JP2003168828A - 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 - Google Patents
表面実装型発光ダイオード及びその製造方法Info
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Abstract
産に適するLED及びその製造方法。 【解決手段】 高熱伝導性のメタルコア材料を、射出成
形あるいはプレス成形によって略立方体形状に成形した
パッケージ1の上面1aに、円形の底面1bと円錐形状
の側面1cとを有する凹部1dが形成され、その内面は
反射膜で被覆された光反射面となっている。上面1aか
ら下面1eにかけて、パッケージ1を縦に2分するスリ
ット1f、1gが形成されており、そこへ絶縁部材2が
充填されている。バンプ付きLED素子3が、スリット
1fを跨いで底面1cにFCボンディングされている。
LED素子3と底面1bとの隙間には、アンダーフィル
樹脂4が充填されている。LED素子3の少なくとも一
面に、コーティング樹脂5がインクジェット方式により
塗布されている。透明ガラス又は樹脂から成るカバー板
6がパッケージ1上面1aに接合されて内部を封止して
いる。
Description
イオード(以下LEDと略記する)及びその製造方法に
関する。
族の化合物半導体ウエハ上にPN接合を形成し、これに
順方向電流を通じて可視光又は近赤外光の発光を得るも
のであり、近年表示、通信、計測、制御等に広く応用さ
れている。しかし、このような従来のLEDの発光色は
限られた色調のものしか存在しない。そこで、所望のカ
ラー光源を得ようと、GaN系のLEDにおいて、エポ
キシ樹脂やシリコーン樹脂等の封止樹脂中に蛍光物質や
着色剤を含有させる試みがあった。このような従来のL
EDの一例を、図面により説明する。
る。51は両面銅箔張りのBTレジン樹脂等より成る配
線基板であり、配線基板51の両面銅箔部にはメッキレ
ジストをラミネートし、露光現像して配線パターンを形
成し、更にその上に金メッキ等の表面処理を施してあ
る。52は、上面電極52aから側面電極52bを経由
して下面電極52cに至る配線パターンである一方の電
極パターンであり、53は、同じく上面電極53aから
側面電極53bを経由して下面電極53cに至る他方の
電極パターンである。
パターンである。55は、上面電極52aに一方の電極
を銀ペーストによりダイボンディングしたGaN系の青
色LED素子である。56はAu線等より成るワイヤで
あり、ワイヤ56によって、LED素子55の一方の電
極が上面電極52aと、他方の電極が上面電極53aと
ワイヤボンディングされている。57は、LED素子5
5、LED素子55の接続部及びワイヤ56等の保護
と、LED素子55の発光を効果的にすることのために
これらを封止している、透光性のエポキシ樹脂等から成
る封止樹脂である。封止樹脂57には予め蛍光物質(Y
AG蛍光体)若しくは着色剤のいずれか一方又は両方を
含有させてある。
含有する場合には、LED50を発光させると、LED
素子55を発して蛍光物質に当たった青色光は黄色に変
化して出射し、蛍光物質に当たらなかった光は青色のま
ま出射することになる。従って出射光は黄色と青色とが
混色となって白色光となる。もし封止樹脂57の中に着
色剤のみを含有する場合には、LED50の青色と着色
剤の色調とが混色となった色調の出射光となる。もし、
封止樹脂57内に蛍光物質及び着色剤を含有させた場合
には、白色光と着色剤の色調の光との混色により所望の
発光色を得ることができるというものである。
このようなLEDでは、蛍光物質は、封止樹脂よりも比
重が大きいために、樹脂に混入後キュアー炉で樹脂を硬
化させる過程において蛍光物質が沈殿してしまい、樹脂
内に均一に拡散させることができない。また、着色剤の
量を微調整することが難しく、量産上色度や輝度のバラ
ツキが避けられず、色度の選別工程が欠かせなかった。
また、樹脂は硬化しているので色度補正のために着色剤
を追加混入することもできない。したがって所望の色度
のLEDを得るのにコストアップを招くので、これらの
バラツキをいかに少なくしてコストを押さえるかが課題
であった。
するためになされたものであり、その目的は、歩留が向
上して量産に適するLED及びその製造方法を提供する
ことである。
ための本発明の手段は、外部接続端子を有するパッケー
ジ上に発光素子を搭載して封止した表面実装型発光ダイ
オードにおいて、前記パッケージはメタルコア材料より
成る略立方体形状のパッケージであって、該パッケージ
の一面に光反射面を有する凹部が形成されており、前記
一面から前記一面と背中合わせの面にかけて形成された
前記パッケージを縦に2分するスリットに絶縁部材が充
填されており、前記凹部には前記スリットを跨いで前記
発光素子が実装されていて、前記凹部はカバー板で封止
されていると共に、前記発光ダイオードは蛍光体若しく
は着色剤のいずれか一方、又は両方を含有する樹脂を塗
布することによって色度補正がなされていることを特徴
とする。
とも一面に塗布されていることを特徴とする。
されていることを特徴とする。
子であることを特徴とする。
ム)、Ga(ガリウム)、Al(アルミニウム)及びP
(燐)元素を含むことを特徴とする。
明の他の手段は、請求項1乃至請求項5のいずれかに記
載の表面実装型ダイオードを製造する方法において、蛍
光体若しくは着色剤のいずれか一方、又は両方を含有す
る前記樹脂をインクジェット方式により塗布する工程を
有することを特徴とする。
に基づいて詳細に説明する。図1は本発明の第1の実施
の形態であるLEDの断面図、図2はこのLEDのパッ
ケージの斜視図である。
する。図1において、10は表面実装型LEDである。
1は100W/(m・K)以上の熱伝導性の高いMg
系、Al系、Cu系等のメタルコア材料を、射出成形あ
るいはプレス成形によって略立方体形状に成形したパッ
ケージである。パッケージ1の上面1aには円形の底面
1b及び底面1bから開口へ向かって拡がる円錐形状の
側面1cを有する凹部1dが形成されている。凹部1d
の内面は、素子実装面を除いて、蒸着、印刷、あるいは
銀メッキ等のメッキにより形成された反射膜により被覆
されている。
中合わせの下面1eにかけて、パッケージ1を縦に2分
するように、スリット1f及びスリット1fより幅広の
スリット1gが形成されている。2はスリット1f及び
スリット1gに充填された接着剤等の絶縁部材である。
パッケージ1は、絶縁部材2において2分割されて一対
の電極を構成している。底面1bにあるLED素子3の
ボンディング部及び下面1eの外部接続端子部には、そ
れぞれボンディングに必要な金メッキ等の表面処理が施
されている。
形成された発光素子であるGaN系のバンプ付きLED
素子であり、前記スリット1fを跨いでパッケージ1の
底面1bの両電極面にFCボンディングにより接合され
ている。4は、LED素子3と底面1bとの隙間に充填
され、ボンディング部を被覆しているアンダーフィル樹
脂である。5は、蛍光体若しくは着色剤のいずれか一
方、又は両方を含有したコーティング樹脂であり、LE
D素子3の少なくとも一面に塗布してある。ここで「少
なくとも一面に」というのは、一面に塗布するだけでも
色度調整が行える場合があり得るからである。6は、パ
ッケージ1の上面1aに接合して内部を封止している透
明ガラス又は透明樹脂から成るシート状又は平板状のカ
バー板である。
コーティング樹脂5の中に蛍光物質のみを含有させてあ
る場合には、GaN系のLED素子3を発した青色光
は、コーティング樹脂5の中で蛍光物質に当たって黄色
に変化して出射し、蛍光物質に当たらなかった光は青色
のまま出射することになるため、出射光はこれら黄色と
青色との混色により白色光となる。また、コーティング
樹脂5の中に着色剤のみを含有させてある場合には、出
射光はLED素子3の青色と着色剤の色調との混色とな
る。更に、コーティング樹脂5内に蛍光物質及び着色剤
を混入させた場合には、白色と着色剤の色調との混色を
帯びた発光を得ることができる。このようにして、所望
の発光色のLEDが得られる。
望の発光色を得るには、蛍光物質若しくは着色剤のいず
れか一方、又は両方をコーティング樹脂5に含有させれ
ばよいことになる。また、必要に応じて、酸化防止剤や
老化防止剤を適宜混入させてもよい。また、LED素子
3は、GaN系のものに限定されるものではなく、In
(インジウム)、Ga(ガリウム)、Al(アルミニウ
ム)及びP(燐)の4元素を組み合わせた化合物半導体
から形成されたLED素子であってもよく、GaN系の
青色のLED素子の場合と同様の作用で、所望の発光色
を得ることができる。
て、中でもコーティング樹脂5を塗布する工程について
説明する。図3において、20はインクジェット方式に
よりコーティング樹脂5を吐出するノズルである。ま
ず、LED素子3を搭載後のパッケージ1に対して、ア
ンダーフィル樹脂4を注入・充填し、加熱硬化させる。
次に、ノズル20をLED素子3の上面に近接させてコ
ーティング樹脂5を吐出し、加熱硬化させる。次に、カ
バー板6をパッケージ1に接合する。なお、スリット1
f、1g並びにスリット1f、1gに絶縁部材2を充填
する方法は、まず、スリット1gを底面1bに達しない
ように加工する。次に、1gへ絶縁部材2を充填し、加
熱硬化させてから、上面1aからスリット1fをスリッ
ト1gに達するまで加工する。そして、最後にスリット
1fに絶縁部材2を充填硬化させる手順で行う。LED
10を製造する全体の工程には、多数個取りが可能な集
合状態のパッケージ基板を用いて、バッチ処理による同
時多数個の製造方式を採用することができる。
果について説明する。凹部1d内面により反射され、必
要な方向である上方への光の取り出し効率(輝度)が向
上する。多数個取りのできる集合基板であるパッケージ
基板を用いて、同時多数個の処理ができるので、製造コ
ストの削減ができる。LED素子3の接合をFCボンデ
ィングによって行ったので、耐衝撃性に優れている。吸
湿性があり、熱膨張の大きな封止樹脂を用いないで、線
膨張係数がパッケージ材料と近似したカバー板6を用い
て封止した場合には、耐湿性、耐熱性に優れている。
材料で構成されているので、従来のLEDと比べて遙か
に放熱性に優れており、大電流が必要で、発熱量の大き
い車載用LEDには最適な構成である。また、射出成形
又はプレス成形といった方法で製造できるので、特殊な
技術や設備を必要としない。
式によって塗布するようにしたので、樹脂量の微調整が
可能となり、微妙な色度調整ができるようになった。こ
れにより、従来必要であった色度による選別工程を廃止
できた。
説明する。図4は本発明の第2の実施の形態であるLE
D20の断面図である。図4において、第1の実施の形
態と異なるのはコーティング樹脂5が塗布されている場
所であり、コーティング樹脂5は、カバー板6上に塗布
されている。その他の構成はLED10と同様であるか
ら、同じ構成要素には同じ符号と名称を付与して、説明
を省略する。
明する。第1の実施の形態の場合と同様な効果の他に、
LED20のカバー板6を、新たにコーティング樹脂5
を塗布したカバー板6に交換することによって、簡単に
色度の補正ができるようになった。また、同じ製品に対
して、何度も蛍光体又は着色剤を含んだ樹脂を塗布する
ことによって色度調整することもできる。
外部接続端子を有するパッケージ上にGaN系の発光素
子を搭載し、該発光素子を蛍光体若しくは着色剤を含有
した樹脂で封止した表面実装型発光LEDにおいて、前
記パッケージはメタルコア材料より成る略立方体形状の
パッケージであって、該パッケージの一面に光反射面を
有する凹部が形成されており、前記一面から前記一面と
背中合わせの面にかけて形成された前記パッケージを縦
に2分するスリットに絶縁部材が充填されており、前記
凹部の底面に前記発光素子が実装されており、前記パッ
ケージはカバー板で封止されており、前記発光ダイオー
ドは蛍光体若しくは着色剤のいずれか一方、又は両方を
含有する樹脂を塗布したので、LEDの発光色を所望の
色に変化させることができ、かつ輝度も向上させること
ができる、放熱性に優れ、信頼性の高い表面実装型発光
LEDを得ることができた。
に、インクジェット方式を採用したので、樹脂量の微調
整が可能となり、容易に任意の色調の発光を得ることが
できるようになった。また、カバー板にコーティング樹
脂を塗布することにより、一旦完成したLEDの発光色
を変更調整することが容易となった。
図である。
ケージの斜視図である。
方法を示す断面図である。
図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 外部接続端子を有するパッケージ上に発
光素子を搭載して封止した表面実装型発光ダイオードに
おいて、前記パッケージはメタルコア材料より成る略立
方体形状のパッケージであって、該パッケージの一面に
光反射面を有する凹部が形成されており、前記一面から
前記一面と背中合わせの面にかけて形成された前記パッ
ケージを縦に2分するスリットに絶縁部材が充填されて
おり、前記凹部には前記スリットを跨いで前記発光素子
が実装されていて、前記凹部はカバー板で封止されてい
ると共に、前記発光ダイオードは蛍光体若しくは着色剤
のいずれか一方、又は両方を含有する樹脂を塗布するこ
とによって色度補正がなされていることを特徴とする表
面実装型発光ダイオード。 - 【請求項2】 前記樹脂は、前記発光素子の少なくとも
一面に塗布されていることを特徴とする請求項1記載の
表面実装型発光ダイオード。 - 【請求項3】 前記樹脂は、前記カバー板上に塗布され
ていることを特徴とする請求項1記載の表面実装型発光
ダイオード。 - 【請求項4】 前記発光素子は、GaN系の発光素子で
あることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか
に記載の表面実装型ダイオード。 - 【請求項5】 前記発光素子は、In(インジウム)、
Ga(ガリウム)、Al(アルミニウム)及びP(燐)
元素を含むことを特徴とする請求項1乃至請求項3のい
ずれかに記載の表面実装型ダイオード。 - 【請求項6】 請求項1乃至請求項5のいずれかに記載
の表面実装型ダイオードを製造する方法において、蛍光
体若しくは着色剤のいずれか一方、又は両方を含有する
前記樹脂をインクジェット方式により塗布する工程を有
することを特徴とする表面実装型発光ダイオードの製造
方法。
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Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005019663A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
JP2005019662A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2005039100A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 高熱伝導性発光素子用回路部品及び高放熱モジュール |
JP2005123560A (ja) * | 2003-09-25 | 2005-05-12 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置およびその形成方法 |
JP2005268634A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Kyoshin Kagi Kofun Yugenkoshi | 置き換え可能な発光ダイオード装置のモールディング構造 |
KR100592330B1 (ko) | 2005-01-20 | 2006-06-21 | 주식회사 코스텍시스 | 발광다이오드 모듈 |
JP2007188976A (ja) * | 2006-01-11 | 2007-07-26 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 発光装置の製造方法 |
JP2007201104A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 発光装置 |
JP2007201010A (ja) * | 2006-01-24 | 2007-08-09 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 発光装置の製造方法 |
JP2007288050A (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2008066691A (ja) * | 2006-03-10 | 2008-03-21 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 照明装置 |
WO2013121708A1 (ja) * | 2012-02-15 | 2013-08-22 | パナソニック株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
CN109427946A (zh) * | 2017-09-05 | 2019-03-05 | Lg伊诺特有限公司 | 半导体器件封装件 |
KR20200045741A (ko) * | 2018-10-23 | 2020-05-06 | 주식회사 루멘스 | Uv led 패키지 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103904072A (zh) * | 2014-03-28 | 2014-07-02 | 中山市鸿宝电业有限公司 | 一种大功率led芯片集成封装结构 |
-
2001
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Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4661031B2 (ja) * | 2003-06-26 | 2011-03-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2005019662A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2005019663A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
JP4661032B2 (ja) * | 2003-06-26 | 2011-03-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2005039100A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 高熱伝導性発光素子用回路部品及び高放熱モジュール |
JP2005123560A (ja) * | 2003-09-25 | 2005-05-12 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置およびその形成方法 |
JP2005268634A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Kyoshin Kagi Kofun Yugenkoshi | 置き換え可能な発光ダイオード装置のモールディング構造 |
KR100592330B1 (ko) | 2005-01-20 | 2006-06-21 | 주식회사 코스텍시스 | 발광다이오드 모듈 |
JP2007188976A (ja) * | 2006-01-11 | 2007-07-26 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 発光装置の製造方法 |
JP2007201010A (ja) * | 2006-01-24 | 2007-08-09 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 発光装置の製造方法 |
JP2007201104A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 発光装置 |
JP2008066691A (ja) * | 2006-03-10 | 2008-03-21 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 照明装置 |
JP2007288050A (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
WO2013121708A1 (ja) * | 2012-02-15 | 2013-08-22 | パナソニック株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
CN104081547A (zh) * | 2012-02-15 | 2014-10-01 | 松下电器产业株式会社 | 发光装置以及其制造方法 |
JPWO2013121708A1 (ja) * | 2012-02-15 | 2015-05-11 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
US9627583B2 (en) | 2012-02-15 | 2017-04-18 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting device and method for manufacturing the same |
CN109427946A (zh) * | 2017-09-05 | 2019-03-05 | Lg伊诺特有限公司 | 半导体器件封装件 |
KR20190026581A (ko) * | 2017-09-05 | 2019-03-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 소자 패키지 |
JP2019047123A (ja) * | 2017-09-05 | 2019-03-22 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 半導体素子パッケージ |
US11335843B2 (en) | 2017-09-05 | 2022-05-17 | Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device package |
CN109427946B (zh) * | 2017-09-05 | 2022-05-20 | 苏州乐琻半导体有限公司 | 半导体器件封装件 |
KR102641336B1 (ko) * | 2017-09-05 | 2024-02-28 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 반도체 소자 패키지 |
KR20200045741A (ko) * | 2018-10-23 | 2020-05-06 | 주식회사 루멘스 | Uv led 패키지 |
KR102650690B1 (ko) | 2018-10-23 | 2024-03-25 | 주식회사 루멘스 | Uv led 패키지 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP4003866B2 (ja) | 2007-11-07 |
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