JP2009016689A - 照明装置 - Google Patents

照明装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2009016689A
JP2009016689A JP2007178985A JP2007178985A JP2009016689A JP 2009016689 A JP2009016689 A JP 2009016689A JP 2007178985 A JP2007178985 A JP 2007178985A JP 2007178985 A JP2007178985 A JP 2007178985A JP 2009016689 A JP2009016689 A JP 2009016689A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phosphor
yellow
red
light
blue light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007178985A
Other languages
English (en)
Inventor
Akiko Saito
明子 斉藤
Nobuo Shibano
信雄 柴野
Keiichi Shimizu
恵一 清水
Kiyoshi Nishimura
潔 西村
Hirokazu Otake
寛和 大武
Kiyoko Kawashima
淨子 川島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Lighting and Technology Corp
Original Assignee
Toshiba Lighting and Technology Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Lighting and Technology Corp filed Critical Toshiba Lighting and Technology Corp
Priority to JP2007178985A priority Critical patent/JP2009016689A/ja
Publication of JP2009016689A publication Critical patent/JP2009016689A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/49105Connecting at different heights
    • H01L2224/49107Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】白色光の演色性を改善できるとともに白色光の発光効率の低下を抑制可能な照明装置を提供する。
【解決手段】照明装置1は、青色の光を発するLEDチップ5及び蛍光体層11を具備する。蛍光体層11を、透光性の合成樹脂材12中に、LEDチップ5が発した青色の光によって励起されて黄色の光を発する粒子状の黄色蛍光体13、及び青色の光によって励起されて赤色の光を発する赤色蛍光体14を分散させて形成する。赤色蛍光体14を黄色蛍光体13より大きい塊に形成して、黄色蛍光体13より粗い密度で分散したことを特徴としている。
【選択図】 図1

Description

本発明は、例えばLED(発光ダイオード)等の半導体発子素子が発した光で蛍光体を励起して白色光を発光する照明装置に関する。
従来、紫外線LEDが発した紫外線により赤、青、緑の粒子状蛍光体を励起して光の三原色に相当する光を混色することにより白色光を発光する照明装置と、青色LEDが発した青色の光により粒子状の黄色蛍光体を励起して、青色光に対し補色関係にある黄色光と青色光とを混色することにより白色光を発光する照明装置とが知られている(例えば、特許文献1参照。)。
特開平11-46019号公報(段落0003、0004、0022、図1)
前者の照明装置は、赤色と緑の蛍光体を用いているので演色性に優れた白色光を発光できる。後者の照明装置は、青色LEDを励起エネルギー源としているので、前者の照明装置の励起エネルギー源である紫外線LEDよりも、可視光への変換効率が優れている。
しかし、蛍光体に黄色蛍光体のみを用いた後者の照明装置では、赤色及び青緑の光成分が不足気味となるので、前者の照明装置よりも演色性が劣る。そこで、後者の照明装置の演色性を改善するのに、青色LEDの光で励起されて赤色の光を発光する粒子状の赤色蛍光体を、粒子状の黄色蛍光体に対して数パーセント混合させることがある。
ところで、赤色蛍光体は、緑色の光及び黄色の光を吸収する性質があることが知られている。そして、既述のように演色性改善のために赤色蛍光体が混ざっていると、黄色蛍光体の領域全体にわたってランダムに分散された粒子状の赤色蛍光体と粒子状の黄色蛍光体とが至近距離で隣接する確率が高い。このため、青色の光で励起された黄色蛍光体が発した黄色の光の一部が、この黄色蛍光体の周りに位置された赤色蛍光体に容易に吸収される結果、光出力が低下する、言い換えれば、白色光の発光効率が低下してしまう。
本発明の目的は、白色光の演色性を改善できるとともに白色光の発光効率の低下を抑制可能な照明装置を提供することにある。
請求項1の発明は、青色の光を発する半導体発光素子と;透光性の樹脂材中に、前記半導体発光素子が発した青色の光によって励起されて黄色の光を発する粒子状の黄色蛍光体、及び前記青色の光によって励起されて赤色の光を発する赤色蛍光体が分散されているとともに、前記赤色蛍光体が前記黄色蛍光体より大きい塊に形成されていて前記黄色蛍光体より粗い密度で分散されている蛍光体層と;を具備することを特徴としている。
この発明で、半導体発光素子には青色の光を発する青色LEDを好適に使用でき、青色LEDとしては、基板に設けた回路パターンにフリップチップ実装されるものであっても、或いは基板等にダイボンド材を用いて実装されるとともに、基板に設けた回路パターンにボンディングワイヤを介して接続されるシングルワイヤ型又はダブルワイヤ型の青色LEDであっても使用可能である。この発明では、必要に応じて、蛍光体層中に黄色蛍光体及び赤色蛍光体の他に、半導体発光素子が発した青色の光で励起される他の蛍光体を混合することを妨げるものではない。蛍光体には、YAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体)、シリケート、窒化物のいずれか又はこれらの内の少なくとも二種の混合物からなる蛍光体を用いることができる。又、この発明で、蛍光体層は、青色LEDの光出射面に積層されるシート状に形成することができる他、青色LEDに被されるキャップ状に形成することもできる。
請求項1の発明では、半導体発光素子が発する青色の光で励起される蛍光体が、黄色蛍光体だけではなく赤色蛍光体を含んでいるので、白色光の演色性を改善できる。そして、赤色蛍光体を、黄色蛍光体より大きい塊に形成して黄色蛍光体より粗い密度で分散させたので、分散された粒子状の黄色蛍光体が配置される領域に対して赤色蛍光体が配置される領域が小さくなって、黄色蛍光体と赤色蛍光体が至近距離で隣接する確率が低下される。そのため、青色の光で励起された黄色蛍光体が発した黄色の光の一部が、赤色蛍光体に吸収されることを抑制できる。
請求項2の発明は、前記赤色蛍光体が前記蛍光体層の厚み方向両面に露出していることを特徴としている。
この請求項2の発明では、赤色蛍光体に対して黄色蛍光体が、半導体発光素子の光軸が延びる方向に沿って重なって位置しないので、黄色蛍光体と赤色蛍光体が蛍光体層の厚み方向に至近距離で隣接する確率が低下される。これにより、黄色蛍光体が発した黄色の光の一部が赤色蛍光体に吸収されることを更に抑制できる。
請求項1,2の発明によれば、白色光の演色性を改善できるとともに白色光の発光効率の低下を抑制可能な照明装置を提供できる。
本発明の第1実施形態を図1〜図4を参照して説明する。
図1及び図2中符号1は第1実施形態に係る照明装置を示している。この照明装置1は、装置基板例えばLED基板2と、一対の電極3,4と、半導体発光素子例えばLEDチップ5と、リフレクタ6と、封止樹脂7と、蛍光体層11とを具備している。
