CN107154455B - 密封光半导体元件的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供密封光半导体元件的制造方法。其具备：准备临时固定构件的工序(1)，该临时固定构件具备硬质的载体、支承于载体的由合成树脂形成的支承层以及支承于支承层的固定层；将排列配置有多个光半导体元件的元件集合体临时固定于固定层的工序(2)；在工序(2)后、利用密封层包覆多个光半导体元件而获得具备元件集合体和密封层的密封元件集合体的工序(3)；在工序(3)后、以将密封光半导体元件单片化的方式切断密封层的工序(4)；在工序(4)之后、将密封元件集合体从固定层剥离的工序(5)。在支承层设置对准标记，在工序(2)中以对准标记为基准将元件集合体临时固定于固定层和/或在工序(4)中以对准标记为基准切断密封层。

Description

密封光半导体元件的制造方法

技术领域

本发明涉及密封光半导体元件的制造方法。

背景技术

以往，公知有利用荧光体层等包覆层包覆多个LED来制作包覆LED的技术。

例如，提出了一种方法，在该方法中，准备具备硬质的支承板的支承片材，将半导体元件配置于支承片材的上表面，利用密封层包覆半导体元件，之后，将密封层与半导体元件相对应地切断(参照例如日本特开2014-168036号公报。)。

在日本特开2014-168036号公报中，在支承板设置有基准标记，以该基准标记为基准切断了密封层。

发明内容

然而，存在想再利用支承板的情况。不过，在支承板设置有标记，因此，存在无法再利用那样的支承板这样的不良情况。

而且，支承板是硬质，因此，也存在设置标记并不容易这样的不良情况。

本发明的目的在于提供一种能够再利用载体、且能够在支承层容易地形成对准标记的密封光半导体元件的制造方法。

本发明[1]是一种密封光半导体元件的制造方法，其特征在于，该密封光半导体元件的制造方法具备：工序(1)，在该工序(1)中，准备临时固定构件，该临时固定构件具备：硬质的载体；支承层，其支承于所述载体，由合成树脂形成；以及固定层，其支承于所述支承层；工序(2)，在该工序(2)中，将排列配置有多个光半导体元件的元件集合体临时固定于所述固定层；工序(3)，其在所述工序(2)之后，在该工序(3)中，利用密封层包覆多个所述光半导体元件而获得具备所述元件集合体和所述密封层的密封元件集合体；工序(4)，其在所述工序(3)之后，在该工序(4)中，以将所述密封光半导体元件单片化的方式切断所述密封层；工序(5)，其在所述工序(4)之后，在该工序(5)中，将所述密封元件集合体从所述固定层剥离，在所述支承层设置有对准标记，在所述工序(2)中，以所述对准标记为基准将所述元件集合体临时固定于所述固定层，和/或，在所述工序(4)中，以所述对准标记为基准切断所述密封层。

根据该方法，不是在硬质的载体而是在由合成树脂形成的支承层设置对准标记，因此，只要将载体从支承层分离，就能够再利用载体。

另外，在由合成树脂形成的支承层设置对准标记，因此，能够在支承层容易地形成对准标记。

本发明[2]是一种密封光半导体元件的制造方法，其特征在于，该密封光半导体元件的制造方法具备：工序(1)，在该工序(1)中，准备临时固定构件，该临时固定构件具备：硬质的载体；支承层，其支承于所述载体，由合成树脂形成；固定层，其支承于所述支承层；以及标记层，其支承于所述载体；工序(2)，在该工序(2)中，将排列配置有多个光半导体元件的元件集合体临时固定于所述固定层；工序(3)，其在所述工序(2)之后，在该工序(3)中，利用密封层包覆多个所述光半导体元件而获得具备所述元件集合体和所述密封层的密封元件集合体；工序(4)，其在所述工序(3)之后，在该工序(4)中，以将所述密封光半导体元件单片化的方式切断所述密封层；工序(5)，其在所述工序(4)之后，在该工序(5)中，将所述密封元件集合体从所述固定层剥离，在所述标记层设置有对准标记，在所述工序(2)中，以所述对准标记为基准将所述元件集合体临时固定于所述固定层，和/或，在所述工序(4)中，以所述对准标记为基准切断所述密封层。

根据该方法，不是在硬质的载体而是在标记层设置对准标记，因此，只要使载体从标记层分离，就能够再利用载体。

另外，能够在标记层容易地形成对准标记。

本发明[3]是一种密封光半导体元件的制造方法，其特征在于，该密封光半导体元件的制造方法具备：工序(1)，在该工序(1)中，准备临时固定构件，该临时固定构件具备：硬质的载体；支承层，其支承于所述载体，由合成树脂形成；以及固定层，其支承于所述支承层；工序(2)，在该工序(2)中，将排列配置有多个光半导体元件的元件集合体临时固定于所述固定层；工序(3)，其在所述工序(2)之后，在该工序(3)中，利用密封层包覆多个所述光半导体元件而获得具备所述元件集合体和所述密封层的密封元件集合体；工序(5)，其在所述工序(3)之后，在该工序(5)中，将所述密封元件集合体从所述固定层剥离，在所述支承层设置有对准标记，在所述工序(2)中，以所述对准标记为基准将所述元件集合体临时固定于所述固定层。

根据该方法，不是在硬质的载体而是在由合成树脂形成的支承层设置对准标记，因此，只要将载体从支承层分离，就能够再利用载体。

另外，在由合成树脂形成的支承层设置对准标记，因此，能够容易地在支承层形成对准标记。

本发明[4]是一种密封光半导体元件的制造方法，其特征在于，该密封光半导体元件的制造方法具备：工序(1)，在该工序(1)中，准备临时固定构件，该临时固定构件具备：硬质的载体；支承层，其支承于所述载体，由合成树脂形成；固定层，其支承于所述支承层，以及标记层，其支承于所述载体；工序(2)，在该工序(2)中，将排列配置有多个光半导体元件的元件集合体临时固定于所述固定层；工序(3)，其在所述工序(2)之后，在该工序(3)中，利用密封层包覆多个所述光半导体元件而获得具备所述元件集合体和所述密封层的密封元件集合体；工序(5)，其在所述工序(3)之后，在该工序(5)中，将所述密封元件集合体从所述固定层剥离，在所述标记层设置有对准标记，在所述工序(2)中，以所述对准标记为基准将所述元件集合体临时固定于所述固定层。

根据该方法，不是在硬质的载体而是在标记层设置对准标记，因此，只要将载体从标记层分离，就能够再利用载体。

另外，能够在标记层容易地形成对准标记。

本发明[5]包括[1]～[4]中任一项所记载的密封光半导体元件的制造方法，其特征在于，所述临时固定构件还具备第1压敏粘接层，所述临时固定构件依次具备所述载体、所述第1压敏粘接层、所述支承层以及所述固定层。

根据该方法，能够利用载体可靠且简便地对支承层进行支承。

本发明[6]包括[1]～[4]中任一项所记载的密封光半导体元件的制造方法，其特征在于，所述元件集合体具备：多个所述光半导体元件；将多个所述光半导体元件临时固定的第2压敏粘接层，在所述工序(5)中，将所述第2压敏粘接层从所述载体剥离。

