TWI711191B - 密封光半導體元件之製造方法 - Google Patents

密封光半導體元件之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI711191B
TWI711191B TW106107112A TW106107112A TWI711191B TW I711191 B TWI711191 B TW I711191B TW 106107112 A TW106107112 A TW 106107112A TW 106107112 A TW106107112 A TW 106107112A TW I711191 B TWI711191 B TW I711191B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
optical semiconductor
element assembly
sealing
carrier
Prior art date
Application number
TW106107112A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201742273A (zh
Inventor
江部悠紀
梅谷栄弘
野呂弘司
北山善彥
三田亮太
Original Assignee
大陸商日東電工（上海松江）有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 大陸商日東電工（上海松江）有限公司 filed Critical 大陸商日東電工（上海松江）有限公司
Publication of TW201742273A publication Critical patent/TW201742273A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI711191B publication Critical patent/TWI711191B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本發明之密封光半導體元件之製造方法包括：步驟(1)，其係準備暫固定構件，該暫固定構件具備硬質之載體、支持於載體且包含合成樹脂之支持層、及支持於支持層之固定層；步驟(2)，其係將複數個光半導體元件整齊配置而成之元件集合體暫固定於固定層；步驟(3)，其係於步驟(2)之後，藉由密封層覆蓋複數個光半導體元件，而獲得具備元件集合體及密封層之密封元件集合體；步驟(4)，其係於步驟(3)之後，以使密封光半導體元件單片化之方式將密封層切斷；及步驟(5)，其係於步驟(4)之後，將密封元件集合體自固定層剝離。且於支持層設置有對準標記；於步驟(2)中，以對準標記為基準將元件集合體暫固定於固定層；及/或，於步驟(4)中，以對準標記為基準將密封層切斷。

Description

密封光半導體元件之製造方法
本發明係關於一種密封光半導體元件之製造方法。
先前，已知有藉由螢光體層等覆蓋層覆蓋複數個LED(Light Emitting Diode，發光二極體)而製作覆蓋LED之技術。 例如，提出有如下方法：準備具備硬質之支持板之支持片材，將半導體元件配置於支持片材之上表面，利用密封層覆蓋半導體元件，其後，將密封層對應於半導體元件而切斷(例如，參照日本專利特開2014-168036號公報)。 於日本專利特開2014-168036號公報中，於支持板設置有基準標記，以該基準標記為基準而將密封層切斷。
然而，存在欲再利用支持板之情形。但因於支持板設置有標記，故存在無法再利用此類支持板之問題。 進而，因支持板為硬質，故亦存在不易設置標記之問題。 本發明之目的在於提供一種能夠再利用載體且能夠於支持層容易地形成對準標記之密封光半導體元件之製造方法。 本發明[1]係一種密封光半導體元件之製造方法，其特徵在於包括：步驟(1)，其係準備暫固定構件，該暫固定構件具備硬質之載體、支持於上述載體且包含合成樹脂之支持層、及支持於上述支持層之固定層；步驟(2)，其係將複數個光半導體元件整齊配置而成之元件集合體暫固定於上述固定層；步驟(3)，其係於上述步驟(2)之後，藉由密封層覆蓋複數個上述光半導體元件，而獲得具備上述元件集合體及上述密封層之密封元件集合體；步驟(4)，其係於上述步驟(3)之後，以使上述密封光半導體元件單片化之方式將上述密封層切斷；及步驟(5)，其係於上述步驟(4)之後，將上述密封元件集合體自上述固定層剝離；且於上述支持層設置有對準標記；於上述步驟(2)中，以上述對準標記為基準，將上述元件集合體暫固定於上述固定層；及/或，於上述步驟(4)中，以上述對準標記為基準將上述密封層切斷。 根據該方法，並非於硬質之載體，而於包含合成樹脂之支持層設置對準標記，故而若將載體自支持層分離，則能夠再利用載體。 又，因係於包含合成樹脂之支持層設置對準標記，故能夠將對準標記容易地形成於支持層。 本發明[2]係一種密封光半導體元件之製造方法，其特徵在於包括：步驟(1)，其係準備暫固定構件，該暫固定構件具備硬質之載體、支持於上述載體且包含合成樹脂之支持層、支持於上述支持層之固定層、及支持於上述載體之標記層；步驟(2)，其係將複數個光半導體元件整齊配置而成之元件集合體暫固定於上述固定層；步驟(3)，其係於上述步驟(2)之後，藉由密封層覆蓋複數個上述光半導體元件，而獲得具備上述元件集合體及上述密封層之密封元件集合體；步驟(4)，其係於上述步驟(3)之後，以使上述密封光半導體元件單片化之方式將上述密封層切斷；及步驟(5)，其係於上述步驟(4)之後，將上述密封元件集合體自上述固定層剝離；且於上述標記層設置有對準標記；於上述步驟(2)中，以上述對準標記為基準，將上述元件集合體暫固定於上述固定層；及/或，於上述步驟(4)中，以上述對準標記為基準將上述密封層切斷。 根據該方法，並非於硬質之載體，而於標記層設置對準標記，故而若將載體自標記層分離，則能夠再利用載體。 又，能夠將對準標記容易地形成於標記層。 本發明[3]係一種密封光半導體元件之製造方法，其特徵在於包括：步驟(1)，其係準備暫固定構件，該暫固定構件具備硬質之載體、支持於上述載體且包含合成樹脂之支持層、及支持於上述支持層之固定層；步驟(2)，其係將複數個光半導體元件整齊配置而成之元件集合體暫固定於上述固定層；步驟(3)，其係於上述步驟(2)之後，藉由密封層覆蓋複數個上述光半導體元件，而獲得具備上述元件集合體及上述密封層之密封元件集合體；及步驟(5)，其係於上述步驟(3)之後，將上述密封元件集合體自上述固定層剝離；且於上述支持層設置有對準標記；於上述步驟(2)中，以上述對準標記為基準，將上述元件集合體暫固定於上述固定層。 根據該方法，並非於硬質之載體，而於包含合成樹脂之支持層設置對準標記，故而若將載體自支持層分離，則能夠再利用載體。 又，因係於包含合成樹脂之支持層設置對準標記，故能夠將對準標記容易地形成於支持層。 本發明[4]係一種密封光半導體元件之製造方法，其特徵在於包括：步驟(1)，其係準備暫固定構件，該暫固定構件具備硬質之載體、支持於上述載體且包含合成樹脂之支持層、支持於上述支持層之固定層、及支持於上述載體之標記層；步驟(2)，其係將複數個光半導體元件整齊配置而成之元件集合體暫固定於上述固定層；步驟(3)，其係於上述步驟(2)之後，藉由密封層覆蓋複數個上述光半導體元件，而獲得具備上述元件集合體及上述密封層之密封元件集合體；及步驟(5)，其係於上述步驟(3)之後，將上述密封元件集合體自上述固定層剝離；且於上述標記層設置有對準標記；於上述步驟(2)中，以上述對準標記為基準，將上述元件集合體暫固定於上述固定層。 根據該方法，並非於硬質之載體，而於標記層設置對準標記，故而若將載體自標記層分離，則能夠再利用載體。 又，能夠將對準標記容易地形成於標記層。 本發明[5]包含如[1]至[4]中任一項之密封光半導體元件之製造方法，其中上述暫固定構件進而具備第1感壓接著層，且上述暫固定構件依序具備上述載體、上述第1感壓接著層、上述支持層及上述固定層。 根據該方法，能夠藉由載體確實且簡便地支持支持層。 本發明[6]包含如[1]至[4]中任一項之密封光半導體元件之製造方法，其中上述元件集合體具備複數個上述光半導體元件、及將複數個上述光半導體元件暫固定之第2感壓接著層，且於上述步驟(5)中，將上述第2感壓接著層自上述載體剝離。 根據該方法，能夠藉由載體確實且簡便地支持支持層。 根據本發明之方法，能夠再利用載體。
於圖1中，紙面上下方向為上下方向(第1方向、厚度方向)，紙面上側為上側(第1方向一側、厚度方向一側)，紙面下側為下側(第1方向另一側、厚度方向另一側)。於圖1中，紙面左右方向為左右方向(與第1方向正交之第2方向、寬度方向)，紙面右側為右側(第2方向一側、寬度方向一側)，紙面左側為左側(第2方向另一側、寬度方向另一側)。於圖1中，紙厚方向為前後方向(與第1方向及第2方向正交之第3方向)，紙面近前側為前側(第3方向一側)，紙面深側為後側(第3方向另一側)。具體而言，依照各圖之方向箭頭。 1.第1實施形態 本發明之密封光半導體元件之製造方法之第1實施形態包括：步驟(1)，其係準備暫固定構件30，該暫固定構件30依序具備載體10、第1感壓接著層4、支持層2、及作為固定層之一例之元件集合體固定層3 (參照圖1A)；步驟(2)，其係將複數個光半導體元件11整齊配置而成之元件集合體16暫固定於元件集合體固定層3(參照圖1B)；步驟(3)，其係於步驟(2)之後，藉由密封層12覆蓋複數個光半導體元件11，而獲得具備元件集合體16及密封層12之密封元件集合體19(參照圖1C)；步驟(4)，其係於步驟(3)之後，以使密封光半導體元件13單片化之方式將密封層12切斷(參照圖1D)；及步驟(5)，其係於步驟(4)之後，將密封元件集合體19自元件集合體固定層3剝離(參照圖1D)。以下，對各步驟進行說明。 1-1.步驟(1) 如圖1A所示，於步驟(1)中，準備暫固定構件30。 暫固定構件30具備元件集合體暫固定片材1、及設置於元件集合體暫固定片材1之下之載體10。 1-1.(1)元件集合體暫固定片材 如圖2及圖3所示，元件集合體暫固定片材1具有平板形狀，具體而言，具有特定之厚度，沿與厚度方向正交之面方向(左右方向及前後方向)延伸，且具有平坦之正面及平坦之背面。再者，元件集合體暫固定片材1具有前後方向長度與左右方向長度(寬度)相比較長之平板形狀。或者，元件集合體暫固定片材1具有於前後方向上較長之長條形狀。 又，元件集合體暫固定片材1如圖1A所示，位於暫固定構件30之上部。元件集合體暫固定片材1形成暫固定構件30之上表面。 元件集合體暫固定片材1如圖3所示，依序具備元件集合體固定層3、支持層2、及第1感壓接著層4。具體而言，元件集合體暫固定片材1具備支持層2、設置於支持層2之上之元件集合體固定層3、及設置於支持層2之下之第1感壓接著層4。又，於該元件集合體暫固定片材1中，元件集合體固定層3具備對準標記7。以下，對各構件進行說明。 1-1.(1)A.支持層 支持層2位於元件集合體暫固定片材1之厚度方向中央。即，支持層2介置於元件集合體固定層3與第1感壓接著層4之間。元件集合體暫固定片材1具有平板形狀，具體而言，具有特定之厚度，沿左右方向及前後方向延伸，且具有平坦之正面及平坦之背面。又，支持層2具有可撓性。支持層2支持有元件集合體固定層3及第1感壓接著層4。 支持層2包含合成樹脂。作為合成樹脂，例如可列舉聚乙烯(例如，低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、線狀低密度聚乙烯等)、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-C4以上之α-烯烴共聚物等烯烴聚合物、例如乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸正丁酯共聚物等乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯、例如聚碳酸酯、例如聚氨酯、例如聚醯亞胺等聚合物。共聚物可為無規共聚物及嵌段共聚物中任一者。合成樹脂可單獨使用或將2種以上併用。又，支持層2可為上述合成樹脂之多孔質。 支持層2較佳為包含PET、聚碳酸酯。 又，支持層2可包含單層或複數層。 又，上述合成樹脂例如透明。即，支持層2透明。具體而言，支持層2之總光線透過率例如為80%以上，較佳為90%以上，更佳為95%以上，又，例如為99.9%以下。 支持層2之線膨脹係數例如為500×10-6 K-1 以下，較佳為300×10-6 K-1 以下，又，例如為2×10-6 K-1 以上，較佳為10×10-6 K-1 以上。若支持層2之收縮度為上述上限以下，則能夠達成以對準標記7為基準之光半導體元件11之排列、及/或密封層12之切斷。支持層2之線膨脹係數係藉由線膨脹係數測定裝置(TMA)而測定。以下各構件之線膨脹係數亦藉由相同之方法加以測定。 支持層2之於25℃之拉伸彈性模數E例如為200 MPa以下，較佳為100 MPa以下，更佳為80 MPa以下，又，例如為50 MPPa以上。若支持層2之於25℃之拉伸彈性模數E為上述上限以下，則能夠確保可撓性，能夠容易地設置對準標記7。 支持層2之厚度例如為10 μm以上，較佳為30 μm以上，又，例如為350 μm以下，較佳為100 μm以下。 1-1.(1)B.元件集合體固定層 元件集合體固定層3位於元件集合體暫固定片材1之上端部。元件集合體固定層3配置於支持層2之上表面。即，元件集合體固定層3形成元件集合體暫固定片材1之上表面。元件集合體固定層3支持於支持層2。元件集合體固定層3具有平板形狀，具體而言，具有特定之厚度，沿左右方向及前後方向延伸，且具有平坦之正面及平坦之背面(與下述對準標記7對應之部分除外)。 元件集合體固定層3構成為將複數個光半導體元件11整齊配置而成之元件集合體16(下敘。參照圖1B及圖2)暫固定。 又，元件集合體固定層3具有感壓接著性(黏著性)。 元件集合體固定層3包含感壓接著劑。作為感壓接著劑，例如可列舉丙烯酸系感壓接著劑、橡膠系感壓接著劑、SIS(Styrene-Isoprene-Styrene Block Copolymer，苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物)系感壓接著劑、矽酮系感壓接著劑、乙烯基烷基醚系感壓接著劑、聚乙烯醇系感壓接著劑、聚乙烯吡咯啶酮系感壓接著劑、聚丙烯醯胺系感壓接著劑、纖維素系感壓接著劑、胺基甲酸乙酯系感壓接著劑、聚酯系感壓接著劑、聚醯胺系感壓接著劑、環氧系感壓接著劑等。較佳列舉矽酮系感壓接著劑。 又，元件集合體固定層3透明。元件集合體固定層3之總光線透過率例如為80%以上，較佳為90%以上，更佳為95%以上，又，例如為99.9%以下。 元件集合體固定層3之線膨脹係數例如為500×10-6 K-1 以下，較佳為300×10-6 K-1 以下，又，例如為2×10-6 K-1 以上，較佳為10×10-6 K-1 以上。 將元件集合體固定層3感壓接著於矽板，於25℃，將元件集合體固定層3自矽板以180度剝離時之剝離力例如為0.1 N/mm以上，較佳為0.3 N/mm以上，又，例如為1 N/mm以下。若元件集合體固定層3之剝離力為上述下限以上，則能夠確實地暫固定複數個光半導體元件11。 元件集合體固定層3之厚度例如為5 μm以上，較佳為10 μm以上，又，例如為未達120 μm，較佳為未達100 μm，更佳為80 μm以下，進而更佳為60 μm以下。於元件集合體固定層3之厚度高出上述下限之情形時，能夠對元件集合體暫固定片材1之上表面確實地賦予感壓接著性。因此，能夠簡便地製造元件集合體暫固定片材1。於元件集合體固定層3之厚度低於上述上限之情形時，能夠提高元件集合體固定層3之操作性。 1-1.(1)C.第1感壓接著層 第1感壓接著層4位於元件集合體暫固定片材1之下端部。又，第1感壓接著層4配置於支持層2之下表面。即，第1感壓接著層4形成元件集合體暫固定片材1之下表面。第1感壓接著層4支持於支持層2。進而，第1感壓接著層4於厚度方向上與元件集合體固定層3一併夾入支持層2。第1感壓接著層4具有平板形狀，具體而言，具有特定之厚度，沿左右方向及前後方向延伸，且具有平坦之正面及平坦之背面。 第1感壓接著層4具有感壓接著性(黏著性)。 第1感壓接著層4包含與元件集合體固定層3相同之感壓接著劑。 第1感壓接著層4透明。第1感壓接著層4之總光線透過率例如為80%以上，較佳為90%以上，更佳為95%以上，又，例如為99.9%以下。 第1感壓接著層4之線膨脹係數例如為500×10-6 K-1 以下，較佳為300×10-6 K-1 以下，又，例如為2×10-6 K-1 以上，較佳為10×10-6 K-1 以上。 第1感壓接著層4之厚度例如為5 μm以上，較佳為10 μm以上，又，例如為未達100 μm，較佳為80 μm以下，更佳為60 μm以下。 1-1.(1)D.對準標記 如圖3所示，對準標記7設置於支持層2之上表面。 如圖2及圖3所示，具體而言，於支持層2之上表面之右端部設置有複數個對準標記7。詳細而言，對準標記7設置於標記形成區域18，該標記形成區域18被區劃於設置下述元件集合體16之元件集合體形成區域17之右側(寬度方向一側之一例)。標記形成區域18沿前後方向配置於元件集合體暫固定片材1之右端部。 對準標記7係用以將元件集合體16暫固定於元件集合體固定層3，且用以將密封元件集合體16之密封層12切斷之基準標記。具體而言，對準標記7具備排列標記8及切斷標記9。排列標記8及切斷標記9係與沿左右方向排列成一行之複數個光半導體元件11(下述)之每一個對應地逐一配置，且其等係沿左右方向相互隔開間隔而整齊配置。 排列標記8係位於對準標記7之左側之標記，沿前後方向相互隔開間隔而配置有複數個。複數個排列標記8各自具有例如大致圓形狀。 切斷標記9係位於對準標記7之右側之標記，沿前後方向相互隔開間隔而配置有複數個。具體而言，複數個切斷標記9各自係以於沿左右方向投影時不與複數個排列標記8之各者重疊之方式配置。即，複數個排列標記8與複數個切斷標記9呈交錯狀配置，即，於沿左右方向投影時，於前後方向上交替地配置。複數個切斷標記9各自隔開間隔而相對於複數個排列標記8之各者配置於右方斜前側。複數個切斷標記9各自具有例如沿左右方向延伸之大致棒(直線)形狀。 對準標記7不透明。 因此，對準標記7包含不透明(下述)之材料。作為此類材料，例如可列舉銀(金屬銀)等金屬材料、碳黑等碳材料等。 作為金屬材料，較佳列舉銀。若為銀，則可進一步提高對準標記7之視認性。 又，作為碳材料，較佳列舉碳黑。若為碳黑，則可進一步提高對準標記7之視認性。 對準標記7之尺寸適當加以設定。排列標記8之直徑(最大長度)例如為0.05 mm以上，較佳為0.1 mm以上，又，例如為1 mm以下，較佳為0.5 mm以下。相鄰之排列標記8之中心間之距離(即，間距)例如為0.05 mm以上，較佳為0.1 mm以上，例如為1.0 mm以下，較佳為0.8 mm以下。 切斷標記9之左右方向長度例如為0.05 mm以上，較佳為0.1 mm以上，又，例如為1 mm以下，較佳為0.5 mm以下。切斷標記9之寬度(前後方向長度)例如為0.05 mm以上，較佳為0.1 mm以上，又，例如為1 mm以下，較佳為0.25 mm以下。於沿前後方向投影時，於左右方向上相鄰之排列標記8與切斷標記9之間隔例如為0.1 mm以上，較佳為0.2 mm以上，又，例如為1 mm以下，較佳為0.8 mm以下。切斷標記9之中心間之間距例如為0.05 mm以上，較佳為0.1 mm以上，又，例如為1.0 mm以下，較佳為0.8 mm以下。 對準標記7之厚度例如為0.5 μm以上，較佳為1 μm以上，又，例如為10 μm以下，較佳為5 μm以下。 對準標記7之總光線透過率例如為40%以下，較佳為20%以下，更佳為10%以下，又，例如為0.1%以上。 1-1.(2)元件集合體暫固定片材之製造方法 其次，對元件集合體暫固定片材1之製造方法進行說明。 於該方法中，參照圖3，首先，準備支持層2，繼而設置對準標記7。 設置對準標記7之方法並不特別限定，例如可列舉使用光微影法之方法、感熱轉印(例如，參照日本專利特開2000-135871號公報)、標記法(stamping)、凸版印刷、凹版印刷、孔版印刷(網版印刷)、噴墨印刷(例如，參照日本專利特開2014-10823號公報)等。自精度良好地配置對準標記7之觀點而言，較佳列舉使用光微影法之方法、網版印刷，更佳列舉使用光微影法之方法。 於使用光微影法之方法中，具體而言，如圖4A～圖4C所示，依序實施：步驟(a)，其係準備設置有感光層21之支持層2(參照圖4A)；及步驟(b)，其係藉由光微影法，自感光層21將對準標記7形成為顯影圖案23(參照圖4B及圖4C)。 於步驟(a)中，如圖4A所示，準備具備支持層2、及設置於其上表面之感光層21之帶感光層之支持層22。 感光層21設置於支持層2之整個上表面。感光層21包含能夠藉由光微影法形成顯影圖案23之感光材料。作為感光材料，例如可列舉銀鹽乳劑。銀鹽乳劑例如含有銀鹽。作為銀鹽，例如可列舉鹵化銀等無機銀鹽、例如乙酸銀等有機銀鹽，較佳列舉對光之響應性優異之無機銀鹽。 感光層21之厚度例如為0.5 μm以上，較佳為1 μm以上，又，例如為10 μm以下，較佳為5 μm以下。 於步驟(b)中，如圖4B所示，隔著光罩(未圖示)對感光層21照射活性能量線。具體而言，使用包含不鏽鋼等金屬之金屬光罩部分地覆蓋感光層21，其後，對自金屬光罩露出之感光層21照射雷射光(峰值波長為150 nm以上且250 nm以下)。 其後，如圖4C所示，將感光層21浸漬於顯影液中，保留曝光部分，去除未曝光部分(顯影)。藉此，將對準標記7形成為顯影圖案23。 其後，如圖3所示，於支持層2之上設置元件集合體固定層3，並且於支持層2之下設置第1感壓接著層4。 將元件集合體固定層3及第1感壓接著層4各自設置於支持層2時，首先，分別準備元件集合體固定層3及第1感壓接著層4。 將元件集合體固定層3例如設置於第1剝離層5(參照圖3之假想線)之表面。 將第1感壓接著層4例如設置於第2剝離層6(參照圖3之假想線)之表面。 繼而，將元件集合體固定層3配置於支持層2之上表面。此時，以埋設對準標記7之方式將元件集合體固定層3配置於支持層2之上表面。 又，將第1感壓接著層4配置於支持層2之下表面。 藉此，獲得元件集合體暫固定片材1，其具備：支持層2；分別配置於支持層2之上下之元件集合體固定層3及第1感壓接著層4；以及分別配置於該等元件集合體固定層3及第1感壓接著層4之第1剝離層5及第2剝離層6。 元件集合體暫固定片材1之厚度例如為15 μm以上，較佳為40 μm以上，又，例如為550 μm以下，較佳為260 μm以下。 又，該元件集合體暫固定片材1具有可撓性。 1-2.載體 載體10係用以自下方支持元件集合體暫固定片材1(支持層2)之支持板。藉此，載體10支持有支持層2。載體10形成為沿前後方向及左右方向延伸之大致平板狀。載體10如圖1A所示，俯視下具有與元件集合體暫固定片材1相同之形狀。 又，載體10位於暫固定構件30之下部。載體10與元件集合體暫固定片材1之下表面直接接觸。具體而言，載體10感壓接著於元件集合體固定層3之下表面。載體10形成暫固定構件30之下表面。 載體10包含硬質材料。作為硬質材料，例如可列舉玻璃等透明材料、例如陶瓷、不鏽鋼等不透明材料。硬質材料之維氏硬度例如為0.5 GPa以上，較佳為1 GPa以上，更佳為1.2 GPa以上，又，例如為10 GPa以下。若載體10包含硬質材料，具體而言，若硬質材料之維氏硬度為上述下限以上，則能夠確實地支持元件集合體暫固定片材1。 載體10之厚度例如為100 μm以上，較佳為350 μm以上，又，例如為1000 μm以下，較佳為600 μm以下。 1-3.暫固定構件之製造方法 製造暫固定構件30時，參照圖1A，首先，分別準備元件集合體暫固定片材1、及載體10。 具體而言，首先，於第1感壓接著層4之下表面配置載體10。 詳細而言，首先，將圖3之假想線所示之第2剝離層6自第1感壓接著層4剝離，其後，如圖1A所示，使載體10與第1感壓接著層4之下表面直接接觸。藉此，將載體10感壓接著於第1感壓接著層4。 藉此，可獲得依序具備載體10、及元件集合體暫固定片材1之暫固定構件30。又，暫固定構件30具備設置於元件集合體暫固定片材1之支持層2之對準標記7。 暫固定構件30之厚度例如為115 μm以上，較佳為390 μm以上，又，例如為1550 μm以下，較佳為860 μm以下。 1-4.步驟(2) 步驟(2)係於步驟(1)之後實施。 於步驟(2)中，如圖1A之假想線箭頭所示，首先，將第1剝離層5自元件集合體固定層3之上表面剝離，然後如圖1B所示，將複數個光半導體元件11暫固定於元件集合體固定層3之上表面。此時，以排列標記8為基準，將複數個光半導體元件11整齊配置(排列)於元件集合體固定層3之上表面。又，將複數個光半導體元件11設置於元件集合體固定層3之元件集合體形成區域17。 具體而言，一面視認排列標記8而確定複數個光半導體元件11於左右方向及前後方向上之位置，一面使複數個光半導體元件11直接接觸於元件集合體固定層3之上表面。 視認排列標記8時係藉由設置於暫固定構件30之上方之相機等，自排列標記8之上方視認排列標記8。此時，由於元件集合體固定層3透明，所以能夠自元件集合體固定層3之上方視認出排列標記8。 再者，光半導體元件11具有上表面、與上表面於厚度方向上對向配置之下表面、及將上表面與下表面連接之周側面。於下表面形成有電極。 複數個光半導體元件11藉由整齊配置於元件集合體固定層3之上表面，而構成元件集合體16。 相鄰之光半導體元件11之間之間隔(前後方向及/或左右方向上之間隔)例如為0.05 mm以上，較佳為0.1 mm以上，又，例如為1.0 mm以下，較佳為0.8 mm以下。再者，複數個光半導體元件11各自之厚度(高度)例如為0.1 μm以上，較佳為0.2 μm以上，又，例如為500 μm以下，較佳為200 μm以下。複數個光半導體元件11各自之左右方向長度及/或前後方向長度例如為0.05 mm以上，較佳為0.1 mm以上，又，例如，1.0 mm以下，較佳為0.8 mm以下。 1-5.步驟(3) 於步驟(3)中，如圖1C之實線及圖2之單點虛線所示，繼而，藉由密封層12密封元件集合體16。 例如，藉由包含半固體形狀或固體形狀之密封組合物之密封片材，密封元件集合體16。或者，藉由灌注液體狀之密封組合物，密封元件集合體16。密封組合物含有矽酮樹脂、環氧樹脂等透明樹脂。密封組合物可視需要，以適當比率含有填充材料、螢光體、光反射性粒子等粒子。 密封層12覆蓋複數個光半導體元件11各自之上表面及側面、以及自複數個光半導體元件11之各者露出之元件集合體固定層3之上表面。密封層12係以將標記形成區域18之元件集合體固定層3之上表面露出之方式，設置於元件集合體形成區域17之元件集合體固定層3之上表面。 藉此，可獲得具備複數個光半導體元件11(元件集合體16)、及1個密封層12之密封元件集合體19。即，密封元件集合體19係以暫固定於元件集合體暫固定片材1之狀態而獲得。 密封層12之厚度例如為40 μm以上，較佳為50 μm以上，又，例如為500 μm以下，較佳為300 μm以下。 1-6.步驟(4) 如圖1D之單點虛線及圖2之二點虛線所示，繼而，以使光半導體元件11單片化之方式將密封層12切斷。即，使密封元件集合體19(下述密封光半導體元件13)單片化。 將密封層12切斷時，例如可使用具備切斷刀之切斷裝置、例如具備雷射照射源之切斷裝置。 作為具備切斷刀之切斷裝置，例如可列舉具備圓盤狀之切片鋸(切片刀)之切片裝置、例如具備切割刀之切割裝置。 較佳為使用具備切斷刀之切斷裝置，更佳為使用切片裝置。 藉由上述切斷裝置將密封層12切斷時係以對準標記7之切斷標記9為基準，而將密封層12切斷。又，藉由與視認排列標記8時使用之相機相同之相機，一面自上方視認對準標記7之切斷標記9，一面將密封層12切斷。 切斷後之密封層12之前後方向長度及/或左右方向長度例如為20 mm以上，較佳為40 mm以上，又，例如為150 mm以下，較佳為100 mm以下。 藉此，能以暫固定於元件集合體固定層3(暫固定構件30)之狀態，獲得複數個具備1個光半導體元件11、及1個密封層12之密封光半導體元件13。 1-7.步驟(5) 於步驟(5)中，如圖1D之箭頭所示，將複數個密封光半導體元件13分別自元件集合體固定層3剝離。 1-8.載體之再利用、及光半導體裝置之製造 其後，於複數個密封光半導體元件13已被剝離之暫固定構件30中，將載體10自第1感壓接著層4剝離，而再利用載體10。另一方面，廢棄元件集合體暫固定片材1(支持層2、元件集合體固定層3及第1感壓接著層4)。即，元件集合體暫固定片材1為拋棄式。 其後，如圖1E所示，將密封光半導體元件13覆晶安裝於基板14。 基板14具有沿前後方向及左右方向延伸之平板形狀。於基板14之上表面，形成有與光半導體元件11之電極電性連接之端子。 藉此，可獲得具備密封光半導體元件13、及基板14之光半導體裝置15。 2.第1實施形態之作用效果 根據該方法，並非於硬質之載體10，而於包含合成樹脂之支持層2設置對準標記7，故而若將載體10自支持層2剝離，則能夠再利用載體10。 又，因係於包含合成樹脂之支持層2設置對準標記7，故能夠將對準標記7容易地形成於支持層2。 又，根據該方法，藉由載體10，能夠隔著第1感壓接著層4確實且簡便地支持支持層2。 3.第1實施形態之變化例 於第1實施形態中，如圖2所示，排列標記8具有大致圓形狀，切斷標記9具有大致直線形狀。但對準標記7各自之形狀並不特別限定。 於第1實施形態中，將元件集合體固定層3先形成於第1剝離層5(參照圖3之假想線)之表面之後，再將元件集合體固定層3自第1剝離層5轉印至支持層2；但於變化例中，例如，亦可直接形成於支持層2之上表面。 於第1實施形態中，將第1感壓接著層4先形成於第2剝離層6(參照圖3之假想線)之表面之後，再將第1感壓接著層4自第2剝離層6轉印至支持層2；但於變化例中，例如，亦可直接形成於支持層2之下表面。 又，於第1實施形態中，如圖3所示，對準標記7設置於支持層2之上表面。 於變化例中，如圖5A所示，對準標記7設置於支持層2之下表面。 第1感壓接著層4埋設有對準標記7。 如圖5B所示，將複數個光半導體元件11排列於元件集合體固定層3時，藉由配置於暫固定構件30之上方之相機，隔著元件集合體固定層3及支持層2，視認排列標記8。 又，如圖5D所示，將密封層12切斷時，藉由上述相機，隔著元件集合體固定層3及支持層2，視認切斷標記9。 進而，雖未圖示，但亦可將對準標記7設置於支持層2之上下兩表面。 較佳為將對準標記7僅設置於支持層2之一面，即僅設置於上表面，或僅設置於下表面。若將對準標記7僅設置於支持層2之一面，則與將對準標記7設置於支持層2之上下兩表面之情形時相比，能夠較簡易地形成對準標記7，相應地能夠降低製造成本。 更佳為如第1實施形態之圖3所示，對準標記7設置於支持層2之上表面。根據該構成，與對準標記7設置於支持層2之下表面之圖5A之情形時相比，可自上方更確實地視認出對準標記7。 進而，於第1實施形態中，如圖1D之單點虛線所示，將密封層12切斷而使密封元件集合體19單片化。 然而，於變化例中，如圖6A所示，不將密封層12切斷就將密封元件集合體19自元件集合體固定層3剝離，其後，如圖6B所示，將密封元件集合體19覆晶安裝於基板14。即，該變化例依序具備步驟(1)～(3)及(5)，而不具備第1實施形態之步驟(4)。 於該變化例中，不實施將密封層12切斷之步驟(4)，故而對準標記7亦可僅包含排列標記8，而不具備切斷標記9，但關於該點並未加以圖示。 4.第2實施形態 於第2實施形態中，對與第1實施形態相同之構件及步驟標註相同之參照符號，並省略其詳細之說明。 於第1實施形態中，如圖1A及圖3所示，於元件集合體暫固定片材1(具體而言為支持層2)設置有對準標記7。 但若為除載體10以外之構件，則不特別限定，於第2實施形態中，例如，可如圖7A所示，將對準標記7設置於與元件集合體暫固定片材1分開之標記層31。 於步驟(1)中，於暫固定構件30中，標記層31設置於載體10之下。標記層31設置於暫固定構件30。即，暫固定構件30依序具備元件集合體暫固定片材1、載體10及標記層31。標記層31支持於載體10。 標記層31具備貫通厚度方向之貫通孔26。又，標記層31依序具備配置於載體10之下表面之標記感壓接著層33、及支持標記感壓接著層33之標記支持層32。貫通孔26藉由將標記感壓接著層33及標記支持層32一併貫通，而被設置為對準標記7。 標記感壓接著層33包含與上述元件集合體固定層3相同之感壓接著劑，且具有與元件集合體固定層3相同之物性。標記支持層32包含與支持層2相同之合成樹脂，且具有與支持層2相同之物性。 特別是於標記支持層32及標記感壓接著層33中例如任一層為有色，其餘層為無色。有色之上述層之總光線透過率分別例如為80%以下，較佳為65%以下，更佳為50%以下。 另一方面，載體10較佳為無色以提高對準標記7之自上方之視認性。載體10較佳為包含透明材料。進而，元件集合體固定層3、支持層2及第1感壓接著層4較佳為無色。載體10、元件集合體固定層3、支持層2及第1感壓接著層4之總光線透過率分別例如為80%以上，較佳為90%以上，更佳為95%以上，又，例如為99.9%以下。 因此，若載體10、元件集合體固定層3、支持層2及第1感壓接著層4為無色，且標記層31中至少1層為有色，則貫通孔26於俯視下被視認為無色。即，藉由有色之標記層31中至少1層與無色之貫通孔26之對比度，而如圖9所示，明確地視認出貫通孔26。 製造該元件集合體暫固定片材1時，如圖7A所示，於步驟(1)中，準備依序具備標記層31、載體10及元件集合體暫固定片材1之暫固定構件30。 關於標記層31，參照圖10，首先準備依序具備第3剝離層35、標記感壓接著層33及標記支持層32之積層體，其後，形成沿厚度方向貫通積層體(第3剝離層35、標記感壓接著層33及標記支持層32)之貫通孔26作為對準標記7。 貫通孔26例如係藉由切削、衝壓、雷射加工等而形成。較佳為藉由雷射加工而形成貫通孔26。作為雷射加工，可列舉例如準分子雷射、YAG(Yttrium Aluminum Garnet，釔鋁石榴石)雷射、CO2 雷射等，自以卷對卷方式連續地製造暫固定構件30之觀點、及於較大區域形成貫通孔2之觀點而言，較佳列舉YAG雷射。 其後，將第3剝離層35自標記感壓接著層33剝離，繼而，將標記感壓接著層33之上表面感壓接著於載體10之下表面。 另外，將元件集合體暫固定片材1之第1感壓接著層4感壓接著於載體10之上表面。 其後，如圖7B所示，於步驟(2)中，以排列標記8為基準，將複數個光半導體元件11整齊配置(排列)於元件集合體固定層3之上表面。 此時，一面自上方視認排列標記8一面進行複數個光半導體元件11之於左右方向及前後方向上之定位，並且使複數個光半導體元件11與元件集合體固定層3之上表面直接接觸。 具體而言，將排列標記8(貫通孔26)視認為無色。排列標記8(貫通孔26)藉由與標記感壓接著層33及標記支持層32中至少任一者之有色之對比度而被明確地視認出(參照圖9)。 又，如圖8D所示，於步驟(4)中，將密封層12切斷時係以切斷標記9為基準。具體而言，藉由與上述排列標記8(貫通孔26)之視認相同之方法，而視認切斷標記9(貫通孔26)(參照圖9)。 如圖8D之箭頭所示，於步驟(5)中，將複數個密封光半導體元件13分別自元件集合體固定層3剝離，繼而，於暫固定構件30中，將載體10自第1感壓接著層4(元件集合體暫固定片材1)及標記感壓接著層33(標記層31)分別剝離，而再利用載體10。另一方面，廢棄元件集合體暫固定片材1(支持層2、元件集合體固定層3及第1感壓接著層4)、及標記層31(標記支持層32及標記感壓接著層33)。即，元件集合體暫固定片材1及標記層31為拋棄式。 5.第2實施形態之作用效果 藉由第2實施形態，亦能夠發揮與第1實施形態相同之作用效果。 進而，根據該方法，並非於硬質之載體10，而於標記層31設置對準標記7，故而若將載體10自標記層31分離，則能夠再利用載體10。 又，能夠將對準標記7簡便且容易地形成於標記層31。 於上述方法中，如圖10所示，形成有將第3剝離層35、標記感壓接著層33及標記支持層32一併貫通之貫通孔26。但例如，亦可如圖11所示，形成僅貫通標記感壓接著層33及標記支持層32而不貫通第3剝離層35之貫通孔26。 又，雖未圖示，但亦可將對準標記7設定為於厚度方向途中凹陷之凹部而設置於標記層31。 進而，雖未圖示，但亦可使對準標記7而非貫通孔26包含第1實施形態中例示之不透明之材料。例如，將對準標記7設置於標記支持層32。 較佳為將對準標記7形成為貫通標記層31之貫通孔26。若將對準標記7形成為貫通標記層31之貫通孔26，則能夠簡便且容易地形成對準標記7。 6.第3實施形態 於第3實施形態中，對於與第1及第2實施形態相同之構件及步驟標註相同之參照符號，並省略其詳細之說明。 6-1.步驟(1) 於步驟(1)中，如圖12A所示，準備依序具備元件集合體暫固定片材1及載體10之暫固定構件30。 元件集合體暫固定片材1具備支持層2、及元件集合體固定層3，而不具備第1感壓接著層4(參照圖3之實線)。又，雖於圖12A中未加以圖示，但元件集合體暫固定片材1亦可進而具備第1剝離層5(參照圖3)。較佳為元件集合體暫固定片材1僅包含支持層2及元件集合體固定層3，又，視需要，較佳為僅包含支持層2、元件集合體固定層3及第1剝離層5。 製造元件集合體暫固定片材1時，首先，準備支持層2，繼而，藉由上述方法(圖4A～圖4C之方法)，將對準標記7設置於支持層2。其後，將元件集合體固定層3設置於支持層2之整個上表面。 於步驟(1)中，準備暫固定構件30時，首先，將第1剝離層5(參照圖13)自元件集合體固定層3剝離，繼而，如圖12A所示，將載體10配置於元件集合體固定層3之上表面。 載體10包含玻璃等透明材料。載體10之總光線透過率例如為80%以上，較佳為90%以上，更佳為95%以上，又，例如為99.9%以下。 藉此，可獲得依序具備支持層2、元件集合體固定層3及載體10之暫固定構件30。暫固定構件30較佳為僅包含支持層2、元件集合體固定層3及載體10。 暫固定構件30之厚度例如為115 μm以上，較佳為390 μm以上，又，例如為1550 μm以下，較佳為860 μm以下。 6-2.步驟(2) 於步驟(2)中，如圖12B所示，使元件集合體16支持於載體10。 具體而言，首先，如圖12A所示，於載體10之上表面配置第2感壓接著層25。 第2感壓接著層25具有平板形狀，具有特定之厚度，沿左右方向及前後方向延伸，且具有平坦之正面及平坦之背面。第2感壓接著層25具有感壓接著性(黏著性)。第2感壓接著層25具有與圖3所示之上述元件集合體暫固定片材1(支持層2、元件集合體固定層3、第1感壓接著層4)相同之層構成。又，第2感壓接著層25亦可包含日本專利特開2014-168036號公報中記載之黏著層。再者，第2感壓接著層25具有俯視下相對元件集合體暫固定片材1而言較小之尺寸，具體而言，配置為於沿厚度方向投影時不與對準標記7重疊。具體而言，第2感壓接著層25配置於載體10之元件集合體形成區域17。第2感壓接著層25之厚度例如為30 μm以上，較佳為50 μm以上，又，例如為500 μm以下，較佳為300 μm以下。 如圖12B所示，繼而，將複數個光半導體元件11感壓接著於第2感壓接著層25之上表面。 此時，一面自暫固定構件30之上方視認對準標記7之排列標記8，一面以排列標記8為基準，將複數個光半導體元件11整齊配置(排列)於第2感壓接著層25之上表面。隔著透明之載體10及元件集合體固定層3，而視認排列標記8。 藉此，能以支持於載體10之狀態，獲得具備1個第2感壓接著層25、及複數個光半導體元件11之元件集合體16。即，元件集合體16支持於載體10。即，元件集合體16經由載體10而暫固定於元件集合體暫固定片材1(元件集合體固定層3)。 6-3.步驟(3) 於步驟(3)中，如圖12C所示，繼而，藉由密封層12，密封元件集合體16中之複數個光半導體元件11。 密封層12覆蓋複數個光半導體元件11各自之上表面及側面、以及自複數個光半導體元件11之各者露出之第2感壓接著層25之上表面。另一方面，密封層12並未形成於載體10之上表面。 藉此，可獲得具備元件集合體16、及覆蓋元件集合體16之密封層12之密封元件集合體19。密封元件集合體19依序具備1個第2感壓接著層25、複數個光半導體元件11、及1個密封層12。密封元件集合體19較佳為僅包含1個第2感壓接著層25、複數個光半導體元件11、及1個密封層12。 6-4.步驟(4) 於步驟(4)中，如圖12D之單點虛線所示，繼而，將密封層12切斷。 藉此，能以暫固定於第2感壓接著層25之狀態，獲得複數個具備1個光半導體元件11、及1個密封層12之密封光半導體元件13。 6-5.步驟(5) 於步驟(5)中，如圖12E所示，將密封元件集合體19自載體10之上表面剝離。 繼而，如圖12E之箭頭所示，將複數個密封光半導體元件13分別自第2感壓接著層25剝離。 6-6.載體之再利用、及光半導體裝置之製造 於暫固定構件30中，將載體10自元件集合體固定層3之上表面剝離而再利用載體10。另一方面，廢棄元件集合體暫固定片材1(支持層2及元件集合體固定層3)。即，元件集合體暫固定片材1為拋棄式。 如圖12F所示，其後，將密封光半導體元件13覆晶安裝於基板14而獲得光半導體裝置15。 7.第3實施形態之作用效果 藉由第3實施形態，亦能夠發揮與第1實施形態相同之作用效果。 詳細而言，藉由載體10，可隔著第2感壓接著層25確實且簡便地支持支持層2。 又，該元件集合體暫固定片材1如圖13所示，不具備第1感壓接著層4(參照圖3)，故而與具備第1感壓接著層4之第1實施形態之元件集合體暫固定片材1相比，能夠使層構成較簡單。 8.第3實施形態之變化例 於第3實施形態中，如圖12A所示，對準標記7設置於支持層2之上表面。 於變化例中，如圖14A所示，對準標記7設置於支持層2之下表面。 對準標記7朝向下方而露出。 如圖14B所示，於步驟(2)中，將複數個光半導體元件11排列於第2感壓接著層25時，藉由配置於暫固定構件30之上方之相機而隔著載體10、元件集合體固定層3及支持層2視認排列標記8。 如圖14D所示，於步驟(4)中，將密封層12切斷時，藉由上述相機而隔著載體10、元件集合體固定層3及支持層2，視認切斷標記9。 進而，雖未圖示，但亦可將對準標記7設置於支持層2之上下兩表面。 較佳為將對準標記7僅設置於支持層2之一面，即僅設置於上表面，或僅設置於下表面。若將對準標記7僅設置於支持層2之一面，則與將對準標記7設置於支持層2之上下兩表面之情形時相比，能夠較簡易地形成對準標記7，從而能夠相應地降低製造成本。 更佳為如第3實施形態之圖13所示，對準標記7設置於支持層2之上表面。根據該構成，與對準標記7設置於支持層2之下表面之圖14A之情形時相比，能夠自上方更確實地視認出對準標記7。 又，雖未圖示，但亦可將對準標記7設置為於厚度方向上貫通支持層2之貫通孔或凹部。 進而，於第3實施形態中，如圖12D之單點虛線所示，將密封層12切斷。 但於變化例中，如圖15A所示，不將密封層12切斷就將第2感壓接著層25自載體10之上表面剝離。即，不實施步驟(4)。 繼而，如圖15B所示，將密封元件集合體19自複數個光半導體元件11各自之下表面、及密封層12之下表面剝離。 其後，如圖15C所示，將複數個光半導體元件11覆晶安裝於基板14。 該變化例依序具備步驟(1)～(3)及(5)，而不包括第3實施形態之步驟(4)。 於該變化例中，如圖15A所示，不實施將密封層12切斷之步驟(4)，故而對準標記7亦可僅包含排列標記8，而不具備切斷標記9，但關於該點並未加以圖示。 實施例 以下記載中所使用之調配比率(含有率)、物性值、參數等具體數值可替換為上述「用以實施發明之形態」中記載之與該等對應之調配比率(含比率)、物性值、參數等相應記載之上限值(被定義為「以下」、「未達」之數值)或下限值(被定義為「以上」、「超過」之數值)。 實施例1(與第1實施形態對應之實施例) 1-1.步驟(1) 參照圖4A，首先，準備具備如下層之帶感光層之支持層22(步驟(a))：支持層2，其包含PET，且厚度為175 μm；及感光層21，其設置於支持層2之上表面，包括含有鹵化銀之銀鹽乳劑，且厚度為3 μm。帶感光層之支持層22之前後方向長度為600 mm，左右方向長度為500 mm。 支持層2之總光線透過率為95%。支持層2之線膨脹係數為70×10-6 K-1 。支持層2之於25℃之拉伸彈性模數E為60 MPa。 元件集合體固定層3之總光線透過率為95%。元件集合體固定層3之線膨脹係數為220×10-6 K-1 。 繼而，如圖4B所示，使用包含不鏽鋼之金屬光罩部分地覆蓋感光層21，其後，對自金屬光罩露出之感光層21照射峰值波長為193 nm之雷射光。藉此，將排列標記8、及切斷標記9形成為曝光圖案。 其後，藉由將帶感光層之支持層22浸漬於顯影液而保留曝光部分，除去未曝光部分(使之顯影)。藉此，如圖2及圖4C所示，將具有圓形狀之排列標記8、及直線形狀之切斷標記9之對準標記7形成為顯影圖案23。 排列標記8之直徑為0.5 mm，相鄰之排列標記8間之間隔為1.14 mm，相鄰之排列標記8之間距為1.64 mm。切斷標記9之左右方向長度為0.5 mm，前後方向長度為0.2 mm。相鄰之切斷標記9間之間隔為1.62 mm，相鄰之切斷標記9之間距為1.64 mm。 對準標記7不透明，其總光線透過率為10%。 另外，於第1剝離層5之表面準備包含矽酮系黏著劑且厚度為25 μm之元件集合體固定層3，另一方面於第2剝離層6之表面準備包含矽酮系黏著劑且厚度為15 μm之第1感壓接著層4。 繼而，將元件集合體固定層3以包含對準標記7之方式配置於支持層2之上表面，並且將第1感壓接著層4配置於支持層2之下表面。 藉此，如圖3所示，獲得依序具備第2剝離層6、第1感壓接著層4、支持層2、元件集合體固定層3及第1剝離層5之元件集合體暫固定片材1。 其後，將第2剝離層6自第1感壓接著層4剝離，其後，如圖1A所示，於第1感壓接著層4之下表面配置包含玻璃且厚度為700 μm之載體10。 藉此，如圖1A所示，準備好具備元件集合體暫固定片材1、及設置於其下之載體10之暫固定構件30。暫固定構件30之厚度為790 μm。 1-4.步驟(2) 如圖1A之假想線箭頭所示，將第1剝離層5自元件集合體固定層3之上表面剝離後，如圖1B所示，以排列標記8為基準，將複數個光半導體元件11整齊配置於元件集合體固定層3。此時，自上方藉由相機視認排列標記8。 光半導體元件11之厚度為150 μm，光半導體元件11之左右方向長度及前後方向長度為1.14 mm，相鄰之光半導體元件11之間之間隔為0.5 mm以上。 1-5.步驟(3) 如圖1C所示，繼而，藉由密封層12密封元件集合體16。密封層12包括含有矽酮樹脂100質量份及螢光體15質量份之密封組合物。密封層12之厚度為400 μm。藉此，獲得具備複數個光半導體元件11、及1個密封層12之密封元件集合體19。 1-6.步驟(4) 如圖1D之單點虛線及圖2所示，繼而，以切斷標記9為基準，利用切片鋸將密封層12切斷，而使密封元件集合體19單片化。此時，自上方藉由相機視認切斷標記9。切斷後之密封層12之左右方向長度及前後方向長度分別為100 mm。 藉此，以暫固定於暫固定構件30之狀態，獲得複數個具備光半導體元件11、及密封層12之密封光半導體元件13。 1-7.步驟(5) 繼而，如圖1D之箭頭所示，將複數個密封光半導體元件13分別自元件集合體固定層3剝離。 其後，如圖1E所示，將密封光半導體元件13覆晶安裝於基板14。 實施例2(與第1實施形態對應之實施例) 於步驟(1)中，除藉由包含碳黑之塗佈液之噴墨印刷及乾燥而形成對準標記7以外，與實施例1同樣地加以處理，而獲得元件集合體暫固定片材1，繼而，使用元件集合體暫固定片材1製造密封光半導體元件13，其次，製造光半導體裝置15。 實施例3(與第2實施形態對應之實施例) 於步驟(1)中，除如下所述之變更以外，與實施例1同樣地加以處理，而獲得元件集合體暫固定片材1，繼而，使用元件集合體暫固定片材1，製造密封光半導體元件13(參照圖7A～圖8D)，其次，製造光半導體裝置15(參照圖8E)。 於步驟(1)中，參照圖10，首先，準備具備如下層之積層體(商品名「TRM-6250-L」，日東電工公司製造)：第3剝離層35，其包含聚酯，且厚度為50 μm；標記感壓接著層33，其包含矽酮系感壓接著劑，且厚度為6 μm；及標記支持層32，其包含聚醯亞胺，且厚度為25 μm。 支持層2之總光線透過率為95%。支持層2之線膨脹係數為70×10-6 K-1 。支持層2之於25℃之拉伸彈性模數E為60 MPa。 元件集合體固定層3之總光線透過率為95%。元件集合體固定層3之線膨脹係數為220×10-6 K-1 。 繼而，如圖10所示，藉由YAG雷射，按照與實施例1相同之圖案，以貫通積層體之方式形成貫通孔26。YAG雷射之條件如下所述。 YAG雷射：MODEL5330(ESI公司製造) 光束直徑：5 μm 雷射功率：2.5W 脈衝之重複頻率：30kHz 掃描速度＝150 mm/秒 藉此，於第3剝離層35及支持於第3剝離層35之標記層31(標記感壓接著層33及標記支持層32)，形成貫通孔26作為對準標記7。 其後，將第3剝離層35自標記感壓接著層33剝離，繼而，如圖7A所示，將標記感壓接著層33感壓接著於載體10之下表面。另外，將元件集合體暫固定片材1中之第1感壓接著層4之下表面感壓接著於載體10之上表面。 藉此，獲得具備載體10、支持於載體10之元件集合體暫固定片材1、及支持於載體10之標記層31之暫固定構件30。 實施例4(與第3實施形態對應之實施例) 4-1.步驟(1) 除不具備第2剝離層6及第1感壓接著層4以外，與實施例1同樣地加以處理，而獲得元件集合體暫固定片材1。即，如圖13所示，該元件集合體暫固定片材1依序具備支持層2、元件集合體固定層3、及第1剝離層5。元件集合體暫固定片材1之厚度為100 μm。 其後，將第1剝離層5自元件集合體固定層3剝離，繼而，如圖12A所示，於元件集合體固定層3之上表面，配置包含玻璃且厚度為700 μm之載體10。藉此，準備好暫固定構件30。暫固定構件30之厚度為800 μm。 4-2.步驟(2) 另外，將包含元件集合體暫固定片材1且厚度為90 μm之第2感壓接著層25配置於載體10之上表面，其中該元件集合體暫固定片材1包含支持層2、元件集合體固定層3、及第1感壓接著層4。 如圖12B所示，繼而，以排列標記8為基準，將複數個光半導體元件11整齊配置於第2感壓接著層25之上表面。此時，自上方藉由相機視認排列標記8。光半導體元件11之尺寸及相鄰之光半導體元件11間之尺寸與實施例1相同。 藉此，以經由載體10而支持於元件集合體暫固定片材1之狀態，獲得具備第2感壓接著層25、及複數個光半導體元件11之元件集合體16。 4-3.步驟(3) 如圖12C所示，繼而，藉由密封層12，密封元件集合體16中之複數個光半導體元件11。密封層12包括含有矽酮樹脂100質量份及螢光體15質量份之密封組合物。密封層12之厚度為400 μm。 藉此，獲得具備元件集合體16、及覆蓋複數個光半導體元件11之密封層12之密封元件集合體19。 4-4.步驟(4) 如圖12D之單點虛線所示，繼而，以切斷標記9為基準，利用切片鋸將密封層12切斷。此時，自上方藉由相機視認切斷標記9。切斷後之密封層12之左右方向長度及前後方向長度分別為1.62 mm。 4-5.步驟(5) 其後，如圖12E之箭頭所示，將密封元件集合體19自載體10之上表面剝離。繼而，將複數個密封光半導體元件13分別自第2感壓接著層25剝離。 其後，如圖12F所示，將密封光半導體元件13覆晶安裝於基板14，而獲得光半導體裝置15。 實施例5(與第3實施形態對應之實施例) 於步驟(1)中，除藉由包含碳黑之塗佈液之噴墨印刷及乾燥而形成對準標記7以外，與實施例4同樣地加以處理，而獲得元件集合體暫固定片材1，繼而，使用元件集合體暫固定片材1，製造密封光半導體元件13，其次，製造光半導體裝置15。 再者，上述說明係作為本發明之例示之實施形態而提供，其不過為例示，不可理解為具有限定性。由該技術領域之業者知曉之本發明之變化例包含於下述申請專利範圍內。
1‧‧‧元件集合體暫固定片材2‧‧‧支持層3‧‧‧元件集合體固定層4‧‧‧第1感壓接著層5‧‧‧第1剝離層6‧‧‧第2剝離層7‧‧‧對準標記8‧‧‧排列標記9‧‧‧切斷標記10‧‧‧載體11‧‧‧光半導體元件12‧‧‧密封層13‧‧‧密封光半導體元件14‧‧‧基板15‧‧‧光半導體裝置16‧‧‧元件集合體17‧‧‧元件集合體形成區域18‧‧‧標記形成區域19‧‧‧密封元件集合體21‧‧‧感光層22‧‧‧帶感光層之支持層23‧‧‧顯影圖案25‧‧‧第2感壓接著層26‧‧‧貫通孔30‧‧‧暫固定構件31‧‧‧標記層32‧‧‧標記支持層33‧‧‧標記感壓接著層35‧‧‧第3剝離層
圖1A～圖1E係本發明之密封光半導體元件之製造方法之第1實施形態之步驟圖， 圖1A表示將載體設置於元件集合體暫固定片材之下之步驟， 圖1B表示將複數個光半導體元件暫固定於元件集合體暫固定片材之步驟， 圖1C表示藉由密封層密封複數個光半導體元件之步驟， 圖1D表示將密封層切斷而將密封光半導體元件自元件集合體暫固定片材剝離之步驟， 圖1E表示將密封光半導體元件覆晶安裝於基板之步驟。 圖2表示第1實施形態中使用之元件集合體暫固定片材之俯視圖。 圖3表示圖2所示之元件集合體暫固定片材之沿A-A線之剖視圖。 圖4A～圖4C係使用光微影法設置對準標記之方法之步驟圖， 圖4A表示準備具備支持層及感光層之帶感光層之支持層的步驟， 圖4B表示將感光層曝光之步驟， 圖4C表示使感光層顯影之步驟。 圖5A～圖5E係第1實施形態之元件集合體暫固定片材之製造方法之變化例， 圖5A表示將載體設置於元件集合體暫固定片材之下之步驟， 圖5B表示將複數個光半導體元件暫固定於元件集合體暫固定片材之步驟， 圖5C表示藉由密封層密封複數個光半導體元件之步驟， 圖5D表示將密封層切斷而將密封光半導體元件自元件集合體暫固定片材剝離之步驟， 圖5E表示將密封光半導體元件覆晶安裝於基板之步驟。 圖6A及圖6B係第1實施形態之密封光半導體元件之製造方法之變化例， 圖6A表示不將密封層切斷地將其自元件集合體暫固定片材剝離之步驟， 圖6B表示將密封元件集合體覆晶安裝於基板之步驟。 圖7A～圖7C係本發明之密封光半導體元件之製造方法之第2實施形態之步驟圖， 圖7A表示將標記層及載體設置於元件集合體暫固定片材之下而準備暫固定構件之步驟， 圖7B表示將複數個光半導體元件暫固定於元件集合體暫固定片材之步驟， 圖7C表示藉由密封層密封複數個光半導體元件之步驟。 圖8D及圖8E係繼圖7C之後的本發明之密封光半導體元件之製造方法之第2實施形態之步驟圖， 圖8D表示將密封層切斷而將密封光半導體元件自元件集合體暫固定片材剝離之步驟， 圖8E表示將密封光半導體元件覆晶安裝於基板之步驟。 圖9表示第2實施形態中使用之元件集合體暫固定片材之俯視圖。 圖10表示具備圖8A所示之標記層及第3剝離層之積層體之剖視圖。 圖11表示圖10所示之積層體之變化例之剖視圖。 圖12A～圖12F係本發明之密封光半導體元件之製造方法之第3實施形態之步驟圖， 圖12A表示將載體設置於元件集合體暫固定片材之上並且將第2感壓接著層設置於載體之上而準備元件集合體暫固定片材之步驟， 圖12B表示將複數個光半導體元件暫固定於第2感壓接著層之步驟， 圖12C表示藉由密封層密封複數個光半導體元件之步驟， 圖12D表示將密封層切斷之步驟， 圖12E表示將密封光半導體元件自第2感壓接著層剝離之步驟， 圖12F表示將密封光半導體元件覆晶安裝於基板之步驟。 圖13表示第3實施形態中使用之元件集合體暫固定片材之剖視圖。 圖14A～圖14F係第3實施形態之密封光半導體元件之製造方法之變化例， 圖14A表示將載體設置於元件集合體暫固定片材之上並且將第2感壓接著層設置於載體之上而準備元件集合體暫固定片材之步驟， 圖14B表示將複數個光半導體元件暫固定於第2感壓接著層之步驟， 圖14C表示藉由密封層密封複數個光半導體元件之步驟， 圖14D表示將密封層切斷之步驟， 圖14E表示將密封光半導體元件自第2感壓接著層剝離之步驟， 圖14F表示將密封光半導體元件覆晶安裝於基板之步驟。 圖15A～圖15C係第3實施形態之密封光半導體元件之製造方法之變化例之步驟圖， 圖15A表示不將密封層切斷地將第2感壓接著層自元件集合體暫固定片材剝離之步驟， 圖15B表示將光半導體元件及密封層自第2感壓接著層剝離之步驟， 圖15C表示將光半導體元件覆晶安裝於基板之步驟。
1‧‧‧元件集合體暫固定片材
2‧‧‧支持層
3‧‧‧元件集合體固定層
4‧‧‧第1感壓接著層
5‧‧‧第1剝離層
7‧‧‧對準標記
8‧‧‧排列標記
9‧‧‧切斷標記
10‧‧‧載體
11‧‧‧光半導體元件
12‧‧‧密封層
13‧‧‧密封光半導體元件
14‧‧‧基板
15‧‧‧光半導體裝置
16‧‧‧元件集合體
19‧‧‧密封元件集合體
30‧‧‧暫固定構件

Claims (6)

  1. 一種密封光半導體元件之製造方法，其特徵在於具備：步驟(1)，其係準備暫固定構件，該暫固定構件具備硬質之載體、支持於上述載體且包含合成樹脂之支持層、及支持於上述支持層之固定層；步驟(2)，其係將複數個光半導體元件整齊配置而成之元件集合體暫固定於上述固定層；步驟(3)，其係於上述步驟(2)之後，藉由密封層覆蓋複數個上述光半導體元件，而獲得具備上述元件集合體及上述密封層之密封元件集合體；步驟(4)，其係於上述步驟(3)之後，以使上述密封光半導體元件單片化之方式將上述密封層切斷；及步驟(5)，其係於上述步驟(4)之後，將上述密封元件集合體自上述固定層剝離；且於上述支持層設置有對準標記；於上述步驟(2)中，以上述對準標記為基準，將上述元件集合體暫固定於上述固定層；及/或，於上述步驟(4)中，以上述對準標記為基準將上述密封層切斷；上述暫固定構件進而具備第1感壓接著層，且上述暫固定構件依序具備上述載體、上述第1感壓接著層、上述支持層及上述固定層。
  2. 一種密封光半導體元件之製造方法，其特徵在於具備：步驟(1)，其係準備暫固定構件，該暫固定構件具備硬質之載體、支持於上述載體且包含合成樹脂之支持層、支持於上述支持層之固定層、及支持於上述載體之標記層；步驟(2)，其係將複數個光半導體元件整齊配置而成之元件集合體暫固定於上述固定層；步驟(3)，其係於上述步驟(2)之後，藉由密封層覆蓋複數個上述光半導體元件，而獲得具備上述元件集合體及上述密封層之密封元件集合體；步驟(4)，其係於上述步驟(3)之後，以使上述密封光半導體元件單片化之方式將上述密封層切斷；及步驟(5)，其係於上述步驟(4)之後，將上述密封元件集合體自上述固定層剝離；且於上述標記層設置有對準標記；於上述步驟(2)中，以上述對準標記為基準，將上述元件集合體暫固定於上述固定層；及/或，於上述步驟(4)中，以上述對準標記為基準將上述密封層切斷。
  3. 一種密封光半導體元件之製造方法，其特徵在於具備：步驟(1)，其係準備暫固定構件，該暫固定構件具備硬質之載體、支持於上述載體且包含合成樹脂之支持層、及支持於上述支持層之固定層；步驟(2)，其係將複數個光半導體元件整齊配置而成之元件集合體 暫固定於上述固定層；步驟(3)，其係於上述步驟(2)之後，藉由密封層覆蓋複數個上述光半導體元件，而獲得具備上述元件集合體及上述密封層之密封元件集合體；及步驟(5)，其係於上述步驟(3)之後，將上述密封元件集合體自上述固定層剝離；且於上述支持層設置有對準標記；於上述步驟(2)中，以上述對準標記為基準，將上述元件集合體暫固定於上述固定層；上述暫固定構件進而具備第1感壓接著層，且上述暫固定構件依序具備上述載體、上述第1感壓接著層、上述支持層及上述固定層。
  4. 一種密封光半導體元件之製造方法，其特徵在於具備：步驟(1)，其係準備暫固定構件，該暫固定構件具備硬質之載體、支持於上述載體且包含合成樹脂之支持層、支持於上述支持層之固定層、及支持於上述載體之標記層；步驟(2)，其係將複數個光半導體元件整齊配置而成之元件集合體暫固定於上述固定層；步驟(3)，其係於上述步驟(2)之後，藉由密封層覆蓋複數個上述光半導體元件，而獲得具備上述元件集合體及上述密封層之密封元件集合體；及步驟(5)，其係於上述步驟(3)之後，將上述密封元件集合體自上述 固定層剝離；且於上述標記層設置有對準標記；於上述步驟(2)中，以上述對準標記為基準，將上述元件集合體暫固定於上述固定層。
  5. 如請求項2或4之密封光半導體元件之製造方法，其中上述暫固定構件進而具備第1感壓接著層，且上述暫固定構件依序具備上述載體、上述第1感壓接著層、上述支持層及上述固定層。
  6. 如請求項1至4中任一項之密封光半導體元件之製造方法，其中上述元件集合體具備：複數個上述光半導體元件；及第2感壓接著層，其將複數個上述光半導體元件暫固定；且於上述步驟(5)中，將上述第2感壓接著層自上述載體剝離。
TW106107112A 2016-03-04 2017-03-03 密封光半導體元件之製造方法 TWI711191B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016042062 2016-03-04
JP??2016-042062 2016-03-04
JP??2016-205775 2016-10-20
JP2016205775A JP6928437B2 (ja) 2016-03-04 2016-10-20 封止光半導体素子の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201742273A TW201742273A (zh) 2017-12-01
TWI711191B true TWI711191B (zh) 2020-11-21

Family

ID=59857246

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106107112A TWI711191B (zh) 2016-03-04 2017-03-03 密封光半導體元件之製造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6928437B2 (zh)
KR (1) KR102409005B1 (zh)
TW (1) TWI711191B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11815823B2 (en) 2021-10-15 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Alignment mark for front to back side alignment and lithography for optical device fabrication

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200415672A (en) * 2002-05-14 2004-08-16 Toshiba Kk Fabrication method, manufacturing method for semiconductor device, and fabrication device
TW200919596A (en) * 2007-10-31 2009-05-01 Chipmos Technologies Inc Method of fabricating alignment mark for CDIM package structure
TW200929392A (en) * 2007-12-20 2009-07-01 Chipmos Technologies Inc Dice rearrangement package structure using layout process to form a compliant configuration
CN103531692A (zh) * 2012-06-29 2014-01-22 日东电工株式会社 覆盖有荧光体层的led、其制造方法以及led 装置
TW201517179A (zh) * 2013-09-12 2015-05-01 Nitto Denko Corp 半導體裝置之製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9082940B2 (en) * 2012-06-29 2015-07-14 Nitto Denko Corporation Encapsulating layer-covered semiconductor element, producing method thereof, and semiconductor device
US8907502B2 (en) 2012-06-29 2014-12-09 Nitto Denko Corporation Encapsulating layer-covered semiconductor element, producing method thereof, and semiconductor device
US9825209B2 (en) * 2012-12-21 2017-11-21 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Electronic component package and method for manufacturing the same
US9966522B2 (en) * 2014-04-23 2018-05-08 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device substrate, light-emitting device, and method for manufacturing light-emitting device substrate
TW201616689A (zh) * 2014-06-25 2016-05-01 皇家飛利浦有限公司 經封裝之波長轉換發光裝置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200415672A (en) * 2002-05-14 2004-08-16 Toshiba Kk Fabrication method, manufacturing method for semiconductor device, and fabrication device
TW200919596A (en) * 2007-10-31 2009-05-01 Chipmos Technologies Inc Method of fabricating alignment mark for CDIM package structure
TW200929392A (en) * 2007-12-20 2009-07-01 Chipmos Technologies Inc Dice rearrangement package structure using layout process to form a compliant configuration
CN103531692A (zh) * 2012-06-29 2014-01-22 日东电工株式会社 覆盖有荧光体层的led、其制造方法以及led 装置
TW201517179A (zh) * 2013-09-12 2015-05-01 Nitto Denko Corp 半導體裝置之製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017163125A (ja) 2017-09-14
KR102409005B1 (ko) 2022-06-14
JP6928437B2 (ja) 2021-09-01
TW201742273A (zh) 2017-12-01
KR20170103693A (ko) 2017-09-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20140002535A (ko) 반사층-형광체층 피복 led, 그 제조 방법, led 장치 및 그 제조 방법
JP5618522B2 (ja) 半導体装置を形成する方法
KR20140002536A (ko) 형광체층 피복 ｌｅｄ, 그 제조 방법 및 ｌｅｄ 장치
JP5751615B2 (ja) ウエハ加工用粘着シート、該シートを用いたマーキング方法およびマーキングチップの製造方法
JP2014168036A (ja) 封止層被覆半導体素子、その製造方法および半導体装置
TWI769151B (zh) 元件集合體暫固定片之製造方法
JP2014168035A (ja) 封止層被覆半導体素子、その製造方法および半導体装置
US10580942B2 (en) Electronic component, optoelectronic component, component arrangement, and method for producing an electronic component
TW201227937A (en) Image sensor chip package and method for forming the same
JP2010238948A (ja) 半導体装置の製造方法
CN109585700B (zh) 一种显示基板及其制作方法、显示装置
JP2008130706A (ja) 半導体装置の製造方法
TWI711191B (zh) 密封光半導體元件之製造方法
KR20100066384A (ko) 반도체 기판의 저면 및 측면을 수지 보호막으로 덮은 반도체 장치의 제조방법
TW201501222A (zh) 半導體晶片之製造方法
US6610167B1 (en) Method for fabricating a special-purpose die using a polymerizable tape
CN107154455B (zh) 密封光半导体元件的制造方法
CN109755220B (zh) 发光装置及其制作方法
US6572944B1 (en) Structure for fabricating a special-purpose die using a polymerizable tape
JP2016146413A (ja) 半導体装置の製造方法
CN205723603U (zh) 元件集合体临时固定片
JP2007266421A (ja) 半導体装置およびその製造方法
US11390519B2 (en) Method for manufacturing a MEMS sensor
JP6838528B2 (ja) 基板の製造方法と発光装置の製造方法
TWI310582B (en) Method for laser marking on a wafer