LED基板2は、セラミックスや合成樹脂等の絶縁物からなり、これを正面から見た形状は例えば四角形をなしている。一対の電極3,4は、銅や銀等の金属からなり、LED基板2の表面から裏面にわたって装着されている。LED基板2の表面に配置された電極3の一端部3aと電極4の一端部4aとは互いに接近している。LED基板2の裏面に配置された電極3の他端部3bと電極4の他端部4bとは外部端子として用いられる。
LEDチップ5には点灯されると青色の光を発するダブルワイヤ型の青色LEDが用いられている。LEDチップ5は、電極4の一端部4a上にダイボンド材8を用いて接着されている。このLEDチップ5が有した一対の電極5a、5bの内の一方の電極5aはボンディングワイヤ9aを介して電極3の一端部3aに電気的に接続されており、他方の端子5bはボンディングワイヤ9bを介して電極4の一端部4aに電気的に接続されている。
リフレクタ6は、白色の合成樹脂製によりLED基板2と同じ大きさに成形されていて、LED基板2の表面に図示しない接着剤を介して接着されている。このリフレクタ6は円錐台状又は角錐台状の収容部を有していて、この収容部にLEDチップ5が配設されている。封止樹脂7は、透光性材料例えば透明シリコーン樹脂等の透明樹脂や低融点ガラス等からなり、LEDチップ5及びボンディングワイヤ9a,9b等を埋込んでリフレクタ6の収容部に充填されている。この封止樹脂7の表面とリフレクタ6の表面は面一である。
蛍光体層11は封止樹脂7の表面とリフレクタ6の表面とにわたって装着されている。図1及び図4に示すように蛍光体層11は、透光性の樹脂材例えば合成樹脂材12具体的には透明シリコーン樹脂中に、黄色蛍光体13と赤色蛍光体14を分散させて、例えばシート状に形成されている。黄色蛍光体13と赤色蛍光体14は、いずれもLEDチップ5が発した青色の光によって励起され、その励起によって、黄色蛍光体13は黄色の光を発し、赤色蛍光体は赤色の光を発するものである。
黄色蛍光体13は、粒子状であって、シート状の合成樹脂材12の全域にわたり分散されている。赤色蛍光体14は粒子状の黄色蛍光体13より大きい塊に形成されている。ここに赤色蛍光体14の塊の大きさは、黄色蛍光体13をなす粒子の数十倍から数百倍の大きさであることが好ましい。なお、後述の製造方法により作られる赤色蛍光体14は短い円柱状であるが、赤色蛍光体14は団子状に凝集した塊であってもよい。黄色蛍光体13の量に対する赤色蛍光体14の量は数パーセント例えば略3%と極めて微量である。
これらの赤色蛍光体14は黄色蛍光体13より粗い密度でシート状の合成樹脂材12の全域にわたり分散されている。そのために、赤色蛍光体14は所定の間隔で縦横に並べて配設されている。ここに、所定の間隔とは、製造された蛍光体層11を視認した場合に、肉眼では見分けることができない程度の細かな間隔であることを指しているが、顕微鏡で見れば明らかに視認可能である。そして、好ましい例として各赤色蛍光体14は、図4に示すように合成樹脂材12の厚み方向両面、即ち、蛍光体層11の厚み方向両面に露出している
次に、図3を参照して蛍光体層11の製造方法を説明する。図3(A)〜図3(E)中符号21は分解可能な固定型、符号25は可動型を示している。固定型21はその高さ方向中間部に仕切り壁22を有し、この仕切り壁22に複数の通孔23が縦横に整列して所定間隔で設けられている。仕切り壁22の大きさは蛍光体層11の縦横の大きさと同じであり、各通孔23の配列パターンは赤色蛍光体14の配列パターンと同じである。
可動型25は円柱状で上向き凸部26を各通孔23と同数有している。可動型25は、固定型21の下部内側に上下動可能に設けられていて、各上向き凸部26は各通孔23に仕切り壁22の下方から挿入されている。この可動型25は図示しない駆動装置で上下動され、最大に下降した状態で各上向き凸部26の上端面が仕切り壁22の上面と面一に配置されるようになっている。
まず、図3(A)に示したように可動型25を最大に上昇させてその上向き凸部26を各通孔23に挿通させた状態で、図3(A)中二点鎖線に示すように粒子状の黄色蛍光体13が混ぜられた未硬化の透明シリコンーン樹脂14aを、固定型21の上部に所定量流し込んでから、透明シリコーン樹脂14aを熱硬化させる。この熱硬化は、例えば120℃の温度で30分加熱し、更に130℃の温度で1時間加熱することで実施する。
次に、可動型25を、その上向き凸部26の上端面が仕切り壁22の上面と面一に配置されるように引き下げる。それにより、黄色蛍光体13が分散された透明シリコーン樹脂の硬化層11aに対して、図3(C)に示すように可動型25の上向き凸部26の配列パターンに見合った孔11bが形成される。
この後、図3(D)に示すように前記硬化層の表面にシルクスクリーン28を積層してから、粒子状の赤色蛍光体14が混ぜられた未硬化の透明シリコンーン樹脂14bを、シルクスクリーン28上に供給するとともにスキージ29を用いて、前記各孔11bに押込む。それにより、各孔11b内に粒子状の赤色蛍光体14が混ぜられた未硬化の透明シリコンーン樹脂14bが充填される。なお、前記孔11bに粒子状の赤色蛍光体14が混ぜられた未硬化の透明シリコンーン樹脂を充填するには、既述のシルクスクリーン28とスキージ29を用いることに代えて、図3(E)に示すようにディスペンサー30を用いて、各孔11bに粒子状の赤色蛍光体14が混ぜられた未硬化の透明シリコンーン樹脂をポッテングすることで充填してもよい。
最後に、前記の熱硬化条件と同条件で加熱して、孔11b内の未硬化の透明シリコンーン樹脂を硬化させる。それにより、赤色蛍光体14が硬化して孔11bの大きさに見合った塊となり、シート状の蛍光体層11が形成される。この後、固定型21を分解した上で蛍光体層11を取出す。こうして製造された蛍光体層11を図4(A)(B)に示す。この蛍光体層11では、黄色蛍光体13が分散された合成樹脂材12中に赤色蛍光体14の塊が規則的に点在しているとともに、これら赤色蛍光体14が蛍光体層11の表裏両面に露出されている。
前記構成の照明装置1が備える蛍光体層11は、LEDチップ5が発する青色の光で励起される蛍光体として、黄色蛍光体13だけではなく赤色蛍光体14を用いたので、照明時に、赤色蛍光体14が励起されて発する赤色の光が白色光に加味されることにより、演色性を改善できる。
そして、蛍光体層11は、赤色蛍光体14を、黄色蛍光体13より大きい塊に形成して黄色蛍光体13より粗い密度で分散させたので、分散された粒子状の黄色蛍光体13が配置される領域に対して赤色蛍光体14が配置される領域を小さく限定できる。つまり、蛍光体層11の地の色をなす黄色蛍光体13に対して赤色蛍光体14が占める領域は相対的に大きなウェイトを占めないので、黄色蛍光体13と赤色蛍光体14が至近距離で隣接する確率が低下される。そのため、赤色蛍光体14の周囲に隣接するように位置された黄色蛍光体13が発した黄色の光の一部が赤色蛍光体14に吸収されることは妨げ得ないが、それは限定的であり、大部分の黄色蛍光体13が発した黄色の光は、赤色蛍光体14に吸収されることなく蛍光体層11を透過して照明に供される。
加えて、本実施形態では、赤色蛍光体14に対して黄色蛍光体13が、LEDチップ5の光軸が延びる方向に沿って重なって位置しないので、黄色蛍光体13と赤色蛍光体14が蛍光体層11の厚み方向に至近距離で隣接する確率も低下している。そのため、照明時に黄色蛍光体13が発した黄色の光の一部が赤色蛍光体14に吸収されることを更に抑制できる。
したがって、前記照明装置1によれば、白色光の発光効率の低下を抑制しつつ、白色光の演色性を改善できる。
なお、前記実施形態の照明装置1は、単独に使用してもよいし、更に多くの光量が必要である場合には、複数の照明装置1を用意して、それらの電極3,4の他端部3b,他端部4bを、図示しない発光部基板の導体パターンにフリップチップ実装により接続することにより、複数の照明装置1を電気的に直列に接続してなる発光装置として使用することも可能である。
図5は本発明の第2実施形態を示している。
図5中符号31はハイパワーの青色の光を発するパワー型LED(半導体発光素子)を示している。このLED31と蛍光体層11とで照明装置35が形成されている。LED31は、その裏面に電極32,33を有していて、これらの電極32,33を発光部基板34の導体パターン34aにフリップチップ実装により接続して使用される。LED31はその表面及び周面の全てから青色の光を発することができる。そして、LED31の表面及び周面にわたって蛍光体層11が被着されている。この蛍光体層11は、LED31に装着された状態での形状がキャップ状である点を除いて、第1実施形態で説明した蛍光体層11と同じ構成である。
したがって、第2実施形態の照明装置35も、第1実施形態で説明したのと同じ理由によって、本発明の課題を解決できる。
本発明の第1実施形態に係る照明装置を示す断面図。 図1の照明装置をその一部を除去して示す平面図。 (A)〜(D)は図1の照明装置が備える蛍光体層の製造方法を説明するための断面図又は平面図。(E)は図1の照明装置が備える蛍光体層の製造方法の最終工程の他の例を示す断面図。 (A)は製造された蛍光体層を示す断面図。(B)は製造された蛍光体層を示す平面図。 本発明の第2実施形態に係る照明装置を示す断面図。
符号の説明
1…照明装置、5…LEDチップ(半導体発光素子)、11…蛍光体層、12…合成樹脂層、13…黄色蛍光体、14…赤色蛍光体

Claims (2)

  1. 青色の光を発する半導体発光素子と;
    透光性の樹脂材中に、前記半導体発光素子が発した青色の光によって励起されて黄色の光を発する粒子状の黄色蛍光体、及び前記青色の光によって励起されて赤色の光を発する赤色蛍光体が分散されているとともに、前記赤色蛍光体が前記黄色蛍光体より大きい塊に形成されていて前記黄色蛍光体より粗い密度で分散されている蛍光体層と;
    を具備することを特徴とする照明装置。
  2. 前記赤色蛍光体が樹脂材の厚み方向両面に露出していることを特徴とする請求項1に記載の照明装置。
JP2007178985A 2007-07-06 2007-07-06 照明装置 Pending JP2009016689A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007178985A JP2009016689A (ja) 2007-07-06 2007-07-06 照明装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007178985A JP2009016689A (ja) 2007-07-06 2007-07-06 照明装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009016689A true JP2009016689A (ja) 2009-01-22

Family

ID=40357213

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007178985A Pending JP2009016689A (ja) 2007-07-06 2007-07-06 照明装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2009016689A (ja)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010123918A (ja) * 2008-10-21 2010-06-03 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
JP2010192606A (ja) * 2009-02-17 2010-09-02 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置
JP2010192762A (ja) * 2009-02-19 2010-09-02 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP2010192761A (ja) * 2009-02-19 2010-09-02 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
WO2010123051A1 (ja) * 2009-04-22 2010-10-28 シーシーエス株式会社 発光装置
WO2010123052A1 (ja) * 2009-04-22 2010-10-28 シーシーエス株式会社 発光装置
WO2011116315A2 (en) * 2010-03-19 2011-09-22 Micron Technology, Inc. Light emitting diodes and methods for manufacturing light emitting diodes
JP2014022651A (ja) * 2012-07-20 2014-02-03 Hitachi Chemical Co Ltd 光半導体装置、その製造方法、その製造に用いる基体およびリフレクタ成型体
JP5928611B2 (ja) * 2012-12-28 2016-06-01 信越化学工業株式会社 発光装置
JP5928610B2 (ja) * 2012-12-28 2016-06-01 信越化学工業株式会社 調整部品及び発光装置
US9625105B2 (en) 2010-03-03 2017-04-18 Cree, Inc. LED lamp with active cooling element
US10359151B2 (en) 2010-03-03 2019-07-23 Ideal Industries Lighting Llc Solid state lamp with thermal spreading elements and light directing optics
US10451251B2 (en) 2010-08-02 2019-10-22 Ideal Industries Lighting, LLC Solid state lamp with light directing optics and diffuser
US10665762B2 (en) 2010-03-03 2020-05-26 Ideal Industries Lighting Llc LED lamp incorporating remote phosphor and diffuser with heat dissipation features

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004071357A (ja) * 2002-08-06 2004-03-04 Shigeo Fujita 照明装置
JP2005244226A (ja) * 2004-02-23 2005-09-08 Lumileds Lighting Us Llc 波長変換型半導体発光素子
JP2005244075A (ja) * 2004-02-27 2005-09-08 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2005311136A (ja) * 2004-04-22 2005-11-04 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2006100623A (ja) * 2004-09-30 2006-04-13 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置および照明装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004071357A (ja) * 2002-08-06 2004-03-04 Shigeo Fujita 照明装置
JP2005244226A (ja) * 2004-02-23 2005-09-08 Lumileds Lighting Us Llc 波長変換型半導体発光素子
JP2005244075A (ja) * 2004-02-27 2005-09-08 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2005311136A (ja) * 2004-04-22 2005-11-04 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2006100623A (ja) * 2004-09-30 2006-04-13 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置および照明装置

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010123918A (ja) * 2008-10-21 2010-06-03 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
JP2010192606A (ja) * 2009-02-17 2010-09-02 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置
JP2010192762A (ja) * 2009-02-19 2010-09-02 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP2010192761A (ja) * 2009-02-19 2010-09-02 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
WO2010123051A1 (ja) * 2009-04-22 2010-10-28 シーシーエス株式会社 発光装置
WO2010123052A1 (ja) * 2009-04-22 2010-10-28 シーシーエス株式会社 発光装置
US10665762B2 (en) 2010-03-03 2020-05-26 Ideal Industries Lighting Llc LED lamp incorporating remote phosphor and diffuser with heat dissipation features
US10359151B2 (en) 2010-03-03 2019-07-23 Ideal Industries Lighting Llc Solid state lamp with thermal spreading elements and light directing optics
US9625105B2 (en) 2010-03-03 2017-04-18 Cree, Inc. LED lamp with active cooling element
US8633500B2 (en) 2010-03-19 2014-01-21 Micron Technology, Inc. Light emitting diodes and methods for manufacturing light emitting diodes
CN102870241A (zh) * 2010-03-19 2013-01-09 美光科技公司 发光二极管和制造发光二极管的方法
US8273589B2 (en) 2010-03-19 2012-09-25 Micron Technology, Inc. Light emitting diodes and methods for manufacturing light emitting diodes
WO2011116315A3 (en) * 2010-03-19 2012-01-19 Micron Technology, Inc. Light emitting diodes and methods for manufacturing light emitting diodes
WO2011116315A2 (en) * 2010-03-19 2011-09-22 Micron Technology, Inc. Light emitting diodes and methods for manufacturing light emitting diodes
US10451251B2 (en) 2010-08-02 2019-10-22 Ideal Industries Lighting, LLC Solid state lamp with light directing optics and diffuser
JP2014022651A (ja) * 2012-07-20 2014-02-03 Hitachi Chemical Co Ltd 光半導体装置、その製造方法、その製造に用いる基体およびリフレクタ成型体
JP5928611B2 (ja) * 2012-12-28 2016-06-01 信越化学工業株式会社 発光装置
JP5928610B2 (ja) * 2012-12-28 2016-06-01 信越化学工業株式会社 調整部品及び発光装置
JPWO2014104152A1 (ja) * 2012-12-28 2017-01-12 信越化学工業株式会社 発光装置
JPWO2014104150A1 (ja) * 2012-12-28 2017-01-12 信越化学工業株式会社 調整部品及び発光装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009016689A (ja) 照明装置
US10141491B2 (en) Method of manufacturing light emitting device
JP5653503B2 (ja) 白色発光装置、バックライト、液晶表示装置および照明装置
JP3898721B2 (ja) 発光装置および照明装置
US9420642B2 (en) Light emitting apparatus and lighting apparatus
JP5810301B2 (ja) 照明装置
JP2009117825A (ja) 白色発光素子
JP2006237264A (ja) 発光装置および照明装置
JP2006210627A (ja) 発光素子収納用パッケージおよび発光装置ならびに照明装置
JP2007294621A (ja) Led照明装置
JP2016167518A (ja) 発光装置、及び、照明装置
JP2007258620A (ja) 発光装置
JP2008140934A (ja) 発光ダイオード装置及び照明装置
JP2006295230A (ja) 発光装置および照明装置
JP2005332951A (ja) 発光装置
JP2008210960A (ja) 発光装置および照明装置
JP2007116116A (ja) 発光装置
JP5703663B2 (ja) 発光装置および発光装置の製造方法
JP4417757B2 (ja) 発光装置およびその製造方法ならびに照明装置
JP4624069B2 (ja) 発光装置およびその製造方法ならびに照明装置
JP2008021795A (ja) 光源装置
US11355678B2 (en) Light-emitting device and method of manufacturing the same
JP2013149690A (ja) 発光装置および照明装置
JP2017163002A (ja) 発光装置、及び、照明装置
JP2017117853A (ja) 発光装置、及び、照明装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100224

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111228

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120110

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20120515

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20120529