JP6838528B2 - 基板の製造方法と発光装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本開示は、発光装置用基板の製造方法に関する。
近年、発光ダイオード等の発光素子を含む発光装置が種々の用途に使用されており、より安価に提供することが求められている。このような要求に応えるために、例えば、特許文献１には、基板上に発光素子と樹脂シートとを備える発光装置の製造する方法が開示されている。具体的には、格子状の反射材含有部と、前記反射材含有部の格子の開口部を覆う膜状の蛍光体含有部と、を有する樹脂シートを準備し、複数の発光素子が搭載された基板上に、複数の発光素子の各々の周囲を反射材含有部が囲み、かつ上方を蛍光体含有部が覆うように、樹脂シートを被せる。次に、樹脂シートを加熱により軟化させ、複数の発光素子の各々の上面に蛍光体含有部を、側面に反射材含有部又は前記蛍光体含有部を密着させ、基板と樹脂シートを切断することにより、発光装置を製造することが開示されている。
しかしながら、今後ますます安価であるとともにより小型軽量の発光装置が求められており、基板上に複数の発光素子を配列して所定の工程を経た後に切断することにより発光装置を製造する場合には、発光素子を所定の位置に精度よく実装した上で所定の位置で精度よく切断することが必要とされる。例えば、特許文献１に記載された発光素子と蛍光体含有部の周りが反射材含有部により覆われた発光装置では、小型化を図るために反射材含有部を最小限の厚さにすることが考えられるが、発光素子と樹脂シートの実装位置に対する切断位置のバラツキが大きくなると、そのバラツキの量を考慮して反射材含有部を厚くする必要があるために小型化が制限される。また、発光素子と樹脂シートの実装位置に対する切断位置のバラツキが大きくなると、製造歩留まりが悪くなり安価にできない。
そこで、本発明に係る実施形態は、基準となる発光素子の実装位置に対して切断位置を高い精度で調整が可能な基板の製造方法を提供することを目的とする。
また、本発明に係る実施形態は、安価でかつ小型の発光装置を提供することを目的とする。
また、本発明に係る実施形態は、安価でかつ小型の発光装置を提供することを目的とする。
本発明に係る実施形態の基板の製造方法は、発光装置用の基板の製造方法であって、
基体の上面に、第１配線部と第２配線部とを複数形成する配線形成工程と、
前記第１配線部上の少なくとも一部と前記第２配線部上の少なくとも一部とを含む領域上に第１の金属膜を形成して前記第１の金属膜を所定の形状に形成された凸部形成用レジストを用いてエッチングすることにより、前記第１配線上に第１凸部と前記第２配線上に第２凸部とを形成する凸部形成工程と、
前記基板上に第２の金属膜を形成して前記第２の金属膜上にアライメントマーク形成用レジストを用いてエッチングすることにより、アライメントマークを形成するアライメントマーク形成工程と、
を含み、
前記凸部形成用レジストと前記アライメントマーク形成用レジストとを同一の露光工程により露光することを特徴とする。
基体の上面に、第１配線部と第２配線部とを複数形成する配線形成工程と、
前記第１配線部上の少なくとも一部と前記第２配線部上の少なくとも一部とを含む領域上に第１の金属膜を形成して前記第１の金属膜を所定の形状に形成された凸部形成用レジストを用いてエッチングすることにより、前記第１配線上に第１凸部と前記第２配線上に第２凸部とを形成する凸部形成工程と、
前記基板上に第２の金属膜を形成して前記第２の金属膜上にアライメントマーク形成用レジストを用いてエッチングすることにより、アライメントマークを形成するアライメントマーク形成工程と、
を含み、
前記凸部形成用レジストと前記アライメントマーク形成用レジストとを同一の露光工程により露光することを特徴とする。
また、本発明に係る実施形態の発光装置の製造方法は、
上記基板の製造方法と、
前記各単位実装領域において、同一面側にｐ側電極とｎ側電極とを備えた発光素子を、前記ｐ側電極を前記第１凸部の上面に接合し、前記ｎ側電極を前記第２凸部に接合する発光素子実装工程と、
を含む。
上記基板の製造方法と、
前記各単位実装領域において、同一面側にｐ側電極とｎ側電極とを備えた発光素子を、前記ｐ側電極を前記第１凸部の上面に接合し、前記ｎ側電極を前記第２凸部に接合する発光素子実装工程と、
を含む。
以上の本発明に係る実施形態の基板の製造方法によれば、基準となる発光素子の実装位置に対して切断位置を高い精度で調整可能な基板の製造方法を提供することができる。
また、本発明に係る実施形態の発光装置によれば、安価でかつ小型の発光装置を提供することができる。
また、本発明に係る実施形態の発光装置によれば、安価でかつ小型の発光装置を提供することができる。
以下、図面を参照しながら本発明に係る実施形態について説明する。
実施形態１．
実施形態１は、それぞれ発光素子が接続される配線を有する単位実装領域が配置された発光装置用の基板１０とその製造方法に係る。
実施形態１．
実施形態１は、それぞれ発光素子が接続される配線を有する単位実装領域が配置された発光装置用の基板１０とその製造方法に係る。
＜実施形態１の発光装置用基板＞
実施形態１の発光装置用の基板１０は、基体１５の一方の主面に複数の単位実装領域が集合状態で設けられた基板である。単位実装領域は、第１配線部の少なくとも１つと第２配線部の少なくとも１つを含む。図１に示す例では、単位実装領域はそれぞれ、一方の主面上で対向するように設けられた１対の第１配線１と第２配線２とを含み、単位実装領域にはそれぞれ１つの発光素子が実装される。単位実装領域は、６行×３列のマトリクス状に配置されている。そして、単位実装領域が横方向に配列された各行に対応させてアライメントマーク３が基体１５の一辺にそって設けられている。アライメントマーク３は、例えば、基体表面に形成された金属膜を、矩形、円形、楕円形等の所定の形状に除去して基体１５の表面を露出させた開口部が挙げられる。実施形態１の基板１０では、基体１５の表面が露出したアライメントマーク３の周りの金属膜を厚くしてアライメントマーク３を囲む金属枠３ａを形成して、アライメントマーク３の認識を容易にしている。
以下の説明において、単位実装領域が縦方向に配列された列について、アライメントマーク３に近い側から第１列、第２列、第３列という。
単位実装領域は、１つの行又は１つの列を構成するように配列されていてもよく、更に、複数の行と複数の列を含むマトリクス状に配置されていることが好ましい。また、本明細書において列方向及び行方向のいずれか一方の方向を一方向ということもある。
実施形態１の発光装置用の基板１０は、基体１５の一方の主面に複数の単位実装領域が集合状態で設けられた基板である。単位実装領域は、第１配線部の少なくとも１つと第２配線部の少なくとも１つを含む。図１に示す例では、単位実装領域はそれぞれ、一方の主面上で対向するように設けられた１対の第１配線１と第２配線２とを含み、単位実装領域にはそれぞれ１つの発光素子が実装される。単位実装領域は、６行×３列のマトリクス状に配置されている。そして、単位実装領域が横方向に配列された各行に対応させてアライメントマーク３が基体１５の一辺にそって設けられている。アライメントマーク３は、例えば、基体表面に形成された金属膜を、矩形、円形、楕円形等の所定の形状に除去して基体１５の表面を露出させた開口部が挙げられる。実施形態１の基板１０では、基体１５の表面が露出したアライメントマーク３の周りの金属膜を厚くしてアライメントマーク３を囲む金属枠３ａを形成して、アライメントマーク３の認識を容易にしている。
以下の説明において、単位実装領域が縦方向に配列された列について、アライメントマーク３に近い側から第１列、第２列、第３列という。
単位実装領域は、１つの行又は１つの列を構成するように配列されていてもよく、更に、複数の行と複数の列を含むマトリクス状に配置されていることが好ましい。また、本明細書において列方向及び行方向のいずれか一方の方向を一方向ということもある。
また、各単位実装領域において、第１配線１は、第１配線部１ｂと第１配線部１ｂの上に形成された第１凸部１ａとを有し、第２配線２は、第２配線部２ｂと第２配線部２ｂの上に形成された第２凸部２ａとを有している。この第１凸部１ａと第２凸部２ａはそれぞれ、発光素子が実装されたとき、発光素子のｐ側電極３１とｎ側電極３２に対向するように設けられている。以上のように、第１配線部１ｂと第２配線部２ｂの上にそれぞれ第１凸部１ａと第２凸部２ａを設けることにより、発光素子を実装する際、第１凸部１ａと第２凸部２ａとに基づくセルフアライメント効果を利用して第１凸部１ａと第２凸部２ａに対して発光素子を高い位置精度で実装することが可能になる。
実施形態１の基板１０では、さらに、基板１０において、アライメントマーク３が縦方向に配列された列と単位実装領域の第１列の間、第１列と第２列の間、第２列と第３列の間及び第３列の外側には、基体１５を貫通する貫通スリットＳが設けられている。ここで、第１配線部１ｂと第２配線部２ｂはそれぞれ貫通スリットＳの側面及び基体１５の他方の主面（下面）の一部に延在して設けられており、他方の主面の一部に設けられた第１配線部１ｂ及び第２配線部２ｂにより発光装置の外部接続電極が構成される。また、図１において、破線で示す線は、基板１０上にそれぞれ発光素子を含む発光装置を集合状態で形成した後に、切断する切断線Ｃ１０を示している。以上説明したことから理解されるように、基板１０において、単位実装領域は、貫通スリットＳと切断線Ｃ１０に囲まれた領域により定義される。
実施形態１の発光装置用の基板１０では、特に、後述する製造方法で作製することにより、第１凸部１ａ及び第２凸部２ａに対してアライメントマーク３が高い位置精度で形成されている。これにより、基板１０上に複数の発光装置を集合状態で作製した後、第１凸部１ａ及び第２凸部２ａに対して高い位置精度で形成されたアライメントマーク３を基準に切断位置を設定して切断することにより、実装された発光素子に対して、精度よく切断位置を設定して切断することができる。したがって、実施形態１の発光装置用の基板１０を用いて発光素子を含む発光装置を製造すると、発光素子の側面と切断位置との間隔を高い精度で確保でき、発光素子の側面と切断位置との間隔を必要最低限の距離に設定できるので、発光装置の小型化が可能になる。
＜実施形態１の基板１０を用いて作製した発光装置の構成例＞
図２は、実施形態１に係る発光装置用の基板１０を用いて作製した発光装置１００の構成を示す断面図である。尚、図２において、幅方向をＸ方向、厚さ方向をＹ方向、前後（奥行き）方向をＺ方向として示しているが、Ｘ方向は基板１０の行方向であり、Ｙ方向は基板１０の列方向であり、Ｚ方向は厚さ（高さ）方向である。
図２は、実施形態１に係る発光装置用の基板１０を用いて作製した発光装置１００の構成を示す断面図である。尚、図２において、幅方向をＸ方向、厚さ方向をＹ方向、前後（奥行き）方向をＺ方向として示しているが、Ｘ方向は基板１０の行方向であり、Ｙ方向は基板１０の列方向であり、Ｚ方向は厚さ（高さ）方向である。
図２の発光装置１００は、小片基板１０１と発光素子３０と透光性部材５０と被覆部材７０とを含む。小片基板１０１は、基板１０が切断されてなり、第１配線部１ｂの上に第１凸部１ａを有してなる第１配線１と、第２配線部２ｂの上に第２凸部２ａを有してなる第２配線２とを備える。発光素子３０は、同一面側にｐ側電極３１とｎ側電極３２とを有してなり、そのｐ側電極３１が第１凸部１ａに導電性接着部材２０を介して接続され、ｎ側電極３２が第２凸部２ａに導電性接着部材２０を介して接続されるようにフリップチップ実装されている。尚、発光素子３０において、ｐ側電極３１とｎ側電極３２とが形成された面側の反対側の表面が発光面である。また、発光素子３０は、Ｘ方向に長くＹ方向に短い発光ダイオードチップである。透光性部材５０は、Ｘ方向に長くＹ方向に短い直方体状の小片であり、例えば、発光素子３０より一回り大きくなっており、発光素子３０の発光面に導光部材４０を介して接合される。透光性部材５０は、母材５５中に第１蛍光体６１と第２蛍光体６２とを含む波長変換物質６０を含有している。被覆部材７０は、母材７５中に白色顔料７７を含む反射性部材であり、小片基板１０１上において発光素子３０の側面、導光部材４０の側面及び透光性部材５０の側面を被覆している。被覆部材７０は、発光素子３０及び透光性部材５０等の側面を全周にわたって包囲している。また、透光性部材５０の上面と被覆部材７０の上面は、実質的に同一面を構成している。
以上のように構成された発光装置１００は、発光素子３０及び透光性部材５０から側方に出射される光が被覆部材７０によって反射されて上方（前方）から出射されるので上方（前方）からの光の取り出し効率を高くできる。このように構成される発光装置１００では、被覆部材７０を透過する光量を抑えて被覆部材７０によって反射される光の光量を大きくするために、被覆部材７０を一定以上の厚さに形成する必要がある。このとき、発光素子３０及び透光性部材５０の実装位置に対する切断位置の位置精度が悪いと、切断位置の位置精度のバラツキを考慮して被覆部材７０を必要以上の厚さに形成する必要があり、小型化に制限がある。しかしながら、実施形態１の発光装置用の基板１０を用いて発光装置１００を製造すると、発光素子３０の実装位置に対する切断位置の位置精度を高くできるので、被覆部材７０を必要以上の厚さに形成する必要がなく、小型の発光装置を製造することが可能になる。
＜実施形態１の発光装置用基板の製造方法＞
以下、実施形態１の発光装置用基板の製造方法について説明する。
（１）基体準備工程
まず、基板１０上に形成する発光装置の個数及び発光装置の最終形状に基づいて形状が設定された基体１５を準備する（図３Ａ）。具体的には、基体１５の平面形状は、発光装置の取り個数及び個々の発光装置の平面形状に基づいて設定され、基体の厚さは発光装置の高さに基づいて設定される。基体１５は、樹脂若しくは繊維強化樹脂、セラミックス、ガラス等により構成することができる。樹脂若しくは繊維強化樹脂としては、エポキシ、ガラスエポキシ、ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）、ポリイミドなどが挙げられる。セラミックスとしては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化ジルコニウム、酸化チタン、窒化チタン、若しくはこれらの混合物などが挙げられる。基体１５は、可撓性を有していてもよく、例えば、それぞれ可撓性を有する、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、液晶ポリマー、シクロオレフィンポリマーなどを用いて構成することができる。なお、これらの基体のうち、特に発光素子の線膨張係数に近い物性を有する基体を使用することが好ましい。これにより、発光素子が基体の熱膨張係数との差によって破壊されるおそれを低減することができる。基体１５の線膨張係数は、１５ｐｐｍ／℃以下であることが好ましく、１０ｐｐｍ／℃以下であることがより好ましい。基体１５の線膨張係数の下限値については、例えば１ｐｐｍ／℃以上である。尚、発光素子の線膨張係数は、用いる半導体材料の種類等によって変動するが、発光素子において、支配的な体積を有する材料の線膨張係数に近似する。従って、発光素子が、サファイア基板を伴う場合は、通常、サファイア基板の体積が支配的であるために、その線膨張係数はサファイア基板の線膨張係数に近似し、例えば、７．７ｐｐｍ／℃程度である。発光素子が、サファイア基板を伴わず、半導体層のみで構成される場合には、その線膨張係数は用いる半導体層の線膨張係数に近似し、ＧａＮ系半導体層からなる発光素子では、例えば、５．５ｐｐｍ／℃程度である。また、基体１５の線膨張係数が、１０ｐｐｍ／℃以下であることにより、基体が熱により変形しにくくなる。これにより、基体上に形成する第１凸部、第２凸部、及び／又は、アライメントマークの位置精度を向上させることができる。
以下、実施形態１の発光装置用基板の製造方法について説明する。
（１）基体準備工程
まず、基板１０上に形成する発光装置の個数及び発光装置の最終形状に基づいて形状が設定された基体１５を準備する（図３Ａ）。具体的には、基体１５の平面形状は、発光装置の取り個数及び個々の発光装置の平面形状に基づいて設定され、基体の厚さは発光装置の高さに基づいて設定される。基体１５は、樹脂若しくは繊維強化樹脂、セラミックス、ガラス等により構成することができる。樹脂若しくは繊維強化樹脂としては、エポキシ、ガラスエポキシ、ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ）、ポリイミドなどが挙げられる。セラミックスとしては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ジルコニウム、窒化ジルコニウム、酸化チタン、窒化チタン、若しくはこれらの混合物などが挙げられる。基体１５は、可撓性を有していてもよく、例えば、それぞれ可撓性を有する、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、液晶ポリマー、シクロオレフィンポリマーなどを用いて構成することができる。なお、これらの基体のうち、特に発光素子の線膨張係数に近い物性を有する基体を使用することが好ましい。これにより、発光素子が基体の熱膨張係数との差によって破壊されるおそれを低減することができる。基体１５の線膨張係数は、１５ｐｐｍ／℃以下であることが好ましく、１０ｐｐｍ／℃以下であることがより好ましい。基体１５の線膨張係数の下限値については、例えば１ｐｐｍ／℃以上である。尚、発光素子の線膨張係数は、用いる半導体材料の種類等によって変動するが、発光素子において、支配的な体積を有する材料の線膨張係数に近似する。従って、発光素子が、サファイア基板を伴う場合は、通常、サファイア基板の体積が支配的であるために、その線膨張係数はサファイア基板の線膨張係数に近似し、例えば、７．７ｐｐｍ／℃程度である。発光素子が、サファイア基板を伴わず、半導体層のみで構成される場合には、その線膨張係数は用いる半導体層の線膨張係数に近似し、ＧａＮ系半導体層からなる発光素子では、例えば、５．５ｐｐｍ／℃程度である。また、基体１５の線膨張係数が、１０ｐｐｍ／℃以下であることにより、基体が熱により変形しにくくなる。これにより、基体上に形成する第１凸部、第２凸部、及び／又は、アライメントマークの位置精度を向上させることができる。
（２）溝加工工程
次に、例えば、ルーター加工及び／又はレーザー加工を用いて、アライメントマークが縦方向に配列される領域と第１列の単位実装領域が配列される領域の間、第１列の単位実装領域が配列される領域と第２列の実装領域が配列される領域の間、第２列の実装領域が配列される領域と第３列の実装領域が配列される領域の間及び第３列の実装領域の外側に、基体１５を貫通する貫通スリットＳを形成してもよい。例えば、貫通スリットＳは、単位実装領域の列のうち最も外側に位置する列の外側及び単位実装領域の列の間にそれぞれ形成することが好ましい。このようにすることで、単位実装領域の両側に貫通スリットＳが位置するので基体を切断することが容易になる。貫通スリットを備える場合には、第１配線部及び第２配線部をそれぞれ、貫通スリットの内面を経て基体の下面に延在するように形成することが好ましい。このようにすることで、第１配線部及び第２配線部と基体との接合強度が向上する。尚、貫通スリットＳの両端は基体の側面からは離れており、貫通スリットＳが形成された後も、複数の単位実装領域は、基体１５の外周部により支持されている。
次に、例えば、ルーター加工及び／又はレーザー加工を用いて、アライメントマークが縦方向に配列される領域と第１列の単位実装領域が配列される領域の間、第１列の単位実装領域が配列される領域と第２列の実装領域が配列される領域の間、第２列の実装領域が配列される領域と第３列の実装領域が配列される領域の間及び第３列の実装領域の外側に、基体１５を貫通する貫通スリットＳを形成してもよい。例えば、貫通スリットＳは、単位実装領域の列のうち最も外側に位置する列の外側及び単位実装領域の列の間にそれぞれ形成することが好ましい。このようにすることで、単位実装領域の両側に貫通スリットＳが位置するので基体を切断することが容易になる。貫通スリットを備える場合には、第１配線部及び第２配線部をそれぞれ、貫通スリットの内面を経て基体の下面に延在するように形成することが好ましい。このようにすることで、第１配線部及び第２配線部と基体との接合強度が向上する。尚、貫通スリットＳの両端は基体の側面からは離れており、貫通スリットＳが形成された後も、複数の単位実装領域は、基体１５の外周部により支持されている。
（３）配線用金属膜形成工程
次に、第１配線部及び第２配線部を形成するための配線用金属膜１１を、基体１５の一方の主面（上面）、他方の主面（下面）及び貫通スリットＳの側面を含む基体１５の表面に形成する（図３Ｂ）。実施形態１の製造方法では、配線用金属膜１１は、図３Ｂに示すように、アライメントマークを形成する領域を含む基体１５の表面全体に形成する。配線用金属膜１１は、例えば、無電解銅メッキ層の上に電解銅メッキ層を形成することにより、所定の厚さに形成する。配線用金属膜１１の厚さは、製造する発光装置に応じて適宜設定されるが、例えば、５μｍ〜３０μｍ、好ましくは、１０μｍ〜２５μｍ、より好ましくは、１５μｍ〜２０μｍの厚さに形成する。配線用金属膜１１の材料は、製造する発光装置に応じて適宜選択することができるが、好ましくは、銅、ニッケル等の金属材料から選択される。
次に、第１配線部及び第２配線部を形成するための配線用金属膜１１を、基体１５の一方の主面（上面）、他方の主面（下面）及び貫通スリットＳの側面を含む基体１５の表面に形成する（図３Ｂ）。実施形態１の製造方法では、配線用金属膜１１は、図３Ｂに示すように、アライメントマークを形成する領域を含む基体１５の表面全体に形成する。配線用金属膜１１は、例えば、無電解銅メッキ層の上に電解銅メッキ層を形成することにより、所定の厚さに形成する。配線用金属膜１１の厚さは、製造する発光装置に応じて適宜設定されるが、例えば、５μｍ〜３０μｍ、好ましくは、１０μｍ〜２５μｍ、より好ましくは、１５μｍ〜２０μｍの厚さに形成する。配線用金属膜１１の材料は、製造する発光装置に応じて適宜選択することができるが、好ましくは、銅、ニッケル等の金属材料から選択される。
（４）第１フォトリソグラフィー工程
４−１．第１レジスト形成工程
まず、配線用金属膜１１上全体にレジストＲ１１を塗布する（図３Ｃ）。レジストＲ１１としては、例えば、露光した部分が硬化するドライフィルムレジストを用いることができる。ドライフィルムレジストとしては、例えば、キャリアフィルム、感光層、又は、カバーフィルムからなり、キャリアフィルムはPET、感光層はアクリル系樹脂、カバーフィルムはポリエチレンを用いることができる。キャリアフィルム及びカバーフィルムはそれぞれ、例えば、２０〜５０μmの厚さのものを使用することができる。
４−１．第１レジスト形成工程
まず、配線用金属膜１１上全体にレジストＲ１１を塗布する（図３Ｃ）。レジストＲ１１としては、例えば、露光した部分が硬化するドライフィルムレジストを用いることができる。ドライフィルムレジストとしては、例えば、キャリアフィルム、感光層、又は、カバーフィルムからなり、キャリアフィルムはPET、感光層はアクリル系樹脂、カバーフィルムはポリエチレンを用いることができる。キャリアフィルム及びカバーフィルムはそれぞれ、例えば、２０〜５０μmの厚さのものを使用することができる。
４−２．第１露光工程
次に、例えば、第１配線部１ｂ及び第２配線部２ｂの配線パターンデータに基づいてレジストＲ１１に直接光を照射して、第１配線部１ｂ及び第２配線部２ｂに対応した部分（第１配線部１ｂ及び第２配線部２ｂの上に位置する部分）を硬化させる。ここでは、配線パターンデータに基づいてレジストＲ１１に直接光を照射する直接描画装置による例を示したが、第１配線部１ｂ及び第２配線部２ｂに対応したパターンが形成されたマスクを介して露光するようにしてもよい。
次に、例えば、第１配線部１ｂ及び第２配線部２ｂの配線パターンデータに基づいてレジストＲ１１に直接光を照射して、第１配線部１ｂ及び第２配線部２ｂに対応した部分（第１配線部１ｂ及び第２配線部２ｂの上に位置する部分）を硬化させる。ここでは、配線パターンデータに基づいてレジストＲ１１に直接光を照射する直接描画装置による例を示したが、第１配線部１ｂ及び第２配線部２ｂに対応したパターンが形成されたマスクを介して露光するようにしてもよい。
４−３．第１現像工程
次に、未硬化のレジストＲ１１を除去する。例えば、現像液としては、トリクロロエタン、NaOH水溶液を用いることができる。この現像により、第１配線部１ｂ及び第２配線部２ｂのパターンに対応したパターン形成されたレジストＲ１１が形成される（図３Ｄ）。
次に、未硬化のレジストＲ１１を除去する。例えば、現像液としては、トリクロロエタン、NaOH水溶液を用いることができる。この現像により、第１配線部１ｂ及び第２配線部２ｂのパターンに対応したパターン形成されたレジストＲ１１が形成される（図３Ｄ）。
４−４．配線用金属膜除去工程
次に、パターン形成されたレジストＲ１１を用いて配線用金属膜１１をエッチングすることにより、第１配線部１ｂ及び第２配線部２ｂを形成する（図３Ｅ）。単位実装領域が一方向に配列されるように、第１配線部と第２配線部とを形成することが好ましい。このようにすることで、基板における小片基板の取り数を増加させやすくなる。また、単位実装領域を一方向に配置した列が一方向に直交する方向に複数並置されるように、第１配線部と前記第２配線部とを形成することが好ましい。このようにすることで、更に、基板における小片基板の取り数を増加させやすくなる。尚、本明細書において直交とは、９０±５°を意味する。
アライメントマーク３が形成される部分は、配線用金属膜１１の一部を除去して開口部を形成することにより、基体１５が露出した部分とすることが好ましい。これにより、アライメントマーク３を基体１５が露出した部分とすることができるため、後述する第３工程または第５工程において基体の露出部分とそれを囲む金属枠３ａとの外観等の違いにより、良好に装置の認識を行うことができる。
次に、パターン形成されたレジストＲ１１を用いて配線用金属膜１１をエッチングすることにより、第１配線部１ｂ及び第２配線部２ｂを形成する（図３Ｅ）。単位実装領域が一方向に配列されるように、第１配線部と第２配線部とを形成することが好ましい。このようにすることで、基板における小片基板の取り数を増加させやすくなる。また、単位実装領域を一方向に配置した列が一方向に直交する方向に複数並置されるように、第１配線部と前記第２配線部とを形成することが好ましい。このようにすることで、更に、基板における小片基板の取り数を増加させやすくなる。尚、本明細書において直交とは、９０±５°を意味する。
アライメントマーク３が形成される部分は、配線用金属膜１１の一部を除去して開口部を形成することにより、基体１５が露出した部分とすることが好ましい。これにより、アライメントマーク３を基体１５が露出した部分とすることができるため、後述する第３工程または第５工程において基体の露出部分とそれを囲む金属枠３ａとの外観等の違いにより、良好に装置の認識を行うことができる。
以上の第１フォトグラフィー工程により、第１配線部１ｂ及び第２配線部２ｂが形成される。以上の説明では、露光して除去した後に露光部分が残る、いわゆるネガタイプを使用した例を示したが、露光して除去した後に露光部分が除去されるポジタイプのレジストを用いてもよい。
（５）凸部用金属膜形成工程
次に、第１凸部、第２凸部及びアライメントマークを囲む金属枠を形成するための凸部用金属膜１２を、基体１５の一方の主面、他方の主面及び貫通スリットの側面を含む基体１５の表面に形成する（図３Ｆ）。凸部用金属膜１２は、図３Ｆに示すように、第１配線部１ｂ及び第２配線部２ｂが形成されていない部分については、基体１５の表面に直接形成する。第１配線部１ｂ及び第２配線部２ｂが形成されている部分については、第１配線部１ｂ及び第２配線部２ｂを介して形成する。尚、本実施形態１の製造方法では、凸部用金属膜１２をアライメントマークが形成される領域を含む基体１５の表面全体に形成するようにしたが、凸部用金属膜とは別の工程により、アライメントマークを囲む金属枠用の金属膜を形成するようにしてもよい。凸部用金属膜とは別に金属枠用の金属膜を形成する場合には、凸部用金属膜を第１の金属膜といい、金属枠用の金属膜を第２の金属膜という。言い換えると、実施形態１の凸部用金属膜形成工程における凸部用金属膜１２は、第１の金属膜と第２の金属膜とを同一の金属膜形成工程により形成したものである。また、凸部用金属膜は、例えば無電解銅めっき層の上に電界銅めっきする事により、所定の厚さに形成する。凸部用金属膜１２は、例えば８μｍ〜５０μｍ、好ましくは１０μｍ〜４０μｍ、より好ましくは１５μｍ〜３０μｍの厚さに形成する。凸部用金属膜１２の材料は、製造する発光装置に応じて適宜選択することができるが、好ましくは、銅、ニッケル等の金属材料から選択される。
次に、第１凸部、第２凸部及びアライメントマークを囲む金属枠を形成するための凸部用金属膜１２を、基体１５の一方の主面、他方の主面及び貫通スリットの側面を含む基体１５の表面に形成する（図３Ｆ）。凸部用金属膜１２は、図３Ｆに示すように、第１配線部１ｂ及び第２配線部２ｂが形成されていない部分については、基体１５の表面に直接形成する。第１配線部１ｂ及び第２配線部２ｂが形成されている部分については、第１配線部１ｂ及び第２配線部２ｂを介して形成する。尚、本実施形態１の製造方法では、凸部用金属膜１２をアライメントマークが形成される領域を含む基体１５の表面全体に形成するようにしたが、凸部用金属膜とは別の工程により、アライメントマークを囲む金属枠用の金属膜を形成するようにしてもよい。凸部用金属膜とは別に金属枠用の金属膜を形成する場合には、凸部用金属膜を第１の金属膜といい、金属枠用の金属膜を第２の金属膜という。言い換えると、実施形態１の凸部用金属膜形成工程における凸部用金属膜１２は、第１の金属膜と第２の金属膜とを同一の金属膜形成工程により形成したものである。また、凸部用金属膜は、例えば無電解銅めっき層の上に電界銅めっきする事により、所定の厚さに形成する。凸部用金属膜１２は、例えば８μｍ〜５０μｍ、好ましくは１０μｍ〜４０μｍ、より好ましくは１５μｍ〜３０μｍの厚さに形成する。凸部用金属膜１２の材料は、製造する発光装置に応じて適宜選択することができるが、好ましくは、銅、ニッケル等の金属材料から選択される。
（６）第２フォトリソグラフィー工程
６−１．第２レジスト形成工程
まず、凸部用金属膜１２の上全体にレジストＲ１２を塗布する（図３Ｇ）。レジストＲ１２としては、例えば、露光した部分が硬化するドライフィルムレジストを用いることができる。ドライフィルムレジストとしては、上記と同様の部材を用いることができる。第１凸部、第２凸部を形成するためのレジストを凸部形成用レジストとし、第２凸部を形成するためのレジストをアライメントマーク形成用レジストとすると、レジストＲ１２は、凸部形成用レジストとアライメントマーク形成用レジストとを備える。
６−１．第２レジスト形成工程
まず、凸部用金属膜１２の上全体にレジストＲ１２を塗布する（図３Ｇ）。レジストＲ１２としては、例えば、露光した部分が硬化するドライフィルムレジストを用いることができる。ドライフィルムレジストとしては、上記と同様の部材を用いることができる。第１凸部、第２凸部を形成するためのレジストを凸部形成用レジストとし、第２凸部を形成するためのレジストをアライメントマーク形成用レジストとすると、レジストＲ１２は、凸部形成用レジストとアライメントマーク形成用レジストとを備える。
６−２．第２露光工程
次に、例えば、第１凸部、第２凸部及びアライメントマークを囲む金属枠のパターンデータに基づいてレジストＲ１２に直接光を照射して、第１凸部、第２凸部及び金属枠に対応した部分を硬化させる（図３Ｈ）。このレジストＲ１２に直接光を照射する直接描画は、第１凸部のパターンに対応する照射と第２凸部のパターンに対応する照射との間、第１凸部及び／または第２凸部のパターンに対応する照射と金属枠３ａのパターンに対応する照射の間で、例えば、照射位置の再設定を行うことなく、一連の連続した光照射により行う。換言すると、凸部形成用レジストとアライメントマーク形成用レジストとを同一の露光工程により露光する。尚、実施形態１の製造方法では、直接描画による例を示したが、第１凸部、第２凸部及び金属枠に対応したパターンが一体で形成されたフォトマスクを介して露光するようにしてもよい。
次に、例えば、第１凸部、第２凸部及びアライメントマークを囲む金属枠のパターンデータに基づいてレジストＲ１２に直接光を照射して、第１凸部、第２凸部及び金属枠に対応した部分を硬化させる（図３Ｈ）。このレジストＲ１２に直接光を照射する直接描画は、第１凸部のパターンに対応する照射と第２凸部のパターンに対応する照射との間、第１凸部及び／または第２凸部のパターンに対応する照射と金属枠３ａのパターンに対応する照射の間で、例えば、照射位置の再設定を行うことなく、一連の連続した光照射により行う。換言すると、凸部形成用レジストとアライメントマーク形成用レジストとを同一の露光工程により露光する。尚、実施形態１の製造方法では、直接描画による例を示したが、第１凸部、第２凸部及び金属枠に対応したパターンが一体で形成されたフォトマスクを介して露光するようにしてもよい。
６−３．第２現像工程
次に、未硬化のレジストＲ１２を除去する（図３Ｉ）。例えば、現像液としては、上記と同様の部材を用いることができる。この現像により、第１凸部１ａ、第２凸部２ａ及び金属枠３ａに対応したパターンに形成されたレジストＲ１２が形成される。
次に、未硬化のレジストＲ１２を除去する（図３Ｉ）。例えば、現像液としては、上記と同様の部材を用いることができる。この現像により、第１凸部１ａ、第２凸部２ａ及び金属枠３ａに対応したパターンに形成されたレジストＲ１２が形成される。
６−４．凸部用金属膜除去工程
次に、パターン形成されたレジストＲ１２を用いて凸部用金属膜１２をエッチングすることにより、第１凸部１ａ、第２凸部２ａ及び金属枠３ａを形成する（図３Ｊ）。尚、本実施形態１の製造方法では、レジストＲ１２を用いて第１凸部１ａ、第２凸部２ａ及び金属枠３ａを形成したが、第１凸部、第２凸部を形成するための凸部形成用レジストと、金属枠３ａを形成するためのアライメントマーク形成用レジストが別のレジストでもよい。ただし、凸部形成用レジストとアライメントマーク形成用レジストとを同一の露光工程により露光している。
次に、パターン形成されたレジストＲ１２を用いて凸部用金属膜１２をエッチングすることにより、第１凸部１ａ、第２凸部２ａ及び金属枠３ａを形成する（図３Ｊ）。尚、本実施形態１の製造方法では、レジストＲ１２を用いて第１凸部１ａ、第２凸部２ａ及び金属枠３ａを形成したが、第１凸部、第２凸部を形成するための凸部形成用レジストと、金属枠３ａを形成するためのアライメントマーク形成用レジストが別のレジストでもよい。ただし、凸部形成用レジストとアライメントマーク形成用レジストとを同一の露光工程により露光している。
以上の第２フォトグラフィー工程により、第１凸部１ａ、第２凸部２ａ及び金属枠３ａが形成される。この第２フォトグラフィー工程では、第２露光工程において、第１凸部１ａのパターンに対応する照射、第２凸部２ａのパターンに対応する照射及び金属枠３ａのパターンに対応する照射を、一連の連続した光照射により行っているので、アライメントマークを第１凸部１ａ及び第２凸部２ａに対して高い位置精度で形成することができる。また、実施形態１の製造方法において、第１凸部１ａ、第２凸部２ａ及び金属枠３ａに対応したパターンが一体で形成されたフォトマスクを介して露光するようにした場合も、同様に、アライメントマークを第１凸部１ａ及び第２凸部２ａに対して高い位置精度で形成することができる。単位実装領域が一方向に配列している場合には、アライメントマークを単位実装領域にそれぞれ対応するように一方向に形成することが好ましい。このようにすることで、アライメントマークを狭いスペースでも形成しやすくなる。
以下、実施形態１の発光装置１００の製造方法について図４Ａ〜図４Ｅを参照しながら説明する。図４Ａ〜図４Ｅは、単位実装領域が配列された基板１０の列方向の端面図により示しており、それぞれ第１配線１が図示されている。
＜第１工程（発光素子実装工程）＞
第１工程では、図４Ａに示すように、基板１０上に発光素子３０をフリップチップ実装する。具体的には、ペースト状態の導電性接着部材２０を第１凸部１ａ上と第２凸部２ａ上とに塗布し、発光素子３０のｐ側電極３１とｎ側電極３２とがそれぞれ第１凸部１ａと第２凸部２ａに対向するように発光素子３０を載置して、導電性接着部材２０をリフロー炉などで加熱して溶融させた後、冷却して固化させる。このとき、第１凸部１ａと第２凸部２ａとによるセルフアライメント効果により、第１凸部１ａと第２凸部２ａに対して、高い精度で発光素子３０が実装される。ここで、導電性接着部材２０は、例えば、半田である。
第１工程では、図４Ａに示すように、基板１０上に発光素子３０をフリップチップ実装する。具体的には、ペースト状態の導電性接着部材２０を第１凸部１ａ上と第２凸部２ａ上とに塗布し、発光素子３０のｐ側電極３１とｎ側電極３２とがそれぞれ第１凸部１ａと第２凸部２ａに対向するように発光素子３０を載置して、導電性接着部材２０をリフロー炉などで加熱して溶融させた後、冷却して固化させる。このとき、第１凸部１ａと第２凸部２ａとによるセルフアライメント効果により、第１凸部１ａと第２凸部２ａに対して、高い精度で発光素子３０が実装される。ここで、導電性接着部材２０は、例えば、半田である。
＜第２工程（透光性部材接着工程）＞
第２工程では、図４Ｂに示すように、透光性部材５０を発光素子３０上にそれぞれ接着する。具体的には、発光素子３０の上に液状の導光部材４０を塗布して、その上に透光性部材５０を載置して、導光部材４０を加熱処理により硬化させる。以下、本明細書における「液状」は、ゾル状、スラリー状を含むものとする。
第２工程では、図４Ｂに示すように、透光性部材５０を発光素子３０上にそれぞれ接着する。具体的には、発光素子３０の上に液状の導光部材４０を塗布して、その上に透光性部材５０を載置して、導光部材４０を加熱処理により硬化させる。以下、本明細書における「液状」は、ゾル状、スラリー状を含むものとする。
＜第３工程（透光性部材加工工程）＞
第３工程では、図４Ｃに示すように、透光性部材５０の側面を削って透光性部材５０を所定の寸法に加工する。具体的には、例えば、所定の厚さの回転刃を回転させながらＸ方向及びＹ方向に走査することにより、例えば、隣接する透光性部材５０の一方の透光性部材５０の側面と他方の透光性部材５０の側面とを同時に研削して、透光性部材５０を発光装置ごとに所定の形状に加工する。この回転刃を走査する際、アライメントマークを基準に回転刃を位置あわせするが、実施形態１の基板においてはアライメントマークが第１凸部及び第２凸部に対して高い位置精度で形成されており、第１凸部及び第２凸部に対してセルフアライメント効果により位置精度よく発光素子が実装されるので、発光素子に対して精度よく回転刃を位置あわせして回転刃を走査できる。したがって、透光性部材５０を実装された発光素子に対して、精度よく加工することができる。
第３工程では、図４Ｃに示すように、透光性部材５０の側面を削って透光性部材５０を所定の寸法に加工する。具体的には、例えば、所定の厚さの回転刃を回転させながらＸ方向及びＹ方向に走査することにより、例えば、隣接する透光性部材５０の一方の透光性部材５０の側面と他方の透光性部材５０の側面とを同時に研削して、透光性部材５０を発光装置ごとに所定の形状に加工する。この回転刃を走査する際、アライメントマークを基準に回転刃を位置あわせするが、実施形態１の基板においてはアライメントマークが第１凸部及び第２凸部に対して高い位置精度で形成されており、第１凸部及び第２凸部に対してセルフアライメント効果により位置精度よく発光素子が実装されるので、発光素子に対して精度よく回転刃を位置あわせして回転刃を走査できる。したがって、透光性部材５０を実装された発光素子に対して、精度よく加工することができる。
＜第４工程（被覆部材形成工程）＞
第４工程では、図４Ｄに示すように、例えば、基板上に、発光素子３０及び透光性部材５０の周囲に、液状の被覆部材７０を充填して加熱することにより硬化させる。これにより、基板上で透光性部材５０及び発光素子３０を被覆する光反射性の被覆部材７０を基板上に形成する。このとき、例えば、透光性部材５０が被覆部材７０内に完全に埋め込まれるように被覆部材７０を形成して硬化させた後、研削若しくはブラストなどによって透光性部材５０の上面を被覆部材７０から露出させる。ここで、被覆部材７０は、アライメントマーク３が露出するように形成することが好ましい。以上のようにして、前記発光素子の間に、発光素子３０が埋設されアライメントマーク３が露出する被覆部材を形成する。
第４工程では、図４Ｄに示すように、例えば、基板上に、発光素子３０及び透光性部材５０の周囲に、液状の被覆部材７０を充填して加熱することにより硬化させる。これにより、基板上で透光性部材５０及び発光素子３０を被覆する光反射性の被覆部材７０を基板上に形成する。このとき、例えば、透光性部材５０が被覆部材７０内に完全に埋め込まれるように被覆部材７０を形成して硬化させた後、研削若しくはブラストなどによって透光性部材５０の上面を被覆部材７０から露出させる。ここで、被覆部材７０は、アライメントマーク３が露出するように形成することが好ましい。以上のようにして、前記発光素子の間に、発光素子３０が埋設されアライメントマーク３が露出する被覆部材を形成する。
＜第５工程（個片化工程）＞
第５工程は、図４Ｅに示すように、透光性部材５０の側面及び発光素子３０の側面を所定の幅で被覆する被覆部材７０が形成されるように基板及び被覆部材７０を切断ブレードにより切断する。基板及び被覆部材７０を切断する際、アライメントマークを基準に切断ブレードを位置決めして切断位置を設定するが、実施形態１の基板１０においてはアライメントマークが第１凸部１ａ及び第２凸部２ａに対して高い位置精度で形成されており、第１凸部及び第２凸部に対してセルフアライメント効果により位置精度よく発光素子が実装されるので、発光素子３０、任意に透光性部材５０に対して精度よく、個々の発光装置に切断することができる。単位実装領域が一方向に配置されている場合には、一方向に直交する方向に切断して、少なくとも一つの発光素子を含む個々の発光装置に分離する。
第５工程は、図４Ｅに示すように、透光性部材５０の側面及び発光素子３０の側面を所定の幅で被覆する被覆部材７０が形成されるように基板及び被覆部材７０を切断ブレードにより切断する。基板及び被覆部材７０を切断する際、アライメントマークを基準に切断ブレードを位置決めして切断位置を設定するが、実施形態１の基板１０においてはアライメントマークが第１凸部１ａ及び第２凸部２ａに対して高い位置精度で形成されており、第１凸部及び第２凸部に対してセルフアライメント効果により位置精度よく発光素子が実装されるので、発光素子３０、任意に透光性部材５０に対して精度よく、個々の発光装置に切断することができる。単位実装領域が一方向に配置されている場合には、一方向に直交する方向に切断して、少なくとも一つの発光素子を含む個々の発光装置に分離する。
以上、実施の形態１に係る発光装置１００の製造方法では、アライメントマーク３が第１凸部１ａ及び第２凸部２ａに対して高い位置精度で形成された基板１０を用いて発光装置１００を製造しているので、発光素子３０の実装位置に対する切断位置の位置精度を高くできる。これにより、被覆部材７０を必要以上の厚さに形成する必要がなく、小型の発光装置を製造することが可能になる。
また、アライメントマーク３が、発光素子３０が実装される第１凸部１ａ及び第２凸部２ａに対して高い位置精度で形成され、該アライメントマーク３に対して発光素子３０の上に搭載された透光性部材５０を成形することで、成形後の透光性部材５０と切断位置の位置精度を高くできる。これにより、例えば、図４Ｆに示すように、透光性部材５０の長手方向の側面を覆う被覆部材７０の厚さを必要以上の厚さにする必要がなく、薄型の発光装置を製造することができる。
また、アライメントマーク３が、発光素子３０が実装される第１凸部１ａ及び第２凸部２ａに対して高い位置精度で形成され、該アライメントマーク３に対して発光素子３０の上に搭載された透光性部材５０を成形することで、成形後の透光性部材５０と切断位置の位置精度を高くできる。これにより、例えば、図４Ｆに示すように、透光性部材５０の長手方向の側面を覆う被覆部材７０の厚さを必要以上の厚さにする必要がなく、薄型の発光装置を製造することができる。
実施の形態１に係る発光装置１００の基板及び発光装置１００の製造方法では、アライメントマーク３を切断線Ｃ１０の間に配置するようにした。しかしながら、実施の形態１に係る発光装置１００の基板及び発光装置１００の製造方法では、アライメントマーク３を切断線Ｃ１０上、具体的には例えば、図５に示すように、アライメントマーク３の長手方向の中心線と切断線Ｃ１０とが一致するようにアライメントマーク３を配置するようにしてもよい。このようにすると、アライメントマーク３を基準にして精度よく切断位置を設定することができる。
実施の形態１に係る発光装置１００の基板及び発光装置１００の製造方法において、アライメントマーク３は各第１配線及び第２配線の行に１つずつ設けられているが、例えば、複数行について１つ設けられていてもよい。これにより、露光のパターンを簡易にすることが可能となる。この時、１つのアライメントマーク３を認識して装置を位置決めした後に、複数行に対して加工を行う。このようにすることで、基板の複数行に対してアライメントマーク３の認識及び装置の位置決めの回数を減らすことができ、量産性を高めることができる。
実施の形態１に係る発光装置１００の基板及び発光装置１００の製造方法において、アライメントマーク３は、金属枠に囲われた凹部であるが、凸部用金属膜又は第２の金属膜によって形成された凸部であってもよい。ただし、アライメントマーク３は凹部であることが、アライメントマーク３の剥離の防止や密着性等の観点から好ましい。
実施の形態１に係る発光装置１００は、一つの発光素子３０を有するが、複数の発光素子３０が発光素子に搭載されてもよい。これにより、一つの発光装置から取り出すことができる光の量を増やすことができる。この場合、基板は、複数の発光素子に対応する第１配線、第２配線、第１凸部及び第２凸部を備えることがそれぞれ好ましい。
実施形態１では、図２に示すように、実施の形態１に係る発光装置１００は、透光性部材の短手方向において被覆部材の側面と小片基板の側面とは異なる平面上に位置するようにし、発光装置の側面において被覆部材の側面と小片基板の側面の間に段差が形成されるようにした。しかしながら、図６の変形例に示すように、透光性部材の短手方向（ｘ軸方向）において被覆部材の側面と小片基板の側面とを略同一平面上に位置するようにして発光装置の側面に段差が形成されないようにしてもよい。また、図６の変形例の発光装置２００では、例えば、小片基板１０１の側面に第１配線部及び第２配線部を形成することなく、小片基板１０１に貫通孔を形成し、その貫通孔に形成した貫通配線により小片基板１０１の上面に形成した第１配線１及び第２配線２をそれぞれ小片基板１０１の下面に形成した第１配線１（第１外部接続電極）及び第２配線２（第２外部接続電極）に接続するようにしている。このように、透光性部材の短手方向（ｘ軸方向）において被覆部材の側面と小片基板の側面とを略同一平面上に位置するようにすると、発光装置を小型化することができる。図６において、１ｃ及び２ｃの符号を付して示す部材は、貫通孔に充填された樹脂である。図６の変形例の発光装置２００のように、被覆部材の側面と小片基板の側面とを略同一平面上に位置するようにするためには、例えば、個片化工程において、被覆部材の側面と小片基板の側面を切断ブレードにより連続して切断するようにすればよい。本明細書において略同一平面上に位置するとは、±１０μｍ程度の段差は許容されることを意味する。
１…第１配線
１ａ…第１凸部
２…第２配線
２ａ…第２凸部
３…アライメントマーク
１０…基板
１５…基体
２０…導電性接着部材
３０…発光素子
４０…導光部材
５０…透光性部材
５５…透光性部材の母材
６０…波長変換物質
６１…第１蛍光体
６２…第２蛍光体
７０…光反射性の被覆部材
７５…光反射性の被覆部材の母材
７７…白色顔料
１００…発光装置
１０１…小片基板
１５１…基体（個片化後）
Ｓ…貫通スリット
１ａ…第１凸部
２…第２配線
２ａ…第２凸部
３…アライメントマーク
１０…基板
１５…基体
２０…導電性接着部材
３０…発光素子
４０…導光部材
５０…透光性部材
５５…透光性部材の母材
６０…波長変換物質
６１…第１蛍光体
６２…第２蛍光体
７０…光反射性の被覆部材
７５…光反射性の被覆部材の母材
７７…白色顔料
１００…発光装置
１０１…小片基板
１５１…基体（個片化後）
Ｓ…貫通スリット
Claims (16)
- 発光装置用の基板の製造方法であって、
基体の上面に、配線用金属膜を形成して該配線用金属膜をエッチングすることにより第１配線部と第２配線部とを複数形成するとともにアライメントマークを形成する部分に基体の表面を露出させる開口部を形成する配線形成工程と、
前記第１配線部上の少なくとも一部と前記第２配線部上の少なくとも一部とを含む領域上に第１の金属膜を形成して前記第１の金属膜を所定の形状に形成された凸部形成用レジストを用いてエッチングすることにより、前記第１配線上に第１凸部と前記第２配線上に第２凸部とを形成する凸部形成工程と、
前記開口部により露出させた基体の表面及び前記開口部の周りの配線用金属膜上に第２の金属膜を形成し、該第２の金属膜上に、枠形状のアライメントマーク形成用レジストを、枠形状の内周が前記開口部の開口端より内側に位置し、枠形状の外周が前記開口部の開口端の外側に位置するように前記開口部の外周端に跨って形成して、前記第２の金属膜をエッチングすることにより、前記内周の内側に前記基体の表面を露出させたアライメントマークとアライメントマークを囲む金属枠とを形成するアライメントマーク形成工程と、
を含み、
前記凸部形成用レジストと前記アライメントマーク形成用レジストとを同一の露光工程により露光することを特徴とする基板の製造方法。 - 前記第１の金属膜と前記第２の金属膜とを同一の金属膜形成工程により形成することを特徴とする請求項１に記載の基板の製造方法。
- 前記第１配線部の少なくとも１つと前記第２配線部の少なくとも１つを含む単位実装領域が一方向に配列されるように、前記第１配線部と前記第２配線部とを形成する請求項１または２に記載の基板の製造方法。
- 前記アライメントマークを、前記一方向に配列された単位実装領域にそれぞれ対応するように前記一方向に形成する請求項３に記載の基板の製造方法。
- 前記単位実装領域を前記一方向に配置した列が前記一方向に直交する方向に複数並置されるように、前記第１配線部と前記第２配線部とを形成する請求項３又は４に記載の基板の製造方法。
- 前記列のうちの最も外側の列の外側及び前記列の間にそれぞれ貫通スリットを形成する工程を含む請求項５に記載の基板の製造方法。
- 前記第１配線部及び前記第２配線部をそれぞれ、前記貫通スリットの内面を経て基体の下面に延在するように形成する請求項６に記載の基板の製造方法。
- （１）発光装置用の基板の製造工程であって、
(i)基体の上面に、第１配線部と第２配線部とを複数形成する配線形成工程と、
(ii)前記第１配線部上の少なくとも一部と前記第２配線部上の少なくとも一部とを含む領域上に第１の金属膜を形成して前記第１の金属膜を所定の形状に形成された凸部形成用レジストを用いてエッチングすることにより、前記第１配線上に第１凸部と前記第２配線上に第２凸部とを形成する凸部形成工程と、
(iii)前記基体上に第２の金属膜を形成して前記第２の金属膜上にアライメントマーク形成用レジストを用いてエッチングすることにより、アライメントマークを形成するアライメントマーク形成工程と、
を含み、
前記第１配線部の少なくとも１つと前記第２配線部の少なくとも１つを含む単位実装領域が一方向に配列されるように、前記第１配線部と前記第２配線部とを形成し、
前記凸部形成用レジストと前記アライメントマーク形成用レジストとを同一の露光工程により露光する基板の製造工程と、
（２）前記各単位実装領域において、同一面側にｐ側電極とｎ側電極とを備えた発光素子を、前記ｐ側電極を前記第１凸部の上面に接合し、前記ｎ側電極を前記第２凸部に接合する発光素子実装工程と、
（３）透光性部材を前記発光素子上にそれぞれ接着する透光性部材接着工程と、
（４）前記透光性部材を前記アライメントマークの位置に基づいて、切断ブレードを位置決めし、前記透光性部材の側面を削って所定の形状に加工する透光性部材加工工程と、
（５）前記透光性部材加工工程後、前記アライメントマークの位置に基づいて切断ブレードを位置決めし、前記一方向に直交する方向に前記基板を切断し、少なくとも一つの前記発光素子を含む個々の発光装置に分離する分離工程と、
を含む発光装置の製造方法。 - 前記第１の金属膜と前記第２の金属膜とを同一の金属膜形成工程により形成することを特徴とする請求項８に記載の発光装置の製造方法。
- 前記アライメントマークは、前記基体を露出させて設けられた開口部である、請求項８または９に記載の発光装置の製造方法。
- 前記アライメントマークを、前記一方向に配列された単位実装領域にそれぞれ対応するように前記一方向に形成する請求項８〜１０のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記単位実装領域を前記一方向に配置した列が前記一方向に直交する方向に複数並置されるように、前記第１配線部と前記第２配線部とを形成する請求項８〜１１のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記列のうちの最も外側の列の外側及び前記列の間にそれぞれ貫通スリットを形成する工程を含む請求項１２に記載の発光装置の製造方法。
- 前記第１配線部及び前記第２配線部をそれぞれ、前記貫通スリットの内面を経て基体の下面に延在するように形成する請求項１３に記載の発光装置の製造方法。
- 前記発光素子の電極と前記第１凸部と第２凸部とを半田で接合する、請求項８〜１４のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記発光素子の間に、前記発光素子が埋設され前記アライメントマークが露出するように被覆部材を形成する被覆部材形成工程をさらに含む、請求項請求項８〜１５のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
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