JP3431038B2 - 発光装置とその製造方法およびｌｅｄヘッドの製造方法 - Google Patents
発光装置とその製造方法およびｌｅｄヘッドの製造方法Info
- Publication number
- JP3431038B2 JP3431038B2 JP02085194A JP2085194A JP3431038B2 JP 3431038 B2 JP3431038 B2 JP 3431038B2 JP 02085194 A JP02085194 A JP 02085194A JP 2085194 A JP2085194 A JP 2085194A JP 3431038 B2 JP3431038 B2 JP 3431038B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- light emitting
- substrate
- concave portion
- led
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ＬＥＤ装置等の発光装置は、Ｌ
ＥＤ装置を例にとると、図７に示すように、ガラエポ樹
脂等からなる絶縁基板３１上に、スクリーン印刷・焼成
等により、銅、アルミニウム等からなる配線パターン３
２を形成し（配線パターン３２表面には電解Ａｕメッキ
を形成する）、この配線パターン３２上にＬＥＤ素子３
３をＡｇペースト等を介してボンディングし、ＬＥＤ素
子３３と配線パターン３２の所定位置とをＡｕ等からな
る金属線３４により電気的に接続し、さらに、このＬＥ
Ｄ素子３３上方から、ポッティング方法等により熱可塑
性のエポキシ樹脂等からなる透明状の溶融樹脂を適量滴
下した後に、ＬＥＤ素子３３および金属線３４を覆い、
一定温度および湿度下の恒温層（図示せず）内で保持す
る等して加熱することにより、上記溶融樹脂を硬化させ
て山状の樹脂層３５を形成することにより作製されるの
である。
ＥＤ装置を例にとると、図７に示すように、ガラエポ樹
脂等からなる絶縁基板３１上に、スクリーン印刷・焼成
等により、銅、アルミニウム等からなる配線パターン３
２を形成し（配線パターン３２表面には電解Ａｕメッキ
を形成する）、この配線パターン３２上にＬＥＤ素子３
３をＡｇペースト等を介してボンディングし、ＬＥＤ素
子３３と配線パターン３２の所定位置とをＡｕ等からな
る金属線３４により電気的に接続し、さらに、このＬＥ
Ｄ素子３３上方から、ポッティング方法等により熱可塑
性のエポキシ樹脂等からなる透明状の溶融樹脂を適量滴
下した後に、ＬＥＤ素子３３および金属線３４を覆い、
一定温度および湿度下の恒温層（図示せず）内で保持す
る等して加熱することにより、上記溶融樹脂を硬化させ
て山状の樹脂層３５を形成することにより作製されるの
である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構成を有するＬＥＤ装置においては、ポッティング
方法により滴下された溶融樹脂は、その粘度、ＬＥＤ素
子３３および金属線３４のボンディング状態および、配
線パターン３２や絶縁基板３１の表面状態によって、流
動状態が変化するため、これを硬化した後に形成される
樹脂層３５の形状が不均一となるので、ＬＥＤ素子３３
および金属線３４を覆う樹脂層３５の高さＨが一定でな
いため、ＬＥＤ素子３３から照射される光の輝度は不均
一となり、照射ムラが生じるといった問題があった。
来の構成を有するＬＥＤ装置においては、ポッティング
方法により滴下された溶融樹脂は、その粘度、ＬＥＤ素
子３３および金属線３４のボンディング状態および、配
線パターン３２や絶縁基板３１の表面状態によって、流
動状態が変化するため、これを硬化した後に形成される
樹脂層３５の形状が不均一となるので、ＬＥＤ素子３３
および金属線３４を覆う樹脂層３５の高さＨが一定でな
いため、ＬＥＤ素子３３から照射される光の輝度は不均
一となり、照射ムラが生じるといった問題があった。
【０００４】本発明は、以上のような状況下で考え出さ
れたもので、発光素子を覆う樹脂層の高さを均一にし
得、発光素子から照射される光の輝度が安定する発光装
置およびその製造方法を提供することを目的とする。
れたもので、発光素子を覆う樹脂層の高さを均一にし
得、発光素子から照射される光の輝度が安定する発光装
置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、第１の凹部
