JP2008140934A - 発光ダイオード装置及び照明装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ＣＯＢ構造などの高輝度用ＬＥＤモジュールを利用した発光ダイオード装置において、泡などの異物の発生を抑制し、前記異物に起因した光の散乱を低減する。
【解決手段】発光素子と、蛍光体及びこの蛍光体を含有する樹脂で構成され、前記発光素子を被覆するようにして、樹脂１００ｍｍ^３以上を１次硬化温度８０〜１２０℃までの昇温速度を１５℃／分以下で加熱硬化させてなる蛍光体含有樹脂層とを含むようにして発光ダイオード装置を構成する。
【選択図】図３

Description

本発明は、可変色の発光ダイオード装置及びこれを用いた照明装置に関する。

発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）を用いたＬＥＤランプは、液晶ディスプレイ、携帯電話、情報端末等のバックライト、屋内外広告等、多方面への展開が飛躍的に進んでいる。さらに、ＬＥＤランプは長寿命で信頼性が高く、また低消費電力、耐衝撃性、高純度表示色、軽薄短小化の実現等の特徴を有することから、産業用途のみならず一般照明用途への適用も試みられている。このようなＬＥＤランプを種々の各種用途に適用する場合、白色発光を得ることが重要となる。

ＬＥＤランプで白色発光を実現する代表的な方式としては、(1)青、緑および赤の各色に発光する3つのＬＥＤチップを使用する方式、(2)青色発光のＬＥＤチップと黄色から橙色間の光を発光する蛍光体とを組合せる方式、(3)紫外線発光のＬＥＤチップと青色、緑色および赤色の三色混合蛍光体（以下、ＲＧＢ蛍光体と記す）とを組合せる方式の3つが挙げられる。上記したＬＥＤランプのモジュールとしては、例えばＬＥＤチップを装備したカップ型のフレーム内に蛍光体を混合した透明樹脂を流し込み、これを固化させて蛍光体を含有する蛍光体含有樹脂層を形成した構造等が提案されている（例えば特許文献１参照）。また、蛍光体を混合した透明樹脂をシート状に成形し、これを例えばＬＥＤチップが配置されたフレームに固定させて蛍光体を含有する蛍光体含有樹脂層を形成した構造等も提案されている。

さらに、高輝度化を目的として、基板（ボード）上に複数のチップを搭載したチップオンボード（ＣＯＢ）なる構造のＬＥＤモジュールも提案されている。また、１〜５個程度のチップが１つのカップに具備され、このようなカップが単一の大型ボード上に複数配置されたカップモジュールなども提案されている。これらの場合も、前記複数のチップが配設された凹部内を埋設するようにして蛍光体を混合した透明樹脂が流し込まれ、後に固化することによって前記蛍光体を含有する蛍光体含有樹脂層を形成する。なお、上述したいずれの構成のＬＥＤモジュールにおいても、ＬＥＤチップはワイヤボンディングなどによって基板上に形成された回路配線と接合され、適宜制御されるように構成されている。

上述したいずれのＬＥＤモジュールにおいても、その実装において最も重要となるのは、蛍光体の分散と泡などの異物の除去である。特に、後者の泡などの異物に関しては、生成した光を散乱させてしまい、得ようとするＬＥＤの光量を減少させてしまう。したがって、前記泡などの異物除去は極めて重要となる。しかしながら、上述したＣＯＢ構造なるＬＥＤモジュールなどにおいては、上述したような泡などの異物が比較的多量に生成される傾向にあり、本来高輝度化を目的として構成されたＣＯＢ構造のＬＥＤモジュールにおいて、前記異物に起因した散乱などによって十分な光量を得ることができず、本来的に得ることができる高輝度の特性を享受することができないでいた。
特開２００１−１４８５１６号

本発明は、発光ダイオード装置において、泡などの異物の発生を抑制し、前記異物に起因した光の散乱を低減することを目的とする。また、前記発光ダイオード装置を利用した照明装置を提供することを目的とする。

請求項１に記載の発明は、発光素子と；蛍光体及びこの蛍光体を含有する樹脂で構成され、前記発光素子を被覆するようにして、樹脂１００ｍｍ^３以上の場合に昇温速度を１５℃／分以下で１次硬化温度８０〜１２０℃まで加熱硬化させてなる蛍光体含有樹脂層と；を具備することを特徴とする発光ダイオード装置に関する。

請求項２に記載の発明は、上記発光ダイオード装置を具備することを特徴とする照明装置に関する。

従来においては、ＬＥＤモジュールの大きさを考慮することなく、その実装に際して、蛍光体を含有する樹脂層は、画一的な加熱条件によって加熱し、硬化させていた。かかる状況に鑑み、前記樹脂層中に泡などの異物が形成される原因を探るべく鋭意検討を実施したところ、前記異物の形成に関しては、上述した加熱条件が密接に関係していることが判明した。すなわち、従来においては、ＬＥＤモジュールを構成する蛍光体含有樹脂層中の蛍光体の沈降を防止すべく、前記樹脂層を加熱硬化させるに際しては、比較的昇温速度を速く設定して行うことが通常であると考えられていた。しかしながら、このように昇温速度を速くすると、特に大型のＬＥＤモジュールにおいて樹脂量が１００ｍｍ^３以上となるような場合、キャビティ隅部において流し込まれた樹脂の間に閉じ込められた空気や、樹脂中に存在している小さな空気のかたまりが、キャビティ上部へ移動し、泡が形成されることになる。

かかる観点より、樹脂量が１００ｍｍ^３以上となる大型のＬＥＤモジュールにおいては、単に昇温速度を高くすれば良いというものではなく、厳密に制御することが必要であることを見出すに至り、かかる知見に基づいて前記昇温速度に関して詳細な検討を実施した。したがって、本発明の上記態様では、従来の常識に反して前記昇温層度を１５℃／分以下と低く設定することにより、前記樹脂層中の温度分布を比較的均一な状態とすることができ、これによって前記樹脂層中の泡の生成を抑制できることが判明した。なお、前記昇温速度は泡の発生抑制の観点からは、１０℃／分以下であることが好ましい。また、前記昇温速度の下限値は、上述した作用効果が得られる限り特に限定されるものではないが、３℃／分であることが好ましい。これよりも昇温速度が低いと、上述した樹脂層中に分散した蛍光体が下方に沈降するようになり、ＬＥＤモジュール全体における所望の光の発光効率が低下してしまう場合がある。

さらに、上記樹脂量の上限値も、上述した作用効果が得られる限り特に限定されるものではない。但し、現在実際に製造されているＬＥＤモジュールは大きいものでも、使用する樹脂量は数百ｍｍ^３であるので、現状想定される上限は例えば５００〜６００ｍｍ^３である。但し、この上限値は厳密なものではない。なお、特開２００３−１４７０７８号公報には、例えば実施例１などを参酌すると、液体樹脂を１０℃／分の速度で昇温することが開示されているが、この昇温速度は示差熱熱重量同時測定装置における物性測定の際の昇温速度であって、実際に加熱硬化する際の昇温速度ではない。また、本発明における昇温速度とは、ＬＥＤモジュール全体に対する昇温速度であって、例えばＬＥＤモジュールを構成するフレームにおいて測定した温度である。

請求項１及び２の発明によれば、泡などの異物の発生を抑制し、前記異物に起因した光の散乱を低減することができる。

（第１の実施形態）
以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照して説明する。図１は、ＬＥＤランプの一例を概略的に示す断面図であり、図２は、図１に示すＬＥＤランプを例えば一平面上に３行３列のマトリックス状に複数配置した発光ダイオードモジュールの一例を示す平面図であり、図３は、図２のＡ−Ａ線断面図である。図１〜図３に示すＬＥＤランプ１は、発光素子としてＬＥＤチップ２を有している。ＬＥＤチップ２には、例えば青色発光タイプのＬＥＤチップや紫外発光タイプのＬＥＤチップ等が用いられている。このＬＥＤチップ２は、電気絶縁層４を介して基板５上に設けられた回路パターン８上に搭載されている。

基板５上には、上方に向けて円錐台状に開口したキャビティ３（凹部）を形成するフレーム６が設けられており、ＬＥＤチップ２はキャビティ３内に配置されている。ＬＥＤチップ２が配置されたキャビティ３内には、透明樹脂に蛍光体を含有してなる蛍光体含有樹脂層９が充填されており、ＬＥＤチップ２は蛍光体含有樹脂層９で封止されている。透明樹脂としては、例えばシリコーン樹脂やエポキシ樹脂等の液状透明樹脂が好ましい。ＬＥＤランプ１に印加された電気エネルギーは、ＬＥＤチップ２で青色光や紫外線に変換され、それらの光は、蛍光体含有樹脂層９中に含有された蛍光体でより長波長の光に変換される。そして、ＬＥＤチップ２から放射される光の色と蛍光体の発光色とに基づく色、例えば白色の光がＬＥＤランプ１から放出される。

上述した蛍光体含有樹脂層９は、図２及び３に示すモジュールで見た場合、樹脂量の全体が１００ｍｍ^３以上となる場合がある。したがって、このような場合においては、樹脂層９の全体を加熱して硬化する場合に、１５℃／分以下の昇温速度で加熱する。これによって、温度の急上昇がなくなり樹脂層９中の泡の生成を抑制できる。したがって、泡による光の散乱を抑制して、目的とする光を設計値どおりの光量で得ることができるようになる。なお、この場合の昇温速度は、フレーム６や電気絶縁層４などにおいて計測することができる。なお、蛍光体含有樹脂層９中に含まれる蛍光体の粒度は、平均粒径で１０〜２０μｍの範囲であることが好ましい。これによって、ＬＥＤランプ１の発光効率を増大させることができるようになる。また、平均粒径１０〜２０μｍに分級しても、実際には、１０μｍ未満のものや２０μｍを超えるものが存在する。これは分級後に粒子が砕けたり、湿気によって結合したりするものがあるからである。したがって、平均粒径１０〜２０μｍに分級したときには、個数又は重量で、全体の約７０％以上が上記１０〜２０μｍの範囲にあれば良い。

蛍光体含有樹脂層９中に含有された蛍光体は、ＬＥＤチップ２から放射される光、例えば青色光や紫外線により励起されて可視光を発光するものである。蛍光体含有樹脂層９は発光部として機能するものであり、ＬＥＤチップ２の発光方向前方に配置されている。蛍光体の種類は目的とするＬＥＤランプ１の発光色に応じて適宜に選択されるものであり、特に限定されるものではない。例えば、青色発光タイプのＬＥＤチップ２を使用して白色発光を得る場合には、黄色光から橙色光間の光を発光する黄色系蛍光体が主として用いられる。また、演色性等の向上を図るために、黄色系蛍光体に加えて赤色発光蛍光体を使用してもよい。黄色光から橙色光間の光を発光する黄色系蛍光体としては、例えばＲＥ_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ蛍光体（ＲＥはＹ、ＧｄおよびＬａから選ばれる少なくとも1種を示す。以下同じ）等のＹＡＧ蛍光体、ＡＥ_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ蛍光体（ＡＥはＳｒ、Ｂａ、Ｃａ等のアルカリ土類元素である。以下同じ）等の珪酸塩蛍光体、酸化物蛍光体が用いられる。

また、近紫外発光タイプのＬＥＤチップ２を使用して白色発光を得る場合には、ＲＧＢ蛍光体が主として用いられる。青色発光蛍光体としては、例えばＡＥ_１０（ＰＯ_４）_６Ｃｌ_１２：Ｅｕ蛍光体のようなハロ燐酸塩蛍光体や（Ｂａ，Ｍｇ）Ａｌ_１０Ｏ_１７：Ｅｕ蛍光体のようなアルミン酸塩蛍光体等が用いられる。緑色発光蛍光体としては、（Ｂａ，Ｍｇ）Ａｌ_１０Ｏ_１７：Ｅｕ，Ｍｎ蛍光体のようなアルミン酸塩蛍光体等が用いられる。赤色発光蛍光体としては、Ｌａ_２Ｏ_２Ｓ：Ｅｕ蛍光体のような酸硫化物蛍光体等が用いられる。さらに、上記したような蛍光体に代えて、組成に応じて種々の発光色が得られる窒化物系蛍光体（例えばＡＥ_２Ｓｉ_５Ｎ_８：Ｅｕ）、酸窒化物系蛍光体（例えばＹ_２Ｓｉ_３Ｏ_３Ｎ_４：Ｃｅ）、サイアロン系蛍光体（例えばＡＥx（Ｓｉ，Ａｌ）_１２（Ｎ，Ｏ）_１６：Ｅｕ）、窒化物蛍光体（ＣａＡｌＳｉＮ_４：Ｅｕ）等を適用してもよい。なお、ＬＥＤランプ１は白色発光ランプに限られるものではなく、白色以外の発光色を有するＬＥＤランプ１を構成することも可能である。ＬＥＤランプ１で白色以外の発光、例えば中間色の発光を得る場合には、目的とする発光色に応じて種々の蛍光体が適宜に使用される。

なお、本実施形態では、フラットタイプＳＭＤ型のＬＥＤランプ１を例に挙げて説明したが、特に限定されるものでなく、例えば砲弾型（又は丸型）のＬＥＤランプに適用することもできる。また、ＬＥＤランプ１をマトリックス状に複数配置した発光ダイオードモジュール２１について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば複数のＬＥＤランプ１をそれぞれ１列状に形成してもよく、さらにＬＥＤランプ１はそれぞれ単数でもよい。

（第２の実施形態）
図４及び図５は、本発明の第２の実施形態に係わるＬＥＤモジュールを示す構成図である。図４は、前記ＬＥＤモジュールの平面図であり、図５は、図４に示すＬＥＤモジュールをＦ２線に沿って切った場合の縦断面図である。なお、本実施形態に関する図４及び５おいて、上述した実施形態に関する図面と同様の構成要素に対しては同じ参照数字を用いて表している。

図４及び５に示す発光装置１は、パッケージ基板例えば装置基板３０と、反射層８１と、回路パターン３２と、複数好ましくは多数のＬＥＤチップ例えば半導体発光素子５０と、接着層８２と、リフレクタ８４と、封止部材７１と、光拡散部材８３とを備えて形成されており、いわゆるＣＯＢ構造のＬＥＤモジュールを呈している。装置基板３０は、金属又は絶縁材例えば合成樹脂製の平板からなるとともに、発光装置１に必要とされる発光面積を得るために所定形状例えば長方形状をなしている。装置基板３０を合成樹脂製とする場合、例えばガラス粉末入りのエボキシ樹脂等で形成できる。装置基板３０を金属製とする場合は、この装置基板３０の裏面からの放熱性が向上し、装置基板３０の各部温度を均一にすることができ、同じ波長域の光を発する半導体発光素子５０の発光色のばらつきを抑制することができる。なお、このような作用効果を奏する金属材料としては、１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導性に優れた材料、具体的にはアルミニウム、又はその合金を例示することができる。

反射層８１は、所定数の半導体発光素子５０を配設し得る大きさであって、例えば装置基板３０の表面全体に被着されている。反射層８１は、４００ｎｍ〜７４０ｎｍの波長領域で８５％以上の反射率を有した白色の絶縁材から構成することができる。このような白色絶縁材としては、接着シートからなるブリプレグ（pre-preg）を使用することができる。このようなプリプレグは、例えば酸化アルミニウム等の白色粉末が混入された熱硬化性樹脂をシート基材に含浸させて形成することができる。反射層８１はそれ自体の接着性により装置基板３０の表面となる一面に接着される。

回路パターン３２は、各半導体発光素子５０への通電要素として、反射層８１の装置基板３０が接着された面とは反対側の面に接着されている。この回路パターン３２は、例えば各半導体発光素子５０を直列に接続するために、図４に示すように装置基板３０及び反射層８１の長手方向に所定間隔ごとに点在して２列形成されている。一方の回路パターン３２列の一端側に位置された端側回路パターン３２ａには給電パターン部３２ｃが一体に連続して形成され、同様に他方の回路パターン３２列の一端側に位置された端側回路パターン３２ａには給電パターン部３２ｄが一体に連続して形成されている。給電パターン部３２ｃ，３２ｄは反射層８１の長手方向一端部に並べて設けられ、互いに離間して反射層８１により絶縁されている。これらの給電パターン部３２ｃ，３２ｄの夫々に電源に至る図示しない電線が個別に半田付け等で接続されるようになっている。

回路パターン３２は次に説明する手順で形成される。まず、未硬化の前記熱硬化性樹脂が含浸されたブリプレグからなる反射層８１を装置基板３０上に貼付けた後に、反射層８１上にこれと同じ大きさの銅箔を貼付ける。次に、こうして得た積層体を加熱するとともに加圧して、熱硬化性樹脂を硬化させることによって、装置基板３０と銅箔を反射層８１に圧着し接着を完了させる。次いで、銅箔上にレジスト層を設けて、銅箔をエッチング処理した後に、残ったレジスト層を除去することによって、回路パターン３２を形成する。銅箔からなる回路パターン３２の厚みは例えば３５μｍである。

このようなＬＥＤモジュールにおいては、上記樹脂の全量が１００ｍｍ^３以上となる場合がある。したがって、このような場合においては、樹脂の全体を加熱して硬化する場合に、１５℃／分以下の昇温速度で加熱する。これによって、樹脂中の温度分布を比較的均一な状態とすることができ、樹脂中の泡の生成を抑制できる。したがって、泡による光の散乱を抑制して、目的とする光を設計値どおりの光量で得ることができるようになる。なお、昇温速度は、例えばリフレクタ８４や反射層８１などで計測することができる。

各半導体発光素子５０は、例えば窒化物半導体を用いてなるダブルワイヤー型のＬＥＤチップからなり、図２に示すように透光性を有する素子基板５０ｂ一面に半導体発光層５０aを積層して形成されている。素子基板１１は例えばサファイア基板で作られている。この素子基板５０ｂの厚みは、回路パターン３２より厚く、例えば９０μｍとする。半導体発光層５０aは、素子基板５０ｂの裏面上に、バッファ層、ｎ型半導体層、発光層、ｐ型クラッド層、Ｐ型半導体層を順次積層して形成されている。発光層は、バリア層とウ工ル層を交互に積層した量子井戸構造をなしている。ｎ型半導体層にはｎ側電極が設けられ、ｐ型半導体層上にもｐ側電極が設けられている。この半導体発光層５０ａは、反射膜を有しておらず、厚み方向の双方に光を放射できる。

図４に示すように各半導体発光素子５０は、装置基板３０の長手方向に隣接した回路パターン３２間に夫々配置されて、白色の反射層８１の同一面上に接着層８２により接着されている。具体的には、半導体発光層５０ａが積層された素子基板５０ｂの一面と平行な他面が接着層８２により反射層８１に接着されている。この接着により、回路パターン３２及び半導体発光素子５０は反射層８１の同一面上で直線状に並べられるので、この並び方向に位置した半導体発光素子５０の側面と回路パターン３２とは近接して対向するように設けられている。接着層８２の厚みは例えば１００μｍ〜５００μｍとすることができる。接着層８２には、例えば１００μｍ以上の厚みで光透過率が７０％以上の透光性を有した接着剤、例えばシリコーン樹脂系の接着剤を好適に使用できる。

図５に示すように各半導体発光素子５０の電極と半導体発光素子５０の両側に近接配置された回路パターン３２とは、ワイヤボンディングにより設けられたボンディングワイヤ６０で接続されている。更に、前記二列の回路パターン３２列の他端側に位置された端側回路パターン３２ｂ同士も、ワイヤボンディングにより設けられたボンディングワイヤ６０（図１参照）で接続されている。したがって、本実施形態の場合、各半導体発光素子５０は直列に接続されている。

以上の装置基板３０、反射層８１、回路パターン３２、各半導体発光素子５０、接着層８２、及びボンディングワイヤ６０により、発光装置１の面発光源が形成されている。リフレクタ８４は、一個一個又は数個の半導体発光素子５ごとに個別に設けられるものではなく、反射層８１上の全ての半導体発光素子５０を包囲する単一のものであり、枠、例えば図６に示すように長方形の枠で形成されており、半導体発光素子５０は前記枠で形成された凹部２１内に配置されている。この凹部２１は、図７に示すように、開口端面２１ａ、底面２１ｂ、および内側面２１ｃを有している。リフレクタ８４は反射層８１に接着止めされていて、その内部に複数の半導体発光素子５０及び回路パターン３２が収められているとともに、前記一対の給電パターン部３２ｃ、３２ｄはリフレクタ８４の外部に位置されている。

リフレクタ８４は例えば合成樹脂で成形することができ、その内周面は反射面となっている。リフレクタ８４の反射面は、ＡｌやＮｉ等の反射率が高い金属材料を蒸着又はメッキして形成できる他、可視光の反射率の高い白色塗料を塗布して形成することができる。あるいは、リフレクタ８４の成形材料中に白色粉末を混入させてリフレクタ８４自体を可視光の反射率が高い白色とすることもできる。前記白色粉末としては、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化マグネシウム、硫酸バリウム等の白色フイラーを用いることができる。
なお、リフレクタ８４の反射面は発光装置１の照射方向に次第に開くように形成することが望ましい。

封止部材７１は、各半導体発光素子５０及びボンディングワイヤ１６等を埋設するようにしてリフレクタ８４の凹部２１内に注入して固化されている。この封止部材７１は、上記の実施形態同様に、透光性材料例えば透明シリコーン樹脂や透明ガラス等からなる。封止部材７１内には黄色発光蛍光体７２が混入され、封止部材７１及び黄色発光蛍光体７２で蛍光体層７０が形成される。なお、黄色発光蛍光体７２は、図示のように封止部材７１中で均一に分散している。

次に、本発明の実施例およびその評価結果について述べる。（参考例、実施例１及び２、比較例１及び２）
青色光の波長が４６０ｎｍであるような青色系ＬＥＤチップを、５４０ｎｍに主波長を有する黄色蛍光体、５８５ｎｍに主波長を有する黄色蛍光体、及び６５０ｎｍに主波長を有する赤色蛍光体をシリコーン樹脂中に含有させて得た、蛍光体含有樹脂層で被覆し、ＬＥＤランプを形成した。なお、これら蛍光体の樹脂に対する配合割合は１０体積％とした。上記ＬＥＤランプを基本単位とし、このようなＬＥＤランプを光路長１．０ｍｍ、開口径３ｍｍ、リフレクタ角度６３度のカップ中に配置し、ＬＥＤモジュールを作製した（参考例）。また、背面面積が９００ｍｍ^３のボードに前記カップを２５個配置してＬＥＤのカップモジュールを作製した（実施例１及び比較例２）。さらに、背面面積が９００ｍｍ^３のボードに上述したＬＥＤランプを複数配置してＣＯＢ構造のＬＥＤモジュールを作製した。この際の全樹脂量は４００ｍｍ^３であった（実施例２及び比較例３）。結果を表１に示す。

表１から明らかなように、樹脂の全量が１００ｍｍ^３より小さい参考例の場合は、１次焼成の場合の昇温速度を２０℃／分としても泡の発生がなく、蛍光体の分散も良好であることが分かる。一方、樹脂の全量が１００ｍｍ^３以上である実施例１及び比較例１、並びに実施例２及び比較例２においては、１次焼成の昇温速度が１０℃／分の場合は、蛍光体の分散性も良好であるとともに泡の発生もないが、昇温速度が２０℃／分の場合は、泡の発生が生じることが分かる。すなわち、樹脂量が１００ｍｍ^３以上のＬＥＤモジュールにおいては、昇温速度が１５℃／分を超えて大きくなると、内部の熱分布が不均一となり、泡の発生が生じることが分かる。

（実施例３〜６及び比較例３〜６）
次に、昇温速度１５℃／分の臨界特性及び樹脂量１００ｍｍ^３の臨界特性を評価した。結果を表２に示す。

表２から明らかなように、特に、実施例４及び比較例４、並びに実施例５及び比較例５を参酌すると、昇温速度１５℃／分を超えて２０℃／分になると、樹脂中に泡が発生することが分かる。一方、昇温速度が１５℃／分及び１３℃／分では、樹脂中に泡が発生しないことが分かる。また、上記傾向は樹脂量１００ｍｍ^３以上のいずれの場合でも観察することができる。したがって、本発明において、昇温速度１５℃／分及び樹脂量１００ｍｍ^３は臨界的な意義を有することが分かる。以上、本発明を上記具体例に基づいて詳細に説明したが、本発明は上記具体例に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。

ＬＥＤランプの一例を概略的に示す断面図である。 図１に示すＬＥＤランプを一平面上に３行３列のマトリックス状に複数配置した発光ダイオードモジュールの一例を示す平面図である。 図２に示すモジュールの、Ａ−Ａ線断面図である。 本発明の第２の実施形態に係わるＬＥＤモジュールを示す平面図である。 図４に示すＬＥＤモジュールをＦ２線に沿って切った場合の縦断面図である。

符号の説明

１…発光装置、２０…基材、２１…凹部、２１ａ…開口端面、２１ｂ…底面、２１ｃ…内側面、２１ｄ…延長面、３０…基板、４０…フレーム部材、５０…発光ダイオードチップ、７０…蛍光体層、７１…透明樹脂、７２…黄色発光蛍光体

Claims (2)

1. 発光素子と；
   蛍光体及びこの蛍光体を含有する樹脂で構成され、前記発光素子を被覆するようにして、樹脂１００ｍｍ^３以上の場合に昇温速度を１５℃／分以下で１次硬化温度８０〜１２０℃まで加熱硬化させてなる蛍光体含有樹脂層と；
   を具備することを特徴とする発光ダイオード装置。
2. 請求項１に記載した発光ダイオード装置を具備することを特徴とする照明装置。

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