KR20060085928A - Ｌｅｄ 반사판과 ｌｅｄ 장치 - Google Patents

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히다찌 에이아이시 가부시키가이샤
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Abstract

요부는 금속으로 만들어진 LED 반사판(1)의 랜드(2) 내에 형성된다. 이 요부는 평평한 LED칩 탑재부(7) 및 LED칩 탑재부에 대해 경사진 반사부(8)를 구비한다. 이러한 LED 반사판(1)이 랜드(2)가 제 1 관통구멍(18)에 끼워넣어지도록 인쇄배선판(25)에 실장(實裝)된다. LED칩 탑재부(7)에 탑재된 LED칩(27)은 인쇄배선판(25)상에 형성된 단자부(22)에 접속된다. LED 장치(30)를 하나의 유닛으로 형성하도록 인쇄배선판(25)의 제 3 관통구멍(19)을 따라 절단된다. 이러한 구성을 통해, LED 장치(30)의 방열성과 반사효율이 향상될 수 있고, 제조비용이 절감된다.
LED칩, LED 반사판, 인쇄배선판,

Description

ＬＥＤ 반사판과 ＬＥＤ 장치{LED Reflecting Plate and LED Device}
본 발명은 LED 반사판과 LED 장치에 관한 것으로, 더 자세히는 실장(實裝)되는 LED칩의 반사효율을 향상시킨 LED 반사판 및 이것을 사용한 LED 장치에 관한 것이다.
최근들어 고휘도화된 LED칩이 발달되어왔다. 이러한 LED칩은 종래의 휴대 전화기 등의 10-키(ten-key) 패드를 조명하거나, 이와같은 부분 조명에만 사용되어지는것 외에도, 비교적 넓은 범위의 조명, 예를 들면 독서등 같은 데에도 사용되기 시작하였다. 따라서 LED칩은 더 높은 방열성(放熱性)을 요구하게 되었다.
종래의 LED 장치의 첫번째 예로, 참조 1(일본 특허 공개 번호 7-235696)에 묘사된 것이 통용되고 있다. 이 LED 장치에서, 관통구멍은 절연기판내에 형성되어 있다. 관통구멍의 한쪽 개구부는 금속판으로 덮여있다. 금속막이 관통구멍의 벽 표면, 금속판의 표면 및 절연기판의 표면에 도금에 의해 형성되어 있다. LED칩은 금속판 위에 실장되어 있고, LED칩과 절연기판상의 금속막 사이를 와이어 본딩에 의해 전기적으로 접속하고 있다.
종래의 LED 장치의 두번째 예로, 금속 박판으로 이루어진 리드프레임(lead frame)(102)에 수지성형(resin molding)을 하고, 이 리드프레임(102) 위에 LED칩이 탑재된, 도 12에 도시된 것이 통용되고 있다. 더 자세히는, 깔때기 형태의 요부(凹部)(101)가, 성형 수지(100)위에 형성되어 있다. 리드프레임(102)은 요부(101)의 저면에 묻혀있다. LED칩이 리드프레임(102)상에 탑재되어, 금속 세선의 와이어본딩에 의해 리드프레임(102)의 단자부(104)에 연결되어 있다.
전술된 첫번째 종래의 LED 장치의 예에서, 절연기판내에 형성된 관통구멍의 벽 표면상에 금속막이 도금으로 형성되어져 있다. 따라서, 금속막의 두께를 증가시키는데는 자연히 한계가 있고, 때문에 방열성이 향상될 수 없게 되어있다.
이와 대조로, 두번째 예에서는 리드프레임(102)에 의해 방열성은 향상시킬 수 있다. 그러나, 리드프레임(102)을 성형하기 위한 금형과 수지를 성형하기 위한 금형은 비용의 증가를 초래한다. 또한, 성형된 수지(100)위에 균일한 두께의 금속을 도금하는 것도 어려움이 따른다. 그리하여, LED로부터 방출되는 빛의 반사효율이 떨어진다.
본 발명은 전술된 종래 문제의 견지에서 이루어진 것으로, LED 장치의 방열성을 향상시키는 것을 목적으로 하고 있다.
또한, LED 장치로부터 방출되는 빛의 반사효율을 향상시키는 것을 또다른 목적으로 하고있다.
더욱이, LED 장치의 제조비용을 저감시키는 것을 목적으로 하고 있다.
상기의 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 LED 반사판은, LED칩을 위에 탑재한 요부가 각각에 포함된 복수의 랜드(lands), 이 복수의 랜드 사이를 일련으로 연결시키는 제 1 가교, 복수의 랜드를 둘러싸고 있는 틀 형태의 프레임, 및 이 프레임을 상기 복수의 랜드 중 양단의 랜드에 연결시키는 제 2 가교를 포함하는 것을 특징으로 한다. 상기 랜드, 제 1 가교, 제 2 가교, 및 프레임은 금속으로 만들어진다.
