WO2007083481A1 - 半導体表示装置及び半導体表示装置の製造方法 - Google Patents

半導体表示装置及び半導体表示装置の製造方法 Download PDF

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Takayuki Ishihara
Satohiro Kigoshi
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Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor display device that forms an image with a plurality of semiconductor light emitting elements and a method for manufacturing the semiconductor display device.
  • a technique is known in which a plurality of semiconductor elements (semiconductor light emitting elements) arranged on a substrate, thin metal wires, and the like are covered with a protective member made of resin.
  • Patent Document 1 discloses a substrate on which a plurality of through holes and a semiconductor element disposed in the vicinity of each through hole are provided and a region on which the plurality of semiconductor elements are arranged. There is disclosed a semiconductor device provided with a levee dike member formed on the inner side and a levee protective member formed on the inner peripheral side of the dike member.
  • a semiconductor element is disposed in the vicinity of a through hole, and then the through hole and the semiconductor element are connected by two bonding wires.
  • a bank member is formed on the substrate so as to surround the region where the semiconductor element is disposed.
  • the levee constituting the dike member is applied twice, thereby forming the dike member composed of the double greaves layer on the substrate.
  • the bank member can be formed higher than the desired height of the protective member.
  • the resin constituting the levee member and the liquid resin having high wettability are dropped, and the dripped resin is cured at a predetermined temperature to cover the semiconductor element.
  • a protective member is formed only inside the dike member.
  • Patent Document 1 JP 2002-270627 A
  • the protective member is constituted by the resin constituting the bank member and the highly wettable resin, the resin constituting the protective member and the resin constituting the bank member are played easily. I can't. For this reason, since the height of the levee member must be formed higher than the height of the desired protective member, the resin constituting the levee member must be applied twice as described above. Accordingly, there is a problem that the manufacturing process of the semiconductor device becomes complicated.
  • the present invention has been made to solve the above-described problems, and an object thereof is to provide a semiconductor display device and a method for manufacturing the semiconductor display device that can be easily manufactured.
  • the invention according to claim 1 is characterized in that the display unit has a plurality of through holes in which conductive members are formed and a semiconductor light emitting element provided on each through hole. And a protective member made of resin covering the surface of the display part, and a resin made of resin made to surround the outer peripheral part of the display part in order to prevent the protective member from flowing out A dike member, and the dike member is formed of a resin that repels the resin that constitutes the protective member.
  • the invention of claim 2 is the semiconductor display device according to claim 1, characterized in that the invention is formed higher than the levee member.
  • a predetermined interval is provided between the levee member and the display unit.
  • This is a semiconductor display device.
  • the invention of claim 4 is characterized in that an auxiliary levee member is formed so as to surround the outer periphery of the levee member with a predetermined interval.
  • At least a region corresponding to the display section is provided on the back surface of the substrate. 5.
  • a metal plate-like reinforcing member is provided on the semiconductor display device.
  • the invention of claim 6 is characterized in that a conductive closing member is formed so as to close an opening of the through hole on the side where the semiconductor light emitting element is provided. 6.
  • the semiconductor display device according to any one of 5 above.
  • the invention of claim 7 is a first step of forming, on a substrate, a display portion having a plurality of through holes in which conductive members are formed and a semiconductor light emitting element provided on each of the through holes.
  • a third step of forming a protective member by curing the liquid resin after potting higher than the dike member so as to cover the surface of the portion. is there.
  • the semiconductor light emitting element is disposed on the through hole in which the conductive member is formed, so that the conductive member formed in the through hole and the semiconductor light emitting element are electrically connected simultaneously with the disposition. Since they can be connected, the manufacturing process can be simplified. In addition, by directly electrically connecting the conductive member and the semiconductor light emitting element, at least one fine metal wire for connecting the conductive member and the semiconductor light emitting element can be omitted. Failure due to can be reduced. Further, by disposing the semiconductor light emitting element on the through hole, the size can be reduced as compared with the case where the semiconductor light emitting element is disposed at a position different from the through hole.
  • the embankment member is constituted by the grease that repels the resin constituting the protection member
  • the resin constituting the protection member constitutes the embankment member in the manufacturing process of forming the protection member. It is repelled by the fat that forms. Therefore, even if the levee member is formed lower than the desired height of the protective member, the liquid grease dropped on the inner side of the levee member to form the protective member 1S beyond the levee member and outside the levee member It can be prevented from leaking. For this reason
  • FIG. 1 is a perspective view showing an entire semiconductor display device according to the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along line II-II in FIG.
  • FIG. 3 is an enlarged plan view of the rectangular basket in FIG.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV in FIG.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of the semiconductor display device at each step in the manufacturing process of the semiconductor display device according to the present invention.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of the semiconductor display device at each step in the manufacturing process of the semiconductor display device according to the present invention.
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional view of the semiconductor display device at each step in the manufacturing process of the semiconductor display device according to the present invention.
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing a modified example of the semiconductor display device.
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing a modified example of the semiconductor display device.
  • FIG. 10 is a schematic cross-sectional view showing a modified example of the semiconductor display device.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of the periphery of a pixel of a modified example of the semiconductor display device.
  • FIG. 1 is a perspective view showing the entire semiconductor display device according to the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along the line II-II in FIG.
  • FIG. 3 is an enlarged plan view of rectangle III in FIG.
  • Fig. 4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV in Fig. 3.
  • an X wiring 6, a Y wiring 7, a metal thin wire 16, and the like, which will be described later, are omitted for convenience.
  • the semiconductor display device 1 includes a printed circuit board 3 on which a display unit 2 is formed, a protective member 4, a bank member 5, an X wiring 6, and a Y wiring 7. And.
  • a display unit 2 is provided in the center of the printed circuit board 3.
  • the display unit 2 is provided with a plurality of pixels 11 in a matrix.
  • each pixel 11 is formed with a through hole 12, and a semiconductor light emitting element 13 is provided on each through hole 12.
  • the through hole 12 is formed so as to penetrate the printed circuit board 3.
  • An X-side metal film 14 is formed on the inner periphery of the through hole 12 and the outer periphery of the upper end.
  • the X-ray metal film 14 corresponds to the conductive member recited in the claims.
  • the X-side metal film 14 is electrically connected to the X wiring 6 on the back side of the printed board 3.
  • Epoxy resin is embedded in the inner peripheral side of the X-side metal film 14 formed in the through hole 12.
  • a circular Y-side metal film 15 is formed so as to surround the outer peripheral portion on the upper surface side of the through hole 12 with a predetermined distance from the X-side metal film 14.
  • This Y-side metal film 15 is Formed integrally with wiring 7 and electrically connected! Speak.
  • the semiconductor light emitting element 13 is configured by a light emitting diode in which a light emitting layer (not shown) is provided at the center in the vertical direction.
  • the lower surface side of the semiconductor light emitting element 13 is electrically connected to the X-side metal film 14. Further, the upper surface side of the semiconductor light emitting element 13 is bonded by a thin metal wire 16 in order to be electrically connected to the Y-side metal film 15.
  • the protective member 4 is made of an epoxy resin that can transmit light (for example, a tension of about 3 ODyneZcm), is formed higher than the semiconductor light emitting element 13, and the display unit 2 is It is provided to cover.
  • the epoxy resin constituting the protective member 4 preferably has a resin viscosity of about 10 mPa's to about 10 Pa's and a curing temperature of about 60 ° C to about 150 ° C.
  • the region located above the display unit 2 of the protection member 4 is formed flat.
  • the thickness of the flat portion of the protective member 4 is about 1. Omm.
  • the thickness of the flat portion of the protective member 4 is not particularly limited to about 1. Omm, but is preferably between about 0.3 mm and about 5. Omm.
  • the protection member 4 is for protecting the semiconductor light emitting element 13.
  • the epoxy resin has a refractive index larger than that of air, by providing it between the semiconductor light emitting element 13 and air, the light emitted by the semiconductor light emitting element 13 is transmitted at the interface between the semiconductor light emitting element 13 and the outside. Reflection can be suppressed. As a result, light can be emitted more efficiently to the outside of the semiconductor light emitting device 13.
  • the levee member 5 is formed so as to surround the display unit 2 with an interval of about 1. Omm or more from the outer periphery of the display unit 2. In this way, by forming the display unit 2 at a distance of about 1. Omm or more, the inclined portion of the outer peripheral portion of the protective member 2 can be formed only outside the display unit 2.
  • the protective member 4 in the area above 2 can be flattened.
  • the dike member 5 is formed with a width of about 0.3 mm or more. The width of the dike member 5 is preferably about 0.5 mm to about 2. Omm.
  • the dike member 5 is a silicone resin capable of repelling the epoxy resin constituting the protective member 4. (For example, a tension of about 20 DyneZcm). Therefore, the protective member 4 is not formed on the top surface of the levee member 5. For this reason, even if the bank member 5 is formed lower than the protective member 4, the protective member 4 formed inside the bank member 5 can be prevented from flowing out beyond the bank member 5. Therefore, the protective member 4 can be formed higher than the height of the bank member 5.
  • Each X wiring 6 is made of a metal thin film, and is formed on the back surface side of the printed circuit board 3 so as to extend in the X direction.
  • An external terminal 6a for connecting to an external control means (not shown) is formed at the end of the X wiring 6.
  • Each Y wiring 7 is made of a metal thin film, and is formed on the surface side of the printed circuit board 3 so as to extend in the Y direction. As a result, the X wiring 6 and the Y wiring 7 are insulated by the printed circuit board 3. An external terminal 7a for connecting to an external control means is formed at the end of the Y wiring 7.
  • the pixel 11 described above is provided at a position where the X wiring 6 and the Y wiring 7 intersect.
  • the semiconductor light emitting element 13 can emit light and an image can be formed.
  • 5 to 7 are schematic cross-sectional views of the semiconductor display device at each step in the manufacturing process of the semiconductor display device according to the present invention.
  • the wirings 6 and 7 (not shown) including the external terminals 6a and 7a and the metal films 14 and 15 are printed.
  • the semiconductor light emitting element 13 is formed on each through hole 12 and connecting it to the X wiring 6 through the X side metal film 14, the semiconductor light emitting element 13 and the Y wiring 7 are connected by the metal thin wire 16.
  • the display unit 2 is formed on the printed circuit board 3 by bonding (first step).
  • an embankment member 5 made of silicone resin is formed by silk printing so as to surround the display portion 2 with a certain distance from the outer peripheral portion (second step).
  • a liquid epoxy resin 21 is potted inside the bank member 5 so as to be higher than the bank member so as to cover the display part 2 (third step).
  • the member 5 is formed of silicon resin capable of repelling the epoxy resin 21, even if the epoxy resin 21 is higher than the levee member 5, the epoxy resin 21 is formed by the upper surface of the levee member 5. As it is struck, the epoxy resin 21 cannot flow over the embankment member 5.
  • the epoxy resin 21 reaches the desired height (for example, about 1. Omm)
  • the potting is stopped.
  • the epoxy resin 21 is heated to a temperature at which the epoxy resin 21 is cured (for example, about 60 ° C. to about 150 ° C.) to cure the epoxy resin 21.
  • the protective member 4 made of the cured epoxy resin 21 as shown in FIG. 2 is formed (third step). As a result, the semiconductor display device 1 is completed.
  • the semiconductor light emitting element 13 is arranged on the through hole 12 in which the X side metal film 14 is formed, so that the semiconductor light emitting element 13 and the X side metal film 14 are connected simultaneously with the arrangement. Therefore, the manufacturing process can be simplified. Further, by directly electrically connecting the X-side metal film 14 and the semiconductor light-emitting element 13, it is possible to omit the thin metal wire that connects the X-side metal film 14 and the semiconductor light-emitting element 13. Failures due to cutting of fine metal wires can be reduced.
  • the semiconductor display device 1 can be downsized as compared with the case where the semiconductor light emitting element is disposed at a position different from the through hole. it can.
  • the protective member 4 is made of epoxy resin
  • the dike member 5 is made of silicon resin capable of repelling the epoxy resin, thereby forming the protective member 4 in the manufacturing process! / Even if potting the liquid epoxy resin 21 constituting the protective member 4 higher than the bank member 5, the liquid epoxy resin 21 is repelled by the bank member 5. For this reason, it is possible to prevent the epoxy resin 21 (protective member 4) from flowing out even with the dike member 5 lower than the desired height of the protective member 4. Accordingly, since the protective member 4 higher than the dike member 5 can be easily formed, the manufacturing process of the dike member 5 can be simplified, and the semiconductor display device 1 can be easily produced. it can.
  • the protective member 4 in the region located above the display unit 2 can be flattened. . to this Therefore, distortion of an image formed in the vicinity of the outer peripheral portion of the display unit 2 can be suppressed, so that a high-quality image can be provided.
  • the auxiliary bank member 5a may be formed on the outer peripheral side of the bank member 5 at a predetermined interval.
  • the auxiliary bank member 5a is made of the same silicon resin as the bank member 5 capable of repelling the epoxy resin constituting the protective member 4.
  • the auxiliary levee member 5a can be dammed up.
  • a plate-like reinforcing member 31 having a metal force such as aluminum may be provided in a region corresponding to the display unit 2 on the back surface side of the printed circuit board 3.
  • the heat dissipation of the display unit 2 can be enhanced by using the reinforcing member 31 with a material having high heat dissipation such as aluminum.
  • a material having high heat dissipation such as aluminum.
  • a printed circuit board 3a may be further provided on the back side of the reinforcing member 31, and the X wiring 6 described above may be formed on the printed circuit board 3a.
  • the materials constituting the protective member 4 and the dike member 5 are only examples, and are not limited to the above materials. It is not particularly limited as long as the dyke member 5 is made of a material capable of repelling the material constituting the protective member 4.
  • the method of producing the dyke member 5 is not limited to silk printing, and may be produced by other printing methods, transfer, dispenser, or the like.
  • the opening on the semiconductor light emitting element 13 side of the through hole 12 may be closed with a closing member 35.
  • the closing member 35 is made of the same metal material (for example, copper) as the metal films 14 and 15.
  • the upper surface of the closing member 35 is provided with NiZAu plating.

Abstract

　容易に製造可能な半導体表示装置及び半導体表示装置の製造方法を提供する。 　半導体表示装置１は、表示部２が形成されたプリント基板３と、保護部材４と、堤防部材５と、Ｘ配線６と、Ｙ配線７とを備えている。堤防部材５は、保護部材４を構成するエポキシ樹脂を弾くことが可能なシリコン樹脂によって構成されている。これによって、保護部材４よりも堤防部材５を低く構成しても、製造工程において、保護部材４を形成するために堤防部材５よりも高く液状のエポキシ樹脂２１をポッティングしても、堤防部材５によってエポキシ樹脂２１が弾かれて、流出することがない。

Description

明 細 書
半導体表示装置及び半導体表示装置の製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、複数の半導体発光素子によって画像を形成する半導体表示装置及び 半導体表示装置の製造方法に関する。
背景技術
[0002] 基板上に配列された複数の半導体素子 (半導体発光素子)や金属細線等を榭脂 製の保護部材により覆う技術が知られている。
[0003] 例えば、特許文献 1には、複数のスルーホール及び各スルーホールの近傍に配置 された半導体素子が設けられた基板と、複数の半導体素子が配列された領域を取り 囲むように基板上に形成された榭脂製の堤防部材と、堤防部材の内周側に形成され た榭脂製の保護部材とを備えた半導体装置が開示されている。
[0004] この半導体装置の製造工程では、まず、スルーホールの近傍に半導体素子を配置 した後、スルーホールと半導体素子とを 2本のボンディングワイヤによって接続する。 次に、半導体素子が配置された領域を囲むように、堤防部材を基板上に塗布するこ とによって形成する。ここで、堤防部材を形成する際に、堤防部材を構成する榭脂を 2回塗布することによって、二重の榭脂層からなる堤防部材を基板上に形成する。こ れによって、所望の保護部材の高さよりも高 、堤防部材を形成することができる。
[0005] 次に、堤防部材の内側に、堤防部材を構成する榭脂と濡れ性の高い液状の榭脂を 滴下し、その滴下した榭脂を所定の温度で硬化させて、半導体素子を覆うように堤防 部材の内側にのみ保護部材を形成する。
[0006] この半導体装置では、榭脂層を 2回塗布して高 、堤防部材を形成して 、るので、保 護部材を形成する際に液状の榭脂を滴下しても、この液状の榭脂が堤防部材の外 側に流出しにく!/、と!/、つた利点があった。
特許文献 1：特開 2002— 270627号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題 [0007] しかしながら、スルーホールと半導体素子とを 2本のボンディングワイヤによって接 続するため、製造工程が複雑になると共に、いずれかのボンディングワイヤが切断さ れることによる故障が多発するといつた課題があった。また、スルーホールと半導体素 子とを別の位置に配置することによって、大型化するといった課題があった。
[0008] また、堤防部材を構成する榭脂と濡れ性の高い榭脂により保護部材を構成している ので、保護部材を構成する榭脂と堤防部材を構成する榭脂とが馴染みやすく弾くこと ができない。このため、所望の保護部材の高さよりも、堤防部材の高さを高く形成しな ければならな 、ので、上述したように堤防部材を構成する榭脂を 2回塗布しなければ ならない。従って、半導体装置の製造工程が複雑になるといった課題があった。
[0009] 本発明は、上述した課題を解決するために創案されたものであり、容易に製造可能 な半導体表示装置及び半導体表示装置の製造方法を提供することを目的として 、る
課題を解決するための手段
[0010] 上記目的を達成するために、請求項 1記載の発明は、導電部材が形成された複数 のスルーホール及び前記各スルーホール上に設けられた半導体発光素子を有する 表示部が表面の一部に形成された基板と、前記表示部の表面を覆う榭脂製の保護 部材と、前記保護部材の流出を防止するために、前記表示部の外周部を囲むように 形成された榭脂製の堤防部材とを備え、前記堤防部材は、前記保護部材を構成す る榭脂を弾く榭脂によって形成されていることを特徴とする半導体表示装置である。
[0011] また、請求項 2の発明は、前記堤防部材よりも高く形成されていることを特徴とする 請求項 1に記載の半導体表示装置である。
[0012] また、請求項 3の発明は、前記堤防部材と前記表示部との間には、所定の間隔が 空けられていることを特徴とする請求項 1又は 2のいずれか 1項に記載の半導体表示 装置である。
[0013] また、請求項 4の発明は、前記堤防部材の外周部を所定の間隔を空けて囲むよう に、補助堤防部材が形成されていることを特徴とする請求項 1〜3のいずれか 1項に 記載の半導体表示装置である。
[0014] また、請求項 5の発明は、前記基板の裏面には、少なくとも表示部に対応する領域 に金属製の板状の補強部材が設けられて 、ることを特徴とする請求項 1〜4の 、ず れか 1項に記載の半導体表示装置である。
[0015] また、請求項 6の発明は、前記スルーホールの前記半導体発光素子が設けられる 側の開口部を塞ぐように導電性の閉口部材が形成されていることを特徴とする請求 項 1〜5のいずれか 1項に記載の半導体表示装置である。
[0016] また、請求項 7の発明は、導電部材が形成された複数のスルーホール及び前記各 スルーホール上に設けられた半導体発光素子を有する表示部を基板上に形成する 第 1工程と、 前記表示部の外周部を取り囲むように榭脂製の堤防部材を形成する 第 2工程と、前記堤防部材を構成する榭脂によって弾かれる液状の榭脂を堤防部材 の内側に、且つ、前記表示部の表面を覆うように前記堤防部材よりも高くポッティング した後、前記液状の榭脂を硬化させて保護部材を形成する第 3工程とを備えたことを 特徴とする半導体表示装置の製造方法である。
発明の効果
[0017] 本発明によれば、導電部材が形成されたスルーホール上に半導体発光素子を配 置することにより、配置と同時にスルーホールに形成された導電部材と半導体発光素 子とを電気的に接続することができるので、製造工程を簡略ィ匕することができる。また 、導電部材と半導体発光素子とを直接電気的に接続することにより、導電部材と半導 体発光素子とを接続するための金属細線を少なくとも 1つ省略することができるので、 金属細線の切断による故障を減少させることができる。また、スルーホール上に半導 体発光素子を配置することによって、スルーホールとは別の位置に半導体発光素子 を配置する場合に比べて、小型化することができる。
[0018] また、保護部材を構成する榭脂を弾く榭脂によって堤防部材を構成しているので、 保護部材を形成する製造工程にお ヽて、保護部材を構成する榭脂が堤防部材を構 成する榭脂によって弾かれる。従って、所望の保護部材の高さよりも堤防部材を低く 形成しても、保護部材を形成するために堤防部材の内側に滴下された液状の榭脂 1S 堤防部材を越えて、堤防部材の外側に流出することを防ぐことができる。このため
、堤防部材を保護部材よりも低く形成することができるので、半導体表示装置の製造 工程を簡略ィ匕することができ、容易に製造することができる。 図面の簡単な説明
[0019] [図 1]図 1は、本発明による半導体表示装置の全体を示す斜視図である。
[図 2]図 2は、図 1の II II線の概略断面図である。
[図 3]図 3は、図 1の矩形 ΠΙの拡大平面図である。
[図 4]図 4は、図 3の IV— IV線の断面図である。
[図 5]図 5は、本発明に係る半導体表示装置の製造工程における各工程での半導体 表示装置の概略断面図である。
[図 6]図 6は、本発明に係る半導体表示装置の製造工程における各工程での半導体 表示装置の概略断面図である。
[図 7]図 7は、本発明に係る半導体表示装置の製造工程における各工程での半導体 表示装置の概略断面図である。
[図 8]図 8は、半導体表示装置の変更例を示す概略断面図である。
[図 9]図 9は、半導体表示装置の変更例を示す概略断面図である。
[図 10]図 10は、半導体表示装置の変更例を示す概略断面図である。
[図 11]図 11は、半導体表示装置の変更例の画素周辺の断面図である。
符号の説明
[0020] 1 半導体表示装置
2 表示部
3 プリント基板
3a プリント基板
4 保護部材
5 堤防部材
5a 補助堤防部材
6 X配線
6a 外部端子
7 Y配線
7a 外部端子
11 画素 12 スノレーホ一ノレ
13 半導体発光素子
14 X側金属膜
15 Y側金属膜
16 金属細線
21 エポキシ榭脂
31 補強部材
35 閉口部材
発明を実施するための最良の形態
[0021] 以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。図 1は、本発明による半導 体表示装置の全体を示す斜視図である。図 2は、図 1の II— II線の概略断面図である 。図 3は、図 1の矩形 IIIの拡大平面図である。図 4は、図 3の IV— IV線の断面図であ る。尚、図 2においては、後述する X配線 6、 Y配線 7及び金属細線 16等を便宜上省 略している。
[0022] 図 1及び図 2に示すように、半導体表示装置 1は、表示部 2が形成されたプリント基 板 3と、保護部材 4と、堤防部材 5と、 X配線 6と、 Y配線 7とを備えている。
[0023] プリント基板 3は、ガラスエポキシ基板等を適用することができる。プリント基板 3の中 央部には、表示部 2が設けられている。表示部 2には、マトリックス状に複数の画素 11 が設けられている。
[0024] 図 3及び図 4に示すように、各画素 11には、スルーホール 12が形成されると共に、 各スルーホール 12上には、半導体発光素子 13が設けられている。
[0025] スルーホール 12は、プリント基板 3を貫通するように形成されている。スルーホール 12の内周部及び上端部の外周部には、 X側金属膜 14が形成されている。尚、 X線 金属膜 14が請求項に記載の導電部材に相当する。この X側金属膜 14は、プリント基 板 3の裏面側で、 X配線 6と電気的に接続されている。スルーホール 12に形成された X側金属膜 14の内周側には、エポキシ榭脂が埋設されている。
[0026] また、スルーホール 12の上面側の外周部を囲むように、 X側金属膜 14とは所定の 間隔を空けて、円形状の Y側金属膜 15が形成されている。この Y側金属膜 15は、 Y 配線 7と一体的に形成されて電気的に接続されて！ヽる。
[0027] 半導体発光素子 13は、上下方向の中央部に発光層（図示略)が設けられた発光ダ ィオードによって構成されている。半導体発光素子 13の下面側は、 X側金属膜 14と 電気的に接続されている。また、半導体発光素子 13の上面側は、 Y側金属膜 15と電 気的に接続するために、金属細線 16によってボンディングされている。
[0028] これによつて、いずれかの X配線 6及び Y配線 7に電圧を印加することによって、電 圧が印加された X配線 6及び Y配線 7が交差する位置に配置されている半導体発光 素子 13に電子及び正孔を注入することができる。この結果、電子及び正孔が注入さ れた半導体発光素子 13の発光層で光を発光させて、画像を形成することができる。
[0029] 図 2に示すように、保護部材 4は、光を透過可能なエポキシ榭脂（例えば、張力約 3 ODyneZcm)カゝらなり、半導体発光素子 13よりも高く形成され、表示部 2を覆うように 設けられている。保護部材 4を構成するエポキシ榭脂は、榭脂粘度が約 10mPa' s〜 約 10Pa' s、硬化温度が約 60°C〜約 150°Cのものが好ましい。保護部材 4の表示部 2の上方に位置する領域は、平坦に形成されている。この保護部材 4の平坦部の厚 みは、約 1. Ommに形成されている。尚、保護部材 4の平坦部の厚みは、約 1. Omm に特に限定するものではないが、約 0. 3mm〜約 5. Ommの間が好ましい。
[0030] 保護部材 4は、半導体発光素子 13を保護するためのものである。また、エポキシ榭 脂は空気よりも屈折率が大きいので、半導体発光素子 13と空気との間に設けること によって、半導体発光素子 13によって発光された光が、半導体発光素子 13と外部と の界面で反射されることを抑制することができる。これによつて、半導体発光素子 13 力 外部へと、より効率よく光を放出することができる。
[0031] 図 1及び図 2に示すように、堤防部材 5は、表示部 2を取り囲むように、表示部 2の外 周から約 1. Omm以上の間隔を空けて形成されている。このように、表示部 2から約 1 . Omm以上の間隔を空けて形成することによって、保護部材 2の外周部の傾斜部分 を表示部 2よりも外側にのみ形成することができるので、表示部 2の上方の領域の保 護部材 4を平坦にすることができる。堤防部材 5は、約 0. 3mm以上の幅に形成され ている。尚、堤防部材 5の幅は、約 0. 5mm〜約 2. Ommが好ましい。
[0032] 堤防部材 5は、保護部材 4を構成するエポキシ榭脂を弾くことが可能なシリコン榭脂 (例えば、張力約 20DyneZcm)からなる。従って、堤防部材 5の上面部には、保護 部材 4が形成されることがない。このため、堤防部材 5を保護部材 4よりも低く形成して も、堤防部材 5の内側に形成される保護部材 4が、堤防部材 5を越えて流出すること を防ぐことができる。従って、堤防部材 5の高さよりも保護部材 4を高く形成することが できる。
[0033] 各 X配線 6は、金属薄膜からなり、 X方向に延びるように、プリント基板 3の裏面側に 形成されている。 X配線 6の端部には、外部の制御手段（図示略）と接続するための 外部端子 6aが形成されて ヽる。
[0034] 各 Y配線 7は、金属薄膜からなり、 Y方向に延びるように、プリント基板 3の表面側に 形成されている。これによつて、 X配線 6と Y配線 7はプリント基板 3によって絶縁され る。 Y配線 7の端部には、外部の制御手段と接続するための外部端子 7aが形成され ている。
[0035] そして、 X配線 6及び Y配線 7が交差する位置には、上述した画素 11が設けられて いる。これによつて、それぞれの外部端子 6a及び 7aを介して制御手段によって所望 の画素 11の半導体発光素子 13に電圧を印加することによって、半導体発光素子 13 を発光させて画像を形成することができる。
[0036] 次に、上述した半導体表示装置の製造工程について、図面を参照して説明する。
図 5〜図 7は、本発明に係る半導体表示装置の製造工程における各工程での半導 体表示装置の概略断面図である。
[0037] まず、図 5に示すように、プリント基板 3にスルーホール 12を形成した後、外部端子 6a、 7aを含む各配線 6、 7 (図示略)及び金属膜 14、 15を印刷する。次に、各スルー ホール 12上に半導体発光素子 13を配置することにより、 X側金属膜 14を介して X配 線 6と接続した後、半導体発光素子 13と Y配線 7とを金属細線 16によってボンディン グすることによりプリント基板 3上に表示部 2を形成する (第 1工程)。
[0038] 次に、図 6に示すように、表示部 2の外周部から一定の間隔を空けて取り囲むように 、シリコン榭脂からなる堤防部材 5をシルク印刷によって形成する（第 2工程)。
[0039] 次に、図 7に示すように、堤防部材 5の内側に液状のエポキシ榭脂 21を、表示部 2 を覆うことができるように堤防部材よりも高くポッティングする（第 3工程)。ここで、堤防 部材 5は、エポキシ榭脂 21を弾くことが可能なシリコン榭脂により形成されているので 、エポキシ榭脂 21が堤防部材 5よりも高くなつても、エポキシ榭脂 21は堤防部材 5の 上面によって弾かれるので、エポキシ榭脂 21は堤防部材 5を越えて流出することが できない。
[0040] そして、所望の高さ（例えば、約 1. Omm)にエポキシ榭脂 21がなつたら、ポッティン グを停止する。その後、エポキシ榭脂 21が硬化する温度 (例えば、約 60°C〜約 150 °C)まで加熱して、エポキシ榭脂 21を硬化させる。これによつて、図 2に示すような硬 化したエポキシ榭脂 21からなる保護部材 4を形成する（第 3工程)。この結果、半導体 表示装置 1が完成する。
[0041] 上述したように、 X側金属膜 14が形成されたスルーホール 12上に半導体発光素子 13を配置することにより、配置と同時に半導体発光素子 13と X側金属膜 14と接続す ることができるので、製造工程を簡略ィ匕することができる。また、 X側金属膜 14と半導 体発光素子 13とを直接電気的に接続することにより、 X側金属膜 14と半導体発光素 子 13とを接続する金属細線を省略することができるので、金属細線の切断による故 障を減少、させることができる。
[0042] また、スルーホール 12上に半導体発光素子 13を配置することによって、スルーホ 一ルとは別の位置に半導体発光素子を配置する場合に比べて、半導体表示装置 1 を小型化することができる。
[0043] また、保護部材 4をエポキシ榭脂により構成すると共に、堤防部材 5をエポキシ榭脂 を弾くことが可能なシリコン榭脂により構成することによって、保護部材 4を形成する 製造工程にお!/ヽて、堤防部材 5よりも高く保護部材 4を構成する液状のエポキシ榭脂 21をポッティングしても、液状のエポキシ榭脂 21が堤防部材 5によって弾かれる。こ のため、所望の保護部材 4の高さよりも低い堤防部材 5でも、エポキシ榭脂 21 (保護 部材 4)が流出することを防止することができる。これによつて、堤防部材 5よりも高い 保護部材 4を容易に形成することができるので、堤防部材 5の製造工程を簡略ィ匕する ことができ、半導体表示装置 1を容易に製造することができる。
[0044] また、表示部 2の外周部力 所定の間隔を空けて堤防部材 5を形成することによつ て、表示部 2の上方に位置する領域の保護部材 4を平坦にすることができる。これに よって、表示部 2の外周部の近傍に形成される画像の歪みを抑制することができるの で、質の高い画像を提供することができる。
[0045] 以上、上記実施形態を用いて本発明を詳細に説明したが、当業者にとっては、本 発明が本明細書中に説明した実施形態に限定されるものではないということは明らか である。本発明は、特許請求の範囲の記載により定まる本発明の趣旨及び範囲を逸 脱することなく修正及び変更形態として実施することができる。従って、本明細書の記 載は、例示説明を目的とするものであり、本発明に対して何ら制限的な意味を有する ものではない。以下、上記実施形態を一部変更した変更形態について説明する。
[0046] 例えば、図 8に示すように、堤防部材 5の外周側に所定の間隔を空けて補助堤防部 材 5aを形成してもよい。補助堤防部材 5aは、保護部材 4を構成するエポキシ榭脂を 弾くことが可能な堤防部材 5と同じシリコン榭脂からなる。このように、補助堤防部材 5 aを設けることによって、保護部材 4を形成する工程において、保護部材 4を形成する ための液状のエポキシ榭脂が堤防部材 5から流出しても補助堤防部材 5aによって堰 き止めることができる。これによつて、液状のエポキシ榭脂の流出をより抑制すること 力 Sできる。尚、堤防部材 5と補助堤防部材 5aとの間は、約 0. 5mmの間隔を空けるこ とが好ましいが、それ以外の間隔、例えば、約 0. 1mm〜約 5. Ommの間隔でもよい
[0047] また、図 9に示すように、プリント基板 3の裏面側の表示部 2に対応する領域にアルミ -ゥム等の金属力もなる板状の補強部材 31を設けてもよい。このように、プリント基板 3の裏面側に補強部材 31を設けることによって、保護部材 4を構成するエポキシ榭脂 を熱により硬化させる際に、保護部材 4とプリント基板 3との熱膨張率の違いに起因す るプリント基板 3の反りを抑制することができる。
[0048] また、アルミニウム等の放熱性の高い材質によって補強部材 31を表示部 2の放熱 性を高めることができる。尚、プリント基板 3と補強部材 31との間には、絶縁性及び高 Vヽ熱伝導性を有するグリース等を塗布することが望ま 、。
[0049] また、図 10に示すように、補強部材 31の裏面側に更にプリント基板 3aを設けて、上 述した X配線 6をプリント基板 3aに形成してもよい。
[0050] また、保護部材 4及び堤防部材 5を構成する材料は、一例であり、上記の材料に限 定されるものではなぐ保護部材 4を構成する材料を弾くことができる材料によって堤 防部材 5を構成すればよぐ特に限定するものでない。
[0051] また、堤防部材 5の作製方法は、シルク印刷に限定されるものではなぐ他の印刷 方法、転写及びディペンサ等により作製してもよい。
[0052] また、図 11に示すように、スルーホール 12の半導体発光素子 13側の開口部を閉 ロ部材 35により塞いでもよい。閉口部材 35は、金属膜 14、 15と同じ金属材料 (例え ば、銅）からなる。尚、閉口部材 35の上面には、 NiZAuメツキが施されている。この ようにスルーホール 12の開口部を閉口部材 35により閉口することにより、半導体発 光素子 13の底面の全面が閉口部材 35と電気的に接続されるので、半導体発光素 子 13と X側金属膜 14との間の抵抗値を下げることができる。これにより、半導体発光 素子 13の配置がずれて、半導体発光素子 13の底面の一部が閉口部材 35からずれ て露出しても充分に電流を流すことができる。この結果、閉口部材 35及び X側金属 膜 14の上面の直径を小さくすることができるので、隣接する半導体発光素子 13間の 距離を小さくすることができ、画素 11の面積密度を向上させることができる。

Claims

請求の範囲
[1] 導電部材が形成された複数のスルーホール及び前記各スルーホール上に設けら れた半導体発光素子を有する表示部が表面の一部に形成された基板と、
前記表示部の表面を覆う榭脂製の保護部材と、
前記保護部材の流出を防止するために、前記表示部の外周部を囲むように形成さ れた榭脂製の堤防部材とを備え、
前記堤防部材は、前記保護部材を構成する榭脂を弾く榭脂によって形成されてい ることを特徴とする半導体表示装置。
[2] 前記保護部材は、前記堤防部材よりも高く形成されて 、ることを特徴とする請求項 1 に記載の半導体表示装置。
[3] 前記堤防部材と前記表示部との間には、所定の間隔が空けられていることを特徴と する請求項 1又は 2のいずれか 1項に記載の半導体表示装置。
[4] 前記堤防部材の外周部を所定の間隔を空けて囲むように、補助堤防部材が形成さ れていることを特徴とする請求項 1〜3のいずれか 1項に記載の半導体表示装置。
[5] 前記基板の裏面には、少なくとも表示部に対応する領域に金属製の板状の補強部 材が設けられていることを特徴とする請求項 1〜4のいずれか 1項に記載の半導体表 示装置。
[6] 前記スルーホールの前記半導体発光素子が設けられる側の開口部を塞ぐように導 電性の閉口部材が形成されて ヽることを特徴とする請求項 1〜5の ヽずれか 1項に記 載の半導体表示装置。
[7] 導電部材が形成された複数のスルーホール及び前記各スルーホール上に設けら れた半導体発光素子を有する表示部を基板上に形成する第 1工程と、
前記表示部の外周部を取り囲むように榭脂製の堤防部材を形成する第 2工程と、 前記堤防部材を構成する榭脂によって弾かれる液状の榭脂を堤防部材の内側に、 且つ、前記表示部の表面を覆うように前記堤防部材よりも高くポッティングした後、前 記液状の榭脂を硬化させて保護部材を形成する第 3の工程とを備えたことを特徴と する半導体表示装置の製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013118284A (ja) * 2011-12-02 2013-06-13 Hitachi Appliances Inc 発光ダイオードモジュール

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2448028B1 (en) 2010-10-29 2017-05-31 Nichia Corporation Light emitting apparatus and production method thereof
DE102012201449B4 (de) * 2012-02-01 2019-06-06 Osram Gmbh Flexibles LED-Modul und Verfahren zu dessen Fertigung
DE102012214488B4 (de) * 2012-08-14 2022-07-28 Osram Gmbh Herstellen eines bandförmigen Leuchtmoduls
DE102012214484A1 (de) * 2012-08-14 2014-02-20 Osram Gmbh Verfahren zum Herstellen eines bandförmigen Leuchtmoduls
CN104183584A (zh) * 2014-08-19 2014-12-03 中国科学院半导体研究所 一种led阵列光源结构

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61144890A (ja) * 1984-12-19 1986-07-02 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄランプのレンズの製造方法
JPH0428269A (ja) * 1990-05-23 1992-01-30 Fujikura Ltd Ｌｅｄベアチップの実装構造
JPH08272319A (ja) * 1995-03-30 1996-10-18 Hamamatsu Photonics Kk 発光装置
JPH09162208A (ja) * 1995-12-08 1997-06-20 Denso Corp ベアチップ封止方法
JP2001217352A (ja) * 2000-01-31 2001-08-10 Optrex Corp 回路基板
JP2001237462A (ja) * 2000-02-22 2001-08-31 Sanyo Electric Co Ltd Ｌｅｄ発光装置
JP2002270627A (ja) 2001-03-13 2002-09-20 New Japan Radio Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2003258313A (ja) * 2002-03-05 2003-09-12 Rohm Co Ltd Ｌｅｄチップを使用した発光装置の構造及び製造方法
JP2004235547A (ja) * 2003-01-31 2004-08-19 Kyocera Corp カメラモジュールおよび該カメラモジュール製造方法
JP2004241729A (ja) * 2003-02-07 2004-08-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光光源、照明装置、表示装置及び発光光源の製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3013650B2 (ja) * 1993-05-11 2000-02-28 株式会社村田製作所 電子部品の樹脂外装方法
JP2003084123A (ja) * 2001-06-29 2003-03-19 Seiko Epson Corp カラーフィルタ基板、カラーフィルタ基板の製造方法、液晶表示装置、電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器
JP4045781B2 (ja) * 2001-08-28 2008-02-13 松下電工株式会社 発光装置
KR100718421B1 (ko) * 2002-06-28 2007-05-14 교세라 가부시키가이샤 소형 모듈 카메라, 카메라 모듈, 카메라 모듈 제조 방법 및 촬상 소자의 패키징 방법

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61144890A (ja) * 1984-12-19 1986-07-02 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄランプのレンズの製造方法
JPH0428269A (ja) * 1990-05-23 1992-01-30 Fujikura Ltd Ｌｅｄベアチップの実装構造
JPH08272319A (ja) * 1995-03-30 1996-10-18 Hamamatsu Photonics Kk 発光装置
JPH09162208A (ja) * 1995-12-08 1997-06-20 Denso Corp ベアチップ封止方法
JP2001217352A (ja) * 2000-01-31 2001-08-10 Optrex Corp 回路基板
JP2001237462A (ja) * 2000-02-22 2001-08-31 Sanyo Electric Co Ltd Ｌｅｄ発光装置
JP2002270627A (ja) 2001-03-13 2002-09-20 New Japan Radio Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2003258313A (ja) * 2002-03-05 2003-09-12 Rohm Co Ltd Ｌｅｄチップを使用した発光装置の構造及び製造方法
JP2004235547A (ja) * 2003-01-31 2004-08-19 Kyocera Corp カメラモジュールおよび該カメラモジュール製造方法
JP2004241729A (ja) * 2003-02-07 2004-08-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光光源、照明装置、表示装置及び発光光源の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013118284A (ja) * 2011-12-02 2013-06-13 Hitachi Appliances Inc 発光ダイオードモジュール

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