서로 이웃하는 함몰부들을 구비하되, 상기 함몰부들로 컵을 형성하는 제 1 리드프레임 및 제 2 리드프레임; 및 상기 함몰부들의 컵 바닥면이 외부로 노출되게 상기 제 1 리드프레임 및 제 2 리드프레임을 지지하는 몸체를 포함한다.
상기 몸체는, 상기 제 1 리드프레임 및 제 2 리드프레임의 일부를 덮도록, 수지를 몰딩하여 형성된 것이 바람직하다.
상기 몸체는, 상기 제 1 리드프레임 및 제 2 리드프레임 사이에 반사부를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 반사부는 상기 제 1 리드프레임 및 제 2 리드프레임을 향해 있는 한쌍의 반사면을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 반사부는 상기 함몰부들 사이에서 상기 반사부보다 폭이 좁고 높이가 낮은 경계부를 구비하는 것이 바람직하다.
상기 경계부 주변에 제너 다이오드가 실장된 것이 바람직하다.
상기 함몰부들 내에 실장되는 상기 발광 다이오드 칩은 직렬 또는 병렬로 연결되는 것이 바람직하다.
상기 함몰부들의 내벽은 기울기를 갖는 경사면을 갖는 것이 바람직하다.
상기 몸체의 내벽은 상기 경사면보다 기울기가 넓은 경사면을 갖는 것이 바람직하다.
상기 몸체의 측면 중 적어도 두개의 측면은 외부 프레임의 일부분이 끼워지는 고정홈이 형성된 것이 바람직하다.
상기 제 1 리드프레임 및 제 2 리드프레임은 상기 함몰부들 각각으로부터 상기 몸체의 외측으로 연장된 연장부들을 구비한 것이 바람직하다.
상기 연장부들 각각은 두개 이상의 분할부로 나뉘어 상기 몸체를 이루는 수지가 채워지는 것이 바람직하다.
상기 컵 내에는 광투과성의 수지를 주 성분으로 하는 봉지부재가 형성된 것이 바람직하다.
상기 봉지부재는, 상기 발광 다이오드 칩 주변을 덮는 제 1 봉지부와, 상기 제 1 봉지부 위에 형성되는 제 2 봉지부를 포함하며, 상기 제 1 봉지부와 상기 제 2 봉지부 중 하나에는 형광체가 포함된 것이 바람직하다.
또한 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 상기 발광 다이오드 칩을 피해 상기 제 1 리드프레임 및 제 2 리드프레임에 형성된 거친면을 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기 함몰부들의 컵 바닥면이 전기 접점부가 되는 것이 바람직하다.
상기 함몰부들의 컵 바닥면이 전기 접점부가 되고 상기 연장부들이 방열부가 되는 것이 바람직하다.
상기 함몰부들의 컵바닥면이 방열부가 되고 상기 연장부들이 전기 접점부가 되는 것이 바람직하다.
상기 함몰부들의 컵 바닥면과 상기 몸체의 바닥면은 동일 평면 상에 위치하는 것이 바람직하다.
또한 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 상기 몸체의 상단에 수지 넘침 방지 턱이 형성된 것이 바람직하다.
본 발명의 실시예에 따르면 발광 다이오드 칩이 실장되는 제 1 리드프레임 및 제 2 리드프레임이 외부로 노출되는 면적을 크게 늘려 발광 다이오드 패키지의 방열 특성을 향상시킬 수 있으며, 이에 의해, 발광 다이오드 패키지의 광량 저하를 막고 발광 다이오드 패키지의 수명을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
또한 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지는 구조적으로, 경제적으로 비효율적인 방열 슬러그의 설치 없이도 충분한 방열 성능을 갖는 이점이 있다.
또한 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지는 종래 패키지 몸체에 발광 다이오드 칩이 실장되는 컵이 형성되는 것과 달리, 제 1 리드프레임 및 제 2 리드프레임에 컵이 형성되며, 패키지 몸체에 발광 다이오드 칩이 실장되는 컵이 형성될 때 야기되는, 광 효율의 저하 또는 패키지 몸체의 변색 등과 같은 문제점을 해결하는 효과도 있다.