と、該第１の凹部を囲む第２の凹部レジスト膜を形成す
ることによりを形成した基板と、前記基板上の前記第１
の凹部に搭載した発光素子と、前記基板上に、山状に形
成した、前記発光素子を覆う素子保護膜と、を備えてな
る発光装置を提供し得る。
と、該第１の凹部を囲む第２の凹部レジスト膜を形成す
ることによりを形成した基板と、前記基板上の前記第１
の凹部に搭載した発光素子と、前記基板上に、山状に形
成した、前記発光素子を覆う素子保護膜と、を備えてな
る発光装置を提供し得る。
【０００６】本発明は、基板上に第１の凹部と、該第１
の凹部を囲む第２の凹部をレジスト膜を形成することに
より形成し、前記第１の凹部に発光素子を搭載し、前記
基板上の前記第１の凹部に樹脂を滴下して、該樹脂が第
２の凹部または凸部に接触するように、山状に前記発光
素子を覆うことを特徴とする発光装置の製造方法を提供
し得る。
の凹部を囲む第２の凹部をレジスト膜を形成することに
より形成し、前記第１の凹部に発光素子を搭載し、前記
基板上の前記第１の凹部に樹脂を滴下して、該樹脂が第
２の凹部または凸部に接触するように、山状に前記発光
素子を覆うことを特徴とする発光装置の製造方法を提供
し得る。
【０００７】
【０００８】
【作用および効果】従って、本発明によれば、基板上に
形成された凹部に搭載された発光素子を覆うための樹脂
を、該発光素子上方より滴下し、上記樹脂の自重および
表面張力により、基板上に山状に広がり、上記凹部の内
壁に樹脂が接触することにより、上記基板上における樹
脂の、放射状に広がる方向の力を抑制させ、樹脂の広が
りを停止させた状態で、樹脂層を形成することができる
ので、発光素子と樹脂層表面との距離が略均一な樹脂層
を形成することが可能であるため、発光素子から照射さ
れる光の輝度は、常に一定とし得、品質の優れた発光装
置を基板上に連続した凹部を形成し、前記基板上の前記
凹部に囲まれた領域に、発光素子を搭載し、樹脂を滴下
して該樹脂により前記発光素子を覆うことを特徴とする
発光装置の製造方法を提供し得るのである。
形成された凹部に搭載された発光素子を覆うための樹脂
を、該発光素子上方より滴下し、上記樹脂の自重および
表面張力により、基板上に山状に広がり、上記凹部の内
壁に樹脂が接触することにより、上記基板上における樹
脂の、放射状に広がる方向の力を抑制させ、樹脂の広が
りを停止させた状態で、樹脂層を形成することができる
ので、発光素子と樹脂層表面との距離が略均一な樹脂層
を形成することが可能であるため、発光素子から照射さ
れる光の輝度は、常に一定とし得、品質の優れた発光装
置を基板上に連続した凹部を形成し、前記基板上の前記
凹部に囲まれた領域に、発光素子を搭載し、樹脂を滴下
して該樹脂により前記発光素子を覆うことを特徴とする
発光装置の製造方法を提供し得るのである。
【０００９】また、本発明によれば、基板上に第１の凹
部と、該第１の凹部を囲む第２の凹部を配線パターン上
にレジスト膜を形成することにより形成し、たとえ第１
の凹部で樹脂の流れを抑制しきれない場合でも、第２の
凹部により樹脂の流れを抑制することができるので、よ
り安定して高さが略均一な樹脂層を形成することができ
る。
部と、該第１の凹部を囲む第２の凹部を配線パターン上
にレジスト膜を形成することにより形成し、たとえ第１
の凹部で樹脂の流れを抑制しきれない場合でも、第２の
凹部により樹脂の流れを抑制することができるので、よ
り安定して高さが略均一な樹脂層を形成することができ
る。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を、発光装置としてＬ
ＥＤ装置を例にとり、図１〜図６を参照しつつ説明する
が、本発明はこれに限定するものではない。図１は、第
１実施例のＬＥＤ装置の要部断面図を示すものである。
このＬＥＤ装置は、ガラス−エポキシ樹脂からなる絶縁
基板１（基板）上に、表面をＡｕ電解メッキした銅から
なる配線パターン２をスクリーン印刷により形成し、こ
の配線パターン２の所定位置を除く領域Ａに、スクリー
ン印刷・焼成により、レジスト膜３を形成し、領域Ａを
凹状にした後に、領域Ａにおける配線パターン２上に、
従来から使用されるダイボンディング方法により、ＬＥ
Ｄ素子４（発光素子）をボンディングし、次いで、ＬＥ
Ｄ素子４と配線パターン２の所定位置とを、従来から使
用されるワイヤーボンディング方法により、Ａｕからな
る金属線５により電気的に接続し、さらに、このＬＥＤ
素子４上方から、従来から使用されるポッティング方法
