JP6726287B2 - オプトエレクトロニクス照明装置の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、オプトエレクトロニクス照明装置を製造する方法に関する。さらに、本発明は、オプトエレクトロニクス照明装置に関する。
複数の端面発光型レーザチップをレーザチップキャリアの上に配置し、レーザチップをポッティングし、ポッティング工程の後にレーザチップを個片化する方法が知られている。個片化は、一例として、レーザチップキャリアをソーイング法で切り離すステップを含む。レーザ放射を取り出すための取り出し面は、個片化の結果として形成され、取り出し面は、ポッティング化合物によって形成されている。この取り出し面は、個片化の理由で、一般的には光を効率的に取り出すようには形成されない。
本発明の基礎となる目的は、レーザチップからレーザ放射を効率的に取り出すための効果的なコンセプトを提供することにおいて認識することができる。
この目的は、独立請求項のそれぞれの主題によって達成される。本発明の有利な構造は、それぞれ従属請求項の主題である。
一態様によれば、オプトエレクトロニクス照明装置を製造する方法であって、以下のステップ、すなわち、
− レーザチップキャリアを設けるステップであって、それぞれがレーザファセットを備えた2個の端面発光型レーザチップが、それぞれのレーザファセットが互いに向かい合う状態でレーザチップキャリアの上に配置される、ステップと、
− 互いに反対側に位置する2つの光学要素を備えたキャリアを、レーザチップキャリアの上における2つのレーザファセットの間に配置するステップであって、配置の後に2つの光学要素のそれぞれ一方が2つのレーザファセットの一方に面するように配置する、ステップと、
− それぞれのレーザファセットとそれぞれの光学要素との間に、それぞれの光接続部を光学材料によって形成するステップと、
− 2つの互いに分割されたレーザチップキャリア部分を形成する目的で2個のレーザチップの間でレーザチップキャリアを分割することによって、2個のレーザチップを個片化するステップであって、分割が、2つの光学要素の1つをそれぞれが備えている2つの互いに分割されたキャリア部分を形成する目的で、2つの光学要素の間でキャリアを分割するステップを含む、ステップと、
が行われることにより、
− それぞれの分割されたレーザチップキャリア部分の上に配置されている2個の個片化されたレーザチップを形成し、それぞれのキャリア部分におけるそれぞれの光学要素に、レーザチップのそれぞれのレーザファセットが、光学材料によって光学的に接続されている、
方法、を提供する。
別の態様によれば、オプトエレクトロニクス照明装置であって、
− レーザファセットを備えた端面発光型レーザチップが上に配置されているレーザチップキャリア、
を備えており、
− レーザチップキャリアの上に光学要素が配置されており、
− レーザファセットと光学要素との間に光学材料によって光接続部が形成されている、
オプトエレクトロニクス照明装置、を提供する。
本発明の基礎となる洞察として、レーザファセットと光学要素との間に光学材料によって光接続部を形成することによって、上記の目的を達成することができる。したがって光学要素は、レーザチップによって放出されるレーザ放射を効率的に取り出すための画成済みの取り出し面を形成している。これによって提供される技術的利点として、特に、レーザチップからのレーザ放射の効率的な取り出しを可能にすることができる。
端面発光型レーザチップとは、特に、側面(レーザファセット)を介してレーザ放射を放出するレーザチップを意味する。
反対側の2つの面にそれぞれの光学要素を備えたキャリアを設けることによって提供される技術的利点として、特に、2個のレーザチップに、専用の光学要素を共通のステップにおいて設けることができる。これは、オプトエレクトロニクス照明装置の実装・製造時間を低減する点で有利である。
光学材料によって光接続部が形成されることによって提供される技術的利点として、特に、空隙に起因する屈折率のさらなる差異、あるいは、不透明材料における光出力の吸収が、防止される、または、回避される。
したがって光接続部とは、特に、放出されたレーザ放射を、好ましくは損失が実質的に生じることなく光学要素までガイドする接続部を意味する。特に、光接続部とは、放出されたレーザ放射を、(例えば散乱および/または反射によって)実質的に逸れることなく光学要素までガイドする接続部を意味する。
レーザチップキャリアを分割することによって2個のレーザチップを個片化することは、レーザチップキャリアによって形成されている、2個のレーザチップの間接的な結合が分離されることを意味する。すなわち、分離によって個片化する前には、2個のレーザチップはレーザチップキャリアによって間接的に結合されている。個片化する前には、2個のレーザチップを例えば互いに独立して移動させることはできない。個片化の後、間接的な結合が解放され、したがって、相互に独立した2個のレーザチップが形成される。レーザチップキャリア部分は、個片化されたレーザ部品と称することもできる。すなわち、個片化の後には、それぞれがレーザチップの一方を備えている2個の個片化されたレーザ部品が形成される。
すなわちレーザチップは、特に、レーザチップキャリアの上に配置される前には、すでに個片化されているレーザチップである。一例として、共通の基板(例えばウェハ)上にレーザチップを形成または作製する、あるいは形成または作製しておく。作製した後、基板(例えばウェハ)を分離する(例えばソーイング法で切り離す)ことによってレーザチップを個片化し、したがって、個片化されたレーザチップを形成する。次いで、この個片化されたレーザチップをレーザチップキャリアの上に配置する。ただしこの配置の結果として、もともと個片化されていたレーザチップの間に、レーザチップキャリアによって間接的な結合が形成されるが、この間接的な結合は、前述したように、および後述するように、さらなる方法ステップにおいて再び分離される。
一実施形態においては、光学材料は、エポキシ樹脂および/またはシリコーンを含む。
一実施形態によれば、光学材料は、放出されるレーザ放射の波長の、少なくとも90%、特に95%、特に99%の透過率を備えている。
さらには、光学要素を設けることによって提供される技術的利点として、照明装置の外側からレーザファセットまでの湿気の経路長が増大する。これによって提供される技術的利点として、特に、湿気によるレーザファセットの損傷を低減する、または、回避することができる。結果として、本オプトエレクトロニクス照明装置は、たとえ厳しい周囲条件(例えば湿気の高い周囲条件)の中でも使用することができる。これによって提供される技術的利点として、特に、本オプトエレクトロニクス照明装置の寿命が延びる。
一実施形態によれば、個片化の後に、キャリアが除去される。
キャリアが除去されず、かつ、可溶性材料から形成されている場合、適用時に、または、使用中に、例えば湿気や化学物質に起因して、意図しないキャリアの溶解が起こることがある。結果として、レーザ光が取り出される光学要素の領域が汚れることがある。したがって、(吸収や散乱によって)取り出し効率が低下する。これらの不都合は、キャリアを除去することによって回避することができる。
さらなる実施形態によれば、キャリアが可溶性材料から形成されており、除去が、この材料を溶解させるステップを含む。
これによって提供される技術的利点として、特に、個片化の後にキャリアを効率的に除去することができる。
一実施形態によれば、キャリアは、水溶性のPVAレジストから、または、水溶性のSU8レジストから形成されている。SU−8は、フォトレジストを意味する。PVAは、ポリビニルアルコール(フォトリソグラフィに使用される水溶性レジスト)を意味する。したがってPVAは、ポリ酢酸ビニルではない。
一実施形態によれば、キャリアは、接着性のフィルムとして形成される。一実施形態によれば、個片化の後、この接着性フィルムが除去される。このようなフィルムを設けることによって提供される技術的利点として、特に、個片化の後にキャリアを効率的に除去することができる。
さらなる実施形態によれば、キャリアが、開口部を囲む枠部として形成されており、2つの光学要素が、それぞれ開口部を覆うようにキャリア上に配置される。
これによって提供される技術的利点として、特に、2つの光学要素のための安定的なキャリアが形成される。これによって提供される技術的利点として、特に、個片化の後、光学要素のためのさらなる機械的な取付け部(レーザチップキャリア部分に残る2つのキャリア部分)が提供される。
一実施形態によれば、キャリアが管として形成されており、2つの光学要素が、それぞれ管の前面および後面にカバーとして配置される。
一実施形態によれば、光学要素は、薄板、特に、ガラス板である。
一実施形態によれば、光学要素は、ガラスから形成されている。
一実施形態によれば、それぞれの光接続部を形成するために、2個のレーザチップと、2つの光学要素を有するキャリアとが、光学ポッティング材料によってポッティングされ、したがって、それぞれの光接続部が、光学材料としての光学ポッティング材料によって形成される。
これによって提供される技術的利点として、特に、光接続部を効率的に形成することができる。すなわち、ポッティング工程またはポッティング法の過程において光接続部が形成される。結果として、光学ポッティング材料によるポッティングによって、第一に、レーザチップのポッティングと、2つの光学要素を有するキャリアのポッティングとがもたらされる。このポッティングの第二の効果として、それぞれの光接続部が形成される。
光学ポッティング材料は、特に、放出されるレーザ放射の波長において、90%、特に95%、特に99%の透過率を備えている。
別の実施形態によれば、光接続部を形成した後、2個のレーザチップを個片化する前に、2個のレーザチップと、2つの光学要素を有するキャリアと、それぞれの光接続部とが、ポッティング材料によってポッティングされる。
これによって提供される技術的利点として、特に、光接続部を、ポッティングとは無関係に効率的に形成することができる。これによって、例えば、特別な光学的性質を有さない(すなわち特に、放出されるレーザ放射を効率的に透過させるように構成されていない)ポッティング材料を、ポッティングに使用することが可能になる。一例として、ポッティング材料は不透明なポッティング材料である。光接続部がすでに存在するため、このことはレーザ放射を取り出すうえで重要ではない。ポッティング材料は、特に、黒色ポッティング材料である。
一実施形態によれば、ポッティングは、成形するステップを含む。ポッティングは、例えば射出成形するステップを含む。ポッティングは、例えばフォイルアシスト射出成形(フォイルアシスト成形(FAM:foil assisted molding)とも称される)を含む。
一実施形態によれば、キャリアをレーザチップキャリアの上に配置するステップは、キャリアをレーザチップキャリアの上に接着剤によって接着接合するステップを含む。
これによって提供される技術的利点として、特に、キャリアをレーザチップキャリアの上に配置するステップを効率的に行うことができる。これは、特に、配置するステップ以降のステップ中にキャリアがずれることを防止することが可能にする点で有利である。
接着剤は、例えばシリコーンを含む。
さらなる実施形態によれば、2つの光学要素それぞれは、光学要素の次の群、すなわち、球面レンズと、非球面レンズと、コリメータレンズ、特に、レーザチップによって放出され、かつ、レーザチップの速軸の方向、または、レーザチップの遅軸の方向に偏光しているレーザ放射を平行にするコリメータレンズと、から選択される要素である。コリメータレンズは、例えば円柱レンズである。円柱レンズは、特に、速軸の方向に偏光しているレーザ放射を平行にする。したがってコリメータレンズ、特に円柱レンズは、特に、FACレンズ(FAC:Fast Axis Collimation)である。
上に挙げた光学要素のうちの1つを設けることによって提供される技術的利点として、特に、放出されるレーザ放射の効率的な光学結像を達成することができる。これは、例えば、レーザチップの速軸の方向に偏光しているレーザ放射と、レーザチップの遅軸の方向に偏光しているレーザ放射の両方を、球面レンズおよび/または非球面レンズによって効率的に調整することが可能にする点で有利である。コリメータレンズを設けることによって提供される技術的利点として、特に、このコリメータレンズが、これら2つの偏光しているレーザ放射の一方のみを調整するように効果的に適合化される、または、構成される。コリメータレンズは、例えば円柱レンズである。
一実施形態によれば、キャリアは、各レンズのレンズ湾曲部を収容する2つの湾曲部を備えている。
これによって提供される技術的利点として、特に、レンズがキャリアにおいて効率的に収容される。このような湾曲部を設けることによって提供される技術的利点として、特に、部品の厚さを効率的に低減することができる。
一実施形態によれば、本オプトエレクトロニクス照明装置は、オプトエレクトロニクス照明装置を製造する本方法によって製造されている、または、製造される。
本オプトエレクトロニクス照明装置の技術的機能性は、オプトエレクトロニクス照明装置を製造する本方法の対応する技術的機能性から同様に明らかであり、逆も成立する。すなわち装置の特徴は、対応する方法の特徴から明らかであり、逆も同様である。
一実施形態によれば、光学要素は、キャリアが存在しない状態でレーザチップキャリアの上に配置されている。したがって、光学要素は、特に、キャリアによって担持されていない、または、保持されていない。
光学要素にレーザチップキャリア上のキャリアが存在しないとは、例えば、個片化の後に光学要素からキャリアが除去されたことを意味する。
一実施形態によれば、光学要素は、レーザチップキャリアの上に配置されているキャリアによって囲まれている。
したがって、この実施形態においては、例えば、個片化の後に光学要素からキャリアが除去されていない。
