TW200929625A - Light emitting diode device and manufacturing method thereof - Google Patents

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Ha-Chul Kim
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200929625 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 • 本發明關於發光二極體元件及其製造方法。更詳細 地,本發明關於具有在靜電放電中保護發光二極體晶片的 功能的發光二極體元件及其製造方法。 【先前技術】 發光二極體晶片中的InGaN'GaN類的發光二極體晶片 使用對靜電非常弱的氧化鋁(AhO3)基板。因此,實際情 ❹況是使用氧化銘基板的發光二極體晶片由靜電放電造成的 不合格率非常高。 過去’已知有在將InGaN、GaN類的發光二極體晶片用. 作光源的發光二極體元件中設置用於從靜電放電中保護發 光二極體晶片的齊納二極體(Zenerdi〇de)的技術。這時, 齊納二極體設置發光極管晶片的數量那麼多,在每個發光 二極體晶片連接一個齊納二極體來保護發光二極體晶片。 這種情況下’元件的生產製程複雜,隨著使用多個齊納二 極體,有發光二極體元件的製造成本上升的問題。 此外,過去的發光二極體元件具有引腳框的揚極引腳 端子及陰極引腳端子向形成於引腳框的注射反射板的後面 彎曲的結構(J-Bending結構),從而難以縮小發光二極 體元件的厚度並追加彎曲陽極引腳端子及陰極引腳端子的 製程和切斷(修剪)製程,有成本上升的問題。 進而’在f曲陽則腳端子及陰極引腳端子的過程 中’過度的應力被傳遞到發光二極體元件的内部,具有介 94544 3 200929625 面剝離等對元件的可靠性造成壞影響的問題。 另外,在發光二極體晶片中產生的熱僅通過被彎曲的 陽極引腳端子及陰極引腳端子的露出部分向外部排放,所 以有不能有效地排放發光二極體元件内部的熱。 【發明内容】 的,本發明所 不導致製造成 中被保護的功 本發明是為解決如上述的問題點而做出 要解決的課題是:挺供一種製造製程簡單、 本的過度上升的同時,具有可以在靜電放電 ❹能的發光二極體元件及其製造方法。 本發明所要解決的另-課題是:提供一種可以防止由 將發光二極體元件的引腳框的電極引腳料為:字形的過 程引起的製造製程的複雜和内部損傷等的發光二極體元 及其製造方法。 進而,本發明所要解決的再一課題是:提供一種具有 能夠更有效地排放在發光二極體元件中產生的熱的結構的 ❹發光二極體元件及其製造方法。 一為實現上述課題,根據本發明的實施例的發光二極體 兀件製造方法包括:設置在位於引腳框的中央的引腳框杯 的兩側的多個陽極引腳端子和多個陰極引腳端子包含向上 方隆起的部分而分別通過衝屋製程向上安裝上述多個陽極 引腳端子和上述多個陰極引腳端子的步驟’·向下安裝上述 引腳框杯的底部,以使上述引腳框杯的底部向下方突出的 步驟,在上述引腳框杯的内部點貼多個發光二極體晶片的 步驟,在上述多個發光二極體晶片的多個陽極和多個陰極 94544 4 200929625 分別電連接上述多個陽極引腳端子的多個陽極焊盤和上述 多個陰極⑽端子的多個陰極焊盤的步驟;在沖模塾設置 靜電放電保護元件,以便在配置於上述引腳框杯周圍並電 連接於上述多個陰極引腳端子中的一個以上或上述陽極引 ^子中的-個m财模墊電連接上述靜電放電保 4元件的電極中的任—個的步驟;在上述多個陽極引腳端 子中的任一個或上述多個陰極引腳端子中的任一個電連接 ^上述靜電放電保護元件的剩餘的一個電極的步驟;及由透 明樹脂或熱固化性透射型樹脂形成覆蓋上述多個發光二極 體的上部的樹脂層的步驟。 形成上述樹脂層的步驟可以包括··形成包括注射反射 杯的注射部的步驟;和在上述注射反射杯打點 上述透明樹脂的步驟。 在形成上述樹脂層的步驟中,可.以由上述熱固化性透 射型樹脂通過傳遞模塑形成上述樹脂層。 Q 上述靜電放電保護元件可以是齊納二極體、串聯穩壓 器、LDO (Low Drop-out :低壓差線性)穩歷器、並聯穩壓 器、肖特基二極體、瞬態電壓抑制(Tys)二極體、及開關 二極體中的任一個。 根據本發明的實施例的發光二極體元件可以通過根據 上述本發明的實施例的發光二極體元件製造方法中的一種 方法製造。 根據本發明的實施例的發光二極體元件包括:引聊 樞,包括引腳框杯、及配置在上述引腳框杯的兩側的多個 5 94544 200929625 陽極引腳端子和多個陰極引卿端子;多個發光$ 片,粘貼在上述引腳框杯的内部· a, •二極體晶片的陽極和陰極分别電連接在上杉個發夫 端子和上述多贿㈣丨_ 4㈣極引腳 框杯周圍,電連接在上述多個陰極_中:=: ,或上述多個陽極讀端子中的—個以上料一 :餘巧中的任一個電連接在上述沖模塾,其^ 剩餘的-個電連接在上述多铺極引㈣子中軸一個或 ^述多個陰極引腳端子中的任—個;及樹脂層,由透明^ 脂或熱固化性透射性樹脂形成,覆蓋上述發光二極體’ 的上部。 门 上述夕個陰極引腳端子及上述多個陽極引聊端子可以 包括隆起的部分而通過衝壓製程彎曲形成。 山上述引腳框杯的底部可讀.下方突出而底面向外部露 ❹ 發光二極體元件還可以包括注射部,該 點上述透 射反射杯;上述樹脂層可以在上述注射反射杯 / 明樹脂而形成。 月旨通過傳遞 上述樹脂層可以用上述熱固化性透射型樹 模塑形成。 上述靜電放電保護元件可以是齊納二極體、串聯穩 器、LD◦穩壓器、並聯穩壓器、肖特基二極體能ς髮 抑制二極體、及開關二極體中的任一個。 心徵 本發明的有益效果如下: 94544 6 200929625 根據本發明,發光二極體元件的製造製程簡單,不導 致製造成本的過度上升的同時,可以在靜電放電中被保護。 此外’發光二極體元件的引腳框通過向上安裝製程隆 起而整體上為平直的棒狀,從而形成電極引腳的製程簡 單,特別是能夠防止在彎曲電極引腳的製程中可能發生的 内部損傷。 進而,引腳框杯的底部向下方突起,其底面向外部露 出,從而可以更有效地排放在發光二極體元件產生的熱。 ®【實施方式】 .以下參照附圖詳細說明本發明的實施例。 在圖中’為了清楚地表現各層及區域,放大厚度而表 示。在整個說明書’對類似的部分附加相同的附圖符號。 在說層或膜等的部分位於其他部分“上”或“下”時,這 不僅包括就在其他部分“上”或就在其他部分“下”的情 况’還包括在其中間有其他部分的情況。相反,某個部分 Q就在其他部分“上”或“下”時,:表示其中間沒有其他部 分’。 參照附第1圖至第3圖說明根據本發明的實施例的發 光二極體元件及其製造方法。‘ 第1圖是表示根據本發明的實施例的發光二極體元件 的圖,第2圖是第1圖的發光二極體元件的電路圖,第3 圖是表示根據本發明的實施例的發光二極體元件的後面的 立體圖。 若參照第1圖,根據本發明的實施例的發光二極體元 7 94544 200929625 件包括引腳框l〇 引腳框1包括引腳框杯31、多個陽極引腳端子lu、 112、113和多個陰極引腳端子221、222、223。 #個陽極引腳端子⑴、112、113和多個陰極引腳端 子22卜222、223分別配置在引腳框杯31的兩側,執行向 發光二極體晶片11、12、13供給外部電源的功能。 彡個發:¾二極體晶片1卜12、13#貼在引腳框杯31 的内部即底部。例如,多個發光二極體晶片 ❹以通過粘接劑粘貼在引腳框杯31的底部。 多個發光二極體晶片11、12、13的陽極和陰極通過金 引線201、202分別與多個陽極引腳端子m、ι12、113和 多個陰極引腳端子221、222、223電連接。更具體地,多 個發光二極體晶片11、12、13的陽極和陰極可以分別電連 接在多個陽極引腳端子1Π、112、113的陽極焊盤35和多 個陰極引腳端子221、222、223的陰極焊盤36。隨之,外 ⑩。Ρ電源可以通過多個陽極引腳端子Η1、112、113、多個 陰極引腳端子221、222、223和金引線2〇1、202施加在多 個發光二極體晶片11、12、13。在第1圖中,例示性地示 出具備三個發光二極體晶片的情況,但是發光二極體的數 量不限於此。 沖模墊5配置在引腳框杯31的周圍。更具體地,在沖 模墊5的内側形成引腳框杯31。沖模墊5電連接在多個陰 極引腳端子221、222、223中的任一個或多個陽極引腳端 子1Π、112、113中的一個以上。第1圖所示的實施例是 94544 8 200929625 沖模墊5電連接在一個陰極引腳端子222的情況,這時睁 …極引腳端子222—和沖模墊5由相同的材質形成一體,從而 可以電連接。 具備用於在靜電放電中保護多個發光二極體晶片 12、13的靜電放電保護元件6。靜電放電保護元件6可以 是齊納二極體、串聯穩壓器、LD0穩壓器、並聯穩壓器、 肖特基二極體、瞬態電壓抑制二極體、及開關二極體中的 任一個。以下,對靜電放電保護元件為齊納二極體的情況 ❹進行說明,將靜電放電保護元件稱為齊納二極體。 齊納二極體6可以設置在沖模墊5上。齊納二極體6 的電極中的一個電連接在沖模墊5’剩餘的一個電極電連 接在多個陽極引腳端子lu、112、113中的任一個或多個 陰極引腳端子221、222、223中的任一個。即,沖模墊5 連接在多個陰極引腳端子221、222、223中的任一個的情 兄(第1圖、弟4圖、第5圖的情況)下,齊納二極體6 ⑬,電極中的一個電連接在沖模墊5,剩餘一個通過引線心 電連接在多個陽極引腳端子U1、112、113中的任一個。 右參照第2圖,齊納二極體6和發光二極體晶片 12、13如第2圖那樣連接。通過具備齊納二極體6,可以 防,在發光二極體晶片1卜12、13中流過過大的電流,隨 之^以防止由靜電放電造成的發光二極 體晶片11、12、13 j損傷。這時’具備—個齊納二極體6,在用附圖符號11 或13心不的發光二極體晶片產生靜電放電的情況下,也可 以由齊納二極體6吸收(避雷針的原理)過電流。由此, 94544 200929625 可以通過一個齊納二極體6,多個發光二極體晶片u、12、 13在靜電放電中被保護。 而且’形成覆蓋發光二極體晶片丨丨^“〜:^的上部的 樹脂層9。在本實施例中’在注射部8的注射反射杯81的 内部形成樹脂層9。注射部8可以由熱固化性或熱塑性材 料形成在其中心部形成反射杯81。注射部8形成為包圍 沖模墊5、多個陽極引腳端子m、112、113及多個陰極 引腳端子22卜222、223的形態,以使它們在預定的位置 ®固定。 通過注射反射杯81露出發光二極體晶片11、丨2、13 的上。卩’通過在注射反射杯81形成樹脂層9,從而發光二 極體晶η、12、13的上部由樹脂層9覆蓋。可以在注射 反射杯81打點透明樹脂而形成樹脂層9。這時,樹脂層9 可以由透明環氧樹脂或透明矽樹脂形成。 另外’如第1圖所示’多個陽極引腳端子ln、112、 ❿I3及夕個陰極引聊端子221、222、223通過衝壓製程彎 形成以便包含隆起的向上安裝部32。即,多個陽極引 =端子111、112、113及多個陰極引腳端子22卜222、223 匕括/σ水平方向延長的外側部分、在其外側部分向上方隆 起的向上安裝部32、及在傾斜部分的上端終端向内側沿水 平=向延長的内側部分。多個陽極引腳端子m、112、113 及多個陰極引腳端子22卜222、223具有這種結構,由此 不需像過去那樣具有彎曲成j字形的形狀(j —, 也可以實現發光二極體元件。由此,製造製程簡單,可以 10 94544 200929625 防止發光二極體元件因在彎曲的過程中產生的應力受損 ’傷。 ' 、另外,若參照第1圖及第3圖,引腳框杯31的底部形 成為向下方突出而使其底面33向外部露出。露出於外部的 引腳框杯31的底面33,具有散熱的散熱器的功能。即, 在發光二極體元件内部產生的熱通過引腳框杯31的底面 33有效地向外部排放。為此,注射部8形成為可以使引腳 框杯31的底部露出。 ❿ 下面,對製造如上述的根據本發明的實施例的發二 極體元件的製造方法進行說明。 首先’引腳框1的多個陽極引腳端子HI、H2、 和多個陰極引腳端子22卜222、223包含向上方隆起的向 上安裝部32而通過衝壓製程向上安裝。即,如第】圖所示, 通過衝壓製程形成多個陽極引腳端子111 Λ 112、113和多 個陰極引腳端子22卜222、223,以便多個陽極引腳端子 ❹111、112、113和多個陰極引腳端子221、222、223的内 側。卩分尚於外侧部分。由此,與過去的彎成j字形的引腳 端子不同,多個陽極引腳端子m、112、113和多個陰極 引腳端子221、222、223包含向上方隆起的向上安裝部32 而具有整體上平直的棒形狀。 接著,通過衝壓製程向下安裝引腳框杯31的底部,使 引腳框杯31的底部向下方突出。向下方突出的引腳框杯 31的底面33露出於外部,具有散熱器的功能。 接著,由熱固化性或熱塑性材料形成具備注射反射杯 94544 11 200929625 81的注射部8。這時 33向外部露出。 庄射部8形成為引腳框杯31的底面 接著,在引腳拖杯31的内部枯貼多個發光二極體晶片 11、12、13。例如’多個發光二極體晶片11、12、13可以 通過粘接劑粘貼在引腳框杯31的底部。 w、 θ接著,在多個陽極引腳端子in、112、113的多個陽 極焊盤35和多個陰極引腳端子22卜222、223的多個 〇 焊盤36用引線201、202分別電連接多個發光二極體晶片 11、12、丨3的陽極和陰極.。 接著’在沖模墊5設置齊納二極體6。這時,在沖模 墊5電連接齊納二極體6的電極中的一個。 、 接著,在多個陽極引腳端子U1、112、113中的任一 個或多個陰極引腳端子221、222、223中的任一個用引線 4電連接齊納二極體6的電極中的剩餘的一個。 、 接著,在注射部8的注射反射杯81的内部打點透明樹 ❹脂形成覆蓋多個發光二極體1丨、12、13的樹脂層9。 下面’參照所附的第4圖及第5圖說明根據本發明的 另一實施例的發光二極體元件及其製造方法。 如第4圖所示,沖模墊5電連接在多個陰極引腳端子 221、222、223的全部。即,沖模墊5與多個陰極引腳端 子221、222、223形成一體,從而沖模墊5電連接在多個 陰引腳端子221、222、223的全部。.通過這種結構,發光 二極體元件的電路圖如第5圖。 即’齊納二極體6的電極中的一個電連接在沖模墊5, 12 94544 200929625 從而電連接在多個陰極引腳端子221、222、223,齊納> 極體6的電極中的剩餘的一個連接在用附圖符號ιη指齐 的陽極引腳端子。通過基於這種電連接的齊納二極體6的 作用’可以防止多個發光二極體晶片丨丨、丨2、13因靜電欢 電而受損傷。 下面’參照所附的第6圖說明根據本發明的再一實施 例的發光二極體元件及其製造方法。 在本實施例中,不同於第丨圖的實施例,不形成注射 ❿部。在本實施例中,由熱固化性透射型樹脂通過傳遞模资 形成覆蓋發光二極體晶片u、12、13的上部的樹脂層1〇。 該樹脂層ίο可以形成為覆蓋發光二極體晶片n、12、13 的上部,並且覆蓋多個陽極引腳端子ln、112、】丨3和爹 個陰極引腳端子221、222、223的一部分。 在製造根據第6圖的實施例.的發光二極體元件的製造 方法中,與製造第1圖的發光二極體元件的製造方法不 ❹同不形成’主射°卩,如第6圖所示,用熱固化性透射型樹 脂通過傳遞模塑形成覆蓋多個發光二極體晶片u、12、i3、 多個陽極引腳端子11卜112、113和多個陰極引腳端子 221#、222、223的一部分的樹月旨層1〇。這時,樹脂層1〇以 覆蓋發光二極體晶片U、12、13、沖模塾5等的上表面的 方式形成’可以與第1圖的注射部類似地形成為包圍引腳 忙1另外,樹月曰層形成為引腳框杯31的向下突出的 部分的底面33向外部露出。 以上’說明了本發明的實施例,但是本發明的權利要 94544 200929625 求範圍不限於此,包括本發明所屬技術領域的普通技術人 員容易根據本發明的實施例變更而被認為等同的範圍的所 有變更及修改。 , 【圖式簡單說明】 第1圖是表示根據本發明的一實施例的發光二極體元 件的圖。 第2圖是第1圖的發光二極體元件的電路圖。 第3圖是表示根據本發明的實施例的發光二極體元件 © 的後面的立體圖。 第4圖是表示根據本發明的另一實施例的發光二極體 元件的圖。 第5圖是第4圖的發光二極體元件的電路圖。 第6圖是表示根據本發明的再一實施例的發光二極體 元件的圖。 【主要元件符號說明】 1 引腳框 4 引線 5 沖模墊 6 齊納二極體 8 注射部 9 > 10 樹赌層 11 > 12、13 發光二極體晶片 31 引腳框杯 32 安裝部 33 底面 35 陽極焊盤 36 陰極焊盤 81 注射反射杯 111、112、113 陽極引腳端子 201、202 金引線 221、222、223 陰極引腳端子 14 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Claims (1)

  1. 200929625 七、申請專利範圍: 1. 一種發光二極體元件製造方法,包括: 設置 —在位於引腳框的中央的引腳框杯的兩侧 個陽極引腳端子和多個陰則腳端子包含向上 的部分而分別通過衝壓製程向上安裝上述固極 聊端子和上述多個陰極引腳端子的步驟; 陽極引 的广向I安裝墙丨腳框杯的底部,以使上述引腳 的底部向下方突出的步驟; 在上述引腳框杯的内部枯貼多個發光二極體晶片 的步驟; 在上述多個發光二極體晶片的多個陽極和多個陰 極分別電連接上述多個陽極引聊端子的多個陽極悍二 和上.述多個陰極引腳端子的多個陰極焊盤的步驟; 在沖模塾設置靜電放電保護元件,以在配置於上述 引腳框杯周圍並電連接於上述多個陰極引腳端子中的 :個以上或上述陽極引腳端子中的一個以上的上述沖 模墊電連接上述靜電放電保護元件的電極中的任一個 的步驟; 在上述多個陽極引腳端?中的任一個或上述多個 陰極引聊端子中的任—個電連接上述靜電放電保護元 件的剩餘的一個電極的步驟;及 由透明樹脂或熱固化性透射型樹脂形成覆蓋上述 夕個發光二極體的上部的樹脂層的步驟。 2.如申„月專利範圍第^的發光二極體元件製造方法,其 94544 15 200929625 中, 形成上述樹脂層的步驟包括: .形成包括注射反射杯的注射部的步驟;及 在上述注射反射杯打點上述透明樹脂的步驟。 3.如申請專利範圍第1項的發光二極體元件製造方法,其 中, 在形成上述樹脂層的步驟中,由上述熱固化性透射 型樹脂通過傳遞模塑形成上述樹脂層。 ❹4.如申請專利範圍第^項的發光二極體元件製造方法,其 中, 八 上述靜電放電保護元件是齊納二極體、串聯穩壓 器二低壓差線性穩壓器、並聯穩壓器、肖特基二極;、 瞬恶電壓抑制二極體、及開關二極體中的任—個。 5· -種發光二極.體元件,其由申請專利細第丨至*項中 的任項的發光二極體元件製造方法製造。 ❹ 6. 一種發光二極體元件,包括: 雨伽=框’包㈣腳框杯、及配置在上述引腳框杯的 1户夕個陽極弓I腳端子和多個陰極引腳端子; 部 多個發光二極體晶片,㈣在上述引腳框杯的内 別電連接/ 體日日片的陽極和陰 接在上—端子和上述多個陰 沖模塾,配置在墙丨_她,電⑽ 94544 16 200929625 多個陰極引腳端子中的一個以上或上述多個陽極引腳 端子中的一個以上; 靜電放電保護元件,其電極中任一個電連接在上述 沖模墊,其電極中的剩餘的一個電連接在上述多個陽極 引腳端子中的任一個或上述多個陰極引腳端子中的任 一個;及 樹脂層,由透明樹脂或熱固化性透射性樹脂形成, 覆蓋上述發光二極體晶片的上部。 © 7.如申請專利範圍第6項的發光二極體元件,其中,上述 多個陰極引腳端子及上述多個陽極引腳端子包括隆起 的部分而通過衝壓製程彎曲形成。 8. 如申請專利範圍第5項的發光二極體元件,其中, 上述引腳框杯的底部向下方突出而底面向外部露 出。 9. 如申請專利範圍第6項的發光二極體元件, @ 復包括注射部,該注射部包括注射反射杯; 上述樹脂層在上述注射反射杯打點上述透明樹脂 而形成' 10. 如申請專利範圍第6項的發光二極體元件,其中, 上述樹脂層用上述熱固化性透射型樹脂通過傳遞 模塑形成。 11. 如申請專利範圍第6至10項中的任一項的發光二極體 元件,其中, 上述靜電放電保護元件是齊納二極體、串聯穩壓 17 94544 200929625 器、低壓差線性穩壓器、並聯穩壓器、肖特基二極體、 瞬態電壓抑制二極體、及開關二極體中的任一個。 ❿ 18 94544
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI501381B (zh) * 2011-05-05 2015-09-21 Lextar Electronics Corp 發光模組、發光單元及其製造方法

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101621107B (zh) * 2009-07-30 2012-09-26 深圳市聚飞光电股份有限公司 一种高光效发光二极管及其封装方法
CN102042571B (zh) * 2009-10-13 2013-06-05 良盟塑胶股份有限公司 照明装置的导电包覆结构
KR101034142B1 (ko) * 2009-12-01 2011-05-13 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
TW201128812A (en) 2009-12-01 2011-08-16 Lg Innotek Co Ltd Light emitting device
CN101740711B (zh) * 2009-12-16 2013-01-23 广东宏磊达光电科技有限公司 大功率led支架
KR101138242B1 (ko) * 2010-01-26 2012-04-24 주식회사 루멘스 Led 패키지 및 이를 구비한 에지형 백 라이트 유닛
KR101693852B1 (ko) * 2010-03-30 2017-01-06 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
KR101859149B1 (ko) 2011-04-14 2018-05-17 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
KR101103674B1 (ko) 2010-06-01 2012-01-11 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
TWI483438B (zh) * 2010-08-16 2015-05-01 Harvatek Corp 用於提升散熱效能之發光二極體封裝結構及其製作方法
JP2012049348A (ja) * 2010-08-27 2012-03-08 Sharp Corp 発光装置
CN102142433A (zh) * 2011-03-01 2011-08-03 上海旭福电子有限公司 瞬变电压抑制二极管和肖特基二极管组合的晶体管
KR101116951B1 (ko) 2011-03-21 2012-03-14 희성전자 주식회사 발광다이오드 패키지
KR101823506B1 (ko) * 2011-06-29 2018-01-30 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛
KR101459555B1 (ko) * 2011-11-02 2014-11-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
CN103171080A (zh) * 2011-12-21 2013-06-26 顺德工业股份有限公司 发光装置封装支架的制造方法
CN104380486A (zh) * 2012-06-15 2015-02-25 夏普株式会社 发光装置
DE102012108107A1 (de) * 2012-08-31 2014-03-27 Epcos Ag Leuchtdiodenvorrichtung
KR101583561B1 (ko) * 2014-05-29 2016-01-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR101610160B1 (ko) * 2015-04-17 2016-04-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
CN105405953B (zh) * 2015-12-31 2018-01-23 浙江唯唯光电科技股份有限公司 低热阻高光效大功率led灯珠
CN105449085A (zh) * 2015-12-31 2016-03-30 浙江唯唯光电科技有限公司 高可靠性超亮片式led光源
KR101692511B1 (ko) * 2016-03-30 2017-01-03 엘지이노텍 주식회사 발광 소자

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59205776A (ja) * 1983-05-10 1984-11-21 Sumitomo Electric Ind Ltd 光モジユ−ル
JP3736366B2 (ja) * 2001-02-26 2006-01-18 日亜化学工業株式会社 表面実装型発光素子およびそれを用いた発光装置
KR100506735B1 (ko) * 2003-06-26 2005-08-08 삼성전기주식회사 다색 발광 다이오드 패키지
KR100613065B1 (ko) * 2004-05-21 2006-08-16 서울반도체 주식회사 고열전도성 반사체를 이용한 발광 다이오드 패키지 및 그제조방법
KR200373718Y1 (ko) * 2004-09-20 2005-01-21 주식회사 티씨오 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도발광다이오드
KR100650191B1 (ko) * 2005-05-31 2006-11-27 삼성전기주식회사 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광다이오드
JP2007095797A (ja) * 2005-09-27 2007-04-12 Nippon Leiz Co Ltd 光源装置
JP4923711B2 (ja) 2006-05-02 2012-04-25 日亜化学工業株式会社 発光装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI501381B (zh) * 2011-05-05 2015-09-21 Lextar Electronics Corp 發光模組、發光單元及其製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009130359A (ja) 2009-06-11
CN101442015A (zh) 2009-05-27
KR100870950B1 (ko) 2008-12-01

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