또한 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지는 제 1 리드프레임 및 제 2 리드프레임 사이에 반사부를 갖는 몸체에 의해 제 1 리드프레임 및 제 2 리드프레임에 각각 실장된 발광 다이오드 칩에서 나오는 광의 간섭을 막을 수 있는 효과도 있다.
또한 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지는 반사부보다 높이가 낮고 폭이 좁은 경계부 주변에 제너다이오드가 실장되어, 발광 다이오드 칩에서 나오는 광의 흡수 또는 왜곡을 감소시킬 수 있는 효과도 있다.
그리고 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지는 발광 다이오드 칩이 직렬 또는 병렬로 연결되도록 제 1 리드프레임 및 제 2 리드프레임에 실장됨에 따라, 직렬 또는 병렬로 연결되는 발광 다이오드 칩이 복수개 실장되더라도, 함몰부들의 바닥면과 몸체의 외측으로 연장된 연장부를 통하여 고르게 열을 전달시킬 수 있는 효과도 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 사시도.
도 2는 도 1에 도시된 발광 다이오드 패키지를 외부 프레임으로부터 분리하기 직전의 사시도.
도 3은 도 1에 도시된 발광 다이오드 패키지의 단면도.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 단면도.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들을 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 설명하기 위한 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 발광 다이오드 패키지를 외부 프레임으로부터 분리하기 직전의 사시도이며, 도 3은 도 1에 도시된 발광 다이오드 패키지의 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 발광 다이오드 패키지(1)는 발광 다이오드 칩들(2a, 2b), 발광 다이오드 칩들(2a, 2b)에 전류를 인가하기 위한 제 1 리드프레임(12)과 제 2 리드프레임(14), 제 1 리드프레임(12)과 제 2 리드프레임(14)을 지지하는 몸체(20), 그리고, 발광 다이오드 칩들(2a, 2b)을 보호하도록 형성된 광투과성의 봉지부재(30)를 포함한다.
제 1 리드프레임(12)과 제 2 리드프레임(14)은 서로 이웃하는 함몰부들(122, 142)을 구비하며, 함몰부들(122, 142)로 컵을 형성할 수 있다.
제 1 리드프레임(12)과 제 2 리드프레임(14)은 각각 금속소재로 이루어지며, 대략 판의 형태를 갖고 있다. 제 1 리드프레임(12)과 제 2 리드프레임(14)은 서로에 대하여 이격되어 있다.
함몰부들(122, 142)의 컵 바닥면이 외부로 노출되게 제 1 리드프레임(12)과 제 2 리드프레임(14)을 지지하는 몸체(20)가 형성된다. 함몰부들(122, 142) 각각에 발광 다이오드 칩들(2a, 2b)이 실장되며, 함몰부들(122, 142) 중 적어도 하나의 함몰부에 하나의 발광 다이오드 칩이 실장될 수도 있다. 함몰부들(122, 142) 바닥이 몸체(20)의 외부로 노출되어, 외부의 전원 공급부와 연결되며, 외부로의 열을 전달시킬 수 있다. 전원 공급부는 열전도성이 좋은 금속으로 형성된 패드에 전기전도성이 우수한 물질로 발광 다이오드 패키지(2)와 접합되어, 발광 다이오드 칩들(2a, 2b)에서 발생하는 열을 최단 경로로 패키지 외부로 배출시킬 수 있다.
또한 제 1 리드프레임(12)과 제 2 리드프레임(14)은 두개 이상의 분할부들(17a, 17b) 부분으로 나뉘어 몸체(20)의 외측까지 연장되고, 그 분할부들(17a,, 17b) 사이에는 몸체(20)의 일부가 채워진다. 이에 의해 제 1 리드프레임(12)과 제 2 리드프레임(14)은 몸체(20)에 의해 보다 견고하게 지지될 수 있다.
