CN101051665B - 具有阳极化绝缘层的发光二极管封装及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种具有阳极化绝缘层的LED封装及其制造方法，该阳极化绝缘层增强了散热效果，从而延长了LED的寿命，并保持了高亮度和高输出。该LED封装包括：Al基底，具有反射区域；光源，安装在基底上，并电连接到图案化电极。该封装还包括：阳极化绝缘层，形成在图案化电极和基底之间；透镜，覆盖在基底的光源的上方。Al基底提供LED的优良的散热效果，从而显著地延长了LED的寿命并提高了LED的发光效率。

Description

具有阳极化绝缘层的发光二极管封装及其制造方法
本申请要求于2006年4月5日提交到韩国知识产权局的第2006-0031093号韩国专利申请的权益，该申请的公开通过引用包含于此。
技术领域
本发明涉及一种高亮度和高输出的发光二极管(LED)封装及其制造方法，该发光二极管封装采用LED作为光源。更具体地讲，本发明涉及一种LED封装及其制造方法，该LED封装具有安装在铝(Al)基底的反射区域内的光源，其中，铝基底被阳极化为具有绝缘层，从而增强了LED在发光操作过程中的散热效果，延长了LED的寿命并保持了LED的高亮度和高输出。
背景技术
通常，如图1中所示，LED作为光源的传统LED封装包括LED 215，该LED安装在基底210上并电连接到电源，用于操作并发射光。
在这种LED封装200中，LED 215根据其特性产生光，并同时散热。因此，为了保持长的寿命和良好的输出效率，将热有效地排放到外面以防止过热是关键所在。
传统LED封装200包括安装在电路基底210上的LED 215，电路基底210具有固定的图案化电极205，传统LED封装200还包括反射构件220，反射构件220的尺寸与基底210外部的尺寸大致相同，且反射构件220具有形成在其内的反射表面222。通过环氧树脂等将反射构件220一体地固定到基底210的上部。
在这种传统LED封装200中，在反射构件220内形成凹的反射表面222，从而，来自LED 215的光由反射表面222向前反射。
然而，在传统LED封装200中，基底210不是由热导率高(即，良好的散热能力)的材料例如铝(Al)制成的，因此，不能在LED 215的发光操作过程中有效地散热。
除此之外，传统LED封装200需要具有通过单独的工艺固定的反射构件220，从而妨碍了制造工艺的简化。此外，将反射构件220与基底集成在一起的工艺相当不精确会是不良品的主要原因，从而提高了装配成本。
发明内容
本发明旨在解决现有技术中的前述问题，因此，本发明的一方面是提供一种具有阳极化绝缘层的LED封装及其制造方法，所述LED封装具有LED的通过基底的优良的散热效果，从而延长了LED的寿命并提高了LED的发光效率。
本发明的另一方面是提供一种LED封装及其制造方法，该LED封装不需要单独的将反射构件键合到基底的工艺，并方便了使透镜与基底对准的工艺，从而通过简化的制造工艺降低了制造成本。
根据本发明的一方面，本发明提供了一种LED封装，该LED封装包括：Al基底，具有反射区域；光源，安装在所述基底上，并电连接到所述基底的图案化电极，所述光源包括LED；阳极化绝缘层，形成在所述图案化电极和所述基底之间；透镜，设置在所述基底的所述光源的上方；Al散热器，形成在所述LED下方，以提高散热能力。
优选地，所述基底具有设置在其反射区域内的所述光源，所述光源的所述发光二极管包括蓝色LED、红色LED和绿色LED，以发射白光。
优选地，所述基底具有与其所述反射区域相邻的电极连接槽，所述电极连接槽用引线将所述光源电连接到所述图案化电极。
优选地，所述基底具有与其所述反射区域相邻形成的透镜装配槽，所述透镜装配槽限定所述透镜部分的位置，其中，所述透镜具有在其外表面上形成的突起，所述突起装配到所述透镜装配槽内。
优选地，所述阳极化绝缘层形成在所述电极连接槽内。
根据本发明的另一方面，本发明提供了一种用于制造发光二极管封装的方法。该方法包括以下步骤：蚀刻基底的表面，以形成反射区域；对所述基底进行阳极化处理，以形成绝缘层；在所述基底上形成图案化电极；将光源安装在所述基底上，并使所述光源电连接到所述图案化电极；将透镜装配到所述基底上。
优选地，所述蚀刻基底的表面的步骤包括：与所述基底的所述反射区域相邻地形成电极连接槽，从而用引线将所述光源电连接到所述图案化电极；形成透镜装配槽，用于限定所述透镜部分在所述基底上的位置。
优选地，所述方法还包括将母基底切成多个单独的基底。
附图说明
通过以下结合附图的详细描述，本发明的上述和其它方面、特点及其它优点将更清楚地理解，在附图中：
图1是示出了根据现有技术的LED封装的分解透视图；
图2是示出了根据本发明的具有阳极化绝缘层的LED封装的分解透视图；
图3是示出了根据本发明的具有阳极化绝缘层的LED封装的俯视图；
图4是设置在根据本发明的具有阳极化绝缘层的LED封装中的透镜外部的透视图；
图5是示出了根据本发明的具有阳极化绝缘层的LED封装的剖视图；
图6是示出了根据本发明的具有阳极化绝缘层的LED封装从母基底分离的透视图；
图7是示出了根据本发明另一实施例的具有阳极化绝缘层的LED封装的俯视图；
图8是示出了沿着图7中的A-A线截取的根据本发明另一实施例的LED封装的剖视图；
图9是示出了根据本发明又一实施例的具有阳极化绝缘层的LED封装的俯视图；
图10是示出了沿着图9中的B-B线截取的根据本发明又一实施例的LED封装的剖视图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的示例性实施例。
如图2中所示，具有阳极化绝缘层的LED封装1包括由Al材料制成的基底10。基底10由成本较低且容易制造的Al材料制成。
基底10具有在其中心形成的反射区域20。反射区域20为通过蚀刻形成的凹槽。如图3中所示，反射区域20由平坦的中心反射区22和倾斜的反射区24组成，其中，平坦的中心反射区22是随后描述的安装光源30之处，即，管芯键合(die bonding)反射区，倾斜的反射区24即包围中心反射区22的反射表面。
此外，电极连接槽52和透镜装配槽54与基底10的反射区域20的倾斜的反射区24相邻地形成，其中，电极连接槽52采用引线40与光源30的LED的电极连接，透镜装配槽54限定随后描述的透镜70的位置。
电极连接槽52和透镜装配槽54以从基底10的表面凹进的形状形成，但是其深度并不是与反射区域20的倾斜的反射区24的深度一样大。优选地，电极连接槽52的深度稍微大于透镜装配槽54的深度。这种结构方便了引线40在电极连接槽52中的布置。
此外，电极连接槽52和透镜装配槽54在设置的数量上不受限制。
可根据构成光源30的LED的类型设置一个或两个电极连接槽52，另外，可设置与安装在基底10上的LED的数量相对应的多个电极连接槽52。
此外，为了容易装配透镜70，透镜装配槽54可以是任何基准槽(referencegroove)，并且在提供的数量上不受限制。
此外，图案化电极12a和12b形成在基底10上，以向光源提供能量。图案化电极12a形成在基底10的与反射区域20相邻的上表面上的位置上，图案化电极12b形成在基底10的下表面上的相对位置上。形成在基底10上表面上的图案化电极12a用于电连接构成光源30的LED，而形成在基底10下表面上的图案化电极12b用作安装在作为表面贴装器件(SMD)的另一基底(未示出)的表面上的LED封装的电连接焊盘。
此外，图案化电极12a和12b通过多个穿过基底10的通孔16相互电连接。
根据本发明的具有阳极化绝缘层的LED封装1包括：光源30，安装在基底10上，具有电连接到图案化电极12a和12b的LED；阳极化绝缘层35，形成在图案化电极12a和基底10之间以及图案化电极12b和基底10之间。
阳极化绝缘层35用来使图案化电极12a和12b与基底10绝缘，通过阳极化或阳极氧化用Al2O3对基底进行局部或部分处理来形成阳极化绝缘层35。
这种阳极化绝缘层35的热导率稍微有些低，但是绝缘能力优良。这种阳极化绝缘层35形成在图案化电极12a和基底10之间及图案化电极12b和基底10之间，从而提供光源30的发光操作所必需的能量。
同时，这种阳极化绝缘层35形成在电极连接槽52内，以与基底10电绝缘，而不形成在基底10的反射区域20中，以便不妨碍来自光源30的光反射到外面。
此外，具有阳极化绝缘层35的LED封装1包括覆盖在基底10的光源30上方的透镜70。透镜70具有上半球形状的剖面形状。如图4中所示，透镜70具有形成在其外表面上的突起72，突起72可插入到透镜装配槽54中。
这些突起72对应于透镜装配槽54。这样的突起72和透镜装配槽54使得操作者容易找到基底10上的用于附着透镜70的安装位置或基准位置。透镜70通过透明粘附树脂粘附到基底10上。
如图5中所示，粘附到如上所述的基底10上的透镜70没有设置在基底10的电极连接槽52上。由于透镜70没有设置在方才所描述的电极连接槽52上，所以引线40可放置在电极连接槽52内，透镜70没有妨碍引线40的布置。
根据本发明的具有阳极化绝缘层的LED封装1的制造方法需要以下步骤。
制造根据本发明的具有阳极化绝缘层的LED封装1的方法以蚀刻基底10的外表面开始，以形成反射区域20。
反射区域20包括安装光源30的中心反射区22和包围中心反射区22的倾斜的反射区24。形成反射区域20的步骤包括与反射区域20的倾斜的反射区24相邻地形成电极连接槽52和透镜装配槽54，电极连接槽52采用引线40与LED的电极连接，透镜装配槽54使得能够方便地设置透镜70的位置并易于透镜70的固定。
均可通过蚀刻形成这些电极连接槽52和透镜装配槽54。
接下来，对基底10进行阳极化处理，以形成绝缘层35。在这种情况下，除了在反射区域20的表面上之外，在基底10的其它表面上对基底10进行阳极化处理，从而在基底10的上下表面上形成Al2O3的绝缘层35。
具体地讲，绝缘层35形成在电极连接槽52和透镜装配槽54内，以确保图案化电极12a、12b与光源30之间的电连接。
然后，在基底10上形成图案化电极12a和12b。根据构成光源30的LED的类型是水平型还是竖直型，使电极12a和12b图案化在基底10上，其中，水平型LED是LED具有两个从其上表面连接到引线40的电极，竖直型LED是LED具有从其上表面连接到引线的上电极和位于其下面的下电极。
在如上所述形成图案化电极12a和12b之后，在基底10上安装光源30并使其电连接到图案化电极12a和12b。
这一步是用来建立经由引线40的电连接。
在光源30与图案化电极12a和12b电连接之后，将透镜70装配到基底10上。在这一步中，将透明粘附树脂涂敷在基底10的反射区域20上，然后使透镜70附着到基底10上。
在这一步中，将形成在透镜70外圆周表面上的突起72与设置在基底10内的透镜装配槽54对准，并利用粘附树脂使透镜70容易地附着到基底10上。
在本发明中，能够单独地制造基底10和透镜70中的每一个，但可选择地，如图6中所示，可由一个大的母基底80切成基底10。
即，在将大的母基底80划分成多个基底10之后，对各个基底10执行以上步骤，然后再分别将多个透镜70附着到基底10上。然后，将具有透镜70的基底10切成单个的根据本发明的LED封装1。
利用这种母基底80同时制造多个LED封装1的工艺在本领域中是公知的，因此不再提供进一步的解释。
在根据本发明的通过上述步骤制造的具有阳极化绝缘层的LED封装1中，基底10由Al材料制成。这种Al基底10具有优良的热导率，使得能够获得在LED发光过程中产生的热被良好地散发的效果。
此外，由于通过蚀刻在基底10中形成反射区域20，并且透镜70容易地附着到基底10上，所以简化了制造工艺，而获得了低成本的LED封装。
图7和图8示出了根据本发明另一实施例的具有阳极化绝缘层的LED封装1`。
如图8中所示，根据本发明的采用阳极化绝缘层的LED封装1`的构造和技术构思与参照图2至图6在前描述的LED封装1的构造和技术构思相似。因此，相同的标号将用来指代相同的组件，并紧挨着各个标号加单撇`。
图7和图8中示出的采用阳极化绝缘层的LED封装1`包括作为光源30`的多个LED，即，蓝色LED、红色LED和绿色LED，以发射白光。
通过阳极化绝缘层35`使LED绝缘，并通过引线40`使LED电连接到图案化电极12a`和12b`的正(+)电端子或负(-)电端子。
此外，LED封装1`还包括Al散热器65`，Al散热器65`位于LED的下方用作散热块(heat slug)，以产生优良的散热效果。用作散热块的Al散热器65`被阳极化绝缘层35`包围，以形成与基底10`的其它部件的电绝缘。由具有优良热导率的Al材料制成的Al散热器65`可实现良好的散热效果。
此外，LED封装1`还具有形成在电极连接槽52`和透镜装配槽54`内的绝缘层35`，以便确保图案化电极12a`和12b`与光源30`之间的电连接。
图9和图10示出了根据本发明又一实施例的具有阳极化绝缘层的LED封装1``。
这种结构与参照图2至图6的LED封装1的结构相似，并且基于相同的技术构思。因此，相同的标号用来指代相同的组件，并紧挨着各个标号加双撇``。
如图9和图10中所示，根据本发明的具有阳极化绝缘层的LED封装1``包括多个LED，即，蓝色LED、红色LED和绿色LED，以发射白光。通过基底10``上的阳极化绝缘层35``使LED绝缘，并通过引线40``使LED电连接到图案化电极12a``和12b``的正(+)电端子或负(-)电端子。
LED封装1``还包括Al散热器65``，Al散热器65``形成在多个LED的下方，以获得优良的散热效果。用作散热块部分的Al散热器65``由热导率优良的Al材料制成，从而实现了LED的良好的散热效果。
此外，LED封装1``还具有形成在电极连接槽52``和透镜装配槽54``内的绝缘层35``，以确保图案化电极12a``和12b``与光源30``之间的电连接。
根据上面阐述的本发明，基底由Al材料制成，以实现LED的优良的散热效果，从而延长了LED的寿命并提高了LED的发光效率。
此外，由于反射区域在基底内凹进，所以不需要像现有技术一样键合单独的反射构件，从而简化了制造工艺。
另外，透镜具有装配到透镜装配槽中的突起，其中，透镜装配槽设置在基底内，从而易于确定透镜的安装位置。这样能够使透镜与基底容易对准，从而降低了制造成本。
虽然已经结合示例性实施例示出和描述了本发明，但是对于本领域的技术人员清楚的是，在不脱离由权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，可以进行修改和变化。

Claims (4)

1.一种发光二极管封装，包括：
A1基底，具有反射区域；
阳极化绝缘层，形成在图案化电极和所述基底之间；
光源，位于所述反射区域中，并电连接到所述基底的图案化电极，所述光源包括发光二极管；
A1散热器，形成在所述发光二极管的下方，以提高散热能力；
透镜，设置在所述基底的所述光源的上方，
其中，所述基底具有与其所述反射区域相邻形成的透镜装配槽，所述透镜装配槽限定所述透镜部分的位置，其中，所述透镜具有在其外表面上形成的突起，所述突起装配到所述透镜装配槽内，
其中，除了在所述反射区域的表面上以不妨碍来自光源的光反射到外部之外，在A1基底的表面上对所述A1基底进行阳极化处理，以在所述基底的上下表面上分别形成阳极化绝缘层，
其中，所述A1散热器被所述阳极化绝缘层包围，以形成分别与所述图案化电极和所述A1基底的电绝缘。
2.根据权利要求1所述的发光二极管封装，其中，所述基底具有设置在其反射区域内的所述光源，所述光源的所述发光二极管包括蓝色发光二极管、红色发光二极管和绿色发光二极管，以发射白光。
3.根据权利要求1所述的发光二极管封装，其中，所述基底具有与其所述反射区域相邻的电极连接槽，所述电极连接槽用引线将所述光源电连接到所述图案化电极。
4.根据权利要求3所述的发光二极管封装，其中，所述阳极化绝缘层形成在所述电极连接槽内。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105518883A (zh) * 2013-09-05 2016-04-20 夏普株式会社 发光装置用基板、发光装置、以及发光装置用基板的制造方法

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5401025B2 (ja) * 2007-09-25 2014-01-29 三洋電機株式会社 発光モジュールおよびその製造方法
WO2009041767A2 (en) * 2007-09-28 2009-04-02 Seoul Semiconductor Co. Ltd. Led package and back light unit using the same
JP3142406U (ja) * 2008-03-31 2008-06-12 サンケン電気株式会社 半導体発光装置及び半導体発光ユニット
KR100939273B1 (ko) 2008-03-31 2010-01-29 성균관대학교산학협력단 양극산화를 이용한 멀티레이어 제조방법
KR100998010B1 (ko) * 2008-04-28 2010-12-03 삼성엘이디 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
TWI488329B (zh) 2008-05-15 2015-06-11 Everlight Electronics Co Ltd 線路基板與發光二極體封裝
CN102142423B (zh) * 2008-05-16 2014-11-26 亿光电子工业股份有限公司 线路基板与发光二极管封装
AT506709B1 (de) * 2008-05-30 2009-11-15 Kuster Martin Leuchtmittel
DE102008039147A1 (de) * 2008-05-30 2009-12-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul und optoelektronische Anordnung
KR101021245B1 (ko) * 2008-08-07 2011-03-11 이동규 발광다이오드 장치
JP5204618B2 (ja) * 2008-10-21 2013-06-05 電気化学工業株式会社 発光素子搭載用基板、発光素子パッケージおよび発光素子搭載用基板の製造方法
KR101114592B1 (ko) * 2009-02-17 2012-03-09 엘지이노텍 주식회사 발광 디바이스 패키지 및 그 제조방법
KR101077264B1 (ko) * 2009-02-17 2011-10-27 (주)포인트엔지니어링 광소자용 기판, 이를 갖는 광소자 패키지 및 이의 제조 방법
KR101092063B1 (ko) * 2009-04-28 2011-12-12 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
WO2011034259A1 (ko) 2009-09-17 2011-03-24 포인트엔지니어링 광소자 기판, 광소자 디바이스 및 그 제조 방법
WO2011034304A2 (ko) * 2009-09-17 2011-03-24 주식회사 포인트 엔지니어링 광소자 기판, 광소자 디바이스 및 그 제조 방법
TWI416771B (zh) * 2009-10-01 2013-11-21 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體
KR101022485B1 (ko) * 2009-10-20 2011-03-15 (주)브이엘시스템 히트파이프 모듈을 이용한 엘이디 조명장치의 방열구조
KR101053835B1 (ko) 2010-04-29 2011-08-03 에스티플렉스 주식회사 엘이디 방열처리구조
EP2557593A1 (en) * 2010-04-30 2013-02-13 Wavenics, Inc. Integrated-terminal-type metal base package module and a method for packaging an integrated terminal for a metal base package module
KR101662038B1 (ko) * 2010-05-07 2016-10-05 삼성전자 주식회사 칩 패키지
WO2011155783A1 (ko) * 2010-06-11 2011-12-15 (주)브이엘시스템 히트파이프 모듈을 이용한 엘이디 조명장치의 방열구조
KR101114197B1 (ko) * 2010-08-09 2012-02-22 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
CN102447034B (zh) * 2010-09-30 2014-05-07 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
KR101081216B1 (ko) 2011-03-09 2011-11-07 박상훈 엘이디 패키지용 탈부착 렌즈
KR20130016457A (ko) * 2011-04-28 2013-02-15 주식회사 이넥트론 나노 다이아몬드 함침 고 방열성 메탈기판의 절연층 형성방법
USD700584S1 (en) * 2011-07-06 2014-03-04 Cree, Inc. LED component
FR2984679B1 (fr) * 2011-12-15 2015-03-06 Valeo Sys Controle Moteur Sas Liaison thermiquement conductrice et electriquement isolante entre au moins un composant electronique et un radiateur en tout ou partie metallique
CN102629658A (zh) * 2011-12-22 2012-08-08 南宁市明锐电子科技有限公司 大功率led反光杯散热器
KR101516358B1 (ko) * 2012-03-06 2015-05-04 삼성전자주식회사 발광 장치
CN103378252B (zh) 2012-04-16 2016-01-06 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管模组
KR101975190B1 (ko) * 2013-06-28 2019-05-07 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 패키지
KR101501019B1 (ko) * 2013-12-11 2015-03-12 주식회사 루멘스홀딩스 얼라인 마크를 갖는 기판 장치 및 발광 소자 패키지
KR101668353B1 (ko) * 2014-11-03 2016-10-21 (주)포인트엔지니어링 칩 기판 및 칩 패키지 모듈
CN104409620A (zh) * 2014-12-17 2015-03-11 木林森股份有限公司 一种小尺寸led灯珠组及灯珠
CN104409451A (zh) * 2014-12-17 2015-03-11 木林森股份有限公司 一种小尺寸led灯珠的支架组及支架
US10429509B2 (en) * 2014-12-24 2019-10-01 Stmicroelectronics Pte Ltd. Molded proximity sensor
KR102212340B1 (ko) * 2015-01-02 2021-02-05 (주)포인트엔지니어링 렌즈 삽입부 내에 접합 홈을 구비하는 칩 기판
US20160307881A1 (en) * 2015-04-20 2016-10-20 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Optical sensor module and method for manufacturing the same
CN110890353B (zh) * 2015-09-08 2023-12-26 首尔伟傲世有限公司 发光二极管封装件
CN206522751U (zh) * 2016-06-30 2017-09-26 欧普照明股份有限公司 绝缘组件、led线路板、led模组及led照明灯具
CN111446353A (zh) * 2019-01-16 2020-07-24 株式会社辉元 陶瓷发光二极管封装及其制造方法
CN111379981A (zh) * 2020-04-28 2020-07-07 东莞市索菲电子科技有限公司 聚光型高显色指数高亮度贴片led
JP2022122494A (ja) * 2021-02-10 2022-08-23 キオクシア株式会社 陽極化成装置及び陽極化成方法
KR102512957B1 (ko) * 2022-06-08 2023-03-23 주식회사 비에스테크닉스 조립형 led 블록체 및 그 제조방법

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1187227A3 (de) * 1989-05-31 2002-08-28 Osram Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG Oberflächenmontierbares Opto-Bauelement und Verfahren zum Herstellen desselben
US5631190A (en) * 1994-10-07 1997-05-20 Cree Research, Inc. Method for producing high efficiency light-emitting diodes and resulting diode structures
US6204523B1 (en) * 1998-11-06 2001-03-20 Lumileds Lighting, U.S., Llc High stability optical encapsulation and packaging for light-emitting diodes in the green, blue, and near UV range
US6480389B1 (en) * 2002-01-04 2002-11-12 Opto Tech Corporation Heat dissipation structure for solid-state light emitting device package
CA2754097C (en) 2002-01-28 2013-12-10 Nichia Corporation Nitride semiconductor device having support substrate and its manufacturing method
US7429757B2 (en) * 2002-06-19 2008-09-30 Sanken Electric Co., Ltd. Semiconductor light emitting device capable of increasing its brightness
KR100567559B1 (ko) 2002-07-25 2006-04-05 마츠시다 덴코 가부시키가이샤 광전소자부품
JP4241184B2 (ja) * 2002-07-25 2009-03-18 パナソニック電工株式会社 光電素子部品
US7170151B2 (en) * 2003-01-16 2007-01-30 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Accurate alignment of an LED assembly
JP4281363B2 (ja) * 2003-01-20 2009-06-17 パナソニック電工株式会社 配線板及び発光装置
CN2613054Y (zh) * 2003-03-12 2004-04-21 兴华电子工业股份有限公司 发光二极管晶片的基板构造
KR20040092512A (ko) * 2003-04-24 2004-11-04 (주)그래픽테크노재팬 방열 기능을 갖는 반사판이 구비된 반도체 발광장치
WO2004102685A1 (en) * 2003-05-14 2004-11-25 Nano Packaging Technology, Inc. Light emitting device, package structure thereof and manufacturing method thereof
JP2005064047A (ja) 2003-08-13 2005-03-10 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
US7183587B2 (en) * 2003-09-09 2007-02-27 Cree, Inc. Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices
KR100555174B1 (ko) * 2003-09-29 2006-03-03 바이오닉스(주) 고출력 엘이디패키지 제작방법 및 이를 이용한 고출력엘이디패키지
JP2005175048A (ja) * 2003-12-09 2005-06-30 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光装置
CN1684278A (zh) 2004-04-15 2005-10-19 联欣光电股份有限公司 一种发光二极管的封装结构及其封装方法
JP2006012868A (ja) * 2004-06-22 2006-01-12 Toshiba Corp 半導体発光素子用パッケージおよびそれを用いた半導体発光装置
JP2006049442A (ja) * 2004-08-02 2006-02-16 Sharp Corp 半導体発光装置およびその製造方法
JP2006060070A (ja) * 2004-08-20 2006-03-02 Kyoritsu Elex Co Ltd 発光ダイオード用パッケージ及び発光ダイオード並びに発光ダイオード用パッケージの製造方法
JP4593201B2 (ja) * 2004-08-20 2010-12-08 日立化成工業株式会社 チップ部品型発光装置及びそのための配線基板
CN100380694C (zh) * 2004-12-10 2008-04-09 北京大学 一种倒装led芯片的封装方法
US20060124953A1 (en) * 2004-12-14 2006-06-15 Negley Gerald H Semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and cover plates, and methods of packaging same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105518883A (zh) * 2013-09-05 2016-04-20 夏普株式会社 发光装置用基板、发光装置、以及发光装置用基板的制造方法
US10167566B2 (en) 2013-09-05 2019-01-01 Sharp Kabushiki Kaisha Substrate for light emitting device, light emitting device, and method for manufacturing substrate for light emitting device

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