により熱可塑性のエポキシ樹脂からなる透明状の溶融樹
脂を適量滴下して、ＬＥＤ素子４および金属線５を覆
い、恒温槽（図示せず）内で保持する等して、加熱する
ことにより、上記溶融樹脂を硬化させて樹脂層６（素子
保護膜）を形成することにより作製されるのである。
ＥＤ装置を例にとり、図１〜図６を参照しつつ説明する
が、本発明はこれに限定するものではない。図１は、第
１実施例のＬＥＤ装置の要部断面図を示すものである。
このＬＥＤ装置は、ガラス−エポキシ樹脂からなる絶縁
基板１（基板）上に、表面をＡｕ電解メッキした銅から
なる配線パターン２をスクリーン印刷により形成し、こ
の配線パターン２の所定位置を除く領域Ａに、スクリー
ン印刷・焼成により、レジスト膜３を形成し、領域Ａを
凹状にした後に、領域Ａにおける配線パターン２上に、
従来から使用されるダイボンディング方法により、ＬＥ
Ｄ素子４（発光素子）をボンディングし、次いで、ＬＥ
Ｄ素子４と配線パターン２の所定位置とを、従来から使
用されるワイヤーボンディング方法により、Ａｕからな
る金属線５により電気的に接続し、さらに、このＬＥＤ
素子４上方から、従来から使用されるポッティング方法
により熱可塑性のエポキシ樹脂からなる透明状の溶融樹
脂を適量滴下して、ＬＥＤ素子４および金属線５を覆
い、恒温槽（図示せず）内で保持する等して、加熱する
ことにより、上記溶融樹脂を硬化させて樹脂層６（素子
保護膜）を形成することにより作製されるのである。
【００１１】このようなレジスト膜３を有する絶縁基板
１上に搭載されたＬＥＤ素子４を覆うための溶融樹脂
を、上述したように、該ＬＥＤ素子４上方より滴下し、
上記溶融樹脂の自重および表面張力により、ＬＥＤ素子
４近傍を中心として絶縁基板１上に山状に広がり、溶融
樹脂がレジスト膜３により形成された内壁３ａに接触す
ることにより、上記絶縁基板１上における溶融樹脂の、
ＬＥＤ素子４を中心として放射状に広がる方向の力を抑
制させ、溶融樹脂の広がりを停止させた状態で、樹脂層
６を形成することができるので、高さが略均一な樹脂層
６を形成することが可能であるため、ＬＥＤ素子４から
照射される光の輝度は、常に一定とし得、品質の優れた
ＬＥＤ装置を提供し得るのである。
１上に搭載されたＬＥＤ素子４を覆うための溶融樹脂
を、上述したように、該ＬＥＤ素子４上方より滴下し、
上記溶融樹脂の自重および表面張力により、ＬＥＤ素子
４近傍を中心として絶縁基板１上に山状に広がり、溶融
樹脂がレジスト膜３により形成された内壁３ａに接触す
ることにより、上記絶縁基板１上における溶融樹脂の、
ＬＥＤ素子４を中心として放射状に広がる方向の力を抑
制させ、溶融樹脂の広がりを停止させた状態で、樹脂層
６を形成することができるので、高さが略均一な樹脂層
６を形成することが可能であるため、ＬＥＤ素子４から
照射される光の輝度は、常に一定とし得、品質の優れた
ＬＥＤ装置を提供し得るのである。
【００１２】本実施例においては、領域Ａを囲むように
レジスト膜３を形成することにより凹部を形成している
が、これに限定するものでなく、基板自体に所要形状の
凹部を形成してもよい。次に、本発明の第２実施例を説
明すると、このＬＥＤ装置は、図２にその要部平面図を
示す通り、所定の配線パターンを形成したガラス−エポ
キシ樹脂からなる絶縁基板７上に、領域Ｂ（第１の凹
部）を囲み、さらに凹状の溝部９（第２の凹部）が領域
Ｂを連続的に囲むように、スクリーン印刷・焼成により
レジスト膜８を形成し、絶縁基板７上における領域Ｂ
に、ＬＥＤ素子１０を搭載した後に、ＬＥＤ素子１０上
方よりポッティング方法によりエポキシ樹脂からなる溶
融樹脂を滴下し、ＬＥＤ素子１０を覆うように形成した
後に、これを硬化させて樹脂層１１を形成しているので
ある。
レジスト膜３を形成することにより凹部を形成している
が、これに限定するものでなく、基板自体に所要形状の
凹部を形成してもよい。次に、本発明の第２実施例を説
明すると、このＬＥＤ装置は、図２にその要部平面図を
示す通り、所定の配線パターンを形成したガラス−エポ
キシ樹脂からなる絶縁基板７上に、領域Ｂ（第１の凹
部）を囲み、さらに凹状の溝部９（第２の凹部）が領域
Ｂを連続的に囲むように、スクリーン印刷・焼成により
レジスト膜８を形成し、絶縁基板７上における領域Ｂ
に、ＬＥＤ素子１０を搭載した後に、ＬＥＤ素子１０上
方よりポッティング方法によりエポキシ樹脂からなる溶
融樹脂を滴下し、ＬＥＤ素子１０を覆うように形成した
後に、これを硬化させて樹脂層１１を形成しているので
ある。
【００１３】このような構成のＬＥＤ装置においては、
上記溶融樹脂を滴下した際に、たとえ第１の凹部で樹脂
の流れを抑制しきれない場合でも、第２の凹部もしくは
凸部により樹脂の流れを抑制することができるので、よ
り安定して高さが略均一な樹脂層を形成することができ
る。この第二実施例においては、絶縁基板７上に凹状の
溝部９が形成されているが、これに限定するものでな
く、図３に示すように、スクリーン印刷等により、一旦
平坦状にレジスト膜８を形成した後に、再度ＬＥＤ素子
１０近傍を中心として、該ＬＥＤ素子１０を囲む環状線
（図示せず）に沿った部分に、再度レジスト膜８をスク
リーン印刷等により印刷焼成することにより、凸状の突
起部１２を形成してもよい。
上記溶融樹脂を滴下した際に、たとえ第１の凹部で樹脂
の流れを抑制しきれない場合でも、第２の凹部もしくは
凸部により樹脂の流れを抑制することができるので、よ
り安定して高さが略均一な樹脂層を形成することができ
る。この第二実施例においては、絶縁基板７上に凹状の
溝部９が形成されているが、これに限定するものでな
く、図３に示すように、スクリーン印刷等により、一旦
平坦状にレジスト膜８を形成した後に、再度ＬＥＤ素子
１０近傍を中心として、該ＬＥＤ素子１０を囲む環状線
（図示せず）に沿った部分に、再度レジスト膜８をスク
リーン印刷等により印刷焼成することにより、凸状の突
起部１２を形成してもよい。
【００１４】また、第二実施例においては、凹状の溝部
９を連続的に形成しているが、これに限定するものでな
く、図４に示す通り、不連続的に形成しても本発明の効
果を奏し得る。さらに、第二実施例においては、レジス
ト膜８に溝部９を設けているが、これに限定するもので
なく、絶縁基板７上に第１の凹部および第２の凹部を設
けて、この絶縁基板７上にレジスト膜８を設けてもよ
い。
９を連続的に形成しているが、これに限定するものでな
く、図４に示す通り、不連続的に形成しても本発明の効
果を奏し得る。さらに、第二実施例においては、レジス
ト膜８に溝部９を設けているが、これに限定するもので
なく、絶縁基板７上に第１の凹部および第２の凹部を設
けて、この絶縁基板７上にレジスト膜８を設けてもよ
い。
【００１５】加えて、上記溝部９を複数個第一の凹部を
囲むように形成してもよい。次に、本発明の第三実施例
を説明すると、図５に示すように、所定の配線パターン
を形成したが、ガラス−エポキシ樹脂からなる絶縁基板
１３上に、従来から用いられているレジスト膜１４を領
域Ｃ（Ｃ１、Ｃ２、・・・）を除いて形成した後に、各
領域ＣにＬＥＤ素子１５を順次搭載し、これらのＬＥＤ
素子１５をポッティング方法によりエポキシ樹脂からな
る溶融樹脂を滴下して、ＬＥＤ素子１５を覆う樹脂層１
６を形成する、その後に各ＬＥＤ素子１５から照射され
る光の輝度の弱いＬＥＤ素子１５上に、さらに溶融樹脂
を滴下させて、ＬＥＤ素子１５と樹脂表面との距離（樹
脂高さ）を大きくし、レンズ効果を上げて輝度を調整す
るのである。このとき、溶融樹脂は、レジスト膜１４に
より形成される凹部の内壁により、絶縁基板１３上にお
ける放射状に広がる力を抑制させることができるので、
少量の樹脂を滴下させるのみで、樹脂高さを大きくでき
るため、輝度調整が容易となるのである。
囲むように形成してもよい。次に、本発明の第三実施例
を説明すると、図５に示すように、所定の配線パターン
を形成したが、ガラス−エポキシ樹脂からなる絶縁基板
１３上に、従来から用いられているレジスト膜１４を領
域Ｃ（Ｃ１、Ｃ２、・・・）を除いて形成した後に、各
領域ＣにＬＥＤ素子１５を順次搭載し、これらのＬＥＤ
素子１５をポッティング方法によりエポキシ樹脂からな
る溶融樹脂を滴下して、ＬＥＤ素子１５を覆う樹脂層１
６を形成する、その後に各ＬＥＤ素子１５から照射され
る光の輝度の弱いＬＥＤ素子１５上に、さらに溶融樹脂
を滴下させて、ＬＥＤ素子１５と樹脂表面との距離（樹
脂高さ）を大きくし、レンズ効果を上げて輝度を調整す
るのである。このとき、溶融樹脂は、レジスト膜１４に
より形成される凹部の内壁により、絶縁基板１３上にお
ける放射状に広がる力を抑制させることができるので、
少量の樹脂を滴下させるのみで、樹脂高さを大きくでき
るため、輝度調整が容易となるのである。
【００１６】この第三実施例においては、領域Ｃに凹部
を形成しているのみであるが、この凹部を第１の凹部と
して、該凹部を囲む、第２の凹部もしくは凸部を設けて
もよく、また、基板自体に凹凸部を設けてもよい。さら
に、第四実施例を説明すると、図６に示すように、この
ＬＥＤ装置は、所定の配線パターンを形成したガラス−
エポキシ樹脂からなる絶縁基板１７上に、ＬＥＤ素子１
８を搭載し、次いで絶縁基板１７上に、ＬＥＤ素子１８
を囲む凹部１９が形成されるように、レジスト膜２０を
配線パターン上に形成し、このＬＥＤ素子１８の四方を
囲み、且つ、上方に幅広となる反射枠体２１を上記絶縁
基板１７上に当接・密着させた後に、反射枠体２１内に
液状のエポキシ樹脂からなる溶融樹脂を滴下して、ＬＥ
Ｄ素子１８を密封する樹脂モールド部２２を形成してな
るものである。上記液状樹脂の滴下時には、上記凹部に
液状樹脂が入り込み、その表面張力により絶縁基板１７
上に広がろうとする力を抑制させるので、液状樹脂は、
外枠２１と略接触することがないので、絶縁基板１７と
外枠２１との境界面に、液状樹脂が侵入して、枠体２１
が浮き上がり、絶縁基板１７と枠体２１との隙間に、Ｌ
ＥＤ素子１８から照射される光が漏れて、光の輝度が低
下するといった問題を略完全に解消し得る。
を形成しているのみであるが、この凹部を第１の凹部と
して、該凹部を囲む、第２の凹部もしくは凸部を設けて
もよく、また、基板自体に凹凸部を設けてもよい。さら
に、第四実施例を説明すると、図６に示すように、この
ＬＥＤ装置は、所定の配線パターンを形成したガラス−
エポキシ樹脂からなる絶縁基板１７上に、ＬＥＤ素子１
８を搭載し、次いで絶縁基板１７上に、ＬＥＤ素子１８
を囲む凹部１９が形成されるように、レジスト膜２０を
配線パターン上に形成し、このＬＥＤ素子１８の四方を
囲み、且つ、上方に幅広となる反射枠体２１を上記絶縁
基板１７上に当接・密着させた後に、反射枠体２１内に
液状のエポキシ樹脂からなる溶融樹脂を滴下して、ＬＥ
Ｄ素子１８を密封する樹脂モールド部２２を形成してな
るものである。上記液状樹脂の滴下時には、上記凹部に
液状樹脂が入り込み、その表面張力により絶縁基板１７
上に広がろうとする力を抑制させるので、液状樹脂は、
外枠２１と略接触することがないので、絶縁基板１７と
外枠２１との境界面に、液状樹脂が侵入して、枠体２１
が浮き上がり、絶縁基板１７と枠体２１との隙間に、Ｌ
ＥＤ素子１８から照射される光が漏れて、光の輝度が低
下するといった問題を略完全に解消し得る。
【００１７】また、複数のＬＥＤ素子１８を複数の反射
枠体２１で連結させた構造のＬＥＤアレイに適用した場
合には、各ＬＥＤ素子１８への注入樹脂の横広がりが均
一になるため、複数個のＬＥＤ素子１８を同時点灯させ
るときの発光状態が、各々で均一化されて光むらの防止
になる。
枠体２１で連結させた構造のＬＥＤアレイに適用した場
合には、各ＬＥＤ素子１８への注入樹脂の横広がりが均
一になるため、複数個のＬＥＤ素子１８を同時点灯させ
るときの発光状態が、各々で均一化されて光むらの防止
になる。
【図１】本発明の第一実施例の発光装置に係るＬＥＤ装
置を示す要部断面図である。
置を示す要部断面図である。
【図２】本発明の第二実施例の発光装置に係るＬＥＤ装
置を示す要部断面図である。
置を示す要部断面図である。
【図３】本発明の第二実施例の発光装置に係るＬＥＤ装
置の変形例を示す要部斜視図である。
置の変形例を示す要部斜視図である。
【図４】本発明の第二実施例の発光装置に係るＬＥＤ装
置の変形例を示す要部平面図である。
置の変形例を示す要部平面図である。
【図５】本発明の第三実施例のＬＥＤヘッドを示す要部
斜視図である。
斜視図である。
【図６】本発明の第四実施例の発光装置に係るＬＥＤ装
置を示す要部斜視図である。
置を示す要部斜視図である。
【図７】従来における発光装置に係るＬＥＤ装置を示す
要部側面図である。
要部側面図である。
１ 絶縁基板
２ 配線パターン
３ レジスト膜
４ ＬＥＤ素子
５ 金属線
６ 樹脂層
９ 溝部
１２ 突起部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 33/00
B41J 2/44
B41J 2/45
B41J 2/455
G09F 9/33
ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (2)
- 【請求項１】第１の凹部と、該第１の凹部を囲む第２の
凹部を配線パターン上にレジスト膜を形成することによ
り形成した基板と、前記基板上の前記第１の凹部に搭載
した発光素子と、前記基板上に、山状に形成した、前記
発光素子を覆う素子保護膜と、を備えてなる発光装置。 - 【請求項２】基板上に第１の凹部と、該第１の凹部を囲
む第２の凹部を配線パターン上にレジスト膜を形成する
ことにより形成し、前記第１の凹部に発光素子を搭載
し、前記基板上の前記第１の凹部に樹脂を滴下して、該
樹脂が第２の凹部または凸部に接触するように、山状に
前記発光素子を覆うことを特徴とする発光装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02085194A JP3431038B2 (ja) | 1994-02-18 | 1994-02-18 | 発光装置とその製造方法およびｌｅｄヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02085194A JP3431038B2 (ja) | 1994-02-18 | 1994-02-18 | 発光装置とその製造方法およびｌｅｄヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07231120A JPH07231120A (ja) | 1995-08-29 |
| JP3431038B2 true JP3431038B2 (ja) | 2003-07-28 |
Family
ID=12038608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02085194A Expired - Fee Related JP3431038B2 (ja) | 1994-02-18 | 1994-02-18 | 発光装置とその製造方法およびｌｅｄヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3431038B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101505432B1 (ko) | 2008-06-26 | 2015-03-26 | 서울반도체 주식회사 | 발광소자 패키지 및 이의 제조방법 |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004087812A (ja) * | 2002-08-27 | 2004-03-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光体 |
| JP3716252B2 (ja) * | 2002-12-26 | 2005-11-16 | ローム株式会社 | 発光装置及び照明装置 |
| JP2006114737A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Akita Denshi Systems:Kk | 光半導体装置及びその製造方法 |
| US9070850B2 (en) | 2007-10-31 | 2015-06-30 | Cree, Inc. | Light emitting diode package and method for fabricating same |
| JP5057692B2 (ja) * | 2005-04-27 | 2012-10-24 | サムソン エルイーディー カンパニーリミテッド． | 発光ダイオードを利用したバックライトユニット |
| JP2006324589A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-11-30 | Sharp Corp | Ｌｅｄ装置およびその製造方法 |
| CN100435361C (zh) * | 2005-05-31 | 2008-11-19 | 新灯源科技有限公司 | 半导体发光元件封装结构 |
| KR100665222B1 (ko) * | 2005-07-26 | 2007-01-09 | 삼성전기주식회사 | 확산재료를 이용한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법 |
| JP2008060542A (ja) * | 2006-08-03 | 2008-03-13 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置、発光装置の製造方法、及びこれを備えた光源装置 |
| JP5326229B2 (ja) * | 2006-09-08 | 2013-10-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| US9711703B2 (en) | 2007-02-12 | 2017-07-18 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
| JP2009182028A (ja) * | 2008-01-29 | 2009-08-13 | Nikon Corp | 受発光ユニット、光学式エンコーダ |
| JPWO2009145246A1 (ja) * | 2008-05-29 | 2011-10-13 | ローム株式会社 | Ｌｅｄランプ |
| WO2010021346A1 (ja) * | 2008-08-20 | 2010-02-25 | 三菱化学株式会社 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| US8368112B2 (en) | 2009-01-14 | 2013-02-05 | Cree Huizhou Opto Limited | Aligned multiple emitter package |
| US20110261847A1 (en) * | 2010-04-27 | 2011-10-27 | Chou Hsi-Yan | Light emitting devices |
| JP5793685B2 (ja) * | 2011-04-18 | 2015-10-14 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 発光装置、バックライトユニット、液晶表示装置及び照明装置 |
| US8878215B2 (en) * | 2011-06-22 | 2014-11-04 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device module |
| JP2014044970A (ja) * | 2011-12-14 | 2014-03-13 | Mitsubishi Electric Corp | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
| JP2013179148A (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-09 | Unistar Opto Corp | 発光ダイオードエリアライトモジュールおよびそのパッケージ方法 |
| JP6116822B2 (ja) * | 2012-06-15 | 2017-04-19 | シャープ株式会社 | 発光装置、面光源装置及び発光装置の製造方法 |
| JP6098200B2 (ja) * | 2013-02-05 | 2017-03-22 | 旭硝子株式会社 | 発光素子用基板および発光装置 |
| JP5951519B2 (ja) * | 2013-02-14 | 2016-07-13 | シチズンファインデバイス株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP2014029341A (ja) * | 2013-09-17 | 2014-02-13 | Nikon Corp | 受発光ユニット、光学式エンコーダ |
| US9930793B2 (en) * | 2014-03-27 | 2018-03-27 | Intel Corporation | Electric circuit on flexible substrate |
| US9601670B2 (en) | 2014-07-11 | 2017-03-21 | Cree, Inc. | Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate |
| US10622522B2 (en) | 2014-09-05 | 2020-04-14 | Theodore Lowes | LED packages with chips having insulated surfaces |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61144890A (ja) * | 1984-12-19 | 1986-07-02 | Stanley Electric Co Ltd | Ｌｅｄランプのレンズの製造方法 |
