JP3736366B2 - 表面実装型発光素子およびそれを用いた発光装置 - Google Patents
表面実装型発光素子およびそれを用いた発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3736366B2 JP3736366B2 JP2001050887A JP2001050887A JP3736366B2 JP 3736366 B2 JP3736366 B2 JP 3736366B2 JP 2001050887 A JP2001050887 A JP 2001050887A JP 2001050887 A JP2001050887 A JP 2001050887A JP 3736366 B2 JP3736366 B2 JP 3736366B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitting element
- base
- light emitting
- lead frame
- element chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は表面実装型発光素子およびそれを用いた発光装置に係わり、特に放熱性を向上させるために改良した表面実装型発光素子およびそれを用いた発光装置に関する。また本明細書でいう発光装置とは、画像を表示する表示装置または照明装置などを指す。
【0002】
【従来の技術】
図10および図11に、従来の表面実装型発光素子の一例の概略断面図を示す。ここでは、LED(発光ダイオード)を発光素子とする例について説明する。
【0003】
図10に示す従来の表面実装型発光素子は、一方のリードフレームにLEDチップ45が配置され、LEDチップに形成された一対の電極は、それぞれに対応するリードフレームに金線などよりなるワイヤー47により接続される。さらに、LEDチップ45、ワイヤー47、およびリードフレーム46の一部がエポキシ樹脂またはシリコーン樹脂などからなる封止樹脂48で覆われることにより表面実装型LEDが形成される。
【0004】
また、図11に示す従来の表面実装型発光素子は、液晶ポリマーなどからなるパッケージ50に、一対のリードフレーム51が形成され、一方のリードフレーム上にLEDチップ49が配置される。LEDチップに形成された一対の電極は、それぞれに対応するリードフレームに金線などからなるワイヤー52により接続される。さらに、LEDチップ49、ワイヤー52、およびリードフレーム51の一部がエポキシ樹脂またはシリコーン樹脂などからなる封止樹脂53で覆われることにより表面実装型LEDが形成される。
【0005】
図10乃至図11に示す従来の表面実装型LEDは、複数の導体パターンが形成された基板に配置され、各リードフレームがそれぞれに対応する導体パターンに半田などにより接続されることにより発光装置として実際に使用することができる。また、LEDチップをリードフレーム上に配置することにより、すなわち比較的熱伝導率のよいリードフレームを介することにより、LEDチップから基板への放熱性を向上させることができる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の表面実装型発光素子は、リードフレーム46、51上にLEDチップ45、49を配置することにより、LEDチップにて発生する熱をリードフレームを介して基板に逃がしてはいるものの、リードフレームと基板との間に封止樹脂48乃至パッケージ50を介しているために、熱を伝える経路となるリードフレームが必要以上に長くなってしまい、その放熱効果は十分に満足できるものではなかった。すなわち、LEDチップから基板への放熱性を向上させることができないために、結果的に発光素子自体の寿命を縮めたり発光輝度を低下させてしまい、より高い信頼性が得られないという問題があった。
【0007】
本発明は、発光素子チップと基板の間の距離を最小限にすることにより、発光素子チップの基板への放熱性を飛躍的に向上させた表面実装型発光素子およびそれを用いた発光装置を提供することを目的とする。
【0008】
本発明の表面実装型発光素子は、発光素子チップ1と、前記発光素子チップ1が配置される基台2と、前記発光素子チップ1の一対の電極と接続される一対のリードフレーム4と、少なくとも前記発光素子チップ1、前記基台2の一部、および前記リードフレーム4の一部を覆い一体に固定する透光性の封止樹脂6と、を備え、前記リードフレーム4は、表示面側から見て封止樹脂6から外側に張り出した形状を成しており、前記基台2の最下面2aは、前記リードフレーム4の最下面4aと略同じ面に位置し、前記基台2は、前記発光素子チップ1が配置される面から前記封止樹脂6内部を通り、前記発光素子チップ1が配置される面と異なる面となる最下面2aが前記透光性の封止樹脂6から露出していることを特徴とする。このように構成することにより、基台を封止樹脂から露出させることができるので、発光素子チップの放熱性を向上させることができる。
本発明の表面実装型発光素子は、発光素子チップ17と、前記発光素子チップ17が配置される基台18と、前記発光素子チップ17の一対の電極と接続される一対のリードフレーム20と、少なくとも前記発光素子チップ17、前記基台18の一部、および前記リードフレーム20の一部を覆い一体に固定する透光性の封止樹脂22と、を備え、前記リードフレーム20の一端は封止樹脂6内に配置され、前記リードフレーム20の他端は表示面側から見て封止樹脂22の最下面に折り曲げられて前記封止樹脂6の真下に配置されており、前記基台18の最下面18aは、前記リードフレーム20の最下面20aと略同じ面に位置し、前記基台18は、前記発光素子チップ17が配置される面から前記封止樹脂22内部を通り、前記発光素子チップ17が配置される面と異なる面となる最下面18aが前記透光性の封止樹脂22から露出していることを特徴とする。
前記基台の一部は、さらに封止樹脂から露出する基台延伸部を有することもできる。
また、基台はリードフレームと同じ材料からなることが好ましい。このように構成することにより、基台及びリードフレームを一工程で形成することができるので、本発明の表面実装型発光素子を比較的容易に量産することができる。
【0009】
本発明の表面実装型発光素子は、発光素子チップ29と、前記発光素子チップ29が配置される基台30と、前記基台30が配置されるパッケージ32と、前記発光素子チップ29の一対の電極と接続される一対のリードフレーム33と、を備え、前記リードフレーム4は、表示面側から見てパッケージ32から外側に張り出した形状を成しており、前記基台30の最下面30aは、前記リードフレーム33の最下面33aと略同じ面に位置し、前記基台30は、前記発光素子チップ29が配置される面から前記パッケージ32内部を通り、前記発光素子チップ29が配置される面と異なる面となる最下面30aが前記パッケージ32から露出していることを特徴とする。
本発明の表面実装型発光素子は、発光素子チップ29と、前記発光素子チップ29が基台30に配置され、前記発光素子チップ29の一の電極と接続される前記基台30を有する第1のリードフレーム33と、前記発光素子チップ29の他の電極と接続される第2のリードフレーム33と、少なくとも前記基台30及び前記第1のリードフレーム33の一部、第2のリードフレーム33の一部を覆い一体に固定するパッケージ32と、を備え、前記第1のリードフレーム33及び前記第2のリードフレーム33は、表示面側から見てパッケージ32から外側に張り出した形状を成しており、前記基台30の最下面30aは、前記基台30の最下面30aを除く前記第1のリードフレーム33の最下面33aと略同じ面に位置し、前記基台30は、前記発光素子チップ29が配置される面から前記パッケージ32内部を通り、前記発光素子チップ29が配置される面と異なる面となる最下面30aが前記パッケージ32から露出していることを特徴とする。
前記基台の一部は、さらにパッケージから露出する基台延伸部を有することもできる。
前記パッケージは、表示面側に側壁を備えることもできる。
前記表面実装型発光素子は、前記パッケージの表示面側の側壁と基台とで囲まれた部分に封止樹脂を備えることもできる。
【0010】
また、基台の膜厚はリードフレームの膜厚よりも厚くすることができる。このように構成することにより、表示面側から見た封止樹脂の最下面から封止樹脂内部に位置するリードフレームまでの距離を容易に確保することができる。これにより、封止樹脂とリードフレームとの接触部分における強度を確保することができる。
【0011】
前記発光素子チップの一対の電極は、それぞれワイヤーを介して一対のリードフレーム4と接続することもできる。
前記基台は、周囲に側壁を備えることが好ましい。このように構成することにより、発光素子チップから出射される光を効率的に表示面側に取り出すことができる。
前記基台は、開口方向に拡がっている構成をとることもできる。
前記基台の底面の膜厚は、前記基台の側壁の膜厚よりも厚くすることもできる。
【0012】
また、発光素子チップは熱伝導性材料を介して基台に配置されることが好ましい。このように構成することにより、LEDチップにて発生した熱がより効率よく基台に伝わり、放熱性をより向上させることができる。なお、ここでいう熱伝導性材料とはエポキシ樹脂などの絶縁性樹脂ではなく、それよりも熱伝導率のよい材料を指す。
【0013】
前記一対のリードフレームの一方は、前記基台から連続させることもできる。
前記封止樹脂は、断面の表示面側が湾曲形状を形成することもできる。
本発明の表面実装型パッケージは、発光素子チップ29が配置されるための基台30と、前記基台30が配置されるパッケージ32と、前記発光素子チップ29の一対の電極と接続される一対のリードフレーム33と、を備え、前記リードフレーム4は、表示面側から見て外側に張り出した形状を成しており、前記基台30の最下面30aは、前記リードフレーム33の最下面33aと略同じ面に位置し、前記基台30は、前記発光素子チップ29が配置される面から前記パッケージ32内部を通り、前記発光素子チップ29が配置される面と異なる面となる最下面30aが前記パッケージ32から露出していることを特徴とする。
本発明の表面実装型パッケージは、発光素子チップ29が基台30に配置され、前記発光素子チップ29の一の電極と接続される前記基台30を有する第1のリードフレーム33と、前記発光素子チップ29の他の電極と接続される第2のリードフレーム33と、
少なくとも前記基台30及び前記第1のリードフレーム33の一部、第2のリードフレーム33の一部を覆い一体に固定するパッケージ32と、を備え、前記第1のリードフレーム33及び前記第2のリードフレーム33は、表示面側から見て外側に張り出した形状を成しており、前記基台30の最下面30aは、前記基台30の最下面30aを除く前記第1のリードフレーム33の最下面33aと略同じ面に位置し、前記基台30は、前記発光素子チップ29が配置される面から前記パッケージ32内部を通り、前記発光素子チップ29が配置される面と異なる面となる最下面30aが前記パッケージ32から露出していることを特徴とする。このように構成することにより、発光素子チップで発生した熱を効率的に第1の放熱性部材に逃がすことができる。
【0014】
また、本発明の発光装置は第1の放熱性部材を備え、基板がスルーホールを有すると共にスルーホールが表示面側から裏面側まで連続的に形成された導体パターンを備え、表示面側から見た前記基台の最下面がスルーホールの表示面側に位置する導体パターンに接続され、さらにスルーホールの裏面側に位置する導体パターンに、第1の放熱性部材を接続させることができる。このように構成することにより、発光素子チップで発生した熱を効率的に第1の放熱性部材に逃がすことができる。
【0015】
また、本発明の発光装置はさらに第2の放熱性部材を備え、第2の放熱性部材を第1の放熱性部材に接続させることができる。このように構成することにより、発光素子チップで発生した熱を第1の放熱性部材を介して効率的に第2の放熱性部材に逃がすことができる。
【0016】
【発明の実施の形態】
図1に、本発明に係る図2に示す表面実装型発光素子のA−A’部における概略断面図を示す。なお、図2は本発明に係る表面実装型発光素子を裏面側からみた概略図である。ここでは、発光素子チップとしてLED(発光ダイオード)チップ1を用いた表面実装型発光素子(表面実装型LED)について説明する。
【0017】
LEDチップ1が配置される基台2は、周囲に側壁3を備えることができる。側壁3は基台と接触せずに、すなわち基台と間を介して任意の位置に構成することもできるが、基台に直接形成されることが好ましい。さらに好ましくは、図1に示すように、基台2自体が側壁3を備えた形状とするとよい。このようにすることより、構成を単純化することができ、作業効率を向上させることができる。また、LEDチップ1は同一面側に一対の電極が形成され、各電極はそれぞれに対応するリードフレーム4に金線などよりなるワイヤー5により接続される。各リードフレーム4は、表示面側から見た基台の最下面2aと表示面側から見たリードフレームの最下面4aが略同じ面に位置すると共に、表示面側から見た基台の最下面2aが透光性の封止樹脂6から露出するように形成される。また、ここでは、同一面上に一対の電極を備えるLEDチップを用いたが、本発明はこれに限定されず、対向する両面にそれぞれ電極を備えたLEDチップを用いることもできる。この場合、LEDチップは基台に導電性材料を介して接続されると共に、基台は対応するどちらか一方のリードフレームと連続して形成される。さらに、LEDチップ1、ワイヤー5、リードフレーム4の一部、側壁3、および少なくとも基台2の一部を覆うように、エポキシ樹脂乃至シリコーン樹脂などよりなる封止樹脂6が形成される。