さらなる実施形態によれば、キャリアは、開口部を囲む枠部として形成されており、光学要素が、開口部を覆うようにキャリアの上に配置されている。
一実施形態によれば、キャリアは、レーザチップキャリアの上に接着剤によって接着接合されている。
一実施形態によれば、レーザチップおよび光学要素が、光学ポッティング材料によってポッティングされており、したがって光接続部が、光学材料としての光学ポッティング材料によって形成されている。
一実施形態によれば、レーザチップと、光学要素を有するキャリアとが、光学ポッティング材料によってポッティングされており、したがって、光接続部が、光学材料としての光学ポッティング材料によって形成されている。
一実施形態によれば、レーザチップと、光学要素と、光接続部が、ポッティング材料によってポッティングされている。
一実施形態によれば、レーザチップと、光学要素を有するキャリアと、光接続部が、ポッティング材料によってポッティングされている。
一実施形態によれば、光学要素は、光学要素の次の群、すなわち、球面レンズと、非球面レンズと、コリメータレンズ、特に、レーザチップによって放出され、かつ、レーザチップの速軸の方向、または、レーザチップの遅軸の方向に偏光しているレーザ放射を平行にするコリメータレンズと、から選択される要素である。コリメータレンズは、例えば円柱レンズである。円柱レンズは、特に、速軸の方向に偏光しているレーザ放射を平行にする。したがってコリメータレンズ、特に円柱レンズは、特に、FACレンズ(FAC:Fast Axis Collimation)である。
一実施形態によれば、キャリアは、レンズのレンズ湾曲部を収容する湾曲部を備えている。
一実施形態によれば、個片化は、ソーイングを含む。一実施形態によれば、個片化は、レーザによって行われる。
一実施形態によれば、レーザチップキャリアは、プリント基板として形成されている。プリント基板は、回路基板とも称される。プリント基板は、英語では「(PCB:Printed Circuit Board)」と称される。このようなプリント基板によって提供される技術的利点として、特に、レーザチップの効率的な電気的接触をもたらすことができる。
さらなる実施形態においては、レーザチップキャリアは、電気接触部が設けられたセラミック基板として形成されている。
さらなる実施形態においては、レーザチップキャリアは、構造化された金属キャリア(例えばリードフレームとも称される)として形成されている。
さらなる実施形態においては、レーザチップキャリアは、パネル(例えばリードフレームパネルまたはセラミックパネル)として形成されている。表現「パネル」は、特に、レーザチップキャリアがレーザチップのエピタキシャル構造のための成長基板ではないことを明確にすることを意図している。したがってレーザチップキャリアは、特に、ウェハではない。
本発明の上述した特性、特徴、および利点と、これらを達成する方法は、図面を参照しながらさらに詳しく説明されている例示的な実施形態の以下の記述に関連して、さらに明らかになり、さらに明確に理解されるであろう。
第1のキャリアの平面図を示している。 図1のキャリアの側面図を示している。 第2のキャリアの平面図を示している。 図3のキャリアの側面図を示している。 オプトエレクトロニクス照明装置を製造する方法における特定の時点を示している。 オプトエレクトロニクス照明装置を製造する方法における特定の時点を示している。 オプトエレクトロニクス照明装置を製造する方法における特定の時点を示している。 オプトエレクトロニクス照明装置を製造する方法における特定の時点を示している。 オプトエレクトロニクス照明装置を製造する方法における特定の時点を示している。 図5〜図9に従って製造されたオプトエレクトロニクス照明装置を示している。 さらなるオプトエレクトロニクス照明装置を示している。 オプトエレクトロニクス照明装置を製造する方法の流れ図を示している。 第3のキャリアの平面図を示している。 図13のキャリアの側面図を示している。 図3および図4と比較して異なる光学要素を有する、図3のキャリアの平面図を示している。 図15のキャリアの側面図を示している。 レンズの正面図を示している。 図17のレンズの側面図を示している。 円柱レンズの正面図を示している。 図19のレンズの側面図を示している。 さらなる円柱レンズの正面図を示している。 図21の円柱レンズの平面図を示している。
以下では、同じ要素には同じ参照記号が使用されている。
図1は、キャリア101の平面図を示している。
キャリア101は、第1の面103を備えている。キャリア101は、第2の面105を備えている。第1の面103は、第2の面105の反対側に位置している。
キャリア101の第1の面103に、第1の光学要素107が配置されている。第1の光学要素107は、例えばガラス板である。
第2の面105に、第2の光学要素109が配置されている。第2の光学要素109は、例えばガラス板である。
結果として、キャリア101は、互いに反対側の2つの光学要素107,109を備えている。
キャリア101の幾何学形状は、例えば、2つの光学要素107,109のそれぞれの幾何学形状に対応しており、したがって光学要素107,109は、例えば、面103,105の外端と揃うように延在している。
図2は、光学要素107が存在していないキャリア101の面103の側面図を示している。キャリア101は、平行六面体形状を備えている。
キャリア101は、例えばフィルムである。
キャリア101は、例えば可溶性材料または可溶性物質から形成されている。結果として、オプトエレクトロニクス照明装置を製造する方法における個片化ステップの後、キャリア101を溶解させることによってキャリア101を除去することができる。
キャリア101は、一例として、水溶性材料から形成されている。キャリア101は、一例として、溶剤可溶性材料から形成されている。
図3は、第2のキャリア301を平面図で示している。
この場合も図1に類似して、2つの光学要素107,109が、それぞれキャリア301の第1の面103および第2の面105に配置されている。
図4は、図3のキャリア301の側面図を示しており、光学要素107が除去された状態で第1の面103を見ている。
キャリア301は、開口部401を囲む四角形枠として形成されている。開口部401は、一例として、キャリア301からスタンピングによってキャリア材料を除去することによって形成されている。
開口部401は、両側から(すなわち第1の面103からと、第2の面105から)、それぞれ、2つの光学要素107,109の一方によって覆われる。
キャリアの、この実施形態(すなわちキャリア301)では、個片化ステップの後、分割されたキャリア部分をもはや除去する必要がないようにすることを可能にする点で有利である。結果として、これらのキャリア部分は、レーザチップキャリアに残ったままにすることができる。
図5は、オプトエレクトロニクス照明装置を製造する方法における最初の時点を示している。
レーザチップキャリア501を設ける。レーザチップキャリア501は、上面503を備えている。上面503に、電気接触パッド505と、固定パッド507と、電気接触パッド509と、固定パッド511を配置する。この場合、2つの固定パッド507,511を、互いに向かい合うように配置する。
固定パッド507の上にレーザチップ513を配置または固定する。固定パッド511の上にさらなるレーザチップ515を配置または固定する。
2つの固定パッド507,511は、英語では「ダイ取付けパッド」と称される。「ダイ取付けパッド」は、独語ではチップ実装パッドと翻訳される。すなわち固定パッド507,511は、チップ実装パッドとも称される。
2個のレーザチップ513,515は、端面発光型レーザチップである。すなわち2個のレーザチップ513,515は、側面を介してレーザ放射を放出する。より正確には、2個のレーザチップ513,515は、それぞれレーザファセット519およびレーザファセット517を介してレーザ放射を放出する。
すなわち端面発光型レーザチップ513はレーザファセット519を備えており、レーザファセット519を介してレーザチップ513からレーザ放射を取り出すことができる。
レーザチップ515はレーザファセット517を備えており、レーザファセット517を介してレーザ放射を取り出すことができる。
それぞれのレーザチップ513,515の放出方向は、参照記号523を付した矢印によってシンボリックに示してある。
2つの固定パッド507,511が互いに向かい合って配置されているため、2個のレーザチップ513,515も、レーザチップキャリア501の上に互いに向かい合って配置されている。
この場合、それぞれのレーザファセット519,517が互いに向かい合って配置されるように、2個のレーザチップ513,515を配置する。すなわちレーザファセット517はレーザファセット519に面しており、逆も同様である。
それぞれのレーザチップ513,515の電気的接触は、電気接触パッド505,509を介して可能にされている。一例として、2つの電気接続部521が、それぞれ、対応する電気接触パッド505,509から対応するレーザチップ513,515まで通じている。一例として、レーザチップ513,515には、ボンディングワイヤによって電気的に接触されている。
参照記号525を付した波括弧は、ソーイング経路を示しており、オプトエレクトロニクス照明装置を製造する方法における後の時点で、2個のレーザチップ513,515を個片化する目的でこのソーイング経路に沿ってソーイングを行うように意図されている。2本の点線527,529はシンボリックに描かれており、ソーイング経路525の境界を表すように意図されている。
すなわち、したがって、レーザチップキャリア501を2つの部分に分割または切断する目的で、ソーイング経路525に沿ってソーイングを行う。
図6は、オプトエレクトロニクス照明装置を製造する方法における2番目の時点を示しており、この2番目の時点は、時間的に最初の時点の後に続く。
図1のキャリア101を、レーザチップキャリア501の上面503の上における2つのレーザファセット517,519の間に配置する。キャリア101は、配置した後に光学要素107がレーザファセット519に面しており、かつ、光学要素109がレーザファセット517に面しているように、配置する。
キャリア101は、レーザチップキャリア501の上面503に、例えばシリコーンの液滴または接着剤によって固定する。
さらに、レーザファセット519と第1の光学要素107との間に光接続部603を形成する目的で、レーザファセット519と第1の光学要素107との間に光学材料601を導入する。
さらに、レーザファセット517と第2の光学要素109との間に光接続部603を形成する目的で、レーザファセット517と第2の光学要素109との間に光学材料601を導入する。
特に、接着剤、および/または、シリコーンの液滴、および/または、導入した光学材料601を硬化させる。
図7は、オプトエレクトロニクス照明装置を製造する方法の3番目の時点における、さらなるステップを示しており、この3番目の時点は、時間的に2番目の時点の後に続く。
レーザチップキャリア501上に配置されている個々の要素を、ポッティング材料701によってポッティングする。
すなわち、したがって、レーザチップキャリア501の上面503と、電気接触パッド505,509と、固定パッド507,511と、2個のレーザチップ513,515と、ボンディングワイヤ521と、2つの光学要素107,109を有するキャリア101とを、ポッティング材料701によってポッティングする。
この場合、特に、レーザチップキャリア501の上面503をポッティング材料701によって完全にポッティングする。
ポッティングは、例えばいわゆる成形である。すなわち個々の要素が成形体に覆われる。
図8は、オプトエレクトロニクス照明装置を製造する方法の4番目の時点における製造ステップを示しており、この4番目の時点は、時間的に3番目の時点の後に続く。
2個のレーザチップ513,515を個片化する。この目的のため、レーザチップキャリア501をソーイング経路525に沿って分割する(特に、ソーイング法で切り離す)。
キャリア101をソーイング経路525の上に配置したため、キャリア101もソーイング法で切り離される。しかしながら、この場合、個片化中に2つの光学要素107,109を損傷または破壊しないようにする目的で、ソーイングを2つの光学要素107,109の間で行う。
したがって、個片化の後(すなわちソーイング法で切り離した後)、2つのレーザチップキャリア部分801,803が形成される。レーザチップキャリア部分801,803の上には、個片化されたそれぞれのレーザチップ805,807が配置されている。キャリア101もソーイング法で切り離されるため、2つのキャリア部分809,811が形成される。この場合、キャリア部分809には第1の光学要素107が配置されている。キャリア部分811には第2の光学要素109が配置されている。
図9は、オプトエレクトロニクス照明装置を製造する方法の5番目の時点におけるさらなる製造ステップを示しており、この5番目の時点は、時間的に4番目の時点の後に続く。
2つのキャリア部分809,811を除去する。一例として、キャリア101が可溶性材料から形成されているならば、キャリア部分809,811を溶解させる。キャリア101、したがって2つのキャリア部分809,811がフィルムとして形成されているならば、例えば、対応する光学要素107,109からフィルムを除去する(例えば剥がす)。
結果として、それぞれがレーザチップキャリア(この場合にはレーザチップキャリア部分801,803)を備えている2つのオプトエレクトロニクス照明装置901,903が製造され、レーザチップキャリア部分801,803の上にそれぞれ端面発光型レーザチップ513,515が配置されている。それぞれのレーザファセット517,519と光学要素107,109との間に、光学材料601によって光接続部603が形成されている。
図10は、図9のオプトエレクトロニクス照明装置901を示している。
参照記号1001は、ポッティングされたポッティング材料701の側面を指しており、この側面1001は、個片化の結果として、特に、ソーイング法で切り離した結果として生じたものである。この側面1001は、個片化工程に起因して、端面発光型レーザチップのレーザファセットからレーザ放射を取り出すうえで通常では適さない、ある程度の粗さを備えている。
しかしながら、本発明では、レーザチップのレーザファセットの前方に光学要素を配置し、この光学要素を光学材料によってレーザファセットに光学的に接続するため、レーザチップを対象とする、定義済みの光学特性を備えた画成済みの取り出し面が光学要素によって設けられる。
この取り出し面は、オプトエレクトロニクス照明装置901の場合、第2の光学要素109の取り出し面1003である。光学要素109は個片化工程中に損傷しないため、光学要素109の取り出し面1003は、レーザ放射を取り出す目的に効果的に使用することができる。結果として、取り出し面の手間のかかる後処理(例えば機械的後処理または化学的後処理、例えば研磨)がもはや必要ない。結果として、オプトエレクトロニクス照明装置を製造するための時間的コストを低減することができる。
図11は、さらなるオプトエレクトロニクス照明装置1101を横断面図で示している。
オプトエレクトロニクス照明装置を製造する方法において、キャリア101の代わりに、図3のキャリア301が使用されている。結果として、キャリア301をレーザチップキャリア501に残すことができ、後から除去する必要がない。
図11は、個片化ステップの後のオプトエレクトロニクス照明装置1101を示している。簡潔さのため、個片化された要素には、個片化されていない要素と同じ参照記号を使用してある。
この実施形態によれば、オプトエレクトロニクス照明装置1101においては、レーザチップキャリア501上に配置されている個々の要素を黒色ポッティング材料1103によってポッティングする。結果として、光接続部603も黒色ポッティング材料1103によってポッティングされる。しかしながら、このポッティングは、レーザファセット519と光学要素107との間の光接続部の機能を妨げない。
図12は、オプトエレクトロニクス照明装置を製造する方法の流れ図を示している。
本方法は、以下のステップ、すなわち、
− レーザチップキャリアを設けるステップ1201であって、それぞれがレーザファセットを備えた2個の端面発光型レーザチップが、それぞれのレーザファセットが互いに向かい合う状態でレーザチップキャリアの上に配置される、ステップ1201と、
− 互いに反対側に位置する2つの光学要素を備えたキャリアを、レーザチップキャリアの上における2つのレーザファセットの間に配置するステップ1203であって、配置の後に2つの光学要素のそれぞれ一方が2つのレーザファセットの一方に面するように配置する、ステップ1203と、
− それぞれのレーザファセットとそれぞれの光学要素との間に、それぞれの光接続部を光学材料によって形成するステップ1205と、
− 2つの互いに分割されたレーザチップキャリア部分を形成する目的で2個のレーザチップの間でレーザチップキャリアを分割することによって、2個のレーザチップを個片化するステップ1207であって、分割が、2つの光学要素の1つをそれぞれが備えている2つの互いに分割されたキャリア部分を形成する目的で、2つの光学要素の間でキャリアを分割するステップを含む、ステップ1207と、
を含み、
− したがって、それぞれの分割されたレーザチップキャリア部分の上に配置されている2個の個片化されたレーザチップが形成され(1209)、レーザチップのそれぞれのレーザファセットが、それぞれのキャリア部分のそれぞれの光学要素に光学材料によって光学的に接続されている。
個片化は、ソーイング法で切り離すステップ、特に、レーザチップキャリアをソーイング法で切り離すステップと、キャリアをソーイング法で切り離すステップを含む。
図13は、さらなるキャリア1301の平面図を示している。
キャリア1301は、その第1の面103に第1の湾曲部1303を備えている。キャリア1301は、その第2の面105に第2の湾曲部1305を備えている。すなわち、2つの面103,105に湾曲部1303,1305が設けられている。すなわち、湾曲部1303が面103に形成されている。すなわち、湾曲部1305が面105に形成されている。
第1の面103に第1のレンズ1307が配置されている。レンズ1307はレンズ湾曲部1311を備えており、第1の面103の湾曲部1303は、第1のレンズ1307のレンズ湾曲部1311を湾曲部1303に収容することができるように、寸法設計または形成されている。
