KR101088910B1 - Led 패키지 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 LED 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 2층 이상의 금속층으로 구성되고 캐비티가 형성된 방열부; 상기 방열부의 일측으로 연장형성된 제1 리드; 상기 방열부와 분리된 제2 리드; 상기 방열부와 상기 제1 리드 및 제2 리드를 고정하는 몰드부; 상기 캐비티 내에 실장된 LED 칩; 및 상기 LED 칩을 보호하도록 상기 캐비티 내에 충진된 제1 충진제;를 포함하는 LED 패키지를 제공하고, 또한 본 발명은 상기 LED 패키지의 제조방법을 제공한다.
LED, 패키지, 캐비티, 방열부, 리드

Description

LED 패키지 및 그 제조방법{LED package and method of manufacturing the same}
본 발명은 LED 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 2층 이상의 금속층으로 구성된 방열부에 캐비티를 형성하고, 상기 캐비티 내에 LED 칩을 실장하는 LED 패키지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)는 전류가 흐를 때 빛을 내는 반도체 발광소자이며, GaAs, GaN 광반도체로 이루어진 PN 접합 다이오드(junction diode)로 전기에너지를 빛에너지로 바꾸어 주는 것이다.
이러한 LED로부터 나오는 빛의 영역은 레드(630nm~700nm)로부터 블루-바이올렛(400nm)까지로 블루, 그린 및 화이트까지도 포함하고 있으며, 상기 LED는 백열전구와 형광등과 같은 기존의 광원에 비해 저전력소비, 고효율, 장시간 동작 수명 등의 장점을 가지고 있어 그 수요가 지속적으로 증가하고 있는 실정이다.
최근에 LED는 모바일 단말기의 소형조명에서 실내외의 일반조명, 자동차 조 명, 대형 LCD(Liquid Crystal Display)용 백라이트(Backlight)로 그 적용범위가 점차 확대되고 있다.
백라이트로의 적용 측면에서, 광학 두께를 낮추기 위해서는 패키지 출사광의 광지향각을 확보하여야 하는데, 패키지 크기를 최소화하면서 광지향각을 구현하기 위해서는 광원 크기의 최소화가 요구된다.
조명으로의 적용 측면에서는, 고출사효율을 위해 렌즈를 이용하여야 하는데 광원의 크기가 큰 경우 불스 아이(bull's eye)와 같은 방향에 따른 색좌표/색온도 특성이 차이날 수 있으므로, 이를 극복하기 위해서는 역시 광원 크기의 최소화가 요구된다.
종래에는 광원의 크기를 작게 하기 위하여, 수지 재질의 몰드부에 마이크로 캐비티(micro cavity)를 형성하고, 상기 캐비티 내에 LED 칩을 실장하는데, 이 경우 수지 재질의 몰드면이 장시간 고온 및 고출력에 노출되면 변색되면서 결과적으로 패키지의 휘도가 떨어져 수명이 단축되는 문제점이 있다. 이러한 문제는 상기 캐비티의 크기가 작을수록 더욱 가속될 수 있다.
따라서, 본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것으로서, 본 발명의 목적은, 2층 이상의 금속층으로 구성된 방열부에 캐비티를 형성하고, 상기 캐비티 내에 LED 칩을 실장함으로써, 몰드부의 변색을 방지하여 패키지의 신뢰성을 향상시키고, 광원의 크기를 줄일 수 있는 LED 패키지 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 의한 LED 패키지는, 2층 이상의 금속층으로 구성되고 캐비티가 형성된 방열부; 상기 방열부의 일측으로 연장형성된 제1 리드; 상기 방열부와 분리된 제2 리드; 상기 방열부와 상기 제1 리드 및 제2 리드를 고정하는 몰드부; 상기 캐비티 내에 실장된 LED 칩; 및 상기 LED 칩을 보호하도록 상기 캐비티 내에 충진된 제1 충진제;를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 방열부는 2층 이상의 금속층을 구비하도록 절첩되는 하나의 금속판재로 구성될 수 있다.
그리고, 상기 방열부가 2층의 금속층으로 구성될 경우, 상기 캐비티는 상기 방열부의 상층의 금속층에 형성될 수 있다.
또한, 상기 방열부가 3층 이상의 금속층으로 구성될 경우, 상기 캐비티는 상기 방열부의 최하층의 금속층 상면이 노출되도록 복수의 금속층에 형성되거나, 상 기 방열부의 최하층의 금속층을 포함한 2층 이상의 금속층 상면이 노출되도록 형성될 수 있다.
또한, 상기 캐비티의 내부면은 경사면으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 LED 칩 및 상기 제2 리드를 접속시키는 와이어를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 몰드부는 상기 캐비티보다 큰 개구부를 가질 수 있다.
또한, 상기 개구부 내에 충진된 제2 충진제를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 몰드부의 상부면에 결합된 렌즈를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 캐비티를 포함한 상기 방열부, 상기 제1 리드 및 상기 제2 리드의 표면에 Ag로 이루어지는 반사부재가 형성될 수 있다.
그리고, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지의 제조방법은, 일측으로 연장형성되는 제1 리드와, 타측에 분리된 제2 리드를 가지는 방열부를 제공하는 단계; 상기 방열부의 일부분에 캐비티를 가공하는 단계; 상기 캐비티가 형성된 부분이 최상층에 위치하도록 상기 방열부를 절첩하여 2층 이상의 금속층으로 형성하는 단계; 상기 방열부와 상기 제1리드 및 상기 제2 리드를 일체로 고정하도록 몰드부를 형성하는 단계; 상기 캐비티 내에 LED 칩을 실장하는 단계; 상기 LED 칩과 상기 제2 리드를 와이어 본딩하여 접속시키는 단계; 및 상기 캐비티 내에 제1 충진제를 채우는 단계;를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 방열부의 일부분에 캐비티를 가공하는 단계에서, 상기 캐비티 의 내부면을 경사면으로 형성할 수 있다.
그리고, 상기 몰드부를 형성하는 단계에서, 상기 몰드부 내에 상기 캐비티보다 큰 개구부를 형성할 수 있다.
또한, 상기 제1 충진제를 채우는 단계 이후에, 상기 개구부 내에 제2 충진제를 채우는 단계;를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 제2 충진제를 채우는 단계 이후에, 상기 몰드부의 상부면에 렌즈를 결합하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 LED 패키지 및 그 제조방법에 의하면, 2층 이상의 금속층으로 구성된 방열부에 캐비티를 형성하고, 상기 캐비티 내에 LED 칩을 실장함으로써, 패키지의 휘도가 저하되는 것을 방지하여 패키지 수명을 연장시킬 수 있고, 고출력 패키지로의 적용이 가능한 효과가 있다.
또한, 본 발명은 상기 캐비티의 크기를 최소화한다 하더라도 패키지의 휘도 및 수명에 지장이 없으므로, 광원의 크기를 최소화할 수 있는 장점이 있다.
본 발명에 따른 LED 패키지 및 그 제조방법의 상기 목적에 대한 기술적 구성을 비롯한 작용효과에 관한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예가 도시된 도면을 참조한 아래의 상세한 설명에 의해서 명확하게 이해될 것이다.
LED 패키지의 구조에 관한 실시예
이하, 첨부된 도면에 따라 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지에 대하여 상세히 설명한다.
먼저, 도 1은 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지의 구조를 나타낸 단면도이고, 도 2a는 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지의 방열부를 나타낸 전개도이며, 도 2b는 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지의 방열부를 나타낸 사시도이다.
본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지는, 도 1에 도시된 바와 같이, 캐비티(cavity; 105)가 형성된 방열부(100)와, 상기 방열부(100)의 일측으로 연장형성된 제1 리드(110)와, 상기 방열부(100)의 타측에 상기 방열부(100)와 분리된 제2 리드(120)와, 상기 방열부(100)와 상기 제1 리드(110) 및 제2 리드(120)를 고정하는 몰드부(130), 및 상기 캐비티(105) 내에 실장된 LED 칩(140)을 포함한다.
상기 LED 칩(140) 및 상기 제2 리드(120)는, 와이어(145) 본딩에 의해 전기적으로 접속될 수 있다.
상기 캐비티(105) 내에는, 상기 LED 칩(140)을 보호하는 제1 충진제(150)가 충진되어 있다. 상기 제1 충진제(150)는 빛의 투광성이 우수한 투광성 수지, 예컨대 실리콘 수지 또는 에폭시 수지 등으로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 제1 충진제(150)에는 백라이트 유닛에 제공되는 광원이 백색광으로 나타나도록 적어도 하나 이상의 형광체가 포함될 수 있다. 이 경우, 상기 LED 칩(140)의 발광시 상기 LED 칩(140)을 구성하는 반도체 소재의 차이에 따라 발생되 는 R,G,B 파장대의 빛은 상기 제1 충진제(150)에 포함된 상기 형광체에 의해서 백색광으로 전환되어 패키지로부터 발산되어 백색광의 광원으로 제공될 수 있다.
상기 몰드부(130)는 수지 재질로 이루어질 수 있다.
상기 몰드부(130) 내에는 상기 LED 칩(140)에서 발생된 빛이 외부로 추출될 수 있도록 개구부(135)가 구비되어 있으며, 상기 개구부(135)는 상기 캐비티(105)보다 큰 것이 바람직하다.
상기 몰드부(130)의 상기 개구부(135) 내에는 제2 충진제(155)가 충진되어 있을 수 있다. 상기 제2 충진제(155)는, 실리콘 수지 또는 에폭시 수지 등의 투광성 수지로 이루어질 수 있다.
상기 몰드부(130)의 상부면에는, 상기 LED 칩(140)에서 발광된 빛을 외부로 넓은 지향각으로 추출해주는 렌즈(160)가 결합될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지에 있어서, 상기 방열부(100)는 2층 이상의 금속층(101,102)으로 구성될 수 있다. 이때, 상기 방열부(100)는 2층 이상의 금속층(101,102)을 구비하도록 절첩되는 하나의 금속판재로 구성될 수 있다.
도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 방열부(100)가 2층의 금속층(101,102)으로 구성될 경우, 상층의 금속층(102) 하면이 하층의 금속층(101) 상면에 접하도록 접힘선(F)을 따라 절첩될 수 있으며, 이때 상기 LED 칩(140)이 실장되는 상기 캐비티(105)는 상기 방열부(100)의 상층의 금속층(102)에 형성될 수 있다.
여기서, 도 3a는 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지의 방열부의 다른 실시 예를 나타낸 전개도이고, 도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지의 방열부의 다른 실시예를 나타낸 사시도이다.
상기 방열부(100)가 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이, 3층의 금속층으로 구성될 경우에는, 상층의 금속층(102) 하면이 중간층의 금속층(103) 상면에 접하도록 접힘선(F)을 따라 절첩되고, 하층의 금속층(101) 상면이 상기 중간층의 금속층(103) 하면에 접하도록 또 다른 접힘선(F)을 따라 절첩될 수 있다.
이와 같이 방열부(100)가 3층의 금속층으로 구성되는 경우, 상기 캐비티(105)는, 도 3a에 도시된 바와 같이 상기 방열부(100)의 상층 금속층(102)에만 형성될 수도 있으나, 상층 및 중간층의 금속층(102,103)에 모두 형성될 수도 있다. 단, 하층의 금속층(101)에는 상기 LED 칩(140)이 실장될 수 있도록, 상기 캐비티(105)가 형성되지 않도록 하는 것이 바람직하다.
즉, 상기 방열부(100)가 3층 이상의 금속층으로 구성될 경우, 상기 캐비티(105)는, 상기 방열부(100)를 구성하는 금속층들 중에 최하층의 금속층 상면이 노출되도록 복수의 금속층에 형성되거나, 상기 방열부(100)를 구성하는 금속층들 중에 최하층의 금속층을 포함한 2층 이상의 금속층 상면이 노출되도록 형성될 수 있다.
상기 캐비티(105)에 실장된 상기 LED 칩(140)의 발광시에 발생되는 열은, 상기 금속층들로 이루어진 방열부(100)를 통해 외부로 방출될 수 있다. 따라서, 상기 방열부(100)는 열전도성이 우수한 금속, 예를 들면 구리, 은, 알루미늄, 철, 니켈 및 텅스텐 등으로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 캐비티(105)는, 상기 LED 칩(140)에서 발생하는 빛을 외부로 효과적으로 방출할 수 있도록, 그 내부면이 경사면으로 형성되는 것이 바람직하다.
상기 캐비티(105)를 포함한 상기 방열부(100)의 표면에는 Ag 등으로 이루어지는 반사부재(도면 미도시)가 추가로 형성되어, 상기 LED 칩(140)에서 발광되는 빛의 반사 효율을 더욱 높일 수 있다. 상기 반사부재는, 상기 제1 리드(110) 및 상기 제2 리드(120)의 표면에도 함께 형성될 수 있다.
상술한 바와 같은 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지에 의하면, 금속층들로 구성된 상기 방열부(100) 내에 형성된 캐비티(105)에 LED 칩(140)이 실장됨으로써, 상기 LED 칩(140)에서 발생하는 빛의 대부분이, 상기 수지 재질의 몰드부(130)가 아닌 상기 금속 재질의 캐비티(105)의 내부면에서 반사되어 외부로 추출될 수 있다.
이러한 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지는, 상기 금속 재질의 캐비티(105)의 내부면이 고온에 장시간 노출된다 하더라도 변색이 쉽게 이루어지지 않으므로, 패키지의 휘도가 저하되는 것을 방지하여, 패키지 수명을 연장시킬 수 있고, 고출력 패키지로의 적용이 가능한 장점이 잇다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지에서는, 상기 LED 칩(140)이 실장되는 공간인 상기 캐비티(105)의 크기에 따라 광원의 크기가 한정되는데, 상기 캐비티(105)의 크기를 최소화한다 하여도 패키지의 휘도 및 수명에 지장이 없으므로, 광원의 크기를 최소화할 수 있다.
LED 패키지의 제조방법
이하, 도 4 내지 도 10을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지의 제조방법에 대하여 상세히 설명한다.
도 4 내지 도 10은 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지의 제조방법을 설명하기 위해 순차적으로 나타낸 공정 단면도이다.
우선, 도 4에 도시된 바와 같이, 일측으로 연장형성되는 제1 리드(110)와, 타측에 분리된 제2 리드(120)를 가지는 방열부(100)를 제공한다. 여기서, 상기 방열부(100)는, 앞서의 도 2a 및 도 3a에 도시된 바와 같이 2층 또는 그 이상의 금속층을 구비하도록 절첩되는 하나의 금속판재 형태로 제공될 수 있다.
다음으로, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 방열부(100)의 일부분에 캐비티(105)를 가공한다. 상기 캐비티(105)는 펀칭, 또는 식각 등의 방식으로 가공될 수 있으며, 그 내부면을 경사면으로 형성하는 것이 바람직하다.
그런 다음, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 캐비티(105)가 형성된 부분이 최상층에 위치하도록 상기 방열부(100)를 절첩하여 2층 이상의 금속층(101,102)으로 형성한다.
그 다음에, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 방열부(100)와 상기 제1리드(110) 및 상기 제2 리드(120)를 일체로 고정하도록 몰드부(130)를 형성한다.
상기 몰드부(130)는 수지물을 이용하여 금형 또는 압출 방식 등에 의해 성형될 수 있으며, 상기 몰드부(130)의 성형시, 상기 캐비티(105)보다 큰 개구부(135)가 형성되도록 한다.
그런 후에, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 캐비티(105) 내에 LED 칩(140)을 실장한 다음, 상기 LED 칩(140)과 상기 제2 리드(120)를 와이어(145) 본딩하여 서로 전기적으로 접속시킨다.
다음으로, 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 캐비티(105) 내에 제1 충진제(150)를 채우고, 상기 개구부(135) 내에 제2 충진제(155)를 채운다. 상기 제1 충진제(150) 및 상기 제2 충진제(155)는 투광성 수지로 이루어질 수 있으며, 상기 제1 충진제(150)에는 형광체가 포함될 수 있다.
그런 다음, 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 몰드부(130)의 상부면에 렌즈(160)를 결합시킨다.
이상에서 설명한 본 발명의 바람직한 실시예들은 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러가지 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이나, 이러한 치환, 변경 등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지의 구조를 나타낸 단면도.
도 2a는 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지의 방열부를 나타낸 전개도.
도 2b는 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지의 방열부를 나타낸 사시도.
도 3a는 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지의 방열부의 다른 실시예를 나타낸 전개도.
도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지의 방열부의 다른 실시예를 나타낸 사시도.
도 4 내지 도 10은 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지의 제조방법을 설명하기 위해 순차적으로 나타낸 공정 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100: 방열부 101,102,103: 금속층
105: 캐비티 110: 제1 리드
120: 제2 리드 130: 몰드부
135: 개구부 140: LED 칩
145: 와이어 150: 제1 충전제
155: 제2 충전제 160: 렌즈

Claims (20)

  1. 2층 이상의 금속층으로 구성되고 캐비티가 형성된 방열부;
    상기 방열부의 일측으로 연장형성된 제1 리드;
    상기 방열부와 분리된 제2 리드;
    상기 캐비티보다 큰 개구부를 가지며, 상기 방열부와 상기 제1 리드 및 제2 리드를 고정하는 몰드부;
    상기 캐비티 내에 실장된 LED 칩;
    상기 LED 칩을 보호하도록 상기 캐비티 내에 충진된 제1 충진제; 및
    상기 제1 충진제와 상기 제1 및 제2 리드 중 적어도 하나의 일부를 덮도록 상기 몰드부의 개구부 내에 충진된 제2 충진제;
    를 포함하고, 상기 제1 및 제2 충진제는 실리콘 수지 또는 에폭시 수지의 투광성 수지로 이루어지고, 상기 제1 충진제는 상기 LED 칩에서 발생하는 빛이 백색광으로 전환되도록 적어도 하나 이상의 형광체를 포함하며, 상기 방열부 및 상기 제1 리드의 상면과 대응되는 수평 레벨에 위치하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 방열부는 2층 이상의 금속층을 구비하도록 절첩되는 하나의 금속판재로 구성된 LED 패키지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 방열부가 2층의 금속층으로 구성될 경우,
    상기 캐비티는 상기 방열부의 상층의 금속층에 형성되는 LED 패키지.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 방열부가 3층 이상의 금속층으로 구성될 경우,
    상기 캐비티는 상기 방열부의 최하층의 금속층 상면이 노출되도록 복수의 금속층에 형성되는 LED 패키지.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 방열부가 3층 이상의 금속층으로 구성될 경우,
    상기 캐비티는 상기 방열부의 최하층의 금속층을 포함한 2층 이상의 금속층 상면이 노출되도록 형성되는 LED 패키지.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 캐비티의 내부면은 경사면으로 형성된 LED 패키지.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 LED 칩 및 상기 제2 리드를 접속시키는 와이어를 더 포함하는 LED 패키지.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 제1항에 있어서,
    상기 몰드부의 상부면에 결합된 렌즈를 더 포함하는 LED 패키지.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 캐비티를 포함한 상기 방열부, 상기 제1 리드 및 상기 제2 리드의 표면에 반사부재가 형성되는 LED 패키지.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 반사부재는 Ag로 이루어지는 LED 패키지.
  13. 일측으로 연장형성되는 제1 리드와, 타측에 분리된 제2 리드를 가지는 방열부를 제공하는 단계;
    상기 방열부의 일부분에 캐비티를 가공하는 단계;
    상기 캐비티가 형성된 부분이 최상층에 위치하도록 상기 방열부를 절첩하여 2층 이상의 금속층으로 형성하는 단계;
    상기 방열부와 상기 제1리드 및 상기 제2 리드를 일체로 고정하도록 몰드부를 형성하고, 상기 몰드부 내에 상기 캐비티보다 큰 개구부를 형성하는 단계;
    상기 캐비티 내에 LED 칩을 실장하는 단계;
    상기 LED 칩과 상기 제2 리드를 와이어 본딩하여 접속시키는 단계;
    상기 캐비티 내에 제1 충진제를 채우는 단계; 및
    상기 제1 충진제를 채우는 단계 이후에, 상기 개구부 내에 제2 충진제를 채우는 단계;
    를 포함하고, 상기 제1 및 제2 충진제는 실리콘 수지 또는 에폭시 수지의 투광성 수지로 이루어지고, 상기 제1 충진제는 상기 LED 칩에서 발생하는 빛이 백색광으로 전환되도록 적어도 하나 이상의 형광체를 포함하며, 상기 방열부 및 상기 제1 리드의 상면과 대응되는 수평 레벨에 위치하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 LED 패키지의 제조방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 방열부의 일부분에 캐비티를 가공하는 단계에서,
    상기 캐비티의 내부면을 경사면으로 형성하는 LED 패키지의 제조방법.
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 제13항에 있어서,
    상기 제2 충진제를 채우는 단계 이후에,
    상기 몰드부의 상부면에 렌즈를 결합하는 단계;를 더 포함하는 LED 패키지의 제조방법.
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 2층 이상의 금속층으로 구성되고 캐비티가 형성된 방열부;
    상기 방열부의 일측으로 연장형성된 제1 리드;
    상기 방열부와 분리된 제2 리드;
    상기 캐비티보다 큰 개구부를 가지며, 상기 방열부와 상기 제1 리드 및 제2 리드를 고정하는 몰드부;
    상기 캐비티 내에 실장된 LED 칩;
    상기 LED 칩을 보호하도록 상기 캐비티 내에 충진된 제1 충진제; 및
    상기 제1 충진제와 상기 제1 및 제2 리드 중 적어도 하나의 일부를 덮도록 상기 몰드부의 개구부 내에 충진된 제2 충진제;
    를 포함하고, 상기 방열부는 구리, 은, 알루미늄, 철, 니켈, 텅스텐 중 적어도 하나를 포함하는 열전도성 금속으로 이루어지고, 상기 제1 충진제는 상기 LED 칩에서 발생하는 빛이 백색광으로 전환되도록 적어도 하나 이상의 형광체를 포함하며, 상기 방열부 및 상기 제1 리드의 상면과 대응되는 수평 레벨에 위치하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 LED 패키지.
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