【0018】
図2に、本発明に係る表面実装型LEDを表示面と反対の側すなわち裏面側からみた概略図を示す。このように、裏面側から本発明に係る表面実装型発光素子を見ると、表示面側から見た基台の最下面2aが、封止樹脂6から露出している。なお、図2においては説明の簡略化のため、封止樹脂6の内部に配置されるLEDチップ1、ワイヤー5、リードフレーム4の一部、側壁3は図示していない。
【0019】
また、側壁3および基台2はリードフレーム4と同じ材料から構成されることが好ましい。形成方法としては1枚の金属板を押圧切断加工すなわちプレス形成することにより、側壁3、基台2、およびリードフレーム4を一工程で得ることができる。これにより、作業効率を大幅に向上させることができ、量産することが可能となる。金属板としては例えば銅を主成分とする合金などが挙げられる。また、側壁の形状、すなわち高さ乃至傾きは用途に応じて任意に決定することができる。例えば、側壁の高さを低く設定すれば、表面実装型LED全体としての薄型化を容易に行うことができる。
【0020】
さらに、基台の厚さ乃至形状も任意に決定することができる。例えば、図6に示すように基台24の膜厚をリードフレーム26の膜厚よりも厚く形成すれば、表示面側から見た封止樹脂の最下面28aから封止樹脂28内部に位置するリードフレーム26までの距離を容易に確保することができる。これにより、封止樹脂とリードフレームとの接触部分における強度を確保することができる。
【0021】
図3に、図1に示す表面実装型LEDを、複数の導体パターン8が形成された基板7に配置した発光装置の一例を示す。各リードフレーム4は、表示面側から見たリードフレームの最下面にて、それぞれに対応する導体パターンに半田9などにより接続される。さらに、リードフレーム4だけでなく基台2も半田などにより導体パターンに接続されることが好ましい。半田は、導電性材料であると共に熱伝導率のよい材料でもあるので、LEDチップ1から基板7への放熱性を大幅に向上せさることができる。
【0022】
また、基台2に接続される導体パターンは、各リードフレーム4に対応する導体パターンと異なる必要はなく、少なくとも一方のリードフレームに対応する導体パターンと異なっていればよい。すなわち、基台2に接続される導体パターンは、一方のリードフレームに対応する導体パターンと連続して形成されていてもよい。このように構成することにより、基台が接続される導体パターンの表面積を大きく取ることができるので、LEDチップから基板への放熱をより効率よく行うことができる。
【0023】
また、本発明においては、LEDチップは熱伝導性材料を用いて基台に配置されることが好ましい。もちろん、LEDチップをエポキシ樹脂などからなる絶縁性材料にて基台に配置することもできるが、樹脂材料のかわりにそれよりも熱伝導率のよい材料を用いるほうが好ましい。熱伝導性材料としては例えばAnSn共晶、半田などを好適に用いることができる。また、LEDチップの裏面がサファイアなどの絶縁性物質からなる場合は、LEDチップの裏面に例えばAg−Ti−Auなどからなるメタル層を形成し、LEDチップと基台との接着性を向上させることが好ましい。なお、熱伝導性材料およびメタル層はこれらに限定されないことは言うまでもない。
【0024】
また、リードフレームの形状は、図1乃至3に示すように、表示面側から見て外側に張り出した形状とすることができる。これにより、表示面側から見た基台の最下面2aと表示面側から見たリードフレームの最下面4aとを略同じ面に容易に位置させることができる。
【0025】
一方、図1乃至3においては、表示面側から見てリードフレーム4が外側に張り出した形状としたが、図5に示すように、リードフレーム20をコの字型に形成する、すなわちリードフレーム20を表示面側から見て封止樹脂の最下面に折り込むこともできる。これにより、リードフレームと基板の導体パターンとの接続面を封止樹脂22の真下に位置させることができるので、複数の表面実装型LEDを隣接して配置する際、より高密度に配置することができる。この場合、表示面側から見たリードフレームの最下面20aと基台の最下面18aが略同じ面に位置するように、封止樹脂22の裏面側にはリードフレーム20の形状に対応した凹部が予め形成されることが好ましい。
【0026】
また、本発明の表面実装型発光素子は、図4に示すように基台11が延伸部13を備えてもよい。なお、図4は延伸部13を備える発光素子を表示面側から見た概略図である。ここではリードフレーム14の長手方向に対して垂直方向に延伸部13が備えられる。また基台の延伸部13は封止樹脂16から露出した構成をとる。さらに、延伸部13は発光素子が配置される基板上に形成された導体パターンに接続されることが好ましい。ここでは、基台が延伸部13を2つ備える構成としたが、基台の延伸部13の個数は1つまたは3つ以上であってもよい。さらに延伸部は後に記載するスルーホールの導体パターンに接続することもできる。
【0027】
本発明の表面実装型発光素子は、図1〜6に示すように、LEDチップ、基台、リードフレームの一部が、1種類の共通の封止樹脂により一体に固定される所謂トランスファーモールドが施される。もちろん、例えば図7に示すように、基台30を配置するための凹部を設けた液晶ポリマーなどからなるパッケージ32に基台30を配置し凹部内にさらに透光性の封止樹脂35を充填した構成とすることもできるが、本発明の表面実装型発光素子は作業効率を考慮してトランスファーモールドとする。これにより、量産することが可能となる。
【0028】
また、封止樹脂の形状は特に限定されるものではなく、断面の表示面側が湾曲形状、あるいは平坦な直線形状などとすることができ、用途により選択することができる。
【0029】
図8に、本発明の図1に示す表面実装型LEDをスルーホール36を備える基板38に配置した発光装置の一例を示す。ここでは、基台2がスルーホール36に形成された導体パターン37を介して第1の放熱性部材39に接続された装置について説明する。スルーホール36の表示面側および裏面側近傍と側壁全域には、銅箔などからなる導体パターン37が連続して形成される。封止樹脂6から露出した基台の最下面は例えば半田などによりスルーホールの表示面側の導体パターンに接続される。さらにスルーホールの裏面側の導体パターンには例えば半田などにより第1の放熱性部材39が接続される。このように構成することにより、LEDチップ1からの熱を第1の放熱性部材39に効率よく伝える事ができる。また、ここでは第1の放熱性部材39は表面積が大きくなるように複数の凹部39aが形成されることが好ましい。これにより第1の放熱性部材39からの放熱をより効率よく行うことができる。さらに第1の放熱性部材39の近傍には例えば送風機などを設置し、空気を流動させることが好ましい。これにより第1の放熱性部材からの放熱をさらに効率よく行うことができる。また、基板38の導体パターンと第1の放熱性部材39との接触面積は、基台2の最下面と基板38の導体パターンとの接触面積よりも大きいことが好ましい。これによりLEDチップ1の熱を円滑に第1の放熱性部材39に伝えることができる。さらに、図8に示すように、スルーホールの内部は全域が半田で充填されることが好ましい。これにより、LEDチップ1の熱を効率的に第1の放熱性部材39に伝えることができる。
【0030】
図9に、本発明の図1に示す表面実装型LEDをスルーホール40を備える基板42に配置した発光装置の他の一例を示す。ここでは、LEDチップ1を配置する基台2が、スルーホール40に形成された導体パターン41および第1の放熱性部材43を介して、第2の放熱性部材44に接続された装置について説明する。図9においては第1の放熱性部材43は、それ自体で放熱を行うだけでなく、主にLEDチップ1からの熱を第2の放熱性部材44に伝える働きをする。このように構成することにより、LEDチップ1からの熱を、第1の放熱性部材43を介して、第2の放熱性部材44に効率よく伝える事ができる。ここでは、第1の放熱性部材43と第2の放熱性部材44とが固定ビスにより接続されるが、本発明においてはこれに限定されないことは言うまでもない。また、図9においては一例として、第1の放熱性部材をT字型とし、第2の放熱性部材を板状とする。また、1つの第2の放熱性部材に複数の第1の放熱性部材が接続されてもよい。これにより作業効率を向上させることができると共に、第2の放熱性部材の表面積をより大きく取ることができる。
【0031】
また、図8乃至9に示す第1の放熱性部材および第2の放熱性部材の材料は特に限定されず、放熱性すなわち熱伝導性を備えていればよい。具体的には銅、アルミなどの金属あるいは銅、アルミなどを主成分とする合金などが挙げられる。さらに図8乃至9に示す第1の放熱性部材および第2の放熱性部材は、説明上、基台の真下に位置しているが、これらは熱的に伝導されていればよく、必ずしも真下に位置する必要はない。
【0032】
なお、図1乃至9においては、1つの基台に1つのLEDチップが配置されるが、もちろん1つの基台に複数のLEDチップを配置してもよい。さらに、リードフレームは一対である必要はなく複数のリードフレームを備えてもよい。
【0033】
また、光散乱材、蛍光物質を含有した層をLEDチップを覆うように設けることも可能である。光散乱材、蛍光物質は特に限定されるものではないが、例えば光散乱材としては、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ケイ素などが好適に用いられる。これにより、良好な指向特性を得ることができる。さらに、蛍光物質としては、窒化物系半導体を発光層とする発光素子チップを用いる場合、セリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光物質をベースとしたものが好適に用いられる。具体的なイットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光物質としては、YAlO3:Ce、Y3Al5O12Y:Ce(YAG:Ce)や、Y4Al2O9:Ce、さらにはこれらの混合物などが挙げられる。本発明の発光素子は、放熱性に優れるので電流を大きくかけ高輝度に発光させることが比較的容易である。これにより、光散乱材、蛍光物質を効率よく機能させることができる。
【0034】
【発明の効果】
以上、説明した通り、本発明により放熱性に優れた表面実装型発光素子およびそれを用いた発光装置を提供することができる。また、本発明の表面実装型発光素子およびそれを用いた発光装置は、発光素子チップにて発生する熱が大きいほど効果を発揮することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図2に示す表面実装型発光素子のA−A’部における概略断面図である。
【図2】 本発明に係る表面実装型発光素子を裏面側から見た概略図である。
【図3】 本発明に係る発光装置の構成を示す概略断面図である。
【図4】 本発明に係る他の表面実装型発光素子の概略断面図である。
【図5】 本発明に係る他の表面実装型発光素子の概略断面図である。
【図6】 本発明に係る他の表面実装型発光素子の概略断面図である。
【図7】 本発明に係る他の表面実装型発光素子の概略断面図である。
【図8】 本発明に係る発光装置の構成を示す他の概略断面図である。
【図9】 本発明に係る発光装置の構成を示す他の概略断面図である。
【図10】 従来の表面実装型発光素子の構成を示す概略断面図である。
【図11】 従来の表面実装型発光素子の構成を示す他の概略断面図である。
【符号の説明】
1、10、17、23、29、45、49・・・LEDチップ
2、11、18、24、30・・・基台
2a、11a、18a、24a、30a・・・基台の最下面
3、12、19、25、31・・・側壁
4、14、20、26、33、46、51・・・リードフレーム
4a、20a、26a、33a・・・リードフレームの最下面
5、15、21、27、34、47、52・・・ワイヤー
6、16、22、28、35、48、53・・・封止樹脂
7、38、42・・・基板
8、37、41・・・導体パターン
9・・・半田
13・・・基台延伸部
32、50・・・パッケージ
32a・・・パッケージ突起部
36、40・・・スルーホール
39、43・・・第1の放熱性部材
39a・・・凹部
44・・・第2の放熱性部材
Claims (21)
- 発光素子チップ1と、
前記発光素子チップ1が配置される基台2と、
前記発光素子チップ1の一対の電極と接続される一対のリードフレーム4と、
少なくとも前記発光素子チップ1、前記基台2の一部、および前記リードフレーム4の一部を覆い一体に固定する透光性の封止樹脂6と、を備え、
前記リードフレーム4は、表示面側から見て封止樹脂6から外側に張り出した形状を成しており、
前記基台2の最下面2aは、前記リードフレーム4の最下面4aと略同じ面に位置し、
前記基台2は、前記発光素子チップ1が配置される面から前記封止樹脂6内部を通り、前記発光素子チップ1が配置される面と異なる面となる最下面2aが前記透光性の封止樹脂6から露出していることを特徴とする表面実装型発光素子。 - 発光素子チップ17と、
前記発光素子チップ17が配置される基台18と、
前記発光素子チップ17の一対の電極と接続される一対のリードフレーム20と、
少なくとも前記発光素子チップ17、前記基台18の一部、および前記リードフレーム20の一部を覆い一体に固定する透光性の封止樹脂22と、を備え、
前記リードフレーム20の一端は封止樹脂6内に配置され、前記リードフレーム20の他端は表示面側から見て封止樹脂22の最下面に折り曲げられて前記封止樹脂6の真下に配置されており、
前記基台18の最下面18aは、前記リードフレーム20の最下面20aと略同じ面に位置し、
前記基台18は、前記発光素子チップ17が配置される面から前記封止樹脂22内部を通り、前記発光素子チップ17が配置される面と異なる面となる最下面18aが前記透光性の封止樹脂22から露出していることを特徴とする表面実装型発光素子。 - 前記基台の一部は、さらに封止樹脂から露出する基台延伸部を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の表面実装型発光素子。
- 発光素子チップ29と、
前記発光素子チップ29が配置される基台30と、
前記基台30が配置されるパッケージ32と、
前記発光素子チップ29の一対の電極と接続される一対のリードフレーム33と、を備え、
前記リードフレーム4は、表示面側から見てパッケージ32から外側に張り出した形状を成しており、
前記基台30の最下面30aは、前記リードフレーム33の最下面33aと略同じ面に位置し、
前記基台30は、前記発光素子チップ29が配置される面から前記パッケージ32内部を通り、前記発光素子チップ29が配置される面と異なる面となる最下面30aが前記パッケージ32から露出していることを特徴とする表面実装型発光素子。 - 発光素子チップ29と、
前記発光素子チップ29が基台30に配置され、前記発光素子チップ29の一の電極と接続される前記基台30を有する第1のリードフレーム33と、
前記発光素子チップ29の他の電極と接続される第2のリードフレーム33と、
少なくとも前記基台30及び前記第1のリードフレーム33の一部、第2のリードフレーム33の一部を覆い一体に固定するパッケージ32と、を備え、
前記第1のリードフレーム33及び前記第2のリードフレーム33は、表示面側から見てパッケージ32から外側に張り出した形状を成しており、
前記基台30の最下面30aは、前記基台30の最下面30aを除く前記第1のリードフレーム33の最下面33aと略同じ面に位置し、
前記基台30は、前記発光素子チップ29が配置される面から前記パッケージ32内部を通り、前記発光素子チップ29が配置される面と異なる面となる最下面30aが前記パッケージ32から露出していることを特徴とする表面実装型発光素子。 - 前記基台の一部は、さらにパッケージから露出する基台延伸部を有することを特徴とする請求項4又は5に記載の表面実装型発光素子。
- 前記パッケージは、表示面側に側壁を備えていることを特徴とする請求項4又は5に記載の表面実装型発光素子。
- 前記表面実装型発光素子は、前記パッケージの表示面側の側壁と基台とで囲まれた部分に封止樹脂を備えていることを特徴とする請求項4又は5に記載の表面実装型発光素子。
- 前記基台の膜厚は、前記リードフレームの膜厚よりも厚いことを特徴とする請求項1、2、4又は5のいずれかに記載の表面実装型発光素子。
- 前記発光素子チップの一対の電極は、それぞれワイヤーを介して一対のリードフレーム4と接続されていることを特徴とする請求項1、2又は4のいずれかに記載の表面実装型発光素子。
- 前記基台は、周囲に側壁を備えることを特徴とする請求項1、2、4又は5のいずれかに記載の表面実装型発光素子。
- 前記基台は、開口方向に拡がっていることを特徴とする請求項1、2、4又は5のいずれかに記載の表面実装型発光素子。
- 前記基台の底面の膜厚は、前記基台の側壁の膜厚よりも厚いことを特徴とする請求項1、2、4又は5のいずれかに記載の表面実装型発光素子。
- 前記発光素子チップは、熱伝導性材料を介して前記基台に配置されることを特徴とする請求項1、2、4又は5のいずれかに記載の表面実装型発光素子。
- 前記一対のリードフレームの一方は、前記基台から連続していることを特徴とする請求項1、2又は4のいずれかに記載の表面実装型発光素子。
- 前記封止樹脂は、断面の表示面側が湾曲形状を形成していることを特徴とする請求項1、2又は8のいずれかに記載の表面実装型発光素子。
- 発光素子チップ29が配置されるための基台30と、
前記基台30が配置されるパッケージ32と、
前記発光素子チップ29の一対の電極と接続される一対のリードフレーム33と、を備え、
前記リードフレーム4は、表示面側から見て外側に張り出した形状を成しており、
前記基台30の最下面30aは、前記リードフレーム33の最下面33aと略同じ面に位置し、
前記基台30は、前記発光素子チップ29が配置される面から前記パッケージ32内部を通り、前記発光素子チップ29が配置される面と異なる面となる最下面30aが前記パッケージ32から露出していることを特徴とする表面実装型パッケージ。 - 発光素子チップ29が基台30に配置され、前記発光素子チップ29の一の電極と接続される前記基台30を有する第1のリードフレーム33と、
前記発光素子チップ29の他の電極と接続される第2のリードフレーム33と、
少なくとも前記基台30及び前記第1のリードフレーム33の一部、第2のリードフレーム33の一部を覆い一体に固定するパッケージ32と、を備え、
前記第1のリードフレーム33及び前記第2のリードフレーム33は、表示面側から見て外側に張り出した形状を成しており、
前記基台30の最下面30aは、前記基台30の最下面30aを除く前記第1のリードフレーム33の最下面33aと略同じ面に位置し、
前記基台30は、前記発光素子チップ29が配置される面から前記パッケージ32内部を通り、前記発光素子チップ29が配置される面と異なる面となる最下面30aが前記パッケージ32から露出していることを特徴とする表面実装型パッケージ。 - 請求項1乃至16のいずれかに記載の表面実装型発光素子が、複数の導体パターンを有する基板上に配置され、
前記複数の導体パターンの上面は、略同一平面を成しており、
前記複数の導体パターンは、該表面実装型発光素子の基台の最下面に接続される導体パターンとリードフレームに対応する導体パターンとを有し、
前記基台の最下面は、前記導体パターンに熱伝導性材料により接続されることを特徴とする発光装置。 - 前記基板はスルーホール36を有すると共に、前記スルーホールは表示面側から裏面側まで連続的に形成された導体パターン37を備え、
前記基台の最下面は、前記スルーホールの表示面側に位置する導体パターンに接続され、さらに前記スルーホールの裏面側に位置する導体パターンに第1の放熱性部材39が接続されることを特徴とする請求項19に記載の発光装置。 - 前記第1の放熱部材には、第2の放熱性部材が接続されていることを特徴とする請求項20に記載の発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001050887A JP3736366B2 (ja) | 2001-02-26 | 2001-02-26 | 表面実装型発光素子およびそれを用いた発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001050887A JP3736366B2 (ja) | 2001-02-26 | 2001-02-26 | 表面実装型発光素子およびそれを用いた発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002252373A JP2002252373A (ja) | 2002-09-06 |
| JP3736366B2 true JP3736366B2 (ja) | 2006-01-18 |
Family
ID=18911777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001050887A Expired - Fee Related JP3736366B2 (ja) | 2001-02-26 | 2001-02-26 | 表面実装型発光素子およびそれを用いた発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3736366B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106876376A (zh) * | 2011-06-29 | 2017-06-20 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件封装件及包括其的光单元 |
Families Citing this family (51)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004146815A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-05-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光素子 |
| EP1548905A4 (en) * | 2002-09-30 | 2006-08-09 | Sanyo Electric Co | LIGHT-EMITTING ITEM |
| JP2004265986A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Citizen Electronics Co Ltd | 高輝度発光素子及びそれを用いた発光装置及び高輝度発光素子の製造方法 |
| CN100587560C (zh) | 2003-04-01 | 2010-02-03 | 夏普株式会社 | 发光装置用组件、发光装置、背侧光照射装置、显示装置 |
| JP4360858B2 (ja) * | 2003-07-29 | 2009-11-11 | シチズン電子株式会社 | 表面実装型led及びそれを用いた発光装置 |
| JP4359195B2 (ja) | 2004-06-11 | 2009-11-04 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット |
| JP2006005290A (ja) | 2004-06-21 | 2006-01-05 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
| JP5192811B2 (ja) | 2004-09-10 | 2013-05-08 | ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド | 多重モールド樹脂を有する発光ダイオードパッケージ |
| KR100678848B1 (ko) | 2004-10-07 | 2007-02-06 | 서울반도체 주식회사 | 힛트 싱크를 갖는 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
| CN100403565C (zh) | 2004-09-16 | 2008-07-16 | 日立Aic株式会社 | Led器件 |
| TWI405349B (zh) | 2004-10-07 | 2013-08-11 | 首爾半導體股份有限公司 | 側照明透鏡以及使用此透鏡的發光元件 |
| JP2006120833A (ja) * | 2004-10-21 | 2006-05-11 | Harvatek Corp | 電気光学半導体のパッケージ構造 |
| JP4608294B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2011-01-12 | 日亜化学工業株式会社 | 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法 |
| KR100600856B1 (ko) | 2004-12-16 | 2006-07-18 | 알티전자 주식회사 | 고출력 발광 다이오드 패키지용 리드프레임 및 그 제조방법 |
| CN100421269C (zh) * | 2005-06-03 | 2008-09-24 | 邢陈震仑 | 一种低热阻的发光二极管封装装置 |
| JP2007027535A (ja) * | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Stanley Electric Co Ltd | 光半導体装置 |
| JP4739851B2 (ja) | 2005-07-29 | 2011-08-03 | スタンレー電気株式会社 | 表面実装型半導体装置 |
| KR100632003B1 (ko) * | 2005-08-08 | 2006-10-09 | 삼성전기주식회사 | 열전달부에 오목부가 형성된 led 패키지 |
| DE102006032416A1 (de) * | 2005-09-29 | 2007-04-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Bauelement |
| KR100764380B1 (ko) | 2005-12-16 | 2007-10-08 | 삼성전기주식회사 | 슬림형 백라이트유닛 |
| JP5038623B2 (ja) | 2005-12-27 | 2012-10-03 | 株式会社東芝 | 光半導体装置およびその製造方法 |
| WO2007135707A1 (ja) | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Nichia Corporation | 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法 |
| US7960819B2 (en) * | 2006-07-13 | 2011-06-14 | Cree, Inc. | Leadframe-based packages for solid state emitting devices |
| US8044418B2 (en) | 2006-07-13 | 2011-10-25 | Cree, Inc. | Leadframe-based packages for solid state light emitting devices |
| JP4952126B2 (ja) * | 2006-08-07 | 2012-06-13 | 日立電線株式会社 | 発光ダイオードパッケージ用プリモールド部品の製造方法 |
| KR101258227B1 (ko) | 2006-08-29 | 2013-04-25 | 서울반도체 주식회사 | 발광 소자 |
| JP5380774B2 (ja) | 2006-12-28 | 2014-01-08 | 日亜化学工業株式会社 | 表面実装型側面発光装置及びその製造方法 |
| JP2008244151A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
| JP2008244350A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | ▲せん▼宗文 | 多粒の表面粘着型発光ダイオードの製造方法とその構造 |
| JP2008244200A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | ▲せん▼宗文 | 単粒の表面粘着型発光ダイオードの製造方法とその構造 |
| US20090032829A1 (en) * | 2007-07-30 | 2009-02-05 | Tong Fatt Chew | LED Light Source with Increased Thermal Conductivity |
| TWM329244U (en) * | 2007-10-01 | 2008-03-21 | Everlight Electronics Co Ltd | Light emitting diode device |
| JP2009123823A (ja) * | 2007-11-13 | 2009-06-04 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 発光素子パッケージおよびそれを実装した発光装置 |
| JP2009123824A (ja) * | 2007-11-13 | 2009-06-04 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 発光素子パッケージおよびそれを実装した発光装置 |
| KR100870950B1 (ko) * | 2007-11-19 | 2008-12-01 | 일진반도체 주식회사 | 발광다이오드 소자 및 그 제조 방법 |
| JP2009278012A (ja) * | 2008-05-16 | 2009-11-26 | Meio Kasei:Kk | Led装置用パッケージ |
| JP2010003877A (ja) * | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Panasonic Corp | リードフレームおよび光半導体パッケージおよび光半導体装置および光半導体パッケージの製造方法 |
| KR100999746B1 (ko) | 2009-02-17 | 2010-12-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 디바이스 패키지 및 그 제조방법 |
| JP2009218625A (ja) * | 2009-07-03 | 2009-09-24 | Hitachi Aic Inc | Led装置 |
| JP5195678B2 (ja) * | 2009-07-29 | 2013-05-08 | 豊田合成株式会社 | 発光装置の搭載構造及び搭載方法 |
| CN102714267B (zh) * | 2009-11-19 | 2015-05-20 | 住友化学株式会社 | 半导体用封装以及散热形引线框架 |
| KR100986380B1 (ko) | 2009-11-20 | 2010-10-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 장치 |
| JP2011165833A (ja) * | 2010-02-08 | 2011-08-25 | Toshiba Corp | Ledモジュール |
| JP5691681B2 (ja) | 2010-03-15 | 2015-04-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| CN101901863A (zh) * | 2010-05-04 | 2010-12-01 | 高安市汉唐高晶光电有限公司 | 大功率低光衰高抗静电发光二极管及其制备方法 |
| KR101701453B1 (ko) * | 2010-06-11 | 2017-02-03 | 서울반도체 주식회사 | Led 패키지 |
| JP2012074423A (ja) * | 2010-09-27 | 2012-04-12 | Panasonic Electric Works Sunx Co Ltd | Ledモジュール |
| JP2012049565A (ja) * | 2011-11-21 | 2012-03-08 | Sharp Corp | 電子装置 |
| JP5885493B2 (ja) * | 2011-12-21 | 2016-03-15 | 住友化学株式会社 | 半導体用パッケージ及び半導体発光装置 |
| CN102655201A (zh) * | 2012-05-15 | 2012-09-05 | 湖北匡通电子股份有限公司 | 一种带反射腔的smd型led支架 |
| JP6204088B2 (ja) * | 2013-07-02 | 2017-09-27 | エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 | 半導体装置 |
-
2001
- 2001-02-26 JP JP2001050887A patent/JP3736366B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106876376A (zh) * | 2011-06-29 | 2017-06-20 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件封装件及包括其的光单元 |
| CN106876376B (zh) * | 2011-06-29 | 2019-11-01 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件封装件及包括其的光单元 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002252373A (ja) | 2002-09-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3736366B2 (ja) | 表面実装型発光素子およびそれを用いた発光装置 | |
| JP5279225B2 (ja) | 発光モジュールおよびその製造方法 | |
| US7615799B2 (en) | Light-emitting diode package structure | |
| CN101051665B (zh) | 具有阳极化绝缘层的发光二极管封装及其制造方法 | |
| KR101360732B1 (ko) | 발광 다이오드 패키지 | |
| US8101966B2 (en) | Light-emitting diode lamp with low thermal resistance | |
| US7923831B2 (en) | LED-based light source having improved thermal dissipation | |
| US8067782B2 (en) | LED package and light source device using same | |
| CN102859731B (zh) | Led模块 | |
| US20060001361A1 (en) | Light-emitting diode | |
| JP4166611B2 (ja) | 発光装置用パッケージ、発光装置 | |
| US20080061314A1 (en) | Light emitting device with high heat-dissipating capability | |
| JP2004265986A (ja) | 高輝度発光素子及びそれを用いた発光装置及び高輝度発光素子の製造方法 | |
| JPWO2003030274A1 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
| JP2005050838A (ja) | 表面実装型led及びそれを用いた発光装置 | |
| JP2005158957A (ja) | 発光装置 | |
| CN103050602B (zh) | 发光装置 | |
| US8373195B2 (en) | Light-emitting diode lamp with low thermal resistance | |
| US20100301359A1 (en) | Light Emitting Diode Package Structure | |
| JPH1146018A (ja) | 表面実装型発光ダイオード | |
| JP4808550B2 (ja) | 発光ダイオード光源装置、照明装置、表示装置及び交通信号機 | |
| JP4894354B2 (ja) | 発光装置 | |
| TW201407748A (zh) | 發光二極體燈條 | |
| JP2009117124A (ja) | 光源ユニット | |
| JP2009021303A (ja) | 発光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040127 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040329 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050621 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050819 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20050824 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051004 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051017 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3736366 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091104 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091104 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091104 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101104 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101104 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111104 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111104 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121104 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121104 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131104 Year of fee payment: 8 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |