CN110931622A - 发光二极管封装结构 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种发光二极管封装结构，包括：陶瓷基板、陶瓷反射板、发光单元、第一粘着层、第二粘着层、及盖体。陶瓷反射板具有穿孔且设置于陶瓷基板上，发光单元设置于陶瓷基板上且位于穿孔内，第一粘着层与第二粘着层设置于陶瓷反射板上，并且第二粘着层包覆第一粘着层，盖体经由第一粘着层与第二粘着层而固定于陶瓷反射板。由此，本发明的发光二极管封装结构通过第一粘着层与第二粘着层的相互接合，以提升剪应力。

Description

发光二极管封装结构
本申请是申请日为2016年3月14日、申请号为201610143697.7、发明名称为“发光二极管封装结构”的专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种发光二极管，且特别是涉及一种具有双粘着层的发光二极管封装结构。
背景技术
现有的发光二极管封装结构包含有承载座、盖体、及粘着上述承载座与盖体的单层的粘着层。其中，上述承载座与盖体之间的粘着力是源自单层的粘着层，其尚具有改善的空间存在。进一步地说，当现有发光二极管封装结构为非密封类型时(即发光二极管封装结构内部空间能与外部空间流通)，盖体设置于承载座上的粘着层的过程中，粘着层容易因为盖体的压迫而产生摊流，进而造成粘着层未设在预定的位置上。
于是，本发明人有感上述缺陷之可改善，乃特潜心研究并配合学理的运用，终于提出一种设计合理且有效改善上述缺陷的本发明。
发明内容
本发明实施例在于提供一种发光二极管封装结构，其能有效地改善现有发光二极管封装结构所可能产生的缺陷。
本发明实施例提供一种发光二极管封装结构，包括：一陶瓷基板，具有一顶面与一底面；一陶瓷反射板，具有一穿孔，该陶瓷反射板设置在该陶瓷基板的该顶面；一金属层，设置于该陶瓷基板的该顶面；一焊垫层，设置于该陶瓷基板的该底面；多个导电柱，埋置于该陶瓷基板内，并且多个所述导电柱电性连接该金属层与该焊垫层；一发光单元，设置于该陶瓷基板上并位于该穿孔内；一第一粘着层，设置于该陶瓷反射板上；一第二粘着层，设置于该陶瓷反射板上并且位于该第一粘着层上；以及一盖体，经由该第一粘着层与该第二粘着层固定于该陶瓷反射板上。
优选地，该盖体为平板状的一盖板，该盖板经由该第一粘着层和该第二粘着层设置在该陶瓷反射板上，以覆盖该发光单元。
优选地，该发光单元包含有一透镜，该透镜设置于一UV发光二极管芯片的一出光面上，或者该透镜设置于该载体上并将一UV发光二极管芯片埋置于其内；其中，该发光单元包含一载体及设置于该载体的一UV发光二极管芯片，并且该载体设置于该金属层上，该金属层包含有一正电极垫以及一负电极垫，并且该发光单元通过打线方式连接该正电极垫和该负电极垫。
优选地，该第一粘着层为紫外光固化树脂，该第二粘着层的材质为紫外光固化树脂或热固化树脂。
优选地，该第一粘着层包含多个第一粘着部，该第二粘着层包含分别包覆多个所述第一粘着部的多个第二粘着部，相接于任一第二粘着部的该第一粘着部表面为一波纹表面。
本发明实施例另提供一种发光二极管封装结构，包括：一陶瓷基板，具有一顶面与一底面；一金属层，设置于该陶瓷基板的该顶面；一焊垫层，设置于该陶瓷基板的该底面；多个导电柱，埋置于该陶瓷基板内，并且多个所述导电柱电性连接该金属层与该焊垫层；一发光单元，设置于该陶瓷基板上；一第一粘着层，设置于该陶瓷基板上；一第二粘着层，设置于该陶瓷基板上并且位于该第一粘着层上；以及一盖体，包含有一可透光的盖板及固定于该盖板的一环状框架，远离该盖板的该框架一端经由该第一粘着层与该第二粘着层固定于该陶瓷基板上。
优选地，该盖板与该框架是以透光材质所制成，该盖板与该框架的夹角大致为直角，该盖体于该框架内表面选择性地设有一反射层，而该第一粘着层为一紫外光固化树脂，该第二粘着层为一热固化树脂或紫外光固化树脂。
优选地，该盖板是以透光材质所制成，该框架是以金属或硅所制成，并且该盖板与该框架的夹角大致为锐角，该盖体于该框架内表面选择性地设有一反射层，而该第一粘着层为一紫外光固化树脂，该第二粘着层为一热固化树脂。