第2の面105に第2のレンズ1309が配置されている。第2のレンズ1309はレンズ湾曲部1313を備えている。第2の面105の湾曲部1305は、レンズ湾曲部1313を湾曲部1305に収容することができるように、寸法設計または形成されている。
図14は、図13のキャリア1301の面103の側面図を示している。
図15は、図3のキャリア301の平面図を示しており、この場合、図3による2つの光学要素107,109が、対応する面103,105に配置されていない。そうではなく、図13の2枚のレンズ1307,1309が、対応する面103,105に配置されている。
キャリア301が開口部401を備えているため、対応するレンズ湾曲部1311,1313をこの開口部401に収容することができる。
図17は、レンズ1701の正面図を示しており、レンズ1701は例えば球面レンズとして、または、非球面レンズとして形成されている。
レンズ1701は、レンズ湾曲部1703を備えている。
図18は、図17のレンズ1701の側面図を示している。
図19は、円柱レンズ1901の正面図を示しており、円柱レンズ1901は、速軸に沿って偏光しているレーザ放射を平行にするように構成されている。
図20は、図19の円柱レンズ1901の側面図を示している。この側面図には、レンズ1901のレンズ湾曲部1903が見えている。
図21は、さらなる円柱レンズ2101の正面図を示している。円柱レンズ2101は、遅軸に沿って偏光しているレーザ放射を平行にするように構成されている。
図22は、図21の円柱レンズ2101の平面図を示している。この平面図には、円柱レンズ2101のレンズ湾曲部2103が見えている。
要約すれば、本発明は、端面発光型レーザチップからのレーザ放射を効率的に取り出すことを可能にする効果的な技術的コンセプトを提供する。本発明に係る基本的なコンセプトは、具体的には、例えば、2つに分割されるガラス窓(レーザファセットから距離をおいて配置されるキャリアの両側におけるガラス板のことであり、したがってキャリアはスペーサと称することもできる)を、互いに向かい合って位置している2つのレーザファセットの間に配置することにおいて認識することができる。2つに分割されるガラス窓は、例えばレーザファセットの前方におけるソーイングの経路付近に配置する。この場合、2つに分割される窓が2個の端面発光型レーザチップの間に位置決めされて、レーザファセットが互いに向かい合っていることが好ましい。成形またはポッティングされた要素を個片化する工程中に、キャリアがソーイング法で切り離されることが好ましい。しかしながら、この場合、ソーイング工程中にガラス面は損傷せず、依然として光学的な品質を備えている。
キャリアは、例えば可溶性材料から形成されており、可溶性材料は、成形された部品が個片化された後に除去される。可溶性材料は、一例として、水溶性のPVAレジストまたは水溶性のSU8レジストである。したがって、一例として、個々の部品あたり1枚の光学板のみが残る。
キャリアは、例えば接着性のフィルムから形成されており、フィルムは、部品が個片化された後に除去される。
キャリアは、例えば、孔のあいた固体材料(例えば、前面および後面にガラスカバーを備えている管)から形成されており、この固体材料は個片化時にソーイング法で切り離される。この材料の枠部を備えた光学板が、個々の部品に残る。
2つに分割されるガラス窓を配置した後(配置は、例えば、シリコーンの液滴または接着剤の液滴を塗布し、次いで窓を位置決めし、硬化させるステップを含むことができる)、一実施形態によれば、レーザファセットとガラスとの間に光接続部を形成または作製する目的で、レーザファセットとガラスの間にシリコーンの液滴を導入する。したがって、この導入によって、空隙の結果としての屈折率のさらなる差異、あるいは、不透明材料における光出力の吸収が発生しない。その後、一実施形態によれば、パッケージの残りを、不透明なプラスチックを使用しての成形によって封止する。
透明な成形材料(ほぼ透明なポッティング材料または光学ポッティング材料)が使用される場合、一実施形態によれば、レーザファセットとガラス窓との間にシリコーンの液滴を追加的に配置するステップを省く。
本発明に係る技術的なコンセプトから生まれる技術的利点は、特に、極めて有利かつ強力なレーザパッケージを製造できることにおいて認識することができる。
製造工程は、技術的に簡単である。
特に、極めて高い光学品質の取り出しがもたらされる。
特に、窓の場合に被覆表面を使用することが可能である。すなわち、一実施形態によれば、第1の光学要素および/または第2の光学要素に表面被覆を設ける。
特に、空隙が存在しないため、極めて効率的な取り