JP6079544B2 - 発光装置および発光装置の製造方法 - Google Patents

発光装置および発光装置の製造方法 Download PDF

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本発明は発光装置および発光装置の製造方法に係り、詳しくは、半導体発光素子を備えた発光装置と、その発光装置の製造方法とに関するものである。
特許文献1には、発光素子と、発光素子の上方および側面に位置して発光素子の光を波長変換する蛍光体を含む透光性部材からなる波長変換層と、波長変換層の側面に隣接して配置された反射部材と、発光素子および反射部材が実装される基板とを備え、波長変換層はシリコーンなどの熱硬化性樹脂により予め板状に形成されている半導体発光装置が開示されている。
特許文献2には、発光素子と、発光素子を実装する実装基板と、発光素子から出射された光を透過する光透過部材と、発光素子および光透過部材の側面を被覆する光反射性の被覆部材と、実装基板上に設けられて内部に被覆部材が充填された光反射性の枠体とを備え、光透過部材は蛍光体を含有する波長変換部材の板状体であって樹脂,ガラス,無機物から成る発光装置が開示されている。
特許文献3には、発光素子と、発光素子の上方に設けられた光透過部材と、発光素子を包囲すると共に光透過部材の側面を被覆する被覆部材とを備え、光透過部材は蛍光体を含有する波長変換部材の板状体であって樹脂,ガラス,無機物から成る発光装置が開示されている。
特開2009−218274号公報 特開2011−134829号公報 WO2009/069671号公報
特許文献1〜3の技術では、発光素子から放射された一次光(青色光)と、その一次光の一部が波長変換層または波長変換部材に含有される蛍光体で励起されることにより波長変換された二次光(黄色光)とを混色させて白色光を生成し、その白色光を発光装置の光放射面から放射する。
そのため、波長変換時に変換されなかった光エネルギーが熱エネルギーになって蛍光体が発熱するが、蛍光体の温度が上昇して波長変換の効率が低下すると共に、その発熱により発光装置の構成部材が劣化することから、蛍光体の発熱を効率的に放熱することが要求されている。
しかし、特許文献1の技術では、波長変換層がシリコーンなどの熱硬化性樹脂から成る板材であり、波長変換層の熱伝導率が低い上に、波長変換層の厚みが大きいため、蛍光体の発熱を効率的に放熱することが困難であるという問題がある。
また、特許文献2および特許文献3の技術では、波長変換部材が樹脂,ガラス,無機物から成る板材であり、波長変換部材の熱伝導率が低い上に、波長変換部材の厚みが大きいため、蛍光体の発熱を効率的に放熱することが困難であるという問題がある。
本発明は前記問題を解決するためになされたものであって、以下の目的を有するものである。
(1)蛍光体の発熱を効率的に放熱することが可能な発光装置を提供する。
(2)前記(1)の発光装置の簡便な製造方法を提供する。
本発明者らは前記課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、下記のように本発明の各局面に想到した。
<第1の局面>
第1の局面は、
基板の表面上に配設された半導体発光素子と、
半導体発光素子の上面を被覆すると共に、半導体発光素子の側面における上面近傍の部分のみを被覆し、蛍光体を含有する透明な蛍光体層と
を備えた発光装置であって、
蛍光体層において、半導体発光素子の上面を被覆する部分の膜厚は均一である。
第1の局面では、半導体発光素子から放射された一次光(青色光)と、その一次光の一部が蛍光体層に含有される蛍光体で励起されることにより波長変換された二次光(黄色光)とを混色させて白色光を生成し、その白色光を発光装置の光放射面から放射するが、その際に、波長変換時に変換されなかった光エネルギーが熱エネルギーになって蛍光体層が発熱する。
第1の局面の蛍光体層は、半導体発光素子の上面を被覆すると共に、半導体発光素子の側面における上面近傍の部分のみを被覆し、蛍光体層における半導体発光素子の上面を被覆する部分の膜厚が均一である。
そのため、第1の局面によれば、蛍光体層に相当する部材(波長変換層、波長変換部材)が板材である特許文献1〜3の技術に比べて、蛍光体層を薄くすることが可能であり、蛍光体層の発熱を半導体発光素子を介して基板へ効率的に放熱することができる。
その結果、第1の局面によれば、蛍光体層の温度上昇を抑制して波長変換の効率低下を防止すると共に、発光装置の構成部材が蛍光体層の発熱によって劣化するのを防止でき、発光装置の高出力化を図ることができる。
また、第1の局面では、蛍光体層における半導体発光素子の上面を被覆する部分の膜厚が均一であるため、発光装置の光放射面における色度の面内分布を均一にすることができる。
さらに、第1の局面では、蛍光体層が半導体発光素子の側面における上面近傍の部分のみを被覆するため、半導体発光素子の上面から蛍光体層を介して放射される光の色度と、半導体発光素子の側面から蛍光体層を介して放射される光の色度とを略同一にすることが可能になり、蛍光体層が半導体発光素子の側面全体を被覆した場合に比べて、発光装置の光放射面における色度の面内分布を均一にすることができる。
<第2の局面>
第2の局面は、第1の局面において、蛍光体層は、半導体発光素子の上面を被覆する第1部分と、半導体発光素子の側面を被覆する第2部分とを備え、第1部分の表面と第2部分の表面とが面一になるように形成され、第2部分はその表面側に向かって裾野状に広がる形状である。
第2の局面によれば、蛍光体層の第2部分(半導体発光素子の側面における上面近傍を被覆する部分)の形状が最適化されるため、第1の局面の前記作用・効果を確実に得ることが可能になり、発光装置の光放射面における色度の面内分布を更に均一にすることができる。
<第3の局面>
第3の局面は、第1の局面または第2の局面において、間隙を空けて配列された複数個の半導体発光素子を備え、個々の半導体発光素子の間には、蛍光体層が形成されていない部分が設けられている。
第3の局面によれば、複数個の半導体発光素子を配列した場合でも、蛍光体層が半導体発光素子の側面における上面近傍の部分のみを被覆することになるため、第1の局面の前記作用・効果を確実に得ることが可能になり、発光装置の光放射面における色度の面内分布を均一にすることができる。
<第4の局面>
第4の局面は、第1〜第3の局面において、前記蛍光体層が形成されていない部分を充填し、光反射性の微粒子を含有する反射層を備える。
第4の局面によれば、個々の半導体発光素子の側面側から、各半導体発光素子の間にて蛍光体層が形成されていない部分へ放射された光が、その部分に充填されている反射層によって反射されるため、第1の局面の前記作用・効果を確実に得ることができる。
<第5の局面>
第5の局面は、第1〜第4の局面において、基板の表面上にて半導体発光素子を囲繞するように配設された光反射部材を備える。
第5の局面によれば、半導体発光素子の放射光を光反射部材(リフレクタ)により反射して一方向に照射することが可能であり、自動車の前方側の照度を高める必要があるヘッドライト用として好適な発光装置を実現できる。
<第6の局面>
第6の局面は、第1〜第5の局面において、蛍光体層を覆うように取付固定された透明な封着板を備える。
第6の局面によれば、蛍光体層および半導体発光素子が封着板によって封止されるため、耐熱性・耐候性・耐光性を向上させることが可能になり、蛍光体層および半導体発光素子の劣化を防止できる。
<第7の局面>
第7の局面は、第6の局面において、封着板の表面には微細な凹凸が形成されている。
第7の局面によれば、封着板の表面の凹凸により、封着板の表面から放射される光が散乱されるため、発光装置の光放射面における色度の面内分布をより均一化することが可能になり、色度ムラの抑制効果を高めることができる。
<第8の局面>
第8の局面は、第6の局面または第7の局面において、封着板は光散乱性を有する。
第8の局面によれば、封着板の表面から放射される光が散乱されるため、発光装置の光放射面における色度の面内分布をより均一化することが可能になり、色度ムラの抑制効果を高めることができる。
<第9の局面>
第9の局面は、第1〜第8の局面の発光装置の製造方法であって、
基板の表面上に半導体発光素子を配設する第1工程と、
半導体発光素子の上面のみに蛍光体層の液状の形成材料を塗布する第2工程と、
蛍光体層の液状の形成材料に平板材を押し当てた状態で蛍光体層を硬化させる第3工程とを備える。
第9の局面では、第2工程および第3工程により、第1〜第8の局面の蛍光体層に要求される形状(半導体発光素子の上面を被覆すると共に、半導体発光素子の側面における上面近傍の部分のみを被覆し、半導体発光素子の上面を被覆する部分の膜厚が均一)を容易に形成可能であるため、第1〜第8の局面の発光装置の簡便な製造方法を提供できる。
<第10の局面>
第10の局面は、第9の局面において、第3工程において、第2工程を終えた基板を裏返した状態で、平板材に押し当てる。
第10の局面では、蛍光体層の液状形成材料の表面張力により、第1〜第8の局面の蛍光体層に要求される前記形状を確実に形成できる。
<第11の局面>
第11の局面は、第9の局面または第10の局面において、平板材は、第6〜第8の局面の封着板である。
第11の局面によれば、封着板を平板材に流用可能であるため、封着板を設けても製造方法が複雑化することがなく、製造コストの増大を抑制できる。
また、第11の局面では、第3工程にて蛍光体層を硬化させた際に、硬化した蛍光体層が接着剤として機能し、半導体発光素子と封着板とが蛍光体層を介して接着固定されるため、封着板を蛍光体層に隙間無く密着させた状態で容易に取付固定することが可能になるため、第6の局面の前記作用・効果が確実に得られる。
<第12の局面>
第12の局面は、第9の局面または第10の局面において、平板材は製造用治具であり、第3工程にて蛍光体層を硬化させた後に、平板材を蛍光体層から取り外す。
第12の局面では、第3工程に最適な平板材を選択することにより、第1〜第8の局面の発光装置を容易に製造できる。
図1(A)は、本発明を具体化した第1〜第3実施形態の発光装置10の概略構成を示す縦断面図であり、図1(B)におけるX−X矢示断面図。図1(B)は発光装置10の平面図。 図2(A)は、発光装置10の要部を拡大した縦断面図。図2(B)は、従来の発光装置100の要部を拡大した縦断面図。 第1〜第3実施形態の発光装置10の製造方法を説明するための縦断面図。 第1実施形態の発光装置10の製造方法を説明するための縦断面図。 図5(A)は、第1実施形態および第3実施形態の発光装置10の製造方法を説明するための縦断面図。図5(B)は、第1〜第3実施形態の発光装置10の製造方法を説明するための縦断面図。 第2実施形態の発光装置10の製造方法を説明するための縦断面図。 第3実施形態の発光装置10の製造方法を説明するための縦断面図。 第3実施形態の発光装置10の製造方法を説明するための縦断面図。
以下、本発明を具体化した各実施形態について図面を参照しながら説明する。尚、各実施形態において、同一の構成部材および構成要素については符号を等しくすると共に、同一内容の箇所については重複説明を省略する。
また、各図面では、説明を分かり易くするために、各実施形態の構成部材の寸法形状および配置箇所を誇張して模式的に図示してあり、各構成部材の寸法形状および配置箇所が実物とは異なっている。
<第1実施形態>
図1および図2(A)に示すように、第1実施形態の発光装置10は、絶縁基板11、LED(Light Emitting Diode)チップ12、蛍光体層13、枠体14、封着板15、反射層16、光放射面10a、蛍光体層13が形成されていない部分Sを備える。
絶縁基板11は、矩形板状を成しており、例えば、絶縁材料(例えば、窒化アルミニウムなどのセラミックス材料、合成樹脂材料など)のバルク材から成る基板や、金属材料(例えば、アルミニウム合金、純銅、銅系合金など)の表面に絶縁層が形成された基板などによって形成されている。
3個のLEDチップ12は、略直方体状を成した青色LEDであり、間隙を空けて一列に配列されている。
各LEDチップ12の下面側は、絶縁基板11の表面上に形成されている配線層(図示略)に対して、各種接合方法(例えば、ハンダ付け、スタッドバンプ接合、金属微粒子接合、表面活性化接合など)を用い、電気的に接続されると共に取付固定されている。
蛍光体層13は、蛍光体(例えば、YAG(Yttrium Aluminum Garnet)系など)を含有する透明な基材から成り、各LEDチップ12の上面および側面における上面近傍の部分12aのみを被覆するように形成されており、波長変換部材(波長変換層)として機能する
尚、蛍光体層13の基材は、合成樹脂材料(例えば、シリコーン樹脂など)や、ゾルゲルガラスなどによって形成されている。
そして、蛍光体層13の膜厚は、含有する蛍光体粒子が重なり合わないような膜厚にすることが望ましく、例えば、蛍光体粒子の粒径が20〜30μmの場合には、蛍光体層13の膜厚は40μm以下に設定すればよい。
枠体14は、矩形枠状(額縁状)を成しており、蛍光体層13に被覆された各LEDチップ12を囲繞するように、絶縁基板11の表面上に配置形成されている。
尚、枠体14は、光反射性の高い材料(例えば、酸化チタン、酸化アルミニウムなど)の微粒子を含有する白色の合成樹脂材料(例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂など)、光反射性のセラミックス材料(例えば、酸化アルミニウムなど)、光反射性の金属材料(例えば、アルミニウム合金など)などによって形成されている。
