KR101505432B1 - 발광소자 패키지 및 이의 제조방법 - Google Patents

발광소자 패키지 및 이의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101505432B1
KR101505432B1 KR1020080061076A KR20080061076A KR101505432B1 KR 101505432 B1 KR101505432 B1 KR 101505432B1 KR 1020080061076 A KR1020080061076 A KR 1020080061076A KR 20080061076 A KR20080061076 A KR 20080061076A KR 101505432 B1 KR101505432 B1 KR 101505432B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
substrate
emitting chip
molding
hole
Prior art date
Application number
KR1020080061076A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20100003336A (ko
Inventor
김방현
이정훈
박정수
Original Assignee
서울반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 서울반도체 주식회사 filed Critical 서울반도체 주식회사
Priority to KR1020080061076A priority Critical patent/KR101505432B1/ko
Publication of KR20100003336A publication Critical patent/KR20100003336A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101505432B1 publication Critical patent/KR101505432B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48095Kinked
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93Batch processes
    • H01L2224/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting

Abstract

본 발명은 발광칩이 실장되는 주변에 홀부를 형성하여 발광칩을 봉지하는 몰딩부 형성시 몰딩제가 표면장력에 의해 홀부에는 도포되지 않아 발광칩 주위만을 집중적으로 봉지할 수 있는 발광소자 패키지 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 발광소자 패키지는 발광칩과; 상기 발광칩이 실장되고, 상기 발광칩이 실장되는 영역의 주변 중 적어도 일부에 홀부가 형성되는 기판과; 형광체를 함유하고, 상기 발광칩을 봉지하도록 상기 홀부를 제외한 영역에 도포되는 제 1 몰딩부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
발광소자, 발광 다이오드, 이중 몰딩, 라이닝 디스펜싱, 형광체

Description

발광소자 패키지 및 이의 제조방법{LIGHT-EMITTING DEVICE PACKAGE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 발광소자 패키지 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 발광칩이 실장되는 주변에 홀부를 형성하여 발광칩을 봉지하는 몰딩부 형성시 몰딩제가 표면장력에 의해 홀부에는 도포되지 않아 발광칩 주위만을 집중적으로 봉지할 수 있는 발광소자 패키지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 발광소자 패키지에는 다양한 발광칩이 사용되는데, 예를 들어 반도체의 p-n 접합구조를 이용하여 주입된 소수캐리어(전자 또는 양공)를 만들어내고, 이들의 재결합에 의하여 발광되는 현상을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)가 사용된다. 발광 다이오드로는 GaAsP 등을 이용한 적색 발광 다이오드, GaP 등을 이용한 녹색 발광 다이오드, InGaN/AlGaN 더블 헤테로(double hetero) 구조를 이용한 청색 발광 다이오드 등이 있다.
이러한 발광소자 패키지는 기판 상에 서로 이격되어 형성된 한 쌍의 전극 중 하나의 전극에 발광 다이오드가 실장되고, 다른 전극에는 와이어로 연결되어 전기적으로 접속된다. 그리고, 발광 다이오드 및 와이어를 보호하기 위하여 다양한 수지를 이용하여 발광 다이오드 및 와이어를 봉지하는 몰딩부를 형성한다.
특히 근래에는 백색광의 구현을 위해 청색 발광 다이오드와, 청색광으로부터 여기 가능한 황색 발광 형광체를 조합한다. 이때 상기 형광체는 몰딩부 형성시 몰딩용 수지에 혼합시켜서 몰딩부에 분포시킨다. 하지만, 형광체가 혼합된 몰딩용 수지를 디스펜싱 몰드를 하게 되는 경우, 형광체와 몰딩용 수지의 비중 차에 의해 침전되어 청색광에 노출되지 않아 형광체의 손질을 고려하여 몰딩용 수지 내에 형광체 함유량이 높아져야 함은 물론 형광체가 혼합된 몰딩용 수지의 사용량이 많아지게 되는 문제점이 있었다. 또한, 몰딩제의 점도가 높아 몰딩부를 얇게 형성하기가 힘들고, 도팅(dotting) 방식으로는 정밀한 컨트롤이 어려운 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 발광칩이 실장되는 기판의 주변 영역에 홀부를 형성함에 따라 몰딩부 형성시 몰딩제의 표면장력에 의해 홀부에는 몰딩제가 도포되지 않고 발광칩으로 몰딩제가 집중되도록 하여 몰딩제를 절약하는 동시에 작업성을 향상시킬 수 있는 발광소자 패키지 및 이의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 발광소자 패키지는 발광칩과; 상기 발광칩이 실장되고, 상기 발광칩이 실장되는 영역의 주변 중 적어도 일부에 홀부가 형성되는 기판과; 형광체를 함유하고, 상기 발광칩을 봉지하도록 상기 홀부를 제외한 영역에 도포되는 제 1 몰딩부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 홀부는 상기 기판의 상면 중 상기 발광칩이 실장되는 주변영역에 다수개 형성되는 것을 특징으로 한다.
이때 상기 홀부는 요홈 또는 관통공 형상인 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 홀부는 도트 또는 슬롯 형상인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제 1 몰딩부에는 SiO2 분말을 더 함유하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 제 1 몰딩부를 봉지하는 제 2 몰딩부를 더 포함하는 것을 특징 으로 한다.
한편, 본 발명에 따른 발광소자 패키지 제조방법은 발광칩이 실장되는 기판에 다수의 홀부를 형성하는 단계와; 상기 홀부에 둘러싸이도록 발광칩을 기판에 실장하는 단계와; 상기 기판 중 홀부를 제외한 영역에 형광체가 함유된 제 1 몰딩제를 도포하여 발광칩을 봉지하는 제 1 몰딩부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이때 상기 홀부는 요홈 또는 관통공 형상으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 기판에 형성되는 홀부는 격자 형상으로 서로 이격되어 배치되는 도트 형상인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 기판에 형성되는 홀부는 발광칩을 주변으로 평행하게 이격되는 슬롯 형상인 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 제 1 몰딩부는 제 1 몰딩제를 라이닝 방법으로 디스펜싱하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 제 1 몰딩제는 SiO2 분말이 더 함유되는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 제 1 몰딩부를 형성하는 단계 이후에, 상기 기판을 패키지 단위로 절단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제 1 몰딩부를 형성하는 단계 이후에, 상기 제 1 몰딩부의 상부에 제 2 몰딩제를 도포하여 제 1 몰딩부를 봉지하는 제 2 몰딩부를 형성하는 단계와; 상기 기판을 패키지 단위로 절단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 몰딩제가 표면장력에 의해 발광칩의 주변으로 집중되어 도포될 수 있도록 기판 상에 홀부를 형성함에 따라 라이닝 방식으로 디스펜싱 작업을 수행할 수 있어 제품 생산성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 몰딩제가 홀부를 제외한 발광칩 주변에만 도포되어 몰딩제의 손실을 최소화할 수 있고, 라이닝 방식의 디스펜싱 작업으로도 종래의 컨포멀 코팅(conformal coating)의 효과를 얻을 수 있으며, 이중 몰드를 손쉽게 할 수 있는 효과가 있다.
이하, 본 발명에 따른 발광소자 패키지 및 이의 제조방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광소자 패키지를 보여주는 사시도이고, 도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광소자 패키지를 보여주는 종단면도이다.
도면에 도시된 바와 같이 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광소자 패키지는 발광칩(30)이 실장되는 영역의 주변 중 적어도 일부에 홀부(11)가 형성되는 기판(10)과; 상기 기판(10) 상에 서로 이격되어 구비되는 제 1 및 제 2 리드패턴(20a,20b)과; 상기 기판(10)에 실장되는 발광칩(30)과; 형광체를 함유하고, 상기 발광칩(30)을 봉지하도록 상기 홀부(11)를 제외한 영역에 도포되는 제 1 몰딩부(50)와; 상기 제 1 몰딩부(50)를 봉지하는 제 2 몰딩부(60)를 포함한다.
상기 기판(10)은 발광칩(30)을 실장하기 위한 것으로서, 예를 들어 사각형의 절연체로 제작된다. 이때, 특히 기판(10)의 상면 중 발광칩(30)이 실장되는 영역의 주변에 발광칩(30)을 둘러싸도록 다수의 홀부(11)를 형성한다. 예를 들어 본 실시예에서는 기판(10)의 상면 모서리 영역에서 수직방향으로 함몰되는 부채꼴 형상의 홀부(11)를 형성하였다. 다수의 홀부(11)를 발광칩(30) 실장 영역의 주변에 형성하는 이유는 제 1 몰딩부(50)의 형성시 사용되는 제 1 몰딩제의 표면장력에 의해 제 1 몰딩제가 홀부(11)로 충진되지 않고 기판(10) 상에만 도포되어 제 1 몰딩제가 발광칩(30) 주변으로만 집중적으로 도포 되도록 하기 위함이다. 이때 홀부(11)의 크기 및 형상은 다양하게 변경되어 실시될 수 있다. 하지만, 상기 홀부(11)의 크기는 제 1 몰딩제가 표면장력을 유지할 수 있는 소정의 크기 및 형상으로 형성하는 것이 바람직하다.
상기 홀부(11)는 제시된 바와 같이 기판(10)의 상면 모서리 영역에서 형성되는 요홈 형상에 한정되는 것이 아니라, 기판(10)을 상하로 관통하는 관통공 형상을 포함한다. 관통공 형상의 홀부(11)는 이후에 도면을 참조하여 별도로 설명하도록 한다.
제 1 및 제 2 리드패턴(20a,20b)은 외부전원을 발광칩(30)에 인가하기 위한 것으로서, 서로 이격되어 형성된다. 이때, 상기 제 1 및 제 2 리드패턴(20a,20b)은 상기 기판(10)의 상면에 형성되어 발광칩(30)이 실장되거나 와이어(40)가 접합되는 제 1 및 제 2 상부리드패턴(21a,21b)과, 상기 기판(10)의 하면에 형성되어 발광소자 패키지를 별도의 인쇄회로기판에 실장하기 위한 제 1 및 제 2 하부리드패턴(25a,25b)과, 상기 기판(10)을 관통하여 상기 제 1 및 제 2 상부리드패턴(21a,21b)과 제 1 및 제 2 하부리드패턴(25a,25b)을 연결하는 제 1 및 제 2 관통리드부(23a,23b)를 포함한다. 이때 상기 제 1 및 제 2 관통리드부(23a,23)는 기판(10)을 상하로 관통하는 관통공을 형성하고, 상기 관통공에 도전체를 충진하여 구현하거나, 관통공의 내주면에 도전체를 도금하여 형성할 수 있다. 물론 상기 제 1 및 제 2 리드패턴(20a,20b)은 제시된 구성에 한정되는 것은 아니고, 발광칩(30)에 외부전원을 인가할 수 있도록 다양하게 변경되어 적용될 수 있다.
발광칩(30)은 외부전원의 인가에 의해 광을 발생시키는 수단으로, 적외선 영역에서부터 자외선 영역의 빛을 발광하는 칩 중에서 선택적으로 채택 가능하다. 예를 들어 수평형 발광 다이오드가 사용될 수 있다. 본 실시예에서는 발광칩(30)을 제 1 리드패턴(20a)에 실장하고, 발광칩(30)과 제 2 리드패턴(20b)을 와이어(40)로 연결하였지만, 이에 한정되지 않고, 제 1 및 제 2 리드패턴(20a,20b) 외의 다른 부분에 실장하고, 제 1 및 제 2 리드패턴(20a,20b)과 발광칩(30)을 각각 와이어(40)로 연결할 수 있다.
와이어(40)는 발광칩(30)과 제 2 리드패턴(20b)을 전기적으로 연결하기 위한 것으로서, 상기 와이어(40)는 와이어 접합 공정 등의 공정을 통해 금(Au) 또는 알루미늄(Al)으로 형성된다.
제 1 몰딩부(50)는 발광칩(30) 주변을 봉지하여 보호하는 동시에 발광칩(30) 에서 발광된 1차 광을 2차 광으로 변환시키는 수단이다. 이러한 제 1 몰딩부(50)는 발광칩(30) 및 와이어(40)가 봉지되도록 제 1 몰딩제를 기판(10) 상에 도포한 후 경화시켜 형성하는 것으로서, 제 1 몰딩제는 통상 투명한 실리콘 수지 또는 에폭시 수지에 형광체가 혼합되어 이루어진다.
상기 형광체(51)는 1차 광을 2차 광으로 변환시키는 다양한 종류의 화합물이 사용될 수 있고, 예를 들어 우수한 형광 특성을 보유하나 수분과 쉽게 반응하는 황화물계 형광체를 사용한다. 그러나 이에 한정되지 않고, 원하는 색의 구현을 위한 다양한 형광체를 사용할 수 있다.
또한, 제 1 몰딩부(50)의 형성시 제 1 몰딩제가 홀부(11)로 충진되는 것을 보다 효과적으로 방지하기 위한 방법으로는 제 1 몰딩제의 점도를 높이는 방법이 있다. 제 1 몰딩제의 점도를 높이는 방법은 상기 제 1 몰딩제의 제조시 투명한 실리콘 수지 또는 에폭시 수지에 형광체와 더불어 SiO2 분말을 더 함유시키는 것이다. 제 1 몰딩제에 혼합되는 SiO2 분말의 입자 크기 및 함유량은 홀부(11)의 크기에 따라 제 1 몰딩제에게 요구되는 점도가 다르기 때문에 다양하게 변경되어 함유될 수 있다.
제 2 몰딩부(60)는 제 1 몰딩부(50)를 봉지하여 보호하기 위한 것으로서, 형성 방법 및 형상은 다양하게 구현할 수 있다. 제 2 몰딩부(60)는 투명한 실리콘 수지 또는 에폭시 수지로 형성할 수 있다. 하지만 이에 한정되지 않고, 발광소자 패키지의 용도에 따라 광이 투과될 수 있을 정도로 투명한 수지라면 어떠한 재료가 사용되어도 무방할 것이다. 상기 제 2 몰딩부(60)는 기판(10)의 상면으로 제 1 몰딩부(50)를 봉지할 때 기판(10)의 상면에 형성된 홀부(11)에도 형성하여 기판(10)과 제 2 몰딩부(60)의 계면을 연장하는 것이 바람직하다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예의 변형예에 따른 발광소자 패키지를 보여주는 사시도이고, 도 4는 본 발명의 제 1 실시예의 변형예에 따른 발광소자 패키지를 보여주는 종단면도로서, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이 홀부(11)는 요홈 형상이 아니라 기판(10)을 상하로 관통하는 관통공의 형상으로 형성될 수 있다. 물론 관통공의 형상 및 크기는 한정되지 않고, 전술된 요홈 형상의 홀부(11)와 마찬가지로 제 1 몰딩제가 표면장력을 유지하여 홀부(11)의 내부에 충진되지 않을 수 있다면 다양하게 변경되어 형성될 수 있다.
상기와 같이 구성되는 제1실시예에 따른 발광소자 패키지를 제조하는 공정에 대하여 설명한다.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조방법은 발광칩(30)이 실장되는 기판(10)에 다수의 홀부(11)를 형성하는 단계와; 상기 홀부(11)에 둘러싸이도록 발광칩(30)을 기판(10)에 실장하는 단계와; 상기 기판(10) 중 홀부(11)를 제외한 영역에 형광체(51)가 함유된 제 1 몰딩제를 도포하여 발광칩(30)을 봉지하는 제 1 몰딩부(50)를 형성하는 단계와; 상기 제 1 몰딩부(50)의 상부에 제 2 몰딩제를 도포하여 제 1 몰딩부(50)를 봉지하는 제 2 몰딩부(60)를 형성하는 단계와; 상기 기판(10)을 패키지 단위로 절단하는 단계를 포함한다.
이를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 5a 내지 도 5f는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조방법을 보여주는 사시도이다.
먼저, 도 5a에 도시된 바와 같이 기판(10)의 상면에 홀부(11)가 서로 이격된 격자 상으로 배치되도록 천공한다. 이때 홀부(11)의 크기 및 형상은 제 1 몰딩제가 표면장력에 의해 그 내부로 충진되지 않는다면 어떠하여도 무방하다. 예를 들어 홀부(11)는 도면에 도시된 바와 같이 수직방향으로 함몰 또는 관통되는 도트(dot) 형상으로 형성한다.
이렇게, 기판(10)에 홀부(11)가 형성되면, 도 5b에 도시된 바와 같이 패키지 단위로 기판(10)에 제 1 및 제 2 리드패턴(20a,20b)을 형성한다. 이때 기판(10)의 상면에 형성되는 제 1 및 제 2 상부리드패턴(21a21b)과 더불어 도면에 도시되지 않았지만, 제 1 및 제 2 하부리드패턴(25a,25b)과 제 1 및 제 2 관통리드부(23a,23b)를 함께 형성한다.
그리고, 도 5c에 도시된 바와 같이 제 1 상부리드패턴(21a)에 발광칩(30)을 실장하고, 발광칩(30)과 제 2 상부리드패턴(21b)을 와이어(40)로 연결한다.
그런 다음, 도 5d에 도시된 바와 같이 기판(10)의 상면에 제 1 몰딩부(50)를 형성한다. 제 1 몰딩부(50)를 형성하기 위한 제 1 몰딩제는 투명한 실리콘 수지 또는 에폭시 수지에 형광체(51)와 SiO2 분말을 소정의 비율로 혼합하여 준비한다. 이렇게 준비된 제 1 몰딩제를 라이닝(lining) 방식에 의한 디스펜싱(dispensing)으로 발광칩(30) 주변에 도포한다. 그러면 제 1 몰딩제는 표면장력에 의해 발광칩(30) 주변에 형성된 홀부(11)로 충진되지 않고 발광칩(30) 주변으로 집중되어 도포된다. 이때 제 1 몰딩제는 발광칩(30)과 더불어 와이어(40)도 함께 봉지되도록 도포되는 것이 바람직하다.이렇게 발광칩(30) 주변에 제 1 몰딩제가 도포되면 소정의 시간을 경과시키거나 소정의 처리를 실시하여 제 1 몰딩제를 경화시킨다.
이렇게 제 1 몰딩제가 경화되어 제 1 몰딩부(50)가 형성되면 도 5e에 도시된 바와 같이 기판(10)의 상면, 정확하게는 제 1 몰딩부(50)와 홀부(11)를 포함하는 영역에 제 2 몰딩부(60)를 형성한다. 제 2 몰딩부(60)는 예를 들어 투명한 실리콘 수지 또는 에폭시 수지로 이루어지는 제 2 몰딩제를 사용하여 형성하다. 이때 제 2 몰딩부(60)는 다양한 방법을 이용하여 홀부(11)를 포함하는 기판(10)의 상면 모든 영역에 형성되는 것이 바람직하다. 예를 들어 소정 형상의 캐비티를 가지는 금형을 사용하여 트랜스퍼 몰딩방식으로 형성될 수 있다. 이때 제 2 몰딩부(50)은 기판(10)의 상면 모든 영역에 형성되는 것에 한정되지 않고, 제 2 몰딩부(50)가 상기 홀부(11) 및 제 1 몰딩부(50)를 봉지할 수 있다면 어떠한 형상 및 크기로 형성되어도 무방할 것이다.
이렇게 제 2 몰딩부(60)가 형성되었다면, 도 5f에 도시된 바와 같이 기판(10)을 패키지 단위로 절단한다. 이때 상기 기판(10)에 형성된 홀부(11)가 절단되도록 하여 기판(10)의 가장자리에, 즉 기판(10)의 상면 모서리에 홀부(11)가 형성되도록 하는 것이 바람직하다. 또한 홀부(11)에 의해 제 2 몰딩부(60)와 기판(10)의 접착면이 넓어져 접착력이 강화되어 절단시 제 2 몰딩부(60)가 기판(10) 에서 박리되는 현상을 예방할 수 있다.
한편, 본 발명은 다른 실시예로 다수의 도트 형상 홀부가 격자 형상으로 배치되는 것이 아니라 슬롯 형상의 홀부가 기판의 양측으로 길게 형성시킬 수 있다.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광소자 패키지를 보여주는 사시도이고, 도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 사용되는 기판을 보여주는 사시도이다.
도 6에 도시된 바와 같이 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광소자 패키지는 제 1 실시예와 유사한 구성 요소를 구비하면서 기판(110)에 형성되는 홀부(111)의 형상을 변경하여 구현된다. 이에 동일 구성에 대한 설명은 생략하는 한편 이하 동일 구성 및 명칭에 대해서는 동일 참조 번호를 사용한다.
홀부(111)는 기판(110)의 상면에 실장되는 발광칩(30)을 사이에 두고 평행하면서도 연속적으로 형성된다. 상세하게는 기판(110)의 상면에 다수개의 슬롯(slot) 형상 홀부(111)가 평행하게 형성된다. 물론 상기 홀부(111)는 요홈 또는 관통공으로 형성될 수 있다.
그리고, 제 1 몰딩부(150)는 상기 홀부(111)를 제외한 기판(110)의 상면에 형성되고, 제 2 몰딩부(160)는 상기 제 1 몰딩부(150)와 홀부(111)를 포함하여 기판(10)의 상면에 형성된다.
제 2 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조방법은 제 1 실시예와 동일한 방법으로 제조된다. 다만, 사용되는 기판(110)은 도 7에 도시된 바와 같이 소정 깊이의 홀부(111)가 발광칩(30)이 실장되는 영역을 사이에 두고 평행하게 슬롯 형상으로 형성된 것을 사용한다.
이렇게 홀부(111)가 슬롯 형상으로 형성된 기판(110)을 사용함에 따라 기판(110)을 패키지 단위로 절단하면 기판(110)의 양단을 따라 홀부(111)가 연속적으로 형성된 발광소자 패키지를 얻을 수 있다.
도 8은 본 발명의 제 2 실시예의 변형예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 사용되는 기판을 보여주는 사시도로서, 상기 홀부(211)가 슬롯 형상의 관통공으로 형성된다면 기판(210)의 형상을 유지하기 위하여 도 8에 도시된 바와 같이 홀부(211)가 기판(210)의 양단을 연통하지 않고 적어도 일부에 홀부(211)를 구획하는 구획부(213)가 형성되어야 할 것이다. 상기 구획부(213)는 슬롯 형상의 관통공으로 형성되는 홀부(211)에 의해 낱개로 분리될 수 있는 기판(210)을 일체로 묶어주는 역할을 한다.
이상에서는 도면 및 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광소자 패키지를 보여주는 사시도이고,
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광소자 패키지를 보여주는 종단면도이며,
도 3은 본 발명의 제 1 실시예의 변형예에 따른 발광소자 패키지를 보여주는 사시도이고,
도 4는 본 발명의 제 1 실시예의 변형예에 따른 발광소자 패키지를 보여주는 종단면도이며,
도 5a 내지 도 5f는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조방법을 보여주는 사시도이며,
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광소자 패키지를 보여주는 사시도이고,
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 사용되는 기판을 보여주는 사시도이며,
도 8은 본 발명의 제 2 실시예의 변형예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 사용되는 기판을 보여주는 사시도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10: 기판 11: 홀부
20a,20b: 제 1 및 리드패턴 30: 발광칩
40: 와이어 50: 제 1 몰딩부
51: 형광체 60: 제 2 몰딩부

Claims (14)

  1. 발광칩과;
    상기 발광칩이 실장되고, 상기 발광칩이 실장되는 영역의 주변 중 적어도 일부에 홀부가 형성되는 기판과;
    형광체를 함유하고, 상기 발광칩을 봉지하도록 상기 홀부를 제외한 영역에 도포되는 제1 몰딩부를 포함하며,
    상기 홀부는 상기 기판의 상면 모서리 영역에 형성되고, 수직방향으로 함몰 또는 관통된 형상으로 형성된 발광소자 패키지.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 홀부는 상기 기판의 상면 중 상기 발광칩이 실장되는 주변영역에 다수개 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 홀부는 요홈 또는 관통공 형상인 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 홀부는 도트 또는 슬롯 형상인 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 제 1 몰딩부에는 SiO2 분말을 더 함유하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 제 1 몰딩부를 봉지하는 제 2 몰딩부를 더 포함하는 발광소자 패키지.
  7. 발광칩이 실장되는 기판에 다수의 홀부를 형성하는 단계와;
    상기 홀부에 둘러싸이도록 발광칩을 기판에 실장하는 단계와;
    상기 기판 중 홀부를 제외한 영역에 형광체가 함유된 제1 몰딩제를 도포하여 발광칩을 봉지하는 제1 몰딩부를 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 홀부는 상기 기판의 상면 모서리 영역에 형성되고, 수직방향으로 함몰 또는 관통된 형상으로 형성하는 발광소자 패키지 제조방법.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 홀부는 요홈 또는 관통공으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 제조방법.
  9. 청구항 7 또는 청구항 8에 있어서,
    상기 기판에 형성되는 홀부는 격자 형상으로 서로 이격되어 배치되는 도트 형상인 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 제조방법.
  10. 청구항 7 또는 청구항 8에 있어서,
    상기 기판에 형성되는 홀부는 발광칩을 주변으로 평행하게 이격되는 슬롯 형상인 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 제조방법.
  11. 청구항 7에 있어서,
    상기 제 1 몰딩부는 제 1 몰딩제를 라이닝 방법으로 디스펜싱하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 제조방법.
  12. 청구항 7에 있어서,
    상기 제 1 몰딩제는 SiO2 분말이 더 함유되는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 제조방법.
  13. 청구항 7에 있어서,
    상기 제 1 몰딩부를 형성하는 단계 이후에, 상기 기판을 패키지 단위로 절단하는 단계를 포함하는 발광소자 패키지 제조방법.
  14. 청구항 7에 있어서,
    상기 제 1 몰딩부를 형성하는 단계 이후에,
    상기 제 1 몰딩부의 상부에 제 2 몰딩제를 도포하여 제 1 몰딩부를 봉지하는 제 2 몰딩부를 형성하는 단계와;
    상기 기판을 패키지 단위로 절단하는 단계를 포함하는 발광소자 패키지 제조방법.
KR1020080061076A 2008-06-26 2008-06-26 발광소자 패키지 및 이의 제조방법 KR101505432B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080061076A KR101505432B1 (ko) 2008-06-26 2008-06-26 발광소자 패키지 및 이의 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080061076A KR101505432B1 (ko) 2008-06-26 2008-06-26 발광소자 패키지 및 이의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100003336A KR20100003336A (ko) 2010-01-08
KR101505432B1 true KR101505432B1 (ko) 2015-03-26

Family

ID=41813159

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080061076A KR101505432B1 (ko) 2008-06-26 2008-06-26 발광소자 패키지 및 이의 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101505432B1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011145794A1 (ko) 2010-05-18 2011-11-24 서울반도체 주식회사 파장변환층을 갖는 발광 다이오드 칩과 그 제조 방법, 및 그것을 포함하는 패키지 및 그 제조 방법
KR101591991B1 (ko) 2010-12-02 2016-02-05 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3431038B2 (ja) 1994-02-18 2003-07-28 ローム株式会社 発光装置とその製造方法およびledヘッドの製造方法
KR20060093069A (ko) * 2005-02-18 2006-08-23 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 배광 특성을 제어하기 위한 렌즈를 구비한 발광 장치
WO2007141827A1 (ja) 2006-05-30 2007-12-13 Fujikura Ltd. 発光素子実装用基板、光源、照明装置、表示装置、交通信号機、及び発光素子実装用基板の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3431038B2 (ja) 1994-02-18 2003-07-28 ローム株式会社 発光装置とその製造方法およびledヘッドの製造方法
KR20060093069A (ko) * 2005-02-18 2006-08-23 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 배광 특성을 제어하기 위한 렌즈를 구비한 발광 장치
WO2007141827A1 (ja) 2006-05-30 2007-12-13 Fujikura Ltd. 発光素子実装用基板、光源、照明装置、表示装置、交通信号機、及び発光素子実装用基板の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100003336A (ko) 2010-01-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101521260B1 (ko) 발광 다이오드 패키지 및 이의 제조방법
US10177283B2 (en) LED packages and related methods
KR101601622B1 (ko) 발광다이오드 소자, 발광 장치 및 발광다이오드 소자의 제조방법
JP4673986B2 (ja) 表面実装方発光ダイオードの製造方法
KR101766299B1 (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조 방법
US20150076534A1 (en) Light-emitting device and method of manufacturing the same
JP7164586B2 (ja) Ledパッケージおよびその製造方法
KR101618029B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
KR102305948B1 (ko) Led 형광체 패키지를 위한 반사성 땜납 마스크 층
JP2005311395A (ja) 半導体発光装置の製造方法
JP2001298216A (ja) 表面実装型の半導体発光装置
KR20120084553A (ko) 발광소자의 패키지 및 그 제조방법과 리드 프레임
US9035345B2 (en) Light emitting device package for controlling light emission from a side surface and method of manufacturing the same
JP2003168828A (ja) 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
KR101505432B1 (ko) 발광소자 패키지 및 이의 제조방법
US10276762B2 (en) Optoelectronic component
KR100748707B1 (ko) 발광 소자의 제조 방법
KR20080081747A (ko) 표면실장형 발광다이오드 소자
JP2007324630A (ja) 半導体発光装置
KR100593161B1 (ko) 백색 발광 다이오드 및 그 제조 방법
KR101430178B1 (ko) 사이드뷰 led 패키지
KR20100003335A (ko) 발광소자 패키지 및 이의 제조방법
KR20100079272A (ko) Led 패키지
KR20120014285A (ko) Led 패키지 및 그의 제조 방법
KR20090058169A (ko) 백색 발광소자의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171211

Year of fee payment: 4