JPH0428269A - Ｌｅｄベアチップの実装構造 - Google Patents
Ｌｅｄベアチップの実装構造Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野」
本発明は、Ｌ Ｅ Ｄ素子のプリント配線板への高密度
実装構造に係わり、特にベアチップを直接プリント配線
板に実装するチップオンボード技術によるＬ Ｅ Ｄ素
子の実装構造に関する。
実装構造に係わり、特にベアチップを直接プリント配線
板に実装するチップオンボード技術によるＬ Ｅ Ｄ素
子の実装構造に関する。
「従来の技術」
一般に、半導体素子のプリント配線板への実装形態とし
ては、挿入実装１表面実装、チップオンボード実装（Ｃ
ＯＢ実装）、さらにテープオートメーテツドポンディン
グ実装（ＴＡＢ実装）の４種類があり、後者になるほど
部品占有面積が減少し高密度化に適している。
ては、挿入実装１表面実装、チップオンボード実装（Ｃ
ＯＢ実装）、さらにテープオートメーテツドポンディン
グ実装（ＴＡＢ実装）の４種類があり、後者になるほど
部品占有面積が減少し高密度化に適している。
ここで、挿入実装は、半導体ベアチップをＤＩＰ（デュ
アルインラインパッケージ）と呼ばれる形態にパッケー
ジ化し、該パッケージのリード線を配線板に貫通させて
接続するものである。表面実装は、半導体素子を例えば
ＳＯＰ （スモールアウトラインパッケージ）と呼ばれ
る形態に部品化し、このような部品のリート線あるいは
電極を配線板表面に接続するものである。ＣＯＢ実装は
、半導体ベアチップを直接配線板上に接続するものであ
る。また、ＴＡＢ実装は、フィルムキャリアにＣＯＢ実
装された複数の素子実装部分をひとつひとつ打ぢ抜いて
配線板」−に高速でポンティングするものである。
アルインラインパッケージ）と呼ばれる形態にパッケー
ジ化し、該パッケージのリード線を配線板に貫通させて
接続するものである。表面実装は、半導体素子を例えば
ＳＯＰ （スモールアウトラインパッケージ）と呼ばれ
る形態に部品化し、このような部品のリート線あるいは
電極を配線板表面に接続するものである。ＣＯＢ実装は
、半導体ベアチップを直接配線板上に接続するものであ
る。また、ＴＡＢ実装は、フィルムキャリアにＣＯＢ実
装された複数の素子実装部分をひとつひとつ打ぢ抜いて
配線板」−に高速でポンティングするものである。
そして、従来、１．、 Ｅ Ｄ素子についても、」−記
実装形態に対応する各種の部品形態が実施されているが
、最近では表面実装か一般化しており、これに対応する
部品形態であるチップ１．、 Ｉ’： ］）が提供され
広く使用されている。
実装形態に対応する各種の部品形態が実施されているが
、最近では表面実装か一般化しており、これに対応する
部品形態であるチップ１．、 Ｉ’： ］）が提供され
広く使用されている。
チップＬ Ｅ Ｄは、第４図に示すように、硬質絶縁板
よりなるベース基板５と、このベース基板５−４−に印
刷等により形成された電極／ｌａ、４．ｂと、電極４ｂ
−１１にダイボンデインクされたＬ Ｅ Ｄベアチップ
１と、１．、、 Ｅ Ｄベアチップ１と電極４ａとを接
続するワイヤループ２と、Ｌ、 Ｅ Ｄヘアチップ１の
保護を目的としてＬ Ｅ Ｄベアチップ１の周囲を封止
する封止樹脂３とよりなる。そして、ＬＥＤベアチップ
１は、電極４． ａ、 、 ４． ｂを介してこのチ
ップＬ Ｅ Ｄか実装される配線板上の回路導体に接続
されるようになっているものである。
よりなるベース基板５と、このベース基板５−４−に印
刷等により形成された電極／ｌａ、４．ｂと、電極４ｂ
−１１にダイボンデインクされたＬ Ｅ Ｄベアチップ
１と、１．、、 Ｅ Ｄベアチップ１と電極４ａとを接
続するワイヤループ２と、Ｌ、 Ｅ Ｄヘアチップ１の
保護を目的としてＬ Ｅ Ｄベアチップ１の周囲を封止
する封止樹脂３とよりなる。そして、ＬＥＤベアチップ
１は、電極４． ａ、 、 ４． ｂを介してこのチ
ップＬ Ｅ Ｄか実装される配線板上の回路導体に接続
されるようになっているものである。
このチップ１．、 Ｅ Ｄは、前述したようにＬ Ｅ
Ｄ素子のＤＩＰに比し高密度に実装できるものであるが
、さらなる配線板の小型化において限界があった。ずな
わち、チップ１．、 Ｅ Ｄは、半田デイツプ法なとの
苛酷な半田付は処理により実装されるので、封止樹脂３
は厚く形成されていなければならず、ベース基板５の厚
さも含めて全体として］、 ０ｍｍ以下にすることは不
可能である。また、製作加工上外形を小さくすることに
も限界があり、配線板におけるＬ Ｅ Ｉ）素子の実装
部分の突出高さあるいは占有面積を低減することに限界
かあった。
Ｄ素子のＤＩＰに比し高密度に実装できるものであるが
、さらなる配線板の小型化において限界があった。ずな
わち、チップ１．、 Ｅ Ｄは、半田デイツプ法なとの
苛酷な半田付は処理により実装されるので、封止樹脂３
は厚く形成されていなければならず、ベース基板５の厚
さも含めて全体として］、 ０ｍｍ以下にすることは不
可能である。また、製作加工上外形を小さくすることに
も限界があり、配線板におけるＬ Ｅ Ｉ）素子の実装
部分の突出高さあるいは占有面積を低減することに限界
かあった。
そこで、第５図に示すように、Ｌ Ｅ Ｄヘアチップ１
を直接プリント配線板の回路導体ｆ３ ｂにタイボンテ
ィングし、対極となる回路導体６ａとはワイヤポンディ
ングによるワイヤループ８で接続したＣＯＢタイプの実
装構造が考えられているが、従来、回路導体６ａ、ｆ３
ｂの幅は前記グイポンディング及びワイヤホンディング
あるいは給電のために必要な最小限の幅とされていた。
を直接プリント配線板の回路導体ｆ３ ｂにタイボンテ
ィングし、対極となる回路導体６ａとはワイヤポンディ
ングによるワイヤループ８で接続したＣＯＢタイプの実
装構造が考えられているが、従来、回路導体６ａ、ｆ３
ｂの幅は前記グイポンディング及びワイヤホンディング
あるいは給電のために必要な最小限の幅とされていた。
なお、第５図において符号７で示づ−ものはプリント配
線板のベース絶縁材であり、また、符号９で示すものは
前記封止樹脂３と同様な封止樹脂である。
線板のベース絶縁材であり、また、符号９で示すものは
前記封止樹脂３と同様な封止樹脂である。
［発明か解決しようとする課題」
」−記Ｌ Ｅ Ｉ）素子のＣＯＢタイプの実装構造は、
前述のチップＬ Ｅ Ｄの場合に比べ、封止樹脂９を薄
くすることかできベース基板５に相当する部品がないの
で、プリン］・配線板の厚さを薄くできるとともに占有
面積を小さくてきるという特長を有するものであるが、
下記のような改善すべき問題点かあった。
前述のチップＬ Ｅ Ｄの場合に比べ、封止樹脂９を薄
くすることかできベース基板５に相当する部品がないの
で、プリン］・配線板の厚さを薄くできるとともに占有
面積を小さくてきるという特長を有するものであるが、
下記のような改善すべき問題点かあった。
すなわち、前述のチップＬＥＤタイプのものと異なり、
Ｌ Ｅ Ｄヘアチップ１の周辺にはプリント配線板のベ
ース絶縁材７か露出することになりるのて、Ｌ Ｅ Ｄ
ベアチ・ノブ１自体の出力を上げなければ、Ｌ Ｅ Ｄ
ヘアチップ１がプリント配線板に実装されてなる発光体
としての輝度か低下するという問題かあった。
Ｌ Ｅ Ｄヘアチップ１の周辺にはプリント配線板のベ
ース絶縁材７か露出することになりるのて、Ｌ Ｅ Ｄ
ベアチ・ノブ１自体の出力を上げなければ、Ｌ Ｅ Ｄ
ヘアチップ１がプリント配線板に実装されてなる発光体
としての輝度か低下するという問題かあった。
というのは、ベース絶縁材７の色調は、ポリイミドプリ
ント配線板であれば濃い褐色であり、カラスエポキシプ
リント配線板であれば淡い青色であって、ベース絶縁材
７の光の反射率は非常に低い。このため、Ｌ Ｅ Ｄベ
アチップ１から放射された光の一部は、ベース絶縁材７
に吸収されるが、ベース絶縁材７を透過して裏側に抜け
てしまい、プリント配線板の表面側の輝度を必要量確保
するためにはＬ Ｅ Ｄベアチップ１自体の出力を」二
げなければならない。
ント配線板であれば濃い褐色であり、カラスエポキシプ
リント配線板であれば淡い青色であって、ベース絶縁材
７の光の反射率は非常に低い。このため、Ｌ Ｅ Ｄベ
アチップ１から放射された光の一部は、ベース絶縁材７
に吸収されるが、ベース絶縁材７を透過して裏側に抜け
てしまい、プリント配線板の表面側の輝度を必要量確保
するためにはＬ Ｅ Ｄベアチップ１自体の出力を」二
げなければならない。
本発明は上記従来の事情に鑑みなされたもので、ＣＯＢ
実装を適用したＬ Ｅ Ｄ素子の高密度実装構造であっ
て、発光体としての輝度が十分に確保された効率の良い
Ｌ Ｅ Ｄ素子の実装構造を提供することを目的として
いる。
実装を適用したＬ Ｅ Ｄ素子の高密度実装構造であっ
て、発光体としての輝度が十分に確保された効率の良い
Ｌ Ｅ Ｄ素子の実装構造を提供することを目的として
いる。
「課題を解決するための手段」
本発明のＬ Ｅ Ｄベアチップの実装構造は、配線板表
面の回路導体にＬＥＤベアチップを直接ダイボンドし、
該Ｌ Ｅ Ｄベアチップと配線板表面の対極回路導体と
をワイヤループにより接続してなる１、、 Ｅ Ｄベア
チップの実装構造であって、前記回路導体あるいは対極
回路導体には前記ＬＥＤベアチップの周囲に広がる拡大
部が形成されているおともに、 表面が凸レンズ状に形成され光を透過させる封止体が、
前記Ｌ Ｅ Ｉ）ベアチップ及びワイヤループを内包さ
せた状態で、前記拡大部の上に配設されていることを特
徴としている。
面の回路導体にＬＥＤベアチップを直接ダイボンドし、
該Ｌ Ｅ Ｄベアチップと配線板表面の対極回路導体と
をワイヤループにより接続してなる１、、 Ｅ Ｄベア
チップの実装構造であって、前記回路導体あるいは対極
回路導体には前記ＬＥＤベアチップの周囲に広がる拡大
部が形成されているおともに、 表面が凸レンズ状に形成され光を透過させる封止体が、
前記Ｌ Ｅ Ｉ）ベアチップ及びワイヤループを内包さ
せた状態で、前記拡大部の上に配設されていることを特
徴としている。
［作用−］
本発明の１、Ｅ Ｔ）ベアチップの実装構造によると、
■〜Ｅ Ｄヘアチップ周辺の配線板表面には反射率の高
い金属により形成される回路導体（拡大部）が配置され
、Ｌ Ｅ Ｄ −＜アチップ周辺の配線板」−に放射さ
れた光もこの拡大部によって高率で反射して配線板の表
面」−一方に向かわせることかできるので、配線板表面
側の輝度か効率良く確保される。
■〜Ｅ Ｄヘアチップ周辺の配線板表面には反射率の高
い金属により形成される回路導体（拡大部）が配置され
、Ｌ Ｅ Ｄ −＜アチップ周辺の配線板」−に放射さ
れた光もこの拡大部によって高率で反射して配線板の表
面」−一方に向かわせることかできるので、配線板表面
側の輝度か効率良く確保される。
また、このような反射も含めて配線板表面側に放射され
た光は凸レンズ状に形成された封止体において拡散し、
封止体全体か光るので、配線板表面において広い範囲を
照光させることかてきる。
た光は凸レンズ状に形成された封止体において拡散し、
封止体全体か光るので、配線板表面において広い範囲を
照光させることかてきる。
「実施例」
以下、本発明の一実施例を第１図〜第３図により説明す
る。
る。
第１図はＬ Ｅ Ｄ素子の実装構造の平面図、第２図は
第１図におけるＩＩ −ｎ矢視図、第３図は第１図にお
けるＩ［ｌ−１１１矢視図である。
第１図におけるＩＩ −ｎ矢視図、第３図は第１図にお
けるＩ［ｌ−１１１矢視図である。
第１図において符号］１で示すものは、プリント配線板
のベース絶縁板である。また、符号１２１３で示すもの
は、ベース絶縁板ＩＪの」二面に層状に形成されたプリ
ント配線板の回路導体で、互いに対極をなしＬ Ｅ Ｄ
素子に接続されるべき給電回路をなすものである。
のベース絶縁板である。また、符号１２１３で示すもの
は、ベース絶縁板ＩＪの」二面に層状に形成されたプリ
ント配線板の回路導体で、互いに対極をなしＬ Ｅ Ｄ
素子に接続されるべき給電回路をなすものである。
これら、回路導体１．２．１３は、例えば銅よりなり、
後述する拡大部１６を除いて給電に必要最小限の幅寸法
とされ、互いに突き合わされるようにして一直線状に配
置されたものである。
後述する拡大部１６を除いて給電に必要最小限の幅寸法
とされ、互いに突き合わされるようにして一直線状に配
置されたものである。
そして、一方の回路導体１２の回路導体１３側端部１．
２ ａの」−面に、Ｌ Ｅ Ｄ素子のベアチップ１４が
直接タイボンドされ、該ＬＥＤベアチップ１４と回路導
体１３の端部１３ａとは例えば金を材料としたワイヤポ
ンディングζこよるワイヤループ１５により接続されて
いる。
２ ａの」−面に、Ｌ Ｅ Ｄ素子のベアチップ１４が
直接タイボンドされ、該ＬＥＤベアチップ１４と回路導
体１３の端部１３ａとは例えば金を材料としたワイヤポ
ンディングζこよるワイヤループ１５により接続されて
いる。
また、回路導体１２には前記端部］、 ２ ａの付近の
両側から伸ひて前記端部１２ａの周囲に広がる拡大部１
６か形成されている。拡大部１６は、前記端部］２ａ及
び回路導体１３の端部］３ａから離間するように形成さ
れた凹状部１．６ ａを除き、外形か前記端部１２ａを
中心とする円形とされたものである。ここで、前記凹状
部１．６ ａと回路導体１３との間隔は、回路導体１３
と回路導体１２との閂の絶縁破壊に対する耐力を維持す
るように設定されている。
両側から伸ひて前記端部１２ａの周囲に広がる拡大部１
６か形成されている。拡大部１６は、前記端部］２ａ及
び回路導体１３の端部］３ａから離間するように形成さ
れた凹状部１．６ ａを除き、外形か前記端部１２ａを
中心とする円形とされたものである。ここで、前記凹状
部１．６ ａと回路導体１３との間隔は、回路導体１３
と回路導体１２との閂の絶縁破壊に対する耐力を維持す
るように設定されている。
また、拡大部１６も含めてこれら回路導体１２゜１３は
プリント配線板における通常のパターン形成方法により
形成されたもので、少なくとも回路導体１２の端部１２
ａあるいは拡大部１６及び回路導体１３の端部１３ａの
表面には金メツキか施されている。
プリント配線板における通常のパターン形成方法により
形成されたもので、少なくとも回路導体１２の端部１２
ａあるいは拡大部１６及び回路導体１３の端部１３ａの
表面には金メツキか施されている。
回路導体１２に形成された拡大部１６の」−面には、そ
の円状外形の内側に位置して、リング状のダム１７か形
成されている。そして、このタム１７の内側の位置には
、表面が凸レンズ状に形成され光を透過させる封止体１
８が、Ｌ Ｅ Ｄベアチッ８〜 プ１４及びワイヤループ１５を内包させた状態で、拡大
部１２ｃの」−に形成されている。
の円状外形の内側に位置して、リング状のダム１７か形
成されている。そして、このタム１７の内側の位置には
、表面が凸レンズ状に形成され光を透過させる封止体１
８が、Ｌ Ｅ Ｄベアチッ８〜 プ１４及びワイヤループ１５を内包させた状態で、拡大
部１２ｃの」−に形成されている。
ここで、封止体１８は、エポキシ系樹脂にシリカ粉末を
混粘し適度なチキン性（自己形状形成能）と光拡散性と
を付与したものを材料として、ドロップコート処理によ
り形成したものである。また、ダム１７は例えばンリコ
ン樹脂を素材としたスタンピング等により形成されたも
のである。このタム１７は、封止体１８の成形時に材料
の拡散を防止し、封止体１８の配置面積を確実に規定す
るとともに、材料を適度に盛り」二ばて封止体１８表面
の曲率を所望の値に設定できるようにする作用を存する
。
混粘し適度なチキン性（自己形状形成能）と光拡散性と
を付与したものを材料として、ドロップコート処理によ
り形成したものである。また、ダム１７は例えばンリコ
ン樹脂を素材としたスタンピング等により形成されたも
のである。このタム１７は、封止体１８の成形時に材料
の拡散を防止し、封止体１８の配置面積を確実に規定す
るとともに、材料を適度に盛り」二ばて封止体１８表面
の曲率を所望の値に設定できるようにする作用を存する
。
今、以上のように構成された実装構造において、回路導
体１．２．１３を介してＬ Ｅ ＤベアチップＩ４に給
電すると、ＬＥＤベアチップ１４からは各方向に光が放
射されるわけであるが、Ｌ Ｅ Ｄベアチップ周辺の配
線板表面には光の反射率の高い金かメツキされた拡大部
１６等が配置されており、■７ＥＤベアチップ周辺の配
線板」二に放射された光もこの拡大部１６等によって高
率で反射され配線板の表面上方に向かうので、配線板表
面側の輝度が給電の入力量に対して効率よく確保される
。
体１．２．１３を介してＬ Ｅ ＤベアチップＩ４に給
電すると、ＬＥＤベアチップ１４からは各方向に光が放
射されるわけであるが、Ｌ Ｅ Ｄベアチップ周辺の配
線板表面には光の反射率の高い金かメツキされた拡大部
１６等が配置されており、■７ＥＤベアチップ周辺の配
線板」二に放射された光もこの拡大部１６等によって高
率で反射され配線板の表面上方に向かうので、配線板表
面側の輝度が給電の入力量に対して効率よく確保される
。
また、このような反射も含めて配線板表面側に放射され
た光は凸レンズ状に形成された封止体１８において拡散
し、封止体全体が光るので、配線板表面において広い範
囲を照光させることができる。
た光は凸レンズ状に形成された封止体１８において拡散
し、封止体全体が光るので、配線板表面において広い範
囲を照光させることができる。
本実施例によれば、以下のような効果がある。
第一に、上記実装構造は従来のＣＯＢ実装と同様に小さ
な実装スペースでありながら輝度が高度に確保されてい
るので、この実装構造を適用すれば輝度を低下させない
どころか向上させてＬＥＤ素子の高密度実装が可能にな
るという効果が奏される。
な実装スペースでありながら輝度が高度に確保されてい
るので、この実装構造を適用すれば輝度を低下させない
どころか向上させてＬＥＤ素子の高密度実装が可能にな
るという効果が奏される。
すなわち、回路導体１．２．１３にメツキされている金
は、波長が５００ｎｍ以」二の可視領域の光に対する反
射率がアルミナセラミックスよりも高い。
は、波長が５００ｎｍ以」二の可視領域の光に対する反
射率がアルミナセラミックスよりも高い。
このため、アルミナセラミックスよりなるベース基板が
前記拡大部１６等と同様の作用をする従来のチップＬ
Ｅ Ｄ （第４図）よりも前記反射の度合いが高いから
である。
前記拡大部１６等と同様の作用をする従来のチップＬ
Ｅ Ｄ （第４図）よりも前記反射の度合いが高いから
である。
第二に、封止体１８の材料が光拡散性を有するものとさ
れているため、前述のように封止体１８全体が光ること
になり、一つのＬ Ｅ Ｄ素子で照光できる面積が広い
という効果を有する。しかも、この封止体１８はＬＥＤ
ベアチップ１４及びワイヤループ１５を内包しているの
で、これらＬＥＤベアチップ１４等を保護するという作
用も発揮している。
れているため、前述のように封止体１８全体が光ること
になり、一つのＬ Ｅ Ｄ素子で照光できる面積が広い
という効果を有する。しかも、この封止体１８はＬＥＤ
ベアチップ１４及びワイヤループ１５を内包しているの
で、これらＬＥＤベアチップ１４等を保護するという作
用も発揮している。
第三に、封止体１８による密封性を高く維持することが
できるので、前記ＬＥＤベアチップ１４等の保護が信頼
性高くなされるという効果がある。
できるので、前記ＬＥＤベアチップ１４等の保護が信頼
性高くなされるという効果がある。
すなわち、通常エポキシ系の樹脂は、ベース絶縁板を形
成するポリイミド等に対してよりも金属に対する密着性
が良く、本実施例の場合封止体１８は大部分が回路導体
１２，１．３の上面に形成されることになるためである
。また、前述のダム１７の作用により封止体１８の材料
のチキン性を過度に高める必要がないので、チキン性を
高めるこ１．１ とによって材料の粘度が増加（ぬれ性が低下）して、封
止体１８の成形時に材料が狭隘部にゆきわたらず、例え
ば拡大部１６と回路導体１３との間等に隙間ができてし
まうことがないからである。
成するポリイミド等に対してよりも金属に対する密着性
が良く、本実施例の場合封止体１８は大部分が回路導体
１２，１．３の上面に形成されることになるためである
。また、前述のダム１７の作用により封止体１８の材料
のチキン性を過度に高める必要がないので、チキン性を
高めるこ１．１ とによって材料の粘度が増加（ぬれ性が低下）して、封
止体１８の成形時に材料が狭隘部にゆきわたらず、例え
ば拡大部１６と回路導体１３との間等に隙間ができてし
まうことがないからである。
第四に、前述のように封止体１８の材料のチキン性を過
度に高める必要がないので、シリカ粉末を多量に混粘す
ることによる封止体１８の透過率の低下が防止できると
いう効果がある。
度に高める必要がないので、シリカ粉末を多量に混粘す
ることによる封止体１８の透過率の低下が防止できると
いう効果がある。
第五に、Ｌ Ｅ Ｄベアチップ１４がダイボンディング
される回路導体１２の端部１２ａの両側には、導体が配
置されていない部分１９．１９が形成されているため、
例えば導体の有無を検出する視覚センサによりこの端部
１２ａの位置を検知することができ、ＬＥＤベアチップ
１４を自動機によりグイポンディングするための位置決
め作業が容易に行えるという効果かある。
される回路導体１２の端部１２ａの両側には、導体が配
置されていない部分１９．１９が形成されているため、
例えば導体の有無を検出する視覚センサによりこの端部
１２ａの位置を検知することができ、ＬＥＤベアチップ
１４を自動機によりグイポンディングするための位置決
め作業が容易に行えるという効果かある。
さらに、第六に、回路導体１３の表面のメツキ材料とワ
イヤループ１５の材料とが同じもの（金）であるため、
ワイヤループ１５と回路導体Ｉ３との接続性か良好であ
り、ワイヤホンディング作業に有利となるという効果が
ある。
イヤループ１５の材料とが同じもの（金）であるため、
ワイヤループ１５と回路導体Ｉ３との接続性か良好であ
り、ワイヤホンディング作業に有利となるという効果が
ある。
なお、上記実施例では、回路導体１２あるいは回路導体
Ｉ３の表面に金メツキを施したが、これに限らず、例え
ばアルミニウム、銀等のメツキを施してもよいし、特に
表面処理しなくてもよい。
Ｉ３の表面に金メツキを施したが、これに限らず、例え
ばアルミニウム、銀等のメツキを施してもよいし、特に
表面処理しなくてもよい。
いずれにしても、ＬＥＤベアチップの周囲であって封止
体の下側の面の反射率を格段に向」ニさせることができ
るので同様の効果が得られる。
体の下側の面の反射率を格段に向」ニさせることができ
るので同様の効果が得られる。
また、拡大部１６を回路導体１２のパターンを広げるこ
とにより形成したが、回路導体１２の対極となる回路導
体１３側を広げて形成するようにしてもよいし、回路導
体１２及び回路導体１３の両者を広げてその組み合わせ
で構成してもよい。
とにより形成したが、回路導体１２の対極となる回路導
体１３側を広げて形成するようにしてもよいし、回路導
体１２及び回路導体１３の両者を広げてその組み合わせ
で構成してもよい。
いずれにしても、回路導体１２，１．３間の絶縁耐力が
確保される限り、なるべく広い面積で封止体１８の下側
に回路導体１２あるいは回路導体１３が配置されている
ことが好ましい。
確保される限り、なるべく広い面積で封止体１８の下側
に回路導体１２あるいは回路導体１３が配置されている
ことが好ましい。
「発明の効果」
本発明のＬＥＤ素子の実装構造によれば、従来のＣＯＢ
実装と同様に小さな実装スペースでありながら輝度か高
度に確保されるので、この実装構造を適用すれば輝度を
低下させないでＬＥＤ素子の高密度実装か可能になると
いう効果か奏される。
実装と同様に小さな実装スペースでありながら輝度か高
度に確保されるので、この実装構造を適用すれば輝度を
低下させないでＬＥＤ素子の高密度実装か可能になると
いう効果か奏される。
また、このような反射も含めて配線板表面側に放射され
た光は凸しンス状に形成された封止体において拡散し、
封止体全体か光るので、配線板表面において広い範囲を
照光させることができる。
た光は凸しンス状に形成された封止体において拡散し、
封止体全体か光るので、配線板表面において広い範囲を
照光させることができる。
しかも、この封止体はＬ ＥＤヘアチップ及びワイヤル
ープを内包しているので、これら１．、 Ｅ Ｄベアチ
ップ等を保護するという作用も発揮している。
ープを内包しているので、これら１．、 Ｅ Ｄベアチ
ップ等を保護するという作用も発揮している。
第１図〜第３図は本発明の一実施例を示す図であって、
第１図はＬ Ｅ り素子の実装構造の平面図、第２図は
第１図におけるＩＩ −ＩＴ矢視図、第３図は第１図に
おける■−■矢視図である。 また、第４図及び第５図は従来技術を説明するための図
であって、第４図はチップＬ Ｅ Ｄの側断面図、第５
図はＬ Ｅ Ｉ）素子のチップオンボート実装構造の側
断面図である。 １２・・・・回路導体、 ３・・・・・対極回路導体（回路導体）４・・・・Ｌ
Ｅ Ｄベアチップ、 ５・・・・・ワイヤループ、 ６・・・・・拡大部、１８・・・・・封止体。
第１図はＬ Ｅ り素子の実装構造の平面図、第２図は
第１図におけるＩＩ −ＩＴ矢視図、第３図は第１図に
おける■−■矢視図である。 また、第４図及び第５図は従来技術を説明するための図
であって、第４図はチップＬ Ｅ Ｄの側断面図、第５
図はＬ Ｅ Ｉ）素子のチップオンボート実装構造の側
断面図である。 １２・・・・回路導体、 ３・・・・・対極回路導体（回路導体）４・・・・Ｌ
Ｅ Ｄベアチップ、 ５・・・・・ワイヤループ、 ６・・・・・拡大部、１８・・・・・封止体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 配線板表面の回路導体にＬＥＤベアチップを直接ダイ
ボンドし、該ＬＥＤベアチップと配線板表面の対極回路
導体とをワイヤループにより接続してなるＬＥＤベアチ
ップの実装構造であつて、前記回路導体あるいは対極回
路導体には前記ＬＥＤベアチップの周囲に広がる拡大部
が形成されているとともに、 表面が凸レンズ状に形成され光を透過させる封止体が、
前記ＬＥＤベアチップ及びワイヤループを内包させた状
態で、前記拡大部の上に配設されていることを特徴とす
るＬＥＤベアチップの実装構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2133156A JPH0428269A (ja) | 1990-05-23 | 1990-05-23 | Ｌｅｄベアチップの実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2133156A JPH0428269A (ja) | 1990-05-23 | 1990-05-23 | Ｌｅｄベアチップの実装構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0428269A true JPH0428269A (ja) | 1992-01-30 |
Family
ID=15098011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2133156A Pending JPH0428269A (ja) | 1990-05-23 | 1990-05-23 | Ｌｅｄベアチップの実装構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0428269A (ja) |
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- 1990-05-23 JP JP2133156A patent/JPH0428269A/ja active Pending
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