CN105261686B - 发光器件封装 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种发光器件封装，包括：引线框架，其包括第一框架和分别地布置在第一框架的两侧上的第二框架；发光器件，其布置在第一框架上并且电连接到第二框架；和树脂体，其包括布置在第一框架和第二框架之间的第一树脂体和覆盖引线框架的外表面的第二树脂体。第一框架的端部和第二框架的端部布置在第二树脂体的外表面上。

Description

发光器件封装
技术领域
本实施例涉及一种发光器件封装。
背景技术
发光二极管(LED)是一种具有高效率和环境友好性的光源，并且在各种领域中变得普遍。LED正在各种领域例如显示器、光学通信、汽车和普通照明中使用。特别地，对于产生白光的白光发光二极管的要求正在逐渐地增加。
通常，在制造了各个元件之后，通过封装这些元件而使用这种发光器件。在发光器件封装中，发光芯片安装在包括热沉的树脂体上。发光芯片通过导线电连接到引线。发光芯片的上部填充有密封材料。透镜设置在该上部上。在具有所描述的结构的发光器件封装中，因为通过操作发光器件产生的热被缓慢地传递，所以发光器件封装具有低的热辐射效果。因此，发光器件的光学特性可能劣化，并且其中在树脂体之间插入热沉的封装过程难以具有高的处理速度。
当发光器件不带热沉地安装在引线框架上时，热通过引线框架释放，从而热辐射性能劣化。因此，高功率发光器件难以安装在引线框架上。而且，当在用于发光器件的引线框架中使用的树脂体长时间地暴露于光时，树脂体变色或者劣化，从而光学特性劣化。
当从发光器件发射的光在树脂体上入射时，反射率是低的。相应地，为了增加发光器件封装的反射率，要求在反射光的区域中减少树脂体。
发明内容
实施例提供了一种能够增加在引线框架和树脂体之间的附着性的发光器件封装。
实施例提供了能够防止水分或者异物从引线框架的底部渗透的发光器件封装。
实施例提供了能够防止通过安装发光器件产生的异物渗透的发光器件封装。
实施例提供了能够在引线框架上稳定地固定反射器的发光器件封装。
实施例提供了能够在反射器上选择性地安装透镜或者板的发光器件封装。
实施例提供了稳定地联接到引线框架原型并且容易地从引线框架原型分离的发光器件封装。
实施例提供了通过增加在引线框架原型和发光器件封装之间的摩擦作用力而稳定地联接到引线框架原型而不使用粘结剂的发光器件封装。
实施例提供了能够增加从发光器件发射的光的反射效率的发光器件封装。
实施例提供了在安装在外部基板上之后容易地检查或者维修的发光器件封装。
实施例提供了包括能够从发光器件辐射热并且测量发光器件封装的温度的辅助端子的发光器件封装。
一个实施例是一种发光器件封装。该发光器件封装包括：引线框架，其包括第一框架和分别地布置在第一框架的两侧的第二框架；发光器件，其布置在第一框架上并且电连接到第二框架；和树脂体，其包括布置在第一框架和第二框架之间的第一树脂体和覆盖引线框架的外表面的第二树脂体。第一框架的端部和第二框架的端部布置在第二树脂体的外表面上。
另一个实施例是一种发光设备，其包括基板和布置在基板上的发光器件封装。基板包括第一端子和分别地布置在第一端子的两侧的第二端子。发光器件封装包括：第一框架和第二框架，第一框架电连接到第一端子，第二框架分别地布置在第一框架的两侧并且电连接到第二端子；发光器件，其布置在第一框架上并且电连接到第二框架；和树脂体，其包括布置在第一框架和第二框架之间的第一树脂体和覆盖引线框架的第二树脂体。第一框架的端部和第二框架的端部布置在第二树脂体的外表面上。
在根据该实施例的发光器件封装中，能够通过增加在框架和树脂体之间的接触区域而增加在框架和树脂体之间的附着性。
根据该实施例，通过增加在框架和封装之间的接触区域而防止水分或者异物从底部渗透是可能的。
根据该实施例，引线框架的一个部分被树脂体隐埋，从而防止通过安装发光器件产生的异物的渗透是可能的。
根据该实施例，反射器能够稳定地固定在引线框架上。
根据该实施例，透镜或者板能够选择性地安装在反射器上。
根据该实施例，发光器件封装稳定地联接到引线框架原型并且容易地从引线框架原型分离。
根据该实施例，通过增加在引线框架原型和发光器件封装之间的摩擦作用力，发光器件封装稳定地联接到引线框架原型而不使用粘结剂。
根据该实施例，增加从发光器件发射的光的反射效率是可能的。
根据该实施例，在安装在外部基板上之后，发光器件封装得以容易地检查或者维修。
根据该实施例，发光器件封装包括能够从发光器件辐射热并且测量发光器件封装的温度的辅助端子。
附图说明
可以参考以下附图详细地描述布置和实施例，其中相同的附图标记涉及相同的元件，并且其中：
图1是根据一个实施例的发光器件封装的透视图；
图2是根据该实施例的发光器件封装的截面透视图；
图3a是根据该实施例的发光器件封装的截面视图；
图3b是图3a的局部放大视图；
图4是根据该实施例的发光器件封装的平面视图；
图5是引线框架的透视图；
图6是根据该实施例的发光器件封装的底部透视图；
图7a到7c是示出根据该实施例的发光器件封装已经联接到外部基板的透视图；
图8是不带根据该实施例的引线框架的引线框架原型的透视图；
图9是示出不带安装在其上的发光器件的发光器件封装联接到引线框架原型的透视图；
图10是示出能够规模生产的发光器件封装的结构的透视图；
图11a到11f是用于描述制造根据该实施例的发光器件封装的过程的视图；
图12是示出其中根据该实施例的发光器件封装已经在引线框架原型上形成的最终形式的视图；
图13a和13b是用于描述释放销被从根据该实施例的发光器件封装移除的视图；并且
图14a和14b是用于描述如何联接反射器和根据该实施例的引线框架的视图。
具体实施方式
为了说明方便和清楚起见，每一个层的厚度或者尺寸可能被放大、省略或者概略地示出。每一个构件的尺寸可能并不是必要地意味着它的实际尺寸。
应该理解，当一个元件被称作在另一元件“上”或者“下”时，它可以直接地在该元件上/下，并且还可以存在一个或者多个居间元件。当一个元件被称作在“上”或者“下”时，基于该元件，可以包括“在该元件下”以及“在该元件上”。
可以参考附图详细地描述实施例。
图1是根据一个实施例的发光器件封装的透视图。图2是根据图1所示实施例的发光器件封装的截面透视图。图3a是根据图2所示实施例的发光器件封装的截面视图。图3b是图3a的局部放大视图。
参考图1到3b，根据该实施例的发光器件封装1可以包括：发光器件100，其包括发光芯片110和其上布置发光芯片110的底安装部120；引线框架200，在其上布置发光器件100；导线130，其将发光器件100与引线框架200电连接；反射器层140，其包围发光器件100并且反射从发光器件100发射的光；绝缘层323，其位于引线框架200和反射器层140之间；和树脂体300，其形成发光器件封装1的本体。
发光器件100可以是发光二极管(LED)。然而，对此无任何限制。发光二极管可以是发射深紫外线的深紫外线(DUV)LED。然而，对此无任何限制。发光二极管可以是分别地发射红色、绿色、蓝色或者白光的红光、绿光、蓝光或者白光发光二极管。发光二极管是一种将电能转换成光的固态构件并且通常包括置入两个相对的掺杂层之间的、利用半导体制成的活性层。当偏压(bios)施加到该两个掺杂层的两端时，电子空穴和电子注射到活性层中并且在活性层中相互重组，并且然后产生了光。在活性层中产生的光沿着所有的方向或者沿着特定方向发射，并且然后通过暴露的表面发射到发光二极管外侧。
发光芯片110可以是倒装芯片。然而，发光芯片110并不是必要地限制于此。发光芯片110可以是垂直芯片或者横向芯片。为了方便起见，在图中，将描述横向芯片。发光芯片110可以形成为具有600um的宽度和700um的长度，并且并不是必要地限制于此。发光芯片110可以发射具有从190nm到400nm的波长的深紫外线。更加具体地，发光芯片110可以发射具有从250nm到280nm的波长的深紫外线，并且在此情形中，从发光芯片110发射的深紫外线具有最优良的杀菌力。虽然未在图1中示出，但是发光芯片110可以包括基板和发光结构，在该发光结构中，第一传导半导体层、活性层和第二传导半导体层顺序地布置在基板上。发光芯片110的基板可以具有允许光通过那里的光透射特性。基板可以至少是绝缘基板诸如蓝宝石(Al2O3)、尖晶石(MgAl2O4)和半导体基板诸如SiC、Si、GaAs、GaN、InP、Ge等这两者中的任何一种。
发光芯片110安装在底安装部120上。底安装部120辐射由发光芯片110产生的热并且将热传递到位于其下的引线框架200。而且，将发光器件100与引线框架200电连接的导线130的端部连接到底安装部120。底安装部120可以由具有高导热率的材料如AlN或者SiC等制成，并且不是必要地限制于此。
参考图2到3b，根据该实施例的发光器件封装1的反射器140反射从发光器件100发射的光。反射器140包围发光器件100并且布置在引线框架200上。反射器140可以由金属材料制成。具体地，根据该实施例的发光器件封装1的反射器140可以由纯铝制成。因此，反射器140可以具有高的光学反射率、高的热扩散率以及针对氧和氢硫化物的耐腐蚀性。反射器140可以具有内凹的圆形形状，并且反射器140的形状并不是必要地限制于圆形形状。
在反射器140上可以形成其上可以布置光学透镜的透镜引导部150。在反射器上可以形成其上可以布置板的板引导部160。透镜引导部150可以由反射器140的顶表面和由以下描述的第二树脂体320的端部形成的壁321这两者形成。而且，板引导部160可以由在第二树脂体320的顶表面上形成的平坦部分和向上突出的壁的一侧这两者形成。这将在稍后描述。密封树脂材料可以填充在反射器140和光学透镜之间或者反射器140和板之间。硅树脂可以用作密封树脂材料。同时，根据该实施例的光学透镜或者板可以是包括荧光材料的玻璃透镜或者玻璃板。因此，因为光学透镜或者板在不在光学透镜或者板内分散荧光材料时或者在不使用包括荧光材料的密封材料时包括荧光材料，所以流明维持率能够得到改善。换言之，发光器件封装1的可靠性能够得到改善。
引线框架200布置在发光器件100的下方。发光器件100布置在引线框架200上。引线框架200可以包括其上直接地布置发光器件100的第一框架210和通过导线130电连接到发光器件100的第二框架220。树脂体300的、以下描述的第一树脂体310插入其中的开口可以形成在第一框架210和第二框架220之间。同时，引线框架200可以由包括铜(Cu)的铜合金制成。因此，引线框架200的导热率可以两倍或者三倍地高于底安装部120的AlN的导热率。当引线框架200的厚度增加时，引线框架200能够用作热沉。相应地，根据该实施例的发光器件封装1并不要求单独的热沉，并且由于铜的使用，在成本方面是有利的。
当引线框架200的厚度增加时，引线框架200能够用作大容量热沉。虽然引线框架200的增加的厚度增加了引线框架200的成本，但是增加厚度要求的成本低于添加单独的热沉要求的成本。而且，铜制引线框架200越厚，热扩散率越高并且热膨胀越小。当引线框架200的厚度增加时，在引线框架200和树脂体300之间的摩擦作用力增加，并且异物和水分难以从引线框架200的底部渗透到发光器件封装1中。而且，引线框架200增加的厚度增加了对于由外部应力引起的变形的抵抗力。
具体地，铜制引线框架200的厚度可以从0.5mm到1.5mm。当引线框架200的厚度小于0.5mm时，热扩散率和热辐射性能劣化。当引线框架200的厚度大于1.5mm时，如与热扩散率和热辐射性能的增加相比较，由于引线框架200的厚度增加而导致制造成本可增加。而且，当铜制引线框架200的厚度小于0.5mm时，由于外部应力，对于发光器件封装1的变形的抵抗力可以变得小于可接受的值。当引线框架200的厚度大于1.5mm时，制造成本可以增加。
总之，当铜制引线框架200的厚度小于0.5mm时，热扩散率、热辐射、对于变形的抵抗力和防水分渗透性能中的任何一项变得小于可接受的值。随着厚度的增加，这些性质得到改善。然而，当铜制引线框架200的厚度大于1.5mm时，如与所描述特性的改善相比较，在发光器件封装1的制造中，制造成本可能更大地增加。
发光器件100可以直接地布置在第一框架210上。虽然在图中没有示出，但是发光器件100可以结合于此的芯片结合板可以形成在第一框架210的顶表面上。发光器件100可以通过使用芯片结合膏剂布置在第一框架210上。芯片结合膏剂可以包括具有光电阻的环氧树脂或者硅树脂。第二框架220可以通过导线130电连接到发光器件100。
根据该实施例的发光器件封装1的树脂体300可以包括：第一树脂体310，其插入在引线框架200的第一框架210和第二框架220之间；和第二树脂体320，其包围发光器件100和反射器层140并且具有中央凹形部分。
第一树脂体310可以填充在第一框架210和第二框架220之间。第二树脂体320可以形成为包围外侧和反射器140的上部的一部分。第一树脂体310和第二树脂体320可以通过在引线框架200上注射模塑或者传递模塑热塑性树脂或者热固性树脂而形成。第一树脂体310和第二树脂体320的各种形状能够通过模具的设计而形成。这将在以后详细地描述。
具有高的耐候性的黑色树脂可以用作用于形成第一树脂体310和第二树脂体320的热塑性树脂或者热固性树脂。例如，能够使用具有黑色颜色的芳香尼龙(aromaticnylon)。然而，黑色树脂不限于此。由于长期暴露于来自发光器件100的热和光，非黑色的树脂可能变色或者劣化。因为根据该实施例的发光器件封装1使用具有高耐候性的黑色树脂，所以防止带有短的波长的紫外线劣化并且防止发光器件封装变色是可能的。因此，当发光器件是白光发光二极管时，无需使用黑色树脂，并且可以使用白色树脂。白色树脂具有高于黑色树脂的光学透射率，并且因此，在光效率方面是有利的。
绝缘层323位于由金属材料制成的反射器140和由铜合金制成的引线框架200之间，并且将反射器140与引线框架200绝缘。绝缘层323可以由树脂制成或者可以与树脂体300一体地形成。绝缘层323的厚度可以相对地小于反射器140和引线框架200的厚度。具体地，绝缘层323的厚度可以从0.1mm到0.15mm。当绝缘层323的厚度小于0.1mm时，在反射器140和引线框架200之间的绝缘稳定性可能降低，并且当绝缘层323的厚度大于0.15mm时，绝缘层323可能由于从发光器件100发射的光而劣化或者绝缘层323可能妨碍从发光器件100发射的光。因为根据本发明的实施例的绝缘层323是足够薄的，所以从发光器件100发射的光可以直接地由反射器140的反射表面反射而不受到绝缘层323妨碍。因此，树脂制成的绝缘层323较轻地劣化，并且相对于从发光器件100发射的光，根据该实施例的发光器件封装1具有高的反射效率。
如在图1到3b中所示，第二树脂体320可以包括凹陷部320a和凹形部分320b。反射器140的一个部分可以插入并且固定到凹陷部320a中。以下描述的引线框架原型400的外部框架410可以联接到凹形部分320b。
具体地，第二树脂体320可以包括垂直地在引线框架200和反射器140这两者的外侧上形成的壁321。可以形成从壁321朝向发光器件100水平地突出的突起322。突起322可以覆盖反射器140的顶表面的至少一部分。凹陷部320a可以形成为被第二树脂体320的壁321和突起322包围并且被引线框架200的顶表面包围。同时，如上所述，绝缘层323可以在反射器140和引线框架200之间插入。具体地，与第二树脂体320一体地形成的绝缘层323可以布置在底部反射器140和引线框架200的顶表面之间。
反射器140布置在引线框架200上。在过去，反射器140通过使用粘结剂而结合到引线框架200。在此情形中，粘结剂残余污染了电极或者导线等。然而，在根据该实施例的发光器件封装1中，凹陷部320a形成在第二树脂体320中，并且反射器140的一部分，例如反射器140的最外部分插入并且固定到第二树脂体320的凹陷部320a中。因此，由于在不使用单独的粘结剂的情况下将反射器140固定在引线框架200上，所以能够防止由粘结剂引起的污染并且能够降低成本。
而且，发光器件封装1可以包括透镜引导部150和板引导部160。
反射器140的顶表面具有向上敞开而不被从壁321突出的突起322覆盖的部分。这个敞开部分和突起322的端部可以形成能够在其上安装透镜的透镜引导部150。而且，可以在壁321的顶表面和突起322的顶表面之间存在水平差异。由于该水平差异，可以形成能够在其上安装板的板引导部160。
同时，反射器140可以由高强度金属材料制成。因此，反射器140难以变形。当反射器140稳定地固定在引线框架200上时，反射器140能够高精度地反射光。将在以后描述凹形部分320b。
图4是根据图1所示实施例的发光器件封装的平面视图。图5是图1所示引线框架的透视图。
参考图1到5，反射器140可以布置在第一框架210和第二框架220上。可以在反射器140内侧形成开口。发光器件100可以布置在反射器140的开口中并且可以填充有树脂。
如在图4和5中所示，第一框架210和第二框架220是局部非平坦的。具体地，第一框架210可以具有朝向第二框架220呈凹形的部分210a。第二框架220可以具有响应于第一框架210的凹形部分210a而朝向第一框架210呈凸形的部分220a。由于第一和第二框架210和220的非平坦形状，在第一和第二框架210和220和布置在第一框架210和第二框架220之间的第一树脂体310之间的接触区域增加。因此，在引线框架200和第一树脂体310之间的接触区域增加，从而在引线框架200和树脂体300之间的附着性增强。
而且，如在图2到5中所示，发光器件封装1的引线框架200是厚铜框架，并且具有高的形状灵活性。因此，可以在引线框架200上形成水平差异，并且在第一框架210和第二框架220之间形成的开口也具有水平差异。因此，由于根据在第一框架210和第二框架220之间形成的开口形状填充第一树脂体310，所以在第一和第二框架210和220这两者与第一树脂体310之间的接触区域增加。因此，在引线框架200和第一树脂体310之间的附着性增强。而且，因为引线框架200以水平差异的形式联接到第一树脂体310，所以防止水分或者异物从引线框架200的底部渗透的功能得以改善。
图6是根据图1所示实施例的发光器件封装的底部透视图。
参考图1到6，第一树脂体310布置在引线框架200的第一框架210和第二框架220之间。第一树脂体310的两个纵向端310a沿其宽度方向朝向第一框架210延伸，从而第一框架210的两个纵向端的一部分可以被第一树脂体310隐埋。因此，在第一树脂体310和向第一框架210外侧突出的端子之间的间隙得以移除，从而防止可以通过在第一框架210上安装发光器件100而产生的异物等渗透到发光器件封装1中并且污染导线或者电极等是可能的。
而且，在根据该实施例的发光器件封装1中，因为引线框架200的厚度“h”能够增加，所以插入在第一框架210和第二框架220之间的开口中的第一树脂体310的宽度“W1”能够变得更窄。具体地，因为引线框架200的厚度“h”是大的，所以在引线框架200和第一树脂体310之间的接触区域是足够的。因此，第一树脂体310的顶表面311的宽度“W1”可以变得更窄。具体地，第一树脂体310的顶表面311的宽度“W1”可以从0.3mm到0.5mm。当第一树脂体310的顶表面311的宽度小于0.3mm时，在引线框架200和第一树脂体310之间的附着是不充分的。当第一树脂体310的顶表面311的宽度大于0.5mm时，从其反射从发光器件100发射的光的引线框架的顶表面变得更窄，从而反射效率可能劣化。
而且，如在图2到6中所示，在发光器件封装1中，第一树脂体310的底表面312的形状可以不同于第一树脂体310的顶表面的形状。第一树脂体310的底表面312可以形成为增加在第一树脂体310和引线框架200之间的接触区域。因此，第一树脂体310的底表面312的宽度可以大于第一树脂体310的顶表面的宽度，并且如在图6中所示，可以具有多个非平坦结构。具体地，第一树脂体310的底表面312可以具有笔直部分和弯曲部分。笔直部分的宽度“W2”可以比顶表面311的宽度“W1”大0.1mm。弯曲部分的宽度“W3”可以比笔直部分的宽度“W2”大0.1mm。
图7a到7c是示出根据该实施例的发光器件封装已经联接到外部基板的透视图。
如在图6到7c中所示，根据该实施例的发光器件封装1的引线框架200可以包括在树脂体300的底表面上形成的主端子和在树脂体300的纵向侧上形成的辅助端子。具体地，引线框架200的第一框架210可以包括在树脂体300的底表面上形成的第一主端子210b和在树脂体300的一侧上形成的第一辅助端子210c。而且，引线框架200的第二框架220可以包括在底表面上形成的第二主端子220b和在该侧上形成的第二辅助端子220c。因此，由于根据该实施例的发光器件封装1包括用于连接到外部基板500的主端子201b和220b以及辅助端子210c和220c，所以可以通过使用辅助端子210c和220c检查或者维修发光器件封装1。而且，能够通过使用第一辅助端子210c辐射由发光器件100产生的热并且能够通过使用第一辅助端子210c测量发光器件封装1的温度。
图7a到7c示出使用发光器件封装1的引线框架200的辅助端子210c和220c的详细实施例。
如在图1到7a中所示，根据该实施例的发光器件封装1可以安装在外部基板500上。发光器件封装1的发光器件100可以被导线130连接到第二框架220，并且第二框架220的第二主端子220b可以连接到电力电极510和520。这里，当在将电力电极510连接到第二主端子220b中的任何一个时存在问题时，第二主端子220b能够通过使用第二辅助端子220c连接到辅助电力电极530。因此，当在发光器件封装1和外部基板500之间的电连接中存在问题时，在不从外部基板500移除发光器件封装1或者不另外地加工外部基板500的情况下，能够通过使用第二辅助端子220c检查或者维修发光器件封装1。
而且，如在图1到7c中所示，从发光器件100产生的热传递到第一框架210，并且辅助端子210c和220c形成为在发光器件封装1的两侧上暴露。因此，第一辅助端子210c能够功能用作辐射从发光器件100产生的热的热沉。而且，第一辅助端子210c能够用作能够测量发光器件100的温度的热计算器(TC)。因为根据该实施例的发光器件封装1与发光器件100和引线框架200直接接触，所以温度能够准确地得到测量。
图8是不带根据该实施例的引线框架的引线框架原型的透视图。
参考图5到8，引线框架原型400可以包括第一框架210、第二框架220和外部框架410。可以分别地在第一框架210、第二框架220和外部框架410之间形成开口。可以在每一个开口中填充树脂。
如在图1到8中所示，凹形部分320b可以形成在第二树脂体320的外上部分上。引线框架原型400可以包括响应于凹形部分320b在外部框架410上形成的凸形部分410a。因此，当发光器件封装1已经联接到引线框架原型400时，凸形部分410a插入并且固定到凹形部分320b，并且被在凹形部分320b的上部上形成的捕捉突起所捕捉。因此，发光器件封装1从引线框架原型400的向下运动受到限制。发光器件封装1能够仅仅被从引线框架原型400向上分离。因此，易于存储并且输送发光器件封装1。
而且，因为引线框架原型400是厚的，所以在引线框架原型400和发光器件封装1的第二外部树脂体320之间产生大的摩擦作用力。因此，发光器件封装1能够在不使用粘结剂时固定到引线框架原型400。因为根据该实施例的发光器件封装1在不使用粘结剂的情况下固定到引线框架原型400，所以并不产生异物。
图9是示出不带安装在其上的发光器件的发光器件封装联接到引线框架原型的透视图。
参考图1和9，发光器件封装1布置在引线框架原型400的引线框架200上。当通过在引线框架200上模塑树脂而形成树脂体300时，发光器件100被安装在引线框架200上。
这里，引线框架原型400可以包括两个引线框架200，从而安装两个发光器件封装1。
图10是示出能够规模生产的发光器件封装的结构的透视图。
参考图10，根据该实施例的发光器件封装1可以利用模具成两行的形式延伸地规模生产。因为能够利用模具来规模生产发光器件封装1，所以能够降低成本。
当根据该实施例的发光器件封装1的发光芯片是发射可见光的LED时，根据该实施例的发光器件封装能够在照明装置诸如各种室内室外液晶显示器、电光标志、路灯等中使用。同时，当发光器件封装的发光芯片是发射深紫外线的DUV LED时，根据该实施例的发光器件封装能够在加湿器或者用于杀菌或者净化的净水器中使用。
此后，将描述制造根据该实施例的发光器件封装1的过程。
图11a到11f是用于描述制造根据图1所示实施例的发光器件封装1的过程的视图。
可以利用模具制造发光器件封装1。因为发光器件封装1是上下颠倒地制造的，所以将上下颠倒地描述制造过程。
首先，如在图11a中所示，反射器140联接到下模具610。然后，如在图11b中所示，引线框架200联接到反射器140已经联接于此的下模具610。接着，如在图11c中所示，上模具620联接在引线框架200上。这里，响应于在引线框架200的第一框架210和第二框架220之间形成的开口230地联接树脂注射部分621。随后，如在图11e中所示，通过树脂注射部分621注射树脂。由注射树脂形成第一树脂体310和第二树脂体320。随后，如在图11f中所示，从引线框架200移除上模具620。最后，从下模具610移除引线框架200、反射器140、第一树脂体310和第二树脂体320，结果形成了发光器件封装1。如此形成的发光器件封装1在图8中示出。
参考图11a到11c，反射器140布置在引线框架200上并且具有其中布置发光器件的中央中空部分。反射器140包括基部141和倾斜部分142。基部141从引线框架200竖直向上地形成。倾斜部分142具有倾斜的反射表面并且布置在基部141上。这里，因为利用模具形成反射器140，所以反射器140可以由金属材料制成，并且基部141和倾斜部分142可以相互一体地形成。
在根据该实施例的发光器件封装1中，因为利用模具一体地形成反射器140，所以完全均匀地形成了反射器140，从而反射精度得以改善。而且，在过去，已经为了方便制造反射器140起见而使用了引线。然而，根据该实施例的发光器件封装1的反射器140并不要求引线，从而防止异物等通过树脂体300从外侧渗透到发光器件封装1中是可能的。而且，反射器140包括具有倾斜的反射表面的倾斜部分142，从而反射从发光器件发射的光。在发光器件封装1的模塑过程中，倾斜部分142可以沿着指定方向倾斜。因此，因为根据该实施例的发光器件封装1包括在倾斜部分142下方并且与其一体地形成的基部141，所以能够防止反射器140的倾斜部分142倾斜。发光器件封装1可以如此制造，使得反射器140和引线框架200以至少0.1mm相互隔开。图3所示绝缘层323可以在于反射器140和引线框架200之间形成的空间中形成。
图12是示出其中根据该实施例的发光器件封装已经在引线框架原型上形成的最终形式的视图。
在根据该实施例的发光器件封装1中，已经移除了在引线框架200和引线框架原型400之间的图9所示连接框架430。因此，由于根据该实施例的发光器件封装1被引线框架原型400捕捉并且联接于此，所以能够容易地从引线框架原型400移除发光器件封装1。
这样，根据该实施例的发光器件封装1的反射器140具有比通过在引线框架200上电镀或者模塑薄金属板形成的反射器更高的准确度。因为利用模具形成根据该实施例的发光器件封装1的反射器140，所以反射器140可以由金属材料制成并且可以不被切割地一体地形成。因此，根据该实施例的发光器件封装1的反射器140的倾斜表面能够得到加工，从而能够进一步提高反射率。在过去，通过在树脂层等上电镀或者通过使用薄金属板形成反射器，并且因此，光的反射是非均匀的。然而，在根据该实施例的发光器件封装1中，反射器140利用模具一体地形成并且由金属材料制成，从而发光器件封装1具有高的反射精度。而且，因为利用模具形成根据该实施例的发光器件封装1的反射器140，所以能够在不使用引线的情况下制造反射器140。相应地，由于反射器140完全地被第二树脂体320包围，所以异物等并不渗透到发光器件封装1中。
图13a和13b是用于描述从根据该实施例的发光器件封装移除了释放销的视图。
如在图13a和13b中所示，在根据该实施例的发光器件封装1中，用于从下模具610移除反射器140的释放销600可以形成在发光器件封装1的外侧处而非在发光器件封装1的内侧“A”处。当释放销600位于模塑体上，即，发光器件封装1的外侧处时，引线框架200弯曲并且变形。因此，通常释放销600位于模塑体的内侧“A”处。从模塑体分离释放销600时，移除标记保留。然而，在根据该实施例的发光器件封装1中，引线框架200是足够厚的。相应地，即使当释放销600在发光器件封装1的外侧处形成时，引线框架200仍然能够承受由释放销600的分离引起的应力。因此，由于释放销600在发光器件封装1的外侧处形成，所以释放销600的移除标记并不保留在其中安装发光器件或者通过导线连接的内侧“A”处。
图14a和14b是用于描述根据本实施例如何联接反射器和引线框架的视图。
如在图11a到11f与图14a和14b中所示，在用于制造发光器件封装1的前述方法中，粘结片700可以布置在反射器140上。粘结片700能够将反射器140附着到引线框架200的第二框架220。通过使用粘结片700，其中布置绝缘层323的、在引线框架200和反射器140之间的空间能够变得更小。
虽然以上描述了本发明的实施例，但是这些实施例只是实例而非限制本发明。此外，本领域技术人员在不偏离本发明的基本特征的情况下可以以各种方式改变和修改本发明。即，可以修改在本发明的实施例中详细描述的构件。此外，应该理解在本发明的、在所附权利要求中描述的范围和精神中包括由于修改和应用而引起的差异。

Claims (23)

1.一种发光器件封装，包括：
引线框架，所述引线框架包括第一框架和第二框架，所述第二框架分别地布置在所述第一框架的两侧；
发光器件，所述发光器件布置在所述第一框架上并且电连接到所述第二框架；和
树脂体，所述树脂体包括第一树脂体和第二树脂体，所述第一树脂体布置在所述第一框架和所述第二框架之间，所述第二树脂体覆盖所述引线框架的外表面，
其中，所述第一框架的端部和所述第二框架的端部布置在所述第二树脂体的外表面上，
其中，所述第一树脂体的底表面包括笔直部分和弯曲部分，并且所述笔直部分的宽度大于所述第一树脂体的顶表面的宽度，
其中，所述弯曲部分的宽度大于所述笔直部分的宽度，
其中，所述弯曲部分和所述笔直部分被插入到在所述第一框架和所述第二框架之间的开口中，
其中，所述第二树脂体包括布置在所述第二树脂体的外表面的下部处并且联接到引线框架原型的凹形部分，在所述凹形部分的上部布置有捕捉突起，并且
其中，所述引线框架原型包括外部框架，所述外部框架被布置成包围所述第一框架和所述第二框架，所述外部框架包括与所述凹形部分对应地形成在所述外部框架上的凸形部分，使得当所述发光器件封装被联接到所述引线框架原型时，所述凸形部分被插入和固定到所述凹形部分并且被所述捕捉突起捕捉，从而所述发光器件封装从所述引线框架原型的向下运动受到限制并且仅能够从所述引线框架原型向上分离。
2.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述第一框架的所述端部和所述第二框架的所述端部突出超过所述第二树脂体的所述外表面。
3.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述第一框架的所述端部是测量所述发光器件的温度的热计算器(TC)端子。
4.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述第一框架的所述端部辐射从所述发光器件产生的热。
5.根据权利要求1所述的发光器件封装，
其中，所述第一树脂体包括顶表面和底表面，
并且其中，所述顶表面的宽度小于所述底表面的宽度。
6.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，所述第一树脂体的顶表面的宽度为0.3mm到0.5mm。
7.根据权利要求1所述的发光器件封装，进一步包括反射器，所述反射器布置在所述引线框架上并且具有其中布置所述发光器件的中空部分，其中，所述第二树脂体进一步包括覆盖所述反射器的外表面的壁。
8.根据权利要求7所述的发光器件封装，其中，所述壁具有凹陷部，所述反射器的一部分插入到所述凹陷部中。
9.根据权利要求7所述的发光器件封装，其中，所述壁包括绝缘层和突起，所述绝缘层布置在所述反射器的底表面和所述第二框架的顶表面之间，所述突起布置在所述反射器的顶表面上。
10.根据权利要求9所述的发光器件封装，其中，所述绝缘层的厚度为0.1mm到0.15mm。
11.根据权利要求7所述的发光器件封装，其中，所述壁包括从所述壁的顶表面向上突出的引导突起。
12.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中，黑色树脂被用作所述树脂体。
13.一种发光设备，包括基板和布置在所述基板上的发光器件封装，
其中，所述基板包括第一端子和分别地布置在所述第一端子的两侧的第二端子，
其中，所述发光器件封装包括：
第一框架和第二框架，所述第一框架电连接到所述第一端子，所述第二框架分别地布置在所述第一框架的两侧并且电连接到所述第二端子；
发光器件，所述发光器件布置在所述第一框架上并且电连接到所述第二框架；和
树脂体，所述树脂体包括布置在所述第一框架和所述第二框架之间的第一树脂体以及覆盖所述第一框架和所述第二框架的第二树脂体，
其中，所述第一框架的端部和所述第二框架的端部布置在所述第二树脂体的外表面上，
其中，所述第一树脂体的底表面包括笔直部分和弯曲部分，并且所述笔直部分的宽度大于所述第一树脂体的顶表面的宽度，
其中，所述弯曲部分的宽度大于所述笔直部分的宽度，
其中，所述弯曲部分和所述笔直部分被插入到在所述第一框架和所述第二框架之间的开口中，
其中，所述第二树脂体包括布置在所述第二树脂体的外表面的下部处并且联接到引线框架原型的凹形部分，在所述凹形部分的上部布置有捕捉突起，并且
其中，所述引线框架原型包括外部框架，所述外部框架被布置成包围所述第一框架和所述第二框架，所述外部框架包括与所述凹形部分对应地形成在所述外部框架上的凸形部分，使得当所述发光器件封装被联接到所述引线框架原型时，所述凸形部分被插入和固定到所述凹形部分并且被所述捕捉突起捕捉，从而所述发光器件封装从所述引线框架原型的向下运动受到限制并且仅能够从所述引线框架原型向上分离。
14.根据权利要求13所述的发光设备，其中，所述第一框架的所述端部和所述第二框架的所述端部突出超过所述第二树脂体的所述外表面。
15.根据权利要求13所述的发光设备，其中，所述第一框架的所述端部是测量所述发光器件的温度的热计算器(TC)端子。
16.根据权利要求13所述的发光设备，其中，所述第一框架的所述端部辐射从所述发光器件产生的热。
17.根据权利要求13所述的发光设备，
其中，所述第一树脂体包括顶表面和底表面，
并且其中，所述顶表面的宽度小于所述底表面的宽度。
18.根据权利要求13所述的发光设备，其中，所述第一树脂体的顶表面的宽度为0.3mm到0.5mm。
19.根据权利要求13所述的发光设备，进一步包括反射器，所述反射器布置在所述引线框架上并且具有其中布置所述发光器件的中空部分，其中所述第二树脂体进一步包括覆盖所述反射器的外表面的壁。
20.根据权利要求19所述的发光设备，其中，所述壁具有凹陷部，所述反射器的一部分插入到所述凹陷部中。
21.根据权利要求19所述的发光设备，其中，所述壁包括绝缘层和突起，所述绝缘层布置在所述反射器的底表面和所述第二框架的顶表面之间，所述突起布置在所述反射器的顶表面上。
22.根据权利要求21所述的发光设备，其中，所述绝缘层的厚度为0.1mm到0.15mm。
23.根据权利要求19所述的发光设备，其中，所述壁包括从所述壁的顶表面向上突出的引导突起。
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CN (1) CN105261686B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6765804B2 (ja) * 2014-11-28 2020-10-07 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ
JP6361645B2 (ja) 2015-12-22 2018-07-25 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN110931622A (zh) * 2016-03-14 2020-03-27 光宝光电(常州)有限公司 发光二极管封装结构
EP3223322B1 (en) * 2016-03-25 2019-05-01 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
US10867894B2 (en) 2018-10-11 2020-12-15 Asahi Kasei Microdevices Corporation Semiconductor element including encapsulated lead frames

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2187459A2 (en) * 2008-11-18 2010-05-19 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
CN103098217A (zh) * 2010-08-10 2013-05-08 科锐公司 具有高效、绝热路径的 led 封装

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0983018A (ja) * 1995-09-11 1997-03-28 Nippon Denyo Kk 発光ダイオードユニット
US5978093A (en) * 1997-07-17 1999-11-02 Mcms, Inc. Method for calibrating surface mounting processes in printed circuit board assembly manufacturing
JP2002196427A (ja) * 2000-12-22 2002-07-12 Konica Corp 露光装置および画像形成装置
KR100665216B1 (ko) * 2005-07-04 2007-01-09 삼성전기주식회사 개선된 측벽 반사 구조를 갖는 측면형 발광다이오드
KR100629496B1 (ko) * 2005-08-08 2006-09-28 삼성전자주식회사 Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
KR100735325B1 (ko) 2006-04-17 2007-07-04 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
JP2007300018A (ja) * 2006-05-02 2007-11-15 Enomoto Co Ltd Ｌｅｄデバイス
JP4846498B2 (ja) 2006-09-22 2011-12-28 株式会社東芝 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法
JP5194431B2 (ja) * 2006-10-31 2013-05-08 旭硝子株式会社 発光素子用封入剤および発光素子
US8598602B2 (en) * 2009-01-12 2013-12-03 Cree, Inc. Light emitting device packages with improved heat transfer
KR101574286B1 (ko) * 2009-01-21 2015-12-04 삼성전자 주식회사 발광 장치
CN101499446B (zh) * 2009-02-26 2013-10-16 光宝电子(广州)有限公司 导线架料片、封装结构以及发光二极管封装结构
JP5393802B2 (ja) * 2009-10-29 2014-01-22 京セラ株式会社 発光装置
DE102009058421A1 (de) * 2009-12-16 2011-06-22 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses für ein optoelektronisches Halbleiterbauteil, Gehäuse und optoelektronisches Halbleiterbauteil
JP2012028744A (ja) * 2010-06-22 2012-02-09 Panasonic Corp 半導体装置用パッケージおよびその製造方法ならびに半導体装置
JP2012023184A (ja) * 2010-07-14 2012-02-02 Sharp Corp 発光装置
TWM400099U (en) * 2010-09-27 2011-03-11 Silitek Electronic Guangzhou Lead frame, package structure and lighting device thereof
JP2012094787A (ja) * 2010-10-29 2012-05-17 Panasonic Corp 光半導体装置およびそれに用いる光半導体装置用パッケージならびにこれらの製造方法
JP2013041950A (ja) * 2011-08-12 2013-02-28 Sharp Corp 発光装置
JP5976128B2 (ja) 2011-12-22 2016-08-23 エフ ホフマン−ラ ロッシュ アクチェン ゲゼルシャフト 光学システムにおける光源寿命の延長
JP2013251384A (ja) * 2012-05-31 2013-12-12 Seika Sangyo Kk 発光装置
US9164001B2 (en) * 2013-06-28 2015-10-20 Bridgelux, Inc. Using an LED die to measure temperature inside silicone that encapsulates an LED array
JP2015056649A (ja) * 2013-09-13 2015-03-23 株式会社東芝 発光装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2187459A2 (en) * 2008-11-18 2010-05-19 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
CN103098217A (zh) * 2010-08-10 2013-05-08 科锐公司 具有高效、绝热路径的 led 封装

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