KR102409005B1 - 봉지 광 반도체 소자의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
봉지 광 반도체 소자의 제조 방법은, 경질의 캐리어, 캐리어에 지지되고, 합성수지로 이루어지는 지지층, 및, 지지층에 지지되는 고정층을 구비하는 가고정 부재를 준비하는 공정 (1)과, 복수의 광 반도체 소자가 정렬 배치되는 소자 집합체를 고정층에 가고정하는 공정 (2)와, 공정 (2)의 뒤에, 봉지층에 의해 복수의 광 반도체 소자를 피복하여, 소자 집합체 및 봉지층을 구비하는 봉지 소자 집합체를 얻는 공정 (3)과, 공정 (3)의 뒤에, 봉지 광 반도체 소자를 개편화하도록, 봉지층을 절단하는 공정 (4)와, 공정 (4)의 뒤에, 봉지 소자 집합체를 고정층으로부터 박리하는 공정 (5)를 구비한다. 지지층에는, 얼라인먼트 마크가 마련되고, 공정 (2)에서, 얼라인먼트 마크를 기준으로 하여, 소자 집합체를 고정층에 가고정하고/하거나, 공정 (4)에서, 얼라인먼트 마크를 기준으로 하여, 봉지층을 절단한다.
Description
본 발명은, 봉지 광 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
종래, 복수의 LED를 형광체층 등의 피복층으로 피복하여 피복 LED를 제작하는 것이 알려져 있다.
예컨대, 경질의 지지판을 구비하는 지지 시트를 준비하고, 반도체 소자를 지지 시트의 상면에 배치하고, 봉지층으로 반도체 소자를 피복하고, 그 후, 봉지층을 반도체 소자에 대응하여 절단하는 방법이 제안되어 있다(예컨대, 일본 특허 공개 2014-168036호 공보 참조.).
일본 특허 공개 2014-168036호 공보에서는, 지지판에는, 기준 마크가 마련되어 있고, 이 기준 마크를 기준으로 하여 봉지층을 절단하고 있다.
그런데, 지지판을 재이용하고 싶은 경우가 있다. 그러나, 지지판에는 마크가 마련되어 있으므로, 그와 같은 지지판을 재이용할 수 없다고 하는 문제가 있다.
또한, 지지판은 경질이므로, 마크를 마련하는 것이 용이하지 않다고 하는 문제도 있다.
본 발명의 목적은, 캐리어를 재이용할 수 있고, 또한, 지지층에 얼라인먼트 마크를 용이하게 형성할 수 있는, 봉지 광 반도체 소자의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 제 1 측면은, 경질의 캐리어, 상기 캐리어에 지지되고, 합성수지로 이루어지는 지지층, 및, 상기 지지층에 지지되는 고정층을 구비하는 가고정(假固定) 부재를 준비하는 공정 (1)과, 복수의 광 반도체 소자가 정렬 배치되는 소자 집합체를 상기 고정층에 가고정하는 공정 (2)와, 상기 공정 (2)의 뒤에, 봉지층에 의해 복수의 상기 광 반도체 소자를 피복하여, 상기 소자 집합체 및 상기 봉지층을 구비하는 봉지 소자 집합체를 얻는 공정 (3)과, 상기 공정 (3)의 뒤에, 상기 봉지 광 반도체 소자를 개편화(個片化)하도록, 상기 봉지층을 절단하는 공정 (4)와, 상기 공정 (4)의 뒤에, 상기 봉지 소자 집합체를 상기 고정층으로부터 박리하는 공정 (5)를 구비하고, 상기 지지층에는, 얼라인먼트 마크가 마련되고, 상기 공정 (2)에서, 상기 얼라인먼트 마크를 기준으로 하여, 상기 소자 집합체를 상기 고정층에 가고정하는 것과, 상기 공정 (4)에서, 상기 얼라인먼트 마크를 기준으로 하여, 상기 봉지층을 절단하는 것 중 한쪽 또는 양쪽을 행하는 것을 특징으로 하는 봉지 광 반도체 소자의 제조 방법이다.
이 방법에 의하면, 경질의 캐리어가 아닌, 합성수지로 이루어지는 지지층에, 얼라인먼트 마크를 마련하므로, 캐리어를 지지층으로부터 분리하면, 캐리어를 재이용할 수 있다.
또한, 합성수지로 이루어지는 지지층에, 얼라인먼트 마크가 마련되므로, 얼라인먼트 마크를 지지층에 용이하게 형성할 수 있다.
본 발명의 제 2 측면은, 경질의 캐리어, 상기 캐리어에 지지되고, 합성수지로 이루어지는 지지층, 상기 지지층에 지지되는 고정층, 및, 상기 캐리어에 지지되는 마크층을 구비하는 가고정 부재를 준비하는 공정 (1)과, 복수의 광 반도체 소자가 정렬 배치되는 소자 집합체를 상기 고정층에 가고정하는 공정 (2)와, 상기 공정 (2)의 뒤에, 봉지층에 의해 복수의 상기 광 반도체 소자를 피복하여, 상기 소자 집합체 및 상기 봉지층을 구비하는 봉지 소자 집합체를 얻는 공정 (3)과, 상기 공정 (3)의 뒤에, 상기 봉지 광 반도체 소자를 개편화하도록, 상기 봉지층을 절단하는 공정 (4)와, 상기 공정 (4)의 뒤에, 상기 봉지 소자 집합체를 상기 고정층으로부터 박리하는 공정 (5)를 구비하고, 상기 마크층에는, 얼라인먼트 마크가 마련되고, 상기 공정 (2)에서, 상기 얼라인먼트 마크를 기준으로 하여, 상기 소자 집합체를 상기 고정층에 가고정하는 것과, 상기 공정 (4)에서, 상기 얼라인먼트 마크를 기준으로 하여, 상기 봉지층을 절단하는 것 중 한쪽 또는 양쪽을 행하는 것을 특징으로 하는 봉지 광 반도체 소자의 제조 방법이다.
이 방법에 의하면, 경질의 캐리어가 아닌, 마크층에, 얼라인먼트 마크를 마련하므로, 캐리어를 마크층으로부터 분리하면, 캐리어를 재이용할 수 있다.
또한, 얼라인먼트 마크를 마크층에 용이하게 형성할 수 있다.
본 발명의 제 3 측면은, 경질의 캐리어, 상기 캐리어에 지지되고, 합성수지로 이루어지는 지지층, 및, 상기 지지층에 지지되는 고정층을 구비하는 가고정 부재를 준비하는 공정 (1)과, 복수의 광 반도체 소자가 정렬 배치되는 소자 집합체를 상기 고정층에 가고정하는 공정 (2)와, 상기 공정 (2)의 뒤에, 봉지층에 의해 복수의 상기 광 반도체 소자를 피복하여, 상기 소자 집합체 및 상기 봉지층을 구비하는 봉지 소자 집합체를 얻는 공정 (3)과, 상기 공정 (3)의 뒤에, 상기 봉지 소자 집합체를 상기 고정층으로부터 박리하는 공정 (5)를 구비하고, 상기 지지층에는, 얼라인먼트 마크가 마련되고, 상기 공정 (2)에서는, 상기 얼라인먼트 마크를 기준으로 하여, 상기 소자 집합체를 상기 고정층에 가고정하는 것을 특징으로 하는 봉지 광 반도체 소자의 제조 방법이다.
이 방법에 의하면, 경질의 캐리어가 아닌, 합성수지로 이루어지는 지지층에, 얼라인먼트 마크를 마련하므로, 캐리어를 지지층으로부터 분리하면, 캐리어를 재이용할 수 있다.
또한, 합성수지로 이루어지는 지지층에, 얼라인먼트 마크가 마련되므로, 얼라인먼트 마크를 지지층에 용이하게 형성할 수 있다.
본 발명의 제 4 측면은, 경질의 캐리어, 상기 캐리어에 지지되고, 합성수지로 이루어지는 지지층, 상기 지지층에 지지되는 고정층, 및, 상기 캐리어에 지지되는 마크층을 구비하는 가고정 부재를 준비하는 공정 (1)과, 복수의 광 반도체 소자가 정렬 배치되는 소자 집합체를 상기 고정층에 가고정하는 공정 (2)와, 상기 공정 (2)의 뒤에, 봉지층에 의해 복수의 상기 광 반도체 소자를 피복하여, 상기 소자 집합체 및 상기 봉지층을 구비하는 봉지 소자 집합체를 얻는 공정 (3)과, 상기 공정 (3)의 뒤에, 상기 봉지 소자 집합체를 상기 고정층으로부터 박리하는 공정 (5)를 구비하고, 상기 마크층에는, 얼라인먼트 마크가 마련되고, 상기 공정 (2)에서는, 상기 얼라인먼트 마크를 기준으로 하여, 상기 소자 집합체를 상기 고정층에 가고정하는 것을 특징으로 하는 봉지 광 반도체 소자의 제조 방법이다.
이 방법에 의하면, 경질의 캐리어가 아닌, 마크층에, 얼라인먼트 마크를 마련하므로, 캐리어를 마크층으로부터 분리하면, 캐리어를 재이용할 수 있다.
또한, 얼라인먼트 마크를 마크층에 용이하게 형성할 수 있다.
본 발명의 제 5 측면은, 상기 가고정 부재는, 제 1 감압 접착층을 더 구비하고, 상기 가고정 부재는, 상기 캐리어, 상기 제 1 감압 접착층, 상기 지지층 및 상기 고정층을 이 순서로 구비하는 것을 특징으로 하는 제 1 측면 내지 제 4 측면 중 어느 하나의 봉지 광 반도체 소자의 제조 방법을 포함한다.
이 방법에 의하면, 캐리어에 의해 제 1 감압 접착층을 사이에 두고 확실하고 간편하게 지지층을 지지할 수 있다.
본 발명의 제 6 측면은, 상기 소자 집합체는, 복수의 상기 광 반도체 소자와, 복수의 상기 광 반도체 소자를 가고정하는 제 2 감압 접착층을 구비하고, 상기 공정 (5)에서는, 상기 제 2 감압 접착층을 상기 캐리어로부터 박리하는 것을 특징으로 하는 제 1 측면 내지 제 4 측면 중 어느 하나의 봉지 광 반도체 소자의 제조 방법을 포함한다.
이 방법에 의하면, 캐리어에 의해 확실하고 간편하게 지지층을 지지할 수 있다.
본 발명의 방법에 의하면, 캐리어를 재이용할 수 있다.
도 1(a)~도 1(e)는 본 발명의 봉지 광 반도체 소자의 제조 방법의 제 1 실시 형태의 공정도이고,
도 1(a)는 캐리어를 소자 집합체 가고정 시트의 아래에 마련하는 공정,
도 1(b)는 복수의 광 반도체 소자를 소자 집합체 가고정 시트에 가고정하는 공정,
도 1(c)는 봉지층에 의해 복수의 광 반도체 소자를 봉지하는 공정,
도 1(d)는 봉지층을 절단하여, 봉지 광 반도체 소자를 소자 집합체 가고정 시트로부터 박리하는 공정,
도 1(e)는 봉지 광 반도체 소자를 기판에 플립칩 실장하는 공정
을 나타낸다.
도 2는 제 1 실시 형태에 이용되는 소자 집합체 가고정 시트의 평면도를 나타낸다.
도 3은 도 2에 나타내는 소자 집합체 가고정 시트의 A-A선을 따르는 단면도를 나타낸다.
도 4(a)~도 4(c)는 포토리소그래피를 이용하여 얼라인먼트 마크를 마련하는 방법의 공정도이고,
도 4(a)는 지지층 및 감광층을 구비하는 감광층 구비 지지층을 준비하는 공정,
도 4(b)는 감광층을 노광하는 공정,
도 4(c)는 감광층을 현상하는 공정
을 나타낸다.
도 5(a)~도 5(e)는 제 1 실시 형태의 소자 집합체 가고정 시트의 제조 방법의 변형예이고,
도 5(a)는 캐리어를 소자 집합체 가고정 시트의 아래에 마련하는 공정,
도 5(b)는 복수의 광 반도체 소자를 소자 집합체 가고정 시트에 가고정하는 공정,
도 5(c)는 봉지층에 의해 복수의 광 반도체 소자를 봉지하는 공정,
도 5(d)는 봉지층을 절단하여, 봉지 광 반도체 소자를 소자 집합체 가고정 시트로부터 박리하는 공정,
도 5(e)는 봉지 광 반도체 소자를 기판에 플립칩 실장하는 공정
을 나타낸다.
도 6(a) 및 도 6(b)는 제 1 실시 형태의 봉지 광 반도체 소자의 제조 방법의 변형예이고,
도 6(a)는 봉지층을 절단하는 일 없이, 소자 집합체 가고정 시트로부터 박리하는 공정,
도 6(b)는 봉지 소자 집합체를 기판에 플립칩 실장하는 공정
을 나타낸다.
도 7(a)~도 7(c)는 본 발명의 봉지 광 반도체 소자의 제조 방법의 제 2 실시 형태의 공정도이고,
도 7(a)는 마크층 및 캐리어를 소자 집합체 가고정 시트의 아래에 마련하여, 가고정 부재를 준비하는 공정,
도 7(b)는 복수의 광 반도체 소자를 소자 집합체 가고정 시트에 가고정하는 공정,
도 7(c)는 봉지층에 의해 복수의 광 반도체 소자를 봉지하는 공정
을 나타낸다.
도 8(d) 및 도 8(e)는 도 7(c)에 계속하여, 본 발명의 봉지 광 반도체 소자의 제조 방법의 제 2 실시 형태의 공정도이고,
도 8(d)는 봉지층을 절단하여, 봉지 광 반도체 소자를 소자 집합체 가고정 시트로부터 박리하는 공정,
도 8(e)는 봉지 광 반도체 소자를 기판에 플립칩 실장하는 공정
을 나타낸다.
도 9는 제 2 실시 형태에 이용되는 소자 집합체 가고정 시트의 평면도를 나타낸다.
도 10은 도 7(a)에 나타내는 마크층 및 제 3 박리층을 구비하는 적층체의 단면도를 나타낸다.
도 11은 도 10에 나타내는 적층체의 변형예의 단면도를 나타낸다.
도 12(a)~도 12(f)는 본 발명의 봉지 광 반도체 소자의 제조 방법의 제 3 실시 형태의 공정도이고,
도 12(a)는 캐리어를 소자 집합체 가고정 시트의 위에 마련함과 아울러, 제 2 감압 접착층을 캐리어의 위에 마련하여, 소자 집합체 가고정 시트를 준비하는 공정,
도 12(b)는 복수의 광 반도체 소자를 제 2 감압 접착층에 가고정하는 공정,
도 12(c)는 봉지층에 의해 복수의 광 반도체 소자를 봉지하는 공정,
도 12(d)는 봉지층을 절단하는 공정,
도 12(e)는 봉지 광 반도체 소자를 제 2 감압 접착층으로부터 박리하는 공정,
도 12(f)는 봉지 광 반도체 소자를 기판에 플립칩 실장하는 공정
을 나타낸다.
도 13은 제 3 실시 형태에 이용되는 소자 집합체 가고정 시트의 단면도를 나타낸다.
도 14(a)~도 14(f)는 제 3 실시 형태의 봉지 광 반도체 소자의 제조 방법의 변형예이고,
도 14(a)는 캐리어를 소자 집합체 가고정 시트의 위에 마련함과 아울러, 제 2 감압 접착층을 캐리어의 위에 마련하여, 소자 집합체 가고정 시트를 준비하는 공정,
도 14(b)는 복수의 광 반도체 소자를 제 2 감압 접착층에 가고정하는 공정,
도 14(c)는 봉지층에 의해 복수의 광 반도체 소자를 봉지하는 공정,
도 14(d)는 봉지층을 절단하는 공정,
도 14(e)는 봉지 광 반도체 소자를 제 2 감압 접착층으로부터 박리하는 공정,
도 14(f)는 봉지 광 반도체 소자를 기판에 플립칩 실장하는 공정
을 나타낸다.
도 15(a)~도 15(c)는 제 3 실시 형태의 봉지 광 반도체 소자의 제조 방법의 변형예의 공정도이고,
도 15(a)는 봉지층을 절단하는 일 없이, 제 2 감압 접착층을 소자 집합체 가고정 시트로부터 박리하는 공정,
도 15(b)는 광 반도체 소자 및 봉지층을, 제 2 감압 접착층으로부터 박리하는 공정,
도 15(c)는 광 반도체 소자를 기판에 플립칩 실장하는 공정
을 나타낸다.
도 1(a)는 캐리어를 소자 집합체 가고정 시트의 아래에 마련하는 공정,
도 1(b)는 복수의 광 반도체 소자를 소자 집합체 가고정 시트에 가고정하는 공정,
도 1(c)는 봉지층에 의해 복수의 광 반도체 소자를 봉지하는 공정,
도 1(d)는 봉지층을 절단하여, 봉지 광 반도체 소자를 소자 집합체 가고정 시트로부터 박리하는 공정,
도 1(e)는 봉지 광 반도체 소자를 기판에 플립칩 실장하는 공정
을 나타낸다.
도 2는 제 1 실시 형태에 이용되는 소자 집합체 가고정 시트의 평면도를 나타낸다.
도 3은 도 2에 나타내는 소자 집합체 가고정 시트의 A-A선을 따르는 단면도를 나타낸다.
도 4(a)~도 4(c)는 포토리소그래피를 이용하여 얼라인먼트 마크를 마련하는 방법의 공정도이고,
도 4(a)는 지지층 및 감광층을 구비하는 감광층 구비 지지층을 준비하는 공정,
도 4(b)는 감광층을 노광하는 공정,
도 4(c)는 감광층을 현상하는 공정
을 나타낸다.
도 5(a)~도 5(e)는 제 1 실시 형태의 소자 집합체 가고정 시트의 제조 방법의 변형예이고,
도 5(a)는 캐리어를 소자 집합체 가고정 시트의 아래에 마련하는 공정,
도 5(b)는 복수의 광 반도체 소자를 소자 집합체 가고정 시트에 가고정하는 공정,
도 5(c)는 봉지층에 의해 복수의 광 반도체 소자를 봉지하는 공정,
도 5(d)는 봉지층을 절단하여, 봉지 광 반도체 소자를 소자 집합체 가고정 시트로부터 박리하는 공정,
도 5(e)는 봉지 광 반도체 소자를 기판에 플립칩 실장하는 공정
을 나타낸다.
도 6(a) 및 도 6(b)는 제 1 실시 형태의 봉지 광 반도체 소자의 제조 방법의 변형예이고,
도 6(a)는 봉지층을 절단하는 일 없이, 소자 집합체 가고정 시트로부터 박리하는 공정,
도 6(b)는 봉지 소자 집합체를 기판에 플립칩 실장하는 공정
을 나타낸다.
도 7(a)~도 7(c)는 본 발명의 봉지 광 반도체 소자의 제조 방법의 제 2 실시 형태의 공정도이고,
도 7(a)는 마크층 및 캐리어를 소자 집합체 가고정 시트의 아래에 마련하여, 가고정 부재를 준비하는 공정,
도 7(b)는 복수의 광 반도체 소자를 소자 집합체 가고정 시트에 가고정하는 공정,
도 7(c)는 봉지층에 의해 복수의 광 반도체 소자를 봉지하는 공정
을 나타낸다.
도 8(d) 및 도 8(e)는 도 7(c)에 계속하여, 본 발명의 봉지 광 반도체 소자의 제조 방법의 제 2 실시 형태의 공정도이고,
도 8(d)는 봉지층을 절단하여, 봉지 광 반도체 소자를 소자 집합체 가고정 시트로부터 박리하는 공정,
도 8(e)는 봉지 광 반도체 소자를 기판에 플립칩 실장하는 공정
을 나타낸다.
도 9는 제 2 실시 형태에 이용되는 소자 집합체 가고정 시트의 평면도를 나타낸다.
도 10은 도 7(a)에 나타내는 마크층 및 제 3 박리층을 구비하는 적층체의 단면도를 나타낸다.
도 11은 도 10에 나타내는 적층체의 변형예의 단면도를 나타낸다.
도 12(a)~도 12(f)는 본 발명의 봉지 광 반도체 소자의 제조 방법의 제 3 실시 형태의 공정도이고,
도 12(a)는 캐리어를 소자 집합체 가고정 시트의 위에 마련함과 아울러, 제 2 감압 접착층을 캐리어의 위에 마련하여, 소자 집합체 가고정 시트를 준비하는 공정,
도 12(b)는 복수의 광 반도체 소자를 제 2 감압 접착층에 가고정하는 공정,
도 12(c)는 봉지층에 의해 복수의 광 반도체 소자를 봉지하는 공정,
도 12(d)는 봉지층을 절단하는 공정,
도 12(e)는 봉지 광 반도체 소자를 제 2 감압 접착층으로부터 박리하는 공정,
도 12(f)는 봉지 광 반도체 소자를 기판에 플립칩 실장하는 공정
을 나타낸다.
도 13은 제 3 실시 형태에 이용되는 소자 집합체 가고정 시트의 단면도를 나타낸다.
도 14(a)~도 14(f)는 제 3 실시 형태의 봉지 광 반도체 소자의 제조 방법의 변형예이고,
도 14(a)는 캐리어를 소자 집합체 가고정 시트의 위에 마련함과 아울러, 제 2 감압 접착층을 캐리어의 위에 마련하여, 소자 집합체 가고정 시트를 준비하는 공정,
도 14(b)는 복수의 광 반도체 소자를 제 2 감압 접착층에 가고정하는 공정,
도 14(c)는 봉지층에 의해 복수의 광 반도체 소자를 봉지하는 공정,
도 14(d)는 봉지층을 절단하는 공정,
도 14(e)는 봉지 광 반도체 소자를 제 2 감압 접착층으로부터 박리하는 공정,
도 14(f)는 봉지 광 반도체 소자를 기판에 플립칩 실장하는 공정
을 나타낸다.
도 15(a)~도 15(c)는 제 3 실시 형태의 봉지 광 반도체 소자의 제조 방법의 변형예의 공정도이고,
도 15(a)는 봉지층을 절단하는 일 없이, 제 2 감압 접착층을 소자 집합체 가고정 시트로부터 박리하는 공정,
도 15(b)는 광 반도체 소자 및 봉지층을, 제 2 감압 접착층으로부터 박리하는 공정,
도 15(c)는 광 반도체 소자를 기판에 플립칩 실장하는 공정
을 나타낸다.
도 1에 있어서, 지면 상하 방향은, 상하 방향(제 1 방향, 두께 방향)이고, 지면 위쪽이 위쪽(제 1 방향 한쪽, 두께 방향 한쪽), 지면 아래쪽이 아래쪽(제 1 방향 다른 쪽, 두께 방향 다른 쪽)이다. 도 1에 있어서, 지면 좌우 방향은, 좌우 방향(제 1 방향에 직교하는 제 2 방향, 폭 방향)이고, 지면 우측이 우측(제 2 방향 한쪽, 폭 방향 한쪽), 지면 좌측이 좌측(제 2 방향 다른 쪽, 폭 방향 다른 쪽)이다. 도 1에 있어서, 종이 두께 방향은, 전후 방향(제 1 방향 및 제 2 방향에 직교하는 제 3 방향)이고, 지면 앞쪽이 앞쪽(제 3 방향 한쪽), 지면 안쪽이 뒤쪽(제 3 방향 다른 쪽)이다. 구체적으로는, 각 도면의 방향 화살표에 준거한다.
1. 제 1 실시 형태
본 발명의 봉지 광 반도체 소자의 제조 방법의 제 1 실시 형태는, 캐리어(10), 제 1 감압 접착층(4), 지지층(2) 및 고정층의 일례로서의 소자 집합체 고정층(3)을 이 순서로 구비하는 가고정 부재(30)를 준비하는 공정 (1)(도 1(a) 참조)과, 복수의 광 반도체 소자(11)가 정렬 배치되는 소자 집합체(16)를 소자 집합체 고정층(3)에 가고정하는 공정 (2)(도 1(b) 참조)와, 공정 (2)의 뒤에, 봉지층(12)에 의해 복수의 광 반도체 소자(11)를 피복하여, 소자 집합체(16) 및 봉지층(12)을 구비하는 봉지 소자 집합체(19)를 얻는 공정 (3)(도 1(c) 참조)과, 공정 (3)의 뒤에, 봉지 광 반도체 소자(13)를 개편화하도록, 봉지층(12)을 절단하는 공정 (4)(도 1(d) 참조)와, 공정 (4)의 뒤에, 봉지 소자 집합체(19)를 소자 집합체 고정층(3)으로부터 박리하는 공정 (5)(도 1(d) 참조)를 구비한다. 이하, 각 공정을 설명한다.
1-1. 공정 (1)
도 1(a)에 나타내는 바와 같이, 공정 (1)에서는, 가고정 부재(30)를 준비한다.
가고정 부재(30)는, 소자 집합체 가고정 시트(1)와, 소자 집합체 가고정 시트(1)의 아래에 마련되는 캐리어(10)를 구비한다.
1-1. (1) 소자 집합체 가고정 시트
도 2 및 도 3에 나타내는 바와 같이, 소자 집합체 가고정 시트(1)는, 평판 형상을 갖고, 구체적으로는, 소정의 두께를 갖고, 두께 방향과 직교하는 면 방향(좌우 방향 및 전후 방향)으로 연장되고, 평탄한 표면 및 평탄한 이면을 갖고 있다. 또, 소자 집합체 가고정 시트(1)에서는, 전후 방향 길이가, 좌우 방향 길이(폭)에 비하여, 긴 평판 형상을 갖고 있다. 혹은, 소자 집합체 가고정 시트(1)는, 전후 방향으로 긴 가늘고 긴 형상을 갖고 있다.
또한, 소자 집합체 가고정 시트(1)는, 도 1(a)에 나타내는 바와 같이, 가고정 부재(30)에 있어서의 상부에 위치하고 있다. 소자 집합체 가고정 시트(1)는, 가고정 부재(30)의 상면을 형성하고 있다.
소자 집합체 가고정 시트(1)는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 소자 집합체 고정층(3)과, 지지층(2)과, 제 1 감압 접착층(4)을 이 순서로 구비한다. 구체적으로는, 소자 집합체 가고정 시트(1)는, 지지층(2)과, 지지층(2)의 위에 마련되는 소자 집합체 고정층(3)과, 지지층(2)의 아래에 마련되는 제 1 감압 접착층(4)을 구비한다. 또한, 이 소자 집합체 가고정 시트(1)에서는, 소자 집합체 고정층(3)은, 얼라인먼트 마크(7)를 구비한다. 이하, 각 부재에 대하여 설명한다.
1-1. (1) A. 지지층
지지층(2)은, 소자 집합체 가고정 시트(1)의 두께 방향 중앙에 위치한다. 다시 말해, 지지층(2)은, 소자 집합체 고정층(3) 및 제 1 감압 접착층(4)의 사이에 개재되어 있다. 소자 집합체 가고정 시트(1)는, 평판 형상을 갖고, 구체적으로는, 소정의 두께를 갖고, 좌우 방향 및 전후 방향으로 연장되고, 평탄한 표면 및 평탄한 이면을 갖고 있다. 또한, 지지층(2)은, 가요성을 갖는다. 지지층(2)은, 소자 집합체 고정층(3) 및 제 1 감압 접착층(4)을 지지하고 있다.
지지층(2)은, 합성수지로 이루어진다. 합성수지로서는, 예컨대, 폴리에틸렌(예컨대, 저밀도 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 선형 저밀도 폴리에틸렌 등), 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 에틸렌-C4 이상의 α-올레핀 공중합체 등의 올레핀 집합체, 예컨대, 에틸렌-에틸 아크릴레이트 공중합체, 에틸렌-메틸 메타크릴레이트 공중합체, 에틸렌-n-부틸 아크릴레이트 공중합체 등의 에틸렌-(메타)아크릴레이트 공중합체, 예컨대, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트 등의 폴리에스터, 예컨대, 폴리카보네이트, 예컨대, 폴리우레탄, 예컨대, 폴리이미드 등의 폴리머를 들 수 있다. 공중합체는, 랜덤 코폴리머 및 블록 코폴리머의 어느 것이더라도 좋다. 합성수지는, 단독 사용 또는 2종 이상 병용되고 있더라도 좋다. 또한, 지지층(2)은, 상기한 합성수지의 다공질이더라도 좋다.
지지층(2)은, 바람직하게는, PET, 폴리카보네이트로 이루어진다.
또한, 지지층(2)은, 단층 또는 복수 층으로 이루어져 있더라도 좋다.
또한, 상기한 합성수지는, 예컨대, 투명하다. 다시 말해, 지지층(2)은, 투명하다. 구체적으로는, 지지층(2)의 전광선 투과율은, 예컨대, 80% 이상, 바람직하게는, 90% 이상, 보다 바람직하게는, 95% 이상이고, 또한, 예컨대, 99.9% 이하이다.
지지층(2)의 선팽창 계수는, 예컨대, 500×10-6K-1 이하, 바람직하게는, 300×10-6K-1 이하이고, 또한, 예컨대, 2×10-6K-1 이상, 바람직하게는, 10×10-6K-1 이상이다. 지지층(2)의 수축도가 상기한 상한 이하이면, 얼라인먼트 마크(7)를 기준으로 한 광 반도체 소자(11)의 배열, 및/또는, 봉지층(12)의 절단을 달성할 수 있다. 지지층(2)의 선팽창 계수는, 선팽창 계수 측정 장치(TMA)에 의해 측정된다. 이하의 각 부재의 선팽창 계수에 대해서도 마찬가지의 방법에 의해 측정된다.
지지층(2)의 25℃에 있어서의 인장 탄성률 E는, 예컨대, 200㎫ 이하, 바람직하게는, 100㎫ 이하, 보다 바람직하게는, 80㎫ 이하이고, 또한, 예컨대, 50㎫ 이상이다. 지지층(2)의 25℃에 있어서의 인장 탄성률 E가 상기한 상한 이하이면, 가요성을 확보할 수 있고, 얼라인먼트 마크(7)를 용이하게 마련할 수 있다.
지지층(2)의 두께는, 예컨대, 10㎛ 이상, 바람직하게는, 30㎛ 이상이고, 또한, 예컨대, 350㎛ 이하, 바람직하게는, 100㎛ 이하이다.
1-1. (1) B. 소자 집합체 고정층
소자 집합체 고정층(3)은, 소자 집합체 가고정 시트(1)의 상단부에 위치한다. 소자 집합체 고정층(3)은, 지지층(2)의 상면에 배치되어 있다. 다시 말해, 소자 집합체 고정층(3)은, 소자 집합체 가고정 시트(1)의 상면을 형성하고 있다. 소자 집합체 고정층(3)은, 지지층(2)에 지지되어 있다. 소자 집합체 고정층(3)은, 평판 형상을 갖고, 구체적으로는, 소정의 두께를 갖고, 좌우 방향 및 전후 방향으로 연장되고, 평탄한 표면 및 평탄한 이면(후술하는 얼라인먼트 마크(7)에 대응하는 부분을 제외한다)을 갖고 있다.
소자 집합체 고정층(3)은, 복수의 광 반도체 소자(11)가 정렬 배치되는 소자 집합체(16)(후술. 도 1(b) 및 도 2 참조)를 가고정하도록 구성되어 있다.
또한, 소자 집합체 고정층(3)은, 감압 접착성(점착성)을 갖는다.
소자 집합체 고정층(3)은, 감압 접착제로 이루어진다. 감압 접착제로서는, 예컨대, 아크릴계 감압 접착제, 고무계 감압 접착제, SIS(스틸렌-이소프렌-스틸렌ㆍ블록 공중합체)계 감압 접착제, 실리콘계 감압 접착제, 비닐알킬에터계 감압 접착제, 폴리비닐알코올계 감압 접착제, 폴리비닐피롤리돈계 감압 접착제, 폴리아크릴아미드계 감압 접착제, 셀룰로오스계 감압 접착제, 우레탄계 감압 접착제, 폴리에스터계 감압 접착제, 폴리아미드계 감압 접착제, 에폭시계 감압 접착제 등을 들 수 있다. 바람직하게는, 실리콘계 감압 접착제를 들 수 있다.
또한, 소자 집합체 고정층(3)은, 투명하다. 소자 집합체 고정층(3)의 전광선 투과율은, 예컨대, 80% 이상, 바람직하게는, 90% 이상, 보다 바람직하게는, 95% 이상이고, 또한, 예컨대, 99.9% 이하이다.
소자 집합체 고정층(3)의 선팽창 계수는, 예컨대, 500×10-6K-1 이하, 바람직하게는, 300×10-6K-1 이하이고, 또한, 예컨대, 2×10-6K-1 이상, 바람직하게는, 10×10-6K-1 이상이다.
소자 집합체 고정층(3)을 규소판에 대하여 감압 접착하고, 25℃에 있어서, 소자 집합체 고정층(3)을 규소판으로부터 180도로 박리했을 때의 박리력은, 예컨대, 0.1N/㎜ 이상, 바람직하게는, 0.3N/㎜ 이상이고, 또한, 예컨대, 1N/㎜ 이하이다. 소자 집합체 고정층(3)의 박리력이 상기한 하한 이상이면, 복수의 광 반도체 소자(11)를 확실히 가고정할 수 있다.
소자 집합체 고정층(3)의 두께는, 예컨대, 5㎛ 이상, 바람직하게는, 10㎛ 이상이고, 또한, 예컨대, 120㎛ 미만, 바람직하게는, 100㎛ 미만, 보다 바람직하게는, 80㎛ 이하, 더 바람직하게는, 60㎛ 이하이다. 소자 집합체 고정층(3)의 두께가 상기한 하한을 상회하는 경우에는, 소자 집합체 가고정 시트(1)의 상면에 감압 접착성을 확실히 부여할 수 있다. 그 때문에, 소자 집합체 가고정 시트(1)를 간편하게 제조할 수 있다. 소자 집합체 고정층(3)의 두께가 상기한 상한을 하회하는 경우에는, 소자 집합체 고정층(3)의 취급성을 향상시킬 수 있다.
1-1. (1) C. 제 1 감압 접착층
제 1 감압 접착층(4)은, 소자 집합체 가고정 시트(1)의 하단부에 위치한다. 또한, 제 1 감압 접착층(4)은, 지지층(2)의 하면에 배치되어 있다. 다시 말해, 제 1 감압 접착층(4)은, 소자 집합체 가고정 시트(1)의 하면을 형성하고 있다. 제 1 감압 접착층(4)은, 지지층(2)에 지지되어 있다. 또한, 제 1 감압 접착층(4)은, 두께 방향으로, 소자 집합체 고정층(3)과 함께 지지층(2)을 사이에 두고 있다. 제 1 감압 접착층(4)은, 평판 형상을 갖고, 구체적으로는, 소정의 두께를 갖고, 좌우 방향 및 전후 방향으로 연장되고, 평탄한 표면 및 평탄한 이면을 갖고 있다.
제 1 감압 접착층(4)은, 감압 접착성(점착성)을 갖는다.
제 1 감압 접착층(4)은, 소자 집합체 고정층(3)과 동일한 감압 접착제로 이루어진다.
제 1 감압 접착층(4)은, 투명하다. 제 1 감압 접착층(4)의 전광선 투과율은, 예컨대, 80% 이상, 바람직하게는, 90% 이상, 보다 바람직하게는, 95% 이상이고, 또한, 예컨대, 99.9% 이하이다.
제 1 감압 접착층(4)의 선팽창 계수는, 예컨대, 500×10-6K-1 이하, 바람직하게는, 300×10-6K-1 이하이고, 또한, 예컨대, 2×10-6K-1 이상, 바람직하게는, 10×10-6K-1 이상이다.
제 1 감압 접착층(4)의 두께는, 예컨대, 5㎛ 이상, 바람직하게는, 10㎛ 이상이고, 또한, 예컨대, 100㎛ 미만, 바람직하게는, 80㎛ 이하, 보다 바람직하게는, 60㎛ 이하이다.
1-1. (1) D. 얼라인먼트 마크
도 3에 나타내는 바와 같이, 얼라인먼트 마크(7)는, 지지층(2)의 상면에 구비되어 있다.
도 2 및 도 3에 나타내는 바와 같이, 구체적으로는, 얼라인먼트 마크(7)는, 지지층(2)의 상면에 있어서의 우단부에 복수 마련되어 있다. 자세하게는, 얼라인먼트 마크(7)는, 후술하는 소자 집합체(16)가 마련되는 소자 집합체 형성 영역(17)의 우측(폭 방향 한쪽의 일례)에 구획되는 마크 형성 영역(18)에 마련되어 있다. 마크 형성 영역(18)은, 소자 집합체 가고정 시트(1)의 우단부에 있어서, 전후 방향을 따라 배치되어 있다.
얼라인먼트 마크(7)는, 소자 집합체(16)를 소자 집합체 고정층(3)에 가고정하기 위한, 또한, 소자 집합체(16)를 봉지하는 봉지층(12)을 절단하기 위한, 기준 마크이다. 구체적으로는, 얼라인먼트 마크(7)는, 배열 마크(8) 및 절단 마크(9)를 구비한다. 배열 마크(8) 및 절단 마크(9)는, 좌우 방향으로 일렬로 늘어서는 복수의 광 반도체 소자(11)(후술)에 대응하여, 1개씩 배치되고, 그것들은, 좌우 방향으로 서로 간격을 두고 정렬 배치되어 있다.
배열 마크(8)는, 얼라인먼트 마크(7)에 있어서의 좌측에 위치하는 마크로서, 전후 방향으로 서로 간격을 두고 복수 배치되어 있다. 복수의 배열 마크(8)의 각각은, 예컨대, 대략 원 형상을 갖고 있다.
절단 마크(9)는, 얼라인먼트 마크(7)에 있어서의 우측에 위치하는 마크로서, 전후 방향으로 서로 간격을 두고 복수 배치되어 있다. 구체적으로는, 복수의 절단 마크(9)의 각각은, 좌우 방향으로 투영했을 때에, 복수의 배열 마크(8)의 각각과 중복되지 않도록, 배치되어 있다. 다시 말해, 복수의 배열 마크(8)와 복수의 절단 마크(9)는, 지그재그 형상으로 배치되고, 다시 말해, 좌우 방향으로 투영했을 때에, 전후 방향에 있어서 교대로 배치되어 있다. 복수의 절단 마크(9)의 각각은, 복수의 배열 마크(8)의 각각에 대하여 우측 대각선 앞쪽으로 간격을 두고 배치되어 있다. 복수의 절단 마크(9)의 각각은, 예컨대, 좌우 방향으로 연장되는 대략 봉(직선) 형상을 갖고 있다.
얼라인먼트 마크(7)는, 불투명하다.
그 때문에, 얼라인먼트 마크(7)는, 불투명(후술)한 재료로 이루어진다. 그와 같은 재료로서, 예컨대, 은(금속 은) 등의 금속 재료, 카본블랙 등의 탄소 재료 등을 들 수 있다.
금속 재료로서, 바람직하게는, 은을 들 수 있다. 은이면, 얼라인먼트 마크(7)의 시인성(視認性)을 보다 한층 향상시킬 수 있다.
또한, 탄소 재료로서, 바람직하게는, 카본블랙을 들 수 있다. 카본블랙이면, 얼라인먼트 마크(7)의 시인성을 보다 한층 향상시킬 수 있다.
얼라인먼트 마크(7)의 치수는 적당히 설정되어 있다. 배열 마크(8)의 직경(최대 길이)은, 예컨대, 0.05㎜ 이상, 바람직하게는, 0.1㎜ 이상이고, 또한, 예컨대, 1㎜ 이하, 바람직하게는, 0.5㎜ 이하이다. 인접하는 배열 마크(8)의 중심 사이의 거리(즉, 피치)는, 예컨대, 0.05㎜ 이상, 바람직하게는, 0.1㎜ 이상이고, 예컨대, 1.0㎜ 이하, 바람직하게는, 0.8㎜ 이하이다.
절단 마크(9)의 좌우 방향 길이는, 예컨대, 0.05㎜ 이상, 바람직하게는, 0.1㎜ 이상이고, 또한, 예컨대, 1㎜ 이하, 바람직하게는, 0.5㎜ 이하이다. 절단 마크(9)의 폭(전후 방향 길이)은, 예컨대, 0.05㎜ 이상, 바람직하게는, 0.1㎜ 이상이고, 또한, 예컨대, 1㎜ 이하, 바람직하게는, 0.25㎜ 이하이다. 전후 방향으로 투영했을 때에, 좌우 방향으로 인접하는 배열 마크(8) 및 절단 마크(9)의 간격은, 예컨대, 0.1㎜ 이상, 바람직하게는, 0.2㎜ 이상이고, 또한, 예컨대, 1㎜ 이하, 바람직하게는, 0.8㎜ 이하이다. 절단 마크(9)의 중심 사이의 피치는, 예컨대, 0.05㎜ 이상, 바람직하게는, 0.1㎜ 이상이고, 또한, 예컨대, 1.0㎜ 이하, 바람직하게는, 0.8㎜ 이하이다.
얼라인먼트 마크(7)의 두께는, 예컨대, 0.5㎛ 이상, 바람직하게는, 1㎛ 이상이고, 또한, 예컨대, 10㎛ 이하, 바람직하게는, 5㎛ 이하이다.
얼라인먼트 마크(7)의 전광선 투과율은, 예컨대, 40% 이하, 바람직하게는, 20% 이하, 보다 바람직하게는, 10% 이하이고, 또한, 예컨대, 0.1% 이상이다.
1-1. (2) 소자 집합체 가고정 시트의 제조 방법
다음으로, 소자 집합체 가고정 시트(1)의 제조 방법을 설명한다.
이 방법에서는, 도 3이 참조되는 바와 같이, 우선, 지지층(2)을 준비하고, 계속하여, 얼라인먼트 마크(7)를 마련한다.
얼라인먼트 마크(7)를 마련하는 방법은, 특별히 한정되지 않고, 예컨대, 포토리소그래피를 이용하는 방법, 감열 전사(예컨대, 일본 특허 공개 2000-135871호 공보 참조), 스탬프, 철판(凸版) 인쇄, 요판(凹版) 인쇄, 공판(孔版) 인쇄(스크린 인쇄), 잉크젯 인쇄(예컨대, 일본 특허 공개 2014-10823호 공보 참조) 등을 들 수 있다. 얼라인먼트 마크(7)를 정밀하게 배치하는 관점으로부터, 바람직하게는, 포토리소그래피를 이용하는 방법, 스크린 인쇄를 들 수 있고, 보다 바람직하게는, 포토리소그래피를 이용하는 방법을 들 수 있다.
포토리소그래피를 이용하는 방법에서는, 구체적으로는, 도 4(a)~도 4(c)에 나타내는 바와 같이, 감광층(21)이 마련된 지지층(2)을 준비하는 공정 (a)(도 4(a) 참조), 및, 포토리소그래피에 의해, 감광층(21)으로부터 얼라인먼트 마크(7)를 현상 패턴(23)으로서 형성하는 공정 (b)(도 4(b) 및 도 4(c) 참조)가 순차적으로 실시된다.
공정 (a)에서는, 도 4(a)에 나타내는 바와 같이, 지지층(2)과, 그 상면에 마련된 감광층(21)을 구비하는 감광층 구비 지지층(22)을 준비한다.
감광층(21)은, 지지층(2)의 상면 전면에 마련되어 있다. 감광층(21)은, 포토리소그래피에 의해 현상 패턴(23)을 형성할 수 있는 감광 재료로 이루어진다. 감광 재료로서는, 예컨대, 은염 유제를 들 수 있다. 은염 유제는, 예컨대, 은염을 함유한다. 은염으로서는, 예컨대, 할로겐화은 등의 무기 은염, 예컨대, 아세트산은 등의 유기 은염을 들 수 있고, 바람직하게는, 광에 대한 응답성이 우수한, 무기 은염을 들 수 있다.
감광층(21)의 두께는, 예컨대, 0.5㎛ 이상, 바람직하게는, 1㎛ 이상이고, 또한, 예컨대, 10㎛ 이하, 바람직하게는, 5㎛ 이하이다.
공정 (b)에서는, 도 4(b)에 나타내는 바와 같이, 활성 에너지선을, 포토마스크(도시하지 않음)를 거쳐서 감광층(21)에 대하여 조사한다. 구체적으로는, 스테인리스 등의 금속으로 이루어지는 메탈 마스크를 이용하여 감광층(21)을 부분적으로 피복하고, 그 후, 메탈 마스크로부터 노출되는 감광층(21)에 대하여, 레이저광(피크 파장 150㎚ 이상, 250㎚ 이하)을, 조사한다.
그 후, 도 4(c)에 나타내는 바와 같이, 감광층(21)을 현상액에 침지하여, 노광 부분을 남기고, 미 노광 부분을 제거한다(현상). 이것에 의해, 얼라인먼트 마크(7)를 현상 패턴(23)으로서 형성한다.
그 후, 도 3에 나타내는 바와 같이, 지지층(2)의 위에 소자 집합체 고정층(3)을 마련함과 아울러, 지지층(2)의 아래에 제 1 감압 접착층(4)을 마련한다.
소자 집합체 고정층(3) 및 제 1 감압 접착층(4)의 각각을 지지층(2)에 마련하려면, 우선, 소자 집합체 고정층(3) 및 제 1 감압 접착층(4)을 각각 준비한다.
소자 집합체 고정층(3)을, 예컨대, 제 1 박리층(5)(도 3의 가상선 참조)의 표면에 마련한다.
제 1 감압 접착층(4)을, 예컨대, 제 2 박리층(6)(도 3의 가상선 참조)의 표면에 마련한다.
그 다음에, 소자 집합체 고정층(3)을 지지층(2)의 상면에 배치한다. 그때, 얼라인먼트 마크(7)를 매설하도록, 소자 집합체 고정층(3)을 지지층(2)의 상면에 배치한다.
또한, 제 1 감압 접착층(4)을 지지층(2)의 하면에 배치한다.
이것에 의해, 지지층(2)과, 그들의 상하의 각각에 배치되는 소자 집합체 고정층(3) 및 제 1 감압 접착층(4)과, 그들에 각각 배치되는 제 1 박리층(5) 및 제 2 박리층(6)을 구비하는 소자 집합체 가고정 시트(1)를 얻는다.
소자 집합체 가고정 시트(1)의 두께는, 예컨대, 15㎛ 이상, 바람직하게는, 40㎛ 이상이고, 또한, 예컨대, 550㎛ 이하, 바람직하게는, 260㎛ 이하이다.
또한, 이 소자 집합체 가고정 시트(1)는, 가요성을 갖는다.
1-2. 캐리어
캐리어(10)는, 소자 집합체 가고정 시트(1)(지지층(2))를 아래쪽으로부터 지지하기 위한 지지판이다. 이것에 의해, 캐리어(10)는, 지지층(2)을 지지하고 있다. 캐리어(10)는, 전후 방향 및 좌우 방향으로 연장되는 대략 평판 형상으로 형성되어 있다. 캐리어(10)는, 도 1(a)에 나타내는 바와 같이, 평면시(平面視)에 있어서, 소자 집합체 가고정 시트(1)와 동일 형상을 갖고 있다.
또한, 캐리어(10)는, 가고정 부재(30)에 있어서의 하부에 위치하고 있다. 캐리어(10)는, 소자 집합체 가고정 시트(1)의 하면에 직접 접촉하고 있다. 구체적으로는, 캐리어(10)는, 소자 집합체 고정층(3)의 하면에 감압 접착하고 있다. 캐리어(10)는, 가고정 부재(30)의 하면을 형성하고 있다.
캐리어(10)는, 경질 재료로 이루어진다. 경질 재료로서는, 예컨대, 유리 등의 투명 재료, 예컨대, 세라믹, 스테인리스 등 불투명 재료를 들 수 있다. 경질 재료의 비커스 경도는, 예컨대, 0.5㎬ 이상, 바람직하게는, 1㎬ 이상, 보다 바람직하게는, 1.2㎬ 이상이고, 또한, 예컨대, 10㎬ 이하이다. 캐리어(10)가 경질 재료로 이루어지면, 구체적으로는, 경질 재료의 비커스 경도가 상기한 하한 이상이면, 소자 집합체 가고정 시트(1)를 확실히 지지할 수 있다.
캐리어(10)의 두께는, 예컨대, 100㎛ 이상, 바람직하게는, 350㎛ 이상이고, 또한, 예컨대, 1000㎛ 이하, 바람직하게는, 600㎛ 이하이다.
1-3. 가고정 부재의 제조 방법
가고정 부재(30)를 제조하려면, 도 1(a)가 참조되는 바와 같이, 우선, 소자 집합체 가고정 시트(1)와, 캐리어(10)를 각각 준비한다.
구체적으로는, 우선, 제 1 감압 접착층(4)의 하면에 캐리어(10)를 배치한다.
자세하게는, 우선, 도 3의 가상선으로 나타내는 제 2 박리층(6)을 제 1 감압 접착층(4)으로부터 박리하고, 그 후, 도 1(a)에 나타내는 바와 같이, 캐리어(10)를 제 1 감압 접착층(4)의 하면에 직접 접촉시킨다. 이것에 의해, 캐리어(10)를 제 1 감압 접착층(4)에 감압 접착시킨다.
이것에 의해, 캐리어(10)와, 소자 집합체 가고정 시트(1)를 순차적으로 구비하는 가고정 부재(30)를 얻을 수 있다. 또한, 가고정 부재(30)는, 소자 집합체 가고정 시트(1)의 지지층(2)에 구비되는 얼라인먼트 마크(7)를 구비한다.
가고정 부재(30)의 두께는, 예컨대, 115㎛ 이상, 바람직하게는, 390㎛ 이상이고, 또한, 예컨대, 1550㎛ 이하, 바람직하게는, 860㎛ 이하이다.
1-4. 공정 (2)
공정 (2)는, 공정 (1)의 뒤에 실시된다.
공정 (2)에서는, 도 1(a)의 가상선 화살표로 나타내는 바와 같이, 우선, 제 1 박리층(5)을 소자 집합체 고정층(3)의 상면으로부터 박리한 후, 도 1(b)에 나타내는 바와 같이, 복수의 광 반도체 소자(11)를 소자 집합체 고정층(3)의 상면에 가고정한다. 이때, 배열 마크(8)를 기준으로 하여, 복수의 광 반도체 소자(11)를 소자 집합체 고정층(3)의 상면에 정렬 배치(배열)한다. 또한, 복수의 광 반도체 소자(11)를, 소자 집합체 고정층(3)에 있어서의 소자 집합체 형성 영역(17)에 마련한다.
구체적으로는, 배열 마크(8)를 시인(視認)하면서, 복수의 광 반도체 소자(11)의 좌우 방향 및 전후 방향에 있어서의 위치 결정하면서, 복수의 광 반도체 소자(11)를 소자 집합체 고정층(3)의 상면에 직접 접촉시킨다.
배열 마크(8)를 시인하려면, 가고정 부재(30)의 위쪽에 마련된 카메라 등에 의해, 배열 마크(8)의 위쪽으로부터, 배열 마크(8)를 시인한다. 이때는, 소자 집합체 고정층(3)은, 투명하기 때문에, 배열 마크(8)를 소자 집합체 고정층(3)의 위쪽으로부터 시인할 수 있다.
또, 광 반도체 소자(11)는, 상면과, 상면과 두께 방향으로 대향 배치되는 하면과, 상면 및 하면을 연락하는 주측면(周側面)을 갖는다. 하면에는, 전극이 형성되어 있다.
복수의 광 반도체 소자(11)는, 소자 집합체 고정층(3)의 상면에 있어서 정렬 배치되는 것에 의해, 소자 집합체(16)를 구성한다.
인접하는 광 반도체 소자(11)의 사이의 간격(전후 방향 및/또는 좌우 방향에 있어서의 간격)은, 예컨대, 0.05㎜ 이상, 바람직하게는, 0.1㎜ 이상이고, 또한, 예컨대, 1.0㎜ 이하, 바람직하게는, 0.8㎜ 이하이다. 또, 복수의 광 반도체 소자(11)의 각각의 두께(높이)는, 예컨대, 0.1㎛ 이상, 바람직하게는, 0.2㎛ 이상이고, 또한, 예컨대, 500㎛ 이하, 바람직하게는, 200㎛ 이하이다. 복수의 광 반도체 소자(11)의 각각의 좌우 방향 길이 및/또는 전후 방향 길이는, 예컨대, 0.05㎜ 이상, 바람직하게는, 0.1㎜ 이상이고, 또한, 예컨대, 1.0㎜ 이하, 바람직하게는, 0.8㎜ 이하이다.
1-5. 공정 (3)
공정 (3)에서는, 도 1(c)의 실선 및 도 2의 일점파선으로 나타내는 바와 같이, 그 다음에, 봉지층(12)에 의해 소자 집합체(16)를 봉지한다.
예컨대, 반고형체 형상 또는 고형체 형상의 봉지 조성물로 이루어지는 봉지 시트에 의해, 소자 집합체(16)를 봉지한다. 혹은, 액체 형상의 봉지 조성물을 포팅하는 것에 의해, 소자 집합체(16)를 봉지한다. 봉지 조성물은, 실리콘 수지, 에폭시 수지 등의 투명 수지를 함유한다. 봉지 조성물은, 필요에 따라, 충전재, 형광체, 광 반사성 입자 등의 입자를 적당한 비율로 함유할 수도 있다.
봉지층(12)은, 복수의 광 반도체 소자(11)의 각각의 상면 및 측면과, 복수의 광 반도체 소자(11)의 각각으로부터 노출되는 소자 집합체 고정층(3)의 상면을 피복한다. 봉지층(12)은, 마크 형성 영역(18)에 있어서의 소자 집합체 고정층(3)의 상면을 노출하도록, 소자 집합체 형성 영역(17)의 소자 집합체 고정층(3)의 상면에 마련된다.
이것에 의해, 복수의 광 반도체 소자(11)(소자 집합체(16))와, 1개의 봉지층(12)을 구비하는 봉지 소자 집합체(19)가 얻어진다. 다시 말해, 봉지 소자 집합체(19)는, 소자 집합체 가고정 시트(1)에 가고정된 상태로, 얻어진다.
봉지층(12)의 두께는, 예컨대, 40㎛ 이상, 바람직하게는, 50㎛ 이상이고, 또한, 예컨대, 500㎛ 이하, 바람직하게는, 300㎛ 이하이다.
1-6. 공정 (4)
도 1(d)의 일점파선 및 도 2의 이점파선으로 나타내는 바와 같이, 그 다음에, 광 반도체 소자(11)가 개편화되도록, 봉지층(12)을 절단한다. 다시 말해, 봉지 소자 집합체(19)(후술하는 봉지 광 반도체 소자(13))가 개편화된다.
봉지층(12)을 절단하려면, 예컨대, 절단 칼날을 구비하는 절단 장치, 예컨대, 레이저 조사원을 구비하는 절단 장치가 이용된다.
절단 칼날을 구비하는 절단 장치로서는, 예컨대, 원반 형상의 다이싱 소(다이싱 블레이드)를 구비하는 다이싱 장치, 예컨대, 커터를 구비하는 커팅 장치를 들 수 있다.
바람직하게는, 절단 칼날을 구비하는 절단 장치, 보다 바람직하게는, 다이싱 장치가 이용된다.
상기한 절단 장치에 의한 봉지층(12)의 절단에서는, 얼라인먼트 마크(7)의 절단 마크(9)를 기준으로 하여, 봉지층(12)을 절단한다. 또한, 배열 마크(8)의 시인에 이용한 카메라와 동일한 카메라에 의해, 얼라인먼트 마크(7)의 절단 마크(9)를 위쪽으로부터 시인하면서, 봉지층(12)을 절단한다.
절단된 봉지층(12)의 전후 방향 길이 및/또는 좌우 방향 길이는, 예컨대, 20㎜ 이상, 바람직하게는, 40㎜ 이상이고, 또한, 예컨대, 150㎜ 이하, 바람직하게는, 100㎜ 이하이다.
이것에 의해, 1개의 광 반도체 소자(11)와, 1개의 봉지층(12)을 구비하는 봉지 광 반도체 소자(13)가, 소자 집합체 고정층(3)(가고정 부재(30))에 가고정된 상태로, 복수 얻어진다.
1-7. 공정 (5)
공정 (5)에서는, 도 1(d)의 화살표로 나타내는 바와 같이, 복수의 봉지 광 반도체 소자(13)의 각각을, 소자 집합체 고정층(3)으로부터 박리한다.
1-8. 캐리어의 재이용, 및, 광 반도체 장치의 제조
그 후, 복수의 봉지 광 반도체 소자(13)가 박리된 가고정 부재(30)에서는, 캐리어(10)를 제 1 감압 접착층(4)으로부터 박리하고, 캐리어(10)를 재이용한다. 한편, 소자 집합체 가고정 시트(1)(지지층(2), 소자 집합체 고정층(3) 및 제 1 감압 접착층(4))를, 폐기한다. 다시 말해, 소자 집합체 가고정 시트(1)는, 일회용이다.
그 후, 도 1(e)에 나타내는 바와 같이, 봉지 광 반도체 소자(13)를 기판(14)에 플립칩 실장한다.
기판(14)은, 전후 방향 및 좌우 방향으로 연장되는 평판 형상을 갖고 있다. 기판(14)의 상면에는, 광 반도체 소자(11)의 전극과 전기적으로 접속되는 단자가 형성되어 있다.
이것에 의해, 봉지 광 반도체 소자(13)와, 기판(14)을 구비하는 광 반도체 장치(15)가 얻어진다.
2. 제 1 실시 형태의 작용 효과
이 방법에 의하면, 경질의 캐리어(10)가 아닌, 합성수지로 이루어지는 지지층(2)에, 얼라인먼트 마크(7)를 마련하므로, 캐리어(10)를 지지층(2)으로부터 박리하면, 캐리어(10)를 재이용할 수 있다.
또한, 합성수지로 이루어지는 지지층(2)에, 얼라인먼트 마크(7)가 마련되므로, 얼라인먼트 마크(7)를 지지층(2)에 용이하게 형성할 수 있다.
또한, 이 방법에 의하면, 캐리어(10)에 의해, 제 1 감압 접착층(4)을 사이에 두고 확실하고 간편하게 지지층(2)을 지지할 수 있다.
3. 제 1 실시 형태의 변형예
제 1 실시 형태에서는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 배열 마크(8)는 대략 원형 형상을 갖고, 절단 마크(9)는, 대략 직선 형상을 갖고 있다. 그러나, 얼라인먼트 마크(7)의 각각의 형상은, 특별히 한정되지 않는다.
제 1 실시 형태에서는, 소자 집합체 고정층(3)을, 우선, 제 1 박리층(5)(도 3의 가상선 참조)의 표면에 형성한 후, 소자 집합체 고정층(3)을 제 1 박리층(5)으로부터 지지층(2)에 전사하고 있지만, 변형예에서는, 예컨대, 지지층(2)의 상면에 직접 형성할 수도 있다.
제 1 실시 형태에서는, 제 1 감압 접착층(4)을, 우선, 제 2 박리층(6)(도 3의 가상선 참조)의 표면에 형성한 후, 제 1 감압 접착층(4)을 제 2 박리층(6)으로부터 지지층(2)에 전사하고 있지만, 변형예에서는, 예컨대, 지지층(2)의 하면에 직접 형성할 수도 있다.
또한, 제 1 실시 형태에서는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 얼라인먼트 마크(7)가 지지층(2)의 상면에 마련되어 있다.
변형예에서는, 도 5(a)에 나타내는 바와 같이, 얼라인먼트 마크(7)는, 지지층(2)의 하면에 마련된다.
제 1 감압 접착층(4)은, 얼라인먼트 마크(7)를 매설하고 있다.
도 5(b)에 나타내는 바와 같이, 복수의 광 반도체 소자(11)를 소자 집합체 고정층(3)에 배열할 때에는, 가고정 부재(30)의 위쪽에 배치된 카메라에 의해, 소자 집합체 고정층(3) 및 지지층(2)을 통해서, 배열 마크(8)를 시인한다.
또한, 도 5(d)에 나타내는 바와 같이, 봉지층(12)을 절단할 때에는, 상기한 카메라에 의해, 소자 집합체 고정층(3) 및 지지층(2)을 통해서, 절단 마크(9)를 시인한다.
또한, 도시하지 않지만, 얼라인먼트 마크(7)를, 지지층(2)의 상하 양면에 마련할 수도 있다.
바람직하게는, 얼라인먼트 마크(7)를, 지지층(2)의 한쪽 면만, 다시 말해, 상면만, 혹은, 하면에만 마련한다. 얼라인먼트 마크(7)를 지지층(2)의 한쪽 면에만 마련하면, 얼라인먼트 마크(7)를 지지층(2)의 상하 양면에 마련하는 경우에 비하여, 얼라인먼트 마크(7)를 간이하게 형성할 수 있고, 그만큼, 제조 비용을 저감할 수 있다.
보다 바람직하게는, 제 1 실시 형태의 도 3에 나타내는 바와 같이, 얼라인먼트 마크(7)는, 지지층(2)의 상면에 마련된다. 이 구성에 의하면, 얼라인먼트 마크(7)가 지지층(2)의 하면에 마련되는 도 5(a)의 경우에 비하여, 얼라인먼트 마크(7)를 위쪽으로부터 보다 확실히 시인할 수 있다.
또한, 제 1 실시 형태에서는, 도 1(d)의 일점파선으로 나타내는 바와 같이, 봉지층(12)을 절단하여, 봉지 소자 집합체(19)를 개편화하고 있다.
그러나, 변형예에서는, 도 6(a)에 나타내는 바와 같이, 봉지층(12)을 절단하는 일 없이, 봉지 소자 집합체(19)를 소자 집합체 고정층(3)으로부터 박리하고, 그 후, 도 6(b)에 나타내는 바와 같이, 봉지 소자 집합체(19)를 기판(14)에 플립칩 실장한다. 다시 말해, 이 변형예는, 제 1 실시 형태의 공정 (4)를 구비하지 않고, 공정 (1)~(3) 및 (5)를 순차적으로 구비한다.
이 변형예에서는, 봉지층(12)을 절단하는 공정 (4)를 실시하지 않으므로, 도시하지 않지만, 얼라인먼트 마크(7)는, 절단 마크(9)를 구비하지 않고, 배열 마크(8)만으로 이루어져 있더라도 좋다.
4. 제 2 실시 형태
제 2 실시 형태에 있어서, 제 1 실시 형태와 동일한 부재 및 공정에 대해서는, 동일한 참조 부호를 붙이고, 그 상세한 설명을 생략한다.
제 1 실시 형태에서는, 도 1(a) 및 도 3에 나타내는 바와 같이, 소자 집합체 가고정 시트(1)(구체적으로는, 지지층(2))에 얼라인먼트 마크(7)를 마련하고 있다.
그러나, 캐리어(10) 이외의 부재이면, 특별히 한정되지 않고, 제 2 실시 형태에서는, 예컨대, 도 7(a)에 나타내는 바와 같이, 얼라인먼트 마크(7)를, 소자 집합체 가고정 시트(1)와는 다른 마크층(31)에 마련할 수 있다.
공정 (1)에서는, 가고정 부재(30)에 있어서, 마크층(31)이, 캐리어(10)의 아래에 마련된다. 마크층(31)은, 가고정 부재(30)에 구비된다. 다시 말해, 가고정 부재(30)는, 소자 집합체 가고정 시트(1), 캐리어(10) 및 마크층(31)을 이 순서로 구비한다. 마크층(31)은, 캐리어(10)에 지지된다.
마크층(31)은, 두께 방향을 관통하는 관통 구멍(26)을 구비한다. 또한, 마크층(31)은, 캐리어(10)의 하면에 배치되는 마크 감압 접착층(33)과, 마크 감압 접착층(33)을 지지하는 마크 지지층(32)을 이 순서로 구비한다. 관통 구멍(26)은, 마크 감압 접착층(33) 및 마크 지지층(32)을 합쳐서 관통하는 것에 의해, 얼라인먼트 마크(7)로서 마련된다.
마크 감압 접착층(33)은, 상기한 소자 집합체 고정층(3)과 마찬가지의 감압 접착제로 이루어지고, 소자 집합체 고정층(3)과 마찬가지의 물성을 갖는다. 마크 지지층(32)은, 지지층(2)과 마찬가지의 합성수지로 이루어지고, 지지층(2)과 마찬가지의 물성을 갖는다.
특히, 마크 지지층(32) 및 마크 감압 접착층(33) 중, 예컨대, 어느 하나의 층이 유색이고, 나머지의 층이 무색이다. 유색의 상기한 층의 전광선 투과율은, 각각, 예컨대, 80% 이하, 바람직하게는, 65% 이하, 보다 바람직하게는, 50% 이하이다.
한편, 캐리어(10)는, 바람직하게는, 위쪽으로부터의 얼라인먼트 마크(7)의 시인성을 향상시키기 위해, 무색이다. 캐리어(10)는, 바람직하게는, 투명 재료로 이루어진다. 또한, 소자 집합체 고정층(3), 지지층(2) 및 제 1 감압 접착층(4)은, 바람직하게는, 무색이다. 캐리어(10), 소자 집합체 고정층(3), 지지층(2) 및 제 1 감압 접착층(4)의 전광선 투과율은, 각각, 예컨대, 80% 이상, 바람직하게는, 90% 이상, 보다 바람직하게는, 95% 이상이고, 또한, 예컨대, 99.9% 이하이다.
따라서, 캐리어(10), 소자 집합체 고정층(3), 지지층(2) 및 제 1 감압 접착층(4)이 무색이고, 마크층(31)에 있어서 적어도 1층이 유색이면, 관통 구멍(26)은, 무색이 되는 것이 평면시에 있어서 시인된다. 다시 말해, 유색의 마크층(31)에 있어서 적어도 1층과, 무색의 관통 구멍(26)의 콘트라스트에 의해, 도 9에 나타내는 바와 같이, 관통 구멍(26)이 명확하게 시인된다.
이 소자 집합체 가고정 시트(1)를 제조하려면, 도 7(a)에 나타내는 바와 같이, 공정 (1)에 있어서, 마크층(31), 캐리어(10) 및 소자 집합체 가고정 시트(1)를 이 순서로 구비하는 가고정 부재(30)를 준비한다.
마크층(31)은, 도 10이 참조되는 바와 같이, 우선, 제 3 박리층(35), 마크 감압 접착층(33) 및 마크 지지층(32)을 이 순서로 구비하는 적층체를 준비하고, 그 후, 적층체(제 3 박리층(35), 마크 감압 접착층(33) 및 마크 지지층(32))를 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍(26)을, 얼라인먼트 마크(7)로서 형성한다.
관통 구멍(26)은, 예컨대, 절삭, 타발(打拔), 레이저 가공 등에 의해 형성한다. 바람직하게는, 레이저 가공에 의해, 관통 구멍(26)을 형성한다. 레이저 가공으로서는, 예컨대, 엑시머 레이저, YAG 레이저, CO2 레이저 등을 들 수 있고, 바람직하게는, 가고정 부재(30)를 릴투릴(reel-to-reel)로 연속적으로 제조하는 관점, 및, 관통 구멍(26)을 광역 에리어에 형성하는 관점으로부터, YAG 레이저를 들 수 있다.
그 후, 제 3 박리층(35)을 마크 감압 접착층(33)으로부터 박리하고, 그 다음에, 마크 감압 접착층(33)의 상면을 캐리어(10)의 하면에 감압 접착한다.
별도로, 소자 집합체 가고정 시트(1)의 제 1 감압 접착층(4)을 캐리어(10)의 상면에 감압 접착한다.
그 후, 도 7(b)에 나타내는 바와 같이, 공정 (2)에 있어서, 배열 마크(8)를 기준으로 하여, 복수의 광 반도체 소자(11)를 소자 집합체 고정층(3)의 상면에 정렬 배치(배열)한다.
이때, 배열 마크(8)를 위쪽으로부터 시인하면서, 복수의 광 반도체 소자(11)의 좌우 방향 및 전후 방향에 있어서의 위치 결정하면서, 복수의 광 반도체 소자(11)를 소자 집합체 고정층(3)의 상면에 직접 접촉시킨다.
구체적으로는, 배열 마크(8)(관통 구멍(26))를 무색으로서 시인한다. 배열 마크(8)(관통 구멍(26))는, 마크 감압 접착층(33) 및 마크 지지층(32)의 적어도 어느 한쪽의 유색과의 콘트라스트에 의해, 명확하게 시인된다(도 9 참조).
또한, 도 8(d)에 나타내는 바와 같이, 공정 (4)에 있어서, 봉지층(12)을 절단할 때에는, 절단 마크(9)를 기준으로 한다. 구체적으로는, 절단 마크(9)(관통 구멍(26))를, 상기한 배열 마크(8)(관통 구멍(26))의 시인과 마찬가지의 방법에 의해, 시인한다(도 9 참조).
도 8(d)의 화살표로 나타내는 바와 같이, 공정 (5)에 있어서, 복수의 봉지 광 반도체 소자(13)의 각각을, 소자 집합체 고정층(3)으로부터 박리하고, 계속하여, 가고정 부재(30)에서는, 캐리어(10)를 제 1 감압 접착층(4)(소자 집합체 가고정 시트(1)) 및 마크 감압 접착층(33)(마크층(31))으로부터 각각 박리하고, 캐리어(10)를 재이용한다. 한편, 소자 집합체 가고정 시트(1)(지지층(2), 소자 집합체 고정층(3) 및 제 1 감압 접착층(4))와, 마크층(31)(마크 지지층(32) 및 마크 감압 접착층(33))을, 폐기한다. 다시 말해, 소자 집합체 가고정 시트(1) 및 마크층(31)은, 일회용이다.
5. 제 2 실시 형태의 작용 효과
제 2 실시 형태에 의해서도, 제 1 실시 형태와 마찬가지의 작용 효과를 나타낼 수 있다.
또한, 이 방법에 의하면, 경질의 캐리어(10)가 아닌, 마크층(31)에, 얼라인먼트 마크(7)를 마련하므로, 캐리어(10)를 마크층(31)으로부터 분리하면, 캐리어(10)를 재이용할 수 있다.
또한, 얼라인먼트 마크(7)를 마크층(31)에 간편하고 용이하게 형성할 수 있다.
상기의 방법에서는, 도 10에 나타내는 바와 같이, 제 3 박리층(35), 마크 감압 접착층(33) 및 마크 지지층(32)을 합쳐서 관통하는 관통 구멍(26)을 형성하고 있다. 그러나, 예컨대, 도 11에 나타내는 바와 같이, 제 3 박리층(35)을 관통하지 않고, 마크 감압 접착층(33) 및 마크 지지층(32)만을 관통하는 관통 구멍(26)을 형성할 수도 있다.
또한, 도시하지 않지만, 얼라인먼트 마크(7)를, 마크층(31)에 있어서 두께 방향 도중으로 오목한 오목부로서 마련할 수도 있다.
또한, 도시하지 않지만, 얼라인먼트 마크(7)를, 관통 구멍(26)이 아닌, 제 1 실시 형태에서 예시한 불투명한 재료로 형성할 수 있다. 예컨대, 얼라인먼트 마크(7)를, 마크 지지층(32)에 마련한다.
바람직하게는, 얼라인먼트 마크(7)를, 마크층(31)을 관통하는 관통 구멍(26)으로서 형성한다. 얼라인먼트 마크(7)를, 마크층(31)을 관통하는 관통 구멍(26)으로서 형성하면, 얼라인먼트 마크(7)를 간편하고 용이하게 형성할 수 있다.
6. 제 3 실시 형태
제 3 실시 형태에 있어서, 제 1 및 제 2 실시 형태와 동일한 부재 및 공정에 대해서는, 동일한 참조 부호를 붙이고, 그 상세한 설명을 생략한다.
6-1. 공정 (1)
공정 (1)에 있어서, 도 12(a)에 나타내는 바와 같이, 소자 집합체 가고정 시트(1) 및 캐리어(10)를 이 순서로 구비하는 가고정 부재(30)를 준비한다.
소자 집합체 가고정 시트(1)는, 제 1 감압 접착층(4)(도 3의 실선 참조)을 구비하지 않고, 지지층(2)과, 소자 집합체 고정층(3)을 구비한다. 또한, 소자 집합체 가고정 시트(1)는, 도 12(a)에 도시하지 않지만, 제 1 박리층(5)(도 3 참조)을 더 구비할 수도 있다. 바람직하게는, 소자 집합체 가고정 시트(1)는, 지지층(2) 및 소자 집합체 고정층(3)만으로 이루어지고, 또한, 필요에 따라, 바람직하게는, 지지층(2), 소자 집합체 고정층(3) 및 제 1 박리층(5)만으로 이루어진다.
소자 집합체 가고정 시트(1)를 제조하려면, 우선, 지지층(2)을 준비하고, 계속하여, 상기한 방법(도 4(a)~도 4(c)의 방법)에 의해, 얼라인먼트 마크(7)를 지지층(2)에 마련한다. 그 후, 소자 집합체 고정층(3)을 지지층(2)의 상면 전면에 마련한다.
공정 (1)에 있어서, 가고정 부재(30)를 준비하려면, 우선, 제 1 박리층(5)(도 13 참조)을 소자 집합체 고정층(3)으로부터 박리하고, 계속하여, 도 12(a)에 나타내는 바와 같이, 캐리어(10)를 소자 집합체 고정층(3)의 상면에 배치한다.
캐리어(10)는, 유리 등의 투명 재료로 이루어진다. 캐리어(10)의 전광선 투과율은, 예컨대, 80% 이상, 바람직하게는, 90% 이상, 보다 바람직하게는, 95% 이상이고, 또한, 예컨대, 99.9% 이하이다.
이것에 의해, 지지층(2), 소자 집합체 고정층(3) 및 캐리어(10)를 순차적으로 구비하는 가고정 부재(30)가 얻어진다. 가고정 부재(30)는, 바람직하게는, 지지층(2), 소자 집합체 고정층(3) 및 캐리어(10)만으로 이루어진다.
가고정 부재(30)의 두께는, 예컨대, 115㎛ 이상, 바람직하게는, 390㎛ 이상이고, 또한, 예컨대, 1550㎛ 이하, 바람직하게는, 860㎛ 이하이다.
6-2. 공정 (2)
공정 (2)에서는, 도 12(b)에 나타내는 바와 같이, 소자 집합체(16)를 캐리어(10)에 지지시킨다.
구체적으로는, 우선, 도 12(a)에 나타내는 바와 같이, 캐리어(10)의 상면에 제 2 감압 접착층(25)을 배치한다.
제 2 감압 접착층(25)은, 평판 형상을 갖고 있고, 소정의 두께를 갖고, 좌우 방향 및 전후 방향으로 연장되고, 평탄한 표면 및 평탄한 이면을 갖고 있다. 제 2 감압 접착층(25)은, 감압 접착성(점착성)을 갖는다. 제 2 감압 접착층(25)은, 도 3에 나타내는 상기한 소자 집합체 가고정 시트(1)(지지층(2), 소자 집합체 고정층(3), 제 1 감압 접착층(4))와 마찬가지의 층 구성을 갖는다. 또한, 제 2 감압 접착층(25)은, 일본 특허 공개 2014-168036호 공보에 기재된 점착층으로 이루어질 수도 있다. 또, 제 2 감압 접착층(25)은, 평면시에 있어서, 소자 집합체 가고정 시트(1)에 비하여 작은 치수를 갖고 있고, 구체적으로는, 두께 방향으로 투영했을 때에, 얼라인먼트 마크(7)와 겹치지 않도록, 배치되어 있다. 구체적으로는, 제 2 감압 접착층(25)은, 캐리어(10)의 소자 집합체 형성 영역(17)에 배치되어 있다. 제 2 감압 접착층(25)의 두께는, 예컨대, 30㎛ 이상, 바람직하게는, 50㎛ 이상이고, 또한, 예컨대, 500㎛ 이하, 바람직하게는, 300㎛ 이하이다.
도 12(b)에 나타내는 바와 같이, 그 다음에, 복수의 광 반도체 소자(11)를 제 2 감압 접착층(25)의 상면에 감압 접착한다.
이때, 얼라인먼트 마크(7)의 배열 마크(8)를, 가고정 부재(30)의 위쪽으로부터 시인하면서, 배열 마크(8)를 기준으로 하여, 복수의 광 반도체 소자(11)를 제 2 감압 접착층(25)의 상면에 정렬 배치(배열)한다. 배열 마크(8)를, 투명한 캐리어(10) 및 소자 집합체 고정층(3)을 통해서, 시인한다.
이것에 의해, 1개의 제 2 감압 접착층(25)과, 복수의 광 반도체 소자(11)를 구비하는 소자 집합체(16)가, 캐리어(10)에 지지된 상태로 얻어진다. 다시 말해, 소자 집합체(16)는, 캐리어(10)에 지지된다. 다시 말해, 소자 집합체(16)는, 캐리어(10)를 사이에 두고 소자 집합체 가고정 시트(1)(소자 집합체 고정층(3))에 가고정되어 있다.
6-3. 공정 (3)
공정 (3)에서는, 도 12(c)에 나타내는 바와 같이, 그 다음에, 봉지층(12)에 의해, 소자 집합체(16)에 있어서의 복수의 광 반도체 소자(11)를 봉지한다.
봉지층(12)은, 복수의 광 반도체 소자(11)의 각각의 상면 및 측면과, 복수의 광 반도체 소자(11)의 각각으로부터 노출되는 제 2 감압 접착층(25)의 상면을 피복하고 있다. 한편, 봉지층(12)은, 캐리어(10)의 상면에 형성되지 않는다.
이것에 의해, 소자 집합체(16)와, 소자 집합체(16)를 피복하는 봉지층(12)을 구비하는 봉지 소자 집합체(19)가 얻어진다. 봉지 소자 집합체(19)는, 1개의 제 2 감압 접착층(25)과, 복수의 광 반도체 소자(11)와, 1개의 봉지층(12)을 순차적으로 구비한다. 봉지 소자 집합체(19)는, 바람직하게는, 1개의 제 2 감압 접착층(25)과, 복수의 광 반도체 소자(11)와, 1개의 봉지층(12)만으로 이루어진다.
6-4. 공정 (4)
공정 (4)에서는, 도 12(d)의 일점파선으로 나타내는 바와 같이, 그 다음에, 봉지층(12)을 절단한다.
이것에 의해, 1개의 광 반도체 소자(11)와, 1개의 봉지층(12)을 구비하는 봉지 광 반도체 소자(13)가, 제 2 감압 접착층(25)에 가고정된 상태로, 복수 얻어진다.
6-5. 공정 (5)
공정 (5)에서는, 도 12(e)에 나타내는 바와 같이, 봉지 소자 집합체(19)를, 캐리어(10)의 상면으로부터 박리한다.
계속하여, 도 12(e)의 화살표로 나타내는 바와 같이, 복수의 봉지 광 반도체 소자(13)의 각각을 제 2 감압 접착층(25)으로부터 박리한다.
6-6. 캐리어의 재이용, 및, 광 반도체 장치의 제조
가고정 부재(30)에서는, 캐리어(10)를, 소자 집합체 고정층(3)의 상면으로부터 박리하여, 캐리어(10)를 재이용한다. 한편, 소자 집합체 가고정 시트(1)(지지층(2) 및 소자 집합체 고정층(3))를, 폐기한다. 다시 말해, 소자 집합체 가고정 시트(1)는, 일회용이다.
도 12(f)에 나타내는 바와 같이, 그 후, 봉지 광 반도체 소자(13)를 기판(14)에 플립칩 실장하여, 광 반도체 장치(15)를 얻는다.
7. 제 3 실시 형태의 작용 효과
제 3 실시 형태에 의해서도, 제 1 실시 형태와 마찬가지의 작용 효과를 나타낼 수 있다.
자세하게는, 캐리어(10)에 의해, 제 2 감압 접착층(25)을 사이에 두고, 확실하고 간편하게 지지층(2)을 지지할 수 있다.
또한, 이 소자 집합체 가고정 시트(1)는, 도 13에 나타내는 바와 같이, 제 1 감압 접착층(4)(도 3 참조)을 구비하지 않으므로, 제 1 감압 접착층(4)을 구비하는 제 1 실시 형태의 소자 집합체 가고정 시트(1)에 비하여, 층 구성을 간단하게 할 수 있다.
8. 제 3 실시 형태의 변형예
제 3 실시 형태에서는, 도 12(a)에 나타내는 바와 같이, 얼라인먼트 마크(7)가 지지층(2)의 상면에 마련되어 있다.
변형예에서는, 도 14(a)에 나타내는 바와 같이, 얼라인먼트 마크(7)는, 지지층(2)의 하면에 마련된다.
얼라인먼트 마크(7)는, 아래쪽으로 향해 노출되어 있다.
도 14(b)에 나타내는 바와 같이, 공정 (2)에 있어서, 복수의 광 반도체 소자(11)를 제 2 감압 접착층(25)에 배열할 때에는, 가고정 부재(30)의 위쪽에 배치된 카메라에 의해, 캐리어(10), 소자 집합체 고정층(3) 및 지지층(2)을 통해서, 배열 마크(8)를 시인한다.
도 14(d)에 나타내는 바와 같이, 공정 (4)에 있어서, 봉지층(12)을 절단할 때에는, 상기한 카메라에 의해, 캐리어(10), 소자 집합체 고정층(3) 및 지지층(2)을 통해서, 절단 마크(9)를 시인한다.
또한, 도시하지 않지만, 얼라인먼트 마크(7)를, 지지층(2)의 상하 양면에 마련할 수도 있다.
바람직하게는, 얼라인먼트 마크(7)를, 지지층(2)의 한쪽 면만, 다시 말해, 상면만, 혹은, 하면에만 마련한다. 얼라인먼트 마크(7)를 지지층(2)의 한쪽 면에만 마련하면, 얼라인먼트 마크(7)를 지지층(2)의 상하 양면에 마련하는 경우에 비하여, 얼라인먼트 마크(7)를 간이하게 형성할 수 있고, 그만큼, 제조 비용을 저감할 수 있다.
보다 바람직하게는, 제 3 실시 형태의 도 13에 나타내는 바와 같이, 얼라인먼트 마크(7)는, 지지층(2)의 상면에 마련된다. 이 구성에 의하면, 얼라인먼트 마크(7)가 지지층(2)의 하면에 마련되는 도 14(a)의 경우에 비하여, 얼라인먼트 마크(7)를 위쪽으로부터 보다 확실히 시인할 수 있다.
또한, 도시하지 않지만, 얼라인먼트 마크(7)를 지지층(2)을 두께 방향으로 관통하는 관통 구멍 또는 오목부로서 마련할 수도 있다.
또한, 제 3 실시 형태에서는, 도 12(d)의 일점파선으로 나타내는 바와 같이, 봉지층(12)을 절단하고 있다.
그러나, 변형예에서는, 도 15(a)에 나타내는 바와 같이, 봉지층(12)을 절단하는 일 없이, 제 2 감압 접착층(25)을, 캐리어(10)의 상면으로부터 박리한다. 다시 말해, 공정 (4)를 실시하지 않는다.
그 다음에, 도 15(b)에 나타내는 바와 같이, 봉지 소자 집합체(19)를, 복수의 광 반도체 소자(11)의 각각의 하면, 및, 봉지층(12)의 하면으로부터 박리한다.
그 후, 도 15(c)에 나타내는 바와 같이, 복수의 광 반도체 소자(11)를, 기판(14)에 플립칩 실장한다.
이 변형예는, 제 3 실시 형태의 공정 (4)를 구비하지 않고, 공정 (1)~(3) 및 (5)를 순차적으로 구비한다.
이 변형예에서는, 도 15(a)에 나타내는 바와 같이, 봉지층(12)을 절단하는 공정 (4)를 실시하지 않으므로, 도시하지 않지만, 얼라인먼트 마크(7)는, 절단 마크(9)를 구비하지 않고, 배열 마크(8)만으로 이루어져 있더라도 좋다.
실시예
이하의 기재에 있어서 이용되는 배합 비율(함유 비율), 물성치, 파라미터 등의 구체적 수치는, 상기의 「발명을 실시하기 위한 형태」에 있어서 기재되어 있는, 그것들에 대응하는 배합 비율(함유 비율), 물성치, 파라미터 등 해당 기재의 상한치(「이하」, 「미만」으로서 정의되어 있는 수치) 또는 하한치(「이상」, 「초과」로서 정의되어 있는 수치)로 대체할 수 있다.
실시예 1(제 1 실시 형태에 대응하는 실시예)
1-1. 공정 (1)
도 4(a)가 참조되는 바와 같이, 우선, PET로 이루어지는 두께 175㎛의 지지층(2)과, 그 상면에 마련되고, 할로겐화은을 함유하는 은염 유제로 이루어지는 두께 3㎛의 감광층(21)을 구비하는 감광층 구비 지지층(22)을 준비했다(공정 (a)). 감광층 구비 지지층(22)의 전후 방향 길이는, 600㎜이고, 좌우 방향 길이는, 500㎜였다.
지지층(2)의 전광선 투과율은, 95%였다. 지지층(2)의 선팽창 계수는, 70×10-6K-1이었다. 지지층(2)의 25℃에 있어서의 인장 탄성률 E는, 60㎫였다.
소자 집합체 고정층(3)의 전광선 투과율은, 95%였다. 소자 집합체 고정층(3)의 선팽창 계수는, 220×10-6K-1이었다.
계속하여, 도 4(b)에 나타내는 바와 같이, 스테인리스로 이루어지는 메탈 마스크를 이용하여 감광층(21)을 부분적으로 피복하고, 그 후, 메탈 마스크로부터 노출되는 감광층(21)에 대하여, 피크 파장이 193㎚인 레이저광을, 조사했다. 이것에 의해, 배열 마크(8)와, 절단 마크(9)를, 노광 패턴으로서 형성했다.
그 후, 감광층 구비 지지층(22)을 현상액에 침지하는 것에 의해, 노광 부분을 남기고, 미 노광 부분을 제거했다(현상했다). 이것에 의해, 도 2 및 도 4(c)에 나타내는 바와 같이, 원형 형상의 배열 마크(8)와, 직선 형상의 절단 마크(9)를 갖는 얼라인먼트 마크(7)를, 현상 패턴(23)으로서 형성했다.
배열 마크(8)의 직경은, 0.5㎜이고, 인접하는 배열 마크(8) 사이의 간격은, 1.14㎜이고, 인접하는 배열 마크(8)의 피치는, 1.64㎜였다. 절단 마크(9)의 좌우 방향 길이가, 0.5㎜이고, 전후 방향 길이가, 0.2㎜였다. 인접하는 절단 마크(9) 사이의 간격은, 1.62㎜이고, 인접하는 절단 마크(9)의 피치는, 1.64㎜였다.
얼라인먼트 마크(7)는, 불투명하고, 전광선 투과율이, 10%였다.
별도로, 제 1 박리층(5)의 표면에 실리콘계 점착제로 이루어지는 두께 25㎛의 소자 집합체 고정층(3)을 준비하는 한편, 제 2 박리층(6)의 표면에 실리콘계 점착제로 이루어지는 두께 15㎛의 제 1 감압 접착층(4)을 준비했다.
그 다음에, 소자 집합체 고정층(3)을 지지층(2)의 상면에, 얼라인먼트 마크(7)를 포함하도록 배치함과 아울러, 제 1 감압 접착층(4)을 지지층(2)의 하면에 배치했다.
이것에 의해, 도 3에 나타내는 바와 같이, 제 2 박리층(6), 제 1 감압 접착층(4), 지지층(2), 소자 집합체 고정층(3) 및 제 1 박리층(5)을 순차적으로 구비하는 소자 집합체 가고정 시트(1)를 얻었다.
그 후, 제 2 박리층(6)을 제 1 감압 접착층(4)으로부터 박리하고, 그 후, 도 1(a)에 나타내는 바와 같이, 제 1 감압 접착층(4)의 하면에, 유리로 이루어지는 두께 700㎛의 캐리어(10)를 배치했다.
이것에 의해, 도 1(a)에 나타내는 바와 같이, 소자 집합체 가고정 시트(1)와, 그 아래에 마련되는 캐리어(10)를 구비하는 가고정 부재(30)를 준비했다. 가고정 부재(30)의 두께는, 790㎛였다.
1-4. 공정 (2)
도 1(a)의 가상선 화살표로 나타내는 바와 같이, 제 1 박리층(5)을, 소자 집합체 고정층(3)의 상면으로부터 박리한 후, 도 1(b)에 나타내는 바와 같이, 복수의 광 반도체 소자(11)를, 배열 마크(8)를 기준으로 하여, 소자 집합체 고정층(3)에 정렬 배치했다. 이때, 배열 마크(8)를 위쪽으로부터 카메라가 시인했다.
광 반도체 소자(11)의 두께는, 150㎛이고, 광 반도체 소자(11)의 좌우 방향 길이 및 전후 방향 길이는, 1.14㎜이고, 인접하는 광 반도체 소자(11)의 사이의 간격은, 0.5㎜ 이상이었다.
1-5. 공정 (3)
도 1(c)에 나타내는 바와 같이, 그 다음에, 봉지층(12)에 의해 소자 집합체(16)를 봉지했다. 봉지층(12)은, 실리콘 수지 100질량부 및 형광체 15질량부를 함유하는 봉지 조성물로 형성했다. 봉지층(12)의 두께는, 400㎛였다. 이것에 의해, 복수의 광 반도체 소자(11)와, 1개의 봉지층(12)을 구비하는 봉지 소자 집합체(19)를 얻었다.
1-6. 공정 (4)
도 1(d)의 일점파선 및 도 2에서 나타내는 바와 같이, 그 다음에, 절단 마크(9)를 기준으로 하여, 봉지층(12)을 다이싱 소로 절단하여, 봉지 소자 집합체(19)를 개편화했다. 이때, 절단 마크(9)를 위쪽으로부터 카메라가 시인했다. 절단된 봉지층(12)의 좌우 방향 길이 및 전후 방향 길이는, 각각, 100㎜였다.
이것에 의해, 광 반도체 소자(11)와, 봉지층(12)을 구비하는 봉지 광 반도체 소자(13)를, 가고정 부재(30)에 가고정된 상태로, 복수 얻었다.
1-7. 공정 (5)
계속하여, 도 1(d)의 화살표로 나타내는 바와 같이, 복수의 봉지 광 반도체 소자(13)의 각각을, 소자 집합체 고정층(3)으로부터 박리했다.
그 후, 도 1(e)에 나타내는 바와 같이, 봉지 광 반도체 소자(13)를 기판(14)에 플립칩 실장했다.
실시예 2(제 1 실시 형태에 대응하는 실시예)
공정 (1)에 있어서, 얼라인먼트 마크(7)를, 카본블랙을 포함하는 도포액의 잉크젯 인쇄 및 건조에 의해 형성한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 처리하여, 소자 집합체 가고정 시트(1)를 얻고, 계속하여, 소자 집합체 가고정 시트(1)를 사용하여, 봉지 광 반도체 소자(13)를 제조하고, 계속하여, 광 반도체 장치(15)를 제조했다.
실시예 3(제 2 실시 형태에 대응하는 실시예)
공정 (1)에 있어서, 하기와 같이 변경한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 처리하여, 소자 집합체 가고정 시트(1)를 얻고, 계속하여, 소자 집합체 가고정 시트(1)를 사용하여, 봉지 광 반도체 소자(13)를 제조하고(도 7(a)~도 8(d) 참조), 계속하여, 광 반도체 장치(15)를 제조했다(도 8(e) 참조).
공정 (1)에서는, 도 10이 참조되는 바와 같이, 우선, 폴리에스터로 이루어지는 두께 50㎛의 제 3 박리층(35), 실리콘계 감압 접착제로 이루어지는 두께 6㎛의 마크 감압 접착층(33), 및, 폴리이미드로 이루어지는 두께 25㎛의 마크 지지층(32)을 구비하는 적층체(상품명 「TRM-6250-L」, 닛토덴코사 제품)를 준비했다.
지지층(2)의 전광선 투과율은, 95%였다. 지지층(2)의 선팽창 계수는, 70×10-6K-1이었다. 지지층(2)의 25℃에 있어서의 인장 탄성률 E는, 60㎫였다.
소자 집합체 고정층(3)의 전광선 투과율은, 95%였다. 소자 집합체 고정층(3)의 선팽창 계수는, 220×10-6K-1이었다.
그 다음에, 도 10에 나타내는 바와 같이, YAG 레이저에 의해, 실시예 1과 마찬가지의 패턴으로, 관통 구멍(26)을, 적층체를 관통하도록 형성했다. YAG 레이저의 조건은, 이하와 같았다.
YAG 레이저 : MODEL5330(ESI사 제품)
빔 지름 : 5㎛
레이저 파워 : 2.5W
펄스의 반복 주파수 : 30㎑
주사 속도=150㎜/초
이것에 의해, 제 3 박리층(35) 및 그것에 지지되는 마크층(31)(마크 감압 접착층(33) 및 마크 지지층(32))에, 관통 구멍(26)을 얼라인먼트 마크(7)로서 형성했다.
그 후, 제 3 박리층(35)을 마크 감압 접착층(33)으로부터 박리하고, 계속하여, 도 7(a)에 나타내는 바와 같이, 마크 감압 접착층(33)을, 캐리어(10)의 하면에 감압 접착했다. 별도로, 소자 집합체 가고정 시트(1)에 있어서의 제 1 감압 접착층(4)의 하면을, 캐리어(10)의 상면에 감압 접착했다.
이것에 의해, 캐리어(10)와, 캐리어(10)에 지지되는 소자 집합체 가고정 시트(1)와, 캐리어(10)에 지지되는 마크층(31)을 구비하는 가고정 부재(30)를 얻었다.
실시예 4(제 3 실시 형태에 대응하는 실시예)
4-1. 공정 (1)
제 2 박리층(6) 및 제 1 감압 접착층(4)을 구비하지 않는 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 처리하여, 소자 집합체 가고정 시트(1)를 얻었다. 다시 말해, 도 13에 나타내는 바와 같이, 이 소자 집합체 가고정 시트(1)는, 지지층(2), 소자 집합체 고정층(3) 및 제 1 박리층(5)을 순차적으로 구비했다. 소자 집합체 가고정 시트(1)의 두께는, 100㎛였다.
그 후, 제 1 박리층(5)을 소자 집합체 고정층(3)으로부터 박리하고, 계속하여, 도 12(a)에 나타내는 바와 같이, 소자 집합체 고정층(3)의 상면에, 유리로 이루어지는 두께 700㎛의 캐리어(10)를 배치했다. 이것에 의해, 가고정 부재(30)를 준비했다. 가고정 부재(30)의 두께는, 800㎛였다.
4-2. 공정 (2)
별도로, 지지층(2), 소자 집합체 고정층(3), 제 1 감압 접착층(4)으로 이루어지는 소자 집합체 가고정 시트(1)로 이루어지는 두께 90㎛의 제 2 감압 접착층(25)을, 캐리어(10)의 상면에 배치했다.
도 12(b)에 나타내는 바와 같이, 그 다음에, 복수의 광 반도체 소자(11)를, 배열 마크(8)를 기준으로 하여, 제 2 감압 접착층(25)의 상면에 정렬 배치했다. 이때, 배열 마크(8)를 위쪽으로부터 카메라가 시인했다. 광 반도체 소자(11)의 치수 및 인접하는 광 반도체 소자(11) 사이의 치수는, 실시예 1과 마찬가지였다.
이것에 의해, 제 2 감압 접착층(25)과, 복수의 광 반도체 소자(11)를 구비하는 소자 집합체(16)를, 소자 집합체 가고정 시트(1)에 캐리어(10)를 사이에 두고 지지된 상태로, 얻었다.
4-3. 공정 (3)
도 12(c)에 나타내는 바와 같이, 그 다음에, 봉지층(12)에 의해, 소자 집합체(16)에 있어서의 복수의 광 반도체 소자(11)를 봉지했다. 봉지층(12)은, 실리콘 수지 100질량부 및 형광체 15질량부를 함유하는 봉지 조성물로 형성했다. 봉지층(12)의 두께는, 400㎛였다.
이것에 의해, 소자 집합체(16)와, 복수의 광 반도체 소자(11)를 피복하는 봉지층(12)을 구비하는 봉지 소자 집합체(19)를 얻었다.
4-4. 공정 (4)
도 12(d)의 일점파선으로 나타내는 바와 같이, 그 다음에, 절단 마크(9)를 기준으로 하여, 봉지층(12)을 다이싱 소로 절단했다. 이때, 절단 마크(9)를 위쪽으로부터 카메라가 시인했다. 절단된 봉지층(12)의 좌우 방향 길이 및 전후 방향 길이는, 각각, 1.62㎜였다.
4-5. 공정 (5)
그 후, 도 12(e)의 화살표로 나타내는 바와 같이, 봉지 소자 집합체(19)를, 캐리어(10)의 상면으로부터 박리했다. 계속하여, 복수의 봉지 광 반도체 소자(13)의 각각을 제 2 감압 접착층(25)으로부터 박리했다.
그 후, 도 12(f)에 나타내는 바와 같이, 봉지 광 반도체 소자(13)를 기판(14)에 플립칩 실장하여, 광 반도체 장치(15)를 얻었다.
실시예 5(제 3 실시 형태에 대응하는 실시예)
공정 (1)에 있어서, 얼라인먼트 마크(7)를, 카본블랙을 포함하는 도포액의 잉크젯 인쇄 및 건조에 의해 형성한 것 이외는, 실시예 4와 마찬가지로 처리하여, 소자 집합체 가고정 시트(1)를 얻고, 계속하여, 소자 집합체 가고정 시트(1)를 사용하여, 봉지 광 반도체 소자(13)를 제조하고, 계속하여, 광 반도체 장치(15)를 제조했다.
또, 상기 설명은, 본 발명의 예시의 실시 형태로서 제공했지만, 이것은 단순한 예시에 지나지 않고, 한정적으로 해석해서는 안 된다. 해당 기술 분야의 당업자에 의해 분명한 본 발명의 변형예는, 후기의 청구의 범위에 포함되는 것이다.
Claims (6)
- 경질의 캐리어, 상기 캐리어에 지지되고, 합성수지로 이루어지는 지지층, 및, 상기 지지층에 지지되는 고정층을 구비하는 가고정(假固定) 부재를 준비하는 공정 (1)과,
복수의 광 반도체 소자가 정렬 배치되는 소자 집합체를 상기 고정층에 가고정하는 공정 (2)와,
상기 공정 (2)의 뒤에, 봉지층에 의해 복수의 상기 광 반도체 소자를 피복하여, 상기 소자 집합체 및 상기 봉지층을 구비하는 봉지 소자 집합체를 얻는 공정 (3)과,
상기 공정 (3)의 뒤에, 봉지 광 반도체 소자를 개편화(個片化)하도록, 상기 봉지층을 절단하는 공정 (4)와,
상기 공정 (4)의 뒤에, 상기 봉지 소자 집합체를 상기 고정층으로부터 박리하는 공정 (5)
를 구비하고,
상기 지지층에는, 절단 마크가 마련되고,
상기 공정 (4)에서, 상기 절단 마크를 기준으로 하여, 상기 봉지층을 절단하는 것을 특징으로 하는 봉지 광 반도체 소자의 제조 방법.
- 경질의 캐리어, 상기 캐리어에 지지되고, 합성수지로 이루어지는 지지층, 상기 지지층에 지지되는 고정층, 및, 상기 캐리어에 지지되는 마크층을 구비하는 가고정 부재를 준비하는 공정 (1)과,
복수의 광 반도체 소자가 정렬 배치되는 소자 집합체를 상기 고정층에 가고정하는 공정 (2)와,
상기 공정 (2)의 뒤에, 봉지층에 의해 복수의 상기 광 반도체 소자를 피복하여, 상기 소자 집합체 및 상기 봉지층을 구비하는 봉지 소자 집합체를 얻는 공정 (3)과,
상기 공정 (3)의 뒤에, 봉지 광 반도체 소자를 개편화하도록, 상기 봉지층을 절단하는 공정 (4)와,
상기 공정 (4)의 뒤에, 상기 봉지 소자 집합체를 상기 고정층으로부터 박리하는 공정 (5)
를 구비하고,
상기 마크층에는, 절단 마크가 마련되고,
상기 공정 (4)에서, 상기 절단 마크를 기준으로 하여, 상기 봉지층을 절단하는 것을 특징으로 하는 봉지 광 반도체 소자의 제조 방법.
- 삭제
- 삭제
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 가고정 부재는, 제 1 감압 접착층을 더 구비하고,
상기 가고정 부재는, 상기 캐리어, 상기 제 1 감압 접착층, 상기 지지층 및 상기 고정층을 이 순서로 구비하는
것을 특징으로 하는 봉지 광 반도체 소자의 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 소자 집합체는, 복수의 상기 광 반도체 소자와, 복수의 상기 광 반도체 소자를 가고정하는 제 2 감압 접착층을 구비하고,
상기 공정 (5)에서는, 상기 제 2 감압 접착층을 상기 캐리어로부터 박리하는
것을 특징으로 하는 봉지 광 반도체 소자의 제조 방법.
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