JP4673986B2 - 表面実装方発光ダイオードの製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 77
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 77
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 31
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 8
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQMZPFKLYHOJDL-UHFFFAOYSA-N zinc;cadmium(2+);disulfide Chemical compound [S-2].[S-2].[Zn+2].[Cd+2] UQMZPFKLYHOJDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表面実装型発光ダイオードの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
発光装置である発光ダイオード（以下、ＬＥＤという）は、小型であって、効率が良く鮮やかな色の発光を行うことができ、駆動特性に優れ、振動及びＯＮ／ＯＦＦ点灯の繰り返しに強いという特徴を有する。そのため、各種インジケータ及び種々の光源として用いられている。
【０００３】
従来の表面実装型ＬＥＤの製造においては、まず、ガラスエポキシ樹脂等の基板にＬＥＤチップを銀ペースト等で実装し、そのＬＥＤチップに備えられた電極と基板に備えられた電極とを金線等の金属線で接続する。
次に、ＬＥＤチップからの放射光を波長変換するための蛍光剤を混和したエポキシ樹脂分散媒をディップする等し、硬化させてＬＥＤチップを封止し、チップ封止層を形成する。
その後、チップ封止層より大きい凹部が所定間隔を隔てて複数設けられた金型を、各凹部内に各チップ封止層を入れた状態でセットし、各凹部と基板との空間にエポキシ樹脂を注入し、硬化させて、チップ封止層を覆う封止レンズ層を形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述の従来の表面実装型ＬＥＤの製造方法においては、チップ封止層を形成する際に、蛍光剤を分散させたエポキシ樹脂分散媒をプレディップする等、各ＬＥＤチップ毎に所定量滴下する工程が必要であるので、製造工程が煩雑であるという問題があった。また、蛍光剤がＬＥＤチップ表面を直接覆うので、ＬＥＤチップの金線接続部分等の信頼性が必要とされる部分に蛍光剤が接触して信頼性が損なわれるという問題があった。
そして、量産時に、各ＬＥＤのチップ封止層の形状を均一にすることが出来ず、各チップ封止層の蛍光剤の含有量をコントロールすることが出来なかった。また、各チップ封止層の厚みを均一にすることが出来ず、蛍光剤の分布が不均一であるので、波長変換効率に差が生じ、ＬＥＤの色調にムラがあるという問題もあった。
【０００５】
さらに、ＬＥＤチップを蛍光剤を含まない透光性樹脂により封止し、チップ封止層を形成した後、このチップ封止層の上面を蛍光剤を混合したシート状の透光性樹脂により覆ったＬＥＤもあるが、この場合、チップ封止層の上面からのＬＥＤチップの放射光と側面からの放射光とで色調にムラが生じるという問題があった。
【０００７】
本発明は、斯かる事情に鑑みてなされたものであり、チップ封止部に対応する凹部を中央部に有した凸状部が所定間隔を隔てて複数設けられた型を基板上に配し、透光性樹脂を流し込んで第１透光性樹脂層を形成し、前記凸状部によって形成された第１透光性樹脂層の凹みに第２透光性樹脂層を形成することにより、製造工程が簡単になり、量産性が高くなるとともに、蛍光剤を含む第２透光性樹脂層の厚みを容易に均一化することができ、ＬＥＤチップの上面からの放射光の色調と側面からの放射光の色調とを均一化することができる表面実装型ＬＥＤの製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
第１発明の表面実装型発光ダイオードの製造方法は、基板上に発光ダイオードチップを搭載する工程と、基板上に設けられた電極と前記発光ダイオードチップに備えられた電極とを金属線により接続する工程と、前記発光ダイオードチップを透光性樹脂により封止してチップ封止部を形成する工程と、前記チップ封止部を蛍光剤を含む透光性樹脂により覆う工程とを含む表面実装型発光ダイオードの製造方法において、前記チップ封止部に対応する凹部を中央部に有した凸状部が所定間隔を隔てて複数設けられた型を、各凹部を各発光ダイオードチップに対向させた状態で、前記基板の上方に所定間隔を隔てて配する工程と、前記型と前記基板との間に透光性樹脂を流し込む工程と、前記透光性樹脂を硬化させ、前記型を開いて第１透光性樹脂層を形成する工程と、前記凸状部によって形成された第１透光性樹脂層の凹みに、蛍光剤を含む透光性樹脂を注入する工程と、前記透光性樹脂を硬化させて第２透光性樹脂層を形成する工程とを含むことを特徴とする。
【００１１】
第１発明においては、型と基板との間に透光性樹脂を流し込んで第１透光性樹脂層を形成し、この第１透光性樹脂層の凹みに、蛍光剤を含む透光性樹脂を注入して第２透光性樹脂層を形成するので、製造工程が簡単になり、量産性が向上する。
また、第１透光性樹脂層の凹みに第２透光性樹脂層を形成するので、前記凹みに基づき各ＬＥＤの第２透光性樹脂層の形状が同一になり、各第２透光性樹脂層の蛍光剤の含有量が均一化される。さらに、各第２透光性樹脂層においても、前記凹みに基づき厚みが容易に均一化されて蛍光剤の分布が均一になり、ＬＥＤの発光波長が均一化される。
そして、前記凹みの形状を、第２透光性樹脂層がＬＥＤチップの側面部を充分にカバーできる形状にすることで、ＬＥＤチップの上面からの放射光の色調と側面からの放射光の色調とを均一化することができる。
従って、第１発明の表面実装型発光ダイオードの製造方法により、品質及び性能が向上した表面実装型発光ダイオードを得ることが出来る。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて、具体的に説明する。
図１は、本発明の実施の形態に係る表面実装型ＬＥＤの構造を示す平面図であり、図２はそのII-II 線断面図である。図中、１は基板である。
ガラスエポキシ樹脂等からなる基板１の両端には、外部回路に接続するための外部電極２，２が設けられている。一方の外部電極２の中央部には、基板１の中央側に張り出させてチップ搭載部２ａが設けられており、その端部に、ＧａＮ系化合物半導体を発光層として有するＬＥＤチップ３が実装されている。他方の外部電極２には、チップ搭載部２ａに対向させて内部電極２ｂが設けられている。ＬＥＤチップ３の一方の電極は、金線４によりチップ搭載部２ａと、他方の電極は金線４により内部電極２ｂと接続されている。
【００１３】
ＬＥＤチップ３は、エポキシ樹脂等の透光性樹脂からなる第１透光性樹脂層５により封止されている。第１透光性樹脂層５は、直接ＬＥＤチップ３を封止するチップ封止部５ａと、溝部５ｂを介し、チップ封止部５ａの周囲に、その高さをチップ封止部５ａの高さより高くして設けられたチップ封止部包囲部５ｃとからなる。
【００１４】
チップ封止部包囲部５ｃの内側であって、チップ封止部５ａの上方と側方とに相当する部分には、蛍光剤を含むエポキシ樹脂等の透光性樹脂層からなる第２透光性樹脂層６が形成されている。
蛍光剤は、ＬＥＤチップ３の発光波長を他の波長に変換できる、蛍光塗料、蛍光顔料、蛍光体等の蛍光物質である。
【００１５】
本発明の表面実装型ＬＥＤにおいては、第１透光性樹脂層５が蛍光剤を含んでいないので、ＬＥＤチップ３の金線４接続部分等の信頼性を確保することができる。そして、チップ封止部包囲部５ｃの内側に、蛍光剤を混合した第２透光性樹脂６を形成するので、第１透光性樹脂層５の形状により第２透光性樹脂層６の形状が定まる。従って、第２透光性樹脂層６の厚みを均一にすることができ、蛍光剤の分布が均一になるので、波長変換効率が均一になり、ＬＥＤの発光波長が均一化される。そして、ＬＥＤチップ３の上方だけでなく、側方も第２透光性樹脂層６で覆われているので、ＬＥＤチップ３の上面からの放射光と側面からの放射光との色調ムラが低減する。
【００１６】
以下、本発明の表面実装型ＬＥＤの製造方法について説明する。本発明の表面実装型ＬＥＤは、基板上に複数個製造された後、カットにより個別に分離される。
基板１の両端には、その延在方向を基板１の長手方向と一致させて電極２，２が設けられており、一方の電極２には、所定間隔を隔てて、チップ搭載部２ａ，２ａ…が、他方の電極２にはチップ搭載部２ａ，２ａ…と対向する内部電極２ｂ，２ｂ…が設けられている。
基板１上の各チップ搭載部２ａ，２ａ…にＬＥＤチップ３，３…を銀ペースト等で実装し、各ＬＥＤチップ３の一方の電極をチップ搭載部２ａと、他方の電極を内部電極２ｂと、金線４，４により各々接続する。
【００１７】
図３は、基板１の電極２の延在方向における断面図であり、以下の製造工程を示す断面図である。
まず、チップ封止部５ａに対応する凹部７ａを中央部に有した凸状部７ｂが所定間隔を隔てて複数設けられた金属製又はエポキシ樹脂製の型７を、各凹部７ａを各ＬＥＤチップ３に対向させた状態で、基板１の上方に所定間隔を隔てて配する（図３（ａ））。
【００１８】
次に、型７と基板１との間に透光性樹脂を流し込み、この透光性樹脂を硬化させ、型７を開いて第１透光性樹脂層５を形成する（図３（ｂ））。
そして、凸状部７ｂによって形成された第１透光性樹脂層５の凹みに、蛍光剤を含む透光性樹脂を注入し、この透光性樹脂を硬化させて第２透光性樹脂層６を形成する。その後、所定の幅にカットし、個別に分離された表面実装型ＬＥＤを得る（図３（ｃ））。
ＬＥＤチップ３の発光層がＧａＮ系化合物半導体であって、青色の光を発光する場合、蛍光剤としては、銅で付活された硫化カドミ亜鉛やセリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体等の青色発光を吸収して黄色系を発光する蛍光体が挙げられる。この混色により表面実装型ＬＥＤは白色の光を発することになる。
【００１９】
以上のように、本発明の表面実装型ＬＥＤの製造方法においては、型７と基板１との間に透光性樹脂を流し込んで第１透光性樹脂層５を形成し、この第１透光性樹脂層５の凹みに、蛍光剤を含む透光性樹脂を注入して第２透光性樹脂層６を形成するので、製造工程が簡単になる。
そして、前記凹みにより各ＬＥＤの第２透光性樹脂層６の形状が同一になり、各ＬＥＤの蛍光剤の含有量を均一にすることが出来、量産性が向上する。
また、第１透光性樹脂層５の凹みに第２透光性樹脂層６を形成するので、前記凹みに基づき第２透光性樹脂層６の厚みを容易に均一化することができ、蛍光剤の分布を均一にして、ＬＥＤの発光波長を均一化することができる。
さらに、前記凹みの形状を、第２透光性樹脂層６がＬＥＤチップ３の側面部を充分にカバーできる形状にすることで、ＬＥＤチップ３の上面からの放射光と側面からの放射光との色調ムラを低減することができる。
【００２０】
なお、前記実施の形態においては、ＧａＮ系のＬＥＤチップ３を用いた場合につき説明しているがこれに限定されるものではなく、ＳｉＣ系、ＺｎＳｅ系、ＧａＡｓ系、ＧａＡｌＡｓ系及びＺｎＯ系等の他の色の光を発するＬＥＤチップ３を用いてもよく、この場合、ＬＥＤチップ３の発光色に対応させて蛍光剤を選択する。
【００２１】
【発明の効果】
以上、詳述したように、第１発明による場合は、型と基板との間に透光性樹脂を流し込んで第１透光性樹脂層を形成し、この第１透光性樹脂層の凹みに、蛍光剤を含む透光性樹脂を注入して第２透光性樹脂層を形成するので、製造工程が簡単になり、蛍光剤の含有量のコントロールも容易であり、量産性が向上する。
また、第１透光性樹脂層の凹みに第２透光性樹脂層を形成するので、前記凹みに基づき各ＬＥＤの第２透光性樹脂層の形状が同一になり、第２透光性樹脂層の蛍光剤の含有量が均一になる。さらに、第２透光性樹脂層においても厚みが容易に均一化されるので、蛍光剤の分布が均一になり、ＬＥＤの発光波長が均一化される。
そして、前記凹みの形状を、第２透光性樹脂層がＬＥＤチップの側面部を充分にカバーできる形状にすることで、ＬＥＤチップの上面からの放射光と側面からの放射光との色調ムラを低減することができる。
従って、第１発明の方法により、品質及び性能が向上した表面実装型ＬＥＤを得ることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る表面実装型ＬＥＤの構造を示す平面図である。
【図２】図１のII−II線断面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る表面実装型ＬＥＤの製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
１ 基板
２ 電極
３ ＬＥＤチップ
４ 金線
５ 第１透光性樹脂層
５ａ チップ封止部
５ｂ 溝部
５ｃ チップ封止部包囲部
６ 第２透光性樹脂層
【発明の属する技術分野】
本発明は、表面実装型発光ダイオードの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
発光装置である発光ダイオード（以下、ＬＥＤという）は、小型であって、効率が良く鮮やかな色の発光を行うことができ、駆動特性に優れ、振動及びＯＮ／ＯＦＦ点灯の繰り返しに強いという特徴を有する。そのため、各種インジケータ及び種々の光源として用いられている。
【０００３】
従来の表面実装型ＬＥＤの製造においては、まず、ガラスエポキシ樹脂等の基板にＬＥＤチップを銀ペースト等で実装し、そのＬＥＤチップに備えられた電極と基板に備えられた電極とを金線等の金属線で接続する。
次に、ＬＥＤチップからの放射光を波長変換するための蛍光剤を混和したエポキシ樹脂分散媒をディップする等し、硬化させてＬＥＤチップを封止し、チップ封止層を形成する。
その後、チップ封止層より大きい凹部が所定間隔を隔てて複数設けられた金型を、各凹部内に各チップ封止層を入れた状態でセットし、各凹部と基板との空間にエポキシ樹脂を注入し、硬化させて、チップ封止層を覆う封止レンズ層を形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述の従来の表面実装型ＬＥＤの製造方法においては、チップ封止層を形成する際に、蛍光剤を分散させたエポキシ樹脂分散媒をプレディップする等、各ＬＥＤチップ毎に所定量滴下する工程が必要であるので、製造工程が煩雑であるという問題があった。また、蛍光剤がＬＥＤチップ表面を直接覆うので、ＬＥＤチップの金線接続部分等の信頼性が必要とされる部分に蛍光剤が接触して信頼性が損なわれるという問題があった。
そして、量産時に、各ＬＥＤのチップ封止層の形状を均一にすることが出来ず、各チップ封止層の蛍光剤の含有量をコントロールすることが出来なかった。また、各チップ封止層の厚みを均一にすることが出来ず、蛍光剤の分布が不均一であるので、波長変換効率に差が生じ、ＬＥＤの色調にムラがあるという問題もあった。
【０００５】
さらに、ＬＥＤチップを蛍光剤を含まない透光性樹脂により封止し、チップ封止層を形成した後、このチップ封止層の上面を蛍光剤を混合したシート状の透光性樹脂により覆ったＬＥＤもあるが、この場合、チップ封止層の上面からのＬＥＤチップの放射光と側面からの放射光とで色調にムラが生じるという問題があった。
【０００７】
本発明は、斯かる事情に鑑みてなされたものであり、チップ封止部に対応する凹部を中央部に有した凸状部が所定間隔を隔てて複数設けられた型を基板上に配し、透光性樹脂を流し込んで第１透光性樹脂層を形成し、前記凸状部によって形成された第１透光性樹脂層の凹みに第２透光性樹脂層を形成することにより、製造工程が簡単になり、量産性が高くなるとともに、蛍光剤を含む第２透光性樹脂層の厚みを容易に均一化することができ、ＬＥＤチップの上面からの放射光の色調と側面からの放射光の色調とを均一化することができる表面実装型ＬＥＤの製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
第１発明の表面実装型発光ダイオードの製造方法は、基板上に発光ダイオードチップを搭載する工程と、基板上に設けられた電極と前記発光ダイオードチップに備えられた電極とを金属線により接続する工程と、前記発光ダイオードチップを透光性樹脂により封止してチップ封止部を形成する工程と、前記チップ封止部を蛍光剤を含む透光性樹脂により覆う工程とを含む表面実装型発光ダイオードの製造方法において、前記チップ封止部に対応する凹部を中央部に有した凸状部が所定間隔を隔てて複数設けられた型を、各凹部を各発光ダイオードチップに対向させた状態で、前記基板の上方に所定間隔を隔てて配する工程と、前記型と前記基板との間に透光性樹脂を流し込む工程と、前記透光性樹脂を硬化させ、前記型を開いて第１透光性樹脂層を形成する工程と、前記凸状部によって形成された第１透光性樹脂層の凹みに、蛍光剤を含む透光性樹脂を注入する工程と、前記透光性樹脂を硬化させて第２透光性樹脂層を形成する工程とを含むことを特徴とする。
【００１１】
第１発明においては、型と基板との間に透光性樹脂を流し込んで第１透光性樹脂層を形成し、この第１透光性樹脂層の凹みに、蛍光剤を含む透光性樹脂を注入して第２透光性樹脂層を形成するので、製造工程が簡単になり、量産性が向上する。
また、第１透光性樹脂層の凹みに第２透光性樹脂層を形成するので、前記凹みに基づき各ＬＥＤの第２透光性樹脂層の形状が同一になり、各第２透光性樹脂層の蛍光剤の含有量が均一化される。さらに、各第２透光性樹脂層においても、前記凹みに基づき厚みが容易に均一化されて蛍光剤の分布が均一になり、ＬＥＤの発光波長が均一化される。
そして、前記凹みの形状を、第２透光性樹脂層がＬＥＤチップの側面部を充分にカバーできる形状にすることで、ＬＥＤチップの上面からの放射光の色調と側面からの放射光の色調とを均一化することができる。
従って、第１発明の表面実装型発光ダイオードの製造方法により、品質及び性能が向上した表面実装型発光ダイオードを得ることが出来る。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて、具体的に説明する。
図１は、本発明の実施の形態に係る表面実装型ＬＥＤの構造を示す平面図であり、図２はそのII-II 線断面図である。図中、１は基板である。
ガラスエポキシ樹脂等からなる基板１の両端には、外部回路に接続するための外部電極２，２が設けられている。一方の外部電極２の中央部には、基板１の中央側に張り出させてチップ搭載部２ａが設けられており、その端部に、ＧａＮ系化合物半導体を発光層として有するＬＥＤチップ３が実装されている。他方の外部電極２には、チップ搭載部２ａに対向させて内部電極２ｂが設けられている。ＬＥＤチップ３の一方の電極は、金線４によりチップ搭載部２ａと、他方の電極は金線４により内部電極２ｂと接続されている。
【００１３】
ＬＥＤチップ３は、エポキシ樹脂等の透光性樹脂からなる第１透光性樹脂層５により封止されている。第１透光性樹脂層５は、直接ＬＥＤチップ３を封止するチップ封止部５ａと、溝部５ｂを介し、チップ封止部５ａの周囲に、その高さをチップ封止部５ａの高さより高くして設けられたチップ封止部包囲部５ｃとからなる。
【００１４】
チップ封止部包囲部５ｃの内側であって、チップ封止部５ａの上方と側方とに相当する部分には、蛍光剤を含むエポキシ樹脂等の透光性樹脂層からなる第２透光性樹脂層６が形成されている。
蛍光剤は、ＬＥＤチップ３の発光波長を他の波長に変換できる、蛍光塗料、蛍光顔料、蛍光体等の蛍光物質である。
【００１５】
本発明の表面実装型ＬＥＤにおいては、第１透光性樹脂層５が蛍光剤を含んでいないので、ＬＥＤチップ３の金線４接続部分等の信頼性を確保することができる。そして、チップ封止部包囲部５ｃの内側に、蛍光剤を混合した第２透光性樹脂６を形成するので、第１透光性樹脂層５の形状により第２透光性樹脂層６の形状が定まる。従って、第２透光性樹脂層６の厚みを均一にすることができ、蛍光剤の分布が均一になるので、波長変換効率が均一になり、ＬＥＤの発光波長が均一化される。そして、ＬＥＤチップ３の上方だけでなく、側方も第２透光性樹脂層６で覆われているので、ＬＥＤチップ３の上面からの放射光と側面からの放射光との色調ムラが低減する。
【００１６】
以下、本発明の表面実装型ＬＥＤの製造方法について説明する。本発明の表面実装型ＬＥＤは、基板上に複数個製造された後、カットにより個別に分離される。
基板１の両端には、その延在方向を基板１の長手方向と一致させて電極２，２が設けられており、一方の電極２には、所定間隔を隔てて、チップ搭載部２ａ，２ａ…が、他方の電極２にはチップ搭載部２ａ，２ａ…と対向する内部電極２ｂ，２ｂ…が設けられている。
基板１上の各チップ搭載部２ａ，２ａ…にＬＥＤチップ３，３…を銀ペースト等で実装し、各ＬＥＤチップ３の一方の電極をチップ搭載部２ａと、他方の電極を内部電極２ｂと、金線４，４により各々接続する。
【００１７】
図３は、基板１の電極２の延在方向における断面図であり、以下の製造工程を示す断面図である。
まず、チップ封止部５ａに対応する凹部７ａを中央部に有した凸状部７ｂが所定間隔を隔てて複数設けられた金属製又はエポキシ樹脂製の型７を、各凹部７ａを各ＬＥＤチップ３に対向させた状態で、基板１の上方に所定間隔を隔てて配する（図３（ａ））。
【００１８】
次に、型７と基板１との間に透光性樹脂を流し込み、この透光性樹脂を硬化させ、型７を開いて第１透光性樹脂層５を形成する（図３（ｂ））。
そして、凸状部７ｂによって形成された第１透光性樹脂層５の凹みに、蛍光剤を含む透光性樹脂を注入し、この透光性樹脂を硬化させて第２透光性樹脂層６を形成する。その後、所定の幅にカットし、個別に分離された表面実装型ＬＥＤを得る（図３（ｃ））。
ＬＥＤチップ３の発光層がＧａＮ系化合物半導体であって、青色の光を発光する場合、蛍光剤としては、銅で付活された硫化カドミ亜鉛やセリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体等の青色発光を吸収して黄色系を発光する蛍光体が挙げられる。この混色により表面実装型ＬＥＤは白色の光を発することになる。
【００１９】
以上のように、本発明の表面実装型ＬＥＤの製造方法においては、型７と基板１との間に透光性樹脂を流し込んで第１透光性樹脂層５を形成し、この第１透光性樹脂層５の凹みに、蛍光剤を含む透光性樹脂を注入して第２透光性樹脂層６を形成するので、製造工程が簡単になる。
そして、前記凹みにより各ＬＥＤの第２透光性樹脂層６の形状が同一になり、各ＬＥＤの蛍光剤の含有量を均一にすることが出来、量産性が向上する。
また、第１透光性樹脂層５の凹みに第２透光性樹脂層６を形成するので、前記凹みに基づき第２透光性樹脂層６の厚みを容易に均一化することができ、蛍光剤の分布を均一にして、ＬＥＤの発光波長を均一化することができる。
さらに、前記凹みの形状を、第２透光性樹脂層６がＬＥＤチップ３の側面部を充分にカバーできる形状にすることで、ＬＥＤチップ３の上面からの放射光と側面からの放射光との色調ムラを低減することができる。
【００２０】
なお、前記実施の形態においては、ＧａＮ系のＬＥＤチップ３を用いた場合につき説明しているがこれに限定されるものではなく、ＳｉＣ系、ＺｎＳｅ系、ＧａＡｓ系、ＧａＡｌＡｓ系及びＺｎＯ系等の他の色の光を発するＬＥＤチップ３を用いてもよく、この場合、ＬＥＤチップ３の発光色に対応させて蛍光剤を選択する。
【００２１】
【発明の効果】
以上、詳述したように、第１発明による場合は、型と基板との間に透光性樹脂を流し込んで第１透光性樹脂層を形成し、この第１透光性樹脂層の凹みに、蛍光剤を含む透光性樹脂を注入して第２透光性樹脂層を形成するので、製造工程が簡単になり、蛍光剤の含有量のコントロールも容易であり、量産性が向上する。
また、第１透光性樹脂層の凹みに第２透光性樹脂層を形成するので、前記凹みに基づき各ＬＥＤの第２透光性樹脂層の形状が同一になり、第２透光性樹脂層の蛍光剤の含有量が均一になる。さらに、第２透光性樹脂層においても厚みが容易に均一化されるので、蛍光剤の分布が均一になり、ＬＥＤの発光波長が均一化される。
そして、前記凹みの形状を、第２透光性樹脂層がＬＥＤチップの側面部を充分にカバーできる形状にすることで、ＬＥＤチップの上面からの放射光と側面からの放射光との色調ムラを低減することができる。
従って、第１発明の方法により、品質及び性能が向上した表面実装型ＬＥＤを得ることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る表面実装型ＬＥＤの構造を示す平面図である。
【図２】図１のII−II線断面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る表面実装型ＬＥＤの製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
１ 基板
２ 電極
３ ＬＥＤチップ
４ 金線
５ 第１透光性樹脂層
５ａ チップ封止部
５ｂ 溝部
５ｃ チップ封止部包囲部
６ 第２透光性樹脂層
Claims (1)
- 基板上に発光ダイオードチップを搭載する工程と、基板上に設けられた電極と前記発光ダイオードチップに備えられた電極とを金属線により接続する工程と、前記発光ダイオードチップを透光性樹脂により封止してチップ封止部を形成する工程と、前記チップ封止部を蛍光剤を含む透光性樹脂により覆う工程とを含む表面実装型発光ダイオードの製造方法において、
前記チップ封止部に対応する凹部を中央部に有した凸状部が所定間隔を隔てて複数設けられた型を、各凹部を各発光ダイオードチップに対向させた状態で、前記基板の上方に所定間隔を隔てて配する工程と、
前記型と前記基板との間に透光性樹脂を流し込む工程と、
前記透光性樹脂を硬化させ、前記型を開いて第１透光性樹脂層を形成する工程と、
前記凸状部によって形成された第１透光性樹脂層の凹みに、蛍光剤を含む透光性樹脂を注入する工程と、
前記透光性樹脂を硬化させて第２透光性樹脂層を形成する工程と
を含むことを特徴とする表面実装型発光ダイオードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001048980A JP4673986B2 (ja) | 2001-02-23 | 2001-02-23 | 表面実装方発光ダイオードの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001048980A JP4673986B2 (ja) | 2001-02-23 | 2001-02-23 | 表面実装方発光ダイオードの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002252376A JP2002252376A (ja) | 2002-09-06 |
| JP4673986B2 true JP4673986B2 (ja) | 2011-04-20 |
Family
ID=18910154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001048980A Expired - Fee Related JP4673986B2 (ja) | 2001-02-23 | 2001-02-23 | 表面実装方発光ダイオードの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4673986B2 (ja) |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4617761B2 (ja) * | 2004-08-03 | 2011-01-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| EP1794808B1 (en) * | 2004-09-10 | 2017-08-09 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode package having multiple molding resins |
| DE102006046301A1 (de) * | 2006-09-29 | 2008-04-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optisches Element, strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optischen Elements |
| US20110308120A1 (en) * | 2009-02-11 | 2011-12-22 | Jae Yong Heo | Led assembly having improved visibility, its attaching method and banner using it |
| KR100954266B1 (ko) | 2009-02-11 | 2010-04-23 | 허재용 | 시인성과 형태성이 향상된 ｌｅｄ 어셈블리 및 이의 부착방법 |
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| WO2010120134A2 (ko) * | 2009-04-15 | 2010-10-21 | Heo Jae Yong | 시인성이 향상된 led 어셈블리, 이의 부착방법 및 이를 부착한 제품 |
| JP5334123B2 (ja) * | 2009-11-27 | 2013-11-06 | シャープ株式会社 | 半導体発光装置、半導体発光装置アセンブリ、および半導体発光装置の製造方法 |
| CN102252273A (zh) * | 2011-04-12 | 2011-11-23 | 广东佛照新光源科技有限公司 | 一种波长转换器件及其制备方法 |
| JP6761472B2 (ja) * | 2015-08-07 | 2020-09-23 | コーボ ユーエス，インコーポレイティド | 強化された特性を有するフリップチップモジュール |
| US10784149B2 (en) | 2016-05-20 | 2020-09-22 | Qorvo Us, Inc. | Air-cavity module with enhanced device isolation |
| US10773952B2 (en) | 2016-05-20 | 2020-09-15 | Qorvo Us, Inc. | Wafer-level package with enhanced performance |
| SG11201901194SA (en) | 2016-08-12 | 2019-03-28 | Qorvo Us Inc | Wafer-level package with enhanced performance |
| US10109502B2 (en) | 2016-09-12 | 2018-10-23 | Qorvo Us, Inc. | Semiconductor package with reduced parasitic coupling effects and process for making the same |
| US10749518B2 (en) | 2016-11-18 | 2020-08-18 | Qorvo Us, Inc. | Stacked field-effect transistor switch |
| US10068831B2 (en) | 2016-12-09 | 2018-09-04 | Qorvo Us, Inc. | Thermally enhanced semiconductor package and process for making the same |
| US10755992B2 (en) | 2017-07-06 | 2020-08-25 | Qorvo Us, Inc. | Wafer-level packaging for enhanced performance |
| US10784233B2 (en) | 2017-09-05 | 2020-09-22 | Qorvo Us, Inc. | Microelectronics package with self-aligned stacked-die assembly |
| US11152363B2 (en) | 2018-03-28 | 2021-10-19 | Qorvo Us, Inc. | Bulk CMOS devices with enhanced performance and methods of forming the same utilizing bulk CMOS process |
| US10804246B2 (en) | 2018-06-11 | 2020-10-13 | Qorvo Us, Inc. | Microelectronics package with vertically stacked dies |
| US11069590B2 (en) | 2018-10-10 | 2021-07-20 | Qorvo Us, Inc. | Wafer-level fan-out package with enhanced performance |
| US10964554B2 (en) | 2018-10-10 | 2021-03-30 | Qorvo Us, Inc. | Wafer-level fan-out package with enhanced performance |
| US11646242B2 (en) | 2018-11-29 | 2023-05-09 | Qorvo Us, Inc. | Thermally enhanced semiconductor package with at least one heat extractor and process for making the same |
| US20200235066A1 (en) | 2019-01-23 | 2020-07-23 | Qorvo Us, Inc. | Rf devices with enhanced performance and methods of forming the same |
| KR20210129656A (ko) | 2019-01-23 | 2021-10-28 | 코르보 유에스, 인크. | Rf 반도체 디바이스 및 이를 형성하는 방법 |
| US11387157B2 (en) | 2019-01-23 | 2022-07-12 | Qorvo Us, Inc. | RF devices with enhanced performance and methods of forming the same |
| US20200235040A1 (en) | 2019-01-23 | 2020-07-23 | Qorvo Us, Inc. | Rf devices with enhanced performance and methods of forming the same |
| US11646289B2 (en) | 2019-12-02 | 2023-05-09 | Qorvo Us, Inc. | RF devices with enhanced performance and methods of forming the same |
| US11923238B2 (en) | 2019-12-12 | 2024-03-05 | Qorvo Us, Inc. | Method of forming RF devices with enhanced performance including attaching a wafer to a support carrier by a bonding technique without any polymer adhesive |
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-
2001
- 2001-02-23 JP JP2001048980A patent/JP4673986B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002252376A (ja) | 2002-09-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071128 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100727 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100924 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101214 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110124 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140128 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |