JP4627177B2 - Ledの製造方法 - Google Patents

Ledの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4627177B2
JP4627177B2 JP2004326276A JP2004326276A JP4627177B2 JP 4627177 B2 JP4627177 B2 JP 4627177B2 JP 2004326276 A JP2004326276 A JP 2004326276A JP 2004326276 A JP2004326276 A JP 2004326276A JP 4627177 B2 JP4627177 B2 JP 4627177B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cup
led chip
led
resin
fluorescent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004326276A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2006140197A (ja
Inventor
稔 田中
智久 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Stanley Electric Co Ltd
Original Assignee
Stanley Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Stanley Electric Co Ltd filed Critical Stanley Electric Co Ltd
Priority to JP2004326276A priority Critical patent/JP4627177B2/ja
Priority to KR1020050100687A priority patent/KR101217660B1/ko
Priority to CNB2005101172311A priority patent/CN100474644C/zh
Priority to DE102005053217A priority patent/DE102005053217A1/de
Priority to US11/269,667 priority patent/US7300326B2/en
Publication of JP2006140197A publication Critical patent/JP2006140197A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4627177B2 publication Critical patent/JP4627177B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/54Encapsulations having a particular shape
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C33/00Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
    • B29C33/0055Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor with incorporated overflow cavities
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C39/00Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor
    • B29C39/02Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor for making articles of definite length, i.e. discrete articles
    • B29C39/10Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor for making articles of definite length, i.e. discrete articles incorporating preformed parts or layers, e.g. casting around inserts or for coating articles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29KINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2995/00Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds
    • B29K2995/0018Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds having particular optical properties, e.g. fluorescent or phosphorescent
    • B29K2995/0026Transparent
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29LINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
    • B29L2011/00Optical elements, e.g. lenses, prisms
    • B29L2011/0016Lenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements

Description

本発明は、LEDの製造方法に関するものであり、詳しくはLEDチップから発せられた光と、LEDチップから発せられて蛍光物質によって波長変換された光との組み合わせの加法混色によって任意の色調の光を発するLEDの製造方法に関する。
急峻なスペクトル分布を有する光を発するLEDチップを光源にして白色光を放出するLED装置を実現するためには、LEDチップから発せられた光と、LEDチップから発せられた光によって励起された蛍光物質が発する波長変換された光との加法混色によって可能になる。
例えば、LEDチップが発する光が青色光の場合は、青色光に励起されて青色の補色となる黄色の光に波長変換する蛍光物質を使用することにより、LEDチップから発せられた青色光と、LEDチップから発せられた青色光によって励起された蛍光物質が発する波長変換された黄色光との加法混色によって白色光を得ることができる。
同様に、LEDチップが発する光が青色光の場合、青色光に励起されて夫々緑色光及び赤色光に波長変換する2種類の蛍光物質を混合して使用することにより、LEDチップから発せられた青色光と、LEDチップから発せられた青色光によって励起された2種類の蛍光物質が発する波長変換された緑色光及び赤色光との加法混色によって白色光を得ることができる。
また、LEDチップが発する光が紫外線の場合、紫外線に励起されて夫々青色光、緑色光及び赤色光に波長変換する3種類の蛍光物質を混合して使用することにより、LEDチップから発せられた紫外線によって励起された3種類の蛍光物質が発する波長変換された青色光、緑色光及び赤色光との加法混色によって白色光を得ることができる。
更に、LEDチップから発せられる発光色と波長変換部材となる蛍光物質とを適宜組み合わせることによって白色光以外の種々な色調の光を得ることができる。
上記のように、光源から発せられた光で蛍光物質を励起して波長変換し、光源から発せられた光とは異なる色調の光を放出するようなLEDには、例えば図4に示すようなものがある。それは、絶縁基板の表面に一対の導体パターン50、51が形成された両面スルーホール基板52に擂鉢形状の凹部53が形成されており、一方の導体パターン50は前記凹部53の底面54を形成すると共に裏面側の一方の電極部を構成し、表面側に形成された他方の導体パターン51はスルーホール55を介して裏面側に回り込んで裏面側の他の電極部を構成している。
そして、凹部53の底面54の導体パターン50に導電性接着剤を介してLEDチップ56を実装し、LEDチップ56の下側電極と導体パターン50との電気的導通を図り、LEDチップ56の上側電極と導体パターン51とをボンディングワイヤ57を介して接続してLEDチップ56の上側電極と導体パターン51との電気的導通を図っている。
更に、LEDチップ56が実装された凹部53内に、蛍光物質からなる波長変換用材料が混入された第一の樹脂58を充填してLEDチップ56を埋設させて封止し、前記凹部53を含む両面スルーホール基板52の上方をエポキシ系の透光性樹脂を主成分とする第二の樹脂59で樹脂封止して中央部に半球形状の集光レンズ60を一体に形成している(例えば、特許文献1参照。)。
また、特許文献2に於いて従来の技術として記載されているようなものがある。それは図5に示すように、絶縁基板の表面に、前記絶縁基板の表面側から側面を介して裏面側に回り込んだ一対の導体パターン70、71が形成された配線基板72の一方の導体パターン70に銀接着剤ペーストを介してLEDチップ73が実装されている。そして、LEDチップ73の上側に形成された一対の電極の一方と前記LEDチップ73が実装された導体パターン70とをボンディングワイヤ74を介して接続して電気的導通を図り、LEDチップ73の上側に形成された一対の電極の他方と導体パターン71とをボンディングワイヤ75を介して接続して電気的導通を図っている。そして、エポキシ樹脂等からなる透光性樹脂に蛍光物質76を含有させた封止樹脂77によってLEDチップ73及びボンディングワイヤ74、75が封止されている(例えば、特許文献2参照。)。
特開2002−324917号公報 特開2003−258310号公報
上述のような構成の従来のLEDに於いて、前者は、凹部内に実装されたLEDチップは前記凹部内に波長変換用材料を混入した第一の樹脂を充填することによって埋設させて封止されている。そのため、LEDチップの光出射面と第一の樹脂とは直接接しており、LEDチップの光出射面上の第一の樹脂の厚みの違いによってLEDチップから発せられて第一の樹脂内を導光された光の色調が直接的に変化することになる。従って、LEDから放出される光の色調を均一に且つ再現性良く保つためには、凹部に充填する第一の樹脂の量の制御が重要な要素となる。
ところで、LEDに一般的に求められる要件の1つに小型化が挙げられる。そのためLEDチップを実装する凹部の寸法を極力小さくすることが試みられるが、その場合凹部内に充填される第一の樹脂の量が極めて少量なものとなり、充填量の制御及び再現性が非常に難しいものとなってしまう。
また、凹部内に第一の樹脂を充填する方法として、一般的にはディスペンサなどの液体定量吐出装置を使用してそのノズルから吐出される一定量の樹脂を凹部内に充填することが行なわれるが、凹部の略中心に実装されたLEDチップには凹部の開口部よりも上方に伸びて前記開口部を横切るボンディングワイヤが配設されており、そのために液体定量吐出装置のノズルから吐出された樹脂がボンディングワイヤに阻害されて凹部への注入が不確実なものとなり、不安定な注入量にならざるを得ない。
一方、後者は、封止樹脂を加熱硬化する際に、封止樹脂を構成する透光性樹脂と蛍光物質との比重差によって透光性樹脂よりも比重が大きい蛍光物質が沈降してしまい、封止樹脂内の蛍光物質を均一に分散させることが困難であった。また、封止樹脂を構成する透光性樹脂と蛍光物質との混合比率を高精度で再現性良く確保することも困難であった。その結果、LEDとしては外部(大気中)へ放出される光の色調の均一性が損なわれ、LEDの製品間においても色調バラツキが生じていた。
このような構成のLEDにおいて、LEDチップの光軸上の光出射面に凸形状の集光レンズを形成した場合には、LEDチップから発せられた光が封止樹脂に混入された蛍光物質によって拡散されるためにレンズの集光効果が得られないものとなってしまう。
そこで、本発明は上記問題に鑑みて創案なされたもので、製品間における色調バラツキが少なく、光取り出し効率が良好で高光度のLEDの製造方法を提供する。
上記課題を解決するために、本発明の請求項1に記載された発明は、凹形状のカップが所定の間隔で複数個設けられ、互いに隣接する前記カップが空間連通領域を介して空間的に連通され、前記空間連通領域と前記カップとが底面により繋がっている多数個取り基板を準備する工程と、前記カップ内にLEDチップを実装する工程と、前記基板上の前記カップの外に設けられたワイヤボンディングパッドと前記LEDチップをボンディングワイヤを介して電気的に接続する工程と、1個所以上の前記空間連通領域を注入口として、蛍光物質を混入させた透光性樹脂を注入して、自然流動により前記カップ及び空間連通領域に充填後、加熱硬化して前記カップ内に実装されたLEDチップを埋設させる工程とを含むことを特徴とするものである。
また、本発明の請求項2に記載された発明は、請求項1において、前記カップ内に実装されたLEDチップを前記蛍光物質を混入させた透光性樹脂で埋設させる工程の後、前記基板上に透光性樹脂により所定の形状に樹脂封止を行う工程を含むことを特徴とするものである。
また、本発明の請求項3に記載された発明は、請求項1又は2の何れか1項において、前記空間連通領域は、該空間連通領域を前記基板に平行な面で切ったときの断面が略円形であることを特徴とするものである。
また、本発明の請求項4に記載された発明は、請求項1〜3の何れか1項において、前記樹脂封止は、前記LEDチップの放射方向に該各LEDチップの光軸を略中心とする凸形状のレンズが形成されていることを特徴とするものである。
また、本発明の請求項5に記載された発明は、請求項1〜4の何れか1項において、前記蛍光物質を混入させた透光性樹脂の注入において、液体定量吐出装置を使用することを特徴とするものである。
本発明のLEDの製造方法は、LEDチップを実装する基板において、LEDチップが実装された凹形状のカップ上方を避けて互いに隣接するカップが空間的に連通された空間連通領域から透光性樹脂に蛍光物質を混入した蛍光樹脂を注入して樹脂の自然流動によってLEDチップを埋設させて封止させるようにした。
その結果、蛍光樹脂の注入がボンディングワイヤによって阻害されることなく、カップ内に実装されたLEDチップを確実に樹脂封止することができる。
また、空間連通領域から蛍光樹脂が自然流動によって各カップ及び空間連通領域の全てに拡散されるために、樹脂の高さが全体に亘って均一化される。よって、各カップ内には蛍光樹脂が定量的に充填され、各カップ内に実装された各LEDチップの光出射面上の蛍光樹脂の厚みも均一となり、製品間による色調バラツキの少ないLEDを実現する役割を果すものである。
また、全てのカップ及び空間連通領域が繋がっているために、全体として蛍光樹脂の充填容積が大きくなり、蛍光樹脂の注入量に多少の誤差が生じても全体に分散されることになるために各カップに充填される樹脂量の誤差には殆んど影響を与えない。つまり、カップに対する蛍光樹脂の充填量の誤差精度を容易に高められ、且つ各カップ間の充填量の誤差精度も同様に容易に高めることができる。そのため、製品間における色調バラツキの少ないLEDを実現するための役割を果すと共に、個々のLEDにおいても所望する色調の光を精度良く実現することができるものである。
また、空間連通領域から注入された蛍光樹脂は自然流動によって各カップ及び空間連通領域カップの全てに拡散されるために、1回の注入で全てのカップ内に蛍光樹脂が充填され、よって作業効率の改善によって生産性の向上を図ることができる。
更に、LEDチップが実装されたカップ上方に透光性樹脂による集光レンズを形成することによって、LEDチップから出射されてLEDの外部(大気中)に放出される光を一方向に集めてLEDの軸上光度を高めると共に、所定の配光を得ることができる。などの利点を有する。
以下、この発明の好適な実施形態を図1から図3を参照しながら、詳細に説明する(同一部分については同じ符号を付す)。尚、以下に述べる実施形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの実施形態に限られるものではない。
図1(a)〜(e)は本発明に係わるLEDの製造工程を示す断面図である。図2(a)は図1(a)の工程の上面図、図2(b)は図1(b)の工程の上面図である。
まず、複数のLEDの領域を有する図1(a)及び図2(a)に示すような多数個取り基板を準備する。この基板3は、絶縁部材からなる絶縁部1の表面に、対向する一対の導体パターン2a、2bを形成したものであり、各導体パターン2a、2bは基板3の表面側の長手方向に沿った縁部から側面側を経て裏面側に回り込んだ状態に形成されている。
また、基板の表面側に、対向して形成された一対の導体パターン2a、2bに挟まれ且つ基板3の長手方向に沿った位置には、略同一形状及び略同一寸法の複数個の凹形状の第一のカップ4が一定の間隔を保って形成されている。
そして、互いに隣り合う第一のカップ4の間には底面5の深さを第一のカップ4と略同一にした凹形状の第二のカップ6が形成されており、第一のカップ4と第二のカップ6とは底面によって繋がっている。
さらに、少なくとも各第一のカップ4の底面5には導体パターンからなるダイボンディングパッド7が形成され、基板3の表面側の縁部に形成された一対の導体パターン2a、2bのうちの一方の導体パターン2aから伸びた導体パターン2cを介して接続されている。一対の導体パターン2a、2bうちの他方の導体パターン2bからは略第一のカップ4方向に向かって伸びたワイヤボンディングパッド8が形成されている。
次に、図1(b)及び図2(b)に示すように、上記基板3に形成された各第一のカップ4底面5のダイボンディングパッド7に導電性接着剤9を介してLEDチップ10を実装し、LEDチップ10の下側電極とカップ底面に形成されたダイボンディングパッド7とを電気的に導通させる。LEDチップ10の上側電極はボンディングワイヤ11を介してワイヤボンディングパッド8に接続し、LEDチップ10の上側電極とワイヤボンディングパッド8とを電気的に接続させる。
次に、図1(c)に示すように、透光性樹脂に蛍光物質を混入した蛍光樹脂12をディスペンサ等の液体定量吐出装置(図示せず)を使用してLEDチップ10が実装された第一のカップ4内及び第二のカップ6内に充填する。その場合、蛍光樹脂12を吐出する液体定量吐出装置のノズル13は、LEDチップ10が実装された第一のカップ4の上方ではなく、蛍光樹脂12の注入口となる第二のカップ6内に先端部を挿入して位置させ、蛍光樹脂12を第二のカップ6内から注入することによって第二のカップ6内から自然流動によって徐々に全体に拡散させる。そして、全ての第一のカップ4及び第二のカップ6が蛍光樹脂12によって所定の量で満たされた時点で蛍光樹脂12の注入を停止し、その後加熱硬化させる。
この工程は、LEDチップ10を内包した第一のカップ4内に蛍光樹脂12を充填し、蛍光樹脂12によってLEDチップ10を埋設させて封止するための工程である。一般的には第一のカップ4内に蛍光樹脂12を直接注入する方法が採られるが、第一のカップ4の略中心に実装されたLEDチップ10にはカップの開口部よりも上方に伸びて前記開口部を横切るボンディングワイヤ11が配設されており、そのために液体定量吐出装置のノズル13から吐出された蛍光樹脂がボンディングワイヤ11に阻害されて第一のカップ4内への注入が不確実なものとなり、不安定な注入量にならざるを得ない。
そのため、本発明に係わる実施形態においては、蛍光樹脂12を吐出するノズル13をLEDチップ10が内包された第一のカップ4上方を避けて第一のカップ4に底面5が繋がった第二のカップ6内にノズル13の先端部を挿入し、蛍光樹脂12を第二のカップ6内から注入して第二のカップ6内から自然流動によって全体に拡散されるようにしている。その結果、ボンディングワイヤ11によって阻害されることなくLEDチップを確実に樹脂封止することができる。
また、第二のカップ内6から注入された蛍光樹脂12は自然流動によって拡散されるために、樹脂の高さが全体に亘って均一化される。よって、各第一のカップ4内には蛍光樹脂12が定量的に充填され、各第一のカップ4内に実装された各LEDチップ10の光出射面上の蛍光樹脂12の厚みも均一となり、製品間における色調バラツキの少ないLEDを実現するための一役を担うものである。
更に、全ての第一のカップ4及び第二のカップ6が繋がっているために、全体として蛍光樹脂の充填容積が大きくなり、蛍光樹脂12の注入量に多少の誤差が生じても全体に分散されることになるために各第一のカップ4に充填される樹脂量の誤差には殆んど影響を与えない。つまり、第一のカップ4に対する蛍光樹脂12の充填量の誤差精度を容易に高められ、且つ各第一のカップ4間の充填量の誤差精度も同様に容易に高めることができる。そのため上記同様に製品間における色調バラツキの少ないLEDを実現するための一役を担う共に、個々のLEDにおいても所望する色調の光を精度良く実現することができるものである。
次に、図1(d)に示すように、透光性樹脂によって各LEDチップ10の放射方向に各LEDチップ10の光軸を略中心とする凸形状の集光レンズ14を形成してボンディングワイヤ11を樹脂封止15し、その後加熱硬化させる。
集光レンズは、球面レンズ及び非球面レンズのうちの1つであり、LEDから放出される光に要求される配光を実現するように適宜選択、設計される。
ボンディングワイヤ11を透光性樹脂で樹脂封止する目的は、機械的振動や衝撃などの外部応力等から保護するためのものであり、透光性樹脂によって集光レンズを形成する目的は、EDチップから出射されてLEDの外部(大気中)に放出される光を一方向に集めてLEDの軸上光度を高めると共に、所定の配光を得るためのものである。
最後に、図1(e)に示すように、多面取り基板を基に複数個連設されて完成したLEDをダイシング或いはスライシングによって切断し、個々のLEDに分離する。
図3は分離された1個のLEDを示す斜視図である。絶縁体1の表面に表面側から側面側を経て裏面側に回り込んだ一対の導体パターン2a、2bが形成され、一対の導体パターン2a、2bの一方の導体パターン2aに接続された、第一のカップ4底面のダイボンディングパッド7上にLEDチップ10が実装され、LEDチップ10の上側電極と一対の導体パターン2a、2bの他方の導体パターン2bから伸びたワイヤボンディングパッド8とがボンディングワイヤ11によって接続されている。そして、LEDチップ10が実装された第一のカップ4内及び第一のカップ4に底面5が繋がった第二のカップ6内に透光性樹脂に蛍光物質を混入した蛍光樹脂12が充填され、その上方に各LEDチップ10の光軸を略中心とする凸形状の集光レンズ14を形成して透光性樹脂による樹脂封止15が行なわれている。
なお、本実施形態では、互いに隣り合う第一のカップ同士の間に設けた第二のカップを、基板面に平行な面で切断した断面が略円形状になるように形成したが、互いに隣り合う第一のカップ同士の底面が繋がっていれば形状に限定はなく、互いに隣り合う第一のカップ同士を繋ぐ部分は、その部分を基板面に平行な面で切断した断面形状が、1つ又は複数の曲線の組み合わせ及び/又は1つ又は複数の直線の組み合わせのなかから、基板の製造方法、第一のカップの寸法、液体定量吐出装置のノズル径、蛍光樹脂の粘度等を考慮して選択され、設計されるものである。
また、蛍光樹脂を注入する液体定量吐出装置のノズルの数は1つに限定されるものではなく、複数のノズルを配置して同時に複数箇所から注入することもできる。そうすることで、注入時間の短縮を図り、作業効率を向上させることもできる。
以上説明したように、本発明に係わるLEDの製造方法によれば、複数のLED領域を有した多数個取り基板にLEDチップを内包する複数の第一のカップを形成し、互いに隣り合う第一のカップの底面が繋がるように第一のカップ間に第二のカップを形成した。そして、液体定量吐出装置のノズル先端を第二のカップ内に挿入した状態で透光性樹脂に蛍光物質を混入した蛍光樹脂を注入するようにした。
その結果、LEDチップが内包された第一のカップ上方から蛍光樹脂を注入することを避けて第二のカップ内から注入して第二のカップ内から自然流動によって全体に拡散されるようにしたため、蛍光樹脂の注入がボンディングワイヤによって阻害されることなく、第一のカップ内に実装されたLEDチップを確実に樹脂封止することができる。
また、第二のカップから注入された蛍光樹脂は自然流動によって各第一のカップ及び第二のカップの全てに拡散されるために、樹脂の高さが全体に亘って均一化される。よって、各第一のカップ内には蛍光樹脂が定量的に充填され、各第一のカップ内に実装された各LEDチップの光出射面上の蛍光樹脂の厚みも均一となり、製品間における色調バラツキの少ないLEDを実現する役割を果すものである。
また、全ての第一のカップ4及び第二のカップが繋がっているために、全体として蛍光樹脂の充填容積が大きくなり、蛍光樹脂の注入量に多少の誤差が生じても全体に分散されることになるために各第一のカップに充填される樹脂量の誤差には殆んど影響を与えない。つまり、第一のカップに対する蛍光樹脂の充填量の誤差精度を容易に高められ、且つ各第一のカップ間の充填量の誤差精度も同様に容易に高めることができる。そのため、製品間における色調バラツキの少ないLEDを実現するための役割を果すと共に、個々のLEDにおいても所望する色調の光を精度良く実現することができるものである。
また、第二のカップから注入された蛍光樹脂は自然流動によって各第一のカップ及び第二のカップの全てに拡散されるために、1回の注入で全ての第一のカップ内に蛍光樹脂が充填され、よって作業効率の改善によって生産性の向上を図ることができる。
LEDチップが実装された第一のカップ上方に透光性樹脂による集光レンズを形成することによって、LEDチップから出射されてLEDの外部(大気中)に放出される光を一方向に集めてLEDの軸上光度を高めると共に、所定の配光を得ることができる。などの優れた効果を奏するものである。
本発明に係わる実施形態のLEDの製造方法を示す工程図である。 図1で示すLEDの製造工程を上面図で示したものであり、(a)は図1(a)の工程の上面図、(b)は図1(b)の工程の上面図である。 本発明に係わる実施形態のLEDの製造方法で製造したLEDの斜視図である。 従来の製造方法で製造されたLEDを示す斜視図である。 従来の他の製造方法で製造されたLEDを示す縦断面図である。
符号の説明
1 絶縁体
2a、2b 導体パターン
3 基板
4 第一のカップ
5 底面
6 第二のカップ
7 ダイボンディングパッド
8 ワイヤボンディングパッド
9 導電性接着剤
10 LEDチップ
11 ボンディングワイヤ
12 蛍光樹脂
13 ノズル
14 レンズ
15 樹脂封止

Claims (5)

  1. 凹形状のカップが所定の間隔で複数個設けられ、互いに隣接する前記カップが空間連通領域を介して空間的に連通され、前記空間連通領域と前記カップとが底面により繋がっている多数個取り基板を準備する工程と、
    前記カップ内にLEDチップを実装する工程と、
    前記基板上の前記カップの外に設けられたワイヤボンディングパッドと前記LEDチップをボンディングワイヤを介して電気的に接続する工程と、
    1個所以上の前記空間連通領域を注入口として、蛍光物質を混入させた透光性樹脂を注入して、自然流動により前記カップ及び空間連通領域に充填後、加熱硬化して前記カップ内に実装されたLEDチップを埋設させる工程と、を含むことを特徴とするLEDの製造方法。
  2. 前記カップ内に実装されたLEDチップを前記蛍光物質を混入させた透光性樹脂で埋設させる工程の後、
    前記基板上に透光性樹脂により所定の形状に樹脂封止を行う工程を含むことを特徴とする請求項1に記載のLEDの製造方法。
  3. 前記空間連通領域は、該空間連通領域を前記基板に平行な面で切ったときの断面が略円形であることを特徴とする請求項1又は2の何れか1項に記載のLEDの製造方法。
  4. 前記樹脂封止は、前記LEDチップの放射方向に該各LEDチップの光軸を略中心とする凸形状のレンズが形成されていることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載のLEDの製造方法。
  5. 前記蛍光物質を混入させた透光性樹脂の注入において、液体定量吐出装置を使用することを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載のLEDの製造方法。
JP2004326276A 2004-11-10 2004-11-10 Ledの製造方法 Expired - Fee Related JP4627177B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004326276A JP4627177B2 (ja) 2004-11-10 2004-11-10 Ledの製造方法
KR1020050100687A KR101217660B1 (ko) 2004-11-10 2005-10-25 Led의 제조방법
CNB2005101172311A CN100474644C (zh) 2004-11-10 2005-10-31 Led的制造方法
DE102005053217A DE102005053217A1 (de) 2004-11-10 2005-11-08 Verfahren zum Herstellen einer LED-Vorrichtung
US11/269,667 US7300326B2 (en) 2004-11-10 2005-11-09 LED device and method for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004326276A JP4627177B2 (ja) 2004-11-10 2004-11-10 Ledの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006140197A JP2006140197A (ja) 2006-06-01
JP4627177B2 true JP4627177B2 (ja) 2011-02-09

Family

ID=36385557

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004326276A Expired - Fee Related JP4627177B2 (ja) 2004-11-10 2004-11-10 Ledの製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7300326B2 (ja)
JP (1) JP4627177B2 (ja)
KR (1) KR101217660B1 (ja)
CN (1) CN100474644C (ja)
DE (1) DE102005053217A1 (ja)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1693904B1 (en) * 2005-02-18 2020-03-25 Nichia Corporation Light emitting device provided with lens for controlling light distribution characteristic
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
US7763478B2 (en) 2006-08-21 2010-07-27 Cree, Inc. Methods of forming semiconductor light emitting device packages by liquid injection molding
JP5157357B2 (ja) * 2007-10-10 2013-03-06 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージの集合構造体およびその製造方法、ならびに発光装置の製造方法
JP5340583B2 (ja) * 2007-11-26 2013-11-13 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
KR100986211B1 (ko) 2008-01-04 2010-10-07 주식회사 이츠웰 금속기판과 금속기판의 제조방법 및 그 기판을 이용한표면실장형 엘이디 패키지
CN101567365B (zh) * 2008-04-24 2011-03-30 宏齐科技股份有限公司 具有高效率散热基板的发光芯片封装结构及其封装方法
CN101752468B (zh) * 2008-12-17 2011-05-25 四川柏狮光电技术有限公司 Led荧光粉悬浮制造工艺
JP5406540B2 (ja) * 2009-01-23 2014-02-05 株式会社小糸製作所 光源モジュール、車輌用灯具及び光源モジュールの製造方法
CN101900264A (zh) * 2010-03-11 2010-12-01 陕西科技大学 一种高散热型大功率led一体化封装灯具
JP5582048B2 (ja) 2011-01-28 2014-09-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR20120133264A (ko) * 2011-05-31 2012-12-10 삼성전자주식회사 발광소자 렌즈, 이를 포함하는 발광소자 모듈 및 이를 이용한 발광소자 모듈의 제조방법
CN102446671B (zh) * 2011-12-20 2014-08-27 安徽华东光电技术研究所 电真空器件的灌封工艺
CN103943768A (zh) * 2013-01-22 2014-07-23 立诚光电股份有限公司 发光二极管装置及散热基板的制造方法
WO2014183800A1 (de) * 2013-05-17 2014-11-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung
KR102145920B1 (ko) * 2014-06-05 2020-08-19 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
KR102285432B1 (ko) 2014-11-18 2021-08-04 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지
USD758977S1 (en) * 2015-06-05 2016-06-14 Kingbright Electronics Co. Ltd. LED component
USD845252S1 (en) * 2017-02-24 2019-04-09 Citizen Electronics Co., Ltd. Switch
USD810035S1 (en) * 2017-03-10 2018-02-13 Kingbright Electronics Co. Ltd. LED component
CN116031350A (zh) * 2017-04-28 2023-04-28 日亚化学工业株式会社 发光装置
DE102018104382A1 (de) * 2018-02-27 2019-08-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement und herstellungsverfahren
CN110391326A (zh) * 2018-04-17 2019-10-29 展晶科技(深圳)有限公司 侧面发光型发光二极管封装结构

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0397277A (ja) * 1989-08-29 1991-04-23 Hewlett Packard Co <Hp> ランプ
JPH0845972A (ja) * 1994-05-24 1996-02-16 Sharp Corp 半導体デバイスの製造方法
JP2981370B2 (ja) * 1993-07-16 1999-11-22 シャープ株式会社 Midチップ型発光素子
JP2000223750A (ja) * 1999-02-02 2000-08-11 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード及びその形成方法
JP2000252523A (ja) * 1999-02-25 2000-09-14 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオードの形成方法
JP2002324917A (ja) * 2001-04-26 2002-11-08 Citizen Electronics Co Ltd 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US831311A (en) 1906-01-26 1906-09-18 Gregory Strootman Lamp shade and protector.
DE723479C (de) 1937-03-06 1942-08-05 Der Kohlenwertstoff Verbaende Kuehlvorrichtung fuer in einem Glaskoerper eingeschlossene Lichtquelle
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
JP3773541B2 (ja) 1996-06-26 2006-05-10 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト ルミネセンス変換エレメントを有する半導体発光素子
US6613247B1 (en) 1996-09-20 2003-09-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength-converting casting composition and white light-emitting semiconductor component
JP3065263B2 (ja) 1996-12-27 2000-07-17 日亜化学工業株式会社 発光装置及びそれを用いたled表示器
JP3447604B2 (ja) * 1999-02-25 2003-09-16 株式会社シチズン電子 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
JP2003505582A (ja) 1999-07-23 2003-02-12 パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト フユール エレクトリツシエ グリユーラムペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング 光源用発光物質および発光物質を有する光源
JP2001127346A (ja) 1999-10-22 2001-05-11 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオード
JP2001168400A (ja) * 1999-12-09 2001-06-22 Rohm Co Ltd ケース付チップ型発光装置およびその製造方法
JP2001196639A (ja) 2000-01-12 2001-07-19 Sanyo Electric Co Ltd Led発光素子及びその製造方法
JP2001210872A (ja) 2000-01-26 2001-08-03 Sanyo Electric Co Ltd 半導体発光装置及びその製造方法
JP2001345483A (ja) 2000-05-31 2001-12-14 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光ダイオード
US6345903B1 (en) * 2000-09-01 2002-02-12 Citizen Electronics Co., Ltd. Surface-mount type emitting diode and method of manufacturing same
JP3614776B2 (ja) * 2000-12-19 2005-01-26 シャープ株式会社 チップ部品型ledとその製造方法
JP4789350B2 (ja) * 2001-06-11 2011-10-12 シチズン電子株式会社 発光ダイオードの製造方法
JP4039552B2 (ja) 2002-03-01 2008-01-30 シチズン電子株式会社 表面実装型発光ダイオードの製造方法
JP3707688B2 (ja) 2002-05-31 2005-10-19 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
JP2004047748A (ja) 2002-07-12 2004-02-12 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオード
US6599768B1 (en) * 2002-08-20 2003-07-29 United Epitaxy Co., Ltd. Surface mounting method for high power light emitting diode
WO2004081140A1 (ja) * 2003-03-13 2004-09-23 Nichia Corporation 発光膜、発光装置、発光膜の製造方法および発光装置の製造方法
US20070001177A1 (en) 2003-05-08 2007-01-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. Integrated light-emitting diode system
CN101392887A (zh) 2004-07-27 2009-03-25 皇家飞利浦电子股份有限公司 包括灯单元和反射器的照明设备

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0397277A (ja) * 1989-08-29 1991-04-23 Hewlett Packard Co <Hp> ランプ
JP2981370B2 (ja) * 1993-07-16 1999-11-22 シャープ株式会社 Midチップ型発光素子
JPH0845972A (ja) * 1994-05-24 1996-02-16 Sharp Corp 半導体デバイスの製造方法
JP2000223750A (ja) * 1999-02-02 2000-08-11 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード及びその形成方法
JP2000252523A (ja) * 1999-02-25 2000-09-14 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオードの形成方法
JP2002324917A (ja) * 2001-04-26 2002-11-08 Citizen Electronics Co Ltd 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1773738A (zh) 2006-05-17
JP2006140197A (ja) 2006-06-01
CN100474644C (zh) 2009-04-01
DE102005053217A1 (de) 2006-06-14
US7300326B2 (en) 2007-11-27
KR20060049335A (ko) 2006-05-18
KR101217660B1 (ko) 2013-01-02
US20060103302A1 (en) 2006-05-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4627177B2 (ja) Ledの製造方法
JP4878053B2 (ja) 発光ダイオードの製造方法
JP5242945B2 (ja) 発光装置及び発光装置の製造方法
JP4673986B2 (ja) 表面実装方発光ダイオードの製造方法
EP2745320B1 (en) Led mixing chamber with reflective walls formed in slots
US8431949B2 (en) Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
JP2008270314A (ja) 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2013232588A (ja) 発光装置
KR20090073598A (ko) Led 패키지
KR100757825B1 (ko) 발광 다이오드 제조방법
KR100748707B1 (ko) 발광 소자의 제조 방법
JP2009177188A (ja) 発光ダイオードパッケージ
KR100593161B1 (ko) 백색 발광 다이오드 및 그 제조 방법
KR20090051508A (ko) 백색 발광소자 및 그 제조방법
KR200383148Y1 (ko) 반사식 파장변환형 발광다이오드 및 그 제조방법
JP4300980B2 (ja) 発光ダイオード
CN103840057A (zh) 发光二极管及其制造方法
CN103733335B (zh) 具有形成在槽中的反射壁的led混合室
JP2009111411A (ja) 発光ダイオードランプとその製造方法及びチップ型発光ダイオード素子
KR20100038249A (ko) 램프 타입의 발광 장치
KR20120068788A (ko) Led 패키지
KR20060064714A (ko) 반사식 파장변환형 발광다이오드 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071022

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100518

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100615

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100811

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20101019

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20101104

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131119

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees