JP2002252373A - 表面実装型発光素子およびそれを用いた発光装置 - Google Patents
表面実装型発光素子およびそれを用いた発光装置Info
- Publication number
- JP2002252373A JP2002252373A JP2001050887A JP2001050887A JP2002252373A JP 2002252373 A JP2002252373 A JP 2002252373A JP 2001050887 A JP2001050887 A JP 2001050887A JP 2001050887 A JP2001050887 A JP 2001050887A JP 2002252373 A JP2002252373 A JP 2002252373A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- base
- emitting device
- lead frame
- surface side
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 35
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 32
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 claims description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000000191 radiation effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01039—Yttrium [Y]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、放熱性に優れた表面実装型発光素
子およびそれを用いた発光装置を提供することを目的と
する。 【解決手段】 本発明の表面実装型発光素子は、発光素
子チップと、発光素子チップを配置する基台と、発光素
子チップに接続されるリードフレームと、少なくとも発
光素子チップを覆うように形成された封止樹脂とを備
え、基台およびリードフレームが封止樹脂により一体に
固定される表面実装型発光素子であって、特に、表示面
側から見た基台の最下面が表示面側から見たリードフレ
ームの最下面と略同じ面に位置し、さらに表示面側から
見た基台の最下面が封止樹脂から露出していることを特
徴とする。
子およびそれを用いた発光装置を提供することを目的と
する。 【解決手段】 本発明の表面実装型発光素子は、発光素
子チップと、発光素子チップを配置する基台と、発光素
子チップに接続されるリードフレームと、少なくとも発
光素子チップを覆うように形成された封止樹脂とを備
え、基台およびリードフレームが封止樹脂により一体に
固定される表面実装型発光素子であって、特に、表示面
側から見た基台の最下面が表示面側から見たリードフレ
ームの最下面と略同じ面に位置し、さらに表示面側から
見た基台の最下面が封止樹脂から露出していることを特
徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は表面実装型発光素子
およびそれを用いた発光装置に係わり、特に放熱性を向
上させるために改良した表面実装型発光素子およびそれ
を用いた発光装置に関する。また本明細書でいう発光装
置とは、画像を表示する表示装置または照明装置などを
指す。
およびそれを用いた発光装置に係わり、特に放熱性を向
上させるために改良した表面実装型発光素子およびそれ
を用いた発光装置に関する。また本明細書でいう発光装
置とは、画像を表示する表示装置または照明装置などを
指す。
【０００２】
【従来の技術】図１０および図１１に、従来の表面実装
型発光素子の一例の概略断面図を示す。ここでは、ＬＥ
Ｄ（発光ダイオード）を発光素子とする例について説明
する。
型発光素子の一例の概略断面図を示す。ここでは、ＬＥ
Ｄ（発光ダイオード）を発光素子とする例について説明
する。
【０００３】図１０に示す従来の表面実装型発光素子
は、一方のリードフレームにＬＥＤチップ４５が配置さ
れ、ＬＥＤチップに形成された一対の電極は、それぞれ
に対応するリードフレームに金線などよりなるワイヤー
４７により接続される。さらに、ＬＥＤチップ４５、ワ
イヤー４７、およびリードフレーム４６の一部がエポキ
シ樹脂またはシリコーン樹脂などからなる封止樹脂４８
で覆われることにより表面実装型ＬＥＤが形成される。
は、一方のリードフレームにＬＥＤチップ４５が配置さ
れ、ＬＥＤチップに形成された一対の電極は、それぞれ
に対応するリードフレームに金線などよりなるワイヤー
４７により接続される。さらに、ＬＥＤチップ４５、ワ
イヤー４７、およびリードフレーム４６の一部がエポキ
シ樹脂またはシリコーン樹脂などからなる封止樹脂４８
で覆われることにより表面実装型ＬＥＤが形成される。
【０００４】また、図１１に示す従来の表面実装型発光
素子は、液晶ポリマーなどからなるパッケージ５０に、
一対のリードフレーム５１が形成され、一方のリードフ
レーム上にＬＥＤチップ４９が配置される。ＬＥＤチッ
プに形成された一対の電極は、それぞれに対応するリー
ドフレームに金線などからなるワイヤー５２により接続
される。さらに、ＬＥＤチップ４９、ワイヤー５２、お
よびリードフレーム５１の一部がエポキシ樹脂またはシ
リコーン樹脂などからなる封止樹脂５３で覆われること
により表面実装型ＬＥＤが形成される。
素子は、液晶ポリマーなどからなるパッケージ５０に、
一対のリードフレーム５１が形成され、一方のリードフ
レーム上にＬＥＤチップ４９が配置される。ＬＥＤチッ
プに形成された一対の電極は、それぞれに対応するリー
ドフレームに金線などからなるワイヤー５２により接続
される。さらに、ＬＥＤチップ４９、ワイヤー５２、お
よびリードフレーム５１の一部がエポキシ樹脂またはシ
リコーン樹脂などからなる封止樹脂５３で覆われること
により表面実装型ＬＥＤが形成される。
【０００５】図１０乃至図１１に示す従来の表面実装型
ＬＥＤは、複数の導体パターンが形成された基板に配置
され、各リードフレームがそれぞれに対応する導体パタ
ーンに半田などにより接続されることにより発光装置と
して実際に使用することができる。また、ＬＥＤチップ
をリードフレーム上に配置することにより、すなわち比
較的熱伝導率のよいリードフレームを介することによ
り、ＬＥＤチップから基板への放熱性を向上させること
ができる。
ＬＥＤは、複数の導体パターンが形成された基板に配置
され、各リードフレームがそれぞれに対応する導体パタ
ーンに半田などにより接続されることにより発光装置と
して実際に使用することができる。また、ＬＥＤチップ
をリードフレーム上に配置することにより、すなわち比
較的熱伝導率のよいリードフレームを介することによ
り、ＬＥＤチップから基板への放熱性を向上させること
ができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
表面実装型発光素子は、リードフレーム４６、５１上に
ＬＥＤチップ４５、４９を配置することにより、ＬＥＤ
チップにて発生する熱をリードフレームを介して基板に
逃がしてはいるものの、リードフレームと基板との間に
封止樹脂４８乃至パッケージ５０を介しているために、
熱を伝える経路となるリードフレームが必要以上に長く
なってしまい、その放熱効果は十分に満足できるもので
はなかった。すなわち、ＬＥＤチップから基板への放熱
性を向上させることができないために、結果的に発光素
子自体の寿命を縮めたり発光輝度を低下させてしまい、
より高い信頼性が得られないという問題があった。
表面実装型発光素子は、リードフレーム４６、５１上に
ＬＥＤチップ４５、４９を配置することにより、ＬＥＤ
チップにて発生する熱をリードフレームを介して基板に
逃がしてはいるものの、リードフレームと基板との間に
封止樹脂４８乃至パッケージ５０を介しているために、
熱を伝える経路となるリードフレームが必要以上に長く
なってしまい、その放熱効果は十分に満足できるもので
はなかった。すなわち、ＬＥＤチップから基板への放熱
性を向上させることができないために、結果的に発光素
子自体の寿命を縮めたり発光輝度を低下させてしまい、
より高い信頼性が得られないという問題があった。
【０００７】本発明は、発光素子チップと基板の間の距
離を最小限にすることにより、発光素子チップの基板へ
の放熱性を飛躍的に向上させた表面実装型発光素子およ
びそれを用いた発光装置を提供することを目的とする。
離を最小限にすることにより、発光素子チップの基板へ
の放熱性を飛躍的に向上させた表面実装型発光素子およ
びそれを用いた発光装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【発明を解決するための手段】本発明の表面実装型発光
素子は、発光素子チップと、発光素子チップを配置する
基台と、発光素子チップに接続されるリードフレーム
と、少なくとも発光素子チップを覆うように形成された
封止樹脂とを備え、基台およびリードフレームが封止樹
脂により一体に固定される表面実装型発光素子であり、
特に、表示面側から見た基台の最下面が表示面側から見
たリードフレームの最下面と略同じ面に位置し、さらに
表示面側から見た基台の最下面が封止樹脂から露出して
いることを特徴とする。このように構成することによ
り、基台を封止樹脂から露出させることができるので、
発光素子チップの放熱性を向上させることができる。
素子は、発光素子チップと、発光素子チップを配置する
基台と、発光素子チップに接続されるリードフレーム
と、少なくとも発光素子チップを覆うように形成された
封止樹脂とを備え、基台およびリードフレームが封止樹
脂により一体に固定される表面実装型発光素子であり、
特に、表示面側から見た基台の最下面が表示面側から見
たリードフレームの最下面と略同じ面に位置し、さらに
表示面側から見た基台の最下面が封止樹脂から露出して
いることを特徴とする。このように構成することによ
り、基台を封止樹脂から露出させることができるので、
発光素子チップの放熱性を向上させることができる。
【０００９】また、基台はリードフレームと同じ材料か
らなることが好ましい。このように構成することによ
り、基台およびリードフレームを一工程で形成すること
ができるので、本発明の表面実装型発光素子を比較的容
易に量産することができる。
らなることが好ましい。このように構成することによ
り、基台およびリードフレームを一工程で形成すること
ができるので、本発明の表面実装型発光素子を比較的容
易に量産することができる。
【００１０】また、基台の膜厚はリードフレームの膜厚
よりも厚くすることができる。このように構成すること
により、表示面側から見た封止樹脂の最下面から封止樹
脂内部に位置するリードフレームまでの距離を容易に確
保することができる。これにより、封止樹脂とリードフ
レームとの接触部分における強度を確保することができ
る。
よりも厚くすることができる。このように構成すること
により、表示面側から見た封止樹脂の最下面から封止樹
脂内部に位置するリードフレームまでの距離を容易に確
保することができる。これにより、封止樹脂とリードフ
レームとの接触部分における強度を確保することができ
る。
【００１１】また、基台は、周囲に側壁を備えることが
好ましい。このように構成することにより、発光素子チ
ップから出射される光を効率的に表示面側に取り出すこ
とができる。
好ましい。このように構成することにより、発光素子チ
ップから出射される光を効率的に表示面側に取り出すこ
とができる。
【００１２】また、発光素子チップは熱伝導性材料を介
して基台に配置されることが好ましい。このように構成
することにより、ＬＥＤチップにて発生した熱がより効
率よく基台に伝わり、放熱性をより向上させることがで
きる。なお、ここでいう熱伝導性材料とはエポキシ樹脂
などの絶縁性樹脂ではなく、それよりも熱伝導率のよい
材料を指す。
して基台に配置されることが好ましい。このように構成
することにより、ＬＥＤチップにて発生した熱がより効
率よく基台に伝わり、放熱性をより向上させることがで
きる。なお、ここでいう熱伝導性材料とはエポキシ樹脂
などの絶縁性樹脂ではなく、それよりも熱伝導率のよい
材料を指す。
【００１３】また、本発明の発光装置は、本発明の表面
実装型発光素子が導体パターンを有する基板上に配置さ
れ、表示面側から見た前記基台の最下面が前記導体パタ
ーンに接続されることを特徴とする。このように基台と
基板を直接接続することにより、発光素子チップで発生
した熱をより効率的に基板に逃がすことができる。
実装型発光素子が導体パターンを有する基板上に配置さ
れ、表示面側から見た前記基台の最下面が前記導体パタ
ーンに接続されることを特徴とする。このように基台と
基板を直接接続することにより、発光素子チップで発生
した熱をより効率的に基板に逃がすことができる。
【００１４】また、本発明の発光装置は第１の放熱性部
材を備え、基板がスルーホールを有すると共にスルーホ
ールが表示面側から裏面側まで連続的に形成された導体
パターンを備え、表示面側から見た前記基台の最下面が
スルーホールの表示面側に位置する導体パターンに接続
され、さらにスルーホールの裏面側に位置する導体パタ
ーンに、第１の放熱性部材を接続させることができる。
このように構成することにより、発光素子チップで発生
した熱を効率的に第１の放熱性部材に逃がすことができ
る。
材を備え、基板がスルーホールを有すると共にスルーホ
ールが表示面側から裏面側まで連続的に形成された導体
パターンを備え、表示面側から見た前記基台の最下面が
スルーホールの表示面側に位置する導体パターンに接続
され、さらにスルーホールの裏面側に位置する導体パタ
ーンに、第１の放熱性部材を接続させることができる。
このように構成することにより、発光素子チップで発生
した熱を効率的に第１の放熱性部材に逃がすことができ
る。
【００１５】また、本発明の発光装置はさらに第２の放
熱性部材を備え、第２の放熱性部材を第１の放熱性部材
に接続させることができる。このように構成することに
より、発光素子チップで発生した熱を第１の放熱性部材
を介して効率的に第２の放熱性部材に逃がすことができ
る。
熱性部材を備え、第２の放熱性部材を第１の放熱性部材
に接続させることができる。このように構成することに
より、発光素子チップで発生した熱を第１の放熱性部材
を介して効率的に第２の放熱性部材に逃がすことができ
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１に、本発明に係る図２に示す
表面実装型発光素子のＡ−Ａ’部における概略断面図を
示す。なお、図２は本発明に係る表面実装型発光素子を
裏面側からみた概略図である。ここでは、発光素子チッ
プとしてＬＥＤ（発光ダイオード）チップ１を用いた表
面実装型発光素子（表面実装型ＬＥＤ）について説明す
る。
表面実装型発光素子のＡ−Ａ’部における概略断面図を
示す。なお、図２は本発明に係る表面実装型発光素子を
裏面側からみた概略図である。ここでは、発光素子チッ
プとしてＬＥＤ（発光ダイオード）チップ１を用いた表
面実装型発光素子（表面実装型ＬＥＤ）について説明す
る。
【００１７】ＬＥＤチップ１が配置される基台２は、周
囲に側壁３を備えることができる。側壁３は基台と接触
せずに、すなわち基台と間を介して任意の位置に構成す
ることもできるが、基台に直接形成されることが好まし
い。さらに好ましくは、図１に示すように、基台２自体
が側壁３を備えた形状とするとよい。このようにするこ
とより、構成を単純化することができ、作業効率を向上
させることができる。また、ＬＥＤチップ１は同一面側
に一対の電極が形成され、各電極はそれぞれに対応する
リードフレーム４に金線などよりなるワイヤー５により
接続される。各リードフレーム４は、表示面側から見た
基台の最下面２ａと表示面側から見たリードフレームの
最下面４ａが略同じ面に位置すると共に、表示面側から
見た基台の最下面２ａが透光性の封止樹脂６から露出す
るように形成される。また、ここでは、同一面上に一対
の電極を備えるＬＥＤチップを用いたが、本発明はこれ
に限定されず、対向する両面にそれぞれ電極を備えたＬ
ＥＤチップを用いることもできる。この場合、ＬＥＤチ
ップは基台に導電性材料を介して接続されると共に、基
台は対応するどちらか一方のリードフレームと連続して
形成される。さらに、ＬＥＤチップ１、ワイヤー５、リ
ードフレーム４の一部、側壁３、および少なくとも基台
２の一部を覆うように、エポキシ樹脂乃至シリコーン樹
脂などよりなる封止樹脂６が形成される。
囲に側壁３を備えることができる。側壁３は基台と接触
せずに、すなわち基台と間を介して任意の位置に構成す
ることもできるが、基台に直接形成されることが好まし
い。さらに好ましくは、図１に示すように、基台２自体
が側壁３を備えた形状とするとよい。このようにするこ
とより、構成を単純化することができ、作業効率を向上
させることができる。また、ＬＥＤチップ１は同一面側
に一対の電極が形成され、各電極はそれぞれに対応する
リードフレーム４に金線などよりなるワイヤー５により
接続される。各リードフレーム４は、表示面側から見た
基台の最下面２ａと表示面側から見たリードフレームの
最下面４ａが略同じ面に位置すると共に、表示面側から
見た基台の最下面２ａが透光性の封止樹脂６から露出す
るように形成される。また、ここでは、同一面上に一対
の電極を備えるＬＥＤチップを用いたが、本発明はこれ
に限定されず、対向する両面にそれぞれ電極を備えたＬ
ＥＤチップを用いることもできる。この場合、ＬＥＤチ
ップは基台に導電性材料を介して接続されると共に、基
台は対応するどちらか一方のリードフレームと連続して
形成される。さらに、ＬＥＤチップ１、ワイヤー５、リ
ードフレーム４の一部、側壁３、および少なくとも基台
２の一部を覆うように、エポキシ樹脂乃至シリコーン樹
脂などよりなる封止樹脂６が形成される。
【００１８】図２に、本発明に係る表面実装型ＬＥＤを
表示面と反対の側すなわち裏面側からみた概略図を示
す。このように、裏面側から本発明に係る表面実装型発
光素子を見ると、表示面側から見た基台の最下面２ａ
が、封止樹脂６から露出している。なお、図２において
は説明の簡略化のため、封止樹脂６の内部に配置される
ＬＥＤチップ１、ワイヤー５、リードフレーム４の一
部、側壁３は図示していない。
表示面と反対の側すなわち裏面側からみた概略図を示
す。このように、裏面側から本発明に係る表面実装型発
光素子を見ると、表示面側から見た基台の最下面２ａ
が、封止樹脂６から露出している。なお、図２において
は説明の簡略化のため、封止樹脂６の内部に配置される
ＬＥＤチップ１、ワイヤー５、リードフレーム４の一
部、側壁３は図示していない。
【００１９】また、側壁３および基台２はリードフレー
ム４と同じ材料から構成されることが好ましい。形成方
法としては１枚の金属板を押圧切断加工すなわちプレス
形成することにより、側壁３、基台２、およびリードフ
レーム４を一工程で得ることができる。これにより、作
業効率を大幅に向上させることができ、量産することが
可能となる。金属板としては例えば銅を主成分とする合
金などが挙げられる。また、側壁の形状、すなわち高さ
乃至傾きは用途に応じて任意に決定することができる。
例えば、側壁の高さを低く設定すれば、表面実装型ＬＥ
Ｄ全体としての薄型化を容易に行うことができる。
ム４と同じ材料から構成されることが好ましい。形成方
法としては１枚の金属板を押圧切断加工すなわちプレス
形成することにより、側壁３、基台２、およびリードフ
レーム４を一工程で得ることができる。これにより、作
業効率を大幅に向上させることができ、量産することが
可能となる。金属板としては例えば銅を主成分とする合
金などが挙げられる。また、側壁の形状、すなわち高さ
乃至傾きは用途に応じて任意に決定することができる。
例えば、側壁の高さを低く設定すれば、表面実装型ＬＥ
Ｄ全体としての薄型化を容易に行うことができる。
【００２０】さらに、基台の厚さ乃至形状も任意に決定
することができる。例えば、図６に示すように基台２４
の膜厚をリードフレーム２６の膜厚よりも厚く形成すれ
ば、表示面側から見た封止樹脂の最下面２８ａから封止
樹脂２８内部に位置するリードフレーム２６までの距離
を容易に確保することができる。これにより、封止樹脂
とリードフレームとの接触部分における強度を確保する
ことができる。
することができる。例えば、図６に示すように基台２４
の膜厚をリードフレーム２６の膜厚よりも厚く形成すれ
ば、表示面側から見た封止樹脂の最下面２８ａから封止
樹脂２８内部に位置するリードフレーム２６までの距離
を容易に確保することができる。これにより、封止樹脂
とリードフレームとの接触部分における強度を確保する
ことができる。
【００２１】図３に、図１に示す表面実装型ＬＥＤを、
複数の導体パターン８が形成された基板７に配置した発
光装置の一例を示す。各リードフレーム４は、表示面側
から見たリードフレームの最下面にて、それぞれに対応
する導体パターンに半田９などにより接続される。さら
に、リードフレーム４だけでなく基台２も半田などによ
り導体パターンに接続されることが好ましい。半田は、
導電性材料であると共に熱伝導率のよい材料でもあるの
で、ＬＥＤチップ１から基板７への放熱性を大幅に向上
せさることができる。
複数の導体パターン８が形成された基板７に配置した発
光装置の一例を示す。各リードフレーム４は、表示面側
から見たリードフレームの最下面にて、それぞれに対応
する導体パターンに半田９などにより接続される。さら
に、リードフレーム４だけでなく基台２も半田などによ
り導体パターンに接続されることが好ましい。半田は、
導電性材料であると共に熱伝導率のよい材料でもあるの
で、ＬＥＤチップ１から基板７への放熱性を大幅に向上
せさることができる。
【００２２】また、基台２に接続される導体パターン
は、各リードフレーム４に対応する導体パターンと異な
る必要はなく、少なくとも一方のリードフレームに対応
する導体パターンと異なっていればよい。すなわち、基
台２に接続される導体パターンは、一方のリードフレー
ムに対応する導体パターンと連続して形成されていても
よい。このように構成することにより、基台が接続され
る導体パターンの表面積を大きく取ることができるの
で、ＬＥＤチップから基板への放熱をより効率よく行う
ことができる。
は、各リードフレーム４に対応する導体パターンと異な
る必要はなく、少なくとも一方のリードフレームに対応
する導体パターンと異なっていればよい。すなわち、基
台２に接続される導体パターンは、一方のリードフレー
ムに対応する導体パターンと連続して形成されていても
よい。このように構成することにより、基台が接続され
る導体パターンの表面積を大きく取ることができるの
で、ＬＥＤチップから基板への放熱をより効率よく行う
ことができる。
【００２３】また、本発明においては、ＬＥＤチップは
熱伝導性材料を用いて基台に配置されることが好まし
い。もちろん、ＬＥＤチップをエポキシ樹脂などからな
る絶縁性材料にて基台に配置することもできるが、樹脂
材料のかわりにそれよりも熱伝導率のよい材料を用いる
ほうが好ましい。熱伝導性材料としては例えばＡｎＳｎ
共晶、半田などを好適に用いることができる。また、Ｌ
ＥＤチップの裏面がサファイアなどの絶縁性物質からな
る場合は、ＬＥＤチップの裏面に例えばＡｇ−Ｔｉ−Ａ
ｕなどからなるメタル層を形成し、ＬＥＤチップと基台
との接着性を向上させることが好ましい。なお、熱伝導
性材料およびメタル層はこれらに限定されないことは言
うまでもない。
熱伝導性材料を用いて基台に配置されることが好まし
い。もちろん、ＬＥＤチップをエポキシ樹脂などからな
る絶縁性材料にて基台に配置することもできるが、樹脂
材料のかわりにそれよりも熱伝導率のよい材料を用いる
ほうが好ましい。熱伝導性材料としては例えばＡｎＳｎ
共晶、半田などを好適に用いることができる。また、Ｌ
ＥＤチップの裏面がサファイアなどの絶縁性物質からな
る場合は、ＬＥＤチップの裏面に例えばＡｇ−Ｔｉ−Ａ
ｕなどからなるメタル層を形成し、ＬＥＤチップと基台
との接着性を向上させることが好ましい。なお、熱伝導
性材料およびメタル層はこれらに限定されないことは言
うまでもない。
【００２４】また、リードフレームの形状は、図１乃至
３に示すように、表示面側から見て外側に張り出した形
状とすることができる。これにより、表示面側から見た
基台の最下面２ａと表示面側から見たリードフレームの
最下面４ａとを略同じ面に容易に位置させることができ
る。
３に示すように、表示面側から見て外側に張り出した形
状とすることができる。これにより、表示面側から見た
基台の最下面２ａと表示面側から見たリードフレームの
最下面４ａとを略同じ面に容易に位置させることができ
る。
【００２５】一方、図１乃至３においては、表示面側か
ら見てリードフレーム４が外側に張り出した形状とした
が、図５に示すように、リードフレーム２０をコの字型
に形成する、すなわちリードフレーム２０を表示面側か
ら見て封止樹脂の最下面に折り込むこともできる。これ
により、リードフレームと基板の導体パターンとの接続
面を封止樹脂２２の真下に位置させることができるの
で、複数の表面実装型ＬＥＤを隣接して配置する際、よ
り高密度に配置することができる。この場合、表示面側
から見たリードフレームの最下面２０ａと基台の最下面
１８ａが略同じ面に位置するように、封止樹脂２２の裏
面側にはリードフレーム２０の形状に対応した凹部が予
め形成されることが好ましい。
ら見てリードフレーム４が外側に張り出した形状とした
が、図５に示すように、リードフレーム２０をコの字型
に形成する、すなわちリードフレーム２０を表示面側か
ら見て封止樹脂の最下面に折り込むこともできる。これ
により、リードフレームと基板の導体パターンとの接続
面を封止樹脂２２の真下に位置させることができるの
で、複数の表面実装型ＬＥＤを隣接して配置する際、よ
り高密度に配置することができる。この場合、表示面側
から見たリードフレームの最下面２０ａと基台の最下面
１８ａが略同じ面に位置するように、封止樹脂２２の裏
面側にはリードフレーム２０の形状に対応した凹部が予
め形成されることが好ましい。
【００２６】また、本発明の表面実装型発光素子は、図
４に示すように基台１１が延伸部１３を備えてもよい。
なお、図４は延伸部１３を備える発光素子を表示面側か
ら見た概略図である。ここではリードフレーム１４の長
手方向に対して垂直方向に延伸部１３が備えられる。ま
た基台の延伸部１３は封止樹脂１６から露出した構成を
とる。さらに、延伸部１３は発光素子が配置される基板
上に形成された導体パターンに接続されることが好まし
い。ここでは、基台が延伸部１３を２つ備える構成とし
たが、基台の延伸部１３の個数は１つまたは３つ以上で
あってもよい。さらに延伸部は後に記載するスルーホー
ルの導体パターンに接続することもできる。
４に示すように基台１１が延伸部１３を備えてもよい。
なお、図４は延伸部１３を備える発光素子を表示面側か
ら見た概略図である。ここではリードフレーム１４の長
手方向に対して垂直方向に延伸部１３が備えられる。ま
た基台の延伸部１３は封止樹脂１６から露出した構成を
とる。さらに、延伸部１３は発光素子が配置される基板
上に形成された導体パターンに接続されることが好まし
い。ここでは、基台が延伸部１３を２つ備える構成とし
たが、基台の延伸部１３の個数は１つまたは３つ以上で
あってもよい。さらに延伸部は後に記載するスルーホー
ルの導体パターンに接続することもできる。
【００２７】本発明の表面実装型発光素子は、図１〜６
に示すように、ＬＥＤチップ、基台、リードフレームの
一部が、１種類の共通の封止樹脂により一体に固定され
る所謂トランスファーモールドが施される。もちろん、
例えば図７に示すように、基台３０を配置するための凹
部を設けた液晶ポリマーなどからなるパッケージ３２に
基台３０を配置し凹部内にさらに透光性の封止樹脂３５
を充填した構成とすることもできるが、本発明の表面実
装型発光素子は作業効率を考慮してトランスファーモー
ルドとする。これにより、量産することが可能となる。
に示すように、ＬＥＤチップ、基台、リードフレームの
一部が、１種類の共通の封止樹脂により一体に固定され
る所謂トランスファーモールドが施される。もちろん、
例えば図７に示すように、基台３０を配置するための凹
部を設けた液晶ポリマーなどからなるパッケージ３２に
基台３０を配置し凹部内にさらに透光性の封止樹脂３５
を充填した構成とすることもできるが、本発明の表面実
装型発光素子は作業効率を考慮してトランスファーモー
ルドとする。これにより、量産することが可能となる。
【００２８】また、封止樹脂の形状は特に限定されるも
のではなく、断面の表示面側が湾曲形状、あるいは平坦
な直線形状などとすることができ、用途により選択する
ことができる。
のではなく、断面の表示面側が湾曲形状、あるいは平坦
な直線形状などとすることができ、用途により選択する
ことができる。
【００２９】図８に、本発明の図１に示す表面実装型Ｌ
ＥＤをスルーホール３６を備える基板３８に配置した発
光装置の一例を示す。ここでは、基台２がスルーホール
３６に形成された導体パターン３７を介して第１の放熱
性部材３９に接続された装置について説明する。スルー
ホール３６の表示面側および裏面側近傍と側壁全域に
は、銅箔などからなる導体パターン３７が連続して形成
される。封止樹脂６から露出した基台の最下面は例えば
半田などによりスルーホールの表示面側の導体パターン
に接続される。さらにスルーホールの裏面側の導体パタ
ーンには例えば半田などにより第１の放熱性部材３９が
接続される。このように構成することにより、ＬＥＤチ
ップ１からの熱を第１の放熱性部材３９に効率よく伝え
る事ができる。また、ここでは第１の放熱性部材３９は
表面積が大きくなるように複数の凹部３９ａが形成され
ることが好ましい。これにより第１の放熱性部材３９か
らの放熱をより効率よく行うことができる。さらに第１
の放熱性部材３９の近傍には例えば送風機などを設置
し、空気を流動させることが好ましい。これにより第１
の放熱性部材からの放熱をさらに効率よく行うことがで
きる。また、基板３８の導体パターンと第１の放熱性部
材３９との接触面積は、基台２の最下面と基板３８の導
体パターンとの接触面積よりも大きいことが好ましい。
これによりＬＥＤチップ１の熱を円滑に第１の放熱性部
材３９に伝えることができる。さらに、図８に示すよう
に、スルーホールの内部は全域が半田で充填されること
が好ましい。これにより、ＬＥＤチップ１の熱を効率的
に第１の放熱性部材３９に伝えることができる。
ＥＤをスルーホール３６を備える基板３８に配置した発
光装置の一例を示す。ここでは、基台２がスルーホール
３６に形成された導体パターン３７を介して第１の放熱
性部材３９に接続された装置について説明する。スルー
ホール３６の表示面側および裏面側近傍と側壁全域に
は、銅箔などからなる導体パターン３７が連続して形成
される。封止樹脂６から露出した基台の最下面は例えば
半田などによりスルーホールの表示面側の導体パターン
に接続される。さらにスルーホールの裏面側の導体パタ
ーンには例えば半田などにより第１の放熱性部材３９が
接続される。このように構成することにより、ＬＥＤチ
ップ１からの熱を第１の放熱性部材３９に効率よく伝え
る事ができる。また、ここでは第１の放熱性部材３９は
表面積が大きくなるように複数の凹部３９ａが形成され
ることが好ましい。これにより第１の放熱性部材３９か
らの放熱をより効率よく行うことができる。さらに第１
の放熱性部材３９の近傍には例えば送風機などを設置
し、空気を流動させることが好ましい。これにより第１
の放熱性部材からの放熱をさらに効率よく行うことがで
きる。また、基板３８の導体パターンと第１の放熱性部
材３９との接触面積は、基台２の最下面と基板３８の導
体パターンとの接触面積よりも大きいことが好ましい。
これによりＬＥＤチップ１の熱を円滑に第１の放熱性部
材３９に伝えることができる。さらに、図８に示すよう
に、スルーホールの内部は全域が半田で充填されること
が好ましい。これにより、ＬＥＤチップ１の熱を効率的
に第１の放熱性部材３９に伝えることができる。
【００３０】図９に、本発明の図１に示す表面実装型Ｌ
ＥＤをスルーホール４０を備える基板４２に配置した発
光装置の他の一例を示す。ここでは、ＬＥＤチップ１を
配置する基台２が、スルーホール４０に形成された導体
パターン４１および第１の放熱性部材４３を介して、第
２の放熱性部材４４に接続された装置について説明す
る。図９においては第１の放熱性部材４３は、それ自体
で放熱を行うだけでなく、主にＬＥＤチップ１からの熱
を第２の放熱性部材４４に伝える働きをする。このよう
に構成することにより、ＬＥＤチップ１からの熱を、第
１の放熱性部材４３を介して、第２の放熱性部材４４に
効率よく伝える事ができる。ここでは、第１の放熱性部
材４３と第２の放熱性部材４４とが固定ビスにより接続
されるが、本発明においてはこれに限定されないことは
言うまでもない。また、図９においては一例として、第
１の放熱性部材をＴ字型とし、第２の放熱性部材を板状
とする。また、１つの第２の放熱性部材に複数の第１の
放熱性部材が接続されてもよい。これにより作業効率を
向上させることができると共に、第２の放熱性部材の表
面積をより大きく取ることができる。
ＥＤをスルーホール４０を備える基板４２に配置した発
光装置の他の一例を示す。ここでは、ＬＥＤチップ１を
配置する基台２が、スルーホール４０に形成された導体
パターン４１および第１の放熱性部材４３を介して、第
２の放熱性部材４４に接続された装置について説明す
る。図９においては第１の放熱性部材４３は、それ自体
で放熱を行うだけでなく、主にＬＥＤチップ１からの熱
を第２の放熱性部材４４に伝える働きをする。このよう
に構成することにより、ＬＥＤチップ１からの熱を、第
１の放熱性部材４３を介して、第２の放熱性部材４４に
効率よく伝える事ができる。ここでは、第１の放熱性部
材４３と第２の放熱性部材４４とが固定ビスにより接続
されるが、本発明においてはこれに限定されないことは
言うまでもない。また、図９においては一例として、第
１の放熱性部材をＴ字型とし、第２の放熱性部材を板状
とする。また、１つの第２の放熱性部材に複数の第１の
放熱性部材が接続されてもよい。これにより作業効率を
向上させることができると共に、第２の放熱性部材の表
面積をより大きく取ることができる。
【００３１】また、図８乃至９に示す第１の放熱性部材
および第２の放熱性部材の材料は特に限定されず、放熱
性すなわち熱伝導性を備えていればよい。具体的には
銅、アルミなどの金属あるいは銅、アルミなどを主成分
とする合金などが挙げられる。さらに図８乃至９に示す
第１の放熱性部材および第２の放熱性部材は、説明上、
基台の真下に位置しているが、これらは熱的に伝導され
ていればよく、必ずしも真下に位置する必要はない。
および第２の放熱性部材の材料は特に限定されず、放熱
性すなわち熱伝導性を備えていればよい。具体的には
銅、アルミなどの金属あるいは銅、アルミなどを主成分
とする合金などが挙げられる。さらに図８乃至９に示す
第１の放熱性部材および第２の放熱性部材は、説明上、
基台の真下に位置しているが、これらは熱的に伝導され
ていればよく、必ずしも真下に位置する必要はない。
【００３２】なお、図１乃至９においては、１つの基台
に１つのＬＥＤチップが配置されるが、もちろん１つの
基台に複数のＬＥＤチップを配置してもよい。さらに、
リードフレームは一対である必要はなく複数のリードフ
レームを備えてもよい。
に１つのＬＥＤチップが配置されるが、もちろん１つの
基台に複数のＬＥＤチップを配置してもよい。さらに、
リードフレームは一対である必要はなく複数のリードフ
レームを備えてもよい。
【００３３】また、光散乱材、蛍光物質を含有した層を
ＬＥＤチップを覆うように設けることも可能である。光
散乱材、蛍光物質は特に限定されるものではないが、例
えば光散乱材としては、チタン酸バリウム、酸化チタ
ン、酸化アルミニウム、酸化ケイ素などが好適に用いら
れる。これにより、良好な指向特性を得ることができ
る。さらに、蛍光物質としては、窒化物系半導体を発光
層とする発光素子チップを用いる場合、セリウムで付活
されたイットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光物質を
ベースとしたものが好適に用いられる。具体的なイット
リウム・アルミニウム酸化物系蛍光物質としては、ＹＡ
ｌＯ３：Ｃｅ、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２Ｙ：Ｃｅ（ＹＡＧ：Ｃ
ｅ）や、Ｙ４Ａｌ２Ｏ９：Ｃｅ、さらにはこれらの混合
物などが挙げられる。本発明の発光素子は、放熱性に優
れるので電流を大きくかけ高輝度に発光させることが比
較的容易である。これにより、光散乱材、蛍光物質を効
率よく機能させることができる。
ＬＥＤチップを覆うように設けることも可能である。光
散乱材、蛍光物質は特に限定されるものではないが、例
えば光散乱材としては、チタン酸バリウム、酸化チタ
ン、酸化アルミニウム、酸化ケイ素などが好適に用いら
れる。これにより、良好な指向特性を得ることができ
る。さらに、蛍光物質としては、窒化物系半導体を発光
層とする発光素子チップを用いる場合、セリウムで付活
されたイットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光物質を
ベースとしたものが好適に用いられる。具体的なイット
リウム・アルミニウム酸化物系蛍光物質としては、ＹＡ
ｌＯ３：Ｃｅ、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２Ｙ：Ｃｅ（ＹＡＧ：Ｃ
ｅ）や、Ｙ４Ａｌ２Ｏ９：Ｃｅ、さらにはこれらの混合
物などが挙げられる。本発明の発光素子は、放熱性に優
れるので電流を大きくかけ高輝度に発光させることが比
較的容易である。これにより、光散乱材、蛍光物質を効
率よく機能させることができる。
【００３４】
【発明の効果】以上、説明した通り、本発明により放熱
性に優れた表面実装型発光素子およびそれを用いた発光
装置を提供することができる。また、本発明の表面実装
型発光素子およびそれを用いた発光装置は、発光素子チ
ップにて発生する熱が大きいほど効果を発揮することが
できる。
性に優れた表面実装型発光素子およびそれを用いた発光
装置を提供することができる。また、本発明の表面実装
型発光素子およびそれを用いた発光装置は、発光素子チ
ップにて発生する熱が大きいほど効果を発揮することが
できる。
【図１】 図２に示す表面実装型発光素子のＡ−Ａ’部
における概略断面図である。
における概略断面図である。
【図２】 本発明に係る表面実装型発光素子を裏面側か
ら見た概略図である。
ら見た概略図である。
【図３】 本発明に係る発光装置の構成を示す概略断面
図である。
図である。
【図４】 本発明に係る他の表面実装型発光素子の概略
断面図である。
断面図である。
【図５】 本発明に係る他の表面実装型発光素子の概略
断面図である。
断面図である。
【図６】 本発明に係る他の表面実装型発光素子の概略
断面図である。
断面図である。
【図７】 本発明に係る他の表面実装型発光素子の概略
断面図である。
断面図である。
【図８】 本発明に係る発光装置の構成を示す他の概略
断面図である。
断面図である。
【図９】 本発明に係る発光装置の構成を示す他の概略
断面図である。
断面図である。
【図１０】 従来の表面実装型発光素子の構成を示す概
略断面図である。
略断面図である。
【図１１】 従来の表面実装型発光素子の構成を示す他
の概略断面図である。
の概略断面図である。
１、１０、１７、２３、２９、４５、４９・・・ＬＥＤ
チップ ２、１１、１８、２４、３０・・・基台 ２ａ、１１ａ、１８ａ、２４ａ、３０ａ・・・基台の最
下面 ３、１２、１９、２５、３１・・・側壁 ４、１４、２０、２６、３３、４６、５１・・・リード
フレーム ４ａ、２０ａ、２６ａ、３３ａ・・・リードフレームの
最下面 ５、１５、２１、２７、３４、４７、５２・・・ワイヤ
ー ６、１６、２２、２８、３５、４８、５３・・・封止樹
脂 ７、３８、４２・・・基板 ８、３７、４１・・・導体パターン ９・・・半田 １３・・・基台延伸部 ３２、５０・・・パッケージ ３２ａ・・・パッケージ突起部 ３６、４０・・・スルーホール ３９、４３・・・第１の放熱性部材 ３９ａ・・・凹部 ４４・・・第２の放熱性部材
チップ ２、１１、１８、２４、３０・・・基台 ２ａ、１１ａ、１８ａ、２４ａ、３０ａ・・・基台の最
下面 ３、１２、１９、２５、３１・・・側壁 ４、１４、２０、２６、３３、４６、５１・・・リード
フレーム ４ａ、２０ａ、２６ａ、３３ａ・・・リードフレームの
最下面 ５、１５、２１、２７、３４、４７、５２・・・ワイヤ
ー ６、１６、２２、２８、３５、４８、５３・・・封止樹
脂 ７、３８、４２・・・基板 ８、３７、４１・・・導体パターン ９・・・半田 １３・・・基台延伸部 ３２、５０・・・パッケージ ３２ａ・・・パッケージ突起部 ３６、４０・・・スルーホール ３９、４３・・・第１の放熱性部材 ３９ａ・・・凹部 ４４・・・第２の放熱性部材
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１４年５月８日（２００２．５．８）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】
【発明を解決するための手段】本発明の表面実装型発光
素子は、発光素子チップ１と、前記発光素子チップ１が
配置される基台２と、前記発光素子チップ１の電極と接
続されるリードフレーム４と、少なくとも前記発光素子
チップ１、前記基台２の一部、および前記リードフレー
ム４の一部を覆い一体に固定する透光性の封止樹脂６と
を備え、前記基台２の最下面２ａは、前記リードフレー
ム４の最下面４ａと略同じ面に位置し、さらに前記透光
性の封止樹脂６から露出していることを特徴とする。こ
のように構成することにより、基台を封止樹脂から露出
させることができるので、発光素子チップの放熱性を向
上させることができる。
素子は、発光素子チップ１と、前記発光素子チップ１が
配置される基台２と、前記発光素子チップ１の電極と接
続されるリードフレーム４と、少なくとも前記発光素子
チップ１、前記基台２の一部、および前記リードフレー
ム４の一部を覆い一体に固定する透光性の封止樹脂６と
を備え、前記基台２の最下面２ａは、前記リードフレー
ム４の最下面４ａと略同じ面に位置し、さらに前記透光
性の封止樹脂６から露出していることを特徴とする。こ
のように構成することにより、基台を封止樹脂から露出
させることができるので、発光素子チップの放熱性を向
上させることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】また別の態様として、発光素子チップ２９
と、前記発光素子チップ２９が配置される基台３０が凹
部内に配置されたパッケージ３２と、前記発光素子チッ
プ２９の電極と接続されるリードフレーム３３とを備
え、前記基台３０の最下面３０ａは、前記リードフレー
ム３３の最下面３３ａと略同じ面に位置し、さらに前記
パッケージ３２から露出していることを特徴とする。
と、前記発光素子チップ２９が配置される基台３０が凹
部内に配置されたパッケージ３２と、前記発光素子チッ
プ２９の電極と接続されるリードフレーム３３とを備
え、前記基台３０の最下面３０ａは、前記リードフレー
ム３３の最下面３３ａと略同じ面に位置し、さらに前記
パッケージ３２から露出していることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】また、本発明の発光装置は、本発明の表面
実装型発光素子が複数の導体パターンを有する基板上に
配置され、前記複数の導体パターンは、該表面実装型発
光素子の基台の最下面に接続される導体パターンとリー
ドフレームに対応する導体パターンとを有し、前記基台
の最下面は、前記導体パターンに熱伝導性材料により接
続されることを特徴とする。このように基台と基板を直
接接続することにより、発光素子チップで発生した熱を
効率的に基板へ逃がすことができる。
実装型発光素子が複数の導体パターンを有する基板上に
配置され、前記複数の導体パターンは、該表面実装型発
光素子の基台の最下面に接続される導体パターンとリー
ドフレームに対応する導体パターンとを有し、前記基台
の最下面は、前記導体パターンに熱伝導性材料により接
続されることを特徴とする。このように基台と基板を直
接接続することにより、発光素子チップで発生した熱を
効率的に基板へ逃がすことができる。
Claims (8)
- 【請求項１】 発光素子チップと、 前記発光素子チップを配置する基台と、 前記発光素子チップに接続されるリードフレームと、 少なくとも前記発光素子チップを覆うように形成された
封止樹脂とを備え、 前記基台および前記リードフレームが前記封止樹脂によ
り一体に固定される表面実装型発光素子において、 表示面側から見た前記基台の最下面は、表示面側から見
た前記リードフレームの最下面と略同じ面に位置し、さ
らに表示面側から見た前記基台の最下面は、前記封止樹
脂から露出していることを特徴とする表面実装型発光素
子。 - 【請求項２】 前記基台は、前記リードフレームと同じ
材料からなることを特徴とする請求項１に記載の表面実
装型発光素子。 - 【請求項３】 前記基台の膜厚は、前記リードフレーム
の膜厚よりも厚いことを特徴とする請求項１または２に
記載の表面実装型発光素子。 - 【請求項４】 前記基台は、周囲に側壁を備えることを
特徴とする請求項１乃至３に記載の表面実装型発光素
子。 - 【請求項５】 前記発光素子チップは、熱伝導性材料を
介して前記基台に配置されることを特徴とする請求項１
乃至４に記載の表面実装型発光素子。 - 【請求項６】 請求項１乃至５に記載の表面実装型発光
素子が、導体パターンを有する基板上に配置され、 表示面側から見た前記基台の最下面が、前記導体パター
ンに接続されることを特徴とする発光装置。 - 【請求項７】 前記発光装置は、第１の放熱性部材を有
し、 前記基板はスルーホールを有すると共に、前記スルーホ
ールは表示面側から裏面側まで連続的に形成された導体
パターンを備え、 表示面側から見た前記基台の最下面は、前記スルーホー
ルの表示面側に位置する導体パターンに接続され、さら
に前記第１の放熱性部材は、前記スルーホールの裏面側
に位置する導体パターンに接続されることを特徴とする
請求項６に記載の発光装置。 - 【請求項８】 前記発光装置は、さらに第２の放熱性部
材を備え、 前記第２の放熱性部材は、前記第１の放熱性部材に接続
されることを特徴とする請求項７に記載の発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001050887A JP3736366B2 (ja) | 2001-02-26 | 2001-02-26 | 表面実装型発光素子およびそれを用いた発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001050887A JP3736366B2 (ja) | 2001-02-26 | 2001-02-26 | 表面実装型発光素子およびそれを用いた発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002252373A true JP2002252373A (ja) | 2002-09-06 |
| JP3736366B2 JP3736366B2 (ja) | 2006-01-18 |
Family
ID=18911777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001050887A Expired - Fee Related JP3736366B2 (ja) | 2001-02-26 | 2001-02-26 | 表面実装型発光素子およびそれを用いた発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3736366B2 (ja) |
Cited By (52)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004034529A1 (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Sanyo Electric Co., Ltd. | 発光素子 |
| JP2004146815A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-05-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光素子 |
| JP2006120833A (ja) * | 2004-10-21 | 2006-05-11 | Harvatek Corp | 電気光学半導体のパッケージ構造 |
| JP2006156704A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Nichia Chem Ind Ltd | 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法 |
| KR100600856B1 (ko) | 2004-12-16 | 2006-07-18 | 알티전자 주식회사 | 고출력 발광 다이오드 패키지용 리드프레임 및 그 제조방법 |
| US7078728B2 (en) | 2003-07-29 | 2006-07-18 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Surface-mounted LED and light emitting device |
| JP2007027535A (ja) * | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Stanley Electric Co Ltd | 光半導体装置 |
| KR100678848B1 (ko) | 2004-10-07 | 2007-02-06 | 서울반도체 주식회사 | 힛트 싱크를 갖는 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
| EP1753038A2 (en) * | 2005-08-08 | 2007-02-14 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Light emitting diode package having recess in heat conducting part |
| JP2007096325A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 放射線放出構成エレメント |
| US7291866B2 (en) | 2004-06-11 | 2007-11-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting unit |
| JP2008041950A (ja) * | 2006-08-07 | 2008-02-21 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオードパッケージ用プリモールド部品及びその製造方法、並びに発光ダイオードパッケージ |
| JP2008072092A (ja) * | 2006-07-13 | 2008-03-27 | Cree Inc | 固体発光デバイス用のリードフレームベースのパッケージ、および固体発光デバイス用のリードフレームベースのパッケージを形成する方法 |
| JP2008182242A (ja) * | 2007-01-24 | 2008-08-07 | Cree Inc | 固体発光デバイス用のリード・フレーム・ベースのパッケージと固体発光デバイス用のリード・フレーム・ベースのパッケージを形成する方法 |
| CN100421269C (zh) * | 2005-06-03 | 2008-09-24 | 邢陈震仑 | 一种低热阻的发光二极管封装装置 |
| JP2008244151A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
| JP2008244350A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | ▲せん▼宗文 | 多粒の表面粘着型発光ダイオードの製造方法とその構造 |
| JP2008244200A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | ▲せん▼宗文 | 単粒の表面粘着型発光ダイオードの製造方法とその構造 |
| US7499288B2 (en) | 2005-07-29 | 2009-03-03 | Stanley Electric Co., Ltd. | Surface mounting semiconductor device |
| JP2009088534A (ja) * | 2007-10-01 | 2009-04-23 | Yiguang Electronic Ind Co Ltd | 発光ダイオード装置 |
| JP2009123824A (ja) * | 2007-11-13 | 2009-06-04 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 発光素子パッケージおよびそれを実装した発光装置 |
| JP2009123823A (ja) * | 2007-11-13 | 2009-06-04 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 発光素子パッケージおよびそれを実装した発光装置 |
| JP2009130359A (ja) * | 2007-11-19 | 2009-06-11 | Iljin Semiconductor Co Ltd | 発光ダイオード素子およびその製造方法 |
| JP2009218625A (ja) * | 2009-07-03 | 2009-09-24 | Hitachi Aic Inc | Ｌｅｄ装置 |
| JP2009278012A (ja) * | 2008-05-16 | 2009-11-26 | Meio Kasei:Kk | Ｌｅｄ装置用パッケージ |
| US7626211B2 (en) | 2004-09-16 | 2009-12-01 | Hitachi Aic Inc. | LED reflecting plate and LED device |
| US7642704B2 (en) | 2004-06-21 | 2010-01-05 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light-emitting diode with a base |
| JP2010003877A (ja) * | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Panasonic Corp | リードフレームおよび光半導体パッケージおよび光半導体装置および光半導体パッケージの製造方法 |
| DE102004009998B4 (de) * | 2003-02-28 | 2010-05-06 | Citizen Electronics Co., Ltd., Fujiyoshida-shi | Licht ausstrahlende Diode und Licht ausstrahlende Diodenvorrichtung umfassend eine Licht ausstrahlende Diode |
| US7748873B2 (en) | 2004-10-07 | 2010-07-06 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Side illumination lens and luminescent device using the same |
| CN101901863A (zh) * | 2010-05-04 | 2010-12-01 | 高安市汉唐高晶光电有限公司 | 大功率低光衰高抗静电发光二极管及其制备方法 |
| KR100999746B1 (ko) | 2009-02-17 | 2010-12-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 디바이스 패키지 및 그 제조방법 |
| JP2010283358A (ja) * | 2005-12-16 | 2010-12-16 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | バックライトユニット |
| US7855395B2 (en) | 2004-09-10 | 2010-12-21 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode package having multiple molding resins on a light emitting diode die |
| JP2011029536A (ja) * | 2009-07-29 | 2011-02-10 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置の搭載構造及び搭載方法 |
| US7947999B2 (en) | 2005-12-27 | 2011-05-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Luminescent device and method for manufacturing the same |
| WO2011062148A1 (ja) * | 2009-11-19 | 2011-05-26 | 株式会社 明王化成 | 半導体用パッケージ及び放熱形リードフレーム |
| CN102097572A (zh) * | 2009-11-20 | 2011-06-15 | Lg伊诺特有限公司 | 发光装置 |
| JP2011165833A (ja) * | 2010-02-08 | 2011-08-25 | Toshiba Corp | Ｌｅｄモジュール |
| KR20110135716A (ko) * | 2010-06-11 | 2011-12-19 | 서울반도체 주식회사 | Ｌｅｄ 패키지 |
| JP2012049565A (ja) * | 2011-11-21 | 2012-03-08 | Sharp Corp | 電子装置 |
| US8188492B2 (en) | 2006-08-29 | 2012-05-29 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device having plural light emitting diodes and at least one phosphor for emitting different wavelengths of light |
| CN102655201A (zh) * | 2012-05-15 | 2012-09-05 | 湖北匡通电子股份有限公司 | 一种带反射腔的smd型led支架 |
| JP2013012712A (ja) * | 2011-06-29 | 2013-01-17 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子パッケージ及びこれを具備したライトユニット |
| US8421109B2 (en) | 2003-04-01 | 2013-04-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting apparatus package, light-emitting apparatus, backlight apparatus, and display apparatus |
| JP2013102207A (ja) * | 2007-07-30 | 2013-05-23 | Intellectual Discovery Co Ltd | 高められた熱伝導度を有するｌｅｄ光源 |
| JP2013131638A (ja) * | 2011-12-21 | 2013-07-04 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体用パッケージ及び半導体発光装置 |
| US8710525B2 (en) | 2010-03-15 | 2014-04-29 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| US8802459B2 (en) | 2006-12-28 | 2014-08-12 | Nichia Corporation | Surface mount lateral light emitting apparatus and fabrication method thereof |
| KR20150004282A (ko) * | 2013-07-02 | 2015-01-12 | 세이코 인스트루 가부시키가이샤 | 반도체 장치 |
| EP2624320A4 (en) * | 2010-09-27 | 2016-03-02 | Panasonic Ind Devices Sunx Co | LED MODULE |
| US9502624B2 (en) | 2006-05-18 | 2016-11-22 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
-
2001
- 2001-02-26 JP JP2001050887A patent/JP3736366B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (96)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1548905A4 (en) * | 2002-09-30 | 2006-08-09 | Sanyo Electric Co | ELECTROLUMINESCENT ELEMENT |
| JP2004146815A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-05-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光素子 |
| EP1548905A1 (en) * | 2002-09-30 | 2005-06-29 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Light emitting element |
| US7531844B2 (en) | 2002-09-30 | 2009-05-12 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Light emitting element |
| WO2004034529A1 (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Sanyo Electric Co., Ltd. | 発光素子 |
| DE102004009998B4 (de) * | 2003-02-28 | 2010-05-06 | Citizen Electronics Co., Ltd., Fujiyoshida-shi | Licht ausstrahlende Diode und Licht ausstrahlende Diodenvorrichtung umfassend eine Licht ausstrahlende Diode |
| US10490535B2 (en) | 2003-04-01 | 2019-11-26 | Xiamen San'an Optoelectronics Co., Ltd. | Light-emitting apparatus |
| US11424210B2 (en) | 2003-04-01 | 2022-08-23 | Xiamen San'an Optoelectronics Co., Ltd. | Light-emitting package |
| US8421109B2 (en) | 2003-04-01 | 2013-04-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting apparatus package, light-emitting apparatus, backlight apparatus, and display apparatus |
| US9768153B2 (en) | 2003-04-01 | 2017-09-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting apparatus |
| US8629476B2 (en) | 2003-04-01 | 2014-01-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting apparatus package, light-emitting apparatus, backlight apparatus, and display apparatus |
| US10741533B2 (en) | 2003-04-01 | 2020-08-11 | Xiamen San'an Optoelectronics Co., Ltd. | Light-emitting package |
| US9241375B2 (en) | 2003-04-01 | 2016-01-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting apparatus package, light-emitting apparatus, backlight apparatus, and display apparatus |
| US11476227B2 (en) | 2003-04-01 | 2022-10-18 | Xiamen San'an Optoelectronics Co., Ltd. | Light-emitting apparatus |
| US7078728B2 (en) | 2003-07-29 | 2006-07-18 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Surface-mounted LED and light emitting device |
| CN100407453C (zh) * | 2003-07-29 | 2008-07-30 | 西铁城电子股份有限公司 | 表面安装型led及使用它的发光装置 |
| US7291866B2 (en) | 2004-06-11 | 2007-11-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting unit |
| US7642704B2 (en) | 2004-06-21 | 2010-01-05 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light-emitting diode with a base |
| US7855395B2 (en) | 2004-09-10 | 2010-12-21 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode package having multiple molding resins on a light emitting diode die |
| US7626211B2 (en) | 2004-09-16 | 2009-12-01 | Hitachi Aic Inc. | LED reflecting plate and LED device |
| US7748873B2 (en) | 2004-10-07 | 2010-07-06 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Side illumination lens and luminescent device using the same |
| KR100678848B1 (ko) | 2004-10-07 | 2007-02-06 | 서울반도체 주식회사 | 힛트 싱크를 갖는 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
| US7901113B2 (en) | 2004-10-07 | 2011-03-08 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Side illumination lens and luminescent device using the same |
| JP2006120833A (ja) * | 2004-10-21 | 2006-05-11 | Harvatek Corp | 電気光学半導体のパッケージ構造 |
| JP2006156704A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Nichia Chem Ind Ltd | 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法 |
| KR100600856B1 (ko) | 2004-12-16 | 2006-07-18 | 알티전자 주식회사 | 고출력 발광 다이오드 패키지용 리드프레임 및 그 제조방법 |
| CN100421269C (zh) * | 2005-06-03 | 2008-09-24 | 邢陈震仑 | 一种低热阻的发光二极管封装装置 |
| US8592851B2 (en) | 2005-07-20 | 2013-11-26 | Stanley Electric Co., Ltd. | Optical semiconductor device and circuit |
| JP2007027535A (ja) * | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Stanley Electric Co Ltd | 光半導体装置 |
| US7499288B2 (en) | 2005-07-29 | 2009-03-03 | Stanley Electric Co., Ltd. | Surface mounting semiconductor device |
| EP1753038A3 (en) * | 2005-08-08 | 2012-11-21 | Samsung LED Co., Ltd. | Light emitting diode package having recess in heat conducting part |
| EP1753038A2 (en) * | 2005-08-08 | 2007-02-14 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Light emitting diode package having recess in heat conducting part |
| JP2007096325A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 放射線放出構成エレメント |
| US8500306B2 (en) | 2005-12-16 | 2013-08-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Slim type backlight unit with through-hole adhesive heat dissipating means |
| US8721126B2 (en) | 2005-12-16 | 2014-05-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Slim type backlight unit with through-hole adhesive heat dissipating means |
| JP2010283358A (ja) * | 2005-12-16 | 2010-12-16 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | バックライトユニット |
| US7947999B2 (en) | 2005-12-27 | 2011-05-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Luminescent device and method for manufacturing the same |
| US10971656B2 (en) | 2006-05-18 | 2021-04-06 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
| US10686102B2 (en) | 2006-05-18 | 2020-06-16 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
| US9502624B2 (en) | 2006-05-18 | 2016-11-22 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
| US9634204B2 (en) | 2006-05-18 | 2017-04-25 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
| US9929318B2 (en) | 2006-05-18 | 2018-03-27 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
| US10263161B2 (en) | 2006-05-18 | 2019-04-16 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
| US11631790B2 (en) | 2006-05-18 | 2023-04-18 | Nichia Corporation | Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same |
| US8941134B2 (en) | 2006-07-13 | 2015-01-27 | Cree, Inc. | Leadframe-based packages for solid state light emitting devices having heat dissipating regions in packaging |
| US8044418B2 (en) | 2006-07-13 | 2011-10-25 | Cree, Inc. | Leadframe-based packages for solid state light emitting devices |
| JP2008072092A (ja) * | 2006-07-13 | 2008-03-27 | Cree Inc | 固体発光デバイス用のリードフレームベースのパッケージ、および固体発光デバイス用のリードフレームベースのパッケージを形成する方法 |
| JP2008041950A (ja) * | 2006-08-07 | 2008-02-21 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオードパッケージ用プリモールド部品及びその製造方法、並びに発光ダイオードパッケージ |
| US8188492B2 (en) | 2006-08-29 | 2012-05-29 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device having plural light emitting diodes and at least one phosphor for emitting different wavelengths of light |
| US8674380B2 (en) | 2006-08-29 | 2014-03-18 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device having plural light emitting diodes and plural phosphors for emitting different wavelengths of light |
| US9190588B2 (en) | 2006-12-28 | 2015-11-17 | Nichia Corporation | Side-view type light emitting apparatus and package |
| US8802459B2 (en) | 2006-12-28 | 2014-08-12 | Nichia Corporation | Surface mount lateral light emitting apparatus and fabrication method thereof |
| JP2008182242A (ja) * | 2007-01-24 | 2008-08-07 | Cree Inc | 固体発光デバイス用のリード・フレーム・ベースのパッケージと固体発光デバイス用のリード・フレーム・ベースのパッケージを形成する方法 |
| JP2008244151A (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-09 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
| JP2008244350A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | ▲せん▼宗文 | 多粒の表面粘着型発光ダイオードの製造方法とその構造 |
| JP2008244200A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | ▲せん▼宗文 | 単粒の表面粘着型発光ダイオードの製造方法とその構造 |
| JP2013102207A (ja) * | 2007-07-30 | 2013-05-23 | Intellectual Discovery Co Ltd | 高められた熱伝導度を有するｌｅｄ光源 |
| JP2009088534A (ja) * | 2007-10-01 | 2009-04-23 | Yiguang Electronic Ind Co Ltd | 発光ダイオード装置 |
| JP2009123823A (ja) * | 2007-11-13 | 2009-06-04 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 発光素子パッケージおよびそれを実装した発光装置 |
| JP2009123824A (ja) * | 2007-11-13 | 2009-06-04 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 発光素子パッケージおよびそれを実装した発光装置 |
| JP2009130359A (ja) * | 2007-11-19 | 2009-06-11 | Iljin Semiconductor Co Ltd | 発光ダイオード素子およびその製造方法 |
| JP2009278012A (ja) * | 2008-05-16 | 2009-11-26 | Meio Kasei:Kk | Ｌｅｄ装置用パッケージ |
| JP2010003877A (ja) * | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Panasonic Corp | リードフレームおよび光半導体パッケージおよび光半導体装置および光半導体パッケージの製造方法 |
| KR100999746B1 (ko) | 2009-02-17 | 2010-12-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 디바이스 패키지 및 그 제조방법 |
| JP2009218625A (ja) * | 2009-07-03 | 2009-09-24 | Hitachi Aic Inc | Ｌｅｄ装置 |
| JP2011029536A (ja) * | 2009-07-29 | 2011-02-10 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置の搭載構造及び搭載方法 |
| CN102714267A (zh) * | 2009-11-19 | 2012-10-03 | 住友化学株式会社 | 半导体用封装以及散热形引线框架 |
| KR101760535B1 (ko) * | 2009-11-19 | 2017-07-21 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 반도체용 패키지 및 방열형 리드 프레임 |
| US20120280375A1 (en) * | 2009-11-19 | 2012-11-08 | Sumitomo Chemical Co., Ltd. | Semiconductor package and radiation lead frame |
| WO2011062148A1 (ja) * | 2009-11-19 | 2011-05-26 | 株式会社 明王化成 | 半導体用パッケージ及び放熱形リードフレーム |
| US8704346B2 (en) | 2009-11-19 | 2014-04-22 | Sumitomo Chemical Co., Ltd. | Semiconductor package and radiation lead frame |
| JP5864260B2 (ja) * | 2009-11-19 | 2016-02-17 | 住友化学株式会社 | 半導体用パッケージ |
| CN102097572A (zh) * | 2009-11-20 | 2011-06-15 | Lg伊诺特有限公司 | 发光装置 |
| US9534744B2 (en) | 2009-11-20 | 2017-01-03 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting apparatus |
| US8823048B2 (en) | 2009-11-20 | 2014-09-02 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting apparatus |
| US9638378B2 (en) | 2009-11-20 | 2017-05-02 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting apparatus |
| US10030823B2 (en) | 2009-11-20 | 2018-07-24 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting apparatus |
| US9885450B2 (en) | 2009-11-20 | 2018-02-06 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting apparatus |
| JP2011165833A (ja) * | 2010-02-08 | 2011-08-25 | Toshiba Corp | Ｌｅｄモジュール |
| US8710525B2 (en) | 2010-03-15 | 2014-04-29 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| CN101901863A (zh) * | 2010-05-04 | 2010-12-01 | 高安市汉唐高晶光电有限公司 | 大功率低光衰高抗静电发光二极管及其制备方法 |
| KR101701453B1 (ko) * | 2010-06-11 | 2017-02-03 | 서울반도체 주식회사 | Ｌｅｄ 패키지 |
| KR20110135716A (ko) * | 2010-06-11 | 2011-12-19 | 서울반도체 주식회사 | Ｌｅｄ 패키지 |
| EP2624320A4 (en) * | 2010-09-27 | 2016-03-02 | Panasonic Ind Devices Sunx Co | LED MODULE |
| US10559734B2 (en) | 2011-06-29 | 2020-02-11 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package and light unit including the same |
| US10147857B2 (en) | 2011-06-29 | 2018-12-04 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package and light unit including the same |
| JP2013012712A (ja) * | 2011-06-29 | 2013-01-17 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子パッケージ及びこれを具備したライトユニット |
| US9728525B2 (en) | 2011-06-29 | 2017-08-08 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package and light unit including the same |
| US9515058B2 (en) | 2011-06-29 | 2016-12-06 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package and light unit including the same |
| JP2012049565A (ja) * | 2011-11-21 | 2012-03-08 | Sharp Corp | 電子装置 |
| JP2013131638A (ja) * | 2011-12-21 | 2013-07-04 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体用パッケージ及び半導体発光装置 |
| CN102655201A (zh) * | 2012-05-15 | 2012-09-05 | 湖北匡通电子股份有限公司 | 一种带反射腔的smd型led支架 |
| JP2015012276A (ja) * | 2013-07-02 | 2015-01-19 | セイコーインスツル株式会社 | 半導体装置 |
| KR102252362B1 (ko) | 2013-07-02 | 2021-05-14 | 에이블릭 가부시키가이샤 | 반도체 장치 |
| KR20150004282A (ko) * | 2013-07-02 | 2015-01-12 | 세이코 인스트루 가부시키가이샤 | 반도체 장치 |
| CN104282634A (zh) * | 2013-07-02 | 2015-01-14 | 精工电子有限公司 | 半导体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3736366B2 (ja) | 2006-01-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002252373A (ja) | 表面実装型発光素子およびそれを用いた発光装置 | |
| US7868345B2 (en) | Light emitting device mounting substrate, light emitting device housing package, light emitting apparatus, and illuminating apparatus | |
| KR101365621B1 (ko) | 열 방출 슬러그들을 갖는 발광 다이오드 패키지 | |
| KR101141492B1 (ko) | 복합 리드프레임 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조 방법 | |
| KR101124510B1 (ko) | 발광 다이오드 | |
| KR101115800B1 (ko) | 발광소자 패키지, 이의 제조 방법 및 백라이트 유닛 | |
| US7615799B2 (en) | Light-emitting diode package structure | |
| US7935982B2 (en) | Side view type LED package | |
| KR100723144B1 (ko) | 발광다이오드 패키지 | |
| JP5209969B2 (ja) | 照明システム | |
| JP4808550B2 (ja) | 発光ダイオード光源装置、照明装置、表示装置及び交通信号機 | |
| JP3770192B2 (ja) | チップ型ｌｅｄ用リードフレーム | |
| JP2004207367A (ja) | 発光ダイオード及び発光ダイオード配列板 | |
| JP4894354B2 (ja) | 発光装置 | |
| US20100301359A1 (en) | Light Emitting Diode Package Structure | |
| JPH1146018A (ja) | 表面実装型発光ダイオード | |
| JP3938100B2 (ja) | Ｌｅｄランプおよびｌｅｄ照明具 | |
| JP4679917B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP3128613U (ja) | 発光ダイオード | |
| JP4261925B2 (ja) | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 | |
| US11158777B2 (en) | LED light source | |
| JP2007116078A (ja) | 発光素子の外囲器 | |
| JPH0517680U (ja) | 発光ダイオード表示器 | |
| JP3157844U (ja) | 半導体素子 | |
| TW200905909A (en) | LED package unit |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040127 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040329 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050621 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050819 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20050824 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051004 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051017 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3736366 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091104 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091104 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091104 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101104 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101104 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111104 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111104 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121104 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121104 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131104 Year of fee payment: 8 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |