JP2017163125A - 封止光半導体素子の製造方法 - Google Patents

封止光半導体素子の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】キャリアを再利用でき、かつ、支持層にアライメントマークを容易に形成することのできる、封止光半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】硬質のキャリア１０、合成樹脂からなる支持層２、および、素子集合体固定層３を備える仮固定部材３０を用意する工程（１）と、複数の光半導体素子１１が整列配置される素子集合体１６を素子集合体固定層３に仮固定する工程（２）と、封止層１２によって複数の光半導体素子１１を被覆する工程（３）と、封止層１２を切断する工程（４）と、封止素子集合体１９を素子集合体固定層３から剥離する工程（５）とを備える。支持層２には、アライメントマーク７を設けられる。工程（２）では、アライメントマーク７を基準にして、素子集合体１６を素子集合体固定層３に仮固定し、および／または、工程（４）では、アライメントマーク７を基準にして、封止層１２を切断する。【選択図】図１

Description

本発明は、封止光半導体素子の製造方法に関する。
従来、複数のＬＥＤを蛍光体層などの被覆層で被覆して被覆ＬＥＤを作製することが知られている。
例えば、硬質の支持板を備える支持シートを用意し、半導体素子を支持シートの上面に配置し、封止層で半導体素子を被覆し、その後、封止層を半導体素子に対応して切断する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
特許文献１では、支持板には、基準マークが設けられており、この基準マークを基準として封止層を切断している。
特開２０１４−１６８０３６号公報
しかるに、支持板を再利用したい場合がある。しかし、支持板にはマークが設けられているので、そのような支持板を再利用することができないという不具合がある。
さらに、支持板は硬質であるので、マークを設けることが容易でないという不具合もある。
本発明の目的は、キャリアを再利用でき、かつ、支持層にアライメントマークを容易に形成することのできる、封止光半導体素子の製造方法を提供することにある。
本発明［１］は、硬質のキャリア、前記キャリアに支持され、合成樹脂からなる支持層、および、前記支持層に支持される固定層を備える仮固定部材を用意する工程（１）と、複数の光半導体素子が整列配置される素子集合体を前記固定層に仮固定する工程（２）と、前記工程（２）の後に、封止層によって複数の前記光半導体素子を被覆して、前記素子集合体および前記封止層を備える封止素子集合体を得る工程（３）と、前記工程（３）の後に、前記封止光半導体素子を個片化するように、前記封止層を切断する工程（４）と、前記工程（４）の後に、前記封止素子集合体を前記固定層から剥離する工程（５）とを備え、前記支持層には、アライメントマークが設けられ、前記工程（２）では、前記アライメントマークを基準にして、前記素子集合体を前記固定層に仮固定し、および／または、前記工程（４）では、前記アライメントマークを基準にして、前記封止層を切断することを特徴とする、封止光半導体素子の製造方法である。
この方法によれば、硬質のキャリアではなく、合成樹脂からなる支持層に、アライメントマークを設けるので、キャリアを支持層から分離すれば、キャリアを再利用することができる。
また、合成樹脂からなる支持層に、アライメントマークが設けられるので、アライメントマークを支持層に容易に形成することができる。
本発明［２］は、硬質のキャリア、前記キャリアに支持され、合成樹脂からなる支持層、前記支持層に支持される固定層、および、前記キャリアに支持されるマーク層を備える仮固定部材を用意する工程（１）と、複数の光半導体素子が整列配置される素子集合体を前記固定層に仮固定する工程（２）と、前記工程（２）の後に、封止層によって複数の前記光半導体素子を被覆して、前記素子集合体および前記封止層を備える封止素子集合体を得る工程（３）と、前記工程（３）の後に、前記封止光半導体素子を個片化するように、前記封止層を切断する工程（４）と、前記工程（４）の後に、前記封止素子集合体を前記固定層から剥離する工程（５）とを備え、前記マーク層には、アライメントマークが設けられ、前記工程（２）では、前記アライメントマークを基準にして、前記素子集合体を前記固定層に仮固定し、および／または、前記工程（４）では、前記アライメントマークを基準にして、前記封止層を切断することを特徴とする、封止光半導体素子の製造方法である。
この方法によれば、硬質のキャリアではなく、マーク層に、アライメントマークを設けるので、キャリアをマーク層から分離すれば、キャリアを再利用することができる。
また、アライメントマークを支持層に容易に形成することができる。
本発明［３］は、硬質のキャリア、前記キャリアに支持され、合成樹脂からなる支持層、および、前記支持層に支持される固定層を備える仮固定部材を用意する工程（１）と、複数の光半導体素子が整列配置される素子集合体を前記固定層に仮固定する工程（２）と、前記工程（２）の後に、封止層によって複数の前記光半導体素子を被覆して、前記素子集合体および前記封止層を備える封止素子集合体を得る工程（３）と、前記工程（３）の後に、前記封止素子集合体を前記固定層から剥離する工程（５）とを備え、前記支持層には、アライメントマークが設けられ、前記工程（２）では、前記アライメントマークを基準にして、前記素子集合体を前記固定層に仮固定することを特徴とする、封止光半導体素子の製造方法である。
この方法によれば、硬質のキャリアではなく、合成樹脂からなる支持層に、アライメントマークを設けるので、キャリアを支持層から分離すれば、キャリアを再利用することができる。
また、合成樹脂からなる支持層に、アライメントマークが設けられるので、アライメントマークを支持層に容易に形成することができる。
本発明［４］は、硬質のキャリア、前記キャリアに支持され、合成樹脂からなる支持層、前記支持層に支持される固定層、および、前記キャリアに支持されるマーク層を備える仮固定部材を用意する工程（１）と、複数の光半導体素子が整列配置される素子集合体を前記固定層に仮固定する工程（２）と、前記工程（２）の後に、封止層によって複数の前記光半導体素子を被覆して、前記素子集合体および前記封止層を備える封止素子集合体を得る工程（３）と、前記工程（３）の後に、前記封止素子集合体を前記固定層から剥離する工程（５）とを備え、前記マーク層には、アライメントマークが設けられ、前記工程（２）では、前記アライメントマークを基準にして、前記素子集合体を前記固定層に仮固定することを特徴とする、封止光半導体素子の製造方法である。
この方法によれば、硬質のキャリアではなく、マーク層に、アライメントマークを設けるので、キャリアをマーク層から分離すれば、キャリアを再利用することができる。
また、アライメントマークをマーク層に容易に形成することができる。
本発明［５］は、前記仮固定部材は、第１感圧接着層をさらに備え、前記仮固定部材は、前記キャリア、前記第１感圧接着層、前記支持層および前記固定層を順に備えることを特徴とする、［１］〜［４］のいずれか一項に記載の封止光半導体素子の製造方法を含む。
この方法によれば、キャリアにより介して確実かつ簡便に支持層を支持することができる。
本発明［６］は、前記素子集合体は、複数の前記光半導体素子と、複数の前記光半導体素子を仮固定する第２感圧接着層とを備え、前記工程（５）では、前記第２感圧接着層を前記キャリアから剥離することを特徴とする、［１］〜［４］のいずれか一項に記載の封止光半導体素子の製造方法を含む。
この方法によれば、キャリアにより確実かつ簡便に支持層を支持することができる。
本発明の方法によれば、キャリアを再利用することができる。
図１Ａ〜図１Ｅは、本発明の封止光半導体素子の製造方法の第１実施形態の工程図であり、図１Ａが、キャリアを素子集合体仮固定シートの下に設ける工程、図１Ｂが、複数の光半導体素子を素子集合体仮固定シートに仮固定する工程、図１Ｃが、封止層により複数の光半導体素子を封止する工程、図１Ｄが、封止層を切断して、封止光半導体素子を素子集合体仮固定シートから剥離する工程、図１Ｅが、封止光半導体素子を基板にフリップチップ実装する工程を示す。 図２は、第１実施形態に用いられる素子集合体仮固定シートの平面図を示す。 図３は、図２に示す素子集合体仮固定シートのＡ−Ａ線に沿う断面図を示す。 図４Ａ〜図４Ｃは、フォトリソグラフィーを用いてアライメントマークを設ける方法の工程図であり、図４Ａが、支持層および感光層を備える感光層付支持層を用意する工程、図４Ｂが、感光層を露光する工程、図４Ｃが、感光層を現像する工程を示す。 図５Ａ〜図５Ｅは、第１実施形態の素子集合体仮固定シートの製造方法の変形例であり、図５Ａが、キャリアを素子集合体仮固定シートの下に設ける工程、図５Ｂが、複数の光半導体素子を素子集合体仮固定シートに仮固定する工程、図５Ｃが、封止層により複数の光半導体素子を封止する工程、図５Ｄが、封止層を切断して、封止光半導体素子を素子集合体仮固定シートから剥離する工程、図５Ｅが、封止光半導体素子を基板にフリップチップ実装する工程を示す。 図６Ａおよび図６Ｂは、第１実施形態の封止光半導体素子の製造方法の変形例であり、図６Ａが、封止層を切断することなく、素子集合体仮固定シートから剥離する工程、図６Ｂが、封止素子集合体を基板にフリップチップ実装する工程を示す。 図７Ａ〜図７Ｃは、本発明の封止光半導体素子の製造方法の第２実施形態の工程図であり、図７Ａが、マーク層およびキャリアを素子集合体仮固定シートの下に設けて、仮固定部材を用意する工程、図７Ｂが、複数の光半導体素子を素子集合体仮固定シートに仮固定する工程、図７Ｃが、封止層により複数の光半導体素子を封止する工程を示す。 図８Ｄおよび図８Ｅは、図７Ｃに引き続き、本発明の封止光半導体素子の製造方法の第２実施形態の工程図であり、図８Ｄが、封止層を切断して、封止光半導体素子を素子集合体仮固定シートから剥離する工程、図８Ｅが、封止光半導体素子を基板にフリップチップ実装する工程を示す。 図９は、第２実施形態に用いられる素子集合体仮固定シートの平面図を示す。 図１０は、図８Ａに示すマーク層および第３剥離層を備える積層体の断面図を示す。 図１１は、図１０に示す積層体の変形例の断面図を示す。 図１２Ａ〜図１２Ｆは、本発明の封止光半導体素子の製造方法の第３実施形態の工程図であり、図１２Ａが、キャリアを素子集合体仮固定シートの上に設けるとともに、第２感圧接着層をキャリアの上に設けて、素子集合体仮固定シートを用意する工程、図１２Ｂが、複数の光半導体素子を第２感圧接着層に仮固定する工程、図１２Ｃが、封止層により複数の光半導体素子を封止する工程、図１２Ｄが、封止層を切断する工程、図１２Ｅが、封止光半導体素子を第２感圧接着層から剥離する工程、図１２Ｆが、封止光半導体素子を基板にフリップチップ実装する工程を示す。 図１３は、第３実施形態に用いられる素子集合体仮固定シートの断面図を示す。 図１４Ａ〜図１４Ｆは、第３実施形態の封止光半導体素子の製造方法の変形例であり、図１４Ａが、キャリアを素子集合体仮固定シートの上に設けるとともに、第２感圧接着層をキャリアの上に設けて、素子集合体仮固定シートを用意する工程、図１４Ｂが、複数の光半導体素子を第２感圧接着層に仮固定する工程、図１４Ｃが、封止層により複数の光半導体素子を封止する工程、図１４Ｄが、封止層を切断する工程、図１４Ｅが、封止光半導体素子を第２感圧接着層から剥離する工程、図１４Ｆが、封止光半導体素子を基板にフリップチップ実装する工程を示す。 図１５Ａ〜図１５Ｃは、第３実施形態の封止光半導体素子の製造方法の変形例の工程図であり、図１５Ａが、封止層を切断することなく、第２感圧接着層を素子集合体仮固定シートから剥離する工程、図１５Ｂが、光半導体素子および封止層を、第２感圧接着層から剥離する工程、図１５Ｃが、光半導体素子を基板にフリップチップ実装する工程を示す。
図１において、紙面上下方向は、上下方向（第１方向、厚み方向）であり、紙面上側が上側（第１方向一方側、厚み方向一方側）、紙面下側が下側（第１方向他方側、厚み方向他方側）である。図１において、紙面左右方向は、左右方向（第１方向に直交する第２方向、幅方向）であり、紙面右側が右側（第２方向一方側、幅方向一方側）、紙面左側が左側（第２方向他方側、幅方向他方側）である。図１において、紙厚方向は、前後方向（第１方向および第２方向に直交する第３方向）であり、紙面手前側が前側（第３方向一方側）、紙面奥側が後側（第３方向他方側）である。具体的には、各図の方向矢印に準拠する。
１．第１実施形態
本発明の封止光半導体素子の製造方法の第１実施形態は、キャリア１０、第１感圧接着層４、支持層２および固定層の一例としての素子集合体固定層３を順に備える仮固定部材３０を用意する工程（１）（図１Ａ参照）と、複数の光半導体素子１１が整列配置される素子集合体１６を素子集合体固定層３に仮固定する工程（２）（図１Ｂ参照）と、工程（２）の後に、封止層１２によって複数の光半導体素子１１を被覆して、素子集合体１６および封止層１２を備える封止素子集合体１９を得る工程（３）（図１Ｃ参照）と、工程（３）の後に、封止光半導体素子１３を個片化するように、封止層１２を切断する工程（４）（図１Ｄ参照）と、工程（４）の後に、封止素子集合体１９を素子集合体固定層３から剥離する工程（５）（図１Ｄ参照）とを備える。以下、各工程を説明する。
１−１． 工程（１）
図１Ａに示すように、工程（１）では、仮固定部材３０を用意する。
仮固定部材３０は、素子集合体仮固定シート１と、素子集合体仮固定シート１の下に設けられるキャリア１０とを備える。
１−１．（１） 素子集合体仮固定シート
図２および図３に示すように、素子集合体仮固定シート１は、平板形状を有し、具体的には、所定の厚みを有し、厚み方向と直交する面方向（左右方向および前後方向）に延び、平坦な表面および平坦な裏面を有している。なお、素子集合体仮固定シート１では、前後方向長さが、左右方向長さ（幅）に比べて、長い平板形状を有している。あるいは、素子集合体仮固定シート１は、前後方向に長い長尺形状を有している。
また、素子集合体仮固定シート１は、図１Ａに示すように、仮固定部材３０における上部に位置している。素子集合体仮固定シート１は、仮固定部材３０の上面を形成している。
素子集合体仮固定シート１は、図３に示すように、素子集合体固定層３と、支持層２と、第１感圧接着層４とを順に備える。具体的には、素子集合体仮固定シート１は、支持層２と、支持層２の上に設けられる素子集合体固定層３と、支持層２の下に設けられる第１感圧接着層４とを備える。また、この素子集合体仮固定シート１では、素子集合体固定層３は、アライメントマーク７を備える。以下、各部材について説明する。
１−１．（１）Ａ． 支持層
支持層２は、素子集合体仮固定シート１の厚み方向中央に位置する。つまり、支持層２は、素子集合体固定層３および第１感圧接着層４の間に介在している。素子集合体仮固定シート１は、平板形状を有し、具体的には、所定の厚みを有し、左右方向および前後方向に延び、平坦な表面および平坦な裏面を有している。また、支持層２は、可撓性を有する。支持層２は、素子集合体固定層３および第１感圧接着層４を支持している。
支持層２は、合成樹脂からなる。合成樹脂としては、例えば、ポリエチレン（例えば、低密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、線状低密度ポリエチレンなど）、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−Ｃ４以上のα−オレフィン共重合体などのオレフィン重合体、例えば、エチレン−エチルアクリレート共重合体、エチレン−メチルメタクリレート共重合体、エチレン−ｎ−ブチルアクリレート共重合体などのエチレン−（メタ）アクリレート共重合体、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル、例えば、ポリカーボネート、例えば、ポリウレタン、例えば、ポリイミドなどのポリマーが挙げられる。共重合体は、ランダムコポリマーおよびブロックコポリマーのいずれであってもよい。合成樹脂は、単独使用または２種以上併用されていてもよい。また、支持層２は、上記した合成樹脂の多孔質であってもよい。
支持層２は、好ましくは、ＰＥＴ、ポリカーボネートからなる。
また、支持層２は、単層または複数層からなっていてもよい。
また、上記した合成樹脂は、例えば、透明である。つまり、支持層２は、透明である。具体的には、支持層２の全光線透過率は、例えば、８０％以上、好ましくは、９０％以上、より好ましくは、９５％以上であり、また、例えば、９９．９％以下である。
支持層２の線膨張係数は、例えば、５００×１０−６Ｋ−１以下、好ましくは、３００×１０−６Ｋ−１以下であり、また、例えば、２×１０−６Ｋ−１以上、好ましくは、１０×１０−６Ｋ−１以上である。支持層２の収縮度が上記した上限以下であれば、アライメントマーク７を基準とした光半導体素子１１の配列、および／または、封止層１２の切断を達成することができる。支持層２の線膨張係数は、線膨張係数測定装置（ＴＭＡ）により測定される。以下の各部材の線膨張係数についても同様の方法により測定される。
支持層２の２５℃における引張弾性率Ｅは、例えば、２００ＭＰａ以下、好ましくは、１００ＭＰａ以下、より好ましくは、８０ＭＰａ以下であり、また、例えば、５０ＭＰＰａ以上である。支持層２の２５℃における引張弾性率Ｅが上記した上限以下であれば、可撓性を確保することができ、アライメントマーク７を容易に設けることができる。
支持層２の厚みは、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上であり、また、例えば、３５０μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。
１−１．（１）Ｂ． 素子集合体固定層
素子集合体固定層３は、素子集合体仮固定シート１の上端部に位置する。素子集合体固定層３は、支持層２の上面に配置されている。つまり、素子集合体固定層３は、素子集合体仮固定シート１の上面を形成している。素子集合体固定層３は、支持層２に支持されている。素子集合体固定層３は、平板形状を有し、具体的には、所定の厚みを有し、左右方向および前後方向に延び、平坦な表面および平坦な裏面（後述するアライメントマーク７に対応する部分を除く）を有している。
素子集合体固定層３は、複数の光半導体素子１１が整列配置される素子集合体１６（後述。図１Ｂおよび図２参照）を仮固定するように構成されている。
また、素子集合体固定層３は、感圧接着性（粘着性）を有する。
素子集合体固定層３は、感圧接着剤からなる。感圧接着剤としては、例えば、アクリル系感圧接着剤、ゴム系感圧接着剤、ＳＩＳ（スチレン−イソプレン−スチレン・ブロック共重合体）系感圧接着剤、シリコーン系感圧接着剤、ビニルアルキルエーテル系感圧接着剤、ポリビニルアルコール系感圧接着剤、ポリビニルピロリドン系感圧接着剤、ポリアクリルアミド系感圧接着剤、セルロース系感圧接着剤、ウレタン系感圧接着剤、ポリエステル系感圧接着剤、ポリアミド系感圧接着剤、エポキシ系感圧接着剤などが挙げられる。好ましくは、シリコーン系感圧接着剤が挙げられる。
また、素子集合体固定層３は、透明である。素子集合体固定層３の全光線透過率は、例えば、８０％以上、好ましくは、９０％以上、より好ましくは、９５％以下であり、また、例えば、９９．９％以下である。
素子集合体固定層３の線膨張係数は、例えば、５００×１０−６Ｋ−１以下、好ましくは、３００×１０−６Ｋ−１以下であり、また、例えば、２×１０−６Ｋ−１以上、好ましくは、１０×１０−６Ｋ−１以上である。
素子集合体固定層３をケイ素板に対して感圧接着し、２５℃において、素子集合体固定層３をケイ素板から１８０度で剥離したときの剥離力は、例えば、０．１Ｎ／ｍｍ以上、好ましくは、０．３Ｎ／ｍｍ以上であり、また、例えば、１Ｎ／ｍｍ以下である。素子集合体固定層３の剥離力が上記した下限以上であれば、複数の光半導体素子１１を確実に仮固定することができる。
素子集合体固定層３の厚みは、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、１２０μｍ未満、好ましくは、１００μｍ未満、より好ましくは、８０μｍ以下、さらに好ましくは、６０μｍ以下である。素子集合体固定層３の厚みが上記した下限を上回る場合には、素子集合体仮固定シート１の上面に感圧接着性を確実に付与することができる。そのため、素子集合体仮固定シート１を簡便に製造することができる。素子集合体固定層３の厚みが上記した上限を下回る場合には、素子集合体固定層３の取扱性を向上させることができる。
１−１．（１）Ｃ． 第１感圧接着層
第１感圧接着層４は、素子集合体仮固定シート１の下端部に位置する。また、第１感圧接着層４は、支持層２の下面に配置されている。つまり、第１感圧接着層４は、素子集合体仮固定シート１の下面を形成している。第１感圧接着層４は、支持層２に支持されている。さらに、第１感圧接着層４は、厚み方向に、素子集合体固定層３とともに支持層２を挟み込んでいる。第１感圧接着層４は、平板形状を有し、具体的には、所定の厚みを有し、左右方向および前後方向に延び、平坦な表面および平坦な裏面を有している。
第１感圧接着層４は、感圧接着性（粘着性）を有する。
第１感圧接着層４は、素子集合体固定層３と同一の感圧接着剤からなる。
第１感圧接着層４は、透明である。第１感圧接着層４の全光線透過率は、例えば、８０％以上、好ましくは、９０％以上、より好ましくは、９５％以下であり、また、例えば、９９．９％以下である。
第１感圧接着層４の線膨張係数は、例えば、５００×１０−６Ｋ−１以下、好ましくは、３００×１０−６Ｋ−１以下であり、また、例えば、２×１０−６Ｋ−１以上、好ましくは、１０×１０−６Ｋ−１以上である。
第１感圧接着層４の厚みは、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ未満、好ましくは、８０μｍ以下、より好ましくは、６０μｍ以下である。
１−１．（１）Ｄ． アライメントマーク
図３に示すように、アライメントマーク７は、支持層２の上面に備えられている。
図２および図３に示すように、具体的には、アライメントマーク７は、支持層２の上面における右端部に複数設けられている。詳しくは、アライメントマーク７は、後述する素子集合体１６が設けられる素子集合体形成領域１７の右側（幅方向一方側の一例）に区画されるマーク形成領域１８に設けられている。マーク形成領域１８は、素子集合体仮固定シート１の右端部において、前後方向に沿って配置されている。
アライメントマーク７は、素子集合体１６を素子集合体固定層３に仮固定するため、かつ、素子集合体１６を封止する封止層１２を切断するための、基準マークである。具体的には、アライメントマーク７は、配列マーク８および切断マーク９を備える。配列マーク８および切断マーク９は、左右方向に一列に並ぶ複数の光半導体素子１１（後述）に対応して、１つずつ配置され、それらは、左右方向に互いに間隔を隔てて整列配置されている。
配列マーク８は、アライメントマーク７における左側に位置するマークであって、前後方向に互いに間隔を隔てて複数配置されている。複数の配列マーク８のそれぞれは、例えば、略円形状を有している。
切断マーク９は、アライメントマーク７における右側に位置するマークであって、前後方向に互いに間隔を隔てて複数配置されている。具体的には、複数の切断マーク９のそれぞれは、左右方向に投影したときに、複数の配列マーク８のそれぞれと重複しないように、配置されている。つまり、複数の配列マーク８と複数の切断マーク９とは、千鳥状に配置され、つまり、左右方向に投影したときに、前後方向において交互に配置されている。複数の切断マーク９のそれぞれは、複数の配列マーク８のそれぞれに対して右方斜め前側に間隔を隔てて配置されている。複数の切断マーク９のそれぞれは、例えば、左右方向に延びる略棒（直線）形状を有している。
アライメントマーク７は、不透明である。
そのため、アライメントマーク７は、不透明（後述）な材料からなる。そのような材料として、例えば、銀（金属銀）などの金属材料、カーボンブラックなどの炭素材料などが挙げられる。
金属材料として、好ましくは、銀が挙げられる。銀であれば、アライメントマーク７の視認性をより一層向上させることができる。
また、炭素材料として、好ましくは、カーボンブラックが挙げられる。カーボンブラックであれば、アライメントマーク７の視認性をより一層向上させることができる。
アライメントマーク７の寸法は適宜設定されている。配列マーク８の直径（最大長さ）は、例えば、０．０５ｍｍ以上、好ましくは、０．１ｍｍ以上であり、また、例えば、１ｍｍ以下、好ましくは、０．５ｍｍ以下である。隣接する配列マーク８の中心間の距離（すなわち、ピッチ）は、例えば、０．０５ｍｍ以上、好ましくは、０．１ｍｍ以上であり、例えば、１．０ｍｍ以下、好ましくは、０．８ｍｍ以下である。
切断マーク９の左右方向長さは、例えば、０．０５ｍｍ以上、好ましくは、０．１ｍｍ以上であり、また、例えば、１ｍｍ以下、好ましくは、０．５ｍｍ以下である。切断マーク９の幅（前後方向長さ）は、例えば、０．０５ｍｍ以上、好ましくは、０．１ｍｍ以上であり、また、例えば、１ｍｍ以下、好ましくは、０．２５ｍｍ以下である。前後方向に投影したときに、左右方向に隣接する配列マーク８および切断マーク９の間隔は、例えば、０．１ｍｍ以上、好ましくは、０．２ｍｍ以上であり、また、例えば、１ｍｍ以下、好ましくは、０．８ｍｍ以下である。切断マーク９の中心間のピッチは、例えば、０．０５ｍｍ以上、好ましくは、０．１ｍｍ以上であり、また、例えば、１．０ｍｍ以下、好ましくは、０．８ｍｍ以下である。
アライメントマーク７の厚みは、例えば、０．５μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、１０μｍ以下、好ましくは、５μｍ以下である。
アライメントマーク７の全光線透過率は、例えば、４０％以下、好ましくは、２０％以下、より好ましくは、１０％以下であり、また、例えば、０．１％以上である。
１−１．（２） 素子集合体仮固定シートの製造方法
次に、素子集合体仮固定シート１の製造方法を説明する。
この方法では、図３が参照されるように、まず、支持層２を用意し、続いて、アライメントマーク７を設ける。
アライメントマーク７を設ける方法は、特に限定されず、例えば、フォトリソグラフィーを用いる方法、感熱転写（例えば、特開２０００−１３５８７１号公報参照）、スタンプ、凸版印刷、凹版印刷、孔版印刷（スクリーン印刷）、インクジェット印刷（例えば、特開２０１４−１０８２３号公報参照）などが挙げられる。アライメントマーク７を精度よく配置する観点から、好ましくは、フォトリソグラフィーを用いる方法、スクリーン印刷が挙げられ、より好ましくは、フォトリソグラフィーを用いる方法が挙げられる。
フォトリソグラフィーを用いる方法では、具体的には、図４Ａ〜図４Ｃに示すように、感光層２１が設けられた支持層２を用意する工程（ａ）（図４Ａ参照）、および、フォトリソグラフィーにより、感光層２１からアライメントマーク７を現像パターン２３として形成する工程（ｂ）（図４Ｂおよび図４Ｃ参照）が順次実施される。
工程（ａ）では、図４Ａに示すように、支持層２と、その上面に設けられた感光層２１とを備える感光層付支持層２２を用意する。
感光層２１は、支持層２の上面全面に設けられている。感光層２１は、フォトリソグラフィーにより現像パターン２３を形成することができる感光材料からなる。感光材料としては、例えば、銀塩乳剤が挙げられる。銀塩乳剤は、例えば、銀塩を含有する。銀塩としては、例えば、ハロゲン化銀などの無機銀塩、例えば、酢酸銀などの有機銀塩が挙げられ、好ましくは、光に対する応答性に優れる、無機銀塩が挙げられる。
感光層２１の厚みは、例えば、０．５μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、１０μｍ以下、好ましくは、５μｍ以下である。
工程（ｂ）では、図４Ｂに示すように、活性エネルギー線を、フォトマスク（図示せず）を介して感光層２１に対して照射する。具体的には、ステンレスなどの金属からなるメタルマスクを用いて感光層２１を部分的に被覆し、その後、メタルマスクから露出する感光層２１に対して、レーザー光（ピーク波長１５０ｎｍ以上、２５０ｎｍ以下）を、照射する。
その後、図４Ｃに示すように、感光層２１を現像液に浸漬して、露光部分を残し、未露光部分を除去する（現像）。これにより、アライメントマーク７を現像パターン２３として形成する。
その後、図３に示すように、支持層２の上に素子集合体固定層３を設けるとともに、支持層２の下に第１感圧接着層４を設ける。
素子集合体固定層３および第１感圧接着層４のそれぞれを支持層２に設けるには、まず、素子集合体固定層３および第１感圧接着層４をそれぞれ用意する。
素子集合体固定層３を、例えば、第１剥離層５（図３の仮想線参照）の表面に設ける。
第１感圧接着層４を、例えば、第２剥離層６（図３の仮想線参照）の表面に設ける。
次いで、素子集合体固定層３を支持層２の上面に配置する。その際、アライメントマーク７を埋設するように、素子集合体固定層３を支持層２の上面に配置する。
また、第１感圧接着層４を支持層２の下面に配置する。
これによって、支持層２と、それらの上下のそれぞれに配置される素子集合体固定層３および第１感圧接着層４と、それらにそれぞれ配置される第１剥離層５および第２剥離層６とを備える素子集合体仮固定シート１を得る。
素子集合体仮固定シート１の厚みは、例えば、１５μｍ以上、好ましくは、４０μｍ以上であり、また、例えば、５５０μｍ以下、好ましくは、２６０μｍ以下である。
また、この素子集合体仮固定シート１は、可撓性を有する。
１−２．キャリア
キャリア１０は、素子集合体仮固定シート１（支持層２）を下方から支持するための支持板である。これにより、キャリア１０は、支持層２を支持している。キャリア１０は、前後方向および左右方向に延びる略平板状に形成されている。キャリア１０は、図１Ａに示すように、平面視において、素子集合体仮固定シート１と同一形状を有している。
また、キャリア１０は、仮固定部材３０における下部に位置している。キャリア１０は、素子集合体仮固定シート１の下面に直接接触している。具体的には、キャリア１０は、素子集合体固定層３の下面に感圧接着している。キャリア１０は、仮固定部材３０の下面を形成している。
キャリア１０は、硬質材料からなる。硬質材料としては、例えば、ガラスなどの透明材料、例えば、セラミック、ステンレスなど不透明材料が挙げられる。硬質材料のビッカース硬度は、例えば、０．５ＧＰａ以上、好ましくは、１ＧＰａ以上、より好ましくは、１．２ＧＰａ以上であり、また、例えば、１０ＧＰａ以下である。キャリア１０が硬質材料からなれば、具体的には、硬質材料のビッカース硬度が上記した下限以上であれば、素子集合体仮固定シート１を確実に支持することができる。
キャリア１０の厚みは、例えば、１００μｍ以上、好ましくは、３５０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、６００μｍ以下である。
１−３．仮固定部材の製造方法
仮固定部材３０を製造するには、図１Ａが参照されるように、まず、素子集合体仮固定シート１と、キャリア１０とをそれぞれ用意する。
具体的には、まず、第１感圧接着層４の下面にキャリア１０を配置する。
詳しくは、まず、図３の仮想線で示す第２剥離層６を第１感圧接着層４から剥離し、その後、図１Ａに示すように、キャリア１０を第１感圧接着層４の下面に直接接触させる。これによって、キャリア１０を第１感圧接着層４に感圧接着させる。
これによって、キャリア１０と、素子集合体仮固定シート１とを順次備える仮固定部材３０が得られる。また、仮固定部材３０は、素子集合体仮固定シート１の支持層２に備えられるアライメントマーク７を備える。
仮固定部材３０の厚みは、例えば、１１５μｍ以上、好ましくは、３９０μｍ以上であり、また、例えば、１５５０μｍ以下、好ましくは、８６０μｍ以下である。
１−４． 工程（２）
工程（２）は、工程（１）の後に実施される。
工程（２）では、図１Ａの仮想線矢印で示すように、まず、第１剥離層５を素子集合体固定層３の上面から剥離した後、図１Ｂに示すように、複数の光半導体素子１１を素子集合体固定層３の上面に仮固定する。この際、配列マーク８を基準にして、複数の光半導体素子１１を素子集合体固定層３の上面に整列配置（配列）する。また、複数の光半導体素子１１を、素子集合体固定層３における素子集合体形成領域１７に設ける。
具体的には、配列マーク８を視認しつつ、複数の光半導体素子１１の左右方向および前後方向における位置決めしながら、複数の光半導体素子１１を素子集合体固定層３の上面に直接接触させる。
配列マーク８を視認するには、仮固定部材３０の上方に設けられたカメラなどによって、配列マーク８の上方から、配列マーク８を視認する。この際は、素子集合体固定層３は、透明であることから、配列マーク８を素子集合体固定層３の上方から視認できる。
なお、光半導体素子１１は、上面と、上面と厚み方向に対向配置される下面と、上面および下面を連絡する周側面とを有する。下面には、電極が形成されている。
複数の光半導体素子１１は、素子集合体固定層３の上面において整列配置されることにより、素子集合体１６を構成する。
隣接する光半導体素子１１の間の間隔（前後方向および／または左右方向における間隔）は、例えば、０．０５ｍｍ以上、好ましくは、０．１ｍｍ以上であり、また、例えば、１．０ｍｍ以下、好ましくは、０．８ｍｍ以下である。なお、複数の光半導体素子１１のそれぞれの厚み（高さ）は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．２μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下である。複数の光半導体素子１１のそれぞれの左右方向長さおよび／または前後方向長さは、例えば、０．０５ｍｍ以上、好ましくは、０．１ｍｍ以上であり、また、例えば、１．０ｍｍ以下、好ましくは、０．８ｍｍ以下である。
１−５． 工程（３）
工程（３）では、図１Ｃの実線および図２の１点破線で示すように、次いで、封止層１２によって素子集合体１６を封止する。
例えば、半固形状または固形状の封止組成物からなる封止シートによって、素子集合体１６を封止する。あるいは、液体状の封止組成物をポッティングすることによって、素子集合体１６を封止する。封止組成物は、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの透明樹脂を含有する。封止組成物は、必要により、充填材、蛍光体、光反射性粒子など粒子を適宜の割合で含有することもできる。
封止層１２は、複数の光半導体素子１１のそれぞれの上面および側面と、複数の光半導体素子１１のそれぞれから露出する素子集合体固定層３の上面とを被覆する。封止層１２は、マーク形成領域１８における素子集合体固定層３の上面を露出するように、素子集合体形成領域１７の素子集合体固定層３の上面に設けられる。
これによって、複数の光半導体素子１１（素子集合体１６）と、１つの封止層１２とを備える封止素子集合体１９が得られる。つまり、封止素子集合体１９は、素子集合体仮固定シート１に仮固定された状態で、得られる。
封止層１２の厚みは、例えば、４０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、３００μｍ以下である。
１−６． 工程（４）
図１Ｄの１点破線および図２の２点破線で示すように、次いで、光半導体素子１１が個片化されるように、封止層１２を切断する。つまり、封止素子集合体１９（後述する封止光半導体素子１３）が個片化される。
封止層１２を切断するには、例えば、切断刃を備える切断装置、例えば、レーザー照射源を備える切断装置が用いられる。
切断刃を備える切断装置としては、例えば、円盤状のダイシングソー（ダイシングブレード）を備えるダイシング装置、例えば、カッターを備えるカッティング装置が挙げられる。
好ましくは、切断刃を備える切断装置、より好ましくは、ダイシング装置が用いられる。
上記した切断装置による封止層１２の切断では、アライメントマーク７の切断マーク９を基準にして、封止層１２を切断する。また、配列マーク８の視認に用いたカメラと同一のカメラによって、アライメントマーク７の切断マーク９を上方から視認しながら、封止層１２を切断する。
切断された封止層１２の前後方向長さおよび／または左右方向長さは、例えば、２０ｍｍ以上、好ましくは、４０ｍｍ以上であり、また、例えば、１５０ｍｍ以下、好ましくは、１００ｍｍ以下である。
これによって、１つの光半導体素子１１と、１つの封止層１２とを備える封止光半導体素子１３が、素子集合体固定層３（仮固定部材３０）に仮固定された状態で、複数得られる。
１−７． 工程（５）
工程（５）では、図１Ｄの矢印で示すように、複数の封止光半導体素子１３のそれぞれを、素子集合体固定層３から剥離する。
１−８．キャリアの再利用、および、光半導体装置の製造
その後、複数の封止光半導体素子１３が剥離された仮固定部材３０では、キャリア１０を第１感圧接着層４から剥離し、キャリア１０を再利用する。一方、素子集合体仮固定シート１（支持層２、素子集合体固定層３および第１感圧接着層４）を、廃棄する。つまり、素子集合体仮固定シート１は、使い捨てである。
その後、図１Ｅに示すように、封止光半導体素子１３を基板１４にフリップチップ実装する。
基板１４は、前後方向および左右方向に延びる平板形状を有している。基板１４の上面には、光半導体素子１１の電極と電気的に接続される端子が形成されている。
これにより、封止光半導体素子１３と、基板１４とを備える光半導体装置１５が得られる。
２．第１実施形態の作用効果
この方法によれば、硬質のキャリア１０ではなく、合成樹脂からなる支持層２に、アライメントマーク７を設けるので、キャリア１０を支持層２から剥離すれば、キャリア１０を再利用することができる。
また、合成樹脂からなる支持層２に、アライメントマーク７が設けられるので、アライメントマーク７を支持層２に容易に形成することができる。
また、この方法によれば、キャリア１０により、第１感圧接着層４を介して確実かつ簡便に支持層２を支持することができる。
３．第１実施形態の変形例
第１実施形態では、図２に示すように、配列マーク８は略円形状を有し、切断マーク９は、略直線形状を有している。しかし、アライメントマーク７のそれぞれの形状は、特に限定されない。
第１実施形態では、素子集合体固定層３を、まず、第１剥離層５（図３の仮想線参照）の表面に形成した後、素子集合体固定層３を第１剥離層５から支持層２に転写しているが、変形例では、例えば、支持層２の上面に直接形成することもできる。
第１実施形態では、第１感圧接着層４を、まず、第２剥離層６（図３の仮想線参照）の表面に形成した後、第１感圧接着層４を第２剥離層６から支持層２に転写しているが、変形例では、例えば、支持層２の下面に直接形成することもできる。
また、第１実施形態では、図３に示すように、アライメントマーク７が支持層２の上面に設けられている。
変形例では、図５Ａに示すように、アライメントマーク７は、支持層２の下面に設けられる。
第１感圧接着層４は、アライメントマーク７を埋設している。
図５Ｂに示すように、複数の光半導体素子１１を素子集合体固定層３に配列する際には、仮固定部材３０の上方に配置されたカメラによって、素子集合体固定層３および支持層２を介して、配列マーク８を視認する。
また、図５Ｄに示すように、封止層１２を切断する際には、上記したカメラによって、素子集合体固定層３および支持層２を介して、切断マーク９を視認する。
さらに、図示しないが、アライメントマーク７を、支持層２の上下両面に設けることもできる。
好ましくは、アライメントマーク７を、支持層２の一方面のみ、つまり、上面のみ、あるいは、下面のみに設ける。アライメントマーク７を支持層２の一方面のみに設ければ、アライメントマーク７を支持層２の上下両面に設ける場合に比べて、アライメントマーク７を簡易に形成することができ、その分、製造コストを低減することができる。
より好ましくは、第１実施形態の図３に示すように、アライメントマーク７は、支持層２の上面に設けられる。この構成によれば、アライメントマーク７が支持層２の下面に設けられる図５Ａの場合に比べて、アライメントマーク７を上方からより確実に視認することができる。
さらに、第１実施形態では、図１Ｄの１点破線で示すように、封止層１２を切断して、封止素子集合体１９を個片化している。
しかし、変形例では、図６Ａに示すように、封止層１２を切断することなく、封止素子集合体１９を素子集合体固定層３から剥離し、その後、図６Ｂに示すように、封止素子集合体１９を基板１４にフリップチップ実装する。つまり、この変形例は、第１実施形態の工程（４）を備えず、工程（１）〜（３）および（５）を順次備える。
この変形例では、封止層１２を切断する工程（４）を実施しないので、図示しないが、アライメントマーク７は、切断マーク９を備えず、配列マーク８のみからなっていてもよい。
４．第２実施形態
第２実施形態において、第１実施形態と同じ部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
第１実施形態では、図１Ａおよび図３に示すように、素子集合体仮固定シート１（具体的には、支持層２）にアライメントマーク７を設けている。
しかし、キャリア１０以外の部材であれば、特に限定されず、第２実施形態では、例えば、図７Ａに示すように、アライメントマーク７を、素子集合体仮固定シート１とは別のマーク層３１に設けることができる。
工程（１）では、仮固定部材３０において、マーク層３１が、キャリア１０の下に設けられる。マーク層３１は、仮固定部材３０に備えられる。つまり、仮固定部材３０は、素子集合体仮固定シート１、キャリア１０およびマーク層３１を順に備える。マーク層３１は、キャリア１０に支持される。
マーク層３１は、厚み方向を貫通する貫通孔２６を備える。また、マーク層３１は、キャリア１０の下面に配置されるマーク感圧接着層３３と、マーク感圧接着層３３を支持するマーク支持層３２とを順に備える。貫通孔２６は、マーク感圧接着層３３およびマーク支持層３２をまとめて貫通することにより、アライメントマーク７として設けられる。
マーク感圧接着層３３は、上記した素子集合体固定層３と同様の感圧接着剤からなり、素子集合体固定層３と同様の物性を有する。マーク支持層３２は、支持層２と同様の合成樹脂からなり、支持層２と同様の物性を有する。
とりわけ、マーク支持層３２およびマーク感圧接着層３３のうち、例えば、いずかの層が有色であり、残りの層が無色である。有色の上記した層の全光線透過率は、それぞれ、例えば、８０％以下、好ましくは、６５％以下、より好ましくは、５０％以下である。
一方、キャリア１０は、好ましくは、上方からのアライメントマーク７の視認性を向上させるために、無色である。キャリア１０は、好ましくは、透明材料からなる。さらに、素子集合体固定層３、支持層２および第１感圧接着層４は、好ましくは、無色である。キャリア１０、素子集合体固定層３、支持層２および第１感圧接着層４の全光線透過率は、それぞれ、例えば、８０％以上、好ましくは、９０％以上、より好ましくは、９５％以上であり、また、例えば、９９．９％以下である。
従って、キャリア１０、素子集合体固定層３、支持層２および第１感圧接着層４が無色であり、マーク層３１において少なくとも１層が有色であれば、貫通孔２６は、無色となることが平面視において視認される。つまり、有色のマーク層３１において少なくとも１層と、無色の貫通孔２６とのコントラストによって、図９に示すように、貫通孔２６が明確に視認される。
この素子集合体仮固定シート１を製造するには、図７Ａに示すように、工程（１）において、マーク層３１、キャリア１０および素子集合体仮固定シート１を順に備える素子集合体仮固定シート１を用意する。
マーク層３１は、図１０が参照されるように、まず、第３剥離層３５、マーク感圧接着層３３およびマーク支持層３２を順に備える積層体を用意し、その後、積層体（第３剥離層３５、マーク感圧接着層３３およびマーク支持層３２）を厚み方向に貫通する貫通孔２６を、アライメントマーク７として形成する。
貫通孔２６は、例えば、切削、打抜、レーザー加工などによって形成する。好ましくは、レーザー加工によって、貫通孔２６を形成する。レーザー加工としては、例えば、エキシマレーザー、ＹＡＧレーザー、ＣＯ２レーザーなどが挙げられ、好ましくは、仮固定部材３０をリールツーリールで連続的に製造する観点、および、貫通孔２６を広域エリアに形成する観点から、ＹＡＧレーザーが挙げられる。
その後、第３剥離層３５をマーク感圧接着層３３から剥離し、次いで、マーク感圧接着層３３の上面をキャリア１０の下面に感圧接着する。
別途、素子集合体仮固定シート１の第１感圧接着層４をキャリア１０の上面に感圧接着する。
その後、図７Ｂに示すように、工程（２）において、配列マーク８を基準にして、複数の光半導体素子１１を素子集合体固定層３の上面に整列配置（配列）する。
この際、配列マーク８を上方から視認しつつ、複数の光半導体素子１１の左右方向および前後方向における位置決めしながら、複数の光半導体素子１１を素子集合体固定層３の上面に直接接触させる。
具体的には、配列マーク８（貫通孔２６）を無色として視認する。配列マーク８（貫通孔２６）は、マーク感圧接着層３３およびマーク支持層３２の少なくともいずれか一方の有色とのコントラストによって、明確に視認される（図９参照）。
また、図８Ｄに示すように、工程（４）において、封止層１２を切断する際には、切断マーク９を基準にする。具体的には、切断マーク９（貫通孔２６）を、上記した配列マーク８（貫通孔２６）の視認と同様の方法により、視認する（図９参照）。
図８Ｄの矢印で示すように、工程（５）において、複数の封止光半導体素子１３のそれぞれを、素子集合体固定層３から剥離し、続いて、仮固定部材３０では、キャリア１０を第１感圧接着層４（素子集合体仮固定シート１）およびマーク感圧接着層３３（マーク層３１）からそれぞれ剥離し、キャリア１０を再利用する。一方、素子集合体仮固定シート１（支持層２、素子集合体固定層３および第１感圧接着層４）と、マーク層３１（マーク支持層３２およびマーク感圧接着層３３）とを、廃棄する。つまり、素子集合体仮固定シート１およびマーク層３１は、使い捨てである。
５．第２実施形態の作用効果
第２実施形態によっても、第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
さらに、この方法によれば、硬質のキャリア１０ではなく、マーク層３１に、アライメントマーク７を設けるので、キャリア１０をマーク層３１から分離すれば、キャリア１０を再利用することができる。
また、アライメントマーク７をマーク層３１に簡便かつ容易に形成することができる。
上記の方法では、図１０に示すように、第３剥離層３５、マーク感圧接着層３３およびマーク支持層３２をまとめて貫通する貫通孔２６を形成している。しかし、例えば、図１１に示すように、第３剥離層３５を貫通せず、マーク感圧接着層３３およびマーク支持層３２のみを貫通する貫通孔２６を形成することもできる。
また、図示しないが、アライメントマーク７を、マーク層３１において厚み方向途中に凹む凹部として設けることもできる。
さらに、図示しないが、アライメントマーク７を、貫通孔２６ではなく、第１実施形態で例示した不透明な材料から形成することができる。例えば、アライメントマーク７を、マーク支持層３２に設ける。
好ましくは、アライメントマーク７を、マーク層３１を貫通する貫通孔２６として形成する。アライメントマーク７を、マーク層３１を貫通する貫通孔２６として形成すれば、アライメントマーク７を簡便かつ容易に形成することができる。
６．第３実施形態
第３実施形態において、第１および第２実施形態と同じ部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
６−１． 工程（１）
工程（１）において、図１２Ａに示すように、素子集合体仮固定シート１およびキャリア１０を順に備える仮固定部材３０を用意する。
素子集合体仮固定シート１は、第１感圧接着層４（図３の実線参照）を備えず、支持層２と、素子集合体固定層３とを備える。また、素子集合体仮固定シート１は、図１２Ａに図示しないが、さらに、第１剥離層５（図３参照）を備えることもできる。好ましくは、素子集合体仮固定シート１は、支持層２および素子集合体固定層３のみからなり、また、必要により、好ましくは、支持層２、素子集合体固定層３および第１剥離層５のみからなる。
素子集合体仮固定シート１を製造するには、まず、支持層２を用意し、続いて、上記した方法（図４Ａ〜図４Ｃの方法）により、アライメントマーク７を支持層２に設ける。その後、素子集合体固定層３を支持層２の上面全面に設ける。
工程（１）において、仮固定部材３０を用意するには、まず、第１剥離層５（図１３参照）を素子集合体固定層３から剥離し、続いて、図１２Ａに示すように、キャリア１０を素子集合体固定層３の上面に配置する。
キャリア１０は、ガラスなどの透明材料からなる。キャリア１０の全光線透過率は、例えば、８０％以上、好ましくは、９０％以上、より好ましくは、９５％以上であり、また、例えば、９９．９％以下である。
これにより、支持層２、素子集合体固定層３およびキャリア１０を順次備える仮固定部材３０が得られる。仮固定部材３０は、好ましくは、支持層２、素子集合体固定層３およびキャリア１０のみからなる。
仮固定部材３０の厚みは、例えば、１１５μｍ以上、好ましくは、３９０μｍ以上であり、また、例えば、１５５０μｍ以下、好ましくは、８６０μｍ以下である。
６−２． 工程（２）
工程（２）では、図１２Ｂに示すように、素子集合体１６をキャリア１０に支持させる。
具体的には、まず、図１２Ａに示すように、キャリア１０の上面に第２感圧接着層２５を配置する。
第２感圧接着層２５は、平板形状を有しており、所定の厚みを有し、左右方向および前後方向に延び、平坦な表面および平坦な裏面を有している。第２感圧接着層２５は、感圧接着性（粘着性）を有する。第２感圧接着層２５は、図３に示す上記した素子集合体仮固定シート１（支持層２、素子集合体固定層３、第１感圧接着層４）と同様の層構成を有する。また、第２感圧接着層２５は、特開２０１４−１６８０３６号公報に記載の粘着層からなることもできる。なお、第２感圧接着層２５は、平面視において、素子集合体仮固定シート１に対して小さい寸法を有しており、具体的には、厚み方向に投影したときに、アライメントマーク７と重ならないように、配置されている。具体的には、第２感圧接着層２５は、キャリア１０の素子集合体形成領域１７に配置されている。第２感圧接着層２５の厚みは、例えば、３０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、３００μｍ以下である。
図１２Ｂに示すように、次いで、複数の光半導体素子１１を第２感圧接着層２５の上面に感圧接着する。
この際、アライメントマーク７の配列マーク８を、仮固定部材３０の上方から視認しながら、配列マーク８を基準にして、複数の光半導体素子１１を第２感圧接着層２５の上面に整列配置（配列）する。配列マーク８を、透明であるキャリア１０および素子集合体固定層３を介して、視認する。
これにより、１つの第２感圧接着層２５と、複数の光半導体素子１１とを備える素子集合体１６が、キャリア１０に支持された状態で得られる。つまり、素子集合体１６は、キャリア１０に支持される。つまり、素子集合体１６は、キャリア１０を介して素子集合体仮固定シート１（素子集合体固定層３）に仮固定されている。
６−３． 工程（３）
工程（３）では、図１２Ｃに示すように、次いで、封止層１２によって、素子集合体１６における複数の光半導体素子１１を封止する。
封止層１２は、複数の光半導体素子１１のそれぞれの上面および側面と、複数の光半導体素子１１のそれぞれから露出する第２感圧接着層２５の上面とを被覆している。一方、封止層１２は、キャリア１０の上面に形成されない。
これにより、素子集合体１６と、素子集合体１６を被覆する封止層１２とを備える封止素子集合体１９が得られる。封止素子集合体１９は、１つの第２感圧接着層２５と、複数の光半導体素子１１と、１つの封止層１２とを順次備える。封止素子集合体１９は、好ましくは、１つの第２感圧接着層２５と、複数の光半導体素子１１と、１つの封止層１２とのみからなる。
６−４． 工程（４）
工程（４）では、図１２Ｄの１点破線で示すように、次いで、封止層１２を切断する。
これにより、１つの光半導体素子１１と、１つの封止層１２とを備える封止光半導体素子１３が、第２感圧接着層２５に仮固定された状態で、複数得られる。
６−５． 工程（５）
工程（５）では、図１２Ｅに示すように、封止素子集合体１９を、キャリア１０の上面から剥離する。
続いて、図１２Ｅの矢印で示すように、複数の封止光半導体素子１３のそれぞれを第２感圧接着層２５から剥離する。
６−６．キャリアの再利用、および、光半導体装置の製造
仮固定部材３０では、キャリア１０を、素子集合体固定層３の上面から剥離して、キャリア１０を再利用する。一方、素子集合体仮固定シート１（支持層２および素子集合体固定層３）を、廃棄する。つまり、素子集合体仮固定シート１は、使い捨てである。
図１２Ｆに示すように、その後、封止光半導体素子１３を基板１４にフリップチップ実装して、光半導体装置１５を得る。
７． 第３実施形態の作用効果
第３実施形態によっても、第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
詳しくは、キャリア１０により、第２感圧接着層２５を介して、確実かつ簡便に支持層２を支持することができる。
また、この素子集合体仮固定シート１は、図１３に示すように、第１感圧接着層４（図３参照）を備えないので、第１感圧接着層４を備える第１実施形態の素子集合体仮固定シート１に比べて、層構成を簡単にすることができる。
８．第３実施形態の変形例
第３実施形態では、図１２Ａに示すように、アライメントマーク７が支持層２の上面に設けられている。
変形例では、図１４Ａに示すように、アライメントマーク７は、支持層２の下面に設けられる。
アライメントマーク７は、下方に向かって露出している。
図１４Ｂに示すように、工程（２）において、複数の光半導体素子１１を第２感圧接着層２５に配列する際には、仮固定部材３０の上方に配置されたカメラによって、キャリア１０、素子集合体固定層３および支持層２を介して、配列マーク８を視認する。
図１４Ｄに示すように、工程（４）において、封止層１２を切断する際には、上記したカメラによって、キャリア１０、素子集合体固定層３および支持層２を介して、切断マーク９を視認する。
さらに、図示しないが、アライメントマーク７を、支持層２の上下両面に設けることもできる。
好ましくは、アライメントマーク７を、支持層２の一方面のみ、つまり、上面のみ、あるいは、下面のみに設ける。アライメントマーク７を支持層２の一方面のみに設ければ、アライメントマーク７を支持層２の上下両面に設ける場合に比べて、アライメントマーク７を簡易に形成することができ、その分、製造コストを低減することができる。
より好ましくは、第３実施形態の図１３に示すように、アライメントマーク７は、支持層２の上面に設けられる。この構成によれば、アライメントマーク７が支持層２の下面に設けられる図１４Ａの場合に比べて、アライメントマーク７を上方からより確実に視認することができる。
また、図示しないが、アライメントマーク７を支持層２を厚み方向に貫通する貫通孔または凹部として設けることもできる。
さらに、第３実施形態では、図１２Ｄの１点破線で示すように、封止層１２を切断している。
しかし、変形例では、図１５Ａに示すように、封止層１２を切断することなく、第２感圧接着層２５を、キャリア１０の上面から剥離する。つまり、工程（４）を実施しない。
次いで、図１５Ｂに示すように、封止素子集合体１９を、複数の光半導体素子１１のそれぞれの下面、および、封止層１２の下面から剥離する。
その後、図１５Ｃに示すように、複数の光半導体素子１１を、基板１４にフリップチップ実装する。
この変形例は、第３実施形態の工程（４）を備えず、工程（１）〜（３）および（５）を順次備える。
この変形例では、図１５Ａに示すように、封止層１２を切断する工程（４）を実施しないので、図示しないが、アライメントマーク７は、切断マーク９を備えず、配列マーク８のみからなっていてもよい。
以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限値（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限値（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。
実施例１（第１実施形態に対応する実施例）
１−１． 工程（１）
図４Ａが参照されるように、まず、ＰＥＴからなる厚み１７５μｍの支持層２と、その上面に設けられ、ハロゲン化銀を含有する銀塩乳剤からなる厚み３μｍの感光層２１とを備える感光層付支持層２２を用意した（工程（ａ））。感光層付支持層２２の前後方向長さは、６００ｍｍであり、左右方向長さは、５００ｍｍであった。
支持層２の全光線透過率は、９５％であった。支持層２の線膨張係数は、７０×１０−６Ｋ−１であった。支持層２の２５℃における引張弾性率Ｅは、６０ＭＰａであった。
素子集合体固定層３の全光線透過率は、９５％であった。素子集合体固定層３の線膨張係数は、２２０×１０−６Ｋ−１であった。
続いて、図４Ｂに示すように、ステンレスからなるメタルマスクを用いて感光層２１を部分的に被覆し、その後、メタルマスクから露出する感光層２１に対して、ピーク波長が１９３ｎｍであるレーザー光を、照射した。これにより、配列マーク８と、切断マーク９とを、露光パターンとして形成した。
その後、感光層付支持層２２を現像液に浸漬することにより、露光部分を残し、未露光部分を除去した（現像した）。これにより、図２および図４Ｃに示すように、円形状の配列マーク８と、直線形状の切断マーク９とを有するアライメントマーク７を、現像パターン２３として形成した。
配列マーク８の直径は、０．５ｍｍであり、隣接する配列マーク８間の間隔は、１．１４ｍｍであり、隣接する配列マーク８のピッチは、１．６４ｍｍであった。切断マーク９の左右方向長さが、０．５ｍｍであり、前後方向長さが、０．２ｍｍであった。隣接する切断マーク９間の間隔は、１．６２ｍｍであり、隣接する切断マーク９のピッチは、１．６４ｍｍであった。
アライメントマーク７は、不透明であり、全光線透過率が、１０％であった。
別途、第１剥離層５の表面にシリコーン系粘着剤からなる厚み２５μｍの素子集合体固定層３を用意する一方、第２剥離層６の表面にシリコーン系粘着剤からなる厚み１５μｍの第１感圧接着層４を用意した。
次いで、素子集合体固定層３を支持層２の上面に、アライメントマーク７を含むように配置するとともに、第１感圧接着層４を支持層２の下面に配置した。
これによって、図３に示すように、第２剥離層６、第１感圧接着層４、支持層２、素子集合体固定層３および第１剥離層５を順次備える素子集合体仮固定シート１を得た。
その後、第２剥離層６を第１感圧接着層４から剥離し、その後、図１Ａに示すように、第１感圧接着層４の下面に、ガラスからなる厚み７００μｍのキャリア１０を配置した。
これにより、図１Ａに示すように、素子集合体仮固定シート１と、その下に設けられるキャリア１０とを備える仮固定部材３０を用意した。仮固定部材３０の厚みは、７９０μｍであった。
１−４． 工程（２）
図１Ａの仮想線矢印で示すように、第１剥離層５を、素子集合体固定層３の上面から剥離した後、図１Ｂに示すように、複数の光半導体素子１１を、配列マーク８を基準にして、素子集合体固定層３に整列配置した。この際、配列マーク８を上方からカメラが視認した。
光半導体素子１１の厚みは、１５０μｍであり、光半導体素子１１の左右方向長さおよび前後方向長さは、１．１４ｍｍであり、隣接する光半導体素子１１の間の間隔は、０．５ｍｍ以上であった。
１−５． 工程（３）
図１Ｃに示すように、次いで、封止層１２によって素子集合体１６を封止した。封止層１２は、シリコーン樹脂１００質量部および蛍光体１５質量部を含有する封止組成物から形成した。封止層１２の厚みは、４００μｍであった。これにより、複数の光半導体素子１１と、１つの封止層１２とを備える封止素子集合体１９を得た。
１−６． 工程（４）
図１Ｄの１点破線および図２で示すように、次いで、切断マーク９を基準として、封止層１２をダイシングソーで切断して、封止素子集合体１９を個片化した。この際、切断マーク９を上方からカメラが視認した。切断された封止層１２の左右方向長さおよび前後方向長さは、それぞれ、１００ｍｍであった。
これによって、光半導体素子１１と、封止層１２とを備える封止光半導体素子１３を、仮固定部材３０に仮固定された状態で、複数得た。
１−７． 工程（５）
続いて、図１Ｄの矢印で示すように、複数の封止光半導体素子１３のそれぞれを、素子集合体固定層３から剥離した。
その後、図１Ｅに示すように、封止光半導体素子１３を基板１４にフリップチップ実装した。
実施例２（第１実施形態に対応する実施例）
工程（１）において、アライメントマーク７を、カーボンブラックを含む塗布液のインクジェット印刷および乾燥により形成した以外は、実施例１と同様に処理して、素子集合体仮固定シート１を得、続いて、素子集合体仮固定シート１を使用して、封止光半導体素子１３を製造し、引き続き、光半導体装置１５を製造した。
実施例３（第２実施形態に対応する実施例）
工程（１）において、下記の通り変更した以外は、実施例１と同様に処理して、素子集合体仮固定シート１を得、続いて、素子集合体仮固定シート１を使用して、封止光半導体素子１３を製造し（図７Ａ〜図８Ｄ参照）、引き続き、光半導体装置１５を製造した（図８Ｅ参照）。
工程（１）では、図１０が参照されるように、まず、ポリエステルからなる厚み５０μｍの第３剥離層３５、シリコーン系感圧接着剤からなる厚み６μｍのマーク感圧接着層３３、および、ポリイミドからなる厚み２５μｍのマーク支持層３２を備える積層体（商品名「ＴＲＭ−６２５０−Ｌ」、日東電工社製）を用意した。
支持層２の全光線透過率は、９５％であった。支持層２の線膨張係数は、７０×１０−６Ｋ−１であった。支持層２の２５℃における引張弾性率Ｅは、６０ＭＰａであった。
素子集合体固定層３の全光線透過率は、９５％であった。素子集合体固定層３の線膨張係数は、２２０×１０−６Ｋ−１であった。
次いで、図１０に示すように、ＹＡＧレーザーによって、実施例１と同様のパターンで、貫通孔２６を、積層体を貫通するように形成した。ＹＡＧレーザーの条件は、以下の通りであった。
ＹＡＧレーザー： ＭＯＤＥＬ５３３０（ＥＳＩ社製）
ビーム径：５μｍ
レーザーパワー：２．５Ｗ
パルスの繰返し周波数：３０ｋＨｚ
走査速度＝１５０ｍｍ／秒
これにより、第３剥離層３５およびそれに支持されるマーク層３１（マーク感圧接着層３３およびマーク支持層３２）に、貫通孔２６をアライメントマーク７として形成した。
その後、第３剥離層３５をマーク感圧接着層３３から剥離し、続いて、図７Ａに示すように、マーク感圧接着層３３を、キャリア１０の下面に感圧接着した。別途、素子集合体仮固定シート１における第１感圧接着層４の下面を、キャリア１０の上面に感圧接着した。
これにより、キャリア１０と、キャリア１０に支持される素子集合体仮固定シート１と、キャリア１０に支持されるマーク層３１とを備える仮固定部材３０を得た。
実施例４（第３実施形態に対応する実施例）
４−１． 工程（１）
第２剥離層６および第１感圧接着層４を備えない以外は、実施例１と同様に処理して、素子集合体仮固定シート１を得た。つまり、図１３に示すように、この素子集合体仮固定シート１は、支持層２、素子集合体固定層３および第１剥離層５を順次備えた。素子集合体仮固定シート１の厚みは、１００μｍであった。
その後、第１剥離層５を素子集合体固定層３から剥離し、続いて、図１２Ａに示すように、素子集合体固定層３の上面に、ガラスからなる厚み７００μｍのキャリア１０を配置した。これにより、仮固定部材３０を用意した。仮固定部材３０の厚みは、８００μｍであった。
４−２． 工程（２）
別途、支持層２、素子集合体固定層３、第１感圧接着層４からなる素子集合体仮固定シート１からなる厚み９０μｍの第２感圧接着層２５を、キャリア１０の上面に配置した。
図１２Ｂに示すように、次いで、複数の光半導体素子１１を、配列マーク８を基準にして、第２感圧接着層２５の上面に整列配置した。この際、配列マーク８を上方からカメラが視認した。光半導体素子１１の寸法および隣接する光半導体素子１１間の寸法は、実施例１と同様であった。
これにより、第２感圧接着層２５と、複数の光半導体素子１１とを備える素子集合体１６を、素子集合体仮固定シート１にキャリア１０を介して支持された状態で、得た。
４−３． 工程（３）
図１２Ｃに示すように、次いで、封止層１２によって、素子集合体１６における複数の光半導体素子１１を封止した。封止層１２は、シリコーン樹脂１００質量部および蛍光体１５質量部を含有する封止組成物から形成した。封止層１２の厚みは、４００μｍであった。
これにより、素子集合体１６と、複数の光半導体素子１１を被覆する封止層１２とを備える封止素子集合体１９を得た。
４−４． 工程（４）
図１２Ｄの１点破線で示すように、次いで、切断マーク９を基準として、封止層１２をダイシングソーで切断した。この際、切断マーク９を上方からカメラが視認した。切断された封止層１２の左右方向長さおよび前後方向長さは、それぞれ、１．６２ｍｍであった。
４−５． 工程（５）
その後、図１２Ｅの矢印で示すように、封止素子集合体１９を、キャリア１０の上面から剥離した。続いて、複数の封止光半導体素子１３のそれぞれを第２感圧接着層２５から剥離した。
その後、図１２Ｆに示すように、封止光半導体素子１３を基板１４にフリップチップ実装して、光半導体装置１５を得た。
実施例５（第３実施形態に対応する実施例）
工程（１）において、アライメントマーク７を、カーボンブラックを含む塗布液のインクジェット印刷および乾燥により形成した以外は、実施例４と同様に処理して、素子集合体仮固定シート１を得、続いて、素子集合体仮固定シート１を使用して、封止光半導体素子１３を製造し、引き続き、光半導体装置１５を製造した。
２ 支持層
３ 素子集合体固定層
４ 第１感圧接着層
７ アライメントマーク
１０ キャリア
１１ 光半導体素子
１２ 封止層
１３ 封止光半導体素子
１６ 素子集合体
１９ 封止素子集合体
２３ 現像パターン
２５ 第２感圧接着層
３０ 仮固定部材
３１ マーク層

Claims (6)

  1. 硬質のキャリア、前記キャリアに支持され、合成樹脂からなる支持層、および、前記支持層に支持される固定層を備える仮固定部材を用意する工程（１）と、
    複数の光半導体素子が整列配置される素子集合体を前記固定層に仮固定する工程（２）と、
    前記工程（２）の後に、封止層によって複数の前記光半導体素子を被覆して、前記素子集合体および前記封止層を備える封止素子集合体を得る工程（３）と、
    前記工程（３）の後に、前記封止光半導体素子を個片化するように、前記封止層を切断する工程（４）と、
    前記工程（４）の後に、前記封止素子集合体を前記固定層から剥離する工程（５）とを備え、
    前記支持層には、アライメントマークが設けられ、
    前記工程（２）では、前記アライメントマークを基準にして、前記素子集合体を前記固定層に仮固定し、および／または、前記工程（４）では、前記アライメントマークを基準にして、前記封止層を切断することを特徴とする、封止光半導体素子の製造方法。
  2. 硬質のキャリア、前記キャリアに支持され、合成樹脂からなる支持層、前記支持層に支持される固定層、および、前記キャリアに支持されるマーク層を備える仮固定部材を用意する工程（１）と、
    複数の光半導体素子が整列配置される素子集合体を前記固定層に仮固定する工程（２）と、
    前記工程（２）の後に、封止層によって複数の前記光半導体素子を被覆して、前記素子集合体および前記封止層を備える封止素子集合体を得る工程（３）と、
    前記工程（３）の後に、前記封止光半導体素子を個片化するように、前記封止層を切断する工程（４）と、
    前記工程（４）の後に、前記封止素子集合体を前記固定層から剥離する工程（５）とを備え、
    前記マーク層には、アライメントマークが設けられ、
    前記工程（２）では、前記アライメントマークを基準にして、前記素子集合体を前記固定層に仮固定し、および／または、前記工程（４）では、前記アライメントマークを基準にして、前記封止層を切断することを特徴とする、封止光半導体素子の製造方法。
  3. 硬質のキャリア、前記キャリアに支持され、合成樹脂からなる支持層、および、前記支持層に支持される固定層を備える仮固定部材を用意する工程（１）と、
    複数の光半導体素子が整列配置される素子集合体を前記固定層に仮固定する工程（２）と、
    前記工程（２）の後に、封止層によって複数の前記光半導体素子を被覆して、前記素子集合体および前記封止層を備える封止素子集合体を得る工程（３）と、
    前記工程（３）の後に、前記封止素子集合体を前記固定層から剥離する工程（５）とを備え、
    前記支持層には、アライメントマークが設けられ、
    前記工程（２）では、前記アライメントマークを基準にして、前記素子集合体を前記固定層に仮固定することを特徴とする、封止光半導体素子の製造方法。
  4. 硬質のキャリア、前記キャリアに支持され、合成樹脂からなる支持層、前記支持層に支持される固定層、および、前記キャリアに支持されるマーク層を備える仮固定部材を用意する工程（１）と、
    複数の光半導体素子が整列配置される素子集合体を前記固定層に仮固定する工程（２）と、
    前記工程（２）の後に、封止層によって複数の前記光半導体素子を被覆して、前記素子集合体および前記封止層を備える封止素子集合体を得る工程（３）と、
    前記工程（３）の後に、前記封止素子集合体を前記固定層から剥離する工程（５）とを備え、
    前記マーク層には、アライメントマークが設けられ、
    前記工程（２）では、前記アライメントマークを基準にして、前記素子集合体を前記固定層に仮固定することを特徴とする、封止光半導体素子の製造方法。
  5. 前記仮固定部材は、第１感圧接着層をさらに備え、
    前記仮固定部材は、前記キャリア、前記第１感圧接着層、前記支持層および前記固定層を順に備えることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の封止光半導体素子の製造方法。
  6. 前記素子集合体は、複数の前記光半導体素子と、複数の前記光半導体素子を仮固定する第２感圧接着層とを備え、
    前記工程（５）では、前記第２感圧接着層を前記キャリアから剥離することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の封止光半導体素子の製造方法。
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