본 발명에 따른 LED 장치는 LED칩, 금속으로 제작되고 LED칩이 탑재되는 요부가 있는 LED 반사판, 및 LED 반사판이 실장되는 인쇄배선판을 포함하는 것을 특징으로 하며, 상기 인쇄배선판은 LED 반사판의 요부가 끼워넣어지는 제 1 관통구멍 및 LED칩에 전기적으로 접속되는 단자부를 포함한다.
본 발명에 따르면, LED칩이 금속판으로 만들어진 반사판 위에 탑재되기 때문에 방열성이 향상된다.
반사판이 금속으로 만들어지기 때문에, 반사판상에 형성되는 하지 도금막의 두께를 균일하게 제작할 수 있다. 그리하여, 이 하지 도금막의 상부에 형성된 귀금속 도금막, 알루미늄 증착 등의 거울표면효과에 의해 반사효율을 높일 수 있다.
반사판을 형성하기 위한 금형만 준비하면 되기 때문에, 금형비용을 감축시킬 수 있고, 그에 따라 LED 장치의 제조 비용이 저감될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 LED 반사판의 전체적인 형태의 사시도를 나타낸다.
도 2a는 도 1에 도시된 LED 반사판의 평면도이다.
도 2b는 도 2a의 II(B)-II(B) 라인을 따라 절단된 단면도이다.
도 3a 내지 3f는 본 발명의 실시예 1에 따른 LED 장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 4a 내지 4d는 본 발명의 실시예 1에 따른 LED 장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 5a는 본 발명의 실시예 1에 따른 LED 장치의 단면도이다.
도 5b는 도 5a에 도시된 LED 장치의 형태를 나타내는 사시도이다.
도 6은 인쇄배선판이 LED 반사판보다 크게 제작되는 경우에 대응하는 LED 반사판의 배열을 나타내는 사시도이다.
도 7은 본 발명의 실시예 2에 따른 LED 반사판을 나타내는 사시도이다.
도 8은 본 발명의 실시예 3에 따른 LED 반사판내에 있는 랜드의 배열을 나타내는 평면도이다.
도 9는 본 발명의 실시예 4에 따른 LED 반사판내에 있는 랜드를 나타내는 사시도이다.
도 10a는 본 발명의 실시예 5에 따른 LED 장치의 단면도이다.
도 10b는 도 10a에 도시된 LED 장치의 외관을 나타내는 사시도이다.
도 11은 본 발명의 실시예 6에 따른 LED 장치의 단면도이다.
도 12는 종래의 LED 장치의 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시예를 도면을 참조하여 설명한다.
본 발명의 실시예 1은 도 1 내지 도 6을 참조하여 설명한다.
도 1a 및 도 2a에 도시된 LED 반사판(1)은, LED칩(27)이 탑재되는 복수의 랜드, 복수의 랜드(2)사이를 일련으로 연결하는 제 1 가교(3), 복수의 랜드를 둘러싸고 있는 틀 형태의 프레임(4), 및 복수의 랜드(2)중 양단에 위치한 랜드를 프레임(4)에 연결시키는 제 2 가교(5)를 포함한다. LED 반사판(1)은 하나의 금속판에 의해 랜드(2), 제 1 가교(3), 제 2 가교(5), 및 프레임(4)을 일체로 형성하도록, 하나의 인청동판(두께 50㎛ 내지 200㎛)을 펀치로 천공하여 형성한다.
LED 반사판은 네개의 랜드 그룹(6)이 제공되며, 이들은 각각 서로 평행하면서 제 1 가교(3)에 의해 일련되게 나란히 연결된 세개의 랜드(2)를 포함한다. 12개의 랜드(2)들은 4열×3행의 매트릭스 형상으로 배열된다. 선택적으로는 복수(둘 이상)의 랜드(6)가 제공될 수 있다.
LED 반사판(1)에는 후술하는 인쇄배선판(25)과 정렬될 수 있도록 해주는 위치결정용 구멍(11)이, 프레임(4)의 대각선상의 양 꼭지점에 위치한다.
도 2b에 도시된 바와 같이, LED 반사판(1)의 랜드(2)는 드로잉(drawing)에 의해 형성된 요부와 그 주위에 평평한 플랜지(9)를 가진다. 요부는 평평한 저부(低部)와 이 저부에 대해 둔각으로 경사진 측벽을 구비한다. 요부의 저부는 LED칩(27)이 탑재될 LED칩 탑재부(7)를 형성하고, 요부의 측벽은 LED로부터의 광을 전방으로 반사하는 반사부(8)를 형성한다. LED칩 탑재부(7)와 반사부(8)로 포위된 공간(10)은 절두원뿔형태이다. 공간(10)의 높이(T1: 플랜지(9)의 아랫면 부터 LED칩 탑재부(7)의 아랫면 까지의 높이)는 인쇄배선판(25)의 두께(T2)보다 약간 큰 값이다.
LED 반사판(1)을 제조하려면 전술한 바와 같이 천공한 후에 드로잉이 수행된 다. 선택적으로는, 드로잉이 수행되고, 그다음에 천공을 수행할 수도 있으며, 또는 드로잉과 천공이 동시에 수행될 수도 있다.
이러한 방식으로 제작된 LED 반사판(1)은 하지 도금막을 형성하기 위해 니켈 도금처리되고, 그후에 하지 도금막의 상부에 귀금속 도금막을 형성하기 위해 은(銀)이 도금된다. 이러한 경우, 금속판으로 만들어진 랜드(2)의 표면에 도금처리되기 때문에, 랜드(2)의 표면에 형성된 기초 도금막의 역할을 수행하는 니켈 도금막은 전체적으로 균일한 두께를 가진다. 이에 따라 니켈 도금막 상에 형성된 은 도금막은, 전체적으로 요철(凹凸)이 매우 적은 거울표면 형상으로 형성할 수 있다. 그리하여, 반사부(8)의 표면의 반사효율이 향상될 수 있다.
중간매개체의 역할을 하는 인쇄배선판(25)의 본 발명에 따른 제조법이 도 3a 내지 3f를 참조하여 설명될 것이다. 설명의 편의를 위해 도 3a 내지 3f에서 하나의 LED 장치만을 나타내고 있지만, 실질적으로는 복수의 LED 장치가 매트릭스 형상으로 배열되어 있다.
도 3a에서는 절연기판(16)의 양면에 구리호일(copper foil)(17)을 부착시켜 얻어지는 양면 구리피복 보드(15)를 도시하고 있다. 양면 구리피복 보드(15)는 도 3b에 도시된 바와 같이 제 1 관통구멍(18)과, 이 제 1 관통구멍을 사이에 두도록 제 3 관통구멍(19)을 형성하기 위해 드릴로 구멍을 뚫는다(boring). 제 1 관통구멍(18)의 직경(R2)은 상술한 반사판(1)의 랜드(2)에 형성된 공간(10)의 상단의 외경(랜드(2)의 두께만큼을 더한 외경)(R1)보다 약간 크다.
그 다음, 도 3c에 도시된 바와 같이, 양면 구리피복 보드(15)는 절연기판 (16)의 두 표면과 제 1구멍(18) 및 제 3 구멍(19)의 벽면을 덮는 도금막(20)을 형성하기 위해, 전기분해방식의 구리 도금에 의해 패널도금(panel plating) 처리한다. 나아가, 도 3d에 도시된 바와 같이, 제 1 관통구멍(18)의 상부 가장자리에 전술한 랜드(2)가 설치될 랜드설치부(21)를 형성하기 위한 회로가 에칭에 의해 형성된다. 와이어 본딩을 위한 단자부(22)가 랜드설치부(21)로부터 떨어진 영역에 형성된다.
도 3e에서, 불필요한 회로에 솔더 레지스트(23)를 도포한다. 그리고나서 도 3f에 도시된 바와 같이, 랜드설치부(21)와 단자부(22)는 인쇄배선판(25)을 형성하기 위해 니켈과 금을 이용한 귀금속 도금처리된다.
이러한 방식으로 제작된 인쇄배선판(25)과 LED 반사판(1)을 이용한 LED 장치의 제조법이 4a 내지 4d를 참조하여 설명될 것이다.
도 4a에 따르면, 인쇄배선판(25)의 랜드설치부(21)에 크림솔더(cream solder)가 가해진다. 그 후, LED 반사판(1)의 랜드가 각각 인쇄배선판(25)의 복수의 제 1 관통구멍(18)에 끼워진 상태에서, LED 반사판(1)을 인쇄배선판(25) 위에 위치시키기 위해 위치결정핀(도시되지않음)이 LED 반사판(1)의 위치결정용 구멍(11)과 인쇄배선판(25)의 위치결정용 구멍에 삽입된다.
이 단계에서, 인쇄배선판(25)과 LED 반사판(1)을 가열로속에서 가열하여 크림솔더를 다시 녹이고, 도 4b에 도시된 바와 같이 각 랜드(2)의 플랜지(9)를 인쇄배선판(25)의 랜드설치부(21) 위에 접합하여, LED 반사판(1)을 인쇄배선판(25)위에 접합시킨다.
다음으로, 도 4c에 보인 바와 같이, LED칩(27)이 다이본딩(die bonding)에 의해 LED 반사판(1)의 LED칩 탑재부(7)에 접합되고, LED칩(27)의 금속 세선(들)(28)이 와이어 본딩에 의해 인쇄배선판(25)의 단자부(22)에 전기적으로 접속된다. 도 4d에 도시된 바와 같이, LED 반사판(1)의 랜드(2)와 인쇄배선판(25)의 단자부(22)는 투명한 몰딩수지(29)를 사용하여 밀봉처리된다. 도 2a에 도시된 바와 같이, 제 1 및 제 2 가교(3, 5)에 평행하고 제 3 관통구멍(19) 사이를 연결하는 C1라인, C1라인과 직교하고 제 1 가교(3)를 가로지르는 C2라인, 및 제 2 가교(5)를 가로지르는 C3라인이 다이싱(dicing)방법으로 절단된다. 그리하여, 도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같은 1개 단위의 LED 장치(30)가 만들어진다.
LED 반사판(1)의 랜드(2)를 냉각시키는 냉각부재로서의 히트씽크(heat sink)(31)가 LED 장치(1)의 저부에 부착된다. 랜드(2)의 공간(10)의 높이(T1)가 인쇄배선판(25)의 두께(T2)보다 약간 크기 때문에 랜드(2)의 요부의 저부는 히트씽크(31)에 접촉하게 된다. 따라서 LED칩(27)으로부터의 발열은 랜드(2)로부터 히트싱크(31)를 통하여 LED장치(30)의 외부로 방출된다. 이때에, LED칩(27)이 탑재된 랜드가 금속판으로 만들어졌기 때문에, 랜드(2)를 소정의 두께 이상이면서 균일하게, 방열성을 향상시키도록 제작할 수 있다.
본 실시예에서, 인쇄배선판(25)의 마스킹에 의한 도금공정은 1회로 충분하다. 그리하여 반사부와 나머지 영역에 서로 다른 도금막을 형성하기 위해 마스킹하는 도금이 두번 필요했던 종래예에 비해 제조비용이 절감될 수 있다. 오직 LED 반사판(1)을 형성하기 위한 금형만 준비하면 되므로, 금형에 요구되는 비용이 절감된 다.
전술된 LED 장치(30)에서, C1, C2, C3 라인에 따라 절단하면 LED 장치(30)가 1개 단위로 형성된다. 하지만 복수의 LED칩(27)이 디스플레이 장치나 조명장치 내에서 집합체로서 사용될 경우에는, 절단하지 않고, 인쇄배선판(25)에 복수의 LED 반사판(1)을 실장한 상태 그대로 사용하여도 된다.
상기 인쇄배선판(25)이 LED 반사판(1)보다 큰 경우가 도 6을 참조하여 설명되어질 것이다. LED 반사판이 매우 얇은 금속판으로 제작되기 때문에, 강도의 측면에서 볼 때, 대형의 외부크기를 갖는 LED 반사판(1)의 제작에는 제한이 따른다. 이러한 이유로, 인쇄배선판(25)이 LED 반사판(1)보다 크게 제작된다. 이러한 경우에는, 도 6에 도시하는 바와 같이, 복수의 LED 반사판(1)을 매트릭스 형상으로 배열함으로써 바깥 크기가 큰 인쇄배선판(25)의 바깥 크기와 일치시킬 수 있게 된다.
이 경우에도, 1개 단위의 LED 장치(30)를 커팅에 의해 제작할 수 있다. 선택적으로는, 절단할 필요가 없이 인쇄배선판(25)에 복수개의 LED 반사판(1)을 실장한 상태 그대로 사용할 수 있다. 후자의 경우에, 고휘도를 요구하는 디스플레이 장치, 또는 조명장치 등에 채택되어 바람직한 LED 장치가 제공될 수 있다. LED 반사판(1)을 배열하는 것은 상기 전술한 매트릭스 형상에 국한되지 않고, 인쇄배선판(25)의 외형에 맞게 수평배열 혹은 수직배열 될 수 있다.
본 발명의 실시예 2를 도 7을 참조하여 설명한다.
도 7에 도시된 LED 반사판(40)은, 제 1 가교(3)를 통해 나란히 일련으로 연결된 세개의 랜드를 포함하는 랜드 그룹(6) 하나만으로 구성된다는 점에서 상기 전 술된 실시예 1과 다르다. 이러한 배열을 가짐으로써, 인쇄배선판(25)에 형성된 제 1 관통구멍(18)의 정렬은, 전술된 실시예 1과 달리 4열 혹은 4×n열(n은 정수) 이외의 배열에도 역시 대응될 수 있다.
본 발명에 따른 실시예 3을 도 8을 참조하여 설명한다.
도 8에 도시된 LED 반사판(50)은 랜드(2)가 매트릭스 형상이 아니라 엇갈린 형태로 제작되는 것을 특징으로 한다. 그리하여, 고휘도를 필요로 하고, LED 장치를 집합체로서 사용하는 디스플레이 장치, 또는 조명장치 등에 채용되어, 바람직한 LED 장치가 제공될 수 있다.
본 발명의 실시예 4를 도 9를 참조하여 설명한다.
이 실시예는 도 9에 도시된 바와 같이 랜드(2)의 LED칩 탑재부(7)가 정방형이고, 공간(10)이 절두각뿔형태인 것을 특징으로 한다. 이러한 구성에서, 단면이 정방형인 LED칩이 랜드(2)의 LED칩 탑재부(7)에 탑재되어 LED칩 탑재부(7)가 상대적으로 작게 형성될 수 있다.
제 1 가교(3)와 제 2 가교(5)는 전술된 실시예에서 직선으로 배열하였지만, 항상 직선으로 배열될 필요는 없다. 랜드(2)와 랜드(2)사이 및 랜드(2)와 프레임(4)이 일체로 연결되기만 하면 된다.
본 발명의 실시예 5는 도 10a 및 도 10b를 참조하여 설명될 것이다.
도 10a 및 도 10b에 도시된 LED 장치(80)는 LED 반사판의 각 랜드(2)의 요부에 복수의 LED칩(27a 내지 27d)이 탑재되고, 랜드(2)가 인쇄배선판(75)내에 배치되어 그것과 일체화되어있는 것을 특징으로 한다. 이러한 구성은 보다 자세히 설명될 것이다.
인쇄배선판(75)은 제 1 기판 역할을 하는 하층 기판(75a)과 제 2 기판의 역할을 하는 상층 기판(75b)을 가진다. 하층 기판(75a) 및 상층 기판(75b) 모두는 절연 기판으로 제작된다. 랜드(2)의 요부가 끼워지는 제 1 관통구멍(68a)이 하층 기판(75a)에 형성된다. 랜드(2) 상부의 LED칩(27a 내지 27d)에 접속되기 위한 금속 세선(68a)을 인출하는 제 2 관통구멍(68b)이 상층 기판(75b)에 형성된다. 제 1 관통구멍(68a)과 제 2 관통구멍(68b)은 하나의 관통구멍을 형성하기 위해 동일한 크기와 동일한 형태를 가진다.
제 1 관통구멍(68a)에 랜드(2)의 요부를 끼워넣은 상태에서, 하층 기판(75a)의 윗면이 상층 기판(75b)의 아랫면에 접합되어진다. 이에 의해 랜드(2)가 인쇄배선판(75)에 내장된 구조를 형성한다.
상층 기판(75)의 윗면에는 제 2 관통구멍(68b) 주위로 복수의 단자부(72)가 형성된다. 두개씩의 단자부(72)가 랜드(2)상에 탑재된 LED칩(27a 내지 27d) 각각에 대응된다. 두개의 단자부(72) 중에서 하나는 양극 단자이고, 다른 하나는 음극 단자이다. 두개씩의 금속 세선(28)이 각 한개의 LED칩(27a 내지 27d)에 접속되어 있다. 두개의 금속 세선은 제 2 관통구멍(68b)으로부터 인출되어, 그 중에서 하나는 양극 단자부(72)에 전기적으로 접속되고, 다른것은 음극 단자부(72)에 접속된다.
측면 단자부(72a)가 서로 붙어있는 상층 기판(75b)과 하층 기판(75a)의 측면에 형성된다. 아랫면 단자부(72b)가 하층 기판(75a)의 아랫면에 형성된다. 단자부 72a 와 72b 는 단자부 72에 전기적으로 접속된다. 단자부(72)와 아랫면 단자부 (72b)는 상층 기판(75b)의 윗면 및 하층 기판(75a)의 아랫면에 접착된 구리호일을 에칭하여 형성된다. 측면 단자부(72a)는 기판(75a 와 75b)을 관통하는 제 3 관통구멍내의 도금막으로 형성된다. 제 3 관통구멍은 제 1 관통구멍(68a) 및 제 2 관통구멍(68b) 주변에 도 2a에 도시한 C1, C2 및 C3 라인을 따라 복수개 형성된다.
랜드(2)의 LED칩 탑재부(7)와 반사부(8)로 포위된 공간은, 투명한 몰딩 수지(29)로 수지밀봉된다. 돔(dome)형태의 렌즈(81)가 상층 기판(75b)위에 배치된다.
도 10a와 도 10b에 도시한 바와 같이 1개 단위의 LED 장치(80)를 형성하기 위해, 실시예 1과 같은 요령으로, 매트릭스 형상으로 배열된 복수의 LED 장치가 도 2a에 도시한 C1, C2 및 C3 라인을 따라 절단되면 된다. LED 장치의 집합체로 사용되어야 할 경우에는 절단될 필요가 없다.
본 실시예에 따르면 하층 기판(75a)을 상층 기판(75b)에 접착시키기 위해, 하층 기판(75a)을 형성하는 재료와 상층 기판(75b)을 형성하는 재료를 접촉시키고, 가열한 다음 굳힌다. 이 때, 랜드(2)의 요부가 제 1 관통구멍(68a)에 끼워져 있기 때문에, 하층 기판(75a)의 윗면과 상층 기판(75b)의 아랫면은 랜드(2)의 플랜지(8)를 사이에 끼고 있다. 그리하여, 본 실시예에 따르면, 랜드(2)와 인쇄배선판(75)을 접합시키기 위해서 접착제 혹은 용접에 의한 접합이 필요하지 않다.
인쇄배선판(75)위에 있는 각각의 단자부(72)는 약 수십 ㎛의 두께를 가지는데 반해, 랜드(2)의 플랜지(9)는 약 수백 ㎛의 두께를 가진다. 실시예 1에서처럼 랜드(2)가 인쇄배선판(25)의 표면위에 위치한다면, 플랜지(9)의 두께에 상응하는 양 만큼 LED 장치(30) 전체가 두꺼워진다. 이와는 대조적으로 본 실시예에 따르면, 랜드(2)가 인쇄배선판(75) 내에 배치되어 인쇄배선판(75) 외부로 드러나지 않기 때문에, LED 장치(80)는 실시예 1에서보다 더 얇게 제작될 수 있다.
만일 랜드(2)의 플랜지(9)와 단자부(22)가 동일한 인쇄배선판(25) 표면에 배치된다면, 실시예 1에서처럼 랜드(2)의 플랜지(9)와 단자부(22)는 서로 닿지 않도록 충분한 거리만큼 분리설치되어야 한다. 이와는 대조적으로, 본 실시예에 따르면, 랜드(2)의 플랜지(9)와 단자부(22)가 인쇄배선판(75)의 서로 다른 층에 배치되어 있다. 따라서, LED 장치(80)의 영역이 실시예 1에 비해 감소될 수 있다.
전술된 LED 장치(90)에서, 복수의 LED칩(27a 내지 27d)이 하나의 랜드(2)에 탑재되어 있다. 선택적으로는, 하나의 LED칩이 하나의 랜드(2)위에 탑재될 수 있다.
본 발명에 따른 실시예 6이 도 11을 참조로 설명되어질 것이다.
도 11에 도시된 LED 장치(90)는, 하나의 금속 세선(28)과 금속으로 만든 랜드(2)에 의해 랜드(2)에 탑재된 LED칩(27e)으로 파워가 공급되는 것을 특징으로 한다. LED칩(27e)은 금속 세선(28)을 통해 상층 기판(75c) 상부의 단자부(72)에 접속된다. 이러한 배열은 전술된 실시예 5와 같다.
LED 장치(90)에서, 전기접속구멍(91)은 상층 기판(75c)의 랜드(2)의 플랜지(9) 상에 형성된다. 전기접속구멍(91)의 구멍벽 에는 도금막(92)이 형성된다. 전기접속구멍(91)으로부터 단자부(72)로 뻗어나온 배선(93)이 상층 기판(75c)의 윗표면에 형성된다. 그리하여, LED칩(27e)은 금속제 랜드(2), 전기접속구멍(91)내의 도금막(92), 및 상층 기판(75c)상의 배선(93)을 거쳐 단자부(72)에 전기적으로 접속된 다.
예를 들면, 전기접속구멍(91)과 도금막(92)은 다음 요령으로 형성될 수 있다. 우선, 하층기판(75a)이 상층기판(75b)에 접착되고, 드릴이나 레이저로 보링하여 전기접속구멍(91)이 형성된다. 그 다음, 전기접속구멍(91)의 구멍벽 위에 도금막(92)을 형성하기 위해 전기분해성 구리도금으로 패널도금이 행해진다.
본 실시예에서, 하나의 랜드(2)에 복수의 LED칩을 실시예 5와 동일한 요령으로 장착하여도 된다.
본 명세서 내용 중에 포함되어 있음.

Claims (13)

  1. LED칩이 탑재될 요부를 각각 포함하는 복수의 랜드(lands);
    상기 복수의 랜드 사이를 일련으로 연결시키는 제 1 가교;
    상기 복수의 랜드를 둘러싸는 틀 형태를 가지는 프레임; 및
    상기 프레임과 상기 복수의 랜드 중 양단에 위치한 랜드를 연결시키는 제 2 가교를 구비하고,
    상기 랜드, 상기 제 1 가교, 상기 제 2 가교, 및 상기 프레임은 금속으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 LED 반사판.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 각각의 랜드는, 요부의 저부를 형성하는 평평한 LED칩 탑재부; 및 요부의 측벽을 형성하며 상기 LED칩 탑재부에 대해 경사진 반사부를 구비하는 것을 특징으로 하는 LED 반사판.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 랜드, 상기 제 1 가교, 상기 제 2 가교, 및 상기 프레임은 하나의 금속판으로 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 LED 반사판.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 가교에 의해 연결된 복수의 랜드의 그룹을 여러개 구비하는 것을 특징으로 하는 LED 반사판.
  5. 제 2항에 있어서,
    상기 랜드의 요부의 저부와 측벽에 의해 포위되는 공간은 절두원추형태인 것을 특징으로 하는 LED 반사판.
  6. 제 2항에 있어서,
    상기 랜드의 요부의 저부와 측벽에 의해 포위되는 공간은 절두각뿔형태인 것을 특징으로 하는 LED 반사판.
  7. LED칩;
    금속으로 제작되고, 상기 LED칩이 탑재되는 요부를 가지는 LED 반사판; 및
    상기 LED 반사판이 실장되는 인쇄배선판;
    을 구비하고,
    상기 인쇄배선판은, 상기 LED 반사판의 요부가 끼워넣어지는 제 1 관통구멍; 및
    상기 LED칩에 전기적으로 접속되는 단자부를 구비하는 것을 특징으로 하는 LED 장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 LED 반사판은, 요부의 저부를 형성하는 평평한 LED칩 탑재부; 및
    요부의 측벽을 형성하며, 상기 LED칩 탑재부에 대해 경사진 반사부;
    를 구비하는 것을 특징으로 하는 LED장치.
  9. 제 7항에 있어서,
    상기 LED 반사판은, 각각이 요부를 포함하는 복수의 랜드; 및
    상기 복수의 랜드 사이를 일련으로 서로 연결시키는 제 1 가교;
    를 구비함을 특징으로 하는 LED 장치.
  10. 제 7항에 있어서,
    상기 LED칩과 상기 단자부를 전기적으로 접속하는 금속 세선을 더 구비하며,
    상기 LED 반사판은 요부 둘레에 평평한 플랜지를 더 구비하며,
    상기 인쇄배선판은 제 1 관통구멍이 구비된 제 1 기판; 제 1 관통구멍에 요부가 끼워넣어진 상기 LED 반사판의 상기 플랜지를 상기 제 1 기판과 함께 끼우며, 또한 표면에 상기 단자부가 형성된 제 2 기판; 및 상기 제 2 기판에 형성되고, 상기 LED 반사판상의 LED칩에 접속된 상기 금속 세선을 인출하는 제 2 관통구멍을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 LED 장치.
  11. 제 7항에 있어서,
    상기 LED 반사판의 각각의 요부에 복수의 LED칩들이 탑재되는 것을 특징으로 하는 LED 장치.
  12. 제 10항에 있어서,
    상기 인쇄배선판은
    상기 제 2 기판에서의 상기 플랜지 상부에 형성된 전기접속구멍; 및
    상기 제 2 기판의 표면에 형성되고, 전기접속구멍과 상기 단자부를 전기적으로 접속시키는 배선을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 LED 장치.
  13. 제 7항에 있어서,
    상기 LED 반사기판의 요부의 저부에 접촉하게 되는 냉각부재를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 LED 장치.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100827667B1 (ko) * 2007-01-16 2008-05-07 삼성전자주식회사 기판 내에 반도체 칩을 갖는 반도체 패키지 및 이를제조하는 방법
KR101041438B1 (ko) * 2009-12-02 2011-06-15 한국광기술원 이중천공을 구비하는 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조방법
KR101250372B1 (ko) * 2011-12-09 2013-04-05 엘지이노텍 주식회사 광소자 패키지 및 그 제조 방법

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7723736B2 (en) * 2004-12-14 2010-05-25 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting device having a plurality of light emitting cells and package mounting the same
JP5059739B2 (ja) * 2005-03-11 2012-10-31 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 直列接続された発光セルのアレイを有する発光ダイオードパッケージ
EP1897146A2 (en) * 2005-06-27 2008-03-12 Lamina Lighting, Inc. Light emitting diode package and method for making same
JP2007088155A (ja) * 2005-09-21 2007-04-05 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型ｌｅｄ基板
JP2007266546A (ja) * 2006-03-30 2007-10-11 Rohm Co Ltd 光通信モジュールおよびその製造方法
JPWO2007126074A1 (ja) * 2006-04-28 2009-09-10 島根県 半導体発光モジュール、装置、およびその製造方法
KR100854328B1 (ko) * 2006-07-07 2008-08-28 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
JP4533352B2 (ja) * 2006-08-09 2010-09-01 昭和電工株式会社 発光装置、表示装置、およびカバー取付部材
TW200822384A (en) * 2006-11-03 2008-05-16 Coretronic Corp LED package structure
JP5326204B2 (ja) * 2006-11-29 2013-10-30 富士通株式会社 発光部品及びその製造方法及び発光部品組立体及び電子装置
KR101491138B1 (ko) * 2007-12-12 2015-02-09 엘지이노텍 주식회사 다층 기판 및 이를 구비한 발광 다이오드 모듈
JP2009278012A (ja) * 2008-05-16 2009-11-26 Meio Kasei:Kk Ｌｅｄ装置用パッケージ
US8288845B2 (en) * 2008-11-14 2012-10-16 Triquint Semiconductor, Inc. Package including proximately-positioned lead frame
DE102009008738A1 (de) * 2009-02-12 2010-08-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiteranordnung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
KR101006246B1 (ko) * 2009-05-21 2011-01-07 에스브이에스 주식회사 발광다이오드용 적층 세라믹 방열판
KR100986544B1 (ko) * 2009-06-10 2010-10-07 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US8602593B2 (en) * 2009-10-15 2013-12-10 Cree, Inc. Lamp assemblies and methods of making the same
WO2011077900A1 (ja) * 2009-12-22 2011-06-30 シャープ株式会社 発光ダイオード素子、光源装置、面光源照明装置、及び液晶表示装置
KR101028195B1 (ko) * 2010-01-18 2011-04-11 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛
WO2011091394A1 (en) * 2010-01-25 2011-07-28 Vishay Sprague, Inc. Metal based electronic component package and the method of manufacturing the same
US8319247B2 (en) * 2010-03-25 2012-11-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Carrier for a light emitting device
KR101028329B1 (ko) * 2010-04-28 2011-04-12 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
JP2012023281A (ja) * 2010-07-16 2012-02-02 Nitto Denko Corp 発光装置の製法
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
CN102095091A (zh) * 2010-09-30 2011-06-15 福建省万邦光电科技有限公司 Led光源模组封装结构
KR20150018853A (ko) * 2011-01-28 2015-02-24 서울반도체 주식회사 Ｌｅｄ 구동회로 및 이를 포함하는 ｌｅｄ 발광 장치
JP2012222191A (ja) * 2011-04-11 2012-11-12 Okuno Chem Ind Co Ltd Ｌｅｄ照明ユニット
DE102011056654A1 (de) * 2011-12-20 2013-06-20 Vossloh-Schwabe Optoelectronic Gmbh & Co. Kg Leuchtdiodenanordnung
US8766654B2 (en) * 2012-03-27 2014-07-01 Universal Scientific Industrial Co., Ltd. Package structure with conformal shielding and inspection method using the same
JP2013239644A (ja) * 2012-05-16 2013-11-28 Toshiba Corp 半導体発光装置
KR101974349B1 (ko) * 2012-10-04 2019-05-02 삼성전자주식회사 발광모듈과 이를 이용한 조명장치
CN103115229B (zh) * 2013-02-27 2015-09-02 利亚德光电股份有限公司 Led显示单元及led显示系统
JP6244130B2 (ja) * 2013-07-26 2017-12-06 新光電気工業株式会社 発光素子搭載用パッケージ及び発光素子パッケージ
CN205944139U (zh) 2016-03-30 2017-02-08 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块
JP1613484S (ko) * 2017-11-07 2018-09-10
CN109192838A (zh) * 2018-08-15 2019-01-11 深圳优卫乐得科技有限公司 一种紫外led光源模组制造方法
WO2020045604A1 (ja) * 2018-08-31 2020-03-05 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 半導体素子搭載用パッケージ及び半導体装置
US10810932B2 (en) * 2018-10-02 2020-10-20 Sct Ltd. Molded LED display module and method of making thererof
US11444120B2 (en) * 2020-01-14 2022-09-13 Au Optronics Corporation Display apparatus and method of fabricating the same

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55172982U (ko) 1979-05-31 1980-12-11
US4390455A (en) 1980-12-22 1983-06-28 Akzo N.V. Catalytic membranes in artificial organs
JP3137823B2 (ja) 1994-02-25 2001-02-26 シャープ株式会社 チップ部品型ｌｅｄ及びその製造方法
JP3302203B2 (ja) 1994-10-21 2002-07-15 株式会社シチズン電子 発光ダイオード
DE19549818B4 (de) 1995-09-29 2010-03-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement
JP3618534B2 (ja) * 1997-11-28 2005-02-09 同和鉱業株式会社 光通信用ランプ装置とその製造方法
JPH11284233A (ja) 1998-03-27 1999-10-15 Stanley Electric Co Ltd 平面実装型ｌｅｄ素子
JP2000058924A (ja) 1998-08-06 2000-02-25 Shichizun Denshi:Kk 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
JP2001068742A (ja) * 1999-08-25 2001-03-16 Sanyo Electric Co Ltd 混成集積回路装置
JP2002176203A (ja) * 2000-09-29 2002-06-21 Omron Corp 発光デバイス及び発光デバイスアレイ
US6552368B2 (en) 2000-09-29 2003-04-22 Omron Corporation Light emission device
JP3736366B2 (ja) 2001-02-26 2006-01-18 日亜化学工業株式会社 表面実装型発光素子およびそれを用いた発光装置
US6874910B2 (en) * 2001-04-12 2005-04-05 Matsushita Electric Works, Ltd. Light source device using LED, and method of producing same
JP3891400B2 (ja) * 2001-07-25 2007-03-14 シチズン電子株式会社 発光ダイオード
JP4045781B2 (ja) * 2001-08-28 2008-02-13 松下電工株式会社 発光装置
JP4009097B2 (ja) * 2001-12-07 2007-11-14 日立電線株式会社 発光装置及びその製造方法、ならびに発光装置の製造に用いるリードフレーム
KR20080064904A (ko) 2002-06-14 2008-07-09 레드니엄 테크놀로지 피티와이 리미티드 Ｌｅｄ 패키징 방법 및 패키징된 ｌｅｄ
AU2003302354A1 (en) * 2002-11-26 2004-06-18 Stockeryale, (Irl), Limited An illuminator and production method

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100827667B1 (ko) * 2007-01-16 2008-05-07 삼성전자주식회사 기판 내에 반도체 칩을 갖는 반도체 패키지 및 이를제조하는 방법
KR101041438B1 (ko) * 2009-12-02 2011-06-15 한국광기술원 이중천공을 구비하는 발광 다이오드 패키지 및 그의 제조방법
KR101250372B1 (ko) * 2011-12-09 2013-04-05 엘지이노텍 주식회사 광소자 패키지 및 그 제조 방법

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