몸체(20)는 제 1 리드프레임(12)과 제 2 리드프레임(14)의 일부를 덮도록 수지를 몰딩하여 형성된다. 몸체(20)는 제 1 리드프레임(12)과 제 2 리드프레임(14) 사이에 형성된 반사부(201)와, 반사부(201)보다 높이가 낮고 폭이 좁은 경계부(202)를 포함하며, 반사부(201)와 경계부(202)는 몸체(20)와 일체로 몰딩하여 형성될 수 있다. 경계부(202)는 함몰부들(122, 142) 중 어느 하나의 함몰부 측면에 인접하게 형성될 수 있다. 반사부(201)는 제 1 리드프레임(12)과 제 2 리드프레임(14)을 향해 있는 반사면을 포함한다. 이러한 반사면에 의해 제 1 리드프레임(12)과 제 2 리드프레임(14)에 각각 실장된 발광 다이오드 칩들(2a, 2b) 사이의 광 간섭을 줄일 수 있다.
전술된 경계부(202)에 인접하게 제너 다이오드(ZD)가 실장된다. 특히 제너 다이오드(ZD)는 광이 발생하지 않는 소자로, 광이 형성되는 발광 다이오드 칩들(2a, 2b)로부터 분리하여 위치할 수 있도록 격벽의 안쪽에 실장됨이 바람직하다. 따라서, 제너 다이오드(ZD)는 발광 다이오드 칩들(2a, 2b)에서 발생된 광에 가려지게 실장되어, 발광 다이오드 칩들(2a, 2b)에서 발생된 광의 흡수 또는 왜곡을 감소할 수 있다. 또한 반사부(201) 보다 낮은 높이를 갖는 경계부(202)를 넘도록 와이어가 설치됨에 따라 와이어에 의한 왜곡도 감소시킬 수 있다.
한편, 몸체(20)의 측면 중 적어도 두개의 측면, 즉 리드프레임이 노출되지 않은 측면에는 도 2에 도시된 외부 프레임(L)의 일부분이 끼워지는 고정홈(204)을 형성한다. 고정홈(204)은 패키지 제작 공정 중 발광 다이오드 칩들(2a, 2b)을 실장, 와이어 본딩, 몰딩 형성 등의 공정을 실시하는 동안 패키지 전체를 리드프레임에 고정시킬 수 있으며, 이후 제조 공정이 마무리된 후에 쉽게 분리하기 위하여 몸체(20)의 측면에 형성된다.
도 3에 도시된 바와 같이, 제 1 리드프레임(12)과 제 2 리드프레임(14)의 서로 이웃하는 단부에는 서로를 향해 열려 있는 함몰부들(122, 142)이 형성되며, 함몰부들(122, 142)에 의해 그 안쪽에는 발광 다이오드 칩들(2a, 2b)이 각각 실장되는 오목한 컵이 형성된다.
제 1 리드프레임(12) 및 제 2 리드프레임(14)에는 발광 다이오드 칩들(2a, 2b)이 실장되는 함몰부들(122, 142)과, 발광 다이오드 칩들(2a, 2b) 보다 더 높은 위치까지 형성되는 측면의 경사면을 갖는다. 또한 제 1 리드프레임(12) 및 제 2 리드프레임(14)에는 측면의 경사면 상부에서 절곡된 면을 형성하며, 일부가 몸체(20)의 측면 외부로 연장되는 연장부들(124, 144)을 포함한다. 연장부들(124, 144)은 자체 함몰부들(122, 142)로부터 몸체(20)의 측면 외부로 연장되다.
발광 다이오드 칩들(2a, 2b)에서 발생하는 열을 효과적으로 배출하기 위하여, 발광 다이오드 칩들(2a, 2b)을 제 1 리드프레임(12)과 제 2 리드프레임(14)에 나누어 실장하며, 몸체(20) 내에서 형성되는 제 1 리드프레임(12)과 제 2 리드프레임(14)의 면적은 같게 형성됨이 바람직하다. 동일한 크기의 발광 다이오드 칩들이 실장되는 경우, 발광 다이오드 칩들이 실장되는 리드프레임의 면적은 상응하는 값을 갖게 해야 열 방출이 균형적으로 이루어질 수 있다.
