JPH11176212A - リード端子を底面に設けた反射形led素子 - Google Patents

リード端子を底面に設けた反射形led素子

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JPH11176212A
JPH11176212A JP9356351A JP35635197A JPH11176212A JP H11176212 A JPH11176212 A JP H11176212A JP 9356351 A JP9356351 A JP 9356351A JP 35635197 A JP35635197 A JP 35635197A JP H11176212 A JPH11176212 A JP H11176212A
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JP
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led element
infrared
lead
light
reflective
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Application number
JP9356351A
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English (en)
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Masahiko Ishii
正彦 石井
Hideki Takada
英樹 高田
Kiyoshi Yasuda
清 安多
Hiroki Ito
裕樹 伊東
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Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
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    • HELECTRICITY
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    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

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  • Led Device Packages (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 車両認識装置などに用いる赤外照明装置を構
成する場合、y方向だけでなくx方向も高密度に配列で
き、全体の面積を変えることなく赤外照明装置の発光量
を増大させることができる反射形LED素子を提供す
る。 【解決手段】 モールド本体13の下面の4隅にリード
支持部9,10,11および12を設け、リード端子2
a,3a,4aおよび5aを突出させてある。赤外LE
D素子6から発した赤外光は凹形反射面7で反射され、
赤外透過フィルタ部8を透過して所定角度で放射され
る。モールド本体13の側面からリードフレームが突出
していないため、密接して多数並べることができ、面光
源の発光量を増大させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、赤外領域の光を発
する赤外LED素子を凹形反射板に対面して配置し、所
定の照射角になるように赤外領域の光を反射させる反射
形LED素子、さらに詳しくいえば、基板上に多数搭載
して面光源を構成することを考慮した反射形LED素子
に関する。
【0002】
【従来の技術】発光ダイオード素子が発する光を有効に
外部に放射するために素子の周辺に反射面を設けた構造
の発光ダイオード(砲弾タイプの発光ダイオードとい
う)が従来より存在する。この砲弾タイプの発光ダイオ
ードは集積率が低く、形状が大きいことから複数の素子
を使って面光源を作るには適さない。そこで、発光ダイ
オード素子の発光効率をさらに高めるために直接光を外
部には放射せず、反射光のみを外部に放射する反射形発
光ダイオードが提案されている(特開平1−20548
0)。
【0003】図5に反射形LED素子の構造を示す。リ
ードフレーム49の端部に赤外LED素子50が固着さ
れ、赤外LED素子50とリードフレーム48の間にワ
イヤボンディングが施され、リードフレーム48,49
より所定電流が供給される。赤外LED素子50の放射
面に対面して凹形反射板53が配置され、この凹形反射
板53で反射した赤外領域の光52が赤外透過フィルタ
機能を有するガラス板51を透過して前面方向(外部)
に放射されるようになっている。リードフレーム48,
49およびダミーリードフレーム44,45は、反射形
LED素子の側面から外に延出した構造となっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】図6は、図5の反射形
LED素子を基板に搭載した状態を示す図である。
(a)の側面図において、基板56には長溝54が設け
られ、その外側にリードフレーム44,45,48およ
び49を嵌入するためのスルーホール56a,56b・
・・が形成されている。反射形LED素子43を基板に
取り付けたとき、凹型反射板53が長溝54に嵌合し、
赤外LED素子50が放射する熱をこの長溝54より放
出するように構成されている。
【0005】このように基板に搭載した反射形LED素
子43が(b)に示すようにy方向に多数配列され、さ
らにx方向にも多数配列されることにより面光源が構成
される。側面リード反射形LED素子43の間には回路
パターン55が設けられ、さらにリードフレーム44,
45,48および49用のスルーホールが設けられてい
るため、反射形LED素子43のx方向の配列には、各
素子間に所定の間隔を確保しなければならない。例え
ば、横方向の長さが11.0mmの反射形LED素子4
3を並べた場合には、素子と素子との間隔を約5mm程
度確保することとなる。
【0006】そのため反射形LED素子43を基板上に
配列した場合には、y方向に高密度に配列できても、x
方向には各反射形LED素子間に間隙が生じるため、面
積を拡大することなく面光源の発光量を増大させること
はできない。本発明の課題は、車両認識装置などに用い
る赤外照明装置を構成する場合、y方向だけでなくx方
向も高密度に配列でき、全体の面積を変えることなく赤
外照明装置の発光量を増大させることができるリード端
子を底面に設けた反射形LED素子を提供することにあ
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に本発明によるリード端子を底面に設けた反射形LED
素子は、凹形反射板と、前記凹形反射板の焦点面に、発
光面が対面するように配置された1以上の赤外LED素
子と、前記凹形反射板で所定角度で反射した赤外領域の
光を透過させる赤外領域光透過フィルタ材と、先端部を
反射形LED素子の下面から突出させた、前記赤外LE
D素子に電流を供給するためのリードフレームとからな
る。本発明は上記構成において、前記凹形反射板の4隅
に、前記凹形反射板の頂点と突出量が同じか、またはそ
れ以上突出させたリード支持部を有し、前記リード支持
部より前記リードフレームの先端部を下に突出させるよ
うに構成してある。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳しく説明する。図1は、本発明によるリー
ド端子を底面に設けた反射形LED素子の実施の形態を
示す図で、(a)は内部構造を示す正面断面図,(b)
は底面図である。リードフレーム2の先端に赤外LED
素子6が搭載され、赤外LED素子6とリードフレーム
3の先端の間にはワイヤボンディングが施されている。
赤外LED素子6は、凹形反射面7の焦点面に設けられ
ている。赤外LED素子6の前面には赤外光透過フィル
タ部8が設けられ、凹形反射面7で反射した赤外光は、
赤外光透過フィルタ部8を透過して所定の角度で放射さ
れる。
【0009】凹形反射面7および赤外光透過フィルタ部
8はモールド本体13に一体に組み込まれており、モー
ルド本体13の下面の4隅にはリード支持部9,10,
11および12が形成されている。リード支持部9,1
0,11および12の高さは、凹形反射面7の頂点と同
じか、またはそれ以上となっている。各リード支持部
9,10,11および12からリード端子2a,3a,
4aおよび5aが突出している。
【0010】図2は、図1の反射形LED素子を基板に
搭載した状態を示す側面図である。反射形LED素子1
5,16および17は、密接して基板18に配列するこ
とができる。反射形LED素子15のリード端子15
a,15b・・・はスルーホール18a,18b・・・
に挿入されハンダ付けされる。リード支持部の下面が基
板18の上面に接した状態で固定される。反射形LED
素子16および17も同様に取り付けられる。凹形反射
面の頂点は基板18の上面に接するか、または離れた状
態となる。回路基板18の裏面にはリードフレームに電
流を供給するための回路パターン19が形成されてい
る。
【0011】図3は、本発明による反射形LED素子に
より構成した面光源装置の一例を示す平面図および側面
図である。基板20に反射形LED素子21を縦横に密
度高く取り付けることができる。図4は、本発明による
反射形LED素子を用いた照明装置の使用例を示す移動
体認識システム(車両認識装置)の概略図である。道路
36の上に門柱40による装置支持部42を設け、装置
支持部42の中央に高精細カメラ39が、その両側に本
発明によるリード端子を底面に設けた反射形LED素子
を搭載した反射形LED照明装置37および38がそれ
ぞれ配置されている。門柱40の下部には高精細画像処
理ボードを内蔵した旅行時間計測端末装置41が取り付
けられている。
【0012】旅行時間計測端末装置41の制御の下に、
高精細カメラ39ならびに反射形LED照明装置37お
よび38が制御され、車両35を検知すると赤外光が照
射され車両35の画像が高精細カメラ39に取り込まれ
る。この車両認識装置は旅行時間計測端末装置41によ
って通過する車両を認識し、つぎに設置されている車両
認識装置の旅行時間計測端末装置でさらに通過車両を認
識することによって、特定された車両の所要時間などの
情報を得るものである。
【0013】反射形LED照射装置は、ストロボ装置に
比較し、照射すべき範囲の指向特性のエッジは鋭く、し
かも照射範囲はフラットな配光特性を有しているので、
発光効率は良好で、所定距離離れた被写体面に対して撮
影するに十分な明るさ(輝度)を与えることができると
いう特徴を備えている。さらに極めて短い時間、例えば
1/30〜1/15秒間隔で連続して照射することがで
きるという特性を有している。このようにストロボ装置
に対し配光特性はフラットな特性を有しているが、本発
明によれば、反射形LED素子を高密度で配列できるの
で、装置の発光面の大きさを拡大することなく、さらに
発光量を増大させた良好な配光特性を有する反射形LE
D照明装置を得ることができる。高精細カメラ39には
ナンバプレートなどが識別できる画像品質で車両35の
静止画像が撮り込まれる。つぎの撮影準備は1/15〜
1/30秒間隔で行えるので、他の車両が追走してきて
も上記時間間隔以上であれば撮影可能である。
【0014】
【発明の効果】以上、説明したように本発明は、凹形反
射板と、前記凹形反射板の焦点面に、発光面が対面する
ように配置された1以上の赤外LED素子と、前記凹形
反射板で所定角度で反射した赤外領域の光を透過させる
赤外領域光透過フィルタ材と、先端部を反射形LED素
子の下面から突出させた、前記赤外LED素子に電流を
供給するためのリードフレームで構成したものである。
したがって、本発明によるリード端子を底面に設けた反
射形LED素子を複数配列して赤外照明装置を構成すれ
ば、赤外照明装置の発光面を拡大することなく、発光量
を増大させることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるリード端子を底面に設けた反射形
LED素子の実施の形態を示す図で、(a)は内部構造
を示す正面断面図,(b)は底面図である。
【図2】図1の反射形LED素子を基板に搭載した状態
を示す側面図である。
【図3】本発明による反射形LED素子により構成した
面光源装置の一例を示す平面図および側面図である。
【図4】本発明による反射形LED素子により構成した
反射形LED照明装置を用いた移動体認識システムの一
例を示す概略図である。
【図5】反射形LED素子の構造を示す図である。
【図6】図5の反射形LED素子を基板に搭載した状態
を示す図で、(a)は側面図,(b)は平面図である。
【符号の説明】
1,15,16,17,21…反射形LED素子 2,3…リードフレーム 2a,3a,4a,5a,15a,15b…リード端子 6…赤外LED素子 7…凹形反射面 8…赤外光透過フィルタ部 9,10,11,12…リード支持部 13…モールド本体 18,20,56…基板 18a,18b,18c,18d,18e,18f…孔 19,55…回路パターン 35…車両 36…道路 37,38…反射形LED照明装置 39…高精細カメラ 40…門柱 41…旅行時間計測端末装置 42…装置支持部 43…側面リード反射形LED素子 44,45…ダミーリードフレーム 48,49…リードフレーム 54…長溝
フロントページの続き (72)発明者 伊東 裕樹 長野県岡谷市長地2800番地 京セラ株式会 社長野岡谷工場内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 凹形反射板と、 前記凹形反射板の焦点面に、発光面が対面するように配
    置された1以上の赤外LED素子と、 前記凹形反射板で所定角度で反射した赤外領域の光を透
    過させる赤外領域光透過フィルタ材と、 先端部を反射形LED素子の下面から突出させた、前記
    赤外LED素子に電流を供給するためのリードフレーム
    と、 からなることを特徴とするリード端子を底面に設けた反
    射形LED素子。
  2. 【請求項2】 前記凹形反射板の4隅に、前記凹形反射
    板の頂点と突出量が同じか、またはそれ以上突出させた
    リード支持部を有し、 前記リード支持部より前記リードフレームの先端部を下
    に突出させるように構成したことを特徴とする請求項1
    記載のリード端子を底面に設けた反射形LED素子。
JP9356351A 1997-12-10 1997-12-10 リード端子を底面に設けた反射形led素子 Pending JPH11176212A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8253159B2 (en) 2008-03-31 2012-08-28 Sanken Electric Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting unit
DE102015114661A1 (de) * 2015-09-02 2017-03-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8253159B2 (en) 2008-03-31 2012-08-28 Sanken Electric Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting unit
DE102015114661A1 (de) * 2015-09-02 2017-03-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils

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