JP3142406U - 半導体発光装置及び半導体発光ユニット - Google Patents

半導体発光装置及び半導体発光ユニット Download PDF

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Abstract

【課題】実装面積の低減及び半導体発光装置の間の非発光部分の低減を可能とした半導体発光ユニットを提供する。
【解決手段】半導体発光ユニットは外囲体の側面から導出された複数のリード端子と、外囲体の上面に形成された窪み部と窪み部内に配置された半導体発光素子とを有し、外囲体は上面から見て外郭の各辺の延長線同士が交わる角部に切り欠け部が形成されており、切り欠け部からリード端子が導出されている第1の半導体発光装置と第2の半導体発光装置とを備え、第1の半導体発光装置と第2の半導体発光装置とは、それぞれの外囲体の第1の辺が近接するように配置されており、第1の半導体発光装置の外囲体の第1の辺の延長部分にある切り欠け部から導出されたリード端子と、第2の半導体発光装置の外囲体の第1の辺の延長部分にある切り欠け部から導出されたリード端子とが同一の電極に接続されるように並列して配置されていることを特徴とする。
【選択図】図1

Description

本考案は半導体発光装置及びそれを並列に配置させた半導体発光ユニットに関し、特に面実装型の半導体発光装置及びそれを並列に配置させた半導体発光ユニットに関する。
図5に示すように、凹状に形成されたカップ部(窪み部)11を有するベース部(外囲体)12の底面、即ちカップ部11の底面上に半導体発光素子13を設け、さらにカップ部11に樹脂14が充填され、半導体発光素子13に設けられた電極と電気的に接続させたリード端子15がベース部12の外部に導出されている半導体発光装置は、例えば特許文献1により公知の技術である。このような構造の半導体発光装置は、図示のように、リード端子15が略方形状の平面形状を有するベース部12の一対の対向する辺から導出されている。
特開平8−306962号公報
しかし、上記の半導体発光装置では、リード端子15がベース部12から離間した方向に導出されているため、実装面積が大きくなるという問題を有していた。近年、この種の半導体発光装置を複数個並列配置し、液晶TVなどのバックライト用の光源として利用されている。このような場合、実装面積の増大は大きな問題となる。また、リード端子15が導出されている方向に複数個並列配置すると、上記の実装面積の増大という問題に加えて隣り合う半導体発光装置の間に非発光部分が生じるという問題が起きる。このため、複数個並列配置する場合には、リード端子15が導出されている方向に配置することとなり、半導体発光装置の配置方向に制約があった。
上記課題を解決する本考案の半導体発光装置は、外囲体と、外囲体の側面から導出された複数のリード端子と、外囲体の上面に形成された窪み部と、窪み部内に配置された半導体発光素子とを有し、外囲体は上面から見て外郭の各辺の延長線同士が交わる角部に切り欠け部を有し、この切り欠け部からリード端子が導出されていることを特徴とする。
また、上記課題を解決する本考案の半導体発光ユニットは、外囲体の側面から導出された複数のリード端子と、外囲体の上面に形成された窪み部と、窪み部内に配置された半導体発光素子とを有し、外囲体は上面から見て外郭の各辺の延長線同士が交わる角部に切り欠け部が形成されており、切り欠け部からリード端子が導出されている第1の半導体発光装置と第2の半導体発光装置とを備え、第1の半導体発光装置と第2の半導体発光装置とは、それぞれの外囲体の第1の辺が近接するように配置されており、第1の半導体発光装置の外囲体の第1の辺の延長部分にある切り欠け部から導出されたリード端子と、第2の半導体発光装置の外囲体の第1の辺の延長部分にある切り欠け部から導出されたリード端子とが同一の電極に接続されるように並列して配置されていることを特徴とする。
本考案の半導体発光装置においては、外囲体の角部に切り欠け部を有し、この切り欠け部からリード端子が導出されている。このため、リード端子を外囲体の各辺から外側まで導出させることなく、リード端子を回路基板の電極等に接続することができる。このため、従来よりも少ないスペースで実装する事ができる。また、外囲体の角部に設けられた切り欠け部からリード端子を導出したことで、複数の半導体発光装置を並列して配置したときに、隣り合うリード端子を共通の電極に接続することができ、実装面積を小さくすることができる。また、隣り合う半導体発光装置の間に非発光部分が生じ難い。
本考案の実施形態における半導体発光装置を図1乃至図4で示す。
図1の半導体発光装置は、外囲体1と、外囲体1の側面から導出された複数のリード端子4と、外囲体1の上面に形成された窪み部3と、窪み部3内に配置された半導体発光素子2とを有している。また、外囲体1は、本考案に基づいて、上面から見て外郭の各辺の延長線同士が交わる角部に切り欠け部6を有し、この切り欠け部6からリード端子4が導出されている。
また、本実施形態の半導体発光装置は、図2に示すように金属体5を有している。金属体5は、例えば周知のリードフレームから形成されており、半導体発光素子2が搭載される凹状の第1の部分5aと、この第1の部分5aの4箇所から外側に帯状に延伸する第2の部分5bとを有している。
第1の部分5aは、その上面に半導体発光素子2が半田7などの導電性接着材を介して固着されている。第1の部分5aは、半導体発光素子2の固着された板状の底面と、この底面を環状に包囲する側壁部とを有している。第1の部分5aは、上面から見て円形又は略方形状の平面形状を有している。また、側壁部は上方(開口部側)に向かって末広がりとなるように傾斜しており、半導体発光素子2から出射された光を反射して上方に導く周知のリフレクタとして機能する。
金属体5の第2の部分5bは側壁部の上端に隣接して配置されており、一対の第2の部分5bの端部は側壁部の上端に連結されており、他の一対の第2の部分5bの端部は側壁部の上端から離間して配置されている。第2の部分5bは、図示のように側壁部の上端から外側に延伸し、第1の部分5a側に向かって下側に偏移した後に外囲体1の外側に導出されている。側壁部に連結されていない第2の部分5bには、図3に示すように一端が半導体発光素子2の上面電極に接続されたワイヤ8の他端が接続されている。この第2の部分は、外囲体1の外側に導出されてリード端子4を構成する。
なお、半導体発光ダイオードの土台(基体)となる部分がシリコンやSiC等の導電性基板でなくサファイアなどの非導電性の基板で形成した場合には、半導体発光素子2の上面に複数の電極が配設されることとなる。この場合、全ての第2の部分5bを金属体5の第1の部分5aから離間させ、ワイヤを介して半導体発光素子2の上面の電極と金属体の第2の部分5bを電気的に接続しても良い。
外囲体1の上面に形成された窪み部3には、光透過性を有する樹脂9が形成されている。この樹脂9は、金属体5の凹状の第1の部分5a内に充填され、第1の部分5aに固着された半導体発光素子2を被覆している。樹脂は耐熱性と透過性を兼ね備えた素材にて構成されることが望ましく、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂はこの面において好適な素材である。なお、樹脂内に半導体発光素子2から出射する光の波長を変換する蛍光体や光の散乱材を含ませても良い。
半導体発光素子2はガリウム砒素(GaAs)、ガリウム燐(GaP)、ガリウムアルミニウム砒素(GaAlAs)、アルミニウムガリウムインジウム燐(AlGaInP)、窒化ガリウム(GaN)などのガリウム系化合物半導体チップである。なお、本実施形態では、金属体5の第1の部分5aに半導体発光素子2が1個のみ固着されているが、複数の半導体発光素子2が固着されていても良い。また、半導体発光素子2は青色以外のチップであっても良い。
外囲体1は透明ではない樹脂で形成され、例えば白色粉末を配合した液晶ポリマーなどで形成される事が望ましい。外囲体1の切り欠け部6は、外囲体1の内側(カップ部3側)に向かって円弧状に切除されて形成されている。本実施形態の半導体発光装置においては、リード端子4を切り欠け部6の側面より露出させることで、より少ないスペースで半導体発光装置を実装する事ができる。
図4には、本考案の実施形態における半導体発光ユニットを示す。本考案の実施形態における半導体発光ユニットは、前述した半導体発光装置がそのリード端子4を互いに対向するように並べて配置されたものである。なお、上述した半導体発光装置と実質的に同一の部分には、同じ符号を付してその詳細な説明は省略する。
外囲体1の対角線上の角部には円弧の形状に切除されてなる切り欠け部6が形成されており、この切り欠け部6からリード端子4が露出されている。複数の半導体発光装置は、X軸方向とこれに対向するY軸方向とに隣接して配置されており、これにより平面光源が形成されている。隣り合う半導体発光装置は、それぞれの外囲体1の辺が近接するように配置されており、この互いに近接して配置された辺の延長部分にある切り欠け部6から導出されたリード端子4が同一の電極7に接続されている。
即ち、第1の半導体発光装置の外囲体1の辺1aは、第1の半導体発光装置とX軸方向に並列して配置された第2の半導体発光装置の外囲体1の辺1bと隣接して配置されており、第1の半導体発光装置の辺1aの延長部分に形成された切り欠け部6から導出されたリード端子4と第2の半導体発光装置の辺1bの延長部分に形成された切り欠け部6から導出されたリード端子4とが同一の電極7に接続されている。
また、第1の半導体発光装置の外囲体1の辺1cは、第1の半導体発光装置とY軸方向に並列して配置された第3の半導体発光装置の外囲体1の辺1dと隣接して配置されており、第1の半導体発光装置の辺1cの延長部分に形成された切り欠け部6から導出されたリード端子4と第3の半導体発光装置の辺1dの延長部分に形成された切り欠け部6から導出されたリード端子4とが同一の電極7に接続されている。
本実施形態の半導体発光ユニットにおいては、リード端子4を切り欠け部6の側面より露出させることで、より少ないスペースで半導体発光装置を実装する事ができ、半導体発光装置の実装面積が減少して小型の面状光源が実現できる。また、非発光領域が減少し、小型であって輝度の向上した面状光源が実現できる。
本考案による半導体発光装置の平面図である。 本考案による半導体発光装置の図1の直線A−A´で切断した断面図である。 本考案による半導体発光装置の図1の直線B−B´で切断した断面図である。 本考案による半導体発光ユニットの平面図である。 従来の半導体発光装置の平面図である。
符号の説明
1、外囲体
2、半導体発光素子
3、窪み部
4、リード端子
5、金属体
6、切り欠け部
7、半田
8、ワイヤ
9、樹脂

Claims (4)

  1. 外囲体と、該外囲体の側面から導出された複数のリード端子と、前記外囲体の上面に形成された窪み部と、該窪み部内に配置された半導体発光素子とを有する半導体発光装置において、前記外囲体は上面から見て外郭の各辺の延長線同士が交わる角部に切り欠け部を有し、前記切り欠け部から前記リード端子が導出されていることを特徴とする半導体発光装置。
  2. 外囲体と、該外囲体に被覆された金属体と、前記外囲体の側面から導出された複数のリード端子と、前記金属体上に配置された半導体発光素子とを備え、前記外囲体は前記金属体の一部を露出させる窪み部を有しており、該窪み部内に配置された半導体発光素子は光透過性樹脂によって被覆された半導体発光装置において、前記外囲体は上面から見て外郭の各辺の延長線同士が交わる角部に切り欠け部を有し、前記切り欠け部から前記リード端子が導出されていることを特徴とする半導体発光装置。
  3. 前記リード端子は、その端部が前記延長線同士の交わる角部よりも内側に配置されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体発光装置。
  4. 外囲体と、該外囲体の側面から導出された複数のリード端子と、前記外囲体の上面に形成された窪み部と、該窪み部内に配置された半導体発光素子とを有し、前記外囲体は上面から見て外郭の各辺の延長線同士が交わる角部に切り欠け部が形成されており、前記切り欠け部から前記リード端子が導出されている第1の半導体発光装置と第2の半導体発光装置とを備え、前記第1の半導体発光装置と前記第2の半導体発光装置とは、それぞれの外囲体の第1の辺が近接するように配置されており、前記第1の半導体発光装置の外囲体の第1の辺の延長部分にある切り欠け部から導出されたリード端子と、前記第2の半導体発光装置の外囲体の第1の辺の延長部分にある切り欠け部から導出されたリード端子とが同一の電極に接続されるように並列して配置されていることを特徴とする半導体発光ユニット。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010080796A (ja) * 2008-09-29 2010-04-08 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
JP2019153766A (ja) * 2018-03-01 2019-09-12 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
US10873015B2 (en) 2018-03-01 2020-12-22 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device
US20210336094A1 (en) * 2008-09-03 2021-10-28 Nichia Corporation Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120024104A (ko) * 2010-09-06 2012-03-14 서울옵토디바이스주식회사 발광 소자
USD776629S1 (en) * 2015-02-06 2017-01-17 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode
USD770988S1 (en) * 2015-02-06 2016-11-08 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2824467B2 (ja) 1995-08-31 1998-11-11 ローム株式会社 チップ形半導体発光素子
JP3618534B2 (ja) 1997-11-28 2005-02-09 同和鉱業株式会社 光通信用ランプ装置とその製造方法
JPH11176212A (ja) 1997-12-10 1999-07-02 Kyocera Corp リード端子を底面に設けた反射形led素子
JP2002223005A (ja) 2001-01-26 2002-08-09 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオード及びディスプレイ装置
JP2004207542A (ja) 2002-12-26 2004-07-22 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
JP2004311916A (ja) 2003-02-21 2004-11-04 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
KR100764432B1 (ko) * 2006-04-05 2007-10-05 삼성전기주식회사 아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지 및 그 제조방법

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210336094A1 (en) * 2008-09-03 2021-10-28 Nichia Corporation Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body
JP2010080796A (ja) * 2008-09-29 2010-04-08 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
JP2019153766A (ja) * 2018-03-01 2019-09-12 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
US10873015B2 (en) 2018-03-01 2020-12-22 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device

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Publication number Publication date
US8253159B2 (en) 2012-08-28
US20090242906A1 (en) 2009-10-01

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