KR100803161B1 - 단결정 실리콘 재질의 발광 다이오드 패키지 및 이를채용한 발광 소자 - Google Patents

단결정 실리콘 재질의 발광 다이오드 패키지 및 이를채용한 발광 소자 Download PDF

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Abstract

본 발명은 일정한 두께를 가지는 단결정 실리콘 재질의 베이스와, 상기 베이스위에 설치되며 일측에 전원공급을 위한 리드부와, 다른 측에 상기 리드부보다 두꺼운 두께를 가지는 슬러그를 가지는 제 1 리드 프레임과, 상기 베이스위에 상기 제 1 리드 프레임과 전기적으로 분리되도록 간격을 두고 이격되어 설치되며, 일측에 전원공급을 위한 리드부와, 다른 측에 상기 리드부보다 두꺼운 두께를 가지는 슬러그를 가지는 제 2 리드 프레임과, 상기 각 슬러그의 표면이 노출되도록 상기 제 1 리드 프레임과 상기 제 2 리드 프레임을 끼워 상기 베이스와 접합되는 단결정 실리콘 재질의 하우징과, 상기 제 2 리드 프레임의 슬러그위에 장착되고, 상기 제 1 리드 프레임의 슬러그와 와이어 본딩되는 LED 칩을 포함하는 발광 다이오드 패키지를 제공한다.
본 발명에 의하면, 단결정 실리콘 재질의 뛰어난 가공성에 의해 전체적인 발광 소자 패키지의 크기가 소형화되고 열방출 특성이 효과적으로 개선된다.
LED, 발광 다이오드, 슬러그, 리드 프레임, 패키지, 실리콘

Description

단결정 실리콘 재질의 발광 다이오드 패키지 및 이를 채용한 발광 소자{LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE USING SINGLE CRYSTAL AND LIGHT EMITTING DEVICE THEREOF}
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 사시도.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 평면도.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 A-A 단면도.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 결합 사시도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10 : 베이스 21 : 제 1 리드 프레임의 리드부
22 : 제 1 리드 프레임의 슬러그 23 : 제 2 리드 프레임의 슬러그
24 : 제 2 리드 프레임의 리드부 30 : 하우징
31 : 제 1 관통부 32 : 제 2 관통부
33 : 반사면 34 : 결합홈
40 : LED 칩 50 : 본딩 와이어
본 발명은 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로, 상세하게는 하우징의 재질을 단결정 실리콘으로 하여 식각에 의한 가공성을 향상시키고 열방출 효율을 개선한 발광 다이오드 패키지 및 이를 채용한 발광 소자에 관한 것이다.
일반적으로 LED(light emitting diode) 칩을 이용하는 광원 시스템은 사용하고자 하는 용도에 따라 여러 형태의 패키지에 LED 칩을 실장하여 형성한다.
발광 다이오드 패키지는 많은 광량을 얻고자 높은 전류를 이용하는 파워 발광 다이오드(power LED)구조를 채용하고 있는데, 이때 많은 전류에 의해서 발생하는 열을 빠르게 방출시키는 것이 필요하다.
그러나, 종래의 발광 다이오드 패키지는 LED 칩으로부터 발생한 열을 효과적으로 방출하지 못함으로 인해 신뢰성이 저하되고 광량이 저하되는 문제점이 있다.
또한, 종래에는 이러한 발광 다이오드 패키지를 제작할 때 하우징의 재질을 PPA(polyphthalamide)나 세라믹을 사용하기 때문에 패키지가 전체적으로 커지게 된다.
아울러, 각종 발광 다이오드 패키지에 탑재되는 LED 칩은 LED칩에서 방출되는 열을 방출시키기 위해서 슬러그에 위에 탑재되는 경우가 일반적이다. 이러한 경우 LED칩은 슬러그에서 좌우로 개방된 상태이기 때문에 양옆으로 빛이 새어 광량 손실이 발생되는 문제점이 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 LED칩을 실장하는 각종 발광 소자를 제작할 때 LED칩에서 양옆으로 새는 광량을 최소화할 수 있는 발광 다이오드 패키지를 제공하는데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 LED칩을 탑재하는 발광 다이오드를 소형화시켜서 다른 발광 다이오드의 슬러그에 탑재할 수 있게 하여 고휘도의 발광 소자를 제공하는데 있다.
이러한 기술적 과제를 이루기 위하여, 본 발명은 일정한 두께를 가지는 단결정 실리콘 재질의 베이스와, 상기 베이스위에 설치되며 일측에 전원공급을 위한 리드부와, 다른 측에 상기 리드부보다 두꺼운 두께를 가지는 슬러그를 가지는 제 1 리드 프레임과, 상기 베이스위에 상기 제 1 리드 프레임과 전기적으로 분리되도록 간격을 두고 이격되어 설치되며, 일측에 전원공급을 위한 리드부와, 다른 측에 상기 리드부보다 두꺼운 두께를 가지는 슬러그를 가지는 제 2 리드 프레임과, 상기 각 슬러그의 표면이 노출되도록 상기 제 1 리드 프레임과 상기 제 2 리드 프레임을 끼워 상기 베이스와 접합되는 단결정 실리콘 재질의 하우징과, 상기 제 2 리드 프레임의 슬러그위에 장착되고, 상기 제 1 리드 프레임의 슬러그와 와이어 본딩되는 LED 칩을 포함하는 발광 다이오드 패키지를 제공한다.
상기 제 1 리드 프레임 및 제 2 리드 프레임의 각 리드부는 상기 하우징의 외부로 돌출되어 노출될 수 있다.
바람직하게 상기 하우징은 상기 제 1 리드 프레임의 슬러그를 끼워 맞추기 위한 제 1 관통부와, 상기 제 2 리드 프레임의 슬러그를 끼워 맞추기 위한 제 2 관통부와, 상기 LED칩으로 방출된 광을 반사시키기 위한 반사면이 하우징 상부의 둘레에 형성된다.
바람직하게 상기 제 1 관통부와, 제 2 관통부와, 반사면은 식각 공정을 통해 형성된다.
본 발명의 다른 측면에 의하면, 열방출을 위한 슬러그와 전원공급을 위한 리드를 가지는 몸체부와, 상기 몸체부의 슬러그 위에 탑재되며 상기 슬러그 또는 상기 리드에 와이어 본딩되어 전원을 공급받아 발광하는 발광부를 포함하되, 상기 발광부는 상기 몸체부에 형성된 상기 슬러그 및 상기 리드와 별도로 열방출을 위한 슬러그, 전원 공급을 위한 리드, 광을 방출하는 LED칩을 포함하는 발광 다이오드 패키지인 것을 특징으로 하는 발광소자를 제공한다.
상기 발광부는, 상기 몸체부의 상기 슬러그에 하면이 접합되며 일정한 두께를 가지는 단결정 실리콘 재질의 베이스와, 상기 베이스위에 설치되며 일측에 전원공급을 위한 리드부와, 다른 측에 상기 리드부보다 두꺼운 두께를 가지는 슬러그를 가지는 제 1 리드 프레임과, 상기 베이스위에 상기 제 1 리드 프레임과 전기적으로 분리되도록 간격을 두고 이격되어 설치되며, 일측에 전원공급을 위한 리드부와, 다른 측에 상기 리드부보다 두꺼운 두께를 가지는 슬러그를 가지는 제 2 리드 프레임과, 상기 각 슬러그의 표면이 노출되도록 상기 제 1 리드 프레임과 상기 제 2 리드 프레임을 끼워 상기 베이스와 접합되는 단결정 실리콘 재질의 하우징과, 상기 제 2 리드 프레임의 슬러그위에 장착되고, 상기 제 1 리드 프레임의 슬러그와 와이어 본딩되는 LED 칩을 포함하며, 상기 제 1 리드 프레임의 리드부 및 제 2 리드 프레임의 리드부는 상기 몸체부의 슬러그 또는 리드에 와이어 본딩된다.
바람직하게 상기 제 1 리드 프레임 및 제 2 리드 프레임의 각 리드부는 상기 하우징의 외부로 돌출되어 노출되어 있다.
바람직하게 상기 하우징은 상기 제 1 리드 프레임의 슬러그를 끼워 맞추기 위한 제 1 관통부와, 상기 제 2 리드 프레임의 슬러그를 끼워 맞추기 위한 제 2 관통부와, 상기 LED칩으로 방출된 광을 반사시키기 위한 반사면이 하우징 상부의 둘레에 형성되어 있다.
바람직하게 상기 제 1 관통부와, 제 2 관통부와, 반사면은 식각 공정을 통해 형성된다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 사시도이고, 도 2는 평면도이고, 도 3은 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 일정한 두께를 가지는 단결정 실리콘 재질의 베이스(10)와, 베이스(10)위에 접합되는 단결정 실리콘 재질의 하우징(30)을 구비한다.
하우징(30)의 상부 둘레에는 안쪽으로 오목한 형상으로 반사면이 형성되어 있다.
베이스(10)와 하우징(30)의 사이에는 하우징(30)의 일측으로 돌출되어 노출된 리드부(21)와 하우징(30)의 상면으로 노출된 슬러그(22)가 일체로 형성된 제 1 리드 프레임(21, 22)이 구비된다.
아울러, 베이스(10)와 하우징(30)의 사이에는 하우징(30)의 타측으로 돌출되어 노출된 리드부(24)와 하우징(30)의 상면으로 노출된 슬러그(23)가 일체로 형성된 제 2 리드 프레임(23, 24)이 구비된다.
제 1 리드 프레임(21, 22)과 제 2 리드 프레임(23, 24)은 전기적으로 분리되도록 약간의 간격을 두고 이격되어 베이스(10)와 하우징(30)사이에 설치된다.
제 2 리드 프레임의 슬러그(23)위에는 LED칩(40)이 탑재되어 있다. LED 칩(40)은 제 2 리드 프레임의 슬러그(23)위에 전도성 접착제를 이용하여 부착되어 탑재될 수 있다. 제 2 리드 프레임의 슬러그(23)위에 탑재된 LED칩(40)과 제 1 리드 프레임의 슬러그(22)간에는 본딩 와이어(50)를 이용하여 와이어 본딩함으로써 전기적으로 연결된다.
LED 칩(40)과 제 1 리드 프레임의 슬러그(22)간에 본딩 와이어(50)를 이용한 와이어 본딩을 통해 전기적으로 연결된 후, 둘레에 반사면이 형성된 하우징(30)의 상부는 투광성 수지, 예컨대 에폭시 수지 또는 실리콘으로 채워질 수 있다. 투광성 수지는 LED 칩(40)에서 방출된 광을 파장변환시키는 형광체가 함유될 수 있다. LED 칩(40)에서 방출된 광, 예컨대 청색광을 황색광으로 변환시키는 형광체가 투광성 수지 내에 함유될 수 있으며, 이에 따라 백색광을 방출하는 발광 다이오드 패키지가 제공될 수 있다.
제 1 리드 프레임(21,22) 및 제 2 리드 프레임(23, 24)에는 LED 칩(40)으로부터 발생한 열을 방출하기 위한 슬러그(22, 23)가 각각 형성되어 있다.
슬러그(22, 23)의 재질은 메탈 재질 또는 열이 잘 전도되는 재질로 이루어진다.
따라서, 슬러그(22, 23)의 재질을 리드부(21, 24)와 같은 재질로 하여 일체로 형성할 수 도 있고, 슬러그(22, 23)의 재질을 리드부(21, 24)의 재질과 다르게 하고 슬러그(22, 23)와 리드부(21, 24)를 서로 연결하여 하나의 리드 프레임을 형성할 수 도 있다.
슬러그(22, 23)는 효과적인 열방출을 위해 리드부(21, 24)에 비하여 두껍게 형성되며, 하우징(30)의 상면을 통해 각각 그 표면이 노출된다.
리드부(24)에 비하여 두껍게 형성된 슬러그(23)위에 LED 칩(40)이 안착된다.
따라서, 리드부(24)에 비하여 두껍게 형성된 슬러그(23)위에 안착된 LED 칩(40)으로부터 열이 발생하면 그 열은 슬러그(23)를 통해 하우징의 외부로 효과적으로 방출되어 진다.
슬러그(23)는 두께가 리드부(24)에 비하여 두꺼움에 따라 열을 방출할 수 있는 표면적이 더 많아지게 되어 열방출이 효과적으로 이루어질 수 있다.
한편, 슬러그(23)에 비하여 얇은 두께를 가지는 리드부(24)는 그 일부만이 하우징(10)의 외부로 돌출되어 노출된다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 결합 사시도이다.
도 4를 참조하면, 하우징(30)에는 제 1 리드 프레임의 슬러그(22)를 끼워 맞추기 위한 제 1 관통부(31)와, 제 2 리드 프레임의 슬러그(23)를 끼워 맞추기 위한 제 2 관통부(32)가 형성되어 있다.
제 1 관통부(31) 및 제 2 관통부(32)의 둘레에는 LED칩(40)으로 방출된 광을 반사시키기 위한 반사면(33)이 형성되어 있다.
하우징(30)의 좌우측면 하단에는 제 1 리드 프레임의 리드부(21)와 제 2 리드 프레임의 리드부(24)가 끼워져 맞춰지기 위한 결합홈(34)이 형성되어 있다.
제 1 관통부(31)와, 제 2 관통부(32)와, 반사면(33)과, 결합홈(34)는 식각 공정을 통해 형성된다.
여기에서 제 1 관통부(31)와 제 2 관통부(32)의 형상은 사각형의 형상으로 하였으나 그 형상은 얼마든지 변형이 가능하다.
따라서, 하우징(30)은 여러 단계의 식각공정을 통하여 제 1 관통부(31)와 제 2 관통부(32)와 반사면(33)과 결합홈(34)이 형성된 후 발광 다이오드 패키지의 제작을 위해 준비된다.
하우징(30)이 준비되면 단결정 실리콘 재질의 베이스(10)를 준비한다.
베이스(10)위에 일정한 간격으로 제 1 리드 프레임(21, 22)과 제 2 리드 프레임(23, 24)을 설치한다.
제 1 리드 프레임(21, 22)과 제 2 리드 프레임(23, 24)이 베이스(10)위에 설치되면 제 1 리드 프레임의 슬러그(22)와 제 2 리드 프레임의 슬러그(23)가 각각 제 1 관통구(31)와 제 2 관통구(32)에 끼워지도록 베이스(10)와 하우징(30)을 결합 시킨다.
이때, 베이스(10)와 하우징(30)은 에폭시 등을 통하여 서로 견고하게 접합될 수 있다.
또한, 도면에 도시되지는 않았지만 본 발명의 다른 실시예에 의하면 전원 공급을 위한 리드를 가지는 임의의 제 1 발광 다이오드 패키지와, 제 1 발광 다이오드 패키지의 슬러그 위에 부착되는 다수의 발광 다이오드 패키지로 이루어지는 발광 소자를 구현할 수 있다.
즉, 상술한 바와 같은 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 베이스의 재질이 단결정 실리콘으로 이루어져 있다.
따라서, 열방출을 위한 슬러그와, 전원 공급을 위한 리드를 가지는 몸체부의 슬러그위에 본 발명의 일실시예에 따른 발광 다이오드 패키지들을 전기적으로 절연시킨 상태에서 에폭시등을 이용하여 탑재할 수 있다.
이때, 몸체부의 슬러그 위에 탑재된 각 발광 다이오드 패키지들은 몸체부의 슬러그 또는 리드에 본딩 와이어를 이용하여 와이어 본딩되어 전원을 공급받게 된다.
이와 같이 하나의 슬러그위에 도 1 내지 도 4에 도시된 작은 크기의 발광 다이오드 패키지를 여러 개 탑재시켜 제작함으로써 고휘도 조명장치에 사용될 수 있는 광원을 재현할 수 있다.
본 발명에 의한 발광 다이오드 패키지는 단결정 실리콘 재질의 베이스와 하우징을 구비하고 있다. 단결정 실리콘 재질은 식각을 통하여 원하는 형상의 가공성이 뛰어나 하우징에 제 1 관통부, 제 2 관통부, 반사면등을 용이하게 형성할 수 있고, 종래에 PPA나 세라믹을 사용할 때에 비하여 발광 다이오드 패키지의 제작 크기를 훨씬 축소시킬 수 있다. 예를 들어 2㎜×2㎜ 크기의 발광 다이오드 패키지를 제작할 수 있다.
이에 따라, 각종 소형 광원을 필요로 하는 정통통신 기기에서 유용한 광원으로 사용될 수 있다.
또한, 단결정 실리콘 재질의 뛰어난 가공성에 의해 전체적인 발광 소자 패키지의 크기가 종래의 각종 발광 다이오드 패키지에서 슬러그위에 단독으로 탑재되는 LED칩의 크기와 비교하여 커다란 차이가 나지 않기 때문에 종래의 LED칩 대신에 본 발명에 의한 발광 다이오드 패키지 자체를 탑재할 수 있다.
본 발명에 의한 발광 다이오드 패키지를 탑재하면 전체적인 크기가 소형임에도 불구하고 LED칩의 둘레에 반사면이 형성되어 있음에 따라 좌우로 새는 광량의 손실을 방지할 수 있다.
또한, 발광 다이오드 패키지의 전체적인 크기가 소형화되어 다른 발광 다이오드 패키지의 슬러그에 탑재하여 새로운 형태의 발광 소자를 제작할 수 있음에 따라 고휘도 광원을 구현할 수 있다.
또한, 단결정 실리콘 재질은 식각에 의한 가공성뿐 아니라 열전도성이 뛰어다. 따라서, LED칩을 통하여 발생된 열이 각 리드 프레임의 슬러그 뿐만 아니라 하 우징이나 베이스를 통하여서도 효과적으로 열이 방출될 수 있다.
또한 본 발명에 의하면, 발광 다이오드 패키지에서 LED 칩이 장착되는 리드 프레임을 형성할 때 LED 칩으로부터 발생한 열을 방출하기 LED 칩이 위치하는 부분을 다른 부분보다 두껍게 하여 슬러그를 형성함으로써 LED 칩으로부터 발생한 열을 효과적으로 패키지 외부로 방출시킬 수 있다.
이와 같이 LED 칩이 위치하는 부분을 다른 부분보다 두꺼운 두께를 가지는 슬러그의 구조를 통하여 LED 칩으로부터 발생한 열을 효과적으로 패키지 외부로 방출시킬 수 있음에 따라 고전류의 발광 다이오드 패키지를 제작할 수 있고, 종래에 LED 칩으로부터 발생한 열을 효과적으로 방출하지 못함으로 인해 발생하였던 신뢰성 저하 및 광량 저하를 방지하여 발광 다이오드 패키지의 신뢰성을 개선할 수 있고, 광량을 개선할 수 있다.

Claims (9)

  1. 일정한 두께를 가지는 단결정 실리콘 재질의 베이스와,
    상기 베이스위에 설치되며 일측에 전원공급을 위한 리드부와, 다른 측에 상기 리드부보다 두꺼운 두께를 가지는 슬러그를 가지는 제 1 리드 프레임과,
    상기 베이스위에 상기 제 1 리드 프레임과 전기적으로 분리되도록 간격을 두고 이격되어 설치되며, 일측에 전원공급을 위한 리드부와, 다른 측에 상기 리드부보다 두꺼운 두께를 가지는 슬러그를 가지는 제 2 리드 프레임과,
    상기 각 슬러그의 표면이 노출되도록 상기 제 1 리드 프레임과 상기 제 2 리드 프레임을 끼워 상기 베이스와 접합되는 단결정 실리콘 재질의 하우징과,
    상기 제 2 리드 프레임의 슬러그위에 장착되고, 상기 제 1 리드 프레임의 슬러그와 와이어 본딩되는 LED 칩을 포함하는 발광 다이오드 패키지.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제 1 리드 프레임 및 제 2 리드 프레임의 각 리드부는 상기 하우징의 외부로 돌출되어 노출된 발광 다이오드 패키지.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 하우징은 상기 제 1 리드 프레임의 슬러그를 끼워 맞추기 위한 제 1 관통부와, 상기 제 2 리드 프레임의 슬러그를 끼워 맞추기 위한 제 2 관통부와, 상기 LED칩으로 방출된 광을 반사시키기 위한 반사면이 하우징 상부의 둘레에 형성된 발광 다이오드 패키지.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 제 1 관통부와, 제 2 관통부와, 반사면은 식각 공정을 통해 형성된 발광 다이오드 패키지.
  5. 열방출을 위한 슬러그와 전원공급을 위한 리드를 가지는 몸체부와,
    상기 몸체부의 슬러그 위에 탑재되며 상기 슬러그 또는 상기 리드에 와이어 본딩되어 전원을 공급받아 발광하는 발광부를 포함하되,
    상기 발광부는 상기 몸체부에 형성된 상기 슬러그 및 상기 리드와 별도로 열방출을 위한 슬러그, 전원 공급을 위한 리드, 광을 방출하는 LED칩을 포함하는 발광 다이오드 패키지인 것을 특징으로 하는 발광소자.
  6. 청구항 5에 있어서, 상기 발광부는,
    상기 몸체부의 상기 슬러그에 하면이 접합되며 일정한 두께를 가지는 단결정 실리콘 재질의 베이스와,
    상기 베이스위에 설치되며 일측에 전원공급을 위한 리드부와, 다른 측에 상기 리드부보다 두꺼운 두께를 가지는 슬러그를 가지는 제 1 리드 프레임과,
    상기 베이스위에 상기 제 1 리드 프레임과 전기적으로 분리되도록 간격을 두고 이격되어 설치되며, 일측에 전원공급을 위한 리드부와, 다른 측에 상기 리드부보다 두꺼운 두께를 가지는 슬러그를 가지는 제 2 리드 프레임과,
    상기 각 슬러그의 표면이 노출되도록 상기 제 1 리드 프레임과 상기 제 2 리드 프레임을 끼워 상기 베이스와 접합되는 단결정 실리콘 재질의 하우징과,
    상기 제 2 리드 프레임의 슬러그위에 장착되고, 상기 제 1 리드 프레임의 슬러그와 와이어 본딩되는 LED 칩을 포함하며,
    상기 제 1 리드 프레임의 리드부 및 제 2 리드 프레임의 리드부는 상기 몸체부의 슬러그 또는 리드에 와이어 본딩되는 발광 소자.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 제 1 리드 프레임 및 제 2 리드 프레임의 각 리드부는 상기 하우징의 외부로 돌출되어 노출된 발광 소자.
  8. 청구항 6에 있어서,
    상기 하우징은 상기 제 1 리드 프레임의 슬러그를 끼워 맞추기 위한 제 1 관통부와, 상기 제 2 리드 프레임의 슬러그를 끼워 맞추기 위한 제 2 관통부와, 상기 LED칩으로 방출된 광을 반사시키기 위한 반사면이 하우징 상부의 둘레에 형성된 발광 소자.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 제 1 관통부와, 제 2 관통부와, 반사면은 식각 공정을 통해 형성된 발광 소자.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2533314A3 (en) * 2011-05-30 2015-01-28 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and lighting system including the same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000035156A (ko) * 1998-11-05 2000-06-26 디. 크레이그 노룬드 다이용 패키지
KR20060047722A (ko) * 2004-09-01 2006-05-18 삼성전기주식회사 고출력 발광 다이오드용 패키지

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000035156A (ko) * 1998-11-05 2000-06-26 디. 크레이그 노룬드 다이용 패키지
KR20060047722A (ko) * 2004-09-01 2006-05-18 삼성전기주식회사 고출력 발광 다이오드용 패키지

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2533314A3 (en) * 2011-05-30 2015-01-28 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and lighting system including the same
US9006886B2 (en) 2011-05-30 2015-04-14 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and lighting system including the same
KR101832306B1 (ko) * 2011-05-30 2018-02-26 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지

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