JP2013191872A - 発光素子パッケージ - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明は発光素子パッケージを提供する。
【解決手段】実施例による発光素子パッケージは、パッケージボディと、前記パッケージボディに形成されたリードフレームと、前記パッケージボディに支持され前記リードフレームと電気的に連結される発光素子と、前記発光素子を囲んで形成される充填材と、前記充填材上に蛍光体を含んで形成された蛍光体層と、を含む。
【選択図】図１
【解決手段】実施例による発光素子パッケージは、パッケージボディと、前記パッケージボディに形成されたリードフレームと、前記パッケージボディに支持され前記リードフレームと電気的に連結される発光素子と、前記発光素子を囲んで形成される充填材と、前記充填材上に蛍光体を含んで形成された蛍光体層と、を含む。
【選択図】図１
Description
本発明は発光素子パッケージに関する。
発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ：ＬＥＤ）は電流を光に変換させる半導体発光素子である。
このようなＬＥＤによって放出された光の波長はＬＥＤを製造するために用いられる半導体材料によって異なる。これは放出された光の波長が価電子帯（ｖａｌｅｎｃｅ ｂａｎｄ）電子と伝導帯（ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ ｂａｎｄ）電子との間のエネルギー差を表す半導体材料のバンドギャップ（ｂａｎｄ−ｇａｐ）によって異なるからである。
最近、発光ダイオードはその輝度が次第に増加するに伴い、ディスプレイ用光源、照明及び自動車用光源として用いられており、蛍光物質を利用したり様々な色のＬＥＤを組み合わせたりすることで効率が優秀な白色光を発光するＬＥＤを実現することもできる。
このような目的のためにＬＥＤを応用するためには、素子の動作電圧が低くなければならず、発光効率と輝度が高くなければならない。
このようなＬＥＤを製作するにおいて、効率を増大させＬＥＤチップを保護するためにパッケージのＬＥＤチップ上にシリコンジェル又はエポキシ樹脂を塗布する。この時、シリコンジェル又はエポキシ樹脂の塗布方法及び塗布形状は発光効率に大きな影響を及ぼす。
また、最近の発光素子パッケージは発光効率を増大させるためにレンズを含む。このようなレンズは発光効率を増大させるだけでなく所望の角度に配光特性を調節できる長所がある。
ＬＥＤの様々な色を実現する方法において、ＬＥＤチップに蛍光体を塗布して様々な色を実現する方法が多く用いられる。この時、このような蛍光体を塗布する方法及び位置によって発光効率が異なることがある。
本発明の実施例は、新しい構造の発光素子パッケージを提供することを目的とする。
本発明の実施例は、発光素子パッケージのシリコンジェル又はエポキシ樹脂を塗布する過程でディスペンス法でレンズ形状を製造することができるので追加的な工程を行うことなく発光効率を増大させることができる発光素子パッケージを提供することを目的とする
本発明の実施例は、発光素子から放出された熱によって蛍光体が影響を受けることを低減させることができる発光素子パッケージを提供することを目的とする。
本発明の実施例は、蛍光体で励起された励起光が発光素子に再吸収されずに外部へ效果的に放出され得る発光素子パッケージを提供することを目的とする。
本発明の実施例は、色均一度が向上した発光素子パッケージを提供することを目的とする。
実施例による発光素子パッケージは、パッケージボディと、前記パッケージボディに形成されたリードフレームと、前記パッケージボディに支持され前記リードフレームと電気的に連結される発光素子と、前記発光素子を囲みながら形成される充填材と、前記充填材上に蛍光体を含んで形成された蛍光体層と、を含む。
実施例による発光素子パッケージは、パッケージボディと、前記パッケージボディに形成されたリードフレームと、前記パッケージボディに支持され前記リードフレームと電気的に連結される発光素子と、前記発光素子を囲み上面がドーム形状に形成された充填材と、前記充填材上に蛍光体を含んで形成された蛍光体層と、前記蛍光体層上に上面がドーム形状に形成されたモールディング部と、を含む。
本発明の実施例は、新しい構造の発光素子パッケージを提供することができる。
本発明の実施例は、発光素子パッケージのシリコンジェル又はエポキシ樹脂を塗布する過程でディスペンス法でレンズ形状を製造することができるので追加的な工程を行うことなく発光効率を増大させることができる発光素子パッケージを提供することができる。
本発明の実施例は、発光素子から放出された熱によって蛍光体が影響を受けることを低減させることができる発光素子パッケージを提供することができる。
本発明の実施例は、蛍光体で励起された励起光が発光素子に再吸収されずに外部へ效果的に放出され得る発光素子パッケージを提供することができる。
本発明の実施例は、色均一度が向上した発光素子パッケージを提供することができる。
以下、添付図面に基づき本発明による実施例を詳細に説明する。
本発明は様々な修正及び変形が可能であるが、その特定の実施例を図面に例示として示し、以下で詳細な説明を行う。しかし、本発明を開示した特定の形態に限定することを意図するものではなく、本発明は請求の範囲によって定義された本発明の思想と合致するあらゆる修正、均等及び代用を含む。
同じ符号は図面の説明において同じ要素を表す。図面で層及び領域などの寸法は明瞭性のために誇張している。
層、領域又は基板のような要素が他の構成要素の「上（ｏｎ）」に存在すると言及される場合、これは直接的に他の要素上に存在するか、又はその間に中間要素が存在し得るという意味であると理解するとよい。表面のような構成要素の一部を「内部（ｉｎｎｅｒ）」と表現する場合、これは当該要素の他の部分よりも素子の外側からより遠くに離れているという意味であると理解するとよい。
このような用語は、図面に描写された方向に加えて素子の他の方向を含むことを意図していることを理解できるはずである。最後に、「直接（ｄｉｒｅｃｔｌｙ）」という用語
は、中間にいかなる要素も介在しないという意味である。ここで用いられているように、
「及び／又は」という用語は記録された関連項目のうちいずれか一つ又はそれ以上のいずれかの組み合わせ及び全ての組み合わせを含む。
（第１実施例）
図１は本発明の第１実施例による発光素子パッケージを説明するための図である。
は、中間にいかなる要素も介在しないという意味である。ここで用いられているように、
「及び／又は」という用語は記録された関連項目のうちいずれか一つ又はそれ以上のいずれかの組み合わせ及び全ての組み合わせを含む。
（第１実施例）
図１は本発明の第１実施例による発光素子パッケージを説明するための図である。
図１に示すように、発光素子パッケージは、パッケージボディ１５に具備された発光素子装着部１１に発光素子２０が装着され、前記発光素子２０はパッケージボディ１５を貫通して外部に連結される第１、２リードフレーム１２、１３にワイヤ１６を介して電気的に連結される。前記発光素子２０の下側には熱放出部５０が配置されてもよい。
前記発光素子装着部１１は前記第１、２リードフレーム１２、１３、前記熱放出部５０及びパッケージボディ１５によって形成される空間であり、前記発光素子２０を装着できるキャビティを提供する。
前記第１、２リードフレーム１２、１３及び熱放出部５０は銅材で形成してもよく、表面には銀又はアルミニウムで形成された反射率の高い反射膜を形成してもよい。
前記発光素子２０を含む発光素子装着部１１の上側は充填材３０で充填され、このような充填材３０上にはレンズ４０が付着される。前記充填材３０には蛍光体を含めてもよい。
この時、パッケージボディ１５は前記第１、２リードフレーム１２、１３及び前記熱放出部５０が配置された状態で射出して形成する。
したがって、前記パッケージボディ１５によって前記第１、２リードフレーム１２、１３及び前記熱放出部５０を固定することができ、前記第１、２リードフレーム１２、１３は前記パッケージボディ１５を貫通して外部に連結され得る。
前記パッケージボディ１５は射出成形可能なプラスチック物質で形成することができる。
前記発光素子２０は電極層の形成位置によって水平型発光素子、フリップチップボンディングされた発光素子、及び垂直型発光素子をすべて適用することができる。
ここで、垂直型発光素子は金属又は半導体からなる支持層上に発光素子が形成された構造であってもよい。
実施例による発光素子パッケージは、レンズ４０が付着されて形成される。このようなレンズ４０は発光素子の光出力を向上させ、配光特性を調節できる長所がある。
（第２実施例）
図２は本発明の第２実施例による発光素子パッケージを説明するための図である。
（第２実施例）
図２は本発明の第２実施例による発光素子パッケージを説明するための図である。
以下、図２に基づき本発明の第２実施例を説明する。説明されない部分は第１実施例と同じでもよい。
本発明の発光素子パッケージは第１実施例のように別途製作されたレンズを付着してもよく、または、図２のように、発光素子２０上にシリコンジェル又はエポキシ樹脂をディスペンスして充填材を兼ねたレンズ６０を形成してもよい。前記レンズ６０には蛍光体を含めてもよい。
特にディスペンス法を用いてレンズ６０を形成することによって、レンズの製作を別途に行う必要がなく、発光素子２０上に充填材を充填する工程を行う際にレンズ６０の形成をも行うことができるので追加的な工程を行わずともレンズ６０を形成して光出力を向上させることができる長所がある。
ディスペンス法とは、ノズルを用いて液状のジェル又は樹脂を塗布して形成する方法であり、インクジェット法と類似の方法である。このようなディスペンス法は塗布されたジェル又は樹脂を硬化させる方法を含む。
白色、緑色、赤色、黄色などの光を発光する発光素子パッケージを実現するために、青色又は近紫外線発光素子に蛍光体を塗布する方法がある。本発明の発光素子パッケージは蛍光体を発光素子２０上に直に蛍光体をパウダーのような形態でシリコンジェル又はエポキシ樹脂と混合してコーティングすることができる。
例えば、青色発光素子に黄色蛍光体が塗布される場合、青色発光素子から放出される青色光が黄色蛍光体を励起させて黄色光を発光させ、このような青色光と黄色光が混合されて白色光を作ることができる。
また、蛍光体の発光が発光素子２０チップに吸収されて効率が減少する現象を防ぐために発光素子２０チップ上にシリコンジェル又はエポキシ樹脂を充填し、その上に蛍光体とシリコンジェル又はエポキシ樹脂を混合してコーティングすることでレンズを形成することによって高効率の白色発光素子パッケージを実現することができる。
この時、発光素子２０上にシリコンジェル又はエポキシ樹脂をコーティングする際、発光素子２０から放出された光を效果的に分散させ、樹脂の屈折率を高めて発光素子チップの光抽出を向上させるために分散剤又は拡散剤を混合してコーティングすることができる。
（第３実施例）
図３乃至図５は本発明の第３実施例による発光素子パッケージを説明するための図である。
（第３実施例）
図３乃至図５は本発明の第３実施例による発光素子パッケージを説明するための図である。
図３乃至図５に基づき本発明の第３実施例を説明する。説明されない部分は前の実施例と同じでもよい。
図３に示すように、パッケージボディ１５に具備された発光素子装着部１１に発光素子２０が装着され、このような発光素子２０はパッケージボディ１５を介して外部に連結される第１、２リードフレーム１２、１３にワイヤ１６を介して電気的に連結される。
このような発光素子２０の上側には蛍光体を含む充填材３１が充填される。このような充填材３１はシリコンジェル又はエポキシ樹脂のような合成樹脂に蛍光体を混合して発光素子装着部１１内に充填するものである。
この時、蛍光体は様々な色を発光できる蛍光体を用いることができる。すなわち、青色、緑色、黄色、赤色などを発光する物質を用いることができる。
このような充填材３１上にはシリコンジェル又はエポキシ樹脂を様々な方法でコーティングしてモールディング部４１を形成することができる。すなわち、図３のように、モールディング部４１をレンズ形状に形成してもよく、図４のように、板状のモールディング部４２を形成してもよい。
一方、図５にはモールディング部４３を図４に示す場合よりも低く形成してパッケージ全体の高さを低くすることができる例を示している。この時、このような高さの低いモールディング部４３は、パッケージボディ１５の高さを低く形成し、このパッケージボディ１５の高さまでモールディング部４３を形成することによって形成され得る。
（第４実施例）
図６乃至図８は本発明の第４実施例による発光素子パッケージを説明するための図である。
（第４実施例）
図６乃至図８は本発明の第４実施例による発光素子パッケージを説明するための図である。
以下、図６乃至図８に基づき本発明の第４実施例を説明する。説明されない部分は前の実施例と同じでもよい。
図６に示すように、パッケージボディ１５に具備された発光素子装着部１１に発光素子２０が装着され、このような発光素子２０はパッケージボディ１５を介して外部に連結される第１、２リードフレーム１２、１３にワイヤ１６を介して電気的に連結される。
このような発光素子２０の上側の発光素子装着部１１はシリコンジェル又はエポキシ樹脂からなる充填材３２で充填される。このような充填材３２には蛍光体が含まれない。
そして、このような充填材３２上には蛍光体が含まれた蛍光体層３３が形成されることができる。蛍光体層３３は蛍光体がシリコンジェル又はエポキシ樹脂と混合されて形成され得る。
すなわち、蛍光体の発光が発光素子２０に吸収されて発光効率が減少する現象を防止するために、発光素子２０上にシリコンジェル又はエポキシ樹脂からなる充填材３２を充填し、その上に蛍光体とシリコンジェル又はエポキシ樹脂が混合された蛍光体層３３をコーティングすることで高効率の発光素子パッケージを実現できる。
また、前記蛍光体が含まれた蛍光体層３３が前記発光素子２０と前記充填材３２によって離隔して形成されるので、前記発光素子２０から放出される熱によって前記蛍光体の特性が変化することを防止できる。
また、前記蛍光体が含まれた蛍光体層３３が前記発光素子２０と前記充填材３２によって離隔して形成されるので、色均一度が向上し得る。
このような蛍光体層３３上にはシリコンジェル又はエポキシ樹脂を用いて図６のように、レンズ形状のモールディング部４２を形成することができる。または、図７に示すよう
に、蛍光体層３３上にモールディング部を形成しなくてもよい。
に、蛍光体層３３上にモールディング部を形成しなくてもよい。
一方、図８に示すように、発光素子２０上に充填材３４を形成する場合に分散剤又は拡散剤７０を混合することで、発光素子２０から発光される光を效率的に分散させ、樹脂の屈折率を高めて発光素子２０の光抽出を向上させることができる。
このような分散剤又は拡散剤７０はＳｉＯ２、ＴｉＯ２、及びＺｒＯ２のうち少なくと
もいずれか一つを用いることができ、充填材のみならず蛍光体層３３又はモールディング部４２を形成する際に含めてもよい。
もいずれか一つを用いることができ、充填材のみならず蛍光体層３３又はモールディング部４２を形成する際に含めてもよい。
このような充填材３４上には蛍光体が含まれた蛍光体層３３が形成されて発光素子２０から放出される光の波長を変化させることができる。
（第５実施例）
図９乃至図１１は本発明の第５実施例による発光素子パッケージを説明するための図である。
（第５実施例）
図９乃至図１１は本発明の第５実施例による発光素子パッケージを説明するための図である。
以下、図９乃至図１１に基づき本発明の第５実施例を説明する。説明されない部分は前の実施例と同じでもよい。
図９に示すように、パッケージボディ１５に具備された発光素子装着部１１に発光素子２０が装着され、このような発光素子２０はパッケージボディ１５を介して外部に連結される第１、２リードフレーム１２、１３にワイヤ１６を介して電気的に連結される。
このような発光素子２０の上側の発光素子装着部１１はシリコンジェル又はエポキシ樹脂からなるドーム（ｄｏｍｅ）形状の充填材３５で充填される。
このようなドーム形状の充填材３５は光抽出効率を向上させるためのものであり、この時、このようなドーム形状は半球（ｈｅｍｉｓｐｈｅｒｅ）形状の方がより効果的な場合もある。半球面では光の放出が光の出発角度に関係なく常に垂直の角度をなすようになる。
したがって、垂直入射角度にあたる高い透過率を得ることができ、全反射角度はこれ以上存在しなくなる。
図９では発光素子装着部１１にシリコンジェル又はエポキシ樹脂を用いてドーム形状の充填材３５を形成した後、蛍光体層の効率を上げるために充填材３５上に蛍光体を含む蛍光体層３３を形成する。
このような蛍光体層３３上にはレンズ形状のモールディング部４１を形成することができる。
一方、図１０に示すように、屈折率の高い分散剤又は拡散剤７０が混合されたシリコンジェル又はエポキシ樹脂からなるドーム形状の充填材３６を形成してもよい。
または、図１１に示す同じように、発光素子２０が装着された発光素子装着部１１にドーム形状の蛍光体層３７を形成してもよい。蛍光体層３７の屈折率はシリコンジェルよりも高いので光抽出効率を向上させるために効果的な場合がある。このようなドーム形状の蛍光体層３７上にはレンズ形状のモールディング部４１が位置し得る。
（第６実施例）
図１２乃至図１４は本発明の第６実施例による発光素子パッケージを説明するための図である。
（第６実施例）
図１２乃至図１４は本発明の第６実施例による発光素子パッケージを説明するための図である。
以下、図１２乃至図１４に基づき本発明の第６実施例を説明する。説明されない部分は前の実施例と同じでもよい。
図１２に示すように、パッケージボディ１５に具備された発光素子装着部１１に発光素子２０が装着され、このような発光素子２０はパッケージボディ１５を介して外部に連結される第１、２リードフレーム１２、１３にワイヤ１６を介して電気的に連結される。
このような発光素子２０の上側の発光素子装着部１１はシリコンジェル又はエポキシ樹脂からなるドーム形状のモールディング部４３で充填される。このモールディング部４３には蛍光体が混合されており、ディスペンス法を用いてドーム形状にモールディングして様々な色を実現することができ、レンズの役割を兼ねることができる。
図１２では発光素子装着部１１の上側のすべての空間をモールディング部４３で充填してレンズ形状まで形成した状態を示している。
一方、図１３では発光素子２０が装着された発光素子装着部１１にシリコンジェルのような物質からなる充填材３８を充填し、その上側に蛍光体を含むモールディング部４３を形成した例を示している。
この時、モールディング部４３には分散剤又は拡散剤を含めてもよい。
図１４では発光素子装着部１１に充填材３８を形成するが、パッケージボディ１５のより高い部分まで充填材３８を充填し、その上側に蛍光体を含むレンズ形状のモールディング部４４を形成した状態を示している。
このように、図１４に示す例でのモールディング部４４はレンズ形状に製作されてもよい。
上述したように、本発明は発光素子パッケージを製作する際、充填材及びレンズ形状を形成するにおいて、別途製作したレンズを付着することもでき、シリコンジェル又はエポキシ樹脂を塗布する過程でディスペンス法でレンズ形状を製造することができるので追加的な工程を行うことなく発光効率を増大させることができる構造を提供する。
したがって、本発明の発光素子パッケージは、特に、高出力、高効率を必要とする装飾照明、一般照明、自動車電装、ＬＣＤ用バックライトなどに適用できる。
上述した実施例は本発明の技術的思想を具体的に説明するための一例であり、本発明は上述した実施例に限定されるものではなく、様々な形態への変形が可能であり、当然のことながら、このような技術的思想の様々な実施の形態は、すべて本発明の保護範囲内に含まれるものである。
本発明の実施例による発光素子パッケージは、照明装置のみならず様々な電子機器の光源として用いることができる。
Claims (20)
- パッケージボディと、
前記パッケージボディの外側に連結された電極と、
前記パッケージボディに配置され、前記電極に電気的に連結された発光素子と、
前記発光素子の上に配置され、蛍光体を含む蛍光層と、
前記蛍光層の上に配置されたレンズと、
前記発光素子の下に配置された熱放出部と、を含み、
前記発光素子はフリップチップ発光素子であることを特徴とする発光素子パッケージ。 - 前記パッケージボディは、前記電極の下に配置された中心領域、前記中心領域の上部エッジから突出する上部領域及び前記中心領域の下部のエッジから突出する下部領域を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光素子パッケージ。
- 前記パッケージボディの前記中心領域は、前記電極と前記熱放出部の間に配置されることを特徴とする請求項２に記載の発光素子パッケージ。
- 前記パッケージボディの前記中心領域の厚さは、前記パッケージボディの厚さより薄いことを特徴とする請求項２または３に記載の発光素子パッケージ。
- 前記パッケージボディの前記下部領域の幅は、前記パッケージボディの前記上部領域の幅より小さいことを特徴とする請求項２〜４のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
- 前記電極は、前記パッケージボディの前記上部領域と前記パッケージボディの前記中心領域によって囲まれることを特徴とする請求項２〜５のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
- 前記熱放出部は、前記パッケージボディの前記中心領域と前記パッケージボディの前記下部領域によって囲まれることを特徴とする請求項２〜６のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
- 前記電極は、前記熱放出部と垂直に重なる内部領域と、前記熱放出部と重ならない外部領域とを含む請求項１〜７のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
- 前記電極の前記外部領域は、前記電極の前記内部領域から外部に延長され、前記パッケージボディの外側面の近傍に配置されることを特徴とする請求項８に記載の発光素子パッケージ。
- 前記発光素子は、前記熱放出部に電気的に連結されないことを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
- 前記蛍光層は前記電極と接触することを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
- 前記熱放出部の厚さは前記電極の厚さより大きいことを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
- 前記レンズは前記発光素子から離隔することを特徴とする請求項１〜１２に記載の発光素子パッケージ。
- 前記熱放出部は銅を含むことを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
- 前記蛍光層は前記発光素子の表面及び側面と接触することを特徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
- パッケージボディと、
前記パッケージボディの外側に連結された電極と、
前記パッケージボディに配置され、前記電極に電気的に連結された発光素子と、
前記発光素子の上に配置され、蛍光体を含む蛍光層と、
前記蛍光層の上に配置されたレンズと、
前記発光素子の下に配置された熱放出部と、を含み、
前記蛍光層は前記電極と接触し、
前記発光素子はフリップチップ発光素子であることを特徴とする発光素子パッケージ。 - 前記発光素子は、前記熱放出部に電気的に連結されないことを特徴とする請求項１６に記載の発光素子パッケージ。
- 前記電極と前記熱放出部中の少なくとも一つの上面上に配置された反射層をさらに含むことを特徴とする請求項１６または１７に記載の発光素子パッケージ。
- 前記レンズは前記発光素子から離隔することを特徴とする請求項１６〜１８のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
- 前記蛍光層は、前記発光素子の表面及び側面と接触することを特徴とする請求項１６〜１９のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
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Families Citing this family (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100880638B1 (ko) * | 2007-07-06 | 2009-01-30 | 엘지전자 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
| KR100888236B1 (ko) * | 2008-11-18 | 2009-03-12 | 서울반도체 주식회사 | 발광 장치 |
| TWI403005B (zh) * | 2009-10-12 | 2013-07-21 | Intematix Technology Ct Corp | 發光二極體及其製作方法 |
| KR100986468B1 (ko) | 2009-11-19 | 2010-10-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 렌즈 및 렌즈를 갖는 발광 장치 |
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| KR101258586B1 (ko) * | 2009-12-21 | 2013-05-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광다이오드 패키지 및 이의 제조방법 |
| CN101867008B (zh) * | 2010-05-17 | 2012-11-21 | 中山大学佛山研究院 | 一种可自释放应力的led封装模块 |
| KR101147614B1 (ko) * | 2010-06-16 | 2012-05-23 | 솔레즈 주식회사 | 발광 다이오드 칩 패키지 |
| TWI505509B (zh) * | 2010-06-21 | 2015-10-21 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 發光二極體及光源模組 |
| FI20106001A0 (fi) * | 2010-09-28 | 2010-09-28 | Kruunutekniikka Oy | Menetelmä sähköisen toimilaitteen valmistukseen |
| KR101107851B1 (ko) | 2010-11-12 | 2012-02-07 | 삼성엘이디 주식회사 | 형광체 자동 배합기 및 형광체 자동 배합 방법 |
| KR101618029B1 (ko) * | 2010-12-06 | 2016-05-09 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 패키지 및 그 제조방법 |
| KR101626412B1 (ko) | 2010-12-24 | 2016-06-02 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
| CN102610602A (zh) * | 2011-01-25 | 2012-07-25 | 四川柏狮光电技术有限公司 | 单一封装材质高解析度led光源及其制备工艺 |
| JP5666962B2 (ja) * | 2011-03-28 | 2015-02-12 | 日東電工株式会社 | 発光ダイオード装置およびその製造方法 |
| KR101896661B1 (ko) * | 2011-10-28 | 2018-09-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지, 백라이트 유닛 및 영상표시장치 |
| CN102447049B (zh) * | 2011-12-31 | 2013-08-14 | 杭州电子科技大学 | 一种基于cob封装技术的led封装结构及led照明装置 |
| KR20130107536A (ko) * | 2012-03-22 | 2013-10-02 | 삼성전자주식회사 | Ｌｅｄ패키지 및 그 제조방법 |
| CN103050606A (zh) * | 2013-01-11 | 2013-04-17 | 华南师范大学 | 一种高显色指数大功率led封装结构及其制造方法 |
| JP6303738B2 (ja) * | 2013-04-12 | 2018-04-04 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| KR20140140836A (ko) | 2013-05-30 | 2014-12-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
| JP6212989B2 (ja) * | 2013-06-28 | 2017-10-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
| JP6179854B2 (ja) * | 2013-07-23 | 2017-08-16 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 照明器具 |
| SG10201705797UA (en) * | 2013-09-10 | 2017-08-30 | Heptagon Micro Optics Pte Ltd | Compact opto-electronic modules and fabrication methods for such modules |
| DE102013225552A1 (de) * | 2013-12-11 | 2015-06-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
| CN103633234A (zh) * | 2013-12-18 | 2014-03-12 | 苏州东山精密制造股份有限公司 | Led封装结构及封装方法 |
| EP3103143B1 (en) * | 2014-02-06 | 2023-09-06 | Lumileds LLC | Light emitting diode with structured substrate |
| DE102014019242A1 (de) | 2014-12-19 | 2016-06-23 | Audi Ag | Anzeigeelement für ein Kraftfahrzeug, Anzeigeeinrichtung mit einem solchen Anzeigenelement, Kraftfahrzeug und Verfahren zum Erzeugen eines Anzeigeelements |
| DE102015112042B4 (de) * | 2015-07-23 | 2021-07-01 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronische Leuchtvorrichtung |
| KR101778848B1 (ko) * | 2015-08-21 | 2017-09-14 | 엘지전자 주식회사 | 발광소자 패키지 어셈블리 및 이의 제조 방법 |
| JP2017112211A (ja) * | 2015-12-16 | 2017-06-22 | 豊田合成株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| CN106324905A (zh) * | 2016-08-31 | 2017-01-11 | 张家港康得新光电材料有限公司 | 一种量子点发光器件及背光模组 |
| US10707277B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-07-07 | Vuereal Inc. | Method of integrating functional tuning materials with micro devices and structures thereof |
| JP2018064007A (ja) * | 2016-10-12 | 2018-04-19 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、および電子装置 |
| DE102017105035A1 (de) * | 2017-03-09 | 2018-09-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lichtemittierendes bauteil und verfahren zum herstellen eines lichtemittierenden bauteils |
| WO2019158648A1 (en) * | 2018-02-19 | 2019-08-22 | Signify Holding B.V. | Sealed device with light engine |
| DE102018104382A1 (de) * | 2018-02-27 | 2019-08-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauelement und herstellungsverfahren |
| JP7231809B2 (ja) * | 2018-06-05 | 2023-03-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| CN111341750B (zh) * | 2018-12-19 | 2024-03-01 | 奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司 | 包括有导电基部结构的部件承载件及制造方法 |
| KR20200112369A (ko) * | 2019-03-22 | 2020-10-05 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 패키지 |
| US20220246809A1 (en) * | 2019-05-23 | 2022-08-04 | Vuereal Inc. | Method of integrating functional tuning materials with micro devices and structures thereof |
| CN112768592A (zh) * | 2021-01-25 | 2021-05-07 | 赣州和晟精密电子有限公司 | 一种led支架 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005197633A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-21 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 高出力発光ダイオードパッケージ及び製造方法 |
| WO2006059828A1 (en) * | 2004-09-10 | 2006-06-08 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode package having multiple molding resins |
| WO2006098545A2 (en) * | 2004-12-14 | 2006-09-21 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting device having a plurality of light emitting cells and package mounting the same |
| JP2007116138A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-05-10 | Lexedis Lighting Gmbh | 発光装置 |
| JP2007142474A (ja) * | 2003-04-24 | 2007-06-07 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2008098600A (ja) * | 2006-10-11 | 2008-04-24 | Alti Electronics Co Ltd | 発光ダイオードパッケージ |
| JP2010532929A (ja) * | 2007-07-06 | 2010-10-14 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 発光素子パッケージ |
Family Cites Families (49)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07254732A (ja) * | 1994-03-15 | 1995-10-03 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
| DE19755734A1 (de) * | 1997-12-15 | 1999-06-24 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes |
| DE19918370B4 (de) | 1999-04-22 | 2006-06-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED-Weißlichtquelle mit Linse |
| US6517218B2 (en) * | 2000-03-31 | 2003-02-11 | Relume Corporation | LED integrated heat sink |
| EP1187226B1 (en) | 2000-09-01 | 2012-12-26 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Surface-mount type light emitting diode and method of manufacturing same |
| US6614103B1 (en) | 2000-09-01 | 2003-09-02 | General Electric Company | Plastic packaging of LED arrays |
| KR100419611B1 (ko) * | 2001-05-24 | 2004-02-25 | 삼성전기주식회사 | 발광다이오드 및 이를 이용한 발광장치와 그 제조방법 |
| US6791116B2 (en) * | 2002-04-30 | 2004-09-14 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting diode |
| JP2003324215A (ja) | 2002-04-30 | 2003-11-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光ダイオードランプ |
| CN2563753Y (zh) * | 2002-08-09 | 2003-07-30 | 佛山市光电器材公司 | 功率型发光二极管 |
| KR20040044701A (ko) | 2002-11-21 | 2004-05-31 | 삼성전기주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
| KR100524656B1 (ko) * | 2003-09-30 | 2005-10-31 | 서울반도체 주식회사 | 다색 발광다이오드 패키지 및 다색 발광다이오드 시스템 |
| WO2004107461A1 (en) | 2003-05-28 | 2004-12-09 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode package and light emitting diode system having at least two heat sinks |
| JP2005183900A (ja) * | 2003-10-30 | 2005-07-07 | Kyocera Corp | 発光装置および照明装置 |
| JP2005159045A (ja) | 2003-11-26 | 2005-06-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体発光素子搭載部材とそれを用いた発光ダイオード |
| JP2005252219A (ja) * | 2004-02-06 | 2005-09-15 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置及び封止部材 |
| US7279346B2 (en) * | 2004-03-31 | 2007-10-09 | Cree, Inc. | Method for packaging a light emitting device by one dispense then cure step followed by another |
| EP1587151A3 (en) | 2004-04-17 | 2011-09-28 | LG Electronics, Inc. | Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof |
| JP2005317661A (ja) | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Sharp Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| JP2005332963A (ja) | 2004-05-19 | 2005-12-02 | Shoei Chem Ind Co | 発光装置 |
| US20050264194A1 (en) * | 2004-05-25 | 2005-12-01 | Ng Kee Y | Mold compound with fluorescent material and a light-emitting device made therefrom |
| US7456499B2 (en) * | 2004-06-04 | 2008-11-25 | Cree, Inc. | Power light emitting die package with reflecting lens and the method of making the same |
| JP4359195B2 (ja) | 2004-06-11 | 2009-11-04 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット |
| JP4254669B2 (ja) | 2004-09-07 | 2009-04-15 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
| JP4432724B2 (ja) * | 2004-10-22 | 2010-03-17 | パナソニック電工株式会社 | 照明光源の製造方法および照明光源 |
| US7119422B2 (en) * | 2004-11-15 | 2006-10-10 | Unity Opto Technology Co., Ltd. | Solid-state semiconductor light emitting device |
| WO2006065007A1 (en) | 2004-12-16 | 2006-06-22 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Leadframe having a heat sink supporting ring, fabricating method of a light emitting diodepackage using the same and light emitting diodepackage fabbricated by the method |
| JP5373244B2 (ja) | 2005-02-24 | 2013-12-18 | 株式会社朝日ラバー | 発光ダイオード用レンズ部品及び発光ダイオード光源装置 |
| KR101142519B1 (ko) | 2005-03-31 | 2012-05-08 | 서울반도체 주식회사 | 적색 형광체 및 녹색 형광체를 갖는 백색 발광다이오드를채택한 백라이트 패널 |
| JP2006324438A (ja) | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Hitachi Cable Precision Co Ltd | ヒートシンク付表面実装型ｌｅｄパッケージの製造方法 |
| WO2007015732A2 (en) * | 2005-08-01 | 2007-02-08 | Intex Recreation Corp. | A method of varying the color of light emitted by a light-emitting device |
| KR100601891B1 (ko) | 2005-08-04 | 2006-07-19 | 삼성전자주식회사 | Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법 |
| US7646035B2 (en) * | 2006-05-31 | 2010-01-12 | Cree, Inc. | Packaged light emitting devices including multiple index lenses and multiple index lenses for packaged light emitting devices |
| JP2007067326A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 発光ダイオード及びその製造方法 |
| KR100665262B1 (ko) * | 2005-10-20 | 2007-01-09 | 삼성전기주식회사 | 발광다이오드 패키지 |
| JP2007123438A (ja) * | 2005-10-26 | 2007-05-17 | Toyoda Gosei Co Ltd | 蛍光体板及びこれを備えた発光装置 |
| JP3120556U (ja) | 2005-11-29 | 2006-04-13 | 東貝光電科技股▲ふん▼有限公司 | 混合光発光ダイオード構造 |
| KR101101476B1 (ko) * | 2005-12-12 | 2012-01-03 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광 장치 및 반도체 장치와 그 제조 방법 |
| JP4847793B2 (ja) | 2006-06-01 | 2011-12-28 | 京セラ株式会社 | 発光装置 |
| US7960819B2 (en) * | 2006-07-13 | 2011-06-14 | Cree, Inc. | Leadframe-based packages for solid state emitting devices |
| US7889421B2 (en) * | 2006-11-17 | 2011-02-15 | Rensselaer Polytechnic Institute | High-power white LEDs and manufacturing method thereof |
| US7597468B2 (en) * | 2007-03-23 | 2009-10-06 | Promate Electronic Co., Ltd. | Light source of side-edge type LED backlight unit |
| WO2009003176A1 (en) * | 2007-06-27 | 2008-12-31 | The Regents Of The University Of California | Optical designs for high-efficacy white-light emitting diodes |
| JP5251038B2 (ja) | 2007-08-23 | 2013-07-31 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
| KR101028329B1 (ko) * | 2010-04-28 | 2011-04-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 그 제조방법 |
| CN102893701B (zh) * | 2010-05-04 | 2016-05-04 | 吉可多公司 | 具有用于发送关联信息的通信端口的led照明装置 |
| KR101114197B1 (ko) * | 2010-08-09 | 2012-02-22 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템 |
| US8198109B2 (en) * | 2010-08-27 | 2012-06-12 | Quarkstar Llc | Manufacturing methods for solid state light sheet or strip with LEDs connected in series for general illumination |
| US9240530B2 (en) * | 2012-02-13 | 2016-01-19 | Cree, Inc. | Light emitter devices having improved chemical and physical resistance and related methods |
-
2007
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Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007142474A (ja) * | 2003-04-24 | 2007-06-07 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2005197633A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-21 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 高出力発光ダイオードパッケージ及び製造方法 |
| WO2006059828A1 (en) * | 2004-09-10 | 2006-06-08 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode package having multiple molding resins |
| WO2006098545A2 (en) * | 2004-12-14 | 2006-09-21 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting device having a plurality of light emitting cells and package mounting the same |
| JP2007116138A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-05-10 | Lexedis Lighting Gmbh | 発光装置 |
| JP2008098600A (ja) * | 2006-10-11 | 2008-04-24 | Alti Electronics Co Ltd | 発光ダイオードパッケージ |
| JP2010532929A (ja) * | 2007-07-06 | 2010-10-14 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 発光素子パッケージ |
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