优选地，该盖体包含有一第三粘着层及一第四粘着层，该第三粘着层设置于该盖板与该框体彼此相邻的两表面其中之一，该第四粘着层包覆该第三粘着层并设置于该盖板与该框体彼此相邻的两表面其中另一。
优选地，所述的发光二极管封装结构进一步具有设置于该陶瓷基板的该顶面的多个L型遮光部，并且多个所述遮光部邻设于该第二粘着层，多个所述遮光部相对于该基板的该顶面的高度不小于该第二粘着层相对于该基板的该顶面的高度。
优选地，所述的发光二极管封装结构进一步具有设置于该陶瓷基板的该顶面的一环状遮光部，并且该遮光部邻设于该第二粘着层，该遮光部相对于该基板的该顶面的高度不小于该第二粘着层相对于该基板的该顶面的高度。
综上所述，本发明实施例所提供的发光二极管封装结构，其通过第一粘着层及第二粘着层的配合，使得盖体设置于承载座的过程中，第一粘着层和第二粘着层不易因为盖体的压迫而产生摊流；并且相较于现有的单层粘着层而言，第一粘着层与第二粘着层的配合更是能够有效地提升剪应力。
为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，但是此等说明与所附附图仅用来说明本发明，而非对本发明的权利范围作任何的限制。
附图说明
图1为本发明发光二极管封装结构第一实施例的立体示意图。
图2为图1另一视角的立体示意图。
图3为图1的分解示意图。
图4为图1省略盖体的俯视示意图。
图5A为图1沿剖线VA-VA的剖视示意图。
图5B为图5A的透镜变化方式的剖视示意图。
图6为图1沿剖线VI-VI的剖视示意图。
图7为本发明所采用的紫外光固化硅氧树脂对应各种波长的光线的透光率示意图。
图8为本发明发光二极管封装结构第一实施例的另一方式的分解示意图。
图9为图8的发光二极管封装结构省略盖体的俯视示意图。
图10为本发明发光二极管封装结构第二实施例的立体示意图。
图11为图10另一视角的立体示意图。
图12为图10的分解示意图。
图13为图10沿剖线XⅢ-XⅢ的剖视示意图。
图14为图13的盖体包含第三和第四粘着层的剖视示意图。
图15为本发明发光二极管封装结构的框架设有反射层的剖视示意图。
图16为本发明发光二极管封装结构第二实施例的另一方式的分解示意图。
图17为本发明发光二极管封装结构第三实施例的立体示意图。
图18为图17另一视角的立体示意图。
图19为图17的分解示意图。
图20为图17沿剖线XX-XX的剖视示意图。
图21为本发明发光二极管封装结构第三实施例的另一方式的分解示意图。
图22为本发明发光二极管封装结构第四实施例的立体示意图。
图23为图22的分解示意图。
图24为图22沿剖线XXIV-XXIV的剖视示意图。
具体实施方式
[第一实施例]
请参阅图1至图9，其为本发明的第一实施例，需先说明的是，本实施例对应附图所提及的相关数量与外型，仅用以具体地说明本发明的实施方式，以便于了解其内容，而非用以局限本发明的权利范围。
如图1至图3所示，本实施例提供一种发光二极管封装结构100，尤指一种用以发出深紫外光线的发光二极管封装结构100，但不受限于此。所述发光二极管封装结构100包括有一承载座1、设置于承载座1上的一发光单元2、设于承载座1且相互黏接的一第一粘着层3与一第二粘着层4、及固定于第二粘着层4的一盖体5。本实施例于下述将先就发光二极管封装结构100的各个组件构造作一说明，而后再适时介绍就各个组件之间的连接关系。
如图2至图5A，所述承载座1包含有一陶瓷基板11、与陶瓷基板11以低温共烧(Low-Temperature Co-Fired)烧结相接的一陶瓷反射板12、一金属层13、一焊垫层14、及埋置于陶瓷基板11内的三个导电柱15。其中，如图3和图4，上述陶瓷基板11具有一顶面111与一底面112，所述陶瓷反射板12形成有一穿孔121，并且陶瓷反射板12的侧面与上述陶瓷基板11的侧面相互切齐。
所述金属层13位于陶瓷基板11的顶面111上并位于陶瓷反射板12的穿孔121内，上述金属层13具有大致位于中央处的一散热垫131以及分别位于散热垫131相反两侧的一正电极垫132与一负电极垫133。
如图2和图5A，所述焊垫层14设置于陶瓷基板11底面112，并且焊垫层14具有大致位于底面112中央处的一散热焊垫141以及分别位于散热焊垫141相反两侧的两电极焊垫142。上述散热焊垫141与电极焊垫142皆呈长型且彼此平行，并且散热焊垫141位在散热垫131的下方，而该两电极焊垫142则分别位在上述正电极垫132与负电极垫133的下方。再者，所述三个导电柱15的一端分别连接于上述散热垫131、正电极垫132、与负电极垫133，并且所述三个导电柱15的另一端分别连接于上述散热焊垫141与两电极焊垫142。
如图3和图4，所述发光单元2设置在金属层13上并位于穿孔121内，发光单元2具有一UV发光二极管芯片21及一载体22，上述UV发光二极管芯片21于本实施例中是以深紫外光发光二极管芯片(Deep UV LED Chip)21为例，其发光波长在350纳米以下，并且UV发光二极管芯片21于本实施例中是采用覆晶芯片类型，但UV发光二极管芯片21不以上述条件为限，UV发光二极管芯片21的两电极(图略)也可以采用打线形式电性连接于载体22上的两电极(图略)。所述UV发光二极管芯片21设置于载体22上，而载体22则设置于金属层13的散热垫131上，发光二极管芯片21再通过载体22的两电极垫(图略)以打线方式分别电性连接于金属层13的该正电极垫132与负电极垫133。其中，载体22的两电极(图略)与载体22的两电极垫(图略)电性相连。发光单元2并不以深紫外光发光二极管芯片为限，也可以是其他波长的发光二极管芯片，如红光、绿光、蓝光或红外光发光二极管芯片，载体22也可以因应发光二极管芯片的选择而选择性设置。
补充说明一点，在另一未绘示的实施例中，所述金属层13也可省略散热垫131，而正电极垫132与负电极垫133分别设置于发光单元2的相反两侧，并且发光单元2通过打线方式使上述载体22上的两电极垫分别电性连接于该正电极垫132与负电极垫133。
此外，所述发光二极管封装结构100可进一步包括有一固晶胶体(图略)，UV发光二极管芯片21则经由固晶胶体而粘固于载体22上。其中，本实施例中的固晶胶体成分可以是一纳米银膏，但不受限于此，例如：固晶胶体亦可采用金锡合金焊料。进一步地说，上述纳米银膏较佳为未包含有任何环氧树脂，并且所述固晶胶体所包含的银粒子大致为85％至90％的体积百分比，由此具备有较佳的热阻且不易黄化。进一步地说，于纳米银膏中，粒径小于20nm的银纳米粒子的重量百分比为20～35％，而粒径介于20～100nm的银纳米粒子的重量百分比为40～50％；纳米银膏所使用的粘合剂为异冰片基环己醇(IsobornylCyclohexanol、IBCH)，其重量百分比为2～7％；纳米银膏所使用的溶剂为1-decanol(1-癸醇)，其重量百分比为5～15％。所述纳米银膏的化学式为：nAg-m(AgOOCR)-l(AgOR)，R＝[CH3(CH2)x]，并且l、m、n、x皆为正整数。
此外，本实施例的发光单元2进一步包含有一透镜23，并且上述透镜23可设置于UV发光二极管芯片21的出光面(如图4和图5A)上，或者所述透镜23亦可设置于载体22上并将UV发光二极管芯片21埋置于其内(如图5B或图8)。
如图3、图4、和图6，所述第一粘着层3与第二粘着层4可以采用热固化树脂或是紫外光固化树脂，并且第一粘着层3与第二粘着层4的材质于本实施例中是以紫外光固化的硅氧树脂(Silicone)为例，但不受限于此。须说明的是，本实施例是先将设置于陶瓷反射板12的第一粘着层3固化，而后再以上述第二粘着层4包覆上述第一粘着层3。
其中，本实施例所采用的紫外光固化的硅氧树脂，其所具备的参数数值如下表所示，并且对应各种波长的光线的透光率可参考图7所示：
Figure BDA0002311406180000061
Figure BDA0002311406180000071
改由固化后的构造来看，所述第一粘着层3与第二粘着层4的具体实施类型可以大致分为非密封式(如图3)以及密封式(如图8)两种。
其中，就非密封式而言，请参阅图3和图6，所述承载座1的陶瓷反射板12与盖体5之间形成有至少一间隙G，用以供外部空气能经由间隙G而与发光二极管封装结构100内的空气流通。进一步地说，所述第一粘着层3包含分布在陶瓷反射板12角落的多个第一粘着部31，第二粘着层4包含设在陶瓷反射板12且分别包覆多个所述第一粘着部31的多个第二粘着部41，并且相接于任一第二粘着部41的第一粘着部31表面为一波纹表面32(亦可视为阶梯状或波浪状表面)，例如以类同心圆排列的多个圆形边缘，但不以此限。由此，本实施例通过上述第一粘着层3形成有波纹表面32，由此提升第一粘着层3与第二粘着层4彼此接合力。而依据实际测试的结果，相较于现有的单层粘着层而言，本实施例第一粘着层3与第二粘着层4能够提升至少18.6％的剪应力。
再者，就密封式而言，请参阅图8和图9，所述承载座1的陶瓷反射板12与盖体5之间通过设有第一粘着层3与第二粘着层4而呈密封状，用以使外部空气与发光二极管封装结构100内的空气相互隔离。进一步地说，所述第一粘着层3呈环状且设在陶瓷反射板12上，第二粘着层4亦呈环状且设在陶瓷反射板12上，并且第二粘着层4包覆上述第一粘着层3，而相接于第二粘着层4的第一粘着层3表面为一波纹表面32(亦可视为阶梯状或波浪状表面)。由此，本实施例通过上述第一粘着层3形成有波纹表面32，由此提升第一粘着层3与第二粘着层4彼此接合力。而依据实际测试的结果，相较于现有的单层粘着层而言，本实施例第一粘着层3与第二粘着层4能够提升至少37.1％的剪应力。
如图5A和图6，所述盖体5贴附于第二粘着层4上，以覆盖发光单元2，但不排除盖体5同时抵接于第二粘着层4与第一粘着层3。其中，所述盖体5于本实施例中是以平板状且可透光的盖板为例，但盖体5的构造并不以此为限。举例来说，所述盖体5亦可于其表面形成有镀层(图略)，由此提升光线穿透率；或者，盖体5亦可形成半球状的构造(图略)，由此调整光线行进路线。举例来说，当采用UVA波段的UV发光二极管芯片21时，发光二极管封装结构100可采用一平板状的盖体5，盖体5的材料为二氧化硅(如：玻璃或石英)。当采用UVA或UVC波段的UV发光二极管芯片21时，发光二极管封装结构100可采用一平板状的盖体5，盖体5的材料为二氧化硅(如：玻璃或石英)，并于盖体5两面加上镀层。当采用UVC波段的UV发光二极管芯片21时，盖体5可采用一半球状的透镜，透镜的材料二氧化硅(如：为玻璃或石英)，透镜表面也可以加上镀层或不加上镀层。
[第二实施例]
请参阅图10至图16，其为本发明的第二实施例，本实施例与第一实施例类似，相同处则不再加以赘述，而两实施例的主要差异在于承载座1与盖体5，并且第一粘着层3为紫外光固化树脂、第二粘着层4可为热固化树脂，具体差异说明如下：
如图10至图14所示，本实施例的承载座1包含有一平板状的陶瓷基板11、位于陶瓷基板11顶面111的一金属层13、位于陶瓷基板11底面112的一焊垫层14、及埋置于陶瓷基板11内的三个导电柱15。其中，所述陶瓷基板11顶面111的外围环状部位定义为接合区1111，而金属层12位于接合区1111内侧的基板11顶面111部位。
本实施例的盖体5包含有一可透光的盖板51及固定于盖板51的一环状框架52，远离盖板51的框架52一端固定于第二粘着层4。其中，本实施例的盖板51大致如同第一实施例所述的盖体5，在此不加以赘述。所述框架52是以反射材质(例如：金属)所制成，并且框架52的内表面形成为一反射面521，反射面521所包围的区域的截面呈上宽下窄的梯形。而于本实施例中，反射面521与盖板51的夹角大致为54.7±10度，较佳为54.7度，但不受限于此。
须说明的是，上述盖板51与框架52之间的接合可以是通过热熔的方式接合或是通过粘贴的方式接合，其中，粘贴的方式例如是图14所示：所述盖体5包含有一第三粘着层54及一第四粘着层55，第三粘着层54设置于盖板51与框架52彼此相邻的两表面其中之一，第四粘着层55包覆第三粘着层并设置于盖板51与框架52彼此相邻的两表面其中另一。也就是说，所述第三粘着层54及第四粘着层55的材质与配合关系即相当于第一粘着层3及第二粘着层4，在此不加以赘述。
另外，请参阅图15，所述框架52亦可采用非反射且非透光的材质(例如：硅)所制成，并且盖体5于框架52内表面选择性地设有以反射材质(例如：铝)所制成的一反射层53，反射层53所包围的区域的截面呈上宽下窄的梯形。于本实施例中，反射层53与盖板51的夹角大致为54.7±10度，较佳为54.7度，但不受限于此。
此外，如图12和图13所示，本实施例的承载座1可进一步具有设置于接合区1111内侧的至少一遮光部17，并且遮光部17邻设于第一粘着层3和第二粘着层4，遮光部17顶面相对于陶瓷基板11顶面111的高度D1较佳为不小于第二粘着层4顶面相对于陶瓷基板11顶面111的高度D2，由此通过遮光部17遮挡照向第一粘着层3与第二粘着层4的光线(如：UV发光二极管芯片21所发出的紫外光线)，进而避免第一粘着层3与第二粘着层4因光线照射而产生劣化。再者，所述遮光部17可以与金属层13一同成形，即遮光部17与金属层13为相同材质与相同厚度，但不受限于此。
须说明的是，本实施例的遮光部17外型是对应第一粘着层3与第二粘着层4的形状和位置，进一步地说，对应图12所示的第一粘着层3与第二粘着层4，所述每个遮光部17外型大致呈L型或是任何可以遮蔽第一粘着层3与第二粘着层4的构造；对应图16所示的第一粘着层3与第二粘着层4，所述遮光部17的形状则大致呈环状。
[第三实施例]
请参阅图17至图21，其为本发明的第三实施例，本实施例与第二实施例类似，相同处则不再加以赘述，而两实施例的主要差异在于盖体5。其中，本实施例的盖板51与框架52为一体成型方式制成，且盖板51与框架52均为透光材质(如：二氧化硅)，并且第一粘着层3为一紫外光固化树脂，第二粘着层4为一热固化树脂或紫外光固化树脂，盖体5于框架52内表面选择性地设有以反射材质(例如：铝)所制成的一反射层53，所述反射层53所包围的面积自邻近盖板51朝远离盖板51的方向皆大致相同。于本实施例中，反射层53与盖板51的夹角大致为90度，但不受限于此。
在另一实施例中，盖板51和框架52也可以不是一体成型方式制成，盖板51与框架52均为透光材质，并且第一粘着层3为一紫外光固化树脂，第二粘着层4为一热固化树脂或紫外光固化树脂，盖体5于框架52内表面选择性地设有以反射材质(例如：铝)所制成的一反射层53，所述反射层53所包围的面积自邻近盖板51朝远离盖板51的方向皆大致相同。于本实施例中，反射层53与盖板51的夹角大致为90度，但不受限于此。
此外，如同第一实施例所示，本实施例的发光单元2也可以进一步包含有一透镜，并且上述透镜可设置于UV发光二极管芯片21的出光面(如图4和图5A)上，或者所述透镜23亦可设置于载体22上并将UV发光二极管芯片21埋置于其内(如图5B或图8)。
[第四实施例]
请参阅图22至图24，其为本发明的第四实施例，本实施例与第二实施例类似，相同处则不再加以赘述，而两实施例的主要差异在于本实施例的盖体5可仅具有框架52，第一粘着层3与第二粘着层4进一步限定为密封式，并且本实施例进一步包含有一封装胶体6，具体差异说明如下：
所述封装胶体6充填于框架52与基板11所包围的空间之中，以使发光单元2、金属层13、及遮光部17皆埋置于封装胶体6内。其中，所述封装胶体6于本实施例中进一步限定为一含氟高分子胶体或聚二甲基硅氧烷(PDMS)胶体，其中含氟高分子胶体所具备的参数数值如下表所示：
Figure BDA0002311406180000101
Figure BDA0002311406180000111
由此，由于本实施例的封装胶体6采用含氟高分子胶体，使得封装胶体6具有较强的碳氟键结能，以强化封装胶体6抵抗UV发光二极管芯片21所发出的紫外光线的能力。
此外，本实施例的盖体5亦可具有盖板51(图略)，并且盖板51覆盖于框架52的顶缘及封装胶体6的顶面上，由此通过盖板51保护封装胶体6。
[本发明实施例的可能效果]
综上所述，本发明实施例所提供的发光二极管封装结构，其通过第一粘着层及第二粘着层的配合，使得盖体设置于的第一粘着层和第二粘着层的过程中，第一粘着层和第二粘着层不易因为盖体的压迫而产生摊流；并且相较于现有的单层粘着层而言，第一粘着层与第二粘着层的配合更是能够有效地提升剪应力。
进一步地说，当所述第一粘着层与第二粘着层为非密封式时，本实施例的发光二极管封装结构相较于现有的单层粘着层而言，第一粘着层与第二粘着层的配合能够有效地提升至少18.6％的剪应力。再者，当所述第一粘着层与第二粘着层为密封式时，本实施例的发光二极管封装结构相较于现有的单层粘着层而言，第一粘着层与第二粘着层的配合能够有效地提升至少37.1％的剪应力。
另外，本实施例可设有对应第一粘着层与第二粘着层外型的遮光部，由此通过遮光部遮挡照向第一粘着层与第二粘着层的光线(如：UV发光二极管芯片所发出的紫外光线)，进而避免第一粘着层与第二粘着层因光线照射而产生劣化。
以上所述仅为本发明的较佳可行实施例，其并非用以局限本发明的专利范围，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。

Claims (13)

1.一种发光二极管封装结构，其特征在于，包括：
一基板；
一发光单元，设置于该基板且包含有一载体；
一盖体，设置于该基板且收容该发光单元；以及
一第一粘着层与一第二粘着层，设置于该盖体与该基板之间；其中，该第二粘着层位于该第一粘着层上。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其中，该第二粘着层包覆该第一粘着层。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其中，该盖体包括：
一框架，设置于该基板且收容该发光单元；及
一盖板，设置于该框架且位于该发光单元上方。
4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构，其中，包括一第三粘着层及第四粘着层，设置于所述盖板与所述框架之间；所述第四粘着层包覆所述第三粘着层上。
5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其中，该第一粘着层具有连接于该第二粘着层的一波纹表面。
6.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其中，该发光单元进一步包含有一发光二极管芯片与一透镜，该透镜设置于该发光二极管芯片的一出光面，或者该透镜设置于该载体上并将该发光二极管芯片埋置于其内。
7.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其中，该发光二极管封装结构包含有设置于该基板的一正电极垫与一负电极垫，该载体包含有两个电极垫，并且该两个电极垫以打线方式电性连接于该正电极垫与负电极垫，该发光单元通过所述载体而电性连接于该正电极垫与该负电极垫。
8.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其中，该第一粘着层包含有多个第一粘着部，并且多个所述第一粘着部单独地分布在该基板与该框架其中之一的角落；该第二粘着层具有多个第二粘着部，分别位于多个所述第一粘着部上。
9.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其中，该基板及该盖体所共同界定一内部空间；其中，该发光二极管封装结构进一步包括有设置于该内部空间的一封装胶体。
10.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其中，该发光二极管封装结构包含有一遮光层，该遮光层邻设于该第一粘着层以遮挡该发光单元所发出的光线。
11.如权利要求10所述的发光二极管封装结构，其中，该遮光层的高度不小于该第一粘着层与该第二粘着层的高度。
12.如权利要求10所述的发光二极管封装结构，其中，该第一粘着层包含有多个第一粘着部，该第二粘着层具有分别包覆多个所述第一粘着部的多个第二粘着部；该遮光层具有位置分别对应于多个所述第二粘着部的多个L型遮光部。
13.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其中，该基板为一陶瓷基板。
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