연장부들(124, 144)는 측면의 경사면 상부를 굴곡지게 함에 따라, 컵을 여러 방향에서 고정시킬 수 있다. 굴곡진 경사면의 상부를 일부 노출시킨 채 몸체(20)에 의해 단단하게 고정될 수 있다.
여기서 발광 다이오드 칩들(2a, 2b)이 실장되는 실장면에는 반사도가 우수한 예컨대 Ag, Al, Pt, Ni, Cr, Au, DBR 등을 형성하여, 발광 다이오드 칩들(2a, 2b)에서 나오는 광을 패키지 밖으로 방출시키는데 기여할 수 있다.
몸체(20)는 함몰부들(122, 142)에 의해 형성된 컵 바닥면을 제외하고 제 1 리드프레임(12)과 제 2 리드프레임(14)의 일부를 덮도록 합성수지가 몰딩되어 형성된다. 따라서, 함몰부들(122, 142)의 바닥면들, 즉, 컵바닥면들(123, 143)은 외부로 노출된다. 그리고, 컵바닥면들(123, 143)은 몸체(20)의 바닥면과 대략 동일 평면 상에 위치하는 것이 바람직하며, 이때, 컵바닥면들(123, 143)이 예를 들면, 외부의 인쇄회로기판(미도시됨)에 형성된 두 전극패턴에 연결되는 전기 접점부가 될 수 있다. 그리고, 컵바닥면들(123, 143)은 얇은 두께, 넓은 면적으로 외부에 노출되어 있으므로, 발광 다이오드 칩들(2a, 2b)의 열을 외부에 방출하는데 크게 기여할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따라, 연장부들(124, 144)은 발광 다이오드 칩들(2a, 2b)에서 나온 열을 외부 공기 중에 방출하는 방열부를 이루며, 특히, 그 연장부들(124, 144) 각각은 넓은 판의 형상으로 외부 공기 중에 노출되어 있으므로, 대류 방식으로 발광 다이오드 칩들(2a, 2b)에 발생된 열을 외부 공기 중에 효과적으로 방출시킬 수 있다. 이때, 연장부들(124, 144)을 전기 접점부로 이용할 수도 있으며, 이 경우에는, 전술한 컵바닥면(123, 143)은 방열 기능만을 수행하게 될 것이다.
또한 외부로 노출된 연장부(122, 144)는 제품을 만들때 제품의 전기적 광학적 특성을 체크하기 위한 전극으로 사용될 수 있으며, 발광 다이오드 칩들(2a, 2b)에서 발생하는 광의 측면 열 방출 경로로 사용될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따라, 제 1 리드프레임(12)의 함몰부(122)에는 제 1 발광 다이오드 칩(2a)이 부착되어 제 1 리드프레임(12)과 전기적으로 연결된다. 그리고, 제 1 발광 다이오드 칩(2a)과 제 2 리드프레임(14)의 함몰부(142)에 실장된 제 2 발광 다이오드 칩(2b)을 도전성 와이어에 의해 전기적으로 연결되며, 제 2 발광 다이오드(2b)는 제 2 리드프레임(14)과 도전성 와이어(W)에 의해 서로 전기적으로 연결된다.
함몰부들(322, 342) 내에는 발광 다이오드 칩들(2a, 2b)이 직렬 또는 병렬로 연결될 수 있다.
함몰부(122, 142)들의 내벽, 즉, 컵의 내벽은 발광 다이오드 칩들(2a, 2b)로부터 나온 광 중 일부를 상향 반사시키는 기울기를 갖는 경사면으로 되어 있다. 이와 같은 경사면을 내부로 포함하는 몸체(20)의 내벽은 함몰부들(122, 142)의 경사면보다 기울기가 넓은 완만한 경사면을 갖는다. 더 나아가, 제 1 리드프레임(12)과 제 2 리드프레임(14)에는, 도 3의 확대도에 잘 도시된 것과 같이, 거친면(R)을 포함한다. 거친면(R)은 예를 들면, 샌드 블라스팅 가공과 같은 표면 처리 가공에 의해 형성되는 면으로, 함몰부들(122, 142)에서는 광을 산란시켜 광의 지향각을 넓히고 광의 효율은 높여주는데 기여하며, 몸체(20)에 의해 덮인 함몰부들(122, 142)의 바깥쪽 부분에서는 몸체(20)를 이루는 수지에 대해 제 1 리드프레임(12)과 제 2 리드프레임(14)의 접착성을 높여줄 수 있다. 이때, 거친면(R)은 전술한 샌드 블라스팅 가공이 아닌 다른 가공 또는 공정에 의해 형성될 수 있으며, 또한 그 거치면(R)의 형상은 도시된 도면에 의해 한정되지 않고 다양한 패턴으로 형성될 수 있는 것이다.
함몰부들(122, 142)에 의해 형성되 컵 내부에는 광투과성 수지로 이루어진 봉지부재(30)가 채워져 형성된다. 봉지재(30)에는 형광체 또는 확산제를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에에 따라, 봉지부재(30)는 실리콘 수지를 주성분으로 하는 제 1 봉지부(32)와 에폭시 수지 또는 하드 실리콘 수지를 주성분으로 하는 제 2 봉지부(34)를 포함한다. 이때, 제 1 봉지부(32)와 제 2 봉지부(34) 중 어느 하나에는 형광체가 포함되는 것이 바람직하다.
특히, 발광 다이오드 칩들(2a, 2b)을 보호하기 위하여 제 1 봉지부(32)에는 투광성의 수지로 몰딩될 수 있다. 또한 제 2 봉지부(32)에는 청색 발광 다이오드 칩의 광을 녹색, 적색, 황색 등으로 변환하기 위한 형광체와 색을 고르게 발광하기 위한 확산제를 포함할 수 있다.
본 실시예에서 제 1 봉지부(32)의 상면이 볼록한 면으로 설명하고 있지만, 몸체(20)의 바닥면과 평행면을 이룰 수 있으며, 또한 오목면을 일체로 형성 또는 추가로 형성하여 광 경로를 변화시킬 수 있다. 또한 복수의 수지를 층으로 형성하여 광 경로를 변화시킬 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이 발광 다이오드 칩들(4a, 4b)을 하나의 봉지부재(50)로 봉지할 수 있으며, 하나의 봉지부재(50)에 적어도 하나의 형광체를 함유할 수 있다.
또한, 제 1 봉지부(32)를 형성하는 실리콘 수지는 고온 고습 조건, 열 충격 조건에서 발광 다이오드 패키지의 신뢰성을 보장할 수 있다. 제 2 봉지부(34)는 볼록렌즈 형태를 갖는 것이 바람직하지만, 이는 본 발명을 한정하는 것은 아니다.
추가로, 제 1 봉지부(32)와 제 2 봉지부(34) 사이에는 에폭시 수지와 실리콘 수지의 물성 차이로 야기되는 계면 박리를 막기 위해 에폭시 수지와 실리콘 수지의 중간 성질을 갖는 수지를 얇게 뿌리거나 도포하는 것이 바람직하다. 본 발명의 실시예에서는, 봉지부재(30)를 제 1 봉지부(32)와 제 2 봉지부(34)로 나누어 형성하지만, 단일 봉지부재, 즉, 1회의 수지 몰딩 또는 1회의 수지 충전에 의해 형성되는 봉지부재가 본 발명에 이용될 수 있음은 물론이다.
또한 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(1)는 액상의 수지를 컵 내에 채워 봉지부재(30)를 형성할 때, 액상의 수지가 흘러나오는 것을 막는 수단 포함하는데, 본 실시예에서, 수단은 몸체(20)의 상단에 형성된 수지 넘침 방지용 턱(203)일 수 있다.
이상에서는 본 발명이 특정 실시예를 중심으로 하여 설명되었지만, 본 발명의 취지 및 첨부된 특허청구범위 내에서 다양한 변형, 변경 또는 수정이 당해 기술분야에서 있을 수 있으며, 따라서, 전술한 설명 및 도면은 본 발명의 기술사상을 한정하는 것이 아닌 본 발명을 예시하는 것으로 해석되어져야 한다.
1 : 발광 다이오드 패키지 12 : 제 1 리드프레임
14 : 제 2 리드프레임 122, 142 : 함몰부들
123, 143 : 함몰부들의 바닥면 124, 144 : 연장부
2 : 발광 다이오드 칩 20 : 몸체
201 : 반사부 202 : 경계부
203 : 수지 넘침 방지 턱 204 : 고정홈
ZD : 제너 다이오드

Claims (20)

  1. 발광 다이오드 칩;
    서로 이웃하는 함몰부들을 구비하는 제 1 리드프레임 및 제 2 리드프레임; 및
    상기 함몰부들의 컵 바닥면이 외부로 노출되게 상기 제 1 리드프레임 및 제 2 리드프레임을 지지하는 몸체를 포함하되,
    상기 제 1 리드프레임 및 제 2 리드프레임은 상기 함몰부들 각각으로부터 상기 몸체의 외측으로 연장된 연장부들을 구비하고,
    상기 연장부들 각각은 두개 이상의 분할부로 나뉘어지며,
    상기 분할부들 사이는 상기 몸체를 이루는 수지로 채워지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 몸체는, 상기 제 1 리드프레임 및 제 2 리드프레임의 일부를 덮도록, 수지를 몰딩하여 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 몸체는, 상기 제 1 리드프레임 및 제 2 리드프레임 사이에 반사부를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 반사부는 상기 제 1 리드프레임 및 제 2 리드프레임을 향해 있는 한쌍의 반사면을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  5. 청구항 3에 있어서,
    상기 반사부는 상기 함몰부들 사이에서 상기 반사부보다 폭이 좁고 높이가 낮은 경계부를 구비하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 경계부 주변에 제너 다이오드가 실장된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 함몰부들 내에 실장되는 상기 발광 다이오드 칩은 직렬 또는 병렬로 연결되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 함몰부들의 내벽은 기울기를 갖는 경사면을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 몸체의 내벽은 상기 경사면보다 기울기가 넓은 경사면을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 몸체의 측면 중 적어도 두개의 측면은 외부 프레임의 일부분이 끼워지는 고정홈이 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 청구항 1에 있어서,
    상기 컵 내에는 광투과성의 수지를 주 성분으로 하는 봉지부재가 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 봉지부재는,
    상기 발광 다이오드 칩 주변을 덮는 제 1 봉지부와, 상기 제 1 봉지부 위에 형성되는 제 2 봉지부를 포함하며,
    상기 제 1 봉지부와 상기 제 2 봉지부 중 하나에는 형광체가 포함된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  15. 청구항 1에 있어서,
    상기 발광 다이오드 칩을 피해 상기 제 1 리드프레임 및 제 2 리드프레임에 형성된 거친면을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  16. 청구항 1에 있어서,
    상기 함몰부들의 컵 바닥면이 전기 접점부가 되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  17. 청구항 1에 있어서,
    상기 함몰부들의 컵 바닥면이 전기 접점부가 되고 상기 연장부들이 방열부가 되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  18. 청구항 1에 있어서,
    상기 함몰부들의 컵바닥면이 방열부가 되고 상기 연장부들이 전기 접점부가 되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  19. 청구항 1에 있어서,
    상기 함몰부들의 컵 바닥면과 상기 몸체의 바닥면은 동일 평면 상에 위치하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  20. 청구항 1에 있어서,
    상기 몸체의 상단에 수지 넘침 방지 턱이 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
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Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100616679B1 (ko) * 2005-05-11 2006-08-28 삼성전기주식회사 측면 발광다이오드 패키지
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