封着板(封止板)15は、矩形板状を成しており、枠体14の開口部に取り付けられ、蛍光体層13と隙間無く密着している。
尚、封着板15は、透明な合成樹脂材料(例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂など)やガラスによって形成されている。
そして、封着板15の表面が発光装置10の光放射面(光放射領域、発光領域、発光部)10aになる。
反射層16は、封着板15の外周縁部と枠体14の内周壁面と絶縁基板11の表面とに囲繞された隙間を埋めて封止すると共に、各LEDチップ12間にて蛍光体層13が形成されていない部分S内に充填されるように、枠体14の内部に注入されている。
尚、反射層16は、光反射性の高い材料(例えば、酸化チタン、酸化アルミニウムなど)の微粒子を含有する白色の合成樹脂材料(例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂など)などによって形成されている。
[第1実施形態の発光装置10の製造方法]
第1工程(図3(A)参照):絶縁基板11の表面上に形成されている配線層(図示略)に対して各LEDチップ12を接合する。
第2工程(図3(B)(C)参照):各LEDチップ12の上面のみに、蛍光体層13の液状の形成材料を塗布する。
すると、各LEDチップ12の上面に塗布された蛍光体層13の液状の形成材料は、表面張力により半球面状に形成され、各LEDチップ12の上面における中央部分の膜厚が厚く、各LEDチップ12の上面における周縁部分に近づくに連れて膜厚が薄くなる。
このとき、蛍光体層13の基材が合成樹脂材料の場合には、静電塗布法を用い、液状の合成樹脂材料を各LEDチップ12の上面のみに塗布する。
また、蛍光体層13の基材がゾルゲルガラスの場合には、静電塗布法を用い、ゾルゲルガラスの液状の形成材料(例えば、テトラエトキシシランなどの金属アルコキシドなど)を各LEDチップ12の上面のみに塗布する。
第3工程(図4、図5(A)参照):第2工程を終えた絶縁基板11を裏返しにした状態で、封着板15に対向させる。
そして、絶縁基板11の裏面側に荷重をかけ、各LEDチップ12の上面に塗布された蛍光体層13の液状の形成材料を、封着板15に押し当て、その状態で加熱することにより蛍光体層13を硬化させる。
すると、各LEDチップ12と封着板15の間に挟まれた蛍光体層13の膜厚が均一になる。
それと同時に、蛍光体層13の液状形成材料の表面張力により、各LEDチップ12の側面から封着板15へかけて蛍光体層13が裾野状に広がった形状になる。
そして、硬化した蛍光体層13が接着剤として機能し、各LEDチップ12と封着板15とが蛍光体層13を介して接着固定される。
このとき、蛍光体層13の基材が合成樹脂材料の場合には、熱硬化性の合成樹脂材料を用いればよい。
また、蛍光体層13の基材がゾルゲルガラスの場合には、ゾルゲルガラスの液状の形成材料を加水分解させた後に縮重合させてゾルとし、続いて、そのゾルから水分を除去して生じたゲルを焼結させてガラス化させることにより、ゾルゲルガラスを形成すればよい。
第4工程(図5(B)参照):第4工程を終えた絶縁基板11を再び裏返して元の状態(第1工程〜第3工程の状態)に戻す。
そして、絶縁基板11の表面上に枠体14を配置形成する。
このとき、枠体14が合成樹脂材料の場合には、スクリーン印刷法などを用いて形成すればよい。
また、枠体14がセラミックス材料や金属材料の場合には、別個に成形した枠体14を絶縁基板11に取付固定すればよい。
第5工程(図1参照):封着板15の外周縁部と枠体14の内周壁面と絶縁基板11の表面とに囲繞された隙間と、各LEDチップ12間にて蛍光体層13が形成されていない部分S内とに対して、反射層16の液状の形成材料を注入した後に、反射層16を硬化させる。
すると、硬化した反射層16が接着剤として機能し、封着板15と枠体14と絶縁基板11とが反射層16を介して接着固定される。
また、各LEDチップ12間にて蛍光体層13が形成されていない部分S内に硬化した反射層16が充填される。
[第1実施形態の作用・効果]
第1実施形態の発光装置10によれば、以下の作用・効果を得ることができる。
[1]発光装置10では、各LEDチップ12から放射された一次光(青色光)と、その一次光の一部が蛍光体層13に含有される蛍光体で励起されることにより波長変換された二次光(黄色光)とを混色させて白色光を生成し、その白色光を発光装置10の光放射面10aから放射するが、その際に、波長変換時に変換されなかった光エネルギーが熱エネルギーになって蛍光体層13が発熱する。
蛍光体層13は、各LEDチップ12の上面を被覆すると共に、各LEDチップ12の側面における上面近傍の部分12aのみを被覆し、蛍光体層13における各LEDチップ12の上面を被覆する部分の膜厚が均一である。
そのため、発光装置10では、蛍光体層13に相当する部材(波長変換層、波長変換部材)が板材である特許文献1〜3の技術に比べて、蛍光体層13を薄くすることが可能であり、蛍光体層13の発熱を各LEDチップ12を介して絶縁基板11へ効率的に放熱することができる。
その結果、蛍光体層13の温度上昇を抑制して波長変換の効率低下を防止すると共に、発光装置10の構成部材(LEDチップ12、蛍光体層13、枠体14、封着板15、反射層16)が蛍光体層13の発熱によって劣化するのを防止でき、発光装置10の高出力化を図ることができる。
また、蛍光体層13における各LEDチップ12の上面を被覆する部分の膜厚が均一であるため、発光装置10の光放射面10aにおける色度の面内分布を均一にすることができる。
尚、蛍光体層13の屈折率を、LEDチップ12の屈折率に近い値にすれば、発光装置10の光取り出し効率を高めることができる。
また、図2(A)に示すように、発光装置10では、蛍光体層13が各LEDチップ12の側面における上面近傍の部分12aのみを被覆するため、各LEDチップ12の上面から蛍光体層13を介して放射される光αの色度と、各LEDチップ12の側面から蛍光体層13を介して放射される光γの色度とを略同一の白色光にすることができる。
それに対して、図2(B)に示すように、従来の発光装置100では、蛍光体層13が各LEDチップ12の側面全体を被覆するため、各LEDチップ12の上面から蛍光体層13を介して放射される光αが白色光であるのに、各LEDチップ12の側面から蛍光体層13を介して放射される光γが黄色光になり、発光装置10の光放射面10aにおける色度の面内分布が不均一になってしまう。
[2]図2(A)に示すように、蛍光体層13は、各LEDチップ12の上面を被覆する第1部分13aと、各LEDチップ12の側面を被覆する第2部分13bとを備え、各部分13a,13bの表面が封着板15に押圧されて面一になるように形成され、第2部分13bはその表面側に向かって裾野状に広がる形状である。
従って、蛍光体層の第2部分13b(各LEDチップ12の側面における上面近傍を被覆する部分)の形状が最適化されるため、前記[1]の作用・効果を確実に得ることが可能になり、発光装置10の光放射面10aにおける色度の面内分布を更に均一にすることができる。
[3]図1(A)および図2(A)に示すように、3個のLEDチップ12の間には、蛍光体層13が形成されていない部分Sが設けられている。
そのため、1個だけでなく3個のLEDチップ12を配列した場合でも、蛍光体層13が各LEDチップ12の側面における上面近傍の部分12aのみを被覆することになるため、前記[1]の作用・効果を確実に得ることが可能になり、発光装置10の光放射面10aにおける色度の面内分布を均一にすることができる。
[4]図1(A)および図2(A)に示すように、各LEDチップ12の間にて蛍光体層13が形成されていない部分Sには、反射層16が充填されている。
そのため、各LEDチップ12の側面側から部分Sへ放射された光が、その部分Sに充填されている反射層16によって反射されるため、前記[1]の作用・効果を確実に得ることができる。
[5]枠体14および反射層16は、絶縁基板11の表面上にて各LEDチップ12を囲繞するように配設された光反射部材(リフレクタ)を構成する。
そのため、各LEDチップ12の放射光を、枠体14および反射層16により反射して一方向に照射することができる。
よって、発光装置10は、特に、自動車の前方側の照度を高める必要があるヘッドライト用として好適である。
[6]蛍光体層13を覆うように取付固定された透明な封着板15を備え、蛍光体層13および各LEDチップ12が封着板15によって封止されるため、耐熱性・耐候性・耐光性を向上させることが可能になり、蛍光体層13および各LEDチップ12の劣化を防止できる。
[7]第2工程(図3(B)(C)参照)および第3工程(図4、図5(A)参照)により、蛍光体層13に要求される形状(各LEDチップ12の上面を被覆すると共に、各LEDチップ12の側面における上面近傍の部分12aのみを被覆し、各LEDチップ12の上面を被覆する部分の膜厚が均一)を容易に形成可能であるため、発光装置10の簡便な製造方法を提供できる。
[8]第3工程(図4、図5(A)参照)において、第2工程(図3(B)(C)参照)を終えた絶縁基板11を裏返した状態で封着板15に押し当てるため、蛍光体層13の液状形成材料の表面張力により、蛍光体層13に要求される前記形状を確実に形成できる。
[9]第3工程(図4、図5(A)参照)において、蛍光体層13を平坦化するのに封着板15を用いるため、蛍光体層13を平坦化させるための専用の製造用治具を用意する必要が無く、発光装置10の製造コストの増大を抑制できる。
また、蛍光体層13を硬化させた際に、硬化した蛍光体層13が接着剤として機能し、各LEDチップ12と封着板15とが蛍光体層13を介して接着固定される。
そのため、封着板15を蛍光体層13に隙間無く密着させた状態で容易に取付固定することが可能になるため、前記[6]の作用・効果が確実に得られる。
[10]図3(C)に示すように、各LEDチップ12の上面に塗布された蛍光体層13の液状の形成材料を、このままの状態で硬化させると、各LEDチップ12の上面からの放射光のうち、各LEDチップ12の上面における中央部分から放射される光αは、厚い蛍光体層13を透過するため、二次光(黄色光)の割合が大きくなるため、一次光と二次光が混色されても白色光にはならず黄色光になる。
また、図3(C)に示すように、各LEDチップ12の上面からの放射光のうち、各LEDチップ12の上面における周縁部分から放射される光βは、薄い蛍光体層13を透過するため、一次光(青色光)の割合が大きくなるため、一次光と二次光が混色されても白色光にはならず黄色光になる。
従って、図3(B)(C)に示すように、各LEDチップ12の上面に形成されている蛍光体層13が半球面状の場合には、発光装置10の光放射面10aにおける色度の面内分布が均一にならない。
<第2実施形態>
第2実施形態の発光装置10の構成は、第1実施形態の発光装置10と同じであり、第2実施形態において第1実施形態と異なるのは製造方法だけである。
第1工程(図3(A)参照):第1実施形態の第1工程と同じである。
第2工程(図3(B)参照):第1実施形態の第2工程と同じである。
第3工程(図6参照):第2工程を終えた絶縁基板11を裏返さず、絶縁基板11上に封着板15に対向させる。
そして、封着板15の表面側に荷重をかけ、各LEDチップ12の上面に塗布された蛍光体層13の液状の形成材料に、封着板15を押し当て、その状態で加熱することにより蛍光体層13を硬化させる。
第4工程(図5(B)参照):第1実施形態の第4工程と同じである。
第5工程(図1参照):第1実施形態の第5工程と同じである。
このように、第2実施形態では、第2工程を終えた絶縁基板11を裏返すことなく、封着板15を蛍光体層13の液状の形成材料に押し当てる。
従って、第2実施形態では、蛍光体層13の液状の形成材料の粘度を最適化して、蛍光体層13に要求される前記形状(第1実施形態の前記[7]を参照)を実現することにより、第1実施形態の前記[1]〜[9]と同様の作用・効果が得られる。
<第3実施形態>
第3実施形態の発光装置10の構成は、第1実施形態の発光装置10と同じであり、第3実施形態において第1実施形態と異なるのは製造方法だけである。
第1工程(図3(A)参照):第1実施形態の第1工程と同じである。
第2工程(図3(B)参照):第1実施形態の第2工程と同じである。
第3工程(図7(A)(B)参照):第2工程を終えた絶縁基板11を裏返しにした状態で、平板状の治具板FBに対向させる。
そして、絶縁基板11の裏面側に荷重をかけ、各LEDチップ12の上面に塗布された蛍光体層13の液状の形成材料を、治具板FBに押し当て、その状態で加熱することにより蛍光体層13を硬化させる。
すると、各LEDチップ12と治具板FBの間に挟まれた蛍光体層13の膜厚が均一になる。
それと同時に、蛍光体層13の液状形成材料の表面張力により、各LEDチップ12の側面から治具板FBへかけて蛍光体層13が裾野状に広がった形状になる。
第4工程(図7(C)参照):硬化した蛍光体層13から治具板FBを取り外す。
第5工程(図8参照):硬化した蛍光体層13の平坦な表面上に接着剤(図示略)を塗布した後に、その接着剤層の表面上に封着板15を押し当て、蛍光体層13と封着板15を接着剤層を介して接着固定させる。
第6工程(図5(B)参照):第1実施形態の第4工程と同じである。
第7工程(図1参照):第1実施形態の第5工程と同じである。
このように、第3実施形態では、治具板FBを用いて蛍光体層13を所望の形状に形成した後に、治具板FBを取り外して封着板15を蛍光体層13に接着固定している。
従って、第3実施形態によれば、第1実施形態の前記[1]〜[8]と同様の作用・効果が得られる。
また、第3実施形態では、第3工程に最適な平板材を選択することにより、発光装置10を容易に製造できる。
尚、第3実施形態でも、第2実施形態と同様に、第3工程において、第2工程を終えた絶縁基板11を裏返すことなく、蛍光体層13の液状の形成材料に治具板FBを押し当てるようにしてもよい。
<別の実施形態>
本発明は前記各実施形態に限定されるものではなく、以下のように具体化してもよく、その場合でも、前記各実施形態と同等もしくはそれ以上の作用・効果を得ることができる。
[A]LEDチップ12は、3個に限らず適宜な個数にしてもよく、一列に配置するのではなく、複数列に配置したり、適宜な形状(例えば、碁盤目状など)に並べて配置してもよい。
その場合、枠体14の形状は、LEDチップ12の配置に合わせて適宜変更すればよい。
[B]LEDチップ12は、どのような半導体発光素子(例えば、有機ELチップなど)に置き換えてもよい。
[C]枠体14を省き、反射層16のみを設けるようにしてもよい。
[D]第3実施形態において、封着板15を省き、蛍光体層13を露出させたままにしてもよい。
[E]封着板15の表面に微細な凹凸を形成してもよい。
その場合には、封着板15の表面の微細な凹凸により、封着板15の表面から放射される光が散乱されるため、発光装置10の光放射面10aにおける色度の面内分布をより均一化することが可能になり、色度ムラの抑制効果を高めることができる。
尚、封着板15の表面に微細な凹凸を形成するには、各種粗面加工法(例えば、プレス加工、サンドブラスト加工、エッチング加工など)を用いればよい。
[F]封着板15の基材に光散乱性の高い材料(例えば、シリカ、酸化チタンなど)の微粒子を含有させてもよく、その場合には封着板15が光散乱性を有するようになるため、前記[E]と同様の作用・効果が得られる。
ちなみに、ゾルゲルガラスなどの焼結ガラスは、内部の結晶界面により光散乱性を有する。そのため、封着板15を焼結ガラスによって形成すれば、封着板15が光散乱性を有するようになるため、前記[E]と同様の作用・効果が得られる。
本発明は、前記各局面および前記各実施形態の説明に何ら限定されるものではない。特許請求の範囲の記載を逸脱せず、当業者が容易に想到できる範囲で種々の変形態様も本発明に含まれる。本明細書の中で明示した公報などの内容は、その全ての内容を援用によって引用することとする。
10…発光装置
10a…光放射面
11…絶縁基板
12…LEDチップ(半導体発光素子)
12a…LEDチップの側面における上面近傍の部分
13…蛍光体層
13a…蛍光体層13の第1部分
13b…蛍光体層13の第2部分
14…枠体(光反射部材)
15…封着板(平板材)
16…反射層(光反射部材)
FB…治具板(平板材)

Claims (9)

  1. 基板の表面上に配設された半導体発光素子と、
    前記半導体発光素子の上面を被覆すると共に、前記半導体発光素子の側面における前記上面近傍の部分のみを被覆し、蛍光体を含有する透明な蛍光体層と
    を備えた発光装置であって、
    前記蛍光体層において、前記半導体発光素子の上面を被覆する部分の膜厚は均一である発光装置の製造方法であって、
    前記基板の表面上に前記半導体発光素子を配設する第1工程と、
    前記半導体発光素子の上面のみに前記蛍光体層の液状の形成材料を塗布する第2工程と、
    前記蛍光体層の液状の形成材料に平板材を押し当てた状態で前記蛍光体層を硬化させる第3工程と
    を備え、
    前記平板材は製造用治具であり、前記第3工程にて前記蛍光体層を硬化させた後に、前記平板材を前記蛍光体層から取り外す、
    発光装置の製造方法
  2. 前記第3工程において、前記第2工程を終えた前記基板を裏返した状態で、前記平板材に押し当てる、
    請求項1に記載の発光装置の製造方法。
  3. 前記平板材は、前記蛍光体層を覆うように取付固定された透明な封着板である、
    請求項1または請求項2に記載の発光装置の製造方法。
  4. 前記封着板の表面には微細な凹凸が形成されている、
    請求項3に記載の発光装置の製造方法。
  5. 前記封着板は光散乱性を有する、
    請求項3または請求項4に記載の発光装置の製造方法。
  6. 前記蛍光体層は、前記半導体発光素子の上面を被覆する第1部分と、前記半導体発光素子の側面を被覆する第2部分とを備え、
    前記第1部分の表面と前記第2部分の表面とが面一になるように形成され、前記第2部分はその表面側に向かって裾野状に広がる形状である、
    請求項1〜5のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
  7. 間隙を空けて配列された複数個の前記半導体発光素子を備え、
    個々の前記半導体発光素子の間には、前記蛍光体層が形成されていない部分が設けられている、
    請求項1〜6のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
  8. 前記蛍光体層が形成されていない部分を充填し、光反射性の微粒子を含有する反射層を備えた、
    請求項1〜7のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
  9. 前記基板の表面上にて前記半導体発光素子を囲繞するように配設された光反射部材を備えた、
    請求項1〜8のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6575828B2 (ja) * 2015-07-22 2019-09-18 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置及び発光モジュール
JP6579159B2 (ja) * 2016-10-19 2019-09-25 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10971663B2 (en) 2016-11-08 2021-04-06 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
JP6800703B2 (ja) * 2016-11-08 2020-12-16 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
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JP7105415B2 (ja) * 2020-02-20 2022-07-25 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3619128B2 (ja) * 2000-08-10 2005-02-09 日本電信電話株式会社 光半導体装置の製造方法
JP2007335798A (ja) * 2006-06-19 2007-12-27 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP5158472B2 (ja) * 2007-05-24 2013-03-06 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
JP2009239116A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Sharp Corp 発光装置
DE102009005907A1 (de) * 2009-01-23 2010-07-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
JP2012129399A (ja) * 2010-12-16 2012-07-05 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型光半導体装置
JP2013038187A (ja) * 2011-08-05 2013-02-21 Stanley Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2013175531A (ja) * 2012-02-24 2013-09-05 Stanley Electric Co Ltd 発光装置

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