KR100870950B1 - 발광다이오드 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 정전기 방전으로부터 발광다이오드 칩을 보호할 수 있는 발광다이오드 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 음극 리드 단자에 전기적으로 연결된 다이 패드에 제너 다이오드의 전극 중 하나를 전기적으로 연결하고 제너 다이오드의 나머지 전극을 양극 리드 단자에 연결함으로써 발광다이오드 칩이 정전기 방전에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다. 또한 양극 리드 단자 및 음극 리드 단자를 스탬핑 공정에 의해 업셋하여 형성함으로써 리드 단자의 제조 공정이 간단해지고 리드 단자 제조 공정에 의해 발광다이오드 소자의 내부가 손상되는 것을 방지할 수 있다. 또한 리드 프레임 컵의 바닥을 아래 방향으로 돌출시켜 그 바닥면이 외부로 노출되도록 함으로써 발광다이오드 소자의 내부에서 발생하는 열이 보다 효율적으로 배출될 수 있다.
발광다이오드, 정전기 방전, 제너 다이오드

Description

발광다이오드 소자 및 그 제조 방법{LIGHT EMITTING DIODE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 발광다이오드 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게, 본 발명은 정전기 방전으로부터 발광다이오드 칩을 보호하는 기능을 가지는 발광다이오드 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
발광다이오드 칩 중에서 InGaN, GaN계의 발광다이오드 칩은 정전기에 매우 약한 산화알루미늄(Al2O3) 기판을 사용한다. 이에 따라 산화알루미늄 기판을 사용하는 발광다이오드 칩은 정전기 방전에 의한 불량률이 매우 높은 실정이다.
종래에, InGaN, GaN계의 발광다이오드 칩을 광원으로 사용하는 발광다이오드 소자에서 정전기 방전으로부터 발광다이오드 칩을 보호하기 위한 제너 다이오드(Zener diode)를 설치하는 기술이 알려진 바 있다. 이때, 제너 다이오드는 발광다이오드 칩의 개수만큼 구비되어 발광다이오드 칩마다 하나의 제너 다이오드가 연결되어 발광다이오드 칩을 보호하였다. 이럴 경우 소자의 생산 공정이 복잡하고 여러 개의 제너 다이오드의 사용에 따라 발광다이오드 소자의 제조 원가가 상승하 는 문제가 있었다.
또한, 종래의 발광다이오드 소자는 리드 프레임의 양극 및 음극 리드 단자가 리드 프레임에 형성된 사출 반사판의 후면으로 접히는 구조(J-Bending 구조)를 가짐으로써, 발광다이오드 소자의 두께를 줄이기 어렵고 양극 및 음극 리드 단자를 구부리는 공정과 절단(트림) 공정이 추가되어 제조 원가가 상승되는 문제가 있었다.
나아가, 양극 및 음극 리드 단자를 구부리는 과정에서 과도한 응력이 발광다이오드 소자의 내부로 전달되어 계면 박리 등 소자의 신뢰성에 악영향을 주는 문제가 있었다.
또한 발광다이오드 칩에서 발생한 열이 구부려진 양극 및 음극 리드 단자의 노출 부분만을 통해서 외부로 배출되는 구조이므로 발광다이오드 소자 내부의 열이 효과적으로 배출되지 못하는 문제가 있었다.
본 발명은 전술한 바와 같은 문제점들을 해결하기 위해 창출된 것으로서, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 제조 공정이 간단하고 제조 원가의 지나친 상승을 유발하지 않으면서도 정전기 방전으로부터 보호될 수 있는 기능을 가지는 발광다이오드 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 발광다이오드 소자의 리드 프레임의 전극 리드를 J자형으로 구부리는 과정에 의한 제조 공정의 복잡함과 내부 손상 등을 방지할 수 있는 발광다이오드 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
나아가 본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 발광다이오드 소자에서 발생하는 열을 보다 효율적으로 배출할 수 있는 구조를 가지는 발광다이오드 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기한 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 실시예에 따른 발광다이오드 소자 제조 방법은, 리드 프레임의 중앙에 위치하는 리드 프레임 컵의 양측에 구비되는 복수의 양극 리드 단자와 복수의 음극 리드 단자가 위 방향으로 융기된 부분을 포함하도록 상기 복수의 양극 리드 단자와 상기 복수의 음극 리드 단자를 각각 스탬핑 공정으로 업셋(up-set)하는 단계, 상기 리드 프레임 컵의 바닥이 아래 방향으로 돌출되도록 상기 리드 프레임 컵의 바닥을 다운셋(down-set)하는 단계, 상기 리드 프레임 컵의 내부에 복수의 발광다이오드 칩을 부착하는 단계, 상기 복수의 양 극 리드 단자의 복수의 양극 패드와 상기 복수의 음극 리드 단자의 복수의 음극 패드를 상기 복수의 발광다이오드 칩의 복수의 양극과 복수의 음극에 각각 전기적으로 연결하는 단계, 상기 리드 프레임 컵 주위에 배치되며 상기 복수의 음극 리드 단자 중 하나 이상 또는 상기 양극 리드 단자 중 하나 이상에 전기적으로 연결되는 다이 패드에 정전기 방전 보호 소자의 전극 중 어느 하나가 전기적으로 연결되도록 상기 정전기 방전 보호 소자를 상기 다이 패드에 설치하는 단계, 상기 정전기 방전 보호 소자의 나머지 한 전극을 상기 복수의 양극 리드 단자 중 어느 하나 또는 상기 복수의 음극 리드 단자 중 어느 하나에 전기적으로 연결하는 단계, 그리고 투명 수지 또는 열경화성 투과형 수지로 상기 복수의 발광다이오드의 상부를 덮는 수지층을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 수지층을 형성하는 단계는, 사출 반사컵을 포함하는 사출부를 형성하는 단계, 그리고 상기 사출 반사컵에 상기 투명 수지를 도팅하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 수지층을 형성하는 단계에서, 상기 열경화성 투과형 수지로 트랜스퍼 몰딩(transfer molding)을 통하여 상기 수지층이 형성될 수 있다.
상기 정전기 방전 보호 소자는 제어 다이오드, 시리얼 레귤레이터, LDO(Low Drop-out) 레귤레이터, 션트(shunt) 레귤레이터, 쇼트키(schottky) 다이오드, 과도전압억제(TVS) 다이오드, 및 스위칭 다이오드 중 어느 하나일 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 발광다이오드 소자는 상기한 본 발명의 실시예들에 따른 발광다이오드 소자 제조 방법 중 어느 하나에 의해 제조될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 발광다이오드 소자는, 리드 프레임 컵, 그리고 상기 리드 프레임 컵의 양측에 배치되는 복수의 양극 리드 단자와 복수의 음극 리드 단자를 포함하는 리드 프레임, 상기 리드 프레임 컵의 내부에 부착되는 복수의 발광다이오드 칩, 상기 복수의 발광다이오드 칩의 양극과 음극을 상기 복수의 양극 리드 단자와 상기 복수의 음극 리드 단자에 각각 전기적으로 연결하는 와이어, 상기 리드 프레임 컵 주위에 배치되며 상기 복수의 음극 리드 단자 중 하나 이상 또는 상기 복수의 양극 리드 단자 중 하나 이상에 전기적으로 연결되는 다이 패드, 그 전극 중 어느 하나가 상기 다이 패드에 전기적으로 연결되고 그 전극 중 나머지 하나는 상기 복수의 양극 리드 단자 중 어느 하나 또는 상기 복수의 음극 리드 단자 중 어느 하나에 전기적으로 연결되는 정전기 방전 보호 소자, 그리고 투명 수지 또는 열경화성 투과형 수지로 형성되며 상기 발광다이오드 칩의 상부를 덮는 수지층을 포함한다.
상기 복수의 음극 리드 단자 및 상기 복수의 양극 리드 단자는 융기된 부분을 포함하도록 스탬핑 공정에 의해 휘어지게 형성될 수 있다.
상기 리드 프레임 컵의 바닥은 아래 방향으로 돌출되어 바닥면이 외부로 노출될 수 있다.
발광다이오드 소자는 사출 반사컵을 포함하는 사출부를 더 포함할 수 있고, 상기 수지층은 상기 사출 반사컵에 상기 투명 수지를 도팅하여 형성될 수 있다.
상기 수지층은 상기 열경화성 투과형 수지로 트랜스퍼 몰딩(transfer molding)을 통하여 형성될 수 있다.
상기 정전기 방전 보호 소자는 제어 다이오드, 시리얼 레귤레이터, LDO(Low Drop-out) 레귤레이터, 션트(shunt) 레귤레이터, 쇼트키(schottky) 다이오드, 과도전압억제(TVS) 다이오드, 및 스위칭 다이오드 중 어느 하나일 수 있다.
본 발명에 의하면, 발광다이오드 소자가 제조 공정이 간단하고 제조 원가의 지나친 상승을 유발하지 않으면서도 정전기 방전으로부터 보호될 수 있다.
또한, 발광다이오드 소자의 리드 프레임이 업셋 공정에 의해 융기되어 전체적으로 플랫(flat)한 막대 형상을 가짐으로써, 전극 리드를 형성하는 공정이 간단하고 특히 전극 리드를 구부리는 공정에서 발생할 수 있는 내부 손상을 방지할 수 있다.
나아가 리드 프레임 컵의 바닥이 아래 방향으로 돌출되어 그 바닥면이 외부로 노출됨으로써 발광다이오드 소자에서 발생하는 열이 보다 효율적으로 배출될 수 있다.
이하에서 본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참조로 상세히 설명한다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면부호를 붙였다. 층이나 막 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "아래에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 또는 "바로 아래에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 또는 "바 로 아래에" 있다고 할 때에는 그 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
첨부된 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 한 실시예에 따른 발광다이오드 소자 및 그 제조 방법에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 발광다이오드 소자를 보여주는 도면이고, 도 2는 도 1의 발광다이오드 소자의 전기 회로도이며, 도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 발광다이오드 소자의 후면을 보여주는 사시도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 발광다이오드 소자는 리드 프레임(lead frame)(1)을 포함한다.
리드 프레임(1)은 리드 프레임 컵(lead frame cup)(31)과 복수의 양극 리드 단자(111, 112, 113)와 복수의 음극 리드 단자(221, 222, 223)를 포함한다.
복수의 양극 리드 단자(111, 112, 113)와 복수의 음극 리드 단자(221, 222, 223)는 리드 프레임 컵(31)의 양측에 각각 배치되며, 외부 전원을 발광다이오드 칩(11, 12, 13)으로 공급하는 기능을 수행한다.
복수의 발광다이오드 칩(11, 12, 13)이 리드 프레임 컵(31)의 내부, 즉 바닥에 부착된다. 예를 들어, 복수의 발광다이오드 칩(11, 12, 13)은 접착제에 의해 리드 프레임 컵(31)의 바닥에 부착될 수 있다.
복수의 발광다이오드 칩(11, 12, 13)의 양극과 음극은 골드 와이어(gold wire)(201, 202)에 의해 복수의 양극 리드 단자(111, 112, 113)와 복수의 음극 리드 단자(221, 222, 223)에 각각 전기적으로 연결된다. 더 구체적으로, 복수의 발광다이오드 칩(11, 12, 13)의 양극과 음극은 복수의 양극 리드 단자(111, 112, 113)의 양극 패드(35)와 복수의 음극 리드 단자(221, 222, 223)의 음극 패드(36)에 전기적으로 각각 연결될 수 있다. 이에 따라 외부 전원이 복수의 양극 리드 단자(111, 112, 113)와 복수의 음극 리드 단자(221, 222, 223)와 골드 와이어(201, 202)를 통해서 복수의 발광다이오드 칩(11, 12, 13)에 인가될 수 있다. 도 1에는 세 개의 발광다이오드 칩이 구비된 경우가 예시적으로 도시되어 있으나, 발광다이오드의 개수는 이제 한정되지 않는다.
다이 패드(die pad)(5)가 리드 프레임 컵(31) 주위에 배치된다. 보다 구체적으로는, 다이 패드(5)의 내측에 리드 프레임 컵(31)이 형성된다. 다이 패드(5)는 복수의 음극 리드 단자(221, 222, 223) 중 하나 이상 또는 복수의 양극 리드 단자(111, 112, 113) 중 하나 이상에 전기적으로 연결된다. 도 1에 도시된 실시예는 다이 패드(5)가 하나의 음극 리드 단자(222)에 전기적으로 연결된 경우이며, 이때 음극 리드 단자(222)와 다이 패드(5)가 동일한 재질로 일체로 형성됨으로써 전기적으로 연결될 수 있다.
복수의 발광다이오드 칩(11, 12, 13)을 정전기 방전으로부터 보호하기 위한 정전기 방전 보호 소자(6)가 구비된다. 정전기 방전 보호 소자(6)는 제너 다이오드(Zener diode), 시리얼 레귤레이터, LDO(Low Drop-out) 레귤레이터, 션트(shunt) 레귤레이터, 쇼트키(schottky) 다이오드, 과도전압억제(TVS) 다이오드, 및 스위칭 다이오드 중 어느 하나일 수 있다. 이하에서는 정전기 방전 보호 소자가 제너 다이오드인 경우에 대해 설명하고, 정전기 방전 보호 소자를 제너 다이오드로 칭하기로 한다.
제너 다이오드(6)는 다이 패드(5) 상에 설치될 수 있다. 제너 다이오드(6)의 전극 중 하나는 다이 패드(5)에 전기적으로 연결되며 나머지 하나의 전극은 복수의 양극 리드 단자(111, 112, 113) 중 어느 하나 또는 복수의 음극 리드 단자(221, 222, 223) 중 어느 하나에 전기적으로 연결된다. 즉, 다이 패드(5)가 복수의 음극 리드 단자(221, 222, 223) 중 하나 이상에 연결되는 경우(도 1, 도 4, 도 5의 경우), 제너 다이오드(6)의 전극 중 하나는 다이 패드(5)에 전기적으로 연결되고 나머지 하나는 복수의 양극 리드 단자(111, 112, 113) 중 어느 하나에 와이어(4)를 통해 전기적으로 연결된다.
도 2를 참조하면, 제너 다이오드(6)와 발광다이오드 칩(11, 12, 13)은 도 2와 같이 연결된다. 제너 다이오드(6)가 구비됨으로써, 발광다이오드 칩(11, 12, 13)에 과도하게 큰 전류가 흐르는 것을 방지할 수 있고 이에 따라 정전기 방전에 의한 발광다이오드 칩(11, 12, 13)의 손상이 방지될 수 있다. 이때, 하나의 제너 다이오드(6)가 구비되지만 도면부호 11이나 13에 의해 지시된 발광다이오드 칩에 정전기 방전이 발생하는 경우에도 과전류가 제너 다이오드(6)로 흡수(피뢰침의 원리)될 수 있다. 이에 따라 하나의 제너 다이오드(6)에 의해 복수의 발광다이오드 칩(11, 12, 13)이 정전기 방전으로부터 보호될 수 있다.
그리고, 발광다이오드 칩(11, 12, 13)의 상부를 덮는 수지층(9)이 형성된다. 본 실시예에서는 사출부(8)의 사출 반사 컵(81)의 내부에 수지층(9)이 형성된다. 사출부(8)는 열 경화성 또는 열 가소성 소재로 형성될 수 있으며 그 중심부에 사출 반사 컵(81)을 형성한다. 사출부(8)는 다이 패드(5), 복수의 양극 리드 단자(111, 112, 113), 그리고 복수의 음극 리드 단자(211, 212, 213)가 정해진 위치에서 고정되도록 이들을 둘러싸는 형태로 형성된다.
사출 반사 컵(81)에 의해 발광다이오드 칩(11, 12, 13)의 상부가 노출되며, 사출 반사 컵(81)에 수지층(9)이 형성됨으로써 발광다이오드 칩(11, 12, 13)의 상부가 수지층(9)에 의해 덮이게 된다. 사출 반사 컵(81)에 투명 수지를 도팅(dotting)하여 수지층(9)을 형성할 수 있다. 이때, 수지층(9)은 투명 에폭시 또는 투명 실리콘으로 형성될 수 있다.
한편, 도 1에 도시된 바와 같이, 복수의 양극 리드 단자(111, 112, 113)와 복수의 음극 리드 단자(211, 212, 213)는 융기된 업셋(up-set)부(32)를 포함하도록 스탬핑(stamping) 공정에 의해 휘어지게 형성된다. 즉, 복수의 양극 리드 단자(111, 112, 113)와 복수의 음극 리드 단자(211, 212, 213)는 수평 방향으로 연장되는 외측 부분, 그 외측 부분에서 상방향으로 융기되는 업셋부(32), 그리고 경사 부분의 상단 끝에서 내측으로 수평 방향으로 연장되는 내측 부분을 포함한다. 복수의 양극 리드 단자(111, 112, 113)와 복수의 음극 리드 단자(211, 212, 213)가 이와 같은 구조를 가짐으로써, 종래와 같은 J자 형태로 구부러진 형상(J-Bending)을 가지지 않고도 발광다이오드 소자가 구현될 수 있다. 이에 따라 제조 공정이 간단하고 구부리는 과정에서 발생하는 응력에 의해 발광다이오드 소자가 손상되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 도 1 및 도 3을 참조하면, 리드 프레임 컵(31)의 바닥은 아래 방향으로 돌출되어 그 바닥면(33)이 외부로 노출되도록 형성된다. 외부로 노출된 리드 프레임 컵(31)의 바닥면(33)은 열을 발산하는 히트 씽크(heat sink)로 작용하게 된다. 즉, 발광다이오드 소자 내부에서 발생한 열이 리드 프레임 컵(31)의 바닥면(33)을 통해서 외부로 효과적으로 배출될 수 있다. 이를 위해 사출부(8)는 리드 프레임 컵(31)의 바닥이 노출될 수 있도록 형성된다.
이하에서, 상기한 바와 같은 본 발명의 실시예에 따른 발광다이오드 소자를 제조하는 제조 방법에 대해 설명한다.
먼저, 리드 프레임(1)의 복수의 양극 리드 단자(111, 112, 113)와 복수의 음극 리드 단자(211, 212, 213)가 위 방향으로 융기된 업셋부(32)를 포함하도록 스탬핑 공정으로 업셋(up-set)한다. 즉, 도 1에 도시된 바와 같이, 복수의 양극 리드 단자(111, 112, 113)과 복수의 음극 리드 단자(211, 212, 213)의 내측 부분이 외측 부분보다 높아지도록 복수의 양극 리드 단자(111, 112, 113)와 복수의 음극 리드 단자(211, 212, 213)를 스탬핑 공정으로 성형한다. 이에 따라, 종래의 J자형으로 휘어진 리드 단자와는 달리, 복수의 양극 리드 단자(111, 112, 113)와 복수의 음극 리드 단자(211, 212, 213)는 위 방향으로 융기된 업셋부(32)를 포함하여 전체적으로 플랫(flat)한 막대 형상을 가지게 된다.
그리고 나서, 리드 프레임 컵(31)의 바닥이 아래 방향으로 돌출되도록 리드 프레임 컵(31)의 바닥을 스탬핑 공정으로 다운셋(down-set)한다. 아래 방향으로 돌출된 리드 프레임 컵(31)의 바닥면(33)은 외부에 노출되어 히트 씽크(heat sink)로 작용하게 된다.
그리고 나서, 열 경화성 또는 열 가소성 소재로 사출 반사 컵(81)을 구비하 는 사출부(8)를 형성한다. 이때, 사출부(8)는 리드 프레임 컵(31)의 바닥면(33)이 외부로 노출되도록 형성된다.
그리고 나서, 리드 프레임 컵(31)의 내부에 복수의 발광다이오드 칩(11, 12, 13)을 부착한다. 예를 들어, 복수의 발광다이오드 칩(11, 12, 13)은 접착제에 의해 리드 프레임 컵(31)의 바닥에 부착될 수 있다.
그리고 나서, 복수의 발광다이오드 칩(11, 12, 13)의 양극과 음극을 복수의 양극 리드 단자(111, 112, 113)의 복수의 양극 패드(35)와 복수의 음극 리드 단자(211, 212, 213)의 복수의 음극 패드(36)에 와이어(201, 202)로 각각 전기적으로 연결한다.
그리고 나서, 제너 다이오드(6)를 다이 패드(5)에 설치한다. 이때, 제너 다이오드(6)의 전극 중 하나는 다이 패드(5)에 전기적으로 연결된다.
그리고 나서, 제너 다이오드(6)의 전극 중 나머지 하나를 복수의 양극 리드 단자(111, 112, 113) 중 어느 하나 또는 복수의 음극 리드 단자(211, 212, 213) 중 어느 하나에 와이어(4)로 전기적으로 연결한다.
그리고 나서, 사출부(8)의 사출 반사 컵(81) 내부에 투명 수지를 도팅하여 복수의 발광다이오드(11, 12, 13)를 덮는 수지층(9)을 형성한다.
이하에서, 첨부된 도 4 및 도 5를 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광다이오드 소자 및 그 제조 방법에 대해서 설명한다.
도 4에 도시된 바와 같이, 다이 패드(5)는 복수의 음극 리드 단자(221, 222, 223) 모두에 전기적으로 연결된다. 즉, 다이 패드(5)가 복수의 음극 리드 단 자(221, 222, 223)와 일체로 형성됨으로써 다이 패드(5)가 복수의 음극 리드 단자(221, 222, 223) 모두에 전기적으로 연결된다. 이와 같은 구조에 의해 발광다이오드 소자의 전기 회로도는 도 5와 같다.
즉, 제너 다이오드(6)의 전극 중 하나는 다이 패드(5)에 전기적으로 연결됨으로써 복수의 음극 리드 단자(221, 222, 223)에 전기적으로 연결되고, 제어 다이오드(6)의 전극 중 나머지 하나는 도면부호 111에 의해 지시된 양극 리드 단자에 연결된다. 이러한 전기적 연결에 의한 제너 다이오드(6)의 작용에 의해 복수의 발광다이오드 칩(11, 12, 13)이 정전기 방전에 의해 손상되는 것이 방지될 수 있다.
이하에서, 첨부된 도 6을 참고하여 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광다이오드 소자 및 그 제조 방법에 대해서 설명한다.
본 실시예에서는 도 1의 실시예와 달리 사출부가 형성되지 않는다. 본 실시예에서는 열경화성 투과형 수지로 트랜스퍼 몰딩(transfer molding)을 통하여 발광다이오드 칩(11, 12, 13)의 상부를 덮는 수지층(10)을 형성한다. 이 수지층(10)은 발광다이오드 칩(11, 12, 13)의 상부를 덮음과 동시에 복수의 양극 리드 단자(111, 112, 113)와 복수의 음극 리드 단자(211, 212,213)의 일부를 덮도록 형성될 수 있다.
도 6의 실시예에 따른 발광다이오드 소자를 제조하는 제조 방법에 있어서는, 도 1의 발광다이오드 소자를 제조하는 제조 방법과는 달리 사출부를 형성하지 않으며, 도 6에 도시된 바와 같이 열경화성 투과형 수지로 트랜스퍼 몰딩을 통하여 복수의 발광다이오드 칩(11, 12, 13)과 복수의 양극 리드 단자(111, 112, 113)와 복 수의 음극 리드 단자(211, 212, 213)의 일부를 덮는 수지층(10)이 형성된다. 이때, 수지층(10)은 발광다이오드 칩(11, 12, 13), 다이 패드(5) 등의 상면을 덮도록 형성되며 도 1의 사출부와 유사하게 리드 프레임(1)을 감싸도록 형성될 수 있다. 또한, 수지층(10)은 리드 프레임 컵(31)의 아래로 돌출된 부분의 바닥면(33)이 외부로 노출되도록 형성된다.
이상에서 본 발명의 실시예를 설명하였으나, 본 발명의 권리범위는 이에 한정되지 아니하며 본 발명의 실시예로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 용이하게 변경되어 균등한 것으로 인정되는 범위의 모든 변경 및 수정을 포함한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 발광다이오드 소자를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 발광다이오드 소자의 전기 회로도이다.
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 발광다이오드 소자의 후면을 보여주는 사시도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광다이오드 소자를 보여주는 도면이다.
도 5는 도 4의 발광다이오드 소자의 전기 회로도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광다이오드 소자를 보여주는 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
11, 12, 13: 발광다이오드 칩 111, 112, 113: 양극 리드 단자
211, 212, 213: 음극 리드 단자 6: 제너 다이오드

Claims (11)

  1. 리드 프레임의 중앙에 위치하는 리드 프레임 컵의 양측에 구비되는 복수의 양극 리드 단자와 복수의 음극 리드 단자가 위 방향으로 융기된 부분을 포함하도록 상기 복수의 양극 리드 단자와 상기 복수의 음극 리드 단자를 각각 스탬핑 공정으로 업셋(up-set)하는 단계,
    상기 리드 프레임 컵의 바닥이 아래 방향으로 돌출되도록 상기 리드 프레임 컵의 바닥을 다운셋(down-set)하는 단계,
    상기 리드 프레임 컵의 내부에 복수의 발광다이오드 칩을 부착하는 단계,
    상기 복수의 양극 리드 단자의 복수의 양극 패드와 상기 복수의 음극 리드 단자의 복수의 음극 패드를 상기 복수의 발광다이오드 칩의 복수의 양극과 복수의 음극에 각각 전기적으로 연결하는 단계,
    상기 리드 프레임 컵 주위에 배치되며 상기 복수의 음극 리드 단자 중 하나 이상 또는 상기 양극 리드 단자 중 하나 이상에 전기적으로 연결되는 다이 패드에 정전기 방전 보호 소자의 전극 중 어느 하나가 전기적으로 연결되도록 상기 정전기 방전 보호 소자를 상기 다이 패드에 설치하는 단계,
    상기 정전기 방전 보호 소자의 나머지 한 전극을 상기 복수의 양극 리드 단자 중 어느 하나 또는 상기 복수의 음극 리드 단자 중 어느 하나에 전기적으로 연결하는 단계, 그리고
    투명 수지 또는 열경화성 투과형 수지로 상기 복수의 발광다이오드의 상부를 덮는 수지층을 형성하는 단계를 포함하는 발광다이오드 소자 제조 방법.
  2. 제1항에서,
    상기 수지층을 형성하는 단계는
    사출 반사컵을 포함하는 사출부를 형성하는 단계, 그리고
    상기 사출 반사컵에 상기 투명 수지를 도팅하는 단계를 포함하는 발광 다이오드 소자 제조 방법.
  3. 제1항에서,
    상기 수지층을 형성하는 단계에서, 상기 열경화성 투과형 수지로 트랜스퍼 몰딩(transfer molding)을 통하여 상기 수지층이 형성되는 발광다이오드 소자 제조 방법.
  4. 제1항에서,
    상기 정전기 방전 보호 소자는 제어 다이오드, 시리얼 레귤레이터, LDO(Low Drop-out) 레귤레이터, 션트(shunt) 레귤레이터, 쇼트키(schottky) 다이오드, 과도전압억제(TVS) 다이오드, 및 스위칭 다이오드 중 어느 하나인 발광다이오드 소자 제조 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 발광다이오드 소자 제조 방법에 의해 제 조되는 발광다이오드 소자.
  6. 리드 프레임 컵, 그리고 상기 리드 프레임 컵의 양측에 배치되는 복수의 양극 리드 단자와 복수의 음극 리드 단자를 포함하는 리드 프레임,
    상기 리드 프레임 컵의 내부에 부착되는 복수의 발광다이오드 칩,
    상기 복수의 발광다이오드 칩의 양극과 음극을 상기 복수의 양극 리드 단자와 상기 복수의 음극 리드 단자에 각각 전기적으로 연결하는 와이어,
    상기 리드 프레임 컵 주위에 배치되며 상기 복수의 음극 리드 단자 중 하나 이상 또는 상기 복수의 양극 리드 단자 중 하나 이상에 전기적으로 연결되는 다이 패드,
    그 전극 중 어느 하나가 상기 다이 패드에 전기적으로 연결되고 그 전극 중 나머지 하나는 상기 복수의 양극 리드 단자 중 어느 하나 또는 상기 복수의 음극 리드 단자 중 어느 하나에 전기적으로 연결되는 정전기 방전 보호 소자, 그리고
    투명 수지 또는 열경화성 투과형 수지로 형성되며 상기 발광다이오드 칩의 상부를 덮는 수지층을 포함하는 발광다이오드 소자.
  7. 제6항에서,
    상기 복수의 음극 리드 단자 및 상기 복수의 양극 리드 단자는 융기된 부분을 포함하도록 스탬핑 공정에 의해 휘어지게 형성되는 발광다이오드 소자.
  8. 제6항에서,
    상기 리드 프레임 컵의 바닥은 아래 방향으로 돌출되어 바닥면이 외부로 노출되는 발광다이오드 소자.
  9. 제6항에서,
    사출 반사컵을 포함하는 사출부를 더 포함하고,
    상기 수지층은 상기 사출 반사컵에 상기 투명 수지를 도팅하여 형성되는 발광다이오드 소자.
  10. 제6항에서,
    상기 수지층은 상기 열경화성 투과형 수지로 트랜스퍼 몰딩(transfer molding)을 통하여 형성되는 발광다이오드 소자.
  11. 제6항 내지 제10항 중 어느 한 항에서,
    상기 정전기 방전 보호 소자는 제어 다이오드, 시리얼 레귤레이터, LDO(Low Drop-out) 레귤레이터, 션트(shunt) 레귤레이터, 쇼트키(schottky) 다이오드, 과도전압억제(TVS) 다이오드, 및 스위칭 다이오드 중 어느 하나인 발광다이오드 소자.
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