| JPS61123554U (ja) * | 1985-01-19 | 1986-08-04 | ||
| JPH01130578A (ja) * | 1987-11-17 | 1989-05-23 | Iwasaki Electric Co Ltd | 発光ダイオード |
| JPH0428269A (ja) * | 1990-05-23 | 1992-01-30 | Fujikura Ltd | Ｌｅｄベアチップの実装構造 |
| JP3616127B2 (ja) * | 1994-02-09 | 2005-02-02 | 松下電器産業株式会社 | 発光ダイオード整列光源 |
-
1994
- 1994-02-18 JP JP02085194A patent/JP3431038B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101505432B1 (ko) | 2008-06-26 | 2015-03-26 | 서울반도체 주식회사 | 발광소자 패키지 및 이의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07231120A (ja) | 1995-08-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3431038B2 (ja) | 発光装置とその製造方法およびｌｅｄヘッドの製造方法 | |
| US5298768A (en) | Leadless chip-type light emitting element | |
| KR970004321B1 (ko) | 반도체 장치 | |
| JP3964590B2 (ja) | 光半導体パッケージ | |
| EP0182254B1 (en) | Dot matrix luminous display | |
| US6906459B2 (en) | Light emitting diode | |
| JPH05304318A (ja) | 発光素子アレイ基板 | |
| EP2215667A2 (en) | Led package and method for fabricating the same | |
| JP2003318449A (ja) | Ｌｅｄ光源及びその製造方法 | |
| JP2011097011A (ja) | 発光装置 | |
| KR20000017055A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| JP2006066786A (ja) | 発光ダイオード | |
| US7248274B2 (en) | Thermal head having adhesive layer partially disposed on heat sink and method for manufacturing such thermal head | |
| JPH0529665A (ja) | Ｌｅｄ光源装置 | |
| JPH1050734A (ja) | チップ型半導体 | |
| JPH11354676A (ja) | プリント配線板および半導体装置 | |
| JPH08153823A (ja) | 半導体チップ搭載用基板 | |
| JPS5965490A (ja) | 半導体発光素子アレイの製造方法 | |
| JP2000082827A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH096259A (ja) | Ｌｅｄ表示器 | |
| JPH08148724A (ja) | チップマウント型ｌｅｄ | |
| JP3459487B2 (ja) | Ｌｅｄ表示用基板及びｌｅｄ表示器 | |
| EP1482540A1 (en) | Method for forming thin film | |
| JPH03220736A (ja) | 半導体素子の実装方法 | |
| JP4389263B2 (ja) | 半導体発光装置の製法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090523 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120523 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |