KR100665262B1 - 발광다이오드 패키지 - Google Patents

발광다이오드 패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR100665262B1
KR100665262B1 KR1020050099327A KR20050099327A KR100665262B1 KR 100665262 B1 KR100665262 B1 KR 100665262B1 KR 1020050099327 A KR1020050099327 A KR 1020050099327A KR 20050099327 A KR20050099327 A KR 20050099327A KR 100665262 B1 KR100665262 B1 KR 100665262B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting diode
resin
package
storage groove
Prior art date
Application number
KR1020050099327A
Other languages
English (en)
Inventor
류영호
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020050099327A priority Critical patent/KR100665262B1/ko
Priority to TW095135477A priority patent/TW200721550A/zh
Priority to DE102006046448A priority patent/DE102006046448B4/de
Priority to JP2006272038A priority patent/JP2007116146A/ja
Priority to US11/543,232 priority patent/US20070090382A1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100665262B1 publication Critical patent/KR100665262B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations

Abstract

본 발명은 발광다이오드 패키지에 관한 것으로서, 특히 발광다이오드 칩을 봉지하기 위해 수지를 도포하는 발광다이오드 패키지에 관한 것이다.
본 발명에 따른 발광다이오드 패키지는 측벽으로 둘러싸인 실장부를 가지며 상기 실장부의 바닥면에 리드 전극이 배치된 패키지 본체와, 상기 리드 전극에 전기적으로 연결되도록 상기 실장부의 바닥면에 탑재된 발광다이오드 칩과, 상기 발광다이오드 칩을 포장하도록 상기 실장부에 충전된 수지포장부와, 사전에 설정된 높이의 수지포장부를 형성하는데 초과되는 잉여수지가 안내되어 수용될 수 있도록 상기 패키지 본체 측벽의 상면에 형성된 잉여수지저장부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면 발광다이오드 패키지의 측벽 상면에 저장용 홈을 구비하고, 상기 저장용 홈에 잉여 수지를 안내하는 안내용 홈을 구비하여 초과된 잉여 수지를 저장용 홈에 안내하여, 주입되는 액상수지량에 관계없이 균일한 색도분포를 갖는 발광 다이오드 패키지를 제공할 수 있다.
발광 다이오드(light emitting diode: LED), 패키지(package), 수지포장(resin encapsulation)

