JP2005317661A - 半導体発光装置およびその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】 リードフレーム上に発光素子が搭載された半導体発光装置であって、出力光の指向特性を調整しながら、または、リードフレームの強度を確保しながら小型化が図られた半導体発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体発光装置は、LED素子2と、LED素子2が搭載されるリードフレーム10Aと、ワイヤ3を介してLED素子2と電気的に接続されるリードフレーム10Bと、LED素子2上およびリードフレーム1(10A,10B)上に形成された透明樹脂部4と、LED素子2の周囲を取り囲み、透明樹脂4よりも高い反射率を有する遮光樹脂部7とを備える。透明樹脂部4は、LED素子2上でレンズを形成するレンズ部分4Aと、リードフレーム1を保持する保持部分4Bとを有する。
【選択図】 図5

Description

本発明は、半導体発光装置およびその製造方法に関し、特に、LED(Light Emitting Diode)などの発光素子を用いた半導体発光装置およびその製造方法に関する。
LED(Light Emitting Diode)などの発光素子を用いた半導体発光装置が従来から知られている。
たとえば、特開平11−87780号公報(従来例1)においては、発光素子と、これを搭載する搭載用リードフレームと、発光素子に導線を介して接続される結線用リードフレームと、各リードフレームの大部分を覆う成型体とを備え、各リードフレームは、互いに対向配置され、成型体を貫通して外部に突出することを特徴とする発光装置が開示されている。
また、特開2001−185763号公報(従来例2)においては、光半導体素子と、光半導体素子を主面に実装するリードフレームと、遮光性樹脂により成型され、光半導体素子を覆うように配設された第1の樹脂成型体(レンズ)と、遮光性樹脂により成型され、リードフレームのインナーリード部を支持する底部と第1の樹脂成型体を支持する側部とを有する第2の樹脂成型体(ケース)とを備え、リードフレームの裏面のうち光半導体素子の実装領域に対応する領域が第2樹脂成型体の底部を貫通して外部に露出するように形成されて第1の放熱領域をなし、アウターリード部が第2の放熱領域をなすようにリードフレームが形成された光半導体パッケージが開示されている。
また、特開平6−334224号公報(従来例3)においては、プリント基板にLEDチップが装着されるステップと、プリント基板に対して1対の成型型が設置されるステップと、LEDチップ装着面側に位置する成型型におけるレンズ特性に影響を及ぼさない位置からモールド用の合成樹脂を注入するステップとを備えたLED発光装置の製造方法が開示されている。ここで、プリント基板には、LEDチップに近接する位置に貫通孔が設けられている。
特開平11−87780号公報 特開2001−185763号公報 特開平6−334224号公報
しかしながら、上記のような半導体発光装置においては、以下のような問題があった。
従来例1においては、半導体発光素子の厚みが小さくなると、成型体により形成されるすり鉢状の凹部の深さが浅くなり、結果として、出力光の放射角が広くなる。このように、発光素子を小型化した場合に、指向特性の調整が一部阻害される場合がある。
これに対し、従来例2,3においては、プリント基板またはリードフレーム上において、透明樹脂からなるレンズが形成されている。これにより、出力光の放射角を狭くし、軸上光度を向上させることができる。
しかしながら、従来例2,3のようにレンズを形成する場合、発光素子(LEDチップ)および導線を覆う程度にレンズの高さを確保する必要がある。結果として、発光素子の小型化が制限される場合がある。
また、上記とは別の観点では、従来例2においては、第2の樹脂成型体によってリードフレームを固定している。この固定強度を確保するために、第2の樹脂成型体が比較的大型化し、結果として、発光素子の小型化が制限される場合がある。なお、従来例3においては、リードフレームを用いる思想は開示されていない。
本発明は、上記のような問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、リードフレーム上に発光素子が搭載された半導体発光装置であって、出力光の指向特性を調整しながら、または、リードフレームの強度を確保しながら小型化が図られた半導体発光装置およびその製造方法を提供することにある。
本発明に係る半導体発光装置は、半導体発光素子と、半導体発光素子が搭載される第1リードフレームと、ワイヤを介して半導体発光素子と電気的に接続される第2リードフレームと、半導体発光素子上および第1と第2リードフレーム上に形成された透光性樹脂部とを備え、透光性樹脂部は、半導体発光素子上でレンズを形成するレンズ部分と、第1と第2リードフレームを保持する保持部分とを有する。
この半導体発光装置においては、透光性樹脂部によりレンズを形成しながら第1と第2リードフレームを保持することで、リードフレームの強度を確保しながら装置の小型化を図ることができる。
レンズ部分の幅は保持部分の幅よりも小さいことが好ましい。
これにより、レンズ部分が軸上光度を向上させる機能を発揮しながら、保持部分がリードフレームを固定する機能を発揮できる。レンズ部分を比較的小さくすることで、発光装置の小型化を図ることができる。
第1リードフレームの先端部と第2リードフレームの先端部とで凹部を形成し、半導体発光素子は凹部の底面上に設けられ、保持部分は凹部の少なくとも一部を受け入れることが好ましい。
これにより、発光装置の高さを低減し、さらに小型化を図ることができる。
半導体発光素子は、レンズ部分の光軸上に設けられることが好ましい。
これにより、指向特性を容易に調整することができる。
第1リードフレームにおける半導体発光素子が搭載された部分の裏面は、透光性樹脂部の外側に露出していることが好ましい。
これにより、発光装置の放熱性を高めることができる。
半導体発光装置の周囲を取り囲み、透光性樹脂部よりも高い反射率を有する遮光性樹脂部が形成されることが好ましい。
出力光を遮光性樹脂で反射させることにより、該出力光の指向性をさらに容易に調整することができる。
透光性樹脂部に光を散乱する散乱材を混入させてもよい。
これにより、出力光における光強度のむらを低減することができる。
本発明に係る半導体発光装置の製造方法は、インサート成型により、第1と第2リードフレームを保持し、第1リードフレーム上に搭載された半導体発光素子上でレンズを形成する透光性樹脂部を形成する工程と、半導体発光素子およびレンズの周囲に金型を設け、該金型を用いて半導体素子の周囲を取り囲む遮光性樹脂部を形成する工程とを備える。
これにより、軸上光度を向上させながら、または、リードフレームの強度を確保しながら小型化が図られた半導体発光装置を得ることができる。
本発明によれば、出力光の指向特性を調整しながら、または、リードフレームの強度を確保しながら半導体発光装置の小型化を図ることができる。
以下に、本発明に基づく半導体発光装置およびその製造方法の実施の形態について、図1から図6を用いて説明する。
図5は、本発明の1つの実施の形態に係る半導体発光装置を示した断面図である。
本実施の形態に係る半導体発光装置は、図5に示すように、LED素子2(半導体発光素子)と、LED素子2が搭載されるリードフレーム10A(第1リードフレーム)と、ワイヤ3を介してLED素子2と電気的に接続されるリードフレーム10B(第2リードフレーム)と、LED素子2上およびリードフレーム1(10A,10B)上に形成された透明樹脂部4(透光性樹脂部)と、LED素子2の周囲を取り囲み、透明樹脂4よりも高い反射率を有する遮光樹脂部7(遮光性樹脂部)とを備える。透明樹脂部4は、LED素子2上でレンズを形成するレンズ部分4Aと、リードフレーム1を保持する保持部分4Bとを有する。
リードフレーム1の先端部は、透明樹脂4内に挿入されている。これにより、透明樹脂部4がリードフレーム1の先端部を固定し、遮光樹脂部7を比較的小さく形成した場合でも、リードフレーム1の先端部周辺の強度を確保することができる。結果として、リードフレーム1の先端部周辺の強度を確保しながら半導体発光装置の小型化を図ることができる。
レンズ部分4Aは、凸レンズ形状を有する。また、LED素子2は、レンズ部分4Aの光軸40上に設けられている。これにより、半導体発光装置における出力光の指向特性を容易に調整することができる。具体的には、レンズ部分4Aによって、出力光の軸上光度を向上させることができる。
保持部分4Bは、逆台形状の断面形状を有し、遮光樹脂部7におけるすり鉢状の凹部7Aに受け入れられる。また、ワイヤ3とリードフレーム10Bとの接続部においては、それらが互いに外れないように、ワイヤ3が該ワイヤ3上から別のワイヤ(図示せず)で押さえられ、その別のワイヤの他端はリードフレーム10Bの別の場所に固定されることが望ましい。この図示しない別のワイヤは、通常、ステッチワイヤと呼ばれる。
なお、出力光における光強度のむらを低減するために、透明樹脂部4に光を散乱するフィラー(散乱材)が混入されてもよい。
ところで、レンズ部分4Aを保護する観点から、遮光樹脂部7の頂面の高さは、レンズ部分4Aの頂面の高さよりも(たとえば0.2mm程度)高いことが望ましい。一方で、レンズ部分4Aは、LED素子2およびワイヤ3を覆うことが好ましいため、レンズ部分4Aは、ある程度の厚みを有することになる。
本実施の形態においては、図5に示すように、リードフレーム10A,10Bの先端部で凹部1Cを形成し、凹部1Cの底面上にLED素子2が設けられている。なお、透明樹脂部4における保持部分4Bは、凹部1Cの少なくとも一部を受け入れている。
これにより、レンズ部分4Aの厚みをある程度確保した上で、該レンズ部分4Aの頂面の高さを低減し、併せて遮光樹脂部7の頂面の高さを低減し、結果として、半導体発光装置の小型化を図ることができる。
LED素子2においては、一般的には、その上面から出力される光量よりもその側面から出力される光量の方が大きい。LED素子2の側面から出力された光は、凹部1Cの壁面において反射し、最終的に指向角内の光として有効に利用される。また、リードフレーム10A,10B間の隙間から保持部分4Bに達した光は、保持部分4Bと遮光樹脂部7との界面において反射し、レンズ部分4Aに達し、最終的に大部分が指向角内の光として有効に利用される。
また、レンズ部分4Aの幅(図5中のL1)は保持部分4Bの幅(図5中のL2)よりも小さい。
レンズ部分4Aの幅が大きくなると、その厚みも大きくなる傾向にある。一方で、リードフレーム1の強度確保のためには、ある程度の保持部分4Bの幅が必要である。
上記のように、L1<L2とすることで、半導体発光装置を小型化しながら、リードフレーム1の先端部周辺の強度を確保することができる。
次に、図5に示す半導体発光装置の製造方法について説明する。
図1は、本実施の形態に係る半導体発光装置の製造に用いる金属板1Aを示した上面図である。
図1を参照して、金属板1Aは、熱伝導性に優れた銅合金からなる金属薄板である。金属板1A上には、複数素子のリードフレームが縦横に並んで形成されている。これらのリードフレームを分離することで、個々の素子が形成される。なお、リードフレーム10A,10Bを分離する溝が、型抜きにより設けられている。
図2は、図1に示す金属板から形成されたリードフレームにLED素子2を搭載した状態を示す上面図である。なお、図2においては、図示および説明の便宜上、リードフレーム形成部分にハッチングが付されている。
図2を参照して、LED素子2は、一辺が0.2mm以上1.0mm以下程度である四角形の平面形状を有する。LED素子は、溝により分断された一方のリードフレーム上に設置され、ワイヤ3は、LED素子2と他方のリードフレームとを接続する。双方のリードフレーム間の隙間は、リードフレームの厚みと同程度か若干小さい。リードフレームの厚みが0.3mm以上0.5mm以下程度であるので、上記隙間は0.25mm程度となる。なお、リードフレーム2およびワイヤ3は、リードフレーム上に設けられた凹部1Cの底面1D上に設けられる。凹部1Cの周辺には、孔1Bが設けられる。孔1Bが設置されることにより、後に形成される遮光樹脂部7が孔1Bを貫通して形成され、リードフレームが遮光樹脂部7から抜けるのを抑制することができる。
図3は、図2におけるIII−III断面のうち、LED素子2の周辺を示した拡大断面図である。
図3を参照して、LED素子2は、Agペースト2Aを介してリードフレーム10A上に設置されている。レンズ部分4AによってLED素子2およびワイヤ3を覆いながら、リードフレーム10A,10Bを保持部分4Bで受け入れるように透明樹脂部4が形成される。透明樹脂部4は、トランスファ成型法(インサート成型)を用いて成型される。トランスファ成型法を用いることにより、レンズ部分4Aの形状を精密に加工することができる。なお、透明樹脂部4としては、たとえば、エポキシ樹脂、シリコン樹脂などが用いられる。
図4は、LED素子2が搭載されたリードフレーム1(10A,10B)に、遮光樹脂部7を形成するための金型5を設けた状態を示す断面図である。
図4を参照して、遮光樹脂部7を形成する際には、金型5によってレンズ部分4Aが保護される。遮光性樹脂7は、典型的には、インジェクションモールド法によって形成されるが、インジェクションモールド法においては、流動性の低い樹脂が使用されるため、レンズ部分4Aと金型5との間に樹脂が入り込まないようにすることは容易である。これにより、レンズ部分4Aが高温の樹脂に触れることにより損傷するのを抑制することができる。
遮光樹脂部7は、透明樹脂部4の底面および側面を覆うように形成される。遮光樹脂部7としては、可視光に対する反射率が高いものを用いることが望ましく、たとえば液晶ポリマー、ポリフェニレンサルファイド、ポリフタルアミド樹脂(製品名:アモデル(R))、ナイロンなどが用いられる。反射率を高くする観点から、遮光樹脂部7として白色の樹脂を用いることがさらに望ましい。これにより、リードフレームの隙間から透明樹脂部4と遮光樹脂部7との界面に達した光が反射され、最終的に半導体発光装置の指向角内に出力され、結果として、半導体発光装置の発光効率が向上する。
上述した内容について要約すると、以下のようになる。
本実施の形態に係る半導体発光装置の製造方法は、トランスファ成型法(インサート成型)により、リードフレーム1(第1と第2リードフレーム)を保持し、リードフレーム10A上に搭載されたLED素子2(半導体発光素子)上でレンズ部分4Aを形成する透明樹脂部4(透光性樹脂部)を形成する工程(図3)と、LED素子2およびレンズ部分4Aの周囲に金型5を設け、金型5を用いてLED素子2の周囲を取り囲む遮光樹脂部7(遮光性樹脂部)を形成する工程(図4,図5)とを備える。
上述した半導体発光装置の変形例について、以下に説明する。
図6は、図5に示す半導体発光装置の変形例を示す断面図である。
図6を参照して、本変形例においては、リードフレーム10AにおけるLED素子2が搭載された部分の裏面上の樹脂部4B,7に凹部8が設けられ、当該部分のリードフレーム10Aが透明樹脂部4の外側に露出している。
これにより、LED素子2から発生する熱を外部に逃がしやすく(放熱特性を向上)させ、発光効率を向上させ、発光素子におけるエネルギー消費量を抑えることができる。
また、リードフレーム10Aにおける露出部分と放熱体(図示せず)との間に、シリコングリースなどの熱伝導性の高い材料を充填することで、放熱特性はさらに向上する。
図5,図6においては、LED素子2を1つだけ設ける構造について説明したが、1つの半導体発光装置に複数のLED素子が搭載されてもよい。また、レンズ部分4Aの形状は凸レンズに限定されるものではなく、凹レンズ形状を有するものであってもよい。凹レンズを形成した場合、出力光の指向角は広くなるが、全出射光量を大きくすることができる。
さらに、遮光樹脂部7により形成される反射体の形状についても、すり鉢状(円錐台形状)ではなく、楕円錐台形状とすることができる。これにより、反射特性に異方性をもたせることができる。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、今回開示された実施の形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
本発明の1つの実施の形態に係る半導体発光装置の製造に用いる金属板を示した上面図である。 図1に示す金属板から形成されたリードフレームにLED素子を搭載した状態を示す上面図である。 図2におけるIII−III断面のうち、LED素子周辺を示した拡大断面図である。 LED素子が搭載されたリードフレームに、遮光樹脂部を形成するための金型を設けた状態を示す断面図である。 本発明の1つの実施の形態に係る半導体発光装置を示した断面図である。 本発明の1つの実施の形態に係る半導体発光装置の変形例を示した断面図である。
符号の説明
1 リードフレーム、1A 金属板、1B 孔、1C 凹部(リードフレーム)、1D 底面、2 LED素子、2A Agペースト、3 ワイヤ、4 透明樹脂部、4A レンズ部分、4B 保持部分、5 金型、7 遮光樹脂部、7A 凹部(遮光樹脂部)、8 凹部(リードフレーム裏面)、40 光軸。

Claims (8)

  1. 半導体発光素子と、
    前記半導体発光素子が搭載される第1リードフレームと、
    ワイヤを介して前記半導体発光素子と電気的に接続される第2リードフレームと、
    前記半導体発光素子上および前記第1と第2リードフレーム上に形成された透光性樹脂部とを備え、
    前記透光性樹脂部は、前記半導体発光素子上でレンズを形成するレンズ部分と、前記第1と第2リードフレームを保持する保持部分とを有する半導体発光装置。
  2. 前記レンズ部分の幅は前記保持部分の幅よりも小さい、請求項1に記載の半導体発光装置。
  3. 前記第1リードフレームの先端部と第2リードフレームの先端部とで凹部を形成し、
    前記半導体発光素子は前記凹部の底面上に設けられ、
    前記保持部分は前記凹部の少なくとも一部を受け入れる、請求項1または請求項2に記載の半導体発光装置。
  4. 前記半導体発光素子は、前記レンズ部分の光軸上に設けられる、請求項1から請求項3のいずれかに記載の半導体発光装置。
  5. 前記第1リードフレームにおける前記半導体発光素子が搭載された部分の裏面は、前記透光性樹脂部の外側に露出した、請求項1から請求項4のいずれかに記載の半導体発光装置。
  6. 前記半導体発光装置の周囲を取り囲み、前記透光性樹脂部よりも高い反射率を有する遮光性樹脂部が形成される、請求項1から請求項5のいずれかに記載の半導体発光装置。
  7. 前記透光性樹脂部に光を散乱する散乱材を混入させた、請求項1から請求項6のいずれかに記載の半導体発光装置。
  8. インサート成型により、第1と第2リードフレームを保持し、前記第1リードフレーム上に搭載された半導体発光素子上でレンズを形成する透光性樹脂部を形成する工程と、
    前記半導体発光素子および前記レンズの周囲に金型を設け、該金型を用いて前記半導体素子の周囲を取り囲む遮光性樹脂部を形成する工程とを備えた半導体発光装置の製造方法。
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