根据该方法，能够利用载体可靠且简便地对支承层进行支承。

根据本发明的方法，能够再利用载体。

附图说明

图1表示本发明的密封光半导体元件的制造方法的第1实施方式的工序图，

图1的A表示将载体设置于元件集合体临时固定片材之下的工序、

图1的B表示将多个光半导体元件临时固定于元件集合体临时固定片材的工序、

图1的C表示利用密封层密封多个光半导体元件的工序、

图1的D表示将密封层切断而将密封光半导体元件从元件集合体临时固定片材剥离的工序、

图1的E表示将密封光半导体元件倒装芯片安装于基板的工序。

图2表示第1实施方式所使用的元件集合体临时固定片材的俯视图。

图3表示沿着图2所示的元件集合体临时固定片材的A-A线的剖视图。

图4A～图4C是使用光刻法来设置对准标记的方法的工序图，

图4A表示准备具备支承层和感光层的带感光层的支承层的工序、

图4B表示对感光层进行曝光的工序、

图4C表示对感光层进行显影的工序。

图5A～图5E是第1实施方式的元件集合体临时固定片材的制造方法的变形例，

图5A表示将载体设置于元件集合体临时固定片材之下的工序、

图5B表示将多个光半导体元件临时固定于元件集合体临时固定片材的工序、

图5C表示利用密封层密封多个光半导体元件的工序、

图5D表示将密封层切断而将密封光半导体元件从元件集合体临时固定片材剥离的工序、

图5E表示将密封光半导体元件倒装芯片安装于基板的工序。

图6A和图6B是第1实施方式的密封光半导体元件的制造方法的变形例，

图6A表示不将密封层切断、就从元件集合体临时固定片材剥离密封层的工序、

图6B表示将密封元件集合体倒装芯片安装于基板的工序。

图7A～图7C是本发明的密封光半导体元件的制造方法的第2实施方式的工序图，

图7A表示将标记层和载体设置于元件集合体临时固定片材之下而准备临时固定构件的工序、

图7B表示将多个光半导体元件临时固定于元件集合体临时固定片材的工序、

图7C表示利用密封层密封多个光半导体元件的工序。

图8A和图8B接着图7C，是本发明的密封光半导体元件的制造方法的第2实施方式的工序图，

图8A表示切断密封层而将密封光半导体元件从元件集合体临时固定片材剥离的工序、

图8B表示将密封光半导体元件倒装芯片安装于基板的工序。

图9表示第2实施方式所使用的元件集合体临时固定片材的俯视图。

图10表示具备图8A所示的标记层和第3剥离层的层叠体的剖视图。

图11表示图10所示的层叠体的变形例的剖视图。

图12A～图12F是本发明的密封光半导体元件的制造方法的第3实施方式的工序图，

图12A表示将载体设置于元件集合体临时固定片材之上、并且将第2压敏粘接层设置于载体之上来准备元件集合体临时固定片材的工序、

图12B表示将多个光半导体元件临时固定于第2压敏粘接层的工序、

图12C表示利用密封层密封多个光半导体元件的工序、

图12D表示切断密封层的工序、

图12E表示将密封光半导体元件从第2压敏粘接层剥离的工序、

图12F表示将密封光半导体元件倒装芯片安装于基板的工序。

图13表示第3实施方式所使用的元件集合体临时固定片材的剖视图。

图14A～图14F是第3实施方式的密封光半导体元件的制造方法的变形例，

图14A表示将载体设置于元件集合体临时固定片材之上、并且将第2压敏粘接层设置于载体之上来准备元件集合体临时固定片材的工序、

图14B表示将多个光半导体元件临时固定于第2压敏粘接层的工序、

图14C表示利用密封层密封多个光半导体元件的工序、

图14D表示切断密封层的工序、

图14E表示将密封光半导体元件从第2压敏粘接层剥离的工序、

图14F表示将密封光半导体元件倒装芯片安装于基板的工序。

图15A～图15C是第3实施方式的密封光半导体元件的制造方法的变形例的工序图，

图15A表示不将密封层切断、就将第2压敏粘接层从元件集合体临时固定片材剥离的工序、

图15B表示将光半导体元件和密封层从第2压敏粘接层剥离的工序、

图15C表示将光半导体元件倒装芯片安装于基板的工序。

具体实施方式

在图1中，纸面上下方向是上下方向(第1方向、厚度方向)，纸面上侧是上侧(第1方向一侧、厚度方向一侧)，纸面下侧是下侧(第1方向另一侧、厚度方向另一侧)。在图1中，纸面左右方向是左右方向(与第1方向正交的第2方向、宽度方向)，纸面右侧是右侧(第2方向一侧、宽度方向一侧)，纸面左侧是左侧(第2方向另一侧、宽度方向另一侧)。在图1中，纸厚方向是前后方向(与第1方向和第2方向正交的第3方向)，纸面跟前侧是前侧(第3方向一侧)，纸面进深侧是后侧(第3方向另一侧)。具体而言，依据各图的方向箭头。

1.第1实施方式

本发明的密封光半导体元件的制造方法的第1实施方式具备如下工序：工序(1)，在该工序(1)中，准备临时固定构件30，该临时固定构件30依次具备载体10、第1压敏粘接层4、支承层2以及作为固定层的一个例子的元件集合体固定层3(参照图1的A)；工序(2)，在该工序(2)中，将排列配置有多个光半导体元件11的元件集合体16临时固定于元件集合体固定层3(参照图1的B)；工序(3)，其在工序(2)之后，在该工序(3)中，利用密封层12包覆多个光半导体元件11而获得具备元件集合体16和密封层12的密封元件集合体19(参照图1的C)；工序(4)，其在工序(3)之后，以将密封光半导体元件13单片化的方式切断密封层12(参照图1的D)；工序(5)，其在工序(4)之后，在该工序(5)中，将密封元件集合体19从元件集合体固定层3剥离(参照图1的D)。以下，说明各工序。

1-1.工序(1)

如图1的A所示，在工序(1)中，准备临时固定构件30。

临时固定构件30具备元件集合体临时固定片材1和设置于元件集合体临时固定片材1之下的载体10。

1-1.(1)元件集合体临时固定片材

如图2和图3所示，元件集合体临时固定片材1具有平板形状，具体而言，具有预定的厚度，沿着与厚度方向正交的面方向(左右方向和前后方向)延伸，具有平坦的表面和平坦的背面。此外，元件集合体临时固定片材1具有前后方向长度比左右方向长度(宽度)长的平板形状。或者、元件集合体临时固定片材1具有前后方向较长的纵长形状。

另外，如图1的A所示，元件集合体临时固定片材1位于临时固定构件30的上部。元件集合体临时固定片材1形成了临时固定构件30的上表面。

如图3所示，元件集合体临时固定片材1依次具备元件集合体固定层3、支承层2以及第1压敏粘接层4。具体而言，元件集合体临时固定片材1具备支承层2、设置于支承层2之上的元件集合体固定层3以及设置于支承层2之下的第1压敏粘接层4。另外，在该元件集合体临时固定片材1中，元件集合体固定层3具备对准标记7。以下，说明各构件。

1-1.(1)A.支承层

支承层2位于元件集合体临时固定片材1的厚度方向中央。也就是说，支承层2介于元件集合体固定层3与第1压敏粘接层4之间。元件集合体临时固定片材1具有平板形状，具体而言，具有预定的厚度，沿着左右方向和前后方向延伸，具有平坦的表面和平坦的背面。另外，支承层2具有挠性。支承层2支承着元件集合体固定层3和第1压敏粘接层4。

支承层2由合成树脂形成。作为合成树脂，可列举出例如聚乙烯(例如、低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、线状低密度聚乙烯等)、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-C4以上的α-烯烃共聚物等烯烃聚合物、例如、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-n-丙烯酸丁酯共聚物等乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、例如、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯、例如、聚碳酸酯、例如、聚氨酯、例如、聚酰亚胺等聚合物。共聚物也可以是无规共聚物和嵌段共聚物中的一种。合成树脂也可以单独使用或同时使用两种以上。另外，支承层2也可以是上述的合成树脂的多孔质。

支承层2优选由PET、聚碳酸酯形成。

另外，支承层2也可以由单层或多个层构成。

另外，上述的合成树脂是例如透明的。也就是说，支承层2是透明的。具体而言，支承层2的全光线透过率是例如80％以上，优选是90％以上、更优选是95％以上，另外，是例如99.9％以下。

支承层2的线膨胀系数是例如500×10^-6K^-1以下，优选是300×10^-6K^-1以下，另外，是例如2×10^-6K^-1以上，优选是10×10^-6K^-1以上。支承层2的收缩度只要是上述的上限以下，就能够达成以对准标记7为基准的光半导体元件11的排列、和/或、密封层12的切断。支承层2的线膨胀系数可由线膨胀系数测定装置(TMA)测定。以下的各构件的线膨胀系数也可由同样的方法测定。