Description

발광다이오드 패키지 {LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE}
도1은 종래의 발광다이오드 패키지의 측단면도이다.
도2a 및 도2b는각각 본 발명의 일실시형태에 따른 발광다이오드 패키지의 측단면도 및 상부 평면도이다.
도3은 도2b에 도시된 패키지구조에서 액상수지의 초과 공급시 잉여수지의 유동을 나타내는 개략도이다.
도4a 및 도4b는 각각 본 발명의 다른 실시형태에 따른 발광다이오드 패키지의 측단면도 및 상부 평면도이다.
도5a 및 도5b는 각각 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 발광다이오드 패키지의 측단면도 및 상부 평면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호설명>
21...패키지본체 22...실장부
23a,23b...리드전극 26...발광다이오드 칩
27...수지포장부 28...잉여수지저장부
28a..안내용 홈 28b...저장용 홈
본 발명은 발광다이오드 패키지에 관한 것으로서, 특히 발광다이오드 칩을 봉지하기 위해 수지를 도포하는 발광다이오드 패키지에 관한 것이다.
일반적으로 발광다이오드는 우수한 단색성 피크파장을 가지며 광효율성이 우수하고 소형화가 가능하다는 장점을 가지고, 주로 패키지 형태로 다양한 디스플레이 장치 및 광원으로서 널리 이용되고 있으며 특히, 조명장치 및 디스플레이 장치의 백라이트를 대체할 수 있는 고효율, 고출력 광원으로서 적극적으로 개발되고 있다.
도 1은 종래의 발광다이오드 패키지의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 상기 발광다이오드 패키지(10)는 패키지 본체(11)와, 발광다이오드 칩(17)을 포함한다. 패키지 본체(11)에는 발광다이오드 칩을 실장하기 위한 실장부(12)가 형성되어 있으며, 이 실장부(12)를 둘러싼 측벽에는 반사면(15)이 형성되어 있다. 실장부(12) 바닥에는 리드 전극(13, 14)이 배치되어 있고, 패키지 내에 실장된 발광다이오드 칩(17)은 와이어에 의해 이 리드 전극(13, 14)과 전기적으로 접속될 수 있다. 실장된 발광다이오드 칩(17)은 에폭시 수지 또는 실리콘 수지 등으로 이루어진 수지포장부(19)에 의해 봉지되어 있다.
백색광 등 원하는 파장대의 출력광을 얻기 위해서, 수지포장부(19) 내에는 형광체 입자들이 분산되어 있다. 예를 들어, YAG계 황색 형광체가 실리콘 수지 내에 분산될 수 있다. 이러한 종래의 발광다이오드 패키지(10)를 제조하기 위해서는, 대부분의 경우 디스펜서 니들(Dispenser Needle)을 사용하여 상기 실장부(12)에 액상수지(특히, 형광체가 분산되어 있는 액상수지)를 주입한다.
디스펜서 니들을 사용하여 실장부(12)에 액상수지를 주입할 경우, 디스펜서 니들에 의해 주입되는 액상수지량이 불균일하여 최종 수지포장부(19)의 높이의 균일성을 유지하기 어렵다.
이러한 수지포장부(19)의 두께의 불균일로 인해, 파장변환용 형광체가 사용된 경우에 파장변환 정도가 달라지고, 색도분포가 균일해지지 않는다.
이와 같이, 종래의 기술에 따른 발광 다이오드 패키지는 주입되는 액상 수지의 표면 높이의 불균일로 인해, 각각의 패키지마다의 색도분포가 균일하지 않아 불량품이 다량으로 발생하여 양산성을 저해하는 문제점이 있다.
본 발명은 상술된 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 주입되는 액상수지량의 편차에 관계없이, 일정한 높이의 수지포장부를 가질 수 있는 발광 다이오드 패키지를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위해서, 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지는 측벽으로 둘러싸인 실장부를 가지며 상기 실장부의 바닥면에 리드 전극이 배치된 패키지 본체와, 상기 리드 전극에 전기적으로 연결되도록 상기 실장부의 바닥면에 탑재된 발광다이오드 칩과, 상기 발광다이오드 칩을 포장하도록 상기 실장부에 충전된 수지포장부와, 사전에 설정된 높이의 수지포장부를 형성하는데 초과되는 잉여수지가 안내되어 수용될 수 있도록 상기 패키지 본체 측벽의 상면에 형성된 적어도 하나의 잉여수지저장부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 잉여수지저장부는 상기 잉여수지가 저장될 수 있도록 상기 패키지 본체 측벽의 상면에 형성된 저장용 홈와, 상기 실장부로부터 잉여수지가 상기 저장용 홈으로 안내될 수 있도록 상기 실장부와 상기 저장용 홈 사이에 형성된 안내용 홈을 포함하며,상기 저장용 홈의 바닥면 높이는 상기 수지포장부의 사전에 설정된 높이보다 낮으며, 상기 안내용 홈의 바닥면 높이는 상기 패키지 본체의 다른 측벽 부분 높이 보다는 낮으며 상기 수지포장부의 사전에 설정된 높이와 동일한 것을 특징으로 한다.
상기 안내용 홈의 바닥면 높이는 상기 수지포장부의 실제 높이와 동일한 것을 특징으로 한다.
상기 저장용 홈은 상기 패키지 기판의 대향하는 양 측벽 상면에 위치하는 것을 특징으로 한다.
상기 저장용 홈은 상기 대향하는 양 측면의 상면에 각각 하나씩 형성된 것을 특징으로 한다.
상기 저장용 홈의 폭은 상기 안내용 홈의 폭보다 넓은 것을 특징으로 한다.
상기 저장용 홈의 폭은 상기 안내용 홈의 폭과 동일한 것을 특징으로 한다.
상기 저장용 홈은 정방형, 장방형 또는 원형인 평면을 갖는 것을 특징으로 한다.
상기 수지포장부는 상기 발광다이오드 칩으로부터 발생되는 광의 파장을 변환시키기 위한 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
상기 발광다이오드 칩은 청색 발광다이오드 칩이며, 상기 수지포장부는 상기 청색 발광다이오드 칩으로부터 발생되는 광의 파장을 변환시키기 위한 황색 형광체를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
도2a, 도2b는 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지의 측단면도 및 상부평면도이다. 여기서, 도2a는 도2b의 A-A`방향으로 전개된 측단면도로 이해될 수 있다.
우선, 도 2a를 참조하면, 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지(20)는 측벽으로 둘러싸인 실장부(22)를 포함한다. 바람직하게는, 상기 측벽은 휘도향상을 위해 측벽 상부에서 실장부(22)의 바닥면까지 경사진 반사면(25)을 포함할 수 있다.
상기 발광 다이오드 패키지(20)는 상기 실장부(22)의 바닥면에 배치된 리드 전극(23a,23b)과, 와이어(24)에 의해서 상기 리드 전극(23a 23b)과 전기적으로 연 결되어 상기 실장부(22)의 바닥면에 탑재된 발광다이오드 칩(26)과, 상기 발광다이오드 칩(26)을 포장하도록 상기 실장부(22)에 충전된 수지포장부(27)를 포함한다.
본 실시형태에서, 상기 발광다이오드 칩(26)과 연결된 금속배선구조를 외부와 연결되기 위해 패키지본체(21)의 측면에 도출된 상기 리드 전극(23a,23b)으로 예시하였으나, 이와 달리 패키지본체의 측면을 따라 최하단면으로 연장된 리드전극, 또는 비아홀과 그와 연결되도록 패키지본체의 상하단면에 형성된 본딩패드로 구현될 수 있다.
본 실시형태에 따른 상기 발광다이오드 패키지(20)는 상기 패키지 본체(21)측벽의 상면에 형성된 잉여수지저장부(28)을 포함한다.
도2a와 함께 도2b를 참조하면, 본 실시형태에 따라 도시된 상기 잉여수지저장부(28)는 상기 잉여수지가 저장될 수 있도록 상기 패키지 측벽의 상면에 형성된 저장용 홈(28b)과, 상기 실장부(22)로부터 잉여수지가 상기 저장용 홈(28b)으로 안내될 수 있도록 상기 실장부(22)와 상기 저장용 홈(28b) 사이에 형성된 안내용 홈(28a)을 포함한다.
상기 저장용 홈(28b)의 바닥면 높이(H2)는 상기 수지포장부(27)의 사전에 설정된 높이보다 낮으며, 상기 안내용 홈(28a)의 바닥면 높이(H1)는 패키지 본체의 다른 측벽의 높이(H3)보다는 낮으며 상기 수지포장부(27)의 사전에 설정된 높이와 동일할 수 있다.
물론 바람직하게는, 도시된 바와 같이 상기 안내용 홈(28b)의 바닥면높이 (H1)는 상기 수지포장부(27)의 실제 높이와 동일할 수 있다.
'사전에 설정된 높이'라 함은 원하는 수지포장부의 높이를 말하며, 본 발명에 사용된 안내용 홈 바닥면의 높이(H1)는 상기 수지포장부의 높이와 일치할 수 있으나 그보다 높을 수도 있다. 상기 안내용 홈(28a)의 폭(W1)은 상기 저장용 홈(28b)의 폭(W2)보다 좁을 수 있다.
다른 실시 예로서, 상기 안내용 홈(28a)의 폭(W1)은 상기 저장용 홈(28b)의 폭(W2)과 동일할 수 있다.
상기 저장용 홈(28b)은 상기 패키지 본체(21)의 대향하는 양 측벽 상면에 위치할 수 있다. 다른 실시 예로 상기의 양 측벽 상면이 아닌 다른 위치의 측벽 상면에도 저장용 홈을 구비할 수 있으나, 일반적으로 양 측벽 상면영역에서 여유공간을 충분히 확보할 수 있으므로, 본 실시형태에 따른 패키지는 보다 많은 잉여 수지량을 모을 수 있는 저장용 홈을 형성할 수 있다는 장점을 가지고 있다.
상기 저장용 홈(28b)은 상기 대향하는 양 측벽의 상면에 각각 하나씩 형성될 수 있다. 다른 실시 예로 대향하는 양 측벽의 상면에 다수의 저장용 홈과 저장용 홈에 따른 다수의 안내용 홈을 형성할 수 있으나, 본 발명에 따른 패키지와 같이 일반적으로 양 측벽의 상면에 저장용 홈과 그에 따른 안내용 홈을 하나씩 형성하는 것이 한정된 패키지의 공간 활용과 패키지의 소형화에 유리하다는 장점이 있다.
또한, 다양한 실시 예로서 상기 저장용 홈(28b)은 이에 한정되지는 않으나,정방형, 장방형 또는 원형인 평면일 수 있다.
상기 수지포장부(27)는 상기 발광다이오드 칩(26)으로부터 발생되는 광의 파 장을 변환시키기 위한 형광체를 포함할 수 있다.
예를 들어 백색 발광다이오드 패키지를 구현하기 위해, 상기 발광다이오드 칩(26)은 청색 발광다이오드 칩이며, 상기 수지포장부(27)는 상기 청색 발광다이오드 칩으로부터 발생되는 광의 파장을 변환시키기 위한 황색 형광체를 포함할 수 있다.
도 3는 도2b에 도시된 패키지구조에서 액상수지의 초과 공급시 잉여수지의 유동을 나타내는 개략도이다.
도3을 참조하면, 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지(20)는 상기 발광다이오드 칩(26)을 봉지하기 위해 디스펜서 니들에 의해 액상수지를 주입한다. 바람직하게는, 액상수지에 의해 충전된 상기 수지포장부(27)의 사전에 설정된 높이는 실제높이와 동일한 것일 수 있으나, 장비의 오차로 인하여 주입되는 액상수지의 양은 사전에 설정된 높이의 양보다 초과 될 수 있다. 이때 초과 주입된 잉여수지는 상기 잉여수지저장부(28)의 안내용 홈(28a)를 따라 상기 저장용 홈(28b)으로 유입되어 상기 수지포장부(27)의 사전에 설정된 높이는 실제 높이와 동일해질 수 있다.
도4a 및 도4b는 각각 본 발명의 다른 실시형태에 따른 발광다이오드 패키지의 측단면도 및 상부평면도이다. 도4a는 도4b를 B-B`방향으로 전개한 측단면도이다.
도4a를 참조하면, 본 발명의 다른 실시형태에 따른 발광 다이오드 패키지 (40)는 측벽에 둘러싸인 실장부(42)를 포함하며, 상기 측벽은 반사면(45)을 포함할 수 있다.
상기 발광 다이오드 패키지(40)는 상기 실장부(42)의 바닥면에 배치된 리드 전극(43a,43b)과, 와이어(44)에 의해서 상기 리드 전극(43a 43b)과 전기적으로 연결되어 상기 실장부(42)의 바닥면에 탑재된 발광다이오드 칩(46)과, 상기 발광다이오드 칩을 포장하도록 상기 실장부(42)에 충전된 수지포장부(47)를 포함한다.
본 실시형태에 따른 상기 발광다이오드 패키지(40)는 상기 패키지 본체(41)측벽의 상면에 형성된 잉여수지저장부(48)을 포함한다.
본 실시형태에서는, 발광다이오드 패키지(40)는 단 하나의 잉여수지저장부(48)를 포함한다. 도4a와 함께 도4b를 참조하면, 상기 발광다이오드 패키지(40)는 잉여수지가 저장될 수 있도록 상기 패키지의 상면에 형성된 저장용 홈(48b)와, 실장부(42)로부터 잉여수지가 상기 저장용 홈(48b)으로 안내될 수 있도록 상기 실장부(42)와 상기 저장용 홈(48b) 사이에 형성된 안내용 홈(48a)을 포함한다.
도5a 및 도5b는 각각 본 발명의 또 다른 실시형태에 따른 발광다이오드 패키지의 측단면도 및 상부단면도이다. 도5a는 도5b를 C-C`방향으로 전개한 측단면도이다.
도5a를 참조하면, 본 발명의 다른 실시형태에 따른 발광 다이오드 패키지(50)는 측벽으로 둘러싸인 실장부(52)를 포함하며, 상기 측벽은 반사면(55)을 포함 할 수 있다.
상기 발광 다이오드 패키지(50)는 상기 실장부(52)의 바닥면에 배치된 리드 전극(53a,53b)과, 상기 리드 전극(53a 53b)과 와이어(54)에 의해서 전기적으로 연결되어 상기 실장부(52)의 바닥면에 탑재된 발광다이오드 칩(56)과, 상기 발광다이오드 칩을 포장하도록 상기 실장부(52)에 충전된 수지포장부(57)를 포함한다.
본 실시형태에 따른 상기 발광다이오드 패키지(50)는 상기 패키지 본체(51)측벽의 상면에 형성된 잉여수지저장부(58)을 포함한다.
도5a와 함께 도5b를 참조하면, 본 실시형태에 따라 도시된 상기 잉여수지저장부(58)는 잉여수지가 저장될 수 있도록 상기 패키지 측벽의 상면에 형성된 저장용 홈(58b)와, 상기 실장부(52)로부터 잉여수지가 상기 저장용 홈(58b)으로 안내될 수 있도록 상기 실장부(52)와 상기 저장용 홈(58b) 사이에 형성된 안내용 홈(58a)을 포함한다. 상기 잉여수지저장부(58)는 이에 한정되지는 않으나. 저장용 홈(58b)에 잉여 수지를 안내하기 위한 안내용 홈(58a)의 폭을 상기 저장용 홈(58b)의 폭과 동일하게 하여 보다 용이하게 잉여 수지를 저장할 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고 특허청구범위에 의해 한정되며, 본 발명의 구성은 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 그 구성의 다양한 변경 및 개조가 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 쉽게 알 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면 발광다이오드 패키지의 측벽 상면에 저장용 홈을 구비하고, 상기 저장용 홈에 잉여 수지를 안내하는 안내용 홈을 구비하여 수지포장부의 사전에 설정된 높이를 초과하는 액상수지가 주입됐을 경우 초과된 잉여 수지를 저장용 홈에 안내하여, 주입되는 액상수지량에 관계없이 균일한 색도분포를 갖는 발광 다이오드 패키지를 제공할 수 있다.

Claims (10)

  1. 측벽으로 둘러싸인 실장부를 가지며 상기 실장부의 바닥면에 리드 전극이 배치된 패키지 본체;
    상기 리드 전극에 전기적으로 연결되도록 상기 실장부의 바닥면에 탑재된 발광다이오드 칩;
    상기 발광다이오드 칩을 포장하도록 상기 실장부에 충전된 수지포장부; 및
    상기 패키지 본체 측벽의 상면에 사전에 설정된 높이의 수지포장부를 형성하는데 필요한 양을 초과하는 잉여수지가 상기 실장부로부터 그 외부로 안내될 수 있도록 형성된 안내용 홈; 및
    상기 패키지 본체 측벽의 상면에 형성되며, 상기 안내용 홈에 의해 안내된 상기 잉여수지가 저장될 수 있도록 상기 안내용 홈의 바닥면 높이보다 낮은 바닥면을 갖는 저장용 홈을 포함하며,
    상기 수지포장부의 상면은 상기 안내용 홈의 바닥면 높이에 의해 정의되는 균일한 높이를 갖는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 저장용 홈은 상기 패키지 본체의 대향하는 양 측벽 상면에 위치하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 저장용 홈은 상기 대향하는 양 측면의 상면에 각각 하나씩 형성된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 저장용 홈의 폭은 상기 안내용 홈의 폭보다 넓은 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 저장용 홈의 폭은 상기 안내용 홈의 폭과 동일한 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 저장용 홈은 정방형, 장방형 또는 원형인 평면을 갖는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  9. 제1항 및 제4항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수지포장부는 상기 발광다이오드 칩으로부터 발생되는 광의 파장을 변환시키기 위한 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 발광다이오드 칩은 청색 발광다이오드 칩이며, 상기 수지포장부는 상기 청색 발광다이오드 칩으로부터 발생되는 광의 파장을 변환시키기 위한 황색 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
KR1020050099327A 2005-10-20 2005-10-20 발광다이오드 패키지 KR100665262B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050099327A KR100665262B1 (ko) 2005-10-20 2005-10-20 발광다이오드 패키지
TW095135477A TW200721550A (en) 2005-10-20 2006-09-26 Light emitting diode package
DE102006046448A DE102006046448B4 (de) 2005-10-20 2006-09-29 Leuchtdioden-Einheit
JP2006272038A JP2007116146A (ja) 2005-10-20 2006-10-03 発光ダイオードパッケージ
US11/543,232 US20070090382A1 (en) 2005-10-20 2006-10-05 Light emitting diode package

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050099327A KR100665262B1 (ko) 2005-10-20 2005-10-20 발광다이오드 패키지

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100665262B1 true KR100665262B1 (ko) 2007-01-09

Family

ID=37867038

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050099327A KR100665262B1 (ko) 2005-10-20 2005-10-20 발광다이오드 패키지

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20070090382A1 (ko)
JP (1) JP2007116146A (ko)
KR (1) KR100665262B1 (ko)
DE (1) DE102006046448B4 (ko)
TW (1) TW200721550A (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101345208B1 (ko) 2012-11-15 2013-12-26 한국생산기술연구원 보조홈을 가지는 형광층 제조용 트레이 및 이를 이용한 형광층 제조방법과 발광 다이오드 패키지 제조방법
US8860073B2 (en) 2012-05-15 2014-10-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting device package
KR101503497B1 (ko) * 2008-03-31 2015-03-19 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지
KR20190093536A (ko) * 2019-07-31 2019-08-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200836368A (en) * 2007-02-16 2008-09-01 Yu-Nung Shen Packaging body for light source
KR100880638B1 (ko) * 2007-07-06 2009-01-30 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지
DE102008003971A1 (de) * 2008-01-11 2009-07-16 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh Leuchtdiodenanordnung mit Schutzrahmen
KR100972979B1 (ko) * 2008-03-17 2010-07-29 삼성엘이디 주식회사 엘이디 패키지 및 그 제조방법
KR101007062B1 (ko) * 2008-03-21 2011-01-12 주식회사 루멘스 발광다이오드 리드프레임과 그 리드프레임을 이용한발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
JP2010034395A (ja) * 2008-07-30 2010-02-12 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
US8568012B2 (en) * 2010-01-18 2013-10-29 Lg Innotek Co., Ltd. Lighting unit and display device having the same
KR101644110B1 (ko) 2010-12-17 2016-08-02 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
JP5864190B2 (ja) * 2011-10-03 2016-02-17 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置およびその製造方法
DE102012206647B4 (de) 2012-04-23 2017-08-03 Ifm Electronic Gmbh Messgerät für die Prozessmesstechnik mit einer zylinderförmigen Sensorspitze und Verfahren zur Herstellung desselben
WO2014118856A1 (ja) * 2013-01-31 2014-08-07 パナソニック株式会社 電子回路装置および電子回路装置の製造方法
KR102221598B1 (ko) * 2014-06-16 2021-03-02 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0529664A (ja) * 1991-07-23 1993-02-05 Sharp Corp 光半導体装置
KR20020028621A (ko) * 2000-10-11 2002-04-17 이중구 아이씨 카드용 칩 모듈
JP2002329892A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光表示装置およびその製造方法
JP2005116817A (ja) * 2003-10-08 2005-04-28 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄランプ用パッケージおよび該ｌｅｄランプ用パッケージを具備するｌｅｄランプ
KR20050119546A (ko) * 2004-06-16 2005-12-21 삼성전기주식회사 발광다이오드 및 그 제조방법

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0832120A (ja) * 1994-07-19 1996-02-02 Rohm Co Ltd 面発光表示器
JPH0927643A (ja) * 1995-07-13 1997-01-28 Stanley Electric Co Ltd 受光／発光素子
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
DE19755734A1 (de) * 1997-12-15 1999-06-24 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes
TWI286393B (en) * 2004-03-24 2007-09-01 Toshiba Lighting & Technology Lighting apparatus
JP4544619B2 (ja) * 2004-06-08 2010-09-15 ローム株式会社 発光ダイオードランプ
US20070080364A1 (en) * 2005-10-06 2007-04-12 Bear Hsiung White light emitting device capable of adjusting color temperature

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0529664A (ja) * 1991-07-23 1993-02-05 Sharp Corp 光半導体装置
KR20020028621A (ko) * 2000-10-11 2002-04-17 이중구 아이씨 카드용 칩 모듈
JP2002329892A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光表示装置およびその製造方法
JP2005116817A (ja) * 2003-10-08 2005-04-28 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄランプ用パッケージおよび該ｌｅｄランプ用パッケージを具備するｌｅｄランプ
KR20050119546A (ko) * 2004-06-16 2005-12-21 삼성전기주식회사 발광다이오드 및 그 제조방법

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
17116817

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101503497B1 (ko) * 2008-03-31 2015-03-19 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지
US8860073B2 (en) 2012-05-15 2014-10-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting device package
KR101345208B1 (ko) 2012-11-15 2013-12-26 한국생산기술연구원 보조홈을 가지는 형광층 제조용 트레이 및 이를 이용한 형광층 제조방법과 발광 다이오드 패키지 제조방법
KR20190093536A (ko) * 2019-07-31 2019-08-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
KR102109139B1 (ko) 2019-07-31 2020-05-11 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템

Also Published As

Publication number Publication date
US20070090382A1 (en) 2007-04-26
DE102006046448A1 (de) 2007-05-10
TW200721550A (en) 2007-06-01
JP2007116146A (ja) 2007-05-10
DE102006046448B4 (de) 2011-04-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100665262B1 (ko) 발광다이오드 패키지
US9564567B2 (en) Light emitting device package and method of fabricating the same
US7923739B2 (en) Solid state lighting device
KR101629654B1 (ko) 발광소자 패키지, 백라이트 유닛, 디스플레이 장치 및 조명장치
KR101161383B1 (ko) 발광 다이오드 및 이를 제조하기 위한 방법
US20150076534A1 (en) Light-emitting device and method of manufacturing the same
JP5810302B2 (ja) 発光装置、バックライトユニット、液晶表示装置及び照明装置
JP4627177B2 (ja) Ｌｅｄの製造方法
JP2009527122A (ja) 発光装置及びその製造方法
US8216864B2 (en) LED device and packaging method thereof
KR100982989B1 (ko) 발광 다이오드 패키지
KR20100030805A (ko) 멀티칩 발광 다이오드 패키지
KR20130081515A (ko) Ｌｅｄ 패키지용 기판 및 ｌｅｄ 패키지 제조방법
KR100665372B1 (ko) 광 추출 효율이 높은 발광 다이오드 패키지 구조 및 이의제조방법
KR101974348B1 (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조방법
JP3994094B2 (ja) 発光ダイオードランプ
JP2009177188A (ja) 発光ダイオードパッケージ
KR20090051508A (ko) 백색 발광소자 및 그 제조방법
KR20090073602A (ko) 발광 소자
KR20100079273A (ko) Ｌｅｄ 패키지
KR101505432B1 (ko) 발광소자 패키지 및 이의 제조방법
KR20120014285A (ko) Ｌｅｄ 패키지 및 그의 제조 방법
KR20130055221A (ko) 발광소자 패키지 및 이를 이용한 백라이트 유닛
JP7157333B2 (ja) 発光装置及び表示装置並びに表示装置の製造方法
KR20120038336A (ko) 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121130

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131129

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee