JP6589985B2 - Ｌｅｄ搭載基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、一方主面にＬＥＤ素子が実装されるＬＥＤ搭載基板の製造方法に関する。

電子部品が実装される配線基板として、例えば、図６に示すような多層配線基板１００が知られている。この多層配線基板１００は、上下面１０１ａ，１０１ｂに導電層１０２ａ，１０２ｂが形成されたコア基板１０１を備え、両導電層１０２ａ，１０２ｂがスルーホール導体１０３ａで電気的に接続される。スルーホール導体１０３ａは、耐熱衝撃性を向上させるために金属ピン１０４で穴埋めされている。また、コア基板１０１の上面１０１ａには、エポキシ樹脂を主成分とする絶縁層１０５が積層され、コア基板１０１と絶縁層１０５の両方を貫通するスルーホール導体１０３ｂが設けられる。スルーホール導体１０３ｂは、絶縁層１０５に形成された導電層１０２ｃと、コア基板１０１の下面側の導電層１０２ｂとを電気的に接続する。なお、コア基板１０１は、ガラスエポキシ樹脂やセラミックなどで形成されている（特許文献１参照）。

特開平８−３２１６８３号公報（段落００１９〜００２１、図１等参照）

ところで、この種の配線基板にＬＥＤ素子を実装してＬＥＤパッケージを構成するものがあるが、近年の電子機器の小型化に伴い、これに搭載されるＬＥＤパッケージを配置する自由度の向上が要求されている。しかしながら、従来の多層配線基板１００は、ガラスエポキシ樹脂やセラミックなどの柔軟性の低い材料で形成されているため、例えば、実装基板に凹凸があるような場合には、実装が困難になる。

本発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、従来よりも配置の自由度が向上するＬＥＤ搭載基板を提供することを目的とする。

上記した目的を達成するために、本発明のＬＥＤ搭載基板の製造方法は、低弾性樹脂で形成され、一方主面にＬＥＤ素子が実装される絶縁層と、一端が前記絶縁層の前記一方主面に露出するとともに、他端が前記絶縁層の他方主面に露出した状態で前記絶縁層内に配設され、前記ＬＥＤ素子に電気的に接続される、金属ピンからなる第１配線導体とを備えるＬＥＤ搭載基板の製造方法において、少なくとも前記絶縁層に接する側面が粗面化された前記金属ピンを準備する工程と、前記金属ピンを低弾性樹脂でモールドして前記絶縁層を形成する工程とを備えることを特徴としている。

この構成によると、絶縁層が低弾性樹脂で形成されるため、絶縁層がガラスエポキシ樹脂やセラミックで形成される場合と比較して、ＬＥＤ搭載基板の柔軟性を高めることができる。この場合、例えば、電子機器の実装基板に凹凸がある場合であっても、ＬＥＤ搭載基板を当該凹凸に追従させて実装することができるため、ＬＥＤ搭載基板の配置の自由度を向上できる。また、ＬＥＤ搭載基板を、集合基板で形成した後に個片化するような場合は、個片化時の基板割れを防止することができる。

また、絶縁層が低弾性樹脂で形成されていると、絶縁層に作用した応力が、第１配線導体と絶縁層の接合面に及びやすく、第１配線導体と絶縁層の接合性が問題になる。ここで、第１配線導体の側面を粗面化すると、第１配線導体と絶縁層の接合性が向上するため、絶縁層が低弾性樹脂であっても、第１配線導体が絶縁層から外れにくくなる。

また、前記絶縁層の前記一方主面に電極を形成する工程と、前記絶縁層の前記一方主面に前記電極の少なくとも一部を覆う絶縁被覆膜を形成する工程とをさらに備え、前記絶縁被覆膜の曲げ弾性率を前記絶縁層の曲げ弾性率よりも高くしてもよい。このようにすると、ＬＥＤ搭載基板を容易に変形させることができる。

また、前記絶縁層の前記一方主面または前記他方主面にグランド電極を形成する工程をさらに備え、前記絶縁層を形成する工程では、前記第１配線導体とともに、複数の第２配線導体をモールドし、前記第１配線導体の前記一端と、前記複数の第２配線導体それぞれの一端とを前記絶縁層の前記一方主面に露出させるとともに、前記第１配線導体の前記他端と、前記複数の第２配線導体それぞれの他端とを前記絶縁層の前記他方主面に露出させ、前記複数の第２配線導体それぞれの一端または他端を、前記グランド電極に接続させてもよい。この場合、複数の第２配線導体により、ＬＥＤ搭載基板の放熱特性をさらに向上することができる。

また、前記絶縁層の前記一方主面において、前記グランド電極と、前記第１配線導体の前記一端が接続される前記ＬＥＤ素子の実装電極と、これらと異なる他の電極とを形成する工程をさらに備え、当該工程では、前記実装電極、前記グランド電極および前記他の電極を、前記絶縁層の前記一方主面の略全面に渡って形成してもよい。この構成によると、絶縁層の一方主面の略全面が導体で被覆されることになるため、ＬＥＤ搭載基板の放熱特性を向上できる。

前記絶縁層の前記一方主面に積層され、前記実装電極の一部を露出させるための開口と、前記グランド電極の一部を露出させるための開口とが設けられた絶縁被覆膜を形成する工程をさらに備え、前記実装電極および前記グランド電極では、いずれも前記絶縁被覆膜に覆われた部分の面積が前記開口から露出した部分の面積よりも大きくてもよい。この構成によると、ＬＥＤ搭載基板の放熱特性を向上しつつ、ＬＥＤ素子との最適な接続面積を確保することができる。

また、前記低弾性樹脂の曲げ弾性率は１ＧＰａ以下であるのが好ましい。この場合、電子機器の実装基板の凹凸に追従させる基板として好適である。また、前記金属ピンを準備する工程では、前記金属ピンを酸性溶液に浸すことにより粗面化を行ってもよい。

本発明によれば、絶縁層が低弾性樹脂で形成されるため、絶縁層がガラスエポキシ樹脂やセラミックで形成される場合と比較して、ＬＥＤ搭載基板の柔軟性を高めることができる。この場合、例えば、電子機器の実装基板に凹凸がある場合であっても、ＬＥＤ搭載基板を当該凹凸に追従させて実装することができるため、ＬＥＤ搭載基板の配置の自由度を向上することができる。また、ＬＥＤ搭載基板を、集合基板で形成した後に個片化するような場合は、個片化時の基板割れを防止することができる。

本発明の一実施形態にかかるＬＥＤパッケージの断面図である。 図１のＬＥＤ搭載基板の平面図および底面図である。 図１のＬＥＤパッケージの製造方法を示す図である。 図１のＬＥＤパッケージの製造方法を示す図であって、図３に続く各工程を示す図である。 配線導体の変形例を示す図である。 従来の配線基板の断面図である。

＜実施形態＞
本発明の一実施形態にかかるＬＥＤパッケージについて、図１および図２を参照して説明する。なお、図１（ａ）は図２（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図、図１（ｂ）は図２（ａ）のＢ−Ｂ矢視断面図を示す。また、図２（ａ）はＬＥＤ搭載基板の平面図、図２（ｂ）は絶縁被覆膜を除いた状態のＬＥＤ搭載基板の平面図、図２（ｃ）はＬＥＤパッケージの底面図を示す。

この実施形態にかかるＬＥＤパッケージ１は、図１に示すように、ＬＥＤ搭載基板２にＬＥＤ素子を含む複数の部品３が実装されてなり、例えば、携帯端末装置のマザー基板に実装されてカメラ照明用の光源に使用される。

ＬＥＤ搭載基板２は、絶縁層４と、絶縁層４の上面４ａに形成された複数の実装電極５ａ，５ｂと、絶縁層４の下面４ｂに形成された外部接続用の複数の外部電極６と、絶縁層４に配設された複数の配線導体７ａ，７ｂと、絶縁層４の両面４ａ，４ｂに積層された絶縁被覆膜８ａ，８ｂとを有する。このとき、絶縁層４は、例えば、ガラスフィラの含有量が少ないエポキシ樹脂などの低弾性樹脂で形成される。低弾性樹脂としては、例えば、ゴム変性エポキシ樹脂、低Ｔｇエポキシ樹脂、エラストマー入りエポキシ樹脂が挙げられる。ガラスフィラ含有量が少ないエポキシ樹脂であっても、可撓性があれば、低弾性樹脂として使用することができる。また熱可塑性樹脂では低弾性樹脂としてエラストマー入りポリイミド樹脂、エラストマー入りポリプロピレン樹脂、エラストマー入りポリスチレン樹脂が挙げられる。低弾性樹脂の曲げ弾性率は、例えば、１ＧＰａ以下である。

また、絶縁層４を構成する低弾性樹脂の曲げ弾性率は、絶縁被覆膜８ａ, ８ｂの曲げ弾性率よりも低いことが好ましい。絶縁層４の曲げ弾性率が低いことにより、ＬＥＤパッケージを容易に変形することができる。

部品３は、例えば、ＬＥＤ素子、チップサーミスタ、チップコンデンサなどで構成されており、絶縁層４の上面４ａに周知の表面実装技術で実装される。

絶縁層４の上面４ａには、図２（ｂ）に示すように、複数の実装電極５ａ，５ｂと、ダミー電極５ｃとが形成される。これらの電極５ａ〜５ｃは、例えば、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ等、配線電極の材料として一般的に使用される金属で形成されている。

また、この実施形態では、各実装電極５ａ，５ｂおよびダミー電極５ｃが、絶縁層４の上面４ａの略全面に渡って形成される。具体的には、各実装電極５ａ，５ｂは、予め設定された部品３との接続面の面積よりも大きい面積で形成されて、周端が隣の電極５ａ〜５ｃに近接配置される。すなわち、この実施形態では、絶縁層４の上面４ａが、できるだけ熱伝導率が高い金属で被覆されるように構成されている。なお、図２（ｂ）の中央に配置された実装電極５ａは、接地用のグランド電極として形成されている。また、ダミー電極５ｃは、ＬＥＤ搭載基板２内の他の電極に電気的に接続されない電極を意味する。

絶縁層４の下面４ｂには、複数の外部電極６が形成されて、ＬＥＤパッケージ１が外部と接続可能になっている。この実施形態では、絶縁層４の下面４ｂの周縁部を除いて、略全面に渡って各外部電極６が形成される。ここで、絶縁層４の上面４ａと同様に、当該周縁部にダミー電極を設けてもよいし、各外部電極６を絶縁層４の下面４ｂの周縁側に延出形成して、面積を広げてもよい。

絶縁被覆膜８ａ，８ｂは、例えば、エポキシ樹脂やポリイミドなどで形成される（この実施形態では白色レジスト）。ここで、絶縁層４の上面４ａに積層された絶縁被覆膜８ａには、各実装電極５ａ，５ｂの一部を露出させるための複数の開口９ａが設けられる（図２（ａ）参照）。各開口９ａは、大きい面積で形成された各実装電極５ａ，５ｂが最適な接続面積で部品３と接続できるように、開口面積が調整されている。その結果、この実施形態では、各実装電極５ａ，５ｂは、いずれも絶縁被覆膜８ａに覆われた部分の面積が開口９ａから露出した部分の面積よりも大きくなっている。

また、この実施形態では、絶縁被覆膜８ａには、絶縁層４の上面４ａの周縁部に配置された電極を露出させるための開口９ｂがさらに設けられる。これは、金属部分をできるだけ露出させて放熱特性を向上されるために設けられているが、当該開口９ｂは必ずしも設けなくてもよい。

絶縁層４の下面４ｂに積層された絶縁被覆膜８ｂは、各外部電極６の全面を露出させる開口９ｃが設けられる。ここで、絶縁被覆膜８ｂは、各外部電極６の周縁部を被覆するように開口９ｃの面積を調整してもよい。

各配線導体７ａ，７ｂは、いずれも上端が絶縁層４の上面４ａ（本発明の「絶縁層の一方主面」に相当）に露出するとともに、下端が絶縁層４の下面４ｂ（本発明の「絶縁層の他方主面」に相当）に露出した状態で、絶縁層４に立設される。ここで、各配線導体７ａ，７ｂは、それぞれ上端が所定の実装電極５ａ，５ｂに接続されるとともに、下端が所定の外部電極６に接続され、対応する実装電極５ａ，５ｂと外部電極６とを電気的に接続する。また、この実施形態では、各配線導体７ａ，７ｂの絶縁層４に接する周側面が、粗面化されている。

各配線導体７ａ，７ｂは、例えば、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇなどの金属線材をせん断加工するなどして得られる金属ピンで形成される。また、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇなどの金属板をエッチングすることにより各配線導体７ａ，７ｂを形成することもできる。また、各配線導体７ａ，７ｂの周側面を粗面化する方法は、例えば、各配線導体７ａ，７ｂを酸性溶液に浸すなどが挙げられる。なお、各配線導体７ａ，７ｂは、上述の円柱状に限らず、例えば各柱状であってもよい。

また、この実施形態では、各配線導体７ａ，７ｂは、配線導体としての機能に加えて、放熱用の導体としても機能するように構成されている。具体的には、各配線導体７ａ，７ｂは、いずれも円柱状に形成されており、上下端に接続される実装電極５ａ，５ｂおよび外部電極６の面積に応じて径の大きさが異なるように構成されている。

ここで、面積が大きい実装電極５ａ，５ｂと外部電極６とを接続する配線導体７ａは、径が大きく形成され、面積が小さい実装電極５ａ，５ｂと外部電極７とを接続する配線導体７ｂは、径が小さく形成される。また、この実施形態では、面積の大きい中央部の実装電極５ａ（グランド電極）と、これに対応する外部電極６とを接続する配線導体７ａが複数（この実施形態では２つ）設けられている。このように、各配線導体７ａ，７ｂの径をできるたけ大きくすることで、絶縁層４内の金属部分を増やして放熱特性の向上が図られている。なお、各部品３のうちのＬＥＤ素子の実装電極５ａに接続される配線導体７ａが本発明の「第１配線導体」に相当し、実装電極５ａ（グランド電極）に接続される複数の配線導体７ａそれぞれが本発明の「第２配線導体」に相当する。

（ＬＥＤパッケージの製造方法）
次に、ＬＥＤパッケージの製造方法について、図３および図４を参照して説明する。なお、図３（ａ）〜（ｆ）はＬＥＤパッケージの製造方法の各工程を示し、図４（ａ）〜（ｅ）は図３（ｆ）に続く各工程を示す。

まず、図３（ａ）に示すように、連結板１０の一方主面１０ａに、各配線導体７ａ，７ｂ（金属ピン）の一端を固定して、連結板１０に各配線導体７ａ，７ｂを立設する。

次に、図３（ｂ）に示すように、離型層付きフィルム１１を準備した後、各配線導体７ａ，７ｂの他端が離型層付きフィルム１１に接触するように、連結板１０を配置し、離型層の樹脂を硬化させる。このとき、各配線導体７ａ，７ｂ付きの連結板１０が、離型層付きフィルムに固定される。

次に、図３（ｃ）に示すように、連結板１０を除去した後、低弾性樹脂（ガラスフィラの含有量の少ないエポキシ樹脂）で各配線導体７ａ，７ｂをモールドし、当該樹脂を硬化させて絶縁層４を形成する（図３（ｄ））。

次に、離型層付きフィルムを剥離した後、図３（ｅ）に示すように、絶縁層４の上下面４ａ，４ｂを研磨または研削し、各配線導体７ａ，７ｂの上端を絶縁層４の上面４ａに露出させるとともに、下端を絶縁層４の下面４ｂに露出させる。

次に、図３（ｆ）に示すように、無電解または電解めっきにより、絶縁層４の上下面４ａ，４ｂにＣｕ膜１２を形成する。

次に、フォトレジスト技術により、各実装電極５ａ，５ｂ、ダミー電極５ｃおよび各外部電極６を形成する。すなわち、図４（ａ）に示すように、絶縁層４の上下面４ａ，４ｂ上のＣｕ膜１２にエッチングレジスト１３を形成し、エッチングにより各実装電極５ａ，５ｂ、ダミー電極５ｃおよび各外部電極６のパターン形成を行い、エッチングレジスト１３を剥離する（図４（ｂ））。

次に、図４（ｃ）に示すように、スクリーン印刷により、絶縁層４の上下面４ａ，４ｂそれぞれに絶縁被覆膜８ａ，８ｂを形成する。このとき、各開口部９ａ〜９ｃを形成する。

次に、図４（ｄ）に示すように、各実装電極５ａ〜５ｂ、ダミー電極５ｃ、外部電極６のうち、各開口部９ａ〜９ｃから露出した部分に、無電解または電解めっきでめっき膜１４を形成する。めっき膜１４は、Ｎｉ／Ａｕめっき、またはＮｉ／Ｐｄ／Ａｕめっきなどで形成することができる。

最後に、図４（ｅ）に示すように、絶縁層４の上面４ａに、各部品３を周知の表面実装技術を用いて実装し、ＬＥＤパッケージ１が完成する。なお、この実施形態では、ＬＥＤパッケージ１を単体で製造する場合を例として説明したが、例えば、複数のＬＥＤ搭載基板２がマトリクス状に配列された集合基板を製造した後、ダイシング等で個片化して一度に複数のＬＥＤパッケージ１を製造するようにしてもよい。

上記した実施形態によれば、絶縁層４が低弾性樹脂で形成されるため、絶縁層４がガラスエポキシ樹脂やセラミックで形成される場合と比較して、ＬＥＤ搭載基板２の柔軟性を高めることができる。この場合、例えば、電子機器の実装基板に凹凸がある場合であっても、ＬＥＤパッケージ１を当該凹凸に追従させて実装することができるため、ＬＥＤパッケージ１の配置の自由度を向上することができる。特に、ＬＥＤパッケージを携帯端末装置のカメラ照明用の光源として用いる場合には、カメラの周囲の、凹凸が多く限られたスペースにＬＥＤパッケージを収納させる必要がある。本発明のＬＥＤパッケージ１は柔軟に変形することができるため、凹凸の多い領域にも配置させることができる。また、ＬＥＤ搭載基板２を、集合基板で形成した後に個片化するような場合は、個片化時の基板割れを防止することができる。

また、各配線導体７ａ，７ｂの側面を粗面化すると、各配線導体７ａ，７ｂと絶縁層４の接合性が向上するため、絶縁層４が低弾性樹脂であっても、ＬＥＤパッケージ１に衝撃などの外部応力が作用したときに、各配線導体７ａ，７ｂが絶縁層４から外れにくくなる。

また、面積が大きい実装電極５ａ，５ｂに接続される配線導体７ａは、他の配線導体７ｂよりも径が大きく形成されて放熱用の導体に兼用される。このように構成することで、ＬＥＤパッケージ１の放熱特性が向上するため、通電時にＬＥＤパッケージ１から発生する輻射熱が減少し、これにより、ＬＥＤパッケージ１の周囲に実装される他の部品の当該輻射熱に起因した性能劣化を低減できる。

また、グランド電極として用いられる実装電極５ａには、径大の配線導体７ａが複数（この実施形態では、２本）接続されるため、ＬＥＤパッケージ１の放熱性をさらに向上することができる。

また、各実装電極５ａ，５ｂおよびダミー電極５ｃは、絶縁層４の上面４ａの略全面に渡って形成されるとともに、各外部電極６は絶縁層４の下面４ｂの周縁部を除く略全面に渡って形成されるため、ＬＥＤパッケージ１の放熱特性の向上を図ることができる。

また、実装電極５ａ，５ｂの面積が大きすぎると、部品３の実装時に半田が広がりすぎて所望の接続信頼性が得られにくいという問題がある。この実施形態では、絶縁被覆膜８ａに開口９ａを設けることにより、各実装電極５ａ，５ｂの部品３との接続面積が調整されているため、ＬＥＤパッケージ１の放熱特性を向上させつつ、部品３との接続信頼性を確保することができる。

（配線導体の変形例）
次に、配電導体の変形例について、図５を参照して説明する。なお、図５は配線導体の変形例を示す図であって、図２（ｂ）に対応する図である。

この場合、図５に示すように、面積の大きい実装電極５ａ，５ｂに接続される各配線導体７ａは、いずれも絶縁層４の上面４ａと平行な方向の断面である横断面の形状が矩形状に形成されるとともに、当該横断面が接続先の実装電極５ａ，５ｂと略同じ大きさで形成される。

この構成によると、配線導体７ａの横断面積を大きくして、絶縁層４内の金属領域を増やすことができるため、ＬＥＤパッケージ１の放熱特性をさらに向上することができる。

また、絶縁層４は低弾性樹脂で形成されるが、部品３との接続部となる各実装電極５ａ，５ｂ（開口９ａから露出した部分）の真下に配線導体７ａが配置されるため、ＬＥＤ
搭載基板２における部品３の実装性を確保することができる。

なお、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能である。例えば、上記した実施形態では、各配線導体７ａ，７ｂの径を接続先の実装電極５ａ，５ｂまたは外部電極６の面積に応じて異なるように構成する場合について説明したが、各配線導体７ａ，７ｂの径が同じであってもよい。この場合、実装電極５ａ，５ｂや外部電極６の面積が大きい場合は、複数の配線導体で接続するとよい。この構成によると、配線導体７ａ，７ｂを１種類の金属ピンで形成することができるため、ＬＥＤパッケージ１の製造コストの削減を図ることができる。

また、本発明は、一方主面にＬＥＤ素子が実装される種々のＬＥＤ搭載基板に広く適用することができる。

２ ＬＥＤ搭載基板
３ 部品（ＬＥＤ素子）
４ 絶縁層
４ａ 一方主面
４ｂ 他方主面
５ａ 実装電極（グランド電極）
５ｂ 実装電極
７ａ，７ｂ 配線導体（第１、第２配線導体）
８ａ 絶縁被覆膜
９ａ 開口

Claims (7)

1. 低弾性樹脂で形成され、一方主面にＬＥＤ素子が実装される絶縁層と、
   一端が前記絶縁層の前記一方主面に露出するとともに、他端が前記絶縁層の他方主面に露出した状態で前記絶縁層内に配設され、前記ＬＥＤ素子に電気的に接続される、金属ピンからなる第１配線導体とを備えるＬＥＤ搭載基板の製造方法において、
   少なくとも前記絶縁層に接する側面が粗面化された前記金属ピンを準備する工程と、
   前記金属ピンを低弾性樹脂でモールドして前記絶縁層を形成する工程と、
   を備えることを特徴とするＬＥＤ搭載基板の製造方法。
2. 前記絶縁層の前記一方主面に電極を形成する工程と、
   前記絶縁層の前記一方主面に前記電極の少なくとも一部を覆う絶縁被覆膜を形成する工程とをさらに備え、
   前記絶縁被覆膜の曲げ弾性率を前記絶縁層の曲げ弾性率よりも高くすることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ搭載基板の製造方法。
3. 前記絶縁層の前記一方主面または前記他方主面にグランド電極を形成する工程をさらに備え、
   前記絶縁層を形成する工程では、前記第１配線導体とともに、複数の第２配線導体をモールドし、
   前記第１配線導体の前記一端と、前記複数の第２配線導体それぞれの一端とを前記絶縁層の前記一方主面に露出させるとともに、前記第１配線導体の前記他端と、前記複数の第２配線導体それぞれの他端とを前記絶縁層の前記他方主面に露出させ、
   前記複数の第２配線導体それぞれの一端または他端を、前記グランド電極に接続させることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ搭載基板の製造方法。
4. 前記絶縁層の前記一方主面において、前記グランド電極と、前記第１配線導体の前記一端が接続される前記ＬＥＤ素子の実装電極と、これらと異なる他の電極とを形成する工程をさらに備え、
   当該工程では、前記実装電極、前記グランド電極および前記他の電極を、前記絶縁層の前記一方主面の略全面に渡って形成することを特徴とする請求項３に記載のＬＥＤ搭載基板の製造方法。
5. 前記絶縁層の前記一方主面に積層され、前記実装電極の一部を露出させるための開口と、前記グランド電極の一部を露出させるための開口とが設けられた絶縁被覆膜を形成する工程をさらに備え、
   前記実装電極および前記グランド電極では、いずれも前記絶縁被覆膜に覆われた部分の面積が前記開口から露出した部分の面積よりも大きいことを特徴とする請求項４に記載のＬＥＤ搭載基板の製造方法。
6. 前記低弾性樹脂の曲げ弾性率は１ＧＰａ以下であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載のＬＥＤ搭載基板の製造方法。
7. 前記金属ピンを準備する工程では、前記金属ピンを酸性溶液に浸すことにより粗面化を行うことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載のＬＥＤ搭載基板の製造方法。
   

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