JP2006114737A - 光半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
光半導体装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006114737A JP2006114737A JP2004301328A JP2004301328A JP2006114737A JP 2006114737 A JP2006114737 A JP 2006114737A JP 2004301328 A JP2004301328 A JP 2004301328A JP 2004301328 A JP2004301328 A JP 2004301328A JP 2006114737 A JP2006114737 A JP 2006114737A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- terminal spacer
- semiconductor chip
- light
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
Abstract
【解決手段】 光半導体装置は、配線を有し下面に外部電極端子を有する配線基板と、前記配線基板の上面に固定される円形のターミナルスペーサと、前記ターミナルスペーサの上面に固定され、光素子が形成され、上面に光の受け渡しを行う光授受面を有する半導体チップと、前記半導体チップの電極と前記配線基板の配線を電気的に接続する接続手段と、前記ターミナルスペーサの上面に前記半導体チップを覆うように凸状に形成され、透明体で弾性体からなる絶縁性の樹脂で形成される光透過部と、前記光透過部の所定領域を除き前記光透過部及び前記配線基板を覆う絶縁性の樹脂からなる封止体とを有し、前記光透過部を覆わない前記封止体による開口部分に前記光透過部の一部が凸状に突出している。
【選択図】 図2
Description
本発明の目的は、光半導体装置において、光素子を覆う樹脂による光透過部の表面を樹脂の表面張力を利用して凸状の円弧面に形成することにある。
本発明の他の目的は、光半導体装置において、光素子を覆う凸状の光透過部の表面の鏡面化を図ることにある。
本発明の他の目的は、光素子の発光効率や受光効率を高めることができる光半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであろう。
(1)本発明の光半導体装置は、
配線を有し下面に下地電極を有する配線基板を準備する工程と、
前記配線基板上に円形のターミナルスペーサを固定する工程と、
光素子が形成され上面に光の受け渡しを行う光授受面を有する半導体チップを前記ターミナルスペーサ上に前記光素子が中央となるように固定する工程と、
前記半導体チップの電極と配線基板の配線を接続手段によって電気的に接続する工程と、
前記半導体チップを覆うようにターミナルスペーサ上に透明体で弾性体からなる絶縁性樹脂を所定量供給(含む硬化処理)し、樹脂の表面張力によってターミナルスペーサ上に凸状に盛り上がった円弧面を有する光透過部を形成する工程と、
成形金型の平坦面で光透過部の頂部を所定高さ押し潰した状態で配線基板上に所定厚さの樹脂層を形成する工程と、
配線基板の裏面の下地電極にバンプ電極を形成する工程と、
配線基板を上面の樹脂層共々縦横に切断して複数の光半導体装置を形成する工程とによって製造される。
光半導体装置は、
配線を有し、下面に外部電極端子を有する配線基板と、
前記配線基板の上面に固定される円形のターミナルスペーサと、
前記ターミナルスペーサの上面に固定され、光素子が形成され、上面に光の受け渡しを行う光授受面を有する半導体チップと、
前記半導体チップの電極と前記配線基板の配線を電気的に接続する接続手段と、
前記ターミナルスペーサの上面に前記半導体チップを覆うように凸状の円弧面に形成され、透明体で弾性体からなる絶縁性の樹脂で形成される光透過部と、
前記光透過部の所定領域を除き前記光透過部及び前記配線基板を覆う絶縁性の樹脂からなる封止体とを有し、
前記光透過部を覆わない前記封止体による開口部分に前記光透過部の一部が凸状に突出していることを特徴とする。
前記(1)の手段によれば、(a)ターミナルスペーサ上面に形成される光透過部は、ターミナルスペーサ上面に透明体で弾性体からなる絶縁性の樹脂を供給し、表面張力によって凸面状の円弧面を形成させ、その後硬化処理することによって形成される。ターミナルスペーサは円形となっていることから、凸面は均一な表面張力によってどの断面をとっても同一の凸断面となる。また、樹脂の表面には空気以外のものは触れることがないことから、表面には外力が加わらず、樹脂表面は硬化して鏡面となる。従って、光透過部はその表面が鏡面となり、かつ所望の凸状の円弧面を有する構造となることから、光透過部を介しての光素子の光授受効率は良好なものになる。即ち、光素子が発光ダイオードのような発光素子の場合発光効率が向上し、光素子がホトダイオードのような受光素子の場合受光効率が向上する。
(1)ターミナルスペーサ10の上面に形成される光透過部7は、ターミナルスペーサ上面に透明体で弾性体からなる絶縁性の樹脂40を供給し、表面張力によって凸面状の円弧面(凸面)を形成させ、その後硬化処理することによって形成される。凸面は表面張力によって形成されることからいびつとならず良好な形の凸面が形成される。また、樹脂の表面には空気以外のものは触れることがないことから、表面には外力が加わらず、樹脂表面は硬化して鏡面となる。この結果、光透過部7を介する受光素子の受光効率は良好なものになる。
Claims (15)
- 配線を有し、下面に外部電極端子を有する配線基板と、
前記配線基板の上面に固定されるターミナルスペーサと、
前記ターミナルスペーサの上面に固定され、光素子が形成され、上面に光の受け渡しを行う光授受面を有する半導体チップと、
前記半導体チップの電極と前記配線基板の配線を電気的に接続する接続手段と、
前記ターミナルスペーサの上面に前記半導体チップを覆うように半球状に形成され、透明体で弾性体からなる絶縁性の樹脂で形成される光透過部と、
前記光透過部の所定領域を除き前記光透過部及び前記配線基板を覆う絶縁性の樹脂からなる封止体とを有し、
前記光透過部を覆わない前記封止体による開口部分に前記光透過部部分が半球状に突出していることを特徴とする光半導体装置。 - 前記ターミナルスペーサは所望パターンの配線を有し、前記所定の配線は前記半導体チップの電極及び前記配線基板の配線に接続手段によってそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の光半導体装置。
- 前記ターミナルスペーサの周縁は前記配線基板の周縁の内側に位置していることを特徴とする請求項1に記載の光半導体装置。
- 前記配線基板の上面には前記光素子に電気的に接続される集積回路を形成した半導体チップが固定されていることを特徴とする請求項1に記載の光半導体装置。
- 前記ターミナルスペーサは円形であり、前記封止体の前記開口部分は前記ターミナルスペーサに対して同心円的に配置された円形となっていることを特徴とする請求項1に記載の光半導体装置。
- 前記ターミナルスペーサは前記半導体チップを固定する領域を囲む溝が上面に形成され、前記溝の内側の領域に前記光透過部が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の光半導体装置。
- 前記溝は円形のリング状であり、前記封止体による開口部分は前記溝に対して同心円的に配置された円形となっていることを特徴とする請求項6に記載の光半導体装置。
- 前記光素子は光を発光する光素子または光を受光する光素子であることを特徴とする請求項1に記載の光半導体装置。
- 前記配線基板の上面に前記光素子を有する半導体チップを固定するターミナルスペーサが複数固定されていることを特徴とする請求項1に記載の光半導体装置。
- 前記配線基板上には2個の前記ターミナルスペーサが固定され、一方のターミナルスペーサ上には光を発光する光素子を有する半導体チップが固定され、他方のターミナルスペーサ上には光を受光する光素子を有する半導体チップが固定されて測距センサが形成されていることを特徴とする請求項1に記載の光半導体装置。
- 第1の面及び前記第1の面の反対面となる第2の面を有し、前記第1の面に縦横に区画された複数の製品形成部を有し、前記製品形成部は前記第1の面に形成される所望パターンの配線と、前記第2の面に形成され前記配線に貫通導体を介して電気的に接続される複数の下地電極とを有する構成となる配線母基板を準備する工程と、
前記各製品形成部の前記第1の面に上面に所望パターンの配線を有するターミナルスペーサを固定する工程と、
前記ターミナルスペーサの上面に、光素子が形成され上面に光の受け渡しを行う光授受面を有する第1の半導体チップを固定する工程と、
前記各製品形成部の前記第1の面に前記光素子に電気的に接続される集積回路を形成した第2の半導体チップを固定する工程と、
前記第1及び第2の半導体チップの各電極と前記所定の配線、前記所定の配線と前記所定の配線を導電性のワイヤでそれぞれ接続する工程と、
前記ターミナルスペーサ上に前記半導体チップを覆うように透明体で弾性体からなる絶縁性の樹脂を所定量供給しかつ硬化処理し、樹脂の表面張力を利用して凸状に光透過部を形成する工程と、
成形金型の平坦面で前記光透過部の最も厚い部分を所定長さ押し潰し、この状態で前記配線母基板の第1の面に絶縁性の樹脂によって所定厚さの樹脂層を形成することによって、前記樹脂層の表面に凸状に突出する前記光透過部部分を形成する工程と、
前記製品形成部の前記第2の面の前記下地電極層に重ねて突起電極を形成する工程と、
前記配線母基板の前記区画で切断して複数の光半導体装置を複数製造する工程とを有することを特徴とする光半導体装置の製造方法。 - 前記ターミナルスペーサを円形に形成しておき、前記ターミナルスペーサ中央上面に前記光授受面が位置するように前記半導体チップを固定することを特徴とする請求項11に記載の光半導体装置の製造方法。
- 前記ターミナルスペーサの上面に前記半導体チップを固定する領域を囲む溝を形成しておき、前記溝の内側の中央領域に前記光授受面が位置するように前記半導体チップを固定し、前記溝の内側の領域に前記光透過部を形成することを特徴とする請求項11に記載の光半導体装置の製造方法。
- 前記製品形成部に複数の前記ターミナルスペーサを固定することを特徴とする請求項11に記載の光半導体装置の製造方法。
- 前記製品形成部に2個の前記ターミナルスペーサを固定し、一方のターミナルスペーサ上には光を発光する光素子を有する半導体チップを固定し、他方のターミナルスペーサ上には光を受光する光素子を有する半導体チップを固定して測距センサを形成することを特徴とする請求項11に記載の光半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004301328A JP2006114737A (ja) | 2004-10-15 | 2004-10-15 | 光半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004301328A JP2006114737A (ja) | 2004-10-15 | 2004-10-15 | 光半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006114737A true JP2006114737A (ja) | 2006-04-27 |
Family
ID=36382999
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004301328A Pending JP2006114737A (ja) | 2004-10-15 | 2004-10-15 | 光半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006114737A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010007861A1 (ja) * | 2008-07-18 | 2010-01-21 | アルプス電気株式会社 | 光コネクタ |
JP2011077084A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Rohm Co Ltd | Led照明装置および液晶表示装置 |
JP2013538458A (ja) * | 2010-09-06 | 2013-10-10 | ヘレーウス ノーブルライト ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクスチップオンボードモジュールのコーティング方法及びオプトエレクトロニクスチップオンボードモジュール |
US8841597B2 (en) | 2010-12-27 | 2014-09-23 | Avago Technologies Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Housing for optical proximity sensor |
US8957380B2 (en) | 2009-06-30 | 2015-02-17 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Infrared attenuating or blocking layer in optical proximity sensor |
DE102010040011B4 (de) * | 2009-09-10 | 2015-06-11 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Package-on-Package (POP)-optischer-Näherungssensor |
JP2016146434A (ja) * | 2015-02-09 | 2016-08-12 | 住友化学株式会社 | 半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置 |
US9525093B2 (en) | 2009-06-30 | 2016-12-20 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Infrared attenuating or blocking layer in optical proximity sensor |
US9733357B2 (en) | 2009-11-23 | 2017-08-15 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Infrared proximity sensor package with improved crosstalk isolation |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0730154A (ja) * | 1993-07-07 | 1995-01-31 | Omron Corp | 光半導体素子及び光半導体チップ組込品 |
JPH07231120A (ja) * | 1994-02-18 | 1995-08-29 | Rohm Co Ltd | 発光装置とその製造方法およびledヘッドの製造方法 |
JP2000315823A (ja) * | 1999-04-30 | 2000-11-14 | Runaraito Kk | 発光ダイオードおよびその製造方法 |
JP2002203989A (ja) * | 2000-12-21 | 2002-07-19 | Lumileds Lighting Us Llc | 発光装置及びその製造方法 |
JP2003258313A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Rohm Co Ltd | Ledチップを使用した発光装置の構造及び製造方法 |
-
2004
- 2004-10-15 JP JP2004301328A patent/JP2006114737A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0730154A (ja) * | 1993-07-07 | 1995-01-31 | Omron Corp | 光半導体素子及び光半導体チップ組込品 |
JPH07231120A (ja) * | 1994-02-18 | 1995-08-29 | Rohm Co Ltd | 発光装置とその製造方法およびledヘッドの製造方法 |
JP2000315823A (ja) * | 1999-04-30 | 2000-11-14 | Runaraito Kk | 発光ダイオードおよびその製造方法 |
JP2002203989A (ja) * | 2000-12-21 | 2002-07-19 | Lumileds Lighting Us Llc | 発光装置及びその製造方法 |
JP2003258313A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Rohm Co Ltd | Ledチップを使用した発光装置の構造及び製造方法 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010007861A1 (ja) * | 2008-07-18 | 2010-01-21 | アルプス電気株式会社 | 光コネクタ |
US8337098B2 (en) | 2008-07-18 | 2012-12-25 | Alps Electric Co., Ltd. | Optical connector |
US8957380B2 (en) | 2009-06-30 | 2015-02-17 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Infrared attenuating or blocking layer in optical proximity sensor |
US9525093B2 (en) | 2009-06-30 | 2016-12-20 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Infrared attenuating or blocking layer in optical proximity sensor |
DE102010040011B4 (de) * | 2009-09-10 | 2015-06-11 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Package-on-Package (POP)-optischer-Näherungssensor |
JP2011077084A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Rohm Co Ltd | Led照明装置および液晶表示装置 |
US9733357B2 (en) | 2009-11-23 | 2017-08-15 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Infrared proximity sensor package with improved crosstalk isolation |
JP2013538458A (ja) * | 2010-09-06 | 2013-10-10 | ヘレーウス ノーブルライト ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクスチップオンボードモジュールのコーティング方法及びオプトエレクトロニクスチップオンボードモジュール |
US9093622B2 (en) | 2010-09-06 | 2015-07-28 | Heraeus Noblelight Gmbh | Method for coating an optoelectronic chip-on-board module and optoelectronic chip-on-board module |
US9252341B2 (en) | 2010-09-06 | 2016-02-02 | Heraeus Noblelight Gmbh | Optoelectronic chip-on-board module |
US8841597B2 (en) | 2010-12-27 | 2014-09-23 | Avago Technologies Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Housing for optical proximity sensor |
JP2016146434A (ja) * | 2015-02-09 | 2016-08-12 | 住友化学株式会社 | 半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI452715B (zh) | 表面裝設之多溝槽的光耦合器 | |
JP5520243B2 (ja) | 電力表面取り付けの発光ダイ・パッケージ | |
US6060729A (en) | Light-emitting device | |
JP4602345B2 (ja) | 電力表面取り付けの発光ダイ・パッケージ | |
US8735931B2 (en) | Light emitting diode package and fabrication method thereof | |
US8115106B2 (en) | Surface mount device | |
US7166908B2 (en) | Optical device | |
JP2006344978A (ja) | Ledパッケージ及びその製造方法、並びにそれを利用したledアレイモジュール | |
US6597018B2 (en) | Semiconductor light emitter and flat panel display lighting system | |
KR101149645B1 (ko) | 광커플러 장치들 | |
EP2654093B1 (en) | Package and method for manufacturing package | |
US8860047B2 (en) | Semiconductor light-emitting device | |
US9537019B2 (en) | Semiconductor device | |
US20070278483A1 (en) | Light emitting device and method of manufacturing the same | |
JP2006114737A (ja) | 光半導体装置及びその製造方法 | |
JP2001308388A (ja) | チップ型発光素子 | |
JP4969055B2 (ja) | 光通信モジュール | |
JP2019133994A (ja) | 半導体装置 | |
US20190165013A1 (en) | Package for iris recognition imaging module and manufacturing method thereof | |
US20110180837A1 (en) | Electronic Light Emitting Device and Method for Fabricating the Same | |
JP2007266546A (ja) | 光通信モジュールおよびその製造方法 | |
KR20030057191A (ko) | 반도체패키지 | |
JPH11163391A (ja) | 光半導体装置 | |
KR20020057516A (ko) | 방열판을 갖는 볼 그리드 어레이 패키지의 제조 방법 | |
KR20000038413A (ko) | Bga소자와 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20061219 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20061219 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070919 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100602 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100601 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100726 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110426 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110928 |