CN110391326A - 侧面发光型发光二极管封装结构 - Google Patents
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Abstract
一种侧面发光型发光二极管封装结构，包括：一对第一电极；一发二极管芯片，安装于所述第一电极且与所述第一电极电性连接；一包层，包覆所述第一电极，所述包覆层环绕所述发光二极管芯片的四周置并定义出所述发光二极管芯片的一发光区域；一封装层，填充于所发光区域中且包覆所述发光二极管芯片；一对第二电极，位于所述包层外侧且与所述第一电极电性连接，沿垂直于所述发光二极管芯片的线的出射方向上，所述第二电极的表面积大于位于所述发光区域内的述第一电极的表面积。
Description
技术领域
本发明涉及发光二极管领域，尤其涉及一种侧面发光型发光二极管封装结构。
背景技术
侧面发光型发光二极管封装结构被广泛用于显示器的背光照明器。一般而言，侧面发光型发光二极管封装结构位于导光板的侧面，以提供与所述导光板平行的光线。然而，若所述侧面发光型发光二极管封装结构体积过大，则不利于显示器薄型化。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种侧面发光型，从而解决以上问题。
本发明较佳实施方式提供一种侧面发光型发光二极管封装结构，包括：一对第一电极；一发光二极管芯片，安装于所述第一电极且与所述第一电极电性连接；一包覆层，包覆所述第一电极，所述包覆层环绕所述发光二极管芯片的四周设置，并定义出所述发光二极管芯片的一发光区域；一封装层，填充于所述发光区域中且包覆所述发光二极管芯片；以及一对第二电极，位于所述包覆层外侧且与所述第一电极电性连接，沿垂直于所述发光二极管芯片的光线的出射方向上，所述第二电极的表面积大于位于所述发光区域内的所述第一电极的表面积。
以上侧面发光型发光二极管封装结构中，沿垂直于所述发光二极管芯片的光线的出射方向上，所述第二电极的表面积大于位于所述发光区域内的所述第一电极的表面积，有效减小了所述侧面发光型发光二极管封装结构的发光区域的体积，也减小了所述侧面发光型发光二极管封装结构的所述包覆层以及所述封装层所占用的体积，从而减小所述侧面发光型发光二极管封装结构的总体积，当所述侧面发光型发光二极管封装结构应用至显示器时，使得显示器能够更薄型化。
附图说明
图1为本发明一较佳实施方式提供的侧面发光型发光二极管封装结构的俯视图。
图2为图1所示的发光二极管封装结构省略发光二极管芯片和封装层后的俯视图。
图3为图1所示的侧面发光型发光二极管封装结构的侧视图。
图4为本发明另一实施方式提供的侧面发光型发光二极管封装结构的俯视图。
图5为图4所示的侧面发光型发光二极管封装结构的侧视图。
符号说明
| 第一电极 | 10 |
| 发光二极管芯片 | 20 |
| 底面 | 21 |
| 发光面 | 22 |
| 包覆层 | 30 |
| 上包覆部分 | 31 |
| 下包覆部分 | 32 |
| 封装层 | 40 |
| 第二电极 | 50 |
| 连接部 | 51 |
| 延伸部 | 52 |
| 侧面发光型发光二极管封装结构 | 100，200 |
| 导电凸块 | 210 |
| 开槽 | 310 |
| 第一延伸段 | 521 |
| 第二延伸段 | 522 |
| 长边 | L |
| 短边 | S |
| 表面积 | A，B |
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
请参阅图1至图3，本发明一较佳实施例提供一种侧面发光型发光二极管封装结构100，其包括一对第一电极10、一发光二极管芯片20、一包覆层30、一封装层40以及一对第二电极50。所述侧面发光型发光二极管封装结构100可藉由芯片级封装技术(Chip ScalePackage,CSP)制成。
所述第一电极10的电性不同且电性绝缘。所述第一电极10大致位于同一平面。所述第一电极10用于界定所述发光二极管芯片20的安装区域。在本实施方式中，所述第一电极10呈薄片状，采用导电性能较好的金属材料制成，如金、银、铜、铂、铝、镍、锡以及镁中的一种或至少两种形成的合金。
所述发光二极管芯片20安装于所述第一电极10上。所述发光二极管芯片20包括大致平行于所述第一电极10所在平面的一底面21，所述底面21上设有电性不同的一对导电凸块210。所述导电凸块210与所述第一电极10电性连接。所述发光二极管芯片20还包括与所述底面21相对设置且相互平行的一发光面22。所述发光二极管芯片20可通过所述发光面22发射光线。在本实施方式中，所述导电凸块210为焊锡凸块。
所述包覆层30包覆所述第一电极10且环绕所述发光二极管芯片20的四周设置。在本实施方式中，所述第一电极10通过嵌入成型形成于所述包覆层30内。以所述第一电极10所在平面为基准，所述包覆层30被划分为位于所述第一电极10之上的一上包覆部分31以及位于所述第一电极10之下的一下包覆部分32。所述上包覆部分31开设有贯穿的一开槽310，用于暴露所述第一电极10。所述开槽310的尺寸由远离所述第一电极10的一侧向靠近所述第一电极的一侧逐渐减小。所述发光二极管芯片20容置于所述开槽310中，从而，所述开槽310定义出所述发光二极管芯片20的一发光区域。所述开槽310的内壁用于将所述发光二极管芯片20入射至其上的光线进行反射。在本实施方式中，所述包覆层30沿平行于所述第一电极10所在平面的截面包括相互连接的两个长边L以及两个短边S，即L>S(参图2)。所述包覆层30采用非透明材料制成，如硅胶以及环氧树脂中的至少一种。
所述封装层40填充于所述开槽310中且包覆所述发光二极管芯片20的所述发光面22及其它表面。所述封装层40用于将所述发光二极管芯片20发出的光线转换为特定波长的光线，且转换后的光线可经所述开槽310远离所述第一电极10的开口出射。所述封装层40还可保护所述发光二极管芯片20免受灰尘、水汽等的影响。在本实施方式中，所述封装层40包括荧光材料，如石榴石基荧光粉、硅酸盐基荧光粉、硫化物基荧光粉、硫代稼酸盐基荧光粉以及氮化物基荧光粉中的至少一种。
所述第二电极50位于所述包覆层30外侧。所述第二电极50的电性不同，且与所述第一电极10电性连接。所述侧面发光型发光二极管封装结构100通过所述第二电极50电性连接于外部元件(图未示)。沿垂直于所述发光二极管芯片20的光线的出射方向上(即，沿平行于所述第一电极10所在平面的方向上)，所述第二电极50的表面积B大于位于所述发光区域内的所述第一电极10的表面积A，即B>A。在本实施方式中，位于所述发光区域内的所述第一电极10的表面积A与所述第二电极50的表面积B之比为2:3。在本实施方式中，所述第二电极50与所述第一电极10大致位于同一平面上。具体的，所述第二电极50包括连接部51以及延伸部52。所述连接部51自所述包覆层30的短边S远离所述包覆层30延伸，且所述连接部51直接与所述第一电极10电性连接。所述延伸部52包括第一延伸段521以及一第二延伸段522。所述第一延伸段521自所述连接部51远离所述包覆层30的端部沿与所述短边S平行的方向延伸，所述第二延伸段522自所述第一延伸段521远离所述连接部51的端部沿与所述长边L平行且朝向所述包覆层30的方向延伸。所述连接部51、所述延伸部52以及所述第一电极10均位于同一平面上。
请参阅图4和图5，本发明另一实施方式还提供一种侧面发光型发光二极管封装结构200，与上述侧面发光型发光二极管封装结构100不同之处在于：所述侧面发光型发光二极管封装结构200的第二电极50的结构不同。具体的，所述延伸部52的第一延伸段521自所述连接部51远离所述包覆层30的端部沿与所述短边S平行的方向延伸，再沿与所述第一电极10所在平面垂直的方向远离所述上包覆部分31延伸，使得所述第一延伸段521呈现弯折形状。所述第二延伸段522自所述第一延伸段521远离所述连接部51的端部沿与所述长边L平行且朝向所述包覆层30的方向延伸。所述连接部51与所述第一电极10位于同一平面上，而所述延伸部52与所述连接部51处于不同平面上。如此，使得所述侧面发光型发光二极管封装结构200更容易实现侧向出光的功效。
以上侧面发光型发光二极管封装结构100、200中，沿垂直于所述发光二极管芯片20的光线的出射方向上，所述第二电极50的表面积B大于位于所述发光区域内的所述第一电极10的表面积A。因此，有效减小了所述侧面发光型发光二极管封装结构100、200的发光区域的体积，也减小了所述侧面发光型发光二极管封装结构100、200的所述包覆层30以及所述封装层40所占用的体积，从而减小所述侧面发光型发光二极管封装结构100、200的总体积。
可以理解的是，以上实施例仅用来说明本发明，并非用作对本发明的限定。对于本领域的普通技术人员来说，根据本发明的技术构思做出的其它各种相应的改变与变形，都落在本发明权利要求的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种侧面发光型发光二极管封装结构，包括：
一对第一电极；
一发光二极管芯片，安装于所述第一电极且与所述第一电极电性连接；
一包覆层，包覆所述第一电极，所述包覆层环绕所述发光二极管芯片的四周设置并定义出所述发光二极管芯片的一发光区域；
一封装层，填充于所述发光区域中且包覆所述发光二极管芯片；以及
一对第二电极，位于所述包覆层外侧且与所述第一电极电性连接，沿垂直于所述发光二极管芯片的光线的出射方向上，所述第二电极的表面积大于位于所述发光区域内的所述第一电极的表面积。
2.如权利要求1所述的侧面发光型发光二极管封装结构，其特征在于，位于所述发光区域内的所述第一电极的表面积与所述第二电极的表面积之比为2:3。
3.如权利要求1所述的侧面发光型发光二极管封装结构，其特征在于，所述第一电极位于同一平面。
4.如权利要求3所述的侧面发光型发光二极管封装结构，其特征在于，以所述第一电极所在平面为基准，所述包覆层被划分为位于所述第一电极之上的一上包覆部分以及位于所述第一电极之下的一下包覆部分，所述上包覆部分开设有贯穿的一开槽，用于暴露所述第一电极，所述发光二极管芯片容置于所述开槽，所述开槽定义出所述发光二极管芯片的所述发光区域，所述封装层填充于所述开槽中。
5.如权利要求4所述的侧面发光型发光二极管封装结构，其特征在于，所述开槽的尺寸由远离所述第一电极的一侧向靠近所述第一电极的一侧逐渐减小。
6.如权利要求3所述的侧面发光型发光二极管封装结构，其特征在于，所述发光二极管芯片包括平行于所述第一电极所在平面的一底面，所述底面上设有一对导电凸块，所述导电凸块与所述第一电极电性连接。
7.如权利要求3所述的侧面发光型发光二极管封装结构，其特征在于，所述包覆层沿平行于所述第一电极所在平面的截面包括相互连接的两个长边以及两个短边。
8.如权利要求7所述的侧面发光型发光二极管封装结构，其特征在于，所述第二电极包括连接部以及延伸部，所述连接部自所述包覆层的短边远离所述包覆层延伸，且所述连接部直接与所述第一电极电性连接，所述延伸部包括第一延伸段以及一第二延伸段，所述第一延伸段自所述连接部远离所述包覆层的端部沿与所述短边平行的方向延伸，所述第二延伸段自所述第一延伸段远离所述连接部的端部沿与所述长边平行且朝向所述包覆层的方向延伸，所述连接部、所述延伸部以及所述第一电极均位于同一平面上。
9.如权利要求7所述的侧面发光型发光二极管封装结构，其特征在于，所述第二电极包括连接部以及延伸部，所述连接部自所述包覆层的短边远离所述包覆层延伸，且所述连接部直接与所述第一电极电性连接，所述延伸部包括第一延伸段以及一第二延伸段，所述第一延伸段自所述连接部远离所述包覆层的端部沿与所述短边平行的方向延伸，再沿与所述第一电极所在平面垂直的方向延伸，使得所述第一延伸段呈现弯折形状，所述第二延伸段自所述第一延伸段远离所述连接部的端部沿与所述长边平行且朝向所述包覆层的方向延伸。
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