JP6244130B2 - 発光素子搭載用パッケージ及び発光素子パッケージ - Google Patents

発光素子搭載用パッケージ及び発光素子パッケージ Download PDF

Info

Publication number
JP6244130B2
JP6244130B2 JP2013156153A JP2013156153A JP6244130B2 JP 6244130 B2 JP6244130 B2 JP 6244130B2 JP 2013156153 A JP2013156153 A JP 2013156153A JP 2013156153 A JP2013156153 A JP 2013156153A JP 6244130 B2 JP6244130 B2 JP 6244130B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting element
wiring
element mounting
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013156153A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015026746A (ja
Inventor
元 中西
元 中西
中村　敦
敦 中村
松本　隆幸
隆幸 松本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinko Electric Industries Co Ltd
Original Assignee
Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinko Electric Industries Co Ltd filed Critical Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority to JP2013156153A priority Critical patent/JP6244130B2/ja
Priority to TW103124210A priority patent/TWI675497B/zh
Priority to US14/333,602 priority patent/US9224933B2/en
Priority to KR1020140094456A priority patent/KR102210072B1/ko
Publication of JP2015026746A publication Critical patent/JP2015026746A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6244130B2 publication Critical patent/JP6244130B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

本発明は、発光素子を搭載可能な発光素子搭載用パッケージ、及び前記発光素子搭載用パッケージに発光素子を搭載した発光素子パッケージに関する。
近年、発光素子として発光ダイオード（以降、ＬＥＤとする）を搭載する発光素子搭載用パッケージが提案されている。例えば、基板の一方の面にＬＥＤに接続されるＬＥＤ接続用パッドが設けられ、基板の他方の面に外部に接続される外部接続用パッドが設けられ、それらが貫通配線により接続された発光素子搭載用パッケージ等を挙げることができる（例えば、特許文献１参照）。
国際公開第２００４／０８４３１９号パンフレット
しかしながら、上記発光素子搭載用パッケージでは、セラミック等の基板に形成した貫通孔に貫通配線を形成した後、基板の一方の面及び他方の面に、貫通配線の両端部と電気的に接続するパッドを形成する必要がある。そのため、製造プロセスが多く、発光素子搭載用パッケージのコストアップに繋がる。
発光素子搭載用パッケージのコストアップを抑えるために、基板の他方の面に外部接続用パッドを設けずに、貫通配線の基板の他方の面から露出する部分を外部接続用パッドとして用いる方法も考えられる。
しかしながら、この方法では、貫通配線と貫通孔の側壁とは接合していないため十分な強度が得られず、ＬＥＤ接続用パッドを基板から引き離す方向に力が加わると、ＬＥＤ接続用パッド及び貫通配線が基板から抜ける所謂鞘抜けが発生する場合があった。
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、鞘抜けの発生を低減可能な発光素子搭載用パッケージ等を提供することを課題とする。
本発光素子搭載用パッケージは、樹脂からなる基板と、前記基板の一方の面に設けられた配線からなり、平面視において、所定の間隔を開けて対向配置された２つの領域を含み、前記２つの領域が発光素子の電極との接続部となる発光素子搭載部と、前記基板を貫通し、一端が前記発光素子搭載部と電気的に接続され、他端が前記基板の他方の面から露出して露出部が接続端子をなす貫通配線と、を有し、前記２つの領域には、各々前記貫通配線が設けられ、前記貫通配線の前記基板に埋設されている部分は、前記貫通配線の一端の平面形状よりも平面形状の大きな極大部を有し、前記貫通配線の前記基板に埋設されている部分と、前記接続端子となる露出部とは、同一材料により一体に形成されていることを要件とする。
開示の技術によれば、鞘抜けの発生を低減可能な発光素子搭載用パッケージ等を提供できる。
第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージを例示する平面図である。 図１のＡ部を拡大して例示する図である。 極大部について説明する図である。 第１の実施の形態に係る発光素子パッケージを例示する断面図である。 第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その１）である。 第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その２）である。 第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図（その３）である。 第２の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージを例示する断面図である。 第３の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージを例示する平面図である。 図９のＤ部を拡大して例示する図である。 第３の実施の形態に係る発光素子パッケージを例示する断面図である。 第３の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図である。 第３の実施の形態の変形例１に係る発光素子搭載用パッケージを例示する断面図である。 第３の実施の形態の変形例１に係る発光素子パッケージを例示する断面図である。 第４の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージを例示する図（その１）である。 第４の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージを例示する図（その２）である。 第５の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージを例示する断面図である。
以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
〈第１の実施の形態〉
［第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの構造］
まず、第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの構造について説明する。図１は、第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージを例示する平面図である。図２は、図１のＡ部（破線で囲んだ部分）を拡大して例示する図であり、図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
図１及び図２を参照するに、発光素子搭載用パッケージ１は、大略すると、基板１０と、接着層２０と、配線３０（配線３１、３２、バスライン３３）と、めっき膜４０（めっき膜４１〜４５）と、貫通配線５０（貫通配線５１及び５２）と、絶縁層６０とを有する。なお、本願において、平面視とは対象物を基板１０の一方の面の法線方向から視ることを指し、平面形状とは対象物を基板１０の一方の面の法線方向から視た形状を指すものとする。
図２において、二点鎖線で囲まれた領域Ｃは、最終的に二点鎖線に沿って切断されて個片化され、各々個別の発光素子搭載用パッケージとなる領域（以降、個別パッケージ領域Ｃと称する）である。つまり、発光素子搭載用パッケージ１は、１つの発光素子を搭載可能に構成された個別パッケージ領域Ｃを複数個有するパッケージである。なお、図１の例では、発光素子搭載用パッケージ１は、６０個の個別パッケージ領域Ｃを有するが、これには限定されない。
発光素子搭載用パッケージ１において、基板１０としては、例えば、可撓性を有する絶縁樹脂フィルムを用いることができる。絶縁樹脂フィルムとしては、例えば、ポリイミド系樹脂製のフィルム（ポリイミドテープ）やエポキシ系樹脂製のフィルム、ポリエステル系樹脂製のフィルム等を用いることができる。但し、基板１０は可撓性を有する絶縁樹脂フィルムには限定されず、例えば、ＦＲ４（Flame Retardant ４）規格のガラスエポキシ樹脂製の基板等を用いてもよい。基板１０の厚さは、例えば、１２〜７５μｍ程度とすることができる。
接着層２０は、基板１０の一方の面に貼着され、配線３１及び３２並びにバスライン３３を基板１０に接着している。接着層２０としては、例えば、エポキシ系接着剤又はポリイミド系接着剤等の絶縁性樹脂製の耐熱性接着剤を用いることができる。接着層２０の厚さは、例えば、８〜１８μｍ程度とすることができる。
基板１０の両端部には、各々複数のスプロケットホール１０ｘが所定方向に略一定間隔で連続的に設けられている。スプロケットホール１０ｘは、発光素子を実装するために発光素子搭載用パッケージ１が実装機に装着された際、モータ等により駆動されるスプロケットのピンと噛み合って、発光素子搭載用パッケージ１をピッチ送りするための貫通孔である。
基板１０の幅（スプロケットホール１０ｘの配列方向に垂直な方向）は、発光素子搭載用パッケージ１が装着される実装機に対応するように決定される。基板１０の幅は、例えば、４０〜９０ｍｍ程度とすることができる。一方、基板１０の長さ（スプロケットホール１０ｘの配列方向）は、任意に決定することができる。
図１では、個別パッケージ領域Ｃは１０列とされている。しかし、基板１０として、例えば、可撓性を有する絶縁樹脂フィルムを用いた場合には、基板１０をより長くして個別パッケージ領域Ｃを例えば１００列程度とし、テープ状の発光素子搭載用パッケージ１をリール状態で出荷することも可能である。
基板１０の両端部に配列されたスプロケットホール１０ｘの間には、縦横に配列された個別パッケージ領域Ｃ全体を囲むように、表面をめっき膜４５で覆われたバスライン３３が配置されている。バスライン３３は、電解めっき法により配線３１及び３２にめっき膜４０を形成する際の給電に用いられる。発光素子搭載用パッケージ１内の発光素子搭載部を構成する配線３１及び３２は、バスライン３３と電気的に接続されている。バスライン３３を用いて配線３０にめっき膜４０を形成する具体的な方法については後述する。
各個別パッケージ領域Ｃにおいて、基板１０の一方の面には、接着層２０を介して、配線３１及び３２が設けられている。配線３１は、基板１０及び接着層２０を貫通する複数の貫通配線５１の一端と電気的に接続されている。配線３２は、基板１０及び接着層２０を貫通する複数の貫通配線５２の一端と電気的に接続されている。
各貫通配線５１及び５２の他端は、例えば、各々基板１０の他方の面と略面一とすることができる。なお、配線３１には２つの貫通配線５１が接続され、配線３２には２つの貫通配線５２が接続されている。
このように、放熱性を向上させる観点からは、貫通配線５１及び５２を各々複数個設けることが好ましいが、これには限定されない。配線３１及び３２には、各々最低１つずつの貫通配線が設けられていればよい。但し、配線３１及び３２に各々２つ以上の貫通配線５１及び５２を設けておくと、個別パッケージ領域Ｃが個片化された後に所定の平面部に配置された場合のバランスの点からは好適である。例えば、個別パッケージ領域Ｃの平面形状が矩形の場合、個別パッケージ領域Ｃの各隅部に貫通配線５１及び５２（接続端子）を設けておく。このように貫通配線５１及び５２を設けておくと、発光素子搭載用パッケージや発光素子パッケージを金属基板等に搭載する際に、パッケージが傾いて実装されることを防げ、好適である。
なお、貫通配線５１及び５２は、便宜上別符号としているが、後述のように、同一材料を用いて同一工程で形成される。貫通配線５１及び５２を特に区別する必要のない場合には、貫通配線５０と称する。又、貫通配線５１及び５２の露出部を接続端子と称する場合がある。貫通配線５０の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。
貫通配線５０の一端（配線３０と接する部分）の平面形状は例えば円形とすることができ、その場合の直径は、例えば、０．５〜１ｍｍ程度とすることができる。但し、貫通配線５０は電気的接続に寄与すると共に放熱にも寄与するため、特に放熱性を向上させたい場合等には貫通配線５０の一端の直径を１ｍｍ以上としても構わない。又、貫通配線５０の一端の平面形状は、例えば、矩形や楕円形等としても構わない。貫通配線５０の一端の平面形状を矩形とすることにより、配線３０と接する部分の面積を大きくできるため、放熱性をより向上可能となる（後述の、第４及び第５の実施の形態を参照）。
又、貫通配線５０の基板１０に埋設されている部分は、貫通配線５０の一端の平面形状よりも平面形状の大きな極大部Ｍを有する。例えば、断面視において、貫通配線５０の両側面を、厚さ方向の一部（例えば、厚さ方向の中央部）が膨らむような円弧状とすることにより、極大部Ｍを形成できる。
但し、貫通配線５０の断面形状は、両側面を厚さ方向の一部が膨らむような円弧状とする場合には限定されない。例えば、図３（ａ）に示すように、両側面を厚さ方向の一部が膨らむような、くの字状（断面形状が略六角形状）とすることにより、極大部Ｍを形成してもよい。或いは、図３（ｂ）に示すように、両側面を厚さ方向の一部が膨らむような、より複雑な形状とすることにより、極大部Ｍを形成してもよい。
このように、貫通配線５０の基板１０に埋設されている部分が、貫通配線５０の一端の平面形状よりも平面形状の大きな極大部Ｍを有することにより、配線３０及び貫通配線５０の鞘抜けを低減できる。
配線３１及び３２は、一部の領域を除き、個別パッケージ領域Ｃの略全域に設けられた絶縁層６０に覆われている。配線３１及び３２の一部の領域は絶縁層６０から露出しており、配線３１及び３２の絶縁層６０から露出する領域にはめっき膜４１、４２、４３、及び４４が形成されている。
絶縁層６０は、隣接する個別パッケージ領域Ｃの境界部分の接着層２０の表面を露出するように設けると好適である。このように絶縁層６０を設けると、発光素子搭載用パッケージ１を個別パッケージ領域Ｃ毎に切断する際に、絶縁層６０周縁の欠けや脱落を防止できる。よって、絶縁層６０の表面積の減少を防止でき、絶縁層６０の反射率の低下を防止できる。又、この場合、発光素子搭載用パッケージ１を個別パッケージ領域Ｃ毎に切断した際に、絶縁層６０周縁が基板１０周縁から内方に後退して設けられる。
なお、絶縁層６０の欠け等が生じない場合、個別パッケージ領域Ｃの境界部分を含む接着層２０上の全面に絶縁層６０を設けてもよい。この場合、発光素子搭載用パッケージ１を個別パッケージ領域Ｃ毎に切断した際に、絶縁層６０、基板１０、及び接着層２０の側面が略面一となる。
なお、配線３１及び３２、及びバスライン３３は、便宜上別符号としているが、後述のように、同一材料を用いて同一工程で形成される。配線３１及び３２、及びバスライン３３を特に区別する必要のない場合には、配線３０と称する。配線３０の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。配線３０の厚さは、例えば、１２〜３５μｍ程度とすることができる。
同様に、めっき膜４１、４２、４３、４４、及び４５は、便宜上別符号としているが、後述のように、同一材料を用いて同一工程で形成される。めっき膜４１、４２、４３、４４、及び４５を特に区別する必要のない場合には、めっき膜４０と称する。
めっき膜４０の材料としては、例えば、Ｎｉ又はＮｉ合金／Ａｕ又はＡｕ合金膜、Ｎｉ又はＮｉ合金／Ｐｄ又はＰｄ合金／Ａｕ又はＡｕ合金膜、Ｎｉ又はＮｉ合金／Ｐｄ又はＰｄ合金／Ａｇ又はＡｇ合金／Ａｕ又はＡｕ合金膜等を用いることができる。めっき膜４０の材料として、例えば、Ａｇ又はＡｇ合金膜、Ｎｉ又はＮｉ合金／Ａｇ又はＡｇ合金膜、Ｎｉ又はＮｉ合金／Ｐｄ又はＰｄ合金／Ａｇ又はＡｇ合金膜等を用いてもよい。なお、『ＡＡ／ＢＢ膜』は、ＡＡ膜とＢＢ膜とが対象部分にこの順番で積層形成されていることを意味している（３層以上の場合も同様）。
めっき膜４０のうち、Ａｕ又はＡｕ合金膜、Ａｇ又はＡｇ合金膜の膜厚は、０．１μｍ以上とすることが好ましい。めっき膜４０のうち、Ｐｄ又はＰｄ合金膜の膜厚は、０．００５μｍ以上とすることが好ましい。めっき膜４０のうち、Ｎｉ又はＮｉ合金膜の膜厚は、０．５μｍ以上とすることが好ましい。なお、通常は貫通配線５０の他端にも、めっき膜４０と同様なめっき膜が設けられている。
絶縁層６０は、各個別パッケージ領域Ｃに搭載される発光素子の照射する光の反射率及び放熱率を上げるために設けられている。絶縁層６０の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂、オルガノポリシロキサン等のシリコーン系樹脂に、酸化チタン（ＴｉＯ２）や硫酸バリウム（ＢａＳＯ４）等のフィラーや顔料を含有させたものを用いることができる。絶縁層６０の材料として、これらの材料製の白色インクを用いてもよい。
平面視において、配線３１と配線３２とは所定の間隔をおいて対向配置された２つの領域をなし、この２つの領域は発光素子搭載部を構成している。換言すれば、各個別パッケージ領域Ｃにおいて、発光素子搭載部は基板１０表面の略全面にプレーン状（平面状）に設けられた金属層からなり、金属層に設けられた所定の間隙（スリット）により、対向配置された２つの領域（配線３１と配線３２）に分離されている。なお、所定の間隙（スリット）は、発光素子の一方の電極と他方の電極との間隙に対応した幅を有する。
発光素子搭載部の周縁は、基板１０の周縁よりも基板１０の内方に後退して設けられている。発光素子搭載用パッケージ１を個別パッケージ領域Ｃ毎に切断した際に、発光素子搭載部（配線３１と配線３２）の側面が露出し、発光素子搭載用パッケージ１の使用時にショート等が発生しないようにするためである。
発光素子は発光素子搭載部に搭載され、発光素子搭載部の一部領域に形成されているめっき膜４１及び４２の何れか一方が発光素子の一方の電極と接続され、他方が発光素子の他方の電極と接続される。つまり、配線３１のめっき膜４１が形成されている部分と配線３２のめっき膜４２が形成されている部分とは所定の間隔をおいて対向配置されており、めっき膜４１とめっき膜４２とは、発光素子の一方の電極との接続部と発光素子の他方の電極との接続部となる。発光素子搭載部である配線３１の直下には貫通配線５１が接続され、配線３２の直下には貫通配線５２が接続されている。これにより、発光素子の発する熱を貫通配線５１及び５２を介して効率よく放熱できる。
又、配線３１のめっき膜４３が形成されている部分と配線３２のめっき膜４４が形成されている部分とは所定の間隔をおいて対向配置され、めっき膜４３及び４４上に保護部品を搭載可能としている。めっき膜４３及び４４の何れか一方は、保護部品の一方の電極と接続され、他方は保護部品の他方の電極と接続される。つまり、めっき膜４３とめっき膜４４とは、保護部品の一方の電極との接続部と保護部品の他方の電極との接続部となる。但し、保護部品の搭載は必須ではなく、必要に応じて搭載することができる。
保護部品としては、例えば、ツェナーダイオードを搭載できる。ツェナーダイオードを搭載する場合には、めっき膜４３及び４４のうち、電位の高い方（発光素子の正極側）をアノード側、電位の低い方（発光素子の負極側）をカソード側とする。めっき膜４３とめっき膜４４との間にツェナーダイオードを搭載することにより、めっき膜４３とめっき膜４４との間が所定電圧（ツェナー電圧）以上になることを防止でき、搭載される発光素子を保護できる。
なお、配線３１と配線３２とが所定の間隔をおいて対向する部分において、平面視において、配線３１の一部が凸部となり、配線３２の凹部に入り込むように配置されている。配線３１の凸部と配線３２の凹部が、発光素子の一方の電極との接続部及び他方の電極との接続部となる。又、配線３１と配線３２とが所定の間隔をおいて直線的に対向する部分（配線３１の凸部と配線３２の凹部以外の部分）が、保護部品の電極との接続部となる。図２（ａ）に示す例では、配線３１と配線３２とが所定の間隔をおいて対向する部分の略中央に配線３１の凸部と配線３２の凹部が設けられており、その下側に保護部品の電極との接続部が設けられているが、この配置には限定されない。
配線３１及び３２をこのようなパターンとした理由は、保護部品を搭載する部分を発光素子を搭載する部分から、できるだけ遠ざけるためである。保護部品を発光素子の近傍に搭載すると、発光素子が発光した光の一部が保護部品に遮られて照度が低下するおそれがある。図２のようなパターンとすることにより、保護部品は発光素子からできるだけ遠い所に搭載され、保護部品が発光素子の真横に搭載されることを防止できるため、発光素子の照度の低下を抑制可能となる。但し、必ずしも、このようなパターンには限定されない。
図４は、第１の実施の形態に係る発光素子パッケージを例示する断面図である。図４を参照するに、発光素子パッケージ１００は、個片化後の発光素子搭載用パッケージ１（個別パッケージ領域Ｃ）の発光素子搭載部（配線３１及び３２）に発光素子１１０を搭載して封止樹脂１２０により封止し、更に金属基板１２５上に搭載したものである。
発光素子１１０としては、例えば、一端側にアノード端子、他端側にカソード端子が形成されたＬＥＤを用いることができる。但し、発光素子はＬＥＤには限定されず、例えば、面発光型レーザ等を用いてもよい。封止樹脂１２０としては、例えば、エポキシ系やシリコーン系等の絶縁性樹脂に蛍光体を含有させた樹脂を用いることができる。
以降、発光素子１１０がＬＥＤであり発光素子パッケージ１００がＬＥＤパッケージである場合を例にして説明を行う（発光素子１１０をＬＥＤ１１０、発光素子パッケージ１００をＬＥＤパッケージ１００と称する場合がある）。
発光素子搭載用パッケージ１に搭載されるＬＥＤ１１０の寸法の一例を挙げると、平面視において、縦０．３ｍｍ×横０．３ｍｍ、縦１．０ｍｍ×横１．０ｍｍ、縦１．５ｍｍ×横１．５ｍｍ等である。
ＬＥＤ１１０には、一方の電極端子となるバンプ１１１と、他方の電極端子となるバンプ１１２が形成されている。ＬＥＤ１１０のバンプ１１１又は１１２の何れか一方がアノード端子であり、他方がカソード端子である。バンプ１１１及び１１２は、例えば、めっき膜４１及び４２上にフリップチップ接合されている。めっき膜４１とめっき膜４２との間隔は、搭載されるＬＥＤ１１０のバンプ１１１と１１２との間隔（例えば、６０μｍ）と対応するように決定されている。
ＬＥＤパッケージ１００において、ＬＥＤ１１０が搭載された発光素子搭載用パッケージ１は、更に、金属基板１２５上に搭載されている。金属基板１２５は、放熱部（放熱板）として機能する金属板１３０と、金属板１３０の一方の面に形成された絶縁層１４０と、絶縁層１４０上に形成された配線層１５０と、配線層１５０を選択的に被覆するソルダーレジスト層１５５とを有する。
ソルダーレジスト層１５５には開口部１５５ｘ及び１５５ｙが設けられている。開口部１５５ｘ及び１５５ｙからは、各々配線層１５０の一部が露出している。以降、開口部１５５ｘから露出する配線層１５０をパッド１５０Ａと、開口部１５５ｙから露出する配線層１５０を外部接続用パッド１５０Ｂと称する場合がある。
金属板１３０の材料としては、例えば、熱伝導率の良い銅（Ｃｕ）やアルミニウム（Ａｌ）等を用いることができる。金属板１３０の厚さは、例えば、１００〜５００μｍ程度とすることができる。但し、特に放熱性を必要とする場合には、数ｍｍ程度の厚さとしてもよい。絶縁層１４０の材料としては、例えば、エポキシ系やシリコーン系の絶縁性樹脂等を用いることができる。配線層１５０の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。
パッド１５０Ａの一方は、はんだや導電性ペースト等である接合部１６０を介して、貫通配線５１の基板１０の他方の面から露出する露出部（接続端子）と電気的に接続されている。つまり、パッド１５０Ａの一方は、貫通配線５１、配線３１、及びめっき膜４１を介してＬＥＤ１１０の一方の電極端子であるバンプ１１１と電気的に接続されている。
同様に、パッド１５０Ａの他方は、はんだや導電性ペースト等である接合部１６０を介して、貫通配線５２の基板１０の他方の面から露出する露出部（接続端子）と電気的に接続されている。つまり、パッド１５０Ａの他方は、貫通配線５２、配線３２、及びめっき膜４２を介してＬＥＤ１１０の他方の電極端子であるバンプ１１２と電気的に接続されている。
外部接続用パッド１５０Ｂを、例えば発光素子パッケージ１００の外部に配置される電源や駆動回路等に接続し、ＬＥＤ１１０のバンプ１１１とバンプ１１２との間に所定の電位差を与えることにより、ＬＥＤ１１０が発光する。ＬＥＤ１１０は、発光時に発熱する。
ＬＥＤ１１０の発した熱は、めっき膜４１及び配線３１を介して貫通配線５１に伝わり、更に、パッド１５０Ａの一方及び絶縁層１４０を介して金属板１３０に伝わる。同様に、ＬＥＤ１１０の発した熱は、めっき膜４２及び配線３２を介して貫通配線５２に伝わり、更に、パッド１５０Ａの他方及び絶縁層１４０を介して金属板１３０に伝わる。そして、金属板１３０に伝わった熱は、金属板１３０により放熱される。
このように、貫通配線５１及び５２は、発光素子搭載部に搭載されるＬＥＤ１１０と、主に放熱に寄与する金属基板１２５との電気的接続経路を構成すると共に、ＬＥＤ１１０の発する熱を金属基板１２５の金属板１３０に伝達する放熱経路を構成している。
貫通配線５１及び５２はＬＥＤ１１０の近傍（例えば、ＬＥＤ１１０の略直下）に配置されているため、ＬＥＤ１１０が発する熱を効率よく金属板１３０に伝達し、金属板１３０から放熱できる。
［第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造方法］
次に、第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造方法について説明する。図５〜図７は、第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図である。なお、第１の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程の説明で用いる断面図は、全て図２（ｂ）に対応する断面図である。
まず、図５に示す工程（図５（ａ）は平面図、図５（ｂ）は、図２（ｂ）に対応する断面図）では、基板１０として例えばリール状（テープ状）のポリイミドフィルム等を準備し、基板１０の一方の面にエポキシ系接着剤等を塗布して接着層２０を形成する。エポキシ系接着剤等の代わりにエポキシ系の接着フィルムを貼着して、接着層２０を形成してもよい。
そして、一方の面に接着層２０が形成された基板１０に、基板１０及び接着層２０を貫通するスプロケットホール１０ｘ及び貫通孔５０ｘを形成する。スプロケットホール１０ｘは、基板１０の短手方向（図中の縦方向）の両端部に、基板１０の長手方向（図中の横方向）に沿って略一定間隔で連続的に形成する。貫通孔５０ｘは、後述の工程で配線３０が形成される所定位置（図１に示す貫通配線５０に対応する位置）に形成する。
スプロケットホール１０ｘ及び貫通孔５０ｘは、例えば、ポンチとダイとを有する金型によるプレス加工により形成できる。この際、貫通孔５０ｘを形成する部分において、ポンチとダイとのクリアランスを調整することにより、貫通孔５０ｘの基板１０内に形成される部分が、貫通孔５０ｘの一端の平面形状よりも平面形状の大きな極大部Ｍを有する形状とすることができる。例えば、断面視において、貫通孔５０ｘの両側面を、厚さ方向の一部（例えば、厚さ方向の中央部）が膨らむような円弧状とすることができる。
次に、図６（ａ）に示す工程では、接着層２０上に金属層３０Ａを形成し、所定の温度に加熱して接着層２０を硬化させる。金属層３０Ａは、例えば、接着層２０上に銅箔をラミネートすることにより形成できる。金属層３０Ａの厚さは、例えば、１８〜３５μｍ程度とすることができる。なお、金属層３０Ａは、後にパターニングされることによって配線３０となる。
次に、図６（ｂ）に示す工程では、図６（ａ）に示す構造体をウェットエッチング用の溶液（例えば、過酸化水素系の溶液）に含浸させ、貫通孔５０ｘ内に露出する金属層３０Ａの下面と、金属層３０Ａの上面のエッチングを行う（所謂マイクロエッチング）。このエッチング処理により、金属層３０Ａの表面に存在する防錆剤を除去すると共に、金属層３０Ａの表面を僅かな厚さ（例えば、０．５〜１μｍ程度）だけ除去する。なお、このエッチング処理は必要に応じて行えばよく、必須の処理ではない。
次に、図６（ｃ）に示す工程では、金属層３０Ａの上面にマスキングテープ５００を貼り付ける。マスキングテープ５００は、後述の図６（ｄ）に示す工程で電解めっき法により貫通配線５０を形成する際に、金属層３０Ａの上面側にめっき膜が成長しないようにするために、金属層３０Ａの上面を覆うものである。
次に、図６（ｄ）に示す工程では、金属層３０Ａを給電層とする電解めっき法により貫通配線５０（貫通配線５１及び５２）を形成後、図６（ｃ）に示すマスキングテープ５００を除去する。貫通配線５０は、貫通孔５０ｘ内に露出する金属層３０Ａの下面にめっき金属を析出させて、貫通孔５０ｘ内にめっき金属を充填することにより、柱状に形成する。
貫通配線５０は、一端（図中の上端）が金属層３０Ａと電気的に接続され、他端（図中の下端）が基板１０の他方の面から露出する露出部をなすように形成する。貫通配線５０の他端は、例えば、各々基板１０の他方の面と略面一とすることができる。貫通配線５０の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。
次に、図７（ａ）に示す工程では、金属層３０Ａをパターニングして、配線３１及び３２（発光素子搭載部）、並びにバスライン３３を含む配線３０を形成する。具体的には、例えば、金属層３０Ａ上にレジスト（図示せず）を塗布し、配線３０のパターンに合わせた露光を行い、レジストに配線３０のパターンを現像する。そして、レジストを用いてエッチングを行うことにより、配線３０を形成（パターニング）する。その後、レジストを除去する。
次に、図７（ｂ）に示す工程では、配線３１及び３２上の所定の部分（後に、めっき膜４１及び４２を形成しない部分）に、絶縁層６０を形成する。絶縁層６０としては、前述のように白系の材料を用いる。絶縁層６０は、例えば、スクリーン印刷法等により形成できる。絶縁層６０は、配線３０全体を覆うように白色インク等を形成後、ブラスト処理やレーザ加工法等を用いて、めっき膜４１及び４２を形成する部分を露出させることにより形成してもよい。
次に、図７（ｃ）に示す工程では、バスライン３３から給電して電解めっきを行い、配線３１及び３２の絶縁層６０から露出する部分の表面にめっき膜４１、４２、４３、及び４４を形成する。なお、バスライン３３上には、めっき膜４５が形成される。めっき膜４１、４２、４３、４４、及び４５の材料や厚さ等は前述のとおりである。
次に、図７（ｃ）に示す工程の後、所定位置で、基板１０を長手方向に垂直な方向に切断して個片化することにより、図１及び図２に示す発光素子搭載用パッケージ１が完成する。
なお、図４に示す発光素子パッケージ１００を作製するには、以下のようにすればよい。すなわち、例えば、発光素子搭載用パッケージ１を実装機に装着し、各個別パッケージ領域Ｃのめっき膜４１及び４２上に例えばクリームはんだを塗布する。そして、各個別パッケージ領域Ｃのめっき膜４１及び４２のクリームはんだ上に、各々発光素子１１０のバンプ１１１及び１１２を配置し、リフロー炉に通してクリームはんだを溶融後硬化させる。
その後、発光素子搭載用パッケージ１上面を封止樹脂１２０により封止した後、各個別パッケージ領域Ｃの部分を、各個別パッケージ領域Ｃの境界部分で切断し個片化する。或いは、各個別パッケージ領域Ｃの部分を先に個片化した後、各個別パッケージ領域Ｃの部分を各々封止樹脂１２０により封止する。その後、個片化した発光素子搭載用パッケージ１を金属板１３０、絶縁層１４０、配線層１５０等を有する金属基板１２５上に搭載する。具体的には、貫通配線５１及び５２の各々の露出部（接続端子）を、接合部１６０を介してパッド１５０Ａと電気的に接続することにより、図４に示す発光素子パッケージ１００が完成する。
このように、発光素子搭載用パッケージ１において、貫通配線５０の基板１０に埋設されている部分が、貫通配線５０の一端の平面形状よりも平面形状の大きな極大部Ｍを有することにより、配線３０及び貫通配線５０の鞘抜けを低減できる。
又、貫通配線５１及び５２を電気的接続のための経路として用いると共に、発光素子の発した熱の放熱経路としても用いる。これにより、発光素子が発する熱を放熱部（金属板１３０）に伝達し放熱できる。この際、貫通配線５１及び５２は発光素子を搭載する発光素子搭載部（配線３１及び３２）の直下に配置されているため、発光素子が発する熱を効率よく放熱部（金属板１３０）に伝達し放熱できる。
又、貫通配線５１及び５２を発光素子搭載部の直下に配置して放熱性を向上しているため、従来のように放熱性を向上するために配線３０を必要以上に厚くしなくてもよい。その結果、配線３０として比較的薄厚の１２〜３５μｍ程度の銅箔を用いることが可能となり、配線３１と配線３２との間隔を狭く（例えば、６０μｍ）できる。
又、従来の発光素子パッケージでは、発光素子と放熱板との熱膨張係数のミスマッチに起因して、発光素子と発光素子搭載部との間の接続信頼性を低下させるおそれがあった。一方、発光素子パッケージ１００では、発光素子１１０と放熱板として機能する金属板１３０との間に柔軟性を有する樹脂を主成分とする基板１０を配置している。そのため、発光素子１１０と金属板１３０との熱膨張係数のミスマッチが緩和され、発光素子１１０と発光素子搭載部との間の接続信頼性を向上できる。
〈第２の実施の形態〉
第２の実施の形態では、第１の実施の形態とは異なる発光素子搭載用パッケージの構造の例を示す。なお、第２の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。
図８は、第２の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージを例示する断面図であり、図２（ｂ）に対応する断面を示している。なお、第２の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージを例示する平面図は、図１と同様であるため、図示を省略する。
図８を参照するに、発光素子搭載用パッケージ１Ａは、貫通配線５０（貫通配線５１及び５２を含む）が貫通配線５０Ａ（貫通配線５１Ａ及び５２Ａを含む）に置換された点が、発光素子搭載用パッケージ１（図２参照）と相違する。
貫通配線５０Ａの他端は、基板１０の他方の面から突出して突出部をなし、貫通孔５０ｘの基板１０の他方の面側の端部の周囲に延在している。貫通配線５０Ａの突出部は、貫通孔５０ｘの基板１０の他方の面側の端部の周囲に、例えば、環状（円環状、四角環状等）に延在している。つまり、貫通配線５０Ａの突出部の平面形状は、貫通配線５０Ａの他端の平面形状よりも大きくなっている。貫通配線５０Ａの突出部の基板１０の他方の面からの突出量Ｔは、例えば、２０〜５０μｍ程度とすることができる。貫通配線５０Ａの突出部において、貫通孔５０ｘの基板１０の他方の面側の端部の周囲に延在している部分の幅Ｗは、例えば、２〜１０μｍ程度とすることができる。
突出部を形成するには、例えば、図６（ｄ）に示す工程において、金属層３０Ａを給電層とする電解めっき法により、貫通孔５０ｘ内にめっき金属を充填した後もめっきを継続し、貫通孔５０ｘ内に充填しためっき金属を基板１０の他方の面から突出させればよい。この際、めっき時間を調整することにより、貫通配線５０Ａの他端を基板１０の他方の面から突出させ、貫通孔５０ｘの基板１０の他方の面側の端部の周囲に延在させることができる。
このように、貫通配線５０Ａの他端を基板１０の他方の面から突出させ、貫通孔５０ｘの基板１０の他方の面側の端部の周囲に延在させることにより、極大部Ｍのみが存在する場合よりも、配線３０及び貫通配線５０の鞘抜けを更に低減できる。
〈第３の実施の形態〉
第３の実施の形態では、第１の実施の形態とは異なる発光素子搭載用パッケージの構造の他の例を示す。なお、第３の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。
［第３の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの構造］
まず、第３の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの構造について説明する。図９は、第３の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージを例示する平面図である。図１０は、図９のＤ部（破線で囲んだ部分）を拡大して例示する図であり、図１０（ａ）は平面図、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。なお、便宜上、図１０（ａ）において、金属部材８０を梨地模様で示している。
図９及び図１０を参照するに、発光素子搭載用パッケージ１Ｂは、絶縁層６０に代えて表面に金属部材８０が設けられている点が発光素子搭載用パッケージ１（図１及び図２参照）と主に相違する。
発光素子搭載用パッケージ１Ｂにおいて、配線３１の上面及び側面を覆うように、めっき膜４１が形成されている。又、配線３２の上面及び側面を覆うように、めっき膜４２が形成されている。又、第１の実施の形態と同様に、バスライン３３の上面及び側面を覆うように、めっき膜４５が形成されている。なお、第１の実施の形態でめっき膜４３及び４４が形成されていた領域は、本実施の形態ではめっき膜４１及び４２が形成されている。従って、本実施の形態では、めっき膜４３及び４４は存在しない。
金属部材８０は、めっき膜４０（めっき膜４１、４２、及び４５）上に接着層７０を介して貼り付けられている。接着層７０としては、例えば、エポキシ系接着剤、シリコーン系接着剤、又はポリイミド系接着剤等の絶縁性樹脂製の接着剤を用いることができる。必要に応じ、接着層７０として絶縁性の耐熱性接着剤を用いても構わない。接着層７０の厚さは、例えば、８〜１８μｍ程度とすることができる。なお、接着層７０は、接着層２０と同一種類の接着剤を用いてもよいし、異なる種類の接着剤を用いてもよい。
発光素子搭載用パッケージ１Ｂにおいて、個片化されて個別の発光素子搭載用パッケージとなる複数の個別パッケージ領域Ｃが基板１０上に縦横に配列されている。金属部材８０は、所定の間隔で縦横に配列された複数の反射板８１と、所定の間隔で縦横に配列された反射板８１全体を囲むように設けられた枠部８２と、枠部８２と枠部８２に隣接する反射板８１及び隣接する反射板８１同士を連結する吊り部８３とを有する。反射板８１は、各個別パッケージ領域Ｃ内の発光素子搭載部上に１つずつ配置されている。反射板８１、枠部８２、及び吊り部８３は一体に形成されている。
なお、本実施の形態では、吊り部８３は一方向（紙面の縦方向）のみに設けられているが、吊り部８３を紙面の横方向のみに設けてもよいし、紙面の縦方向及び横方向に設けてもよい。金属部材８０の枠部８２には、スプロケットホール１０ｘと同様に機能するスプロケットホール８０ｘが設けられている。
金属部材８０の各反射板８１には、めっき膜４１及び４２の各々の一部を露出する開口部８１ｘが設けられている。開口部８１ｘ内に露出するめっき膜４１と４２は、発光素子の一方の電極との接続部と発光素子の他方の電極との接続部となる。開口部８１ｘの内壁面は上側に行くにつれて広がるラッパ状の傾斜面とされており、開口部８１ｘ内に露出するめっき膜４１及び４２に発光素子が実装されて発光した際に、発光素子の照射する光を所定方向に反射する機能を有する。
開口部８１ｘの内壁面のめっき膜４０の上面に対する傾斜角度は、要求する仕様に応じて適宜設定できるが、例えば、２０〜５０度程度とすることができる。但し、開口部８１ｘの内壁面の断面形状は直線状でなくてもよく、曲線部を含んでいてもよい。なお、反射率を向上させる観点からは、開口部８１ｘの平面形状は小さい方が好ましい。開口部８１ｘの平面形状は、例えば円形とすることができ、その際の直径は、例えば、数ｍｍ程度とすることができる。但し、開口部８１ｘの平面形状は円形には限定されず、楕円形や矩形等であってもよい。
金属部材８０の厚さは、例えば、０．５ｍｍ程度とすることができる。金属部材８０の材料としては、例えば、銅やアルミニウム、それらの合金等を用いることができる。この際、金属部材８０の表面を研磨（化学研磨等）して光沢を上げることにより、発光素子が実装されて発光した際に、反射板８１の開口部８１ｘの内壁面での反射率が高くなり好適である。
又、金属部材８０の表面に金めっきや銀めっき等を施すことにより、光沢を上げてもよい。この際、発光素子の発光波長に対して反射率の高いめっき材料を選択することが好ましい。研磨処理やめっき処理は、金属部材８０の全体に対して実施してもよいし、必要な領域のみ（例えば、開口部８１ｘの内壁面のみ）に対して実施してもよい。
なお、各反射板８１において、例えば、第１の実施の形態でめっき膜４３及び４４が形成されていた領域上に開口部８１ｘとは異なる開口部を設け、開口部内に露出するめっき膜４１及び４２上にツェナーダイオード等の保護部品を搭載可能としてもよい。
図１１は、第３の実施の形態に係る発光素子パッケージを例示する断面図である。図１１を参照するに、発光素子パッケージ１００Ｂは、個片化後の発光素子搭載用パッケージ１Ｂの発光素子搭載部（配線３１及び３２）に発光素子１１０を搭載して封止樹脂１２０により封止し、更に金属基板１２５上に搭載したものである。封止樹脂１２０は、反射板８１の開口部８１ｘ内に設けられている。
本実施の形態では、反射板８１の開口部８１ｘの内壁面を傾斜面としているため、発光素子１１０が発光した際に、発光素子１１０の照射する光を所定方向に効率よく反射させることができる（反射率を向上できる）。
［第３の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造方法］
次に、第３の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造方法について説明する。図１２は、第３の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージの製造工程を例示する図であり、図１０（ｂ）に対応する断面図である。
まず、第１の実施の形態の図５〜図７（ａ）と同様の工程を実行する。そして、図１２（ａ）に示す工程では、図７（ｃ）の工程と同様にして、めっき膜４１、４２、及び４５を形成する。但し、本実施の形態では絶縁層６０を形成しないため、配線３１の上面及び側面を覆うように、めっき膜４１が形成される。又、配線３２の上面及び側面を覆うように、めっき膜４２が形成される。
次に、図１２（ｂ）に示す工程では、めっき膜４１、４２、及び４５上の所定領域にエポキシ系接着剤等を塗布して接着層７０を形成する。或いは、エポキシ系接着剤等の代わりにエポキシ系の接着フィルムを貼着して、接着層７０を形成してもよい。なお、所定領域は、各反射板８１の開口部８１ｘ内に露出する部分を除いた領域である。
次に、図１２（ｃ）に示す工程では、予め所定位置に開口部８１ｘや吊り部８３を設けた金属部材８０を準備し、めっき膜４１、４２、及び４５上に接着層７０を介して貼り付ける。開口部８１ｘや吊り部８３を設けた金属部材８０は、例えば、金属板のプレス加工やエッチング処理等により形成できる。この工程により、金属部材８０の各反射板８１は、各個別パッケージ領域Ｃ内に位置するように縦横に配列され、各反射板８１の開口部８１ｘ内に発光素子が搭載される部分となるめっき膜４１及び４２が露出する。
その後、図１２（ｃ）に示す構造体を所定位置で切断して個片化することにより、図９及び図１０に示す発光素子搭載用パッケージ１Ｂが完成する。なお、図１２（ｃ）に示す構造体の個片化の際に吊り部８３が切断される。
このように、発光素子搭載用パッケージの表面に反射板を有する金属部材を貼り付けることにより、発光素子搭載用パッケージの剛性が向上して反りが低減するため、発光素子搭載用パッケージの製造工程や出荷後における取り扱いが容易となる。
又、第１の実施の形態のように、白色インク等の絶縁層６０を形成する場合には、反射率向上のために絶縁層６０をある程度の厚さ（４０〜５０μｍ程度）とする必要があるが、この厚さを１回の印刷工程では実現できないため、複数回の印刷工程を実行する。一方、本実施の形態では、反射板の開口部の内壁面を傾斜面とすることにより、傾斜面で光を効率よく反射できるため、白色インク等を印刷する工程を廃止可能となり、発光素子搭載用パッケージの製造工程を簡略化できる。
又、例えば、第１の実施の形態において、発光素子パッケージ１００の製造工程で封止樹脂を形成する際に、封止樹脂の流れ出しを防止するために、発光素子搭載用パッケージ１の各個別パッケージ領域Ｃの絶縁層６０上に環状のダムを形成する場合があった。本実施の形態では、発光素子パッケージの製造工程で封止樹脂を形成する際に、反射板の開口部の内壁面が封止樹脂の流れ出しを防止するためのダムとして機能する。そのため、ダムとして機能する部材を特別に設ける必要がなく、発光素子搭載用パッケージ又は発光素子パッケージの製造工程を簡略化できる。
又、発光素子が発する熱を反射板からも放熱できるため、発光素子パッケージの放熱性能を向上できる。なお、放熱性を重視する場合には、反射板の材料として熱伝導率の高い金属（銅等）を用いることが好ましく、軽量化を重視する場合には比重の軽い金属（アルミニウム等）を用いることが好ましい。
〈第３の実施の形態の変形例１〉
第３の実施の形態の変形例１では、第３の実施の形態において、反射板の表面に反射膜を設ける例を示す。なお、第３の実施の形態の変形例１において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。
図１３は、第３の実施の形態の変形例１に係る発光素子搭載用パッケージを例示する断面図であり、図１０（ｂ）に対応する断面を示している。図１４は、第３の実施の形態の変形例１に係る発光素子パッケージを例示する断面図であり、図１１に対応する断面を示している。図１３に示す発光素子搭載用パッケージ１Ｃ及び図１４に示す発光素子パッケージ１００Ｃのように、反射板８１の上面及び開口部８１ｘの内壁面に反射膜６１を形成してもよい。但し、反射膜６１を形成する領域を、開口部８１ｘの内壁面のみとしてもよい。
反射膜６１の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂、オルガノポリシロキサン等のシリコーン系樹脂に、酸化チタン（ＴｉＯ２）や硫酸バリウム（ＢａＳＯ４）等のフィラーや顔料を含有させたものを用いることができる。反射膜６１の材料として、これらの材料製の白色インクを用いてもよい。
反射膜６１は、例えばプレス加工やエッチング処理等により開口部８１ｘや吊り部８３を形成した金属部材８０に、例えばスクリーン印刷法等により形成できる。なお、金属部材８０の下面にも反射膜６１を形成し、めっき膜４０上に配置してから硬化させることにより、接着層７０を用いずに、金属部材８０をめっき膜４０上に貼り付けることができる。つまり、金属部材８０の下面に形成された反射膜６１が接着層７０の機能を兼ねることができる。
なお、金属部材８０上に反射膜６１を形成するため、第１の実施の形態の絶縁層６０と比べて反射膜６１は薄くてもよい。反射膜６１の厚さは、例えば、５０μｍ程度とすることができる。反射膜６１が薄くてもよいため、第１の実施の形態の絶縁層６０を形成する場合よりも印刷回数を低減できる。
このように、反射板８１の上面及び開口部８１ｘの内壁面（或いは、開口部８１ｘの内壁面のみ）に反射膜６１を設けることにより、発光素子の照射する光の反射率を更に高くできる。なお、枠部８２の上面に反射膜６１を形成する必要はないが、枠部８２をマスクする工程等を削除するため、枠部８２の上面に反射膜６１を形成してもよい。
〈第４の実施の形態〉
第４の実施の形態では、第１の実施の形態とは異なる発光素子搭載用パッケージの構造の更に他の例を示す。なお、第４の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。
図１５及び図１６は、第４の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージを例示する図である。図１５（ａ）は、図２に示す個別パッケージ領域Ｃに対応する部分を示す平面図、図１５（ｂ）は図１５（ａ）のＤ−Ｄ線に沿う断面図である。図１６（ａ）は、図１５（ａ）において、めっき膜４１〜４４及び絶縁層６０の図示を省略した平面図である。図１６（ｂ）は、図１５（ａ）に示す発光素子搭載用パッケージ１Ｄに発光素子１１０及び保護部品１９０を搭載した発光素子パッケージ１００Ｄを例示する平面図である。なお、図示を省略している部分（バスライン３３等）については、図１及び図２と同様である。
図１５及び図１６を参照するに、発光素子搭載用パッケージ１Ｄは、配線３１及び３２が配線３１Ａ及び３２Ａに置換され、貫通配線５１及び５２が貫通配線５１Ｂ及び５２Ｂに置換された点が、発光素子搭載用パッケージ１（図２参照）と相違する。又、保護部品１９０の電極と接続される部分となるめっき膜４３及び４４の位置が、発光素子搭載用パッケージ１（図２参照）と相違する。
配線３１Ａの平面形状は略矩形状であり、配線３２Ａの平面形状は略逆Ｌ字状である。平面視において、配線３１Ａの配線３２Ａ側の２辺は、所定の間隔をおいて配線３２Ａの逆Ｌ字の内側の２辺と対向配置されている。平面視において、配線３１Ａと配線３２Ａとを合わせた形状は、略矩形状である。なお、配線３１Ａ及び３２Ａに形成されためっき膜４１及び４２の位置は、図２と同様である。
貫通配線５１Ｂ及び５２Ｂの一端（配線３１Ａ及び３２Ａと接する部分）の平面形状は略矩形状とされている。すなわち、貫通配線５１Ｂ及び５２Ｂは、基板１０及び接着層２０を貫通する平面形状が略矩形状の貫通孔を形成し、略矩形状の貫通孔内に銅（Ｃｕ）等のめっき金属を充填したものである。
貫通配線５１Ｂ及び５２Ｂの基板１０に埋設されている部分は、貫通配線５１Ｂ及び５２Ｂの一端の平面形状よりも平面形状の大きな極大部Ｍを有する。例えば、断面視において、貫通配線５１Ｂ及び５２Ｂの両側面を、厚さ方向の一部（例えば、厚さ方向の中央部）が膨らむような円弧状とすることにより、極大部Ｍを形成できる。但し、極大部Ｍを図３に示した形状を含めた他の形状としてもよい。
貫通配線５１Ｂ及び５２Ｂの夫々の一端を合わせた面積（配線３１Ａ及び３２Ａと接する部分の総面積）は、発光素子搭載用パッケージ１Ｄ全体の面積（図１５（ａ）のＥ×Ｆ）の６０％以上を占めるようにすることが好ましい。このようにすることで、貫通配線５１Ｂ及び５２Ｂの一端の面積及び貫通配線５１Ｂ及び５２Ｂの体積を大きくできるため、放熱性を大幅に向上できる。
めっき膜４４の位置は配線３２Ａの略逆Ｌ字の短部の隅近傍とされ、めっき膜４３の位置は配線３１Ａのそれに対向する部分とされている。めっき膜４３及び４４の位置は、発光素子搭載用パッケージ１（図２参照）と相違しているが、保護部品１９０を搭載する部分（めっき膜４３及び４４）を発光素子１１０を搭載する部分（めっき膜４１及び４２）から遠ざけて配置している点では同様である。保護部品１９０を発光素子１１０からできるだけ遠い所に搭載することで、発光素子１１０から放出された光を、反射層として機能する絶縁層６０で反射する際の妨げにならないため、発光素子１１０の照度の低下を抑制可能となる。但し、必ずしも、このようなパターンには限定されない。
このように、貫通配線５１Ｂ及び５２Ｂの一端の平面形状を略矩形状とすることで、貫通配線５１Ｂ及び５２Ｂの一端の平面形状を略円形状とした場合よりも貫通配線５１Ｂ及び５２Ｂの一端の面積及び貫通配線５１Ｂ及び５２Ｂの体積を大きくできる。そのため、発光素子搭載用パッケージ１Ｄの放熱性を発光素子搭載用パッケージ１に比べて大幅に向上できる。
〈第５の実施の形態〉
第５の実施の形態では、第４の実施の形態において、第２の実施の形態と同様に、貫通配線に突出部を設ける例を示す。なお、第５の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。
図１７は、第５の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージを例示する断面図であり、図１５（ｂ）に対応する断面を示している。なお、第５の実施の形態に係る発光素子搭載用パッケージを例示する平面図は、図１５（ａ）と同様であるため、図示を省略する。
図１７を参照するに、発光素子搭載用パッケージ１Ｅは、貫通配線５１Ｂ及び５２Ｂが貫通配線５１Ｃ及び５２Ｃに置換された点が、発光素子搭載用パッケージ１Ｄ（図１５参照）と相違する。貫通配線５１Ｃ及び５２Ｃの他端には、図８に示す貫通配線５１Ａ及び５２Ａと同様の突出部が設けられている。貫通配線５１Ｃ及び５２Ｃの突出部は、貫通配線５１Ａ及び５２Ａの突出部と同様の製造工程で形成できる。
このように、貫通配線５１Ｃ及び５２Ｃの他端を基板１０の他方の面から突出させ、貫通孔の基板１０の他方の面側の端部の周囲に延在させる。これにより、極大部Ｍのみが存在する場合よりも、配線３１Ａ及び３２Ａ及び貫通配線５１Ｃ及び５２Ｃの鞘抜けを更に低減できる。
以上、好ましい実施の形態及びその変形例について詳説したが、上述した実施の形態及びその変形例に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態及びその変形例に種々の変形及び置換を加えることができる。
例えば、貫通配線５１及び５２の露出部や貫通配線５１Ａ及び５２Ａの突出部、貫通配線５１Ｂ及び５２Ｂの露出部や貫通配線５１Ｃ及び５２Ｃの突出部に、例えば、ニッケル（Ｎｉ）や金（Ａｕ）を含むめっき膜を形成してもよい。
又、貫通配線５１及び５２の露出部や貫通配線５１Ａ及び５２Ａの突出部に、例えば、酸化防止処理（例えば、ＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）処理等）をしてもよい。貫通配線５１Ｂ及び５２Ｂの露出部や貫通配線５１Ｃ及び５２Ｃの突出部についても同様である。
又、各発光素子搭載用パッケージに、発光素子をワイヤボンディングで搭載し、発光素子パッケージとしてもよい。
又、各実施の形態及びその変形例は、適宜組み合わせることができる。例えば、発光素子搭載用パッケージ１Ｂや１Ｃにおいて、発光素子搭載用パッケージ１Ａと同様に、貫通配線５１や５２に代えて貫通配線５１Ａ及び５２Ａを設けてもよい。
１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ 発光素子搭載用パッケージ
１０ 基板
１０ｘ、８０ｘ スプロケットホール
２０、７０ 接着層
３０、３１、３２、３１Ａ、３２Ａ 配線
３０Ａ 金属層
３３ バスライン
４０、４１、４２、４３、４４、４５ めっき膜
５０、５０Ａ、５１、５２、５１Ａ、５２Ａ、５１Ｂ、５２Ｂ、５１Ｃ、５２Ｃ 貫通配線
５０ｘ 貫通孔
６０ 絶縁層
６１ 反射膜
８０ 金属部材
８１ 反射板
８１ｘ、１５５ｘ、１５５ｙ 開口部
８２ 枠部
８３ 吊り部
１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄ 発光素子パッケージ
１１０ 発光素子
１１１、１１２ バンプ
１２０ 封止樹脂
１２５ 金属基板
１３０ 金属板
１４０ 絶縁層
１５０ 配線層
１５５ ソルダーレジスト層
１６０ 接合部
１９０ 保護部品
５００ マスキングテープ
Ｃ 個別パッケージ領域

Claims (10)

  1. 樹脂からなる基板と、
    前記基板の一方の面に設けられた配線からなり、平面視において、所定の間隔を開けて対向配置された２つの領域を含み、前記２つの領域が発光素子の電極との接続部となる発光素子搭載部と、
    前記基板を貫通し、一端が前記発光素子搭載部と電気的に接続され、他端が前記基板の他方の面から露出して露出部が接続端子をなす貫通配線と、を有し、
    前記２つの領域には、各々前記貫通配線が設けられ、
    前記貫通配線の前記基板に埋設されている部分は、前記貫通配線の一端の平面形状よりも平面形状の大きな極大部を有し、
    前記貫通配線の前記基板に埋設されている部分と、前記接続端子となる露出部とは、同一材料により一体に形成されている発光素子搭載用パッケージ。
  2. 前記貫通配線の他端は、前記基板の他方の面から突出し、前記貫通配線が設けられている貫通孔の前記基板の他方の面側の端部の周囲に延在している請求項１記載の発光素子搭載用パッケージ。
  3. 前記貫通孔の前記基板の他方の面側の端部の周囲に延在している部分は環状である請求項２記載の発光素子搭載用パッケージ。
  4. 断面視において、前記貫通配線の両側面は、厚さ方向の一部が膨らむような円弧状である請求項１乃至３の何れか一項記載の発光素子搭載用パッケージ。
  5. 平面視において、前記２つの領域の一方には凹部が設けられており、他方には前記凹部に入り込むように配置された凸部が設けられており、前記凸部及び前記凹部が前記発光素子の一方の電極との接続部及び他方の電極との接続部となる請求項１乃至４の何れか一項記載の発光素子搭載用パッケージ。
  6. 前記発光素子搭載部上に反射板が設けられ、
    前記反射板に設けられた開口部内に、前記発光素子の電極との接続部が露出している請求項１乃至５の何れか一項記載の発光素子搭載用パッケージ。
  7. 前記基板上に、個別の発光素子搭載用パッケージとなる複数の領域が配列され、
    各々の前記領域は、
    前記発光素子搭載部と、
    前記貫通配線と、
    前記発光素子搭載部上に設けられた反射板と、を有し、
    前記反射板に設けられた開口部内に、前記発光素子の電極との接続部が露出している請求項１乃至５の何れか一項記載の発光素子搭載用パッケージ。
  8. 各々の前記領域の前記反射板は所定の間隔で配列され、
    所定の間隔で配列された前記反射板を囲むように設けられた枠部と、
    前記枠部と前記枠部に隣接する前記反射板、及び隣接する前記反射板同士を連結する吊り部と、を有し、
    前記反射板、前記枠部、及び前記吊り部が金属部材により一体に形成されている請求項７記載の発光素子搭載用パッケージ。
  9. 前記開口部の内壁面には反射膜が形成されている請求項６乃至８の何れか一項記載の発光素子搭載用パッケージ。
  10. 請求項１乃至９の何れか一項記載の発光素子搭載用パッケージと、
    前記発光素子搭載用パッケージの前記発光素子搭載部に搭載した発光素子と、を有する発光素子パッケージ。
JP2013156153A 2013-07-26 2013-07-26 発光素子搭載用パッケージ及び発光素子パッケージ Active JP6244130B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013156153A JP6244130B2 (ja) 2013-07-26 2013-07-26 発光素子搭載用パッケージ及び発光素子パッケージ
TW103124210A TWI675497B (zh) 2013-07-26 2014-07-15 發光裝置封裝及搭載發光裝置之封裝
US14/333,602 US9224933B2 (en) 2013-07-26 2014-07-17 Light emitting device package and package for mounting light emitting device
KR1020140094456A KR102210072B1 (ko) 2013-07-26 2014-07-25 발광 소자 패키지 및 발광 소자 탑재용 패키지

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013156153A JP6244130B2 (ja) 2013-07-26 2013-07-26 発光素子搭載用パッケージ及び発光素子パッケージ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015026746A JP2015026746A (ja) 2015-02-05
JP6244130B2 true JP6244130B2 (ja) 2017-12-06

Family

ID=52389756

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013156153A Active JP6244130B2 (ja) 2013-07-26 2013-07-26 発光素子搭載用パッケージ及び発光素子パッケージ

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9224933B2 (ja)
JP (1) JP6244130B2 (ja)
KR (1) KR102210072B1 (ja)
TW (1) TWI675497B (ja)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6614414B2 (ja) * 2016-03-18 2019-12-04 豊田合成株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
JP6662716B2 (ja) * 2016-06-08 2020-03-11 新光電気工業株式会社 光センサ、光センサの製造方法
WO2018022456A1 (en) 2016-07-26 2018-02-01 Cree, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
JP6838528B2 (ja) * 2017-08-31 2021-03-03 日亜化学工業株式会社 基板の製造方法と発光装置の製造方法
KR102393035B1 (ko) * 2017-09-01 2022-05-02 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지
US10672954B2 (en) 2017-09-01 2020-06-02 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
KR102455086B1 (ko) * 2017-09-12 2022-10-17 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지 및 광원장치
JPWO2019082480A1 (ja) * 2017-10-25 2020-11-19 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光半導体装置用パッケージ、光半導体装置および光半導体装置用パッケージの製造方法
KR102432024B1 (ko) * 2017-12-08 2022-08-12 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지 및 광원 장치
US11121298B2 (en) * 2018-05-25 2021-09-14 Creeled, Inc. Light-emitting diode packages with individually controllable light-emitting diode chips
USD902448S1 (en) 2018-08-31 2020-11-17 Cree, Inc. Light emitting diode package
US11335833B2 (en) 2018-08-31 2022-05-17 Creeled, Inc. Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices
US11233183B2 (en) 2018-08-31 2022-01-25 Creeled, Inc. Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices
US11101411B2 (en) 2019-06-26 2021-08-24 Creeled, Inc. Solid-state light emitting devices including light emitting diodes in package structures
US10849235B1 (en) * 2020-05-20 2020-11-24 Tactotek Oy Method of manufacture of a structure and structure

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04154187A (ja) * 1990-10-18 1992-05-27 Mitsubishi Materials Corp スルーホール配線板の構造及びその製造方法
JPH118414A (ja) * 1997-06-18 1999-01-12 Sony Corp 半導体装置および半導体発光装置
US6614103B1 (en) * 2000-09-01 2003-09-02 General Electric Company Plastic packaging of LED arrays
JP3998984B2 (ja) * 2002-01-18 2007-10-31 富士通株式会社 回路基板及びその製造方法
JP4016925B2 (ja) 2003-09-30 2007-12-05 豊田合成株式会社 発光装置
KR101045507B1 (ko) 2003-03-18 2011-06-30 스미토모 덴키 고교 가부시키가이샤 발광 소자 탑재용 부재 및 그것을 사용한 반도체 장치
JP4258338B2 (ja) * 2003-10-09 2009-04-30 日立電線株式会社 発光装置及び発光装置に用いる配線板、ならびに配線板の製造方法
JP4323303B2 (ja) * 2003-12-17 2009-09-02 株式会社フジクラ 基板の製造方法
JP2004134816A (ja) * 2004-01-26 2004-04-30 Nichia Chem Ind Ltd セラミックスｌｅｄパッケージ及びセラミックスｌｅｄ
JP2005322701A (ja) * 2004-05-06 2005-11-17 Opto Device Kenkyusho:Kk 反射型発光ダイオード及び製造方法
WO2006030671A1 (ja) * 2004-09-16 2006-03-23 Hitachi Aic Inc. Ｌｅｄ用反射板およびｌｅｄ装置
JP4639103B2 (ja) * 2005-03-24 2011-02-23 日本特殊陶業株式会社 発光素子用セラミックパッケージ及びその製造方法
JP4711715B2 (ja) * 2005-03-30 2011-06-29 株式会社東芝 半導体発光装置及び半導体発光ユニット
JP2006351611A (ja) * 2005-06-13 2006-12-28 Rohm Co Ltd 発光素子搭載用基板及びそれを用いた光半導体装置
JP2007048768A (ja) * 2005-08-05 2007-02-22 Ngk Spark Plug Co Ltd 積層電子部品及びその製造方法
US20070080360A1 (en) * 2005-10-06 2007-04-12 Url Mirsky Microelectronic interconnect substrate and packaging techniques
JP2007273562A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Toshiba Corp 半導体発光装置
JP2007273559A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Mitsubishi Electric Corp 発光ダイオード光源及び照明装置
JP3914954B1 (ja) * 2006-05-24 2007-05-16 株式会社エレメント電子 発光装置およびその製造方法
JP4846505B2 (ja) * 2006-10-10 2011-12-28 株式会社フジクラ 発光装置およびその製造方法
JP2009260077A (ja) * 2008-04-17 2009-11-05 Toshiba Corp 発光装置およびリードフレーム
JP2010129646A (ja) * 2008-11-26 2010-06-10 Seiko Instruments Inc パッケージ部材及び電子部品パッケージ
JP2010283253A (ja) * 2009-06-08 2010-12-16 Hitachi Kyowa Engineering Co Ltd 発光装置及び発光装置用基板
JP2011060859A (ja) * 2009-09-07 2011-03-24 Seiko Instruments Inc 電子部品の製造方法および電子部品
JP5659519B2 (ja) * 2009-11-19 2015-01-28 豊田合成株式会社 発光装置、発光装置の製造方法、発光装置の実装方法及び光源装置
JP2011258916A (ja) * 2010-05-13 2011-12-22 Citizen Holdings Co Ltd 半導体発光装置
DE102010034924A1 (de) * 2010-08-20 2012-02-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
JP2012064759A (ja) * 2010-09-16 2012-03-29 Showa Denko Kk 半導体発光装置、半導体発光装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20150028372A1 (en) 2015-01-29
JP2015026746A (ja) 2015-02-05
KR102210072B1 (ko) 2021-02-01
US9224933B2 (en) 2015-12-29
TW201517331A (zh) 2015-05-01
TWI675497B (zh) 2019-10-21
KR20150013066A (ko) 2015-02-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6244130B2 (ja) 発光素子搭載用パッケージ及び発光素子パッケージ
JP6293995B2 (ja) 発光素子搭載用パッケージ及びその製造方法、並びに発光素子パッケージ
JP5985846B2 (ja) 発光素子搭載用基板及びｌｅｄパッケージ
JP6335619B2 (ja) 配線基板及び半導体パッケージ
JP2012033855A (ja) Ｌｅｄモジュール、ｌｅｄパッケージ、並びに配線基板およびその製造方法
JP5801685B2 (ja) 配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法
US20130307014A1 (en) Semiconductor light emitting device
US20150280093A1 (en) Light emitting device, method for manufacturing same, and body having light emitting device mounted thereon
JP6317989B2 (ja) 配線基板
JP6280710B2 (ja) 配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法
JP5375630B2 (ja) 樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびにｌｅｄ素子パッケージおよびその製造方法
JP2013149947A (ja) 発光素子搭載用パッケージ及び発光素子パッケージ並びにそれらの製造方法
JP2014130959A (ja) 発光装置及びその製造方法
JP6316731B2 (ja) 配線基板及びその製造方法、並びに半導体パッケージ
JP5812845B2 (ja) 発光素子搭載用パッケージ及び発光素子パッケージ並びにそれらの製造方法
JP2013045943A (ja) 半導体発光装置及びその製造方法
KR20130051206A (ko) 발광소자 모듈
JP6392163B2 (ja) 配線基板及びその製造方法、半導体装置
JP6279921B2 (ja) 配線基板及び半導体パッケージ
JP2006100753A (ja) 半導体モジュールおよびその製造方法
JP6669208B2 (ja) 発光装置
KR101533068B1 (ko) 인쇄 회로 기판 및 이를 구비하는 전자 소자 조립체
JP2013109905A (ja) 発光装置用の配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160713

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170307

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170321

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170518

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170725

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170922

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20171024

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20171113

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6244130

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150