支承层2的25℃时的拉伸模量E是例如200MPa以下，优选是100MPa以下，更优选是80MPa以下，另外，是例如50MPa以上。支承层2的25℃时的拉伸模量E只要是上述的上限以下，能够确保挠性，能够容易地设置对准标记7。

支承层2的厚度是例如10μm以上，优选是30μm以上，另外，是例如350μm以下，优选是100μm以下。

1-1.(1)B.元件集合体固定层

元件集合体固定层3位于元件集合体临时固定片材1的上端部。元件集合体固定层3配置于支承层2的上表面。也就是说，元件集合体固定层3形成了元件集合体临时固定片材1的上表面。元件集合体固定层3支承于支承层2。元件集合体固定层3具有平板形状，具体而言，具有预定的厚度，沿着左右方向和前后方向延伸，具有平坦的表面和平坦的背面(除了与后述的对准标记7相对应的部分之外)。

元件集合体固定层3构成为将排列配置有多个光半导体元件11的元件集合体16(后述。参照图1的B和图2)临时固定。

另外，元件集合体固定层3具有压敏粘接性(粘合性)。

元件集合体固定层3包括压敏粘接剂。作为压敏粘接剂，可列举出例如丙烯酸系压敏粘接剂、橡胶系压敏粘接剂、SIS(苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯·嵌段共聚物)系压敏粘接剂、有机硅系压敏粘接剂、乙烯基烷基醚系压敏粘接剂、聚乙烯醇系压敏粘接剂、聚乙烯吡咯烷酮系压敏粘接剂、聚丙烯酰胺系压敏粘接剂、纤维素系压敏粘接剂、聚氨酯系压敏粘接剂、聚酯系压敏粘接剂、聚酰胺系压敏粘接剂、环氧系压敏粘接剂等。优选可列举出有机硅系压敏粘接剂。

另外，元件集合体固定层3是透明的。元件集合体固定层3的全光线透过率是例如80％以上，优选是90％以上，更优选是95％以上，另外，例如是99.9％以下。

元件集合体固定层3的线膨胀系数是例如500×10^-6K^-1以下，优选是300×10^-6K^-1以下，另外，是例如2×10^-6K^-1以上，优选是10×10^-6K^-1以上。

元件集合体固定层3相对于硅板压敏粘接，在25℃时，将元件集合体固定层3从硅板以180度剥离了时的剥离力是例如0.1N/mm以上，优选是0.3N/mm以上，另外，是例如1N/mm以下。元件集合体固定层3的剥离力只要是上述的下限以上，就能够可靠地临时固定多个光半导体元件11。

元件集合体固定层3的厚度是例如5μm以上，优选是10μm以上，另外，例如小于120μm，优选小于100μm，更优选是80μm以下，进一步优选是60μm以下。在元件集合体固定层3的厚度超过上述下限的情况下，能够对元件集合体临时固定片材1的上表面可靠地赋予压敏粘接性。因此，能够简便地制造元件集合体临时固定片材1。在元件集合体固定层3的厚度低于上述上限的情况下，能够提高元件集合体固定层3的处理性。

1-1.(1)C.第1压敏粘接层

第1压敏粘接层4位于元件集合体临时固定片材1的下端部。另外，第1压敏粘接层4配置于支承层2的下表面。也就是说，第1压敏粘接层4形成了元件集合体临时固定片材1的下表面。第1压敏粘接层4支承于支承层2。而且，第1压敏粘接层4沿着厚度方向与元件集合体固定层3夹持支承层2。第1压敏粘接层4具有平板形状，具体而言，具有预定的厚度，沿着左右方向和前后方向延伸，具有平坦的表面和平坦的背面。

第1压敏粘接层4具有压敏粘接性(粘合性)。

第1压敏粘接层4包括与元件集合体固定层3相同的压敏粘接剂。

第1压敏粘接层4是透明的。第1压敏粘接层4的全光线透过率是例如80％以上，优选是90％以上，更优选是95％以上，另外，例如是99.9％以下。

第1压敏粘接层4的线膨胀系数是例如500×10^-6K^-1以下，优选是300×10^-6K^-1以下，另外，例如是2×10^-6K^-1以上，优选是10×10^-6K^-1以上。

第1压敏粘接层4的厚度是例如5μm以上，优选是10μm以上，另外，例如小于100μm、优选是80μm以下，更优选是60μm以下。

1-1.(1)D.对准标记

如图3所示，对准标记7设置于支承层2的上表面。

如图2和图3所示，具体而言，对准标记7在支承层2的上表面的右端部设置有多个。详细而言，对准标记7设置于划分于供后述的元件集合体16设置的元件集合体形成区域17的右侧(宽度方向一侧的一个例子)的标记形成区域18。标记形成区域18沿着前后方向配置于元件集合体临时固定片材1的右端部。

对准标记7是用于将元件集合体16临时固定于元件集合体固定层3的、且用于将密封元件集合体16的密封层12切断的、基准标记。具体而言，对准标记7具备排列标记8和切断标记9。排列标记8和切断标记9与沿着左右方向排列成一列的多个光半导体元件11(后述)相对应地分别配置，它们沿着左右方向彼此隔开间隔地排列配置。

排列标记8是对准标记7中的位于左侧的标记，沿着前后方向彼此隔开间隔地配置有多个。多个排列标记8分别具有例如大致圆形状。

切断标记9是对准标记7中的位于右侧的标记，沿着前后方向彼此隔开间隔地配置有多个。具体而言，多个切断标记9的每一个配置成，在沿着左右方向进行了投影时不与多个排列标记8的每一个重复。也就是说，多个排列标记8和多个切断标记9配置成交错状，也就是说，在沿着左右方向进行了投影时在前后方向上交替地配置。多个切断标记9的每一个与多个排列标记8的每一个隔开间隔地配置于右方斜前侧。多个切断标记9分别具有例如沿着左右方向延伸的大致棒(直线)形状。

对准标记7是不透明的。

因此，对准标记7由不透明(后述)的材料形成。作为那样的材料，可列举出例如银(金属银)等金属材料、碳黑等碳材料等。

作为金属材料，优选可列举出银。只要是银，能够更加提高对准标记7的辨认性。

另外，作为碳材料，优选可列举出碳黑。只要是碳黑，能够更加提高对准标记7的辨认性。

适当设定了对准标记7的尺寸。排列标记8的直径(最大长度)是例如0.05mm以上，优选是0.1mm以上，另外，是例如1mm以下，优选是0.5mm以下。相邻的排列标记8的中心间的距离(即、间距)是例如0.05mm以上，优选是0.1mm以上，是例如1.0mm以下，优选是0.8mm以下。

切断标记9的左右方向长度是例如0.05mm以上，优选是0.1mm以上，另外，是例如1mm以下，优选是0.5mm以下。切断标记9的宽度(前后方向长度)是例如0.05mm以上，优选是0.1mm以上，另外，是例如1mm以下，优选是0.25mm以下。在沿着前后方向进行了投影时，左右方向上相邻的排列标记8和切断标记9的间隔是例如0.1mm以上，优选是0.2mm以上，另外，是例如1mm以下，优选是0.8mm以下。切断标记9的中心间的间距是例如0.05mm以上，优选是0.1mm以上，另外，是例如1.0mm以下，优选是0.8mm以下。

对准标记7的厚度是例如0.5μm以上，优选是1μm以上，另外，是例如10μm以下，优选是5μm以下。

对准标记7的全光线透过率是例如40％以下，优选是20％以下，更优选是10％以下，另外，是例如0.1％以上。

1-1.(2)元件集合体临时固定片材的制造方法

接着，说明元件集合体临时固定片材1的制造方法。

在该方法中，如参照图3那样，首先，准备支承层2，接下来，设置对准标记7。

设置对准标记7的方法并没有特别限定，可列举例如使用光刻法的方法、热敏转印(参照例如日本特开2000-135871号公报)、压印、凸版印刷、凹版印刷、孔版印刷(网板印刷)、喷墨印刷(参照例如日本特开2014-10823号公报)等。从精度良好地配置对准标记7的观点考虑，优选可列举使用光刻法的方法、网板印刷，更优选可列举出使用光刻法的方法。

在使用光刻法的方法中，具体而言，如图4A～图4C所示，依次实施如下工序：工序(a)，在该工序(a)中，准备已设置有感光层21的支承层2(参照图4A)；工序(b)，在该工序(b)中，利用光刻法从感光层21形成对准标记7作为显影图案23(参照图4B和图4C)。

在工序(a)中，如图4A所示，准备具备支承层2和设置于该支承层2的上表面的感光层21的带感光层的支承层22。

感光层21设置于支承层2的整个上表面。感光层21由感光材料形成，该感光材料利用光刻法能够形成显影图案23。作为感光材料，可列举出例如银盐乳剂。银盐乳剂含有例如银盐。作为银盐，可列举出例如卤化银等无机银盐，可列举出例如醋酸银等有机银盐，优选可列举出对光的响应性优异的无机银盐。

感光层21的厚度是例如0.5μm以上，优选是1μm以上，另外，是例如10μm以下，优选是5μm以下。

在工序(b)中，如图4B所示，隔着光掩模(未图示)对感光层21照射活性能量射线。具体而言，使用由不锈钢等金属形成的金属掩模来局部地包覆感光层21，之后，对感光层21的从金属掩模暴露的部分照射激光(峰值波长150nm以上、250nm以下)。

之后，如图4C所示，将感光层21浸渍于显影液而残留曝光部分，将未曝光部分去除(显影)。由此，将对准标记7形成为显影图案23。

之后，如图3所示，在支承层2之上设置元件集合体固定层3、并且在支承层2之下设置第1压敏粘接层4。

为了将元件集合体固定层3和第1压敏粘接层4分别设置于支承层2，首先，分别准备元件集合体固定层3和第1压敏粘接层4。

将元件集合体固定层3设置于例如第1剥离层5(参照图3的假想线)的表面。

将第1压敏粘接层4设置于例如第2剥离层6(参照图3的假想线)的表面。

接下来，将元件集合体固定层3配置于支承层2的上表面。此时，以埋设对准标记7的方式将元件集合体固定层3配置于支承层2的上表面。

另外，将第1压敏粘接层4配置于支承层2的下表面。

由此，获得了元件集合体临时固定片材1，该元件集合体临时固定片材1具备：支承层2；元件集合体固定层3和第1压敏粘接层4，其分别配置于该支承层2的上下；第1剥离层5和第2剥离层6，其分别配置于元件集合体固定层3和第1压敏粘接层4。

元件集合体临时固定片材1的厚度是例如15μm以上，优选是40μm以上，另外，是例如550μm以下，优选是260μm以下。

另外，该元件集合体临时固定片材1具有挠性。

1-2.载体

载体10是用于从下方支承元件集合体临时固定片材1(支承层2)的支承板。由此，载体10支承着支承层2。载体10形成为沿着前后方向和左右方向延伸的大致平板状。如图1的A所示，载体10在俯视时具有与元件集合体临时固定片材1相同的形状。

另外，载体10位于临时固定构件30的下部。载体10与元件集合体临时固定片材1的下表面直接接触。具体而言，载体10压敏粘接于元件集合体固定层3的下表面。载体10形成了临时固定构件30的下表面。

载体10由硬质材料形成。作为硬质材料，可列举出例如玻璃等透明材料、例如陶瓷、不锈钢等不透明材料。硬质材料的维氏硬度是例如0.5GPa以上，优选是1GPa以上，更优选是1.2GPa以上，另外，是例如10GPa以下。只要载体10由硬质材料形成，具体而言，只要硬质材料的维氏硬度是上述的下限以上，就能够可靠地支承元件集合体临时固定片材1。

载体10的厚度是例如100μm以上，优选是350μm以上，另外，是例如1000μm以下，优选是600μm以下。

1-3.临时固定构件的制造方法

为了制造临时固定构件30，如参照图1的A那样，首先，分别准备元件集合体临时固定片材1和载体10。

具体而言，首先，在第1压敏粘接层4的下表面配置载体10。

详细而言，首先，将图3的以假想线所示的第2剥离层6从第1压敏粘接层4剥离，之后，如图1的A所示，使载体10与第1压敏粘接层4的下表面直接接触。由此，使载体10压敏粘接于第1压敏粘接层4。

由此，可获得依次具备载体10和元件集合体临时固定片材1的临时固定构件30。另外，临时固定构件30具备元件集合体临时固定片材1的支承层2所具有的对准标记7。

临时固定构件30的厚度是例如115μm以上，优选是390μm以上，另外，是例如1550μm以下，优选是860μm以下。

1-4.工序(2)

工序(2)在工序(1)之后实施。

在工序(2)中，如图1的A的以假想线箭头所示那样，首先，在将第1剥离层5从元件集合体固定层3的上表面剥离了之后，如图1的B所示，将多个光半导体元件11临时固定于元件集合体固定层3的上表面。此时，以排列标记8为基准将多个光半导体元件11排列配置(排列)于元件集合体固定层3的上表面。另外，将多个光半导体元件11设置于元件集合体固定层3中的元件集合体形成区域17。

具体而言，一边辨认排列标记8且进行多个光半导体元件11的左右方向和前后方向上的定位、一边使多个光半导体元件11与元件集合体固定层3的上表面直接接触。

为了辨认排列标记8，利用设置于临时固定构件30的上方的照相机等从排列标记8的上方对排列标记8进行辨认。此时，元件集合体固定层3是透明的，因此，能够从元件集合体固定层3的上方辨认排列标记8。

此外，光半导体元件11具有上表面、沿着厚度方向与上表面相对配置的下表面以及将上表面和下表面连接的周侧面。在下表面形成有电极。

多个光半导体元件11排列配置于元件集合体固定层3的上表面，从而构成元件集合体16。

相邻的光半导体元件11之间的间隔(前后方向和/或左右方向上的间隔)是例如0.05mm以上，优选是0.1mm以上，另外，是例如1.0mm以下，优选是0.8mm以下。此外，多个光半导体元件11各自的厚度(高度)是例如0.1μm以上，优选是0.2μm以上，另外，是例如500μm以下，优选是200μm以下。多个光半导体元件11各自的左右方向长度和/或前后方向长度是例如0.05mm以上，优选是0.1mm以上，另外，是例如1.0mm以下，优选是0.8mm以下。

1-5.工序(3)

在工序(3)中，如图1的C的以实线所示和图2的以单点划线所示那样，接下来，利用密封层12密封元件集合体16。

利用由例如半固形状或固形状的密封组合物构成的密封片材密封元件集合体16。或者、通过灌注液体状的密封组合物来密封元件集合体16。密封组合物含有有机硅树脂、环氧树脂等透明树脂。根据需要，密封组合物也能够以适当的比例含有填充材料、荧光体、光反射性粒子等粒子。

密封层12对多个光半导体元件11各自的上表面和侧面、元件集合体固定层3的上表面的从多个光半导体元件11暴露的部分进行包覆。密封层12以将元件集合体固定层3的上表面的位于标记形成区域18的部分暴露的方式设置于元件集合体固定层3的上表面的位于元件集合体形成区域17的部分。

由此，可获得具备多个光半导体元件11(元件集合体16)和1个密封层12的密封元件集合体19。也就是说，密封元件集合体19以临时固定到元件集合体临时固定片材1的状态可获得。

密封层12的厚度是例如40μm以上，优选是50μm以上，另外，是例如500μm以下，优选是300μm以下。

1-6.工序(4)

如图1的D的以单点划线所示和图2的以双点划线所示那样，接下来，以光半导体元件11单片化的方式切断密封层12。也就是说，密封元件集合体19(后述的密封光半导体元件13)被单片化。

为了切断密封层12，使用具备例如切断刀的切断装置、具备例如激光照射源的切断装置。

作为具备切断刀的切断装置，可列举出具备例如圆盘状的切割锯(切割刀片)的切割装置、具备例如刀具的裁切装置。

优选使用具备切断刀的切断装置，更优选使用切割装置。

在由上述的切断装置进行的密封层12的切断过程中，以对准标记7的切断标记9为基准切断密封层12。另外，一边利用与用于排列标记8的辨认的照相机相同的照相机从上方辨认对准标记7的切断标记9、一边切断密封层12。

切断后的密封层12的前后方向长度和/或左右方向长度是例如20mm以上，优选是40mm以上，另外，是例如150mm以下，优选是100mm以下。

由此，具备1个光半导体元件11和1个密封层12的密封光半导体元件13以临时固定到元件集合体固定层3(临时固定构件30)的状态可获得多个。

1-7.工序(5)

在工序(5)中，如图1的D的以箭头所示，将多个密封光半导体元件13分别从元件集合体固定层3剥离。

1-8.载体的再利用和光半导体装置的制造

之后，在多个密封光半导体元件13被剥离后的临时固定构件30中，将载体10从第1压敏粘接层4剥离，再利用载体10。另一方面，将元件集合体临时固定片材1(支承层2、元件集合体固定层3以及第1压敏粘接层4)废弃。也就是说，元件集合体临时固定片材1是一次性的。

之后，如图1的E所示，将密封光半导体元件13倒装芯片安装于基板14。

基板14具有沿着前后方向和左右方向延伸的平板形状。在基板14的上表面形成有与光半导体元件11的电极电连接的端子。

由此，可获得具备密封光半导体元件13和基板14的光半导体装置15。

2.第1实施方式的作用效果

根据该方法，不是在硬质的载体10而是在由合成树脂形成的支承层2设置对准标记7，因此，只要将载体10从支承层2剥离，就能够再利用载体10。

另外，在由合成树脂形成的支承层2设置对准标记7，因此，能够容易地将对准标记7形成在支承层2。

另外，根据该方法，能够利用载体10隔着第1压敏粘接层4可靠且简便地对支承层2进行支承。

3.第1实施方式的变形例

在第1实施方式中，如图2所示，排列标记8具有大致圆形状，切断标记9具有大致直线形状。不过，对准标记7各自的形状并没有特别限定。

在第1实施方式中，首先，在第1剥离层5(参照图3的假想线)的表面形成了元件集合体固定层3，之后，将元件集合体固定层3从第1剥离层5转印于支承层2，但在变形例中，例如也能够直接形成于支承层2的上表面。

在第1实施方式中，首先，在第2剥离层6(参照图3的假想线)的表面形成了第1压敏粘接层4，之后，将第1压敏粘接层4从第2剥离层6转印到支承层2，但在变形例中，例如也能够直接形成于支承层2的下表面。

另外，在第1实施方式中，如图3所示，对准标记7设置于支承层2的上表面。

在变形例中，如图5A所示，对准标记7设置于支承层2的下表面。

第1压敏粘接层4埋设有对准标记7。

如图5B所示，在将多个光半导体元件11排列于元件集合体固定层3之际，利用配置到临时固定构件30的上方的照相机隔着元件集合体固定层3和支承层2辨认排列标记8。

另外，如图5D所示，在切断密封层12之际，利用上述的照相机隔着元件集合体固定层3和支承层2辨认切断标记9。

而且，虽未图示，但对准标记7也能够设置于支承层2的上下两面。

优选将对准标记7仅设置于支承层2的一个面，也就是说，仅设置于上表面，或者、仅设置于下表面。若将对准标记7仅设置于支承层2的一个面，则与将对准标记7设置于支承层2的上下两面的情况相比，能够简易地形成对准标记7，能够相应地降低制造成本。

更优选的是，如第1实施方式的图3所示，对准标记7设置于支承层2的上表面。根据该结构，与对准标记7设置于支承层2的下表面的图5A的情况相比，能够从上方更可靠地辨认对准标记7。

而且，在第1实施方式中，如图1的D的以单点划线所示那样，将密封层12切断而使密封元件集合体19单片化。

不过，在变形例中，如图6A所示，不切断密封层12，就将密封元件集合体19从元件集合体固定层3剥离，之后，如图6B所示，将密封元件集合体19倒装芯片安装于基板14。也就是说，该变形例不具备第1实施方式的工序(4)而依次具备工序(1)～(3)和(5)。

在该变形例中，不实施将密封层12切断的工序(4)，因此，虽未图示，但对准标记7也可以不具备切断标记9而仅由排列标记8构成。

4.第2实施方式

在第2实施方式中，对于与第1实施方式相同的构件和工序，标注相同的参照附图标记，省略其详细的说明。

在第1实施方式中，如图1的A和图3所示，在元件集合体临时固定片材1(具体而言，支承层2)设置有对准标记7。

不过，只要是除了载体10以外的构件，就没有特别限定，在第2实施方式中，例如，如图7A所示，能够将在独立于元件集合体临时固定片材1的标记层31设置对准标记7。

在工序(1)中，在临时固定构件30中，标记层31设置于载体10之下。标记层31设置于临时固定构件30。也就是说，临时固定构件30依次具备元件集合体临时固定片材1、载体10以及标记层31。标记层31支承于载体10。

标记层31具备沿着厚度方向贯通的贯通孔26。另外，标记层31依次具备配置于载体10的下表面的标记压敏粘接层33和支承标记压敏粘接层33的标记支承层32。贯通孔26通过一并贯通标记压敏粘接层33和标记支承层32而设置为对准标记7。

标记压敏粘接层33由与上述的元件集合体固定层3同样的压敏粘接剂形成，具有与元件集合体固定层3同样的物性。标记支承层32由与支承层2同样的合成树脂形成，具有与支承层2同样的物性。

特别是，标记支承层32和标记压敏粘接层33中的、例如任一层是有色，剩余的层是无色的。有色的上述的层的全光线透过率分别是例如80％以下，优选是65％以下，更优选50％以下。

另一方面，优选的是，载体10为了提高从上方辨认对准标记7的辨认性而是无色的。载体10优选由透明材料形成。而且，元件集合体固定层3、支承层2以及第1压敏粘接层4优选是无色的。载体10、元件集合体固定层3、支承层2以及第1压敏粘接层4的全光线透过率分别是例如80％以上，优选是90％以上、更优选95％以上，另外，是例如99.9％以下。

因而，载体10、元件集合体固定层3、支承层2以及第1压敏粘接层4是无色，只要标记层31中的至少1层是有色，则贯通孔26在俯视中辨认为无色。也就是说，如图9所示，可利用有色的标记层31中的至少1层与无色的贯通孔26之间的对比度来明确地辨认贯通孔26。

为了制造该元件集合体临时固定片材1，如图7A所示，在工序(1)中，准备依次具备标记层31、载体10以及元件集合体临时固定片材1的临时固定构件30。

标记层31如参照图10那样，首先，准备依次具备第3剥离层35、标记压敏粘接层33以及标记支承层32的层叠体，之后，将沿着厚度方向贯通层叠体(第3剥离层35、标记压敏粘接层33以及标记支承层32)的贯通孔26形成为对准标记7。

贯通孔26利用例如切削、冲裁、激光加工等形成。优选是利用激光加工形成贯通孔26。作为激光加工，可列举出例如准分子激光器、YAG激光器、CO₂激光器等，优选的是，从以卷轴对卷轴(日文：リールツーリール)连续地制造临时固定构件30的观点和将贯通孔26形成于大范围区域的观点考虑，可列举出YAG激光器。

之后，将第3剥离层35从标记压敏粘接层33剥离，接下来，将标记压敏粘接层33的上表面压敏粘接于载体10的下表面。

另外，将元件集合体临时固定片材1的第1压敏粘接层4压敏粘接于载体10的上表面。

之后，如图7B所示，在工序(2)中，以排列标记8为基准将多个光半导体元件11排列配置(排列)于元件集合体固定层3的上表面。

此时，一边从上方辨认排列标记8且进行多个光半导体元件11的左右方向和前后方向上的定位、一边使多个光半导体元件11与元件集合体固定层3的上表面直接接触。

具体而言，将排列标记8(贯通孔26)辨认为无色。排列标记8(贯通孔26)可利用与标记压敏粘接层33和标记支承层32的至少任一者的有色之间的对比度明确地辨认(参照图9)。

另外，如图8A所示，在工序(4)中，在切断密封层12之际，以切断标记9为基准。具体而言，利用与上述的排列标记8(贯通孔26)的辨认同样的方法辨认切断标记9(贯通孔26)(参照图9)。

如图8A的以箭头所示那样，在工序(5)中，将多个密封光半导体元件13分别从元件集合体固定层3剥离，接下来，在临时固定构件30中，将载体10从第1压敏粘接层4(元件集合体临时固定片材1)和标记压敏粘接层33(标记层31)分别剥离，再利用载体10。另一方面，将元件集合体临时固定片材1(支承层2、元件集合体固定层3以及第1压敏粘接层4)和标记层31(标记支承层32和标记压敏粘接层33)废弃。也就是说，元件集合体临时固定片材1和标记层31是一次性的。

5.第2实施方式的作用效果

利用第2实施方式也能够起到与第1实施方式同样的作用效果。

而且，根据该方法，不是在硬质的载体10而是在标记层31设置对准标记7，因此，只要将载体10从标记层31分离，就能够再利用载体10。

另外，能够在标记层31简便且容易地形成对准标记7。

在上述的方法中，如图10所示，形成了一并贯通第3剥离层35、标记压敏粘接层33以及标记支承层32的贯通孔26。不过，例如，如图11所示，也能够形成不贯通第3剥离层35而仅贯通标记压敏粘接层33和标记支承层32的贯通孔26。

另外，虽未图示，但也能够将对准标记7设置为在标记层31中向厚度方向中途凹陷的凹部。

而且，虽未图示，但对准标记7不是贯通孔26而能够由在第1实施方式中例示了的不透明的材料形成。例如对准标记7设置于标记支承层32。

优选将对准标记7形成为贯通标记层31的贯通孔26。只要将对准标记7形成为贯通标记层31的贯通孔26，能够简便且容易地形成对准标记7。

6.第3实施方式

在第3实施方式中，对于与第1实施方式和第2实施方式相同的构件和工序，标注相同的参照附图标记，省略其详细的说明。

6-1.工序(1)

在工序(1)中，如图12A所示，准备依次具备元件集合体临时固定片材1和载体10的临时固定构件30。

元件集合体临时固定片材1不具备第1压敏粘接层4(参照图3的实线)，而具备支承层2和元件集合体固定层3。另外，在图12A中虽未图示，但元件集合体临时固定片材1也能够具备第1剥离层5(参照图3)。优选元件集合体临时固定片材1仅由支承层2和元件集合体固定层3构成，另外，根据需要，优选元件集合体临时固定片材1仅由支承层2、元件集合体固定层3以及第1剥离层5构成。

为了制造元件集合体临时固定片材1，首先，准备支承层2，接下来，利用上述的方法(图4A～图4C的方法)将对准标记7设置于支承层2。之后，将元件集合体固定层3设置于支承层2的整个上表面。

在工序(1)中，为了准备临时固定构件30，首先，将第1剥离层5(参照图13)从元件集合体固定层3剥离，接下来，如图12A所示，将载体10配置于元件集合体固定层3的上表面。

载体10由玻璃等透明材料形成。载体10的全光线透过率是例如80％以上，优选是90％以上，更优选是95％以上，另外，是例如99.9％以下。

由此，可获得依次具备支承层2、元件集合体固定层3以及载体10的临时固定构件30。临时固定构件30优选仅由支承层2、元件集合体固定层3以及载体10构成。

临时固定构件30的厚度是例如115μm以上、优选是390μm以上，另外，是例如1550μm以下，优选是860μm以下。

6-2.工序(2)

在工序(2)中，如图12B所示，使载体10支承元件集合体16。

具体而言，首先，如图12A所示，在载体10的上表面配置第2压敏粘接层25。

第2压敏粘接层25具有平板形状，具有预定的厚度，沿着左右方向和前后方向延伸，具有平坦的表面和平坦的背面。第2压敏粘接层25具有压敏粘接性(粘合性)。第2压敏粘接层25具有与图3所示的上述的元件集合体临时固定片材1(支承层2、元件集合体固定层3、第1压敏粘接层4)同样的层结构。另外，第2压敏粘接层25也能够包括日本特开2014-168036号公报所记载的粘合层。此外，第2压敏粘接层25在俯视时具有比元件集合体临时固定片材1小的尺寸，具体而言，第2压敏粘接层25配置成，在沿着厚度方向进行了投影时，第2压敏粘接层25不与对准标记7重叠。具体而言，第2压敏粘接层25配置于载体10的元件集合体形成区域17。第2压敏粘接层25的厚度是例如30μm以上、优选是50μm以上，另外，是例如500μm以下，优选是300μm以下。

如图12B所示，接下来，将多个光半导体元件11压敏粘接于第2压敏粘接层25的上表面。

此时，一边从临时固定构件30的上方辨认对准标记7的排列标记8、一边以排列标记8为基准将多个光半导体元件11排列配置(排列)于第2压敏粘接层25的上表面。隔着透明的载体10和元件集合体固定层3辨认排列标记8。

由此，具备1个第2压敏粘接层25和多个光半导体元件11的元件集合体16以支承于载体10的状态获得。也就是说，元件集合体16支承于载体10。也就是说，元件集合体16借助载体10临时固定于元件集合体临时固定片材1(元件集合体固定层3)。

6-3.工序(3)

在工序(3)中，如图12C所示，接下来，利用密封层12将元件集合体16中的多个光半导体元件11密封。

密封层12包覆着多个光半导体元件11各自的上表面和侧面、第2压敏粘接层25的上表面的从多个光半导体元件11暴露的部分。另一方面，密封层12没有形成于载体10的上表面。

由此，可获得具备元件集合体16和包覆元件集合体16的密封层12的密封元件集合体19。密封元件集合体19依次具备1个第2压敏粘接层25、多个光半导体元件11以及1个密封层12。密封元件集合体19优选仅由1个第2压敏粘接层25、多个光半导体元件11以及1个密封层12构成。

6-4.工序(4)

在工序(4)中，如图12D的以单点划线所示那样，接下来，切断密封层12。

由此，具备1个光半导体元件11和1个密封层12的密封光半导体元件13以临时固定于第2压敏粘接层25的状态获得多个。

6-5.工序(5)

在工序(5)中，如图12E所示，将密封元件集合体19从载体10的上表面剥离。

接下来，如图12E的以箭头所示，将多个密封光半导体元件13分别从第2压敏粘接层25剥离。

6-6.载体的再利用和光半导体装置的制造

在临时固定构件30中，将载体10从元件集合体固定层3的上表面剥离而再利用载体10。另一方面，将元件集合体临时固定片材1(支承层2和元件集合体固定层3)废弃。也就是说，元件集合体临时固定片材1是一次性的。

如图12F所示，之后，将密封光半导体元件13倒装芯片安装于基板14而获得光半导体装置15。

7.第3实施方式的作用效果

利用第3实施方式也能够起到与第1实施方式同样的作用效果。

详细而言，能够利用载体10隔着第2压敏粘接层25可靠且简便地支承支承层2。

另外，如图13所示，该元件集合体临时固定片材1不具备第1压敏粘接层4(参照图3)，因此，与具备第1压敏粘接层4的第1实施方式的元件集合体临时固定片材1相比，能够使层结构简单。

8.第3实施方式的变形例

在第3实施方式中，如图12A所示，对准标记7设置于支承层2的上表面。

在变形例中，如图14A所示，对准标记7设置于支承层2的下表面。

对准标记7朝向下方暴露。

如图14B所示，在工序(2)中，在将多个光半导体元件11排列于第2压敏粘接层25之际，利用配置到临时固定构件30的上方的照相机隔着载体10、元件集合体固定层3以及支承层2辨认排列标记8。

如图14D所示，在工序(4)中，在切断密封层12之际，利用上述的照相机隔着载体10、元件集合体固定层3以及支承层2辨认切断标记9。

而且，虽未图示，但也能够将对准标记7设置于支承层2的上下两面。

优选的是，将对准标记7仅设置于支承层2的一个面、也就是说，仅设置于上表面、或者、仅设置于下表面。只要将对准标记7仅设置于支承层2的一个面，与将对准标记7设置于支承层2的上下两面的情况相比，能够简易地形成对准标记7，能够相应地降低制造成本。

更优选的是，如第3实施方式的图13所示，对准标记7设置于支承层2的上表面。根据该结构，与对准标记7设置于支承层2的下表面的图14A的情况相比，能够从上方更可靠地辨认对准标记7。

另外，虽未图示，但也能够将对准标记7设为沿着厚度方向贯通支承层2的贯通孔或凹部。

而且，在第3实施方式中，如图12D的以单点划线所示那样，切断了密封层12。

不过，在变形例中，如图15A所示，不切断密封层12，就将第2压敏粘接层25从载体10的上表面剥离。也就是说，不实施工序(4)。

接下来，如图15B所示，将密封元件集合体19从多个光半导体元件11各自的下表面和密封层12的下表面剥离。

之后，如图15C所示，将多个光半导体元件11倒装芯片安装于基板14。

该变形例不具备第3实施方式的工序(4)而依次具备工序(1)～(3)和(5)。

在该变形例中，如图15A所示，不实施将密封层12切断的工序(4)，因此，虽未图示，但对准标记7也可以不具备切断标记9而仅由排列标记8构成。

实施例

在以下的记载中所使用的配合比例(含有比例)、物性值、参数等具体的数值能够替代为上述的“具体实施方式”中记载的、与它们相对应的配合比例(含有比例)、物性值、参数等相应记载的上限值(定义为“以下”、“小于”的数值)或下限值(定义为“以上”、“超过”的数值)。

实施例1(与第1实施方式相对应的实施例)

1-1.工序(1)

如参照图4A那样，首先，准备了带感光层的支承层22(工序(a))，该带感光层的支承层22具备：厚度为175μm的支承层2，其由PET形成；厚度为3μm的感光层21，其设置于支承层2的上表面，由含有卤化银的银盐乳剂形成。带感光层的支承层22的前后方向长度是600mm，左右方向长度是500mm。

支承层2的全光线透过率是95％。支承层2的线膨胀系数是70×10^-6K^-1。支承层2的25℃时的拉伸模量E是60MPa。

元件集合体固定层3的全光线透过率是95％。元件集合体固定层3的线膨胀系数是220×10^-6K^-1。

接下来，如图4B所示，使用由不锈钢形成的金属掩模来局部地包覆感光层21，之后，对感光层21的从金属掩模暴露的部分照射了峰值波长是193nm的激光。由此，将排列标记8和切断标记9形成为曝光图案。

之后，通过将带感光层的支承层22浸渍于显影液，残留曝光部分并将未曝光部分去除了(进行了显影)。由此，如图2和图4C所示，将具有圆形状的排列标记8和直线形状的切断标记9的对准标记7形成为显影图案23。

排列标记8的直径是0.5mm，相邻的排列标记8之间的间隔是1.14mm，相邻的排列标记8的间距是1.64mm。切断标记9的左右方向长度是0.5mm，前后方向长度是0.2mm。相邻的切断标记9之间的间隔是1.62mm，相邻的切断标记9的间距是1.64mm。

对准标记7是不透明的，全光线透过率是10％。

另外，在第1剥离层5的表面准备了由有机硅系粘合剂形成的厚度为25μm的元件集合体固定层3，而在第2剥离层6的表面准备了由有机硅系粘合剂形成的厚度为15μm的第1压敏粘接层4。

接下来，将元件集合体固定层3以包括对准标记7在内的方式配置于支承层2的上表面，并且将第1压敏粘接层4配置于支承层2的下表面。

由此，如图3所示，获得了依次具备第2剥离层6、第1压敏粘接层4、支承层2、元件集合体固定层3以及第1剥离层5的元件集合体临时固定片材1。

之后，将第2剥离层6从第1压敏粘接层4剥离，之后，如图1的A所示，在第1压敏粘接层4的下表面配置了由玻璃构成的厚度为700μm的载体10。

由此，如图1的A所示，准备了具备元件集合体临时固定片材1和设置于元件集合体临时固定片材1之下的载体10的临时固定构件30。临时固定构件30的厚度是790μm。

1-4.工序(2)

如图1的A的以假想线箭头所示那样，在将第1剥离层5从元件集合体固定层3的上表面剥离了之后，如图1的B所示，将多个光半导体元件11以排列标记8为基准排列配置于元件集合体固定层3。此时，照相机从上方辨认了排列标记8。

光半导体元件11的厚度是150μm，光半导体元件11的左右方向长度和前后方向长度是1.14mm，相邻的光半导体元件11之间的间隔是0.5mm以上。

1-5.工序(3)

如图1的C所示，接下来，利用密封层12密封了元件集合体16。密封层12由含有100质量份的有机硅树脂和15质量份的荧光体的密封组合物形成。密封层12的厚度是400μm。由此，获得了具备多个光半导体元件11和1个密封层12的密封元件集合体19。

1-6.工序(4)

如图1的D的以单点划线所示和图2所示那样，接下来，以切断标记9为基准利用切割锯切断密封层12而使密封元件集合体19单片化。此时，照相机从上方辨认了切断标记9。切断后的密封层12的左右方向长度和前后方向长度分别是100mm。

由此，以将具备光半导体元件11和密封层12的密封光半导体元件13临时固定于临时固定构件30的状态获得了多个该密封光半导体元件13。

1-7.工序(5)

接下来，如图1的D的以箭头所示那样，将多个密封光半导体元件13分别从元件集合体固定层3剥离了。

之后，如图1的E所示，将密封光半导体元件13倒装芯片安装于基板14。

实施例2(与第1实施方式相对应的实施例)

在工序(1)中，除了利用含有碳黑的涂敷液的喷墨印刷和干燥形成了对准标记7以外，与实施例1同样地进行处理而获得元件集合体临时固定片材1，接下来，使用元件集合体临时固定片材1来制造密封光半导体元件13，接着制造了光半导体装置15。

实施例3(与第2实施方式相对应的实施例)

在工序(1)中，除了如下述那样进行了变更以外，与实施例1同样地进行处理而获得元件集合体临时固定片材1，接下来，使用元件集合体临时固定片材1来制造密封光半导体元件13(参照图7A～图8A)，接着制造了光半导体装置15(参照图8B)。

在工序(1)中，如参照图10那样，首先，准备了具备由聚酯形成的厚度为50μm的第3剥离层35、由有机硅系压敏粘接剂形成的厚度为6μm的标记压敏粘接层33以及由聚酰亚胺形成的厚度为25μm的标记支承层32的层叠体(商品名“TRM-6250-L”、日东电工株式会社制)。

支承层2的全光线透过率是95％。支承层2的线膨胀系数是70×10^-6K^-1。支承层2的25℃时的拉伸模量E是60MPa。

元件集合体固定层3的全光线透过率是95％。元件集合体固定层3的线膨胀系数是220×10^-6K^-1。

接下来，如图10所示，利用YAG激光器以与实施例1同样的图案以贯通层叠体的方式形成了贯通孔26。YAG激光器的条件如以下那样。

YAG激光器：MODEL5330(株式会社ESI制)

射束直径：5μm

激光功率：2.5W

脉冲的反复频率：30kHz

扫描速度＝150mm/秒

由此，贯通孔26作为对准标记7形成于第3剥离层35和支承于该第3剥离层35的标记层31(标记压敏粘接层33和标记支承层32)。

之后，将第3剥离层35从标记压敏粘接层33剥离，接下来，如图7A所示，将标记压敏粘接层33压敏粘接于载体10的下表面。另外，将元件集合体临时固定片材1中的第1压敏粘接层4的下表面压敏粘接于载体10的上表面。

由此，获得了具备载体10、支承于载体10的元件集合体临时固定片材1以及支承于载体10的标记层31的临时固定构件30。

实施例4(与第3实施方式相对应的实施例)

4-1.工序(1)

除了不具备第2剥离层6和第1压敏粘接层4以外，与实施例1同样进行处理而获得了元件集合体临时固定片材1。也就是说，如图13所示，该元件集合体临时固定片材1依次具备支承层2、元件集合体固定层3以及第1剥离层5。元件集合体临时固定片材1的厚度是100μm。

之后，将第1剥离层5从元件集合体固定层3剥离，接下来，如图12A所示，将由玻璃构成的厚度为700μm的载体10配置于元件集合体固定层3的上表面。由此，准备了临时固定构件30。临时固定构件30的厚度是800μm。

4-2.工序(2)

另外，将厚度为90μm的第2压敏粘接层25配置到载体10的上表面，该第2压敏粘接层25由元件集合体临时固定片材1构成，该元件集合体临时固定片材1由支承层2、元件集合体固定层3以及第1压敏粘接层4构成。

如图12B所示，接下来，将多个光半导体元件11以排列标记8为基准排列配置于第2压敏粘接层25的上表面。此时，照相机从上方辨认了排列标记8。光半导体元件11的尺寸和相邻的光半导体元件11间的尺寸与实施例1相同。

由此，以具备第2压敏粘接层25和多个光半导体元件11的元件集合体16借助载体10支承于元件集合体临时固定片材1的状态获得了该元件集合体16。

4-3.工序(3)

如图12C所示，接下来，利用密封层12密封了元件集合体16中的多个光半导体元件11。密封层12由含有100质量份的有机硅树脂和15质量份的荧光体的密封组合物形成。密封层12的厚度是400μm。

由此，获得了具备元件集合体16和包覆多个光半导体元件11的密封层12的密封元件集合体19。

4-4.工序(4)

如图12D的以单点划线所示那样，接下来，以切断标记9为基准利用切割锯切断了密封层12。此时，照相机从上方辨认了切断标记9。切断后的密封层12的左右方向长度和前后方向长度分别是1.62mm。

4-5.工序(5)

之后，如图12E的以箭头所示那样，将密封元件集合体19从载体10的上表面剥离了。接下来，将多个密封光半导体元件13分别从第2压敏粘接层25剥离了。

之后，如图12F所示，将密封光半导体元件13倒装芯片安装于基板14而获得了光半导体装置15。

实施例5(与第3实施方式相对应的实施例)

在工序(1)中，除了利用含有碳黑的涂敷液的喷墨印刷和干燥形成了对准标记7以外，与实施例4同样地进行处理而获得元件集合体临时固定片材1，接下来，使用元件集合体临时固定片材1来制造密封光半导体元件13，接着制造了光半导体装置15。

此外，上述说明作为本发明的例示的实施方式而提供，但这只不过是例示，并不进行限定性解释。本领域技术人员清楚的本发明的变形例包含于权利要求书。

Claims (6)

1.一种密封光半导体元件的制造方法，其特征在于，

该密封光半导体元件的制造方法具备如下工序：

工序(1)，在该工序(1)中，准备临时固定构件，该临时固定构件具备：硬质的载体；支承层，其支承于所述载体，由合成树脂形成；以及固定层，其支承于所述支承层，

工序(2)，在该工序(2)中，将排列配置有多个光半导体元件的元件集合体临时固定于所述固定层；

工序(3)，其在所述工序(2)之后，在该工序(3)中，利用密封层包覆多个所述光半导体元件而获得具备所述元件集合体和所述密封层的密封元件集合体；

工序(4)，其在所述工序(3)之后，在该工序(4)中，以使所述密封光半导体元件单片化的方式切断所述密封层；

工序(5)，其在所述工序(4)之后，在该工序(5)中，将所述密封元件集合体从所述固定层剥离，

在所述支承层设置有对准标记，

在所述工序(2)中以所述对准标记为基准将所述元件集合体临时固定于所述固定层，或者，在所述工序(2)中以所述对准标记为基准将所述元件集合体临时固定于所述固定层并且在所述工序(4)中以所述对准标记为基准切断所述密封层。

2.一种密封光半导体元件的制造方法，其特征在于，

该密封光半导体元件的制造方法具备如下工序：

工序(1)，在该工序(1)中，准备临时固定构件，该临时固定构件具备：硬质的载体；支承层，其支承于所述载体，由合成树脂形成；固定层，其支承于所述支承层；以及标记层，其支承于所述载体；

工序(2)，在该工序(2)中，将排列配置有多个光半导体元件的元件集合体临时固定于所述固定层；

工序(3)，其在所述工序(2)之后，在该工序(3)中，利用密封层包覆多个所述光半导体元件而获得具备所述元件集合体和所述密封层的密封元件集合体；

工序(4)，其在所述工序(3)之后，在该工序(4)中，以将所述密封光半导体元件单片化的方式切断所述密封层；

工序(5)，其在所述工序(4)之后，在该工序(5)中，将所述密封元件集合体从所述固定层剥离，

在所述标记层设置有对准标记，

在所述工序(2)中，以所述对准标记为基准将所述元件集合体临时固定于所述固定层，和/或，在所述工序(4)中，以所述对准标记为基准切断所述密封层。

3.一种密封光半导体元件的制造方法，其特征在于，

该密封光半导体元件的制造方法具备如下工序：

工序(1)，在该工序(1)中，准备临时固定构件，该临时固定构件具备：硬质的载体；支承层，其支承于所述载体，由合成树脂形成；以及固定层，其支承于所述支承层；

工序(2)，在该工序(2)中，将排列配置有多个光半导体元件的元件集合体临时固定于所述固定层；

工序(3)，其在所述工序(2)之后，在该工序(3)中，利用密封层包覆多个所述光半导体元件而获得具备所述元件集合体和所述密封层的密封元件集合体；

工序(5)，其在所述工序(3)之后，在该工序(5)中，将所述密封元件集合体从所述固定层剥离，

在所述支承层设置有对准标记，

在所述工序(2)中，以所述对准标记为基准将所述元件集合体临时固定于所述固定层。

4.一种密封光半导体元件的制造方法，其特征在于，

该密封光半导体元件的制造方法具备如下工序：

工序(1)，在该工序(1)中，准备临时固定构件，该临时固定构件具备：硬质的载体；支承层，其支承于所述载体，由合成树脂形成；固定层，其支承于所述支承层；以及标记层，其支承于所述载体；

工序(2)，在该工序(2)中，将排列配置有多个光半导体元件的元件集合体临时固定于所述固定层；

工序(3)，其在所述工序(2)之后，在该工序(3)中，利用密封层包覆多个所述光半导体元件而获得具备所述元件集合体和所述密封层的密封元件集合体；

工序(5)，其在所述工序(3)之后，在该工序(5)中，将所述密封元件集合体从所述固定层剥离，

在所述标记层设置有对准标记，

在所述工序(2)中，以所述对准标记为基准将所述元件集合体临时固定于所述固定层。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的密封光半导体元件的制造方法，其特征在于，

所述临时固定构件还具备第1压敏粘接层，

所述临时固定构件依次具备所述载体、所述第1压敏粘接层、所述支承层以及所述固定层。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的密封光半导体元件的制造方法，其特征在于，

所述元件集合体具备：多个所述光半导体元件；临时固定多个所述光半导体元件的第2压敏粘接层，

在所述工序(5)中，将所述第2压敏粘接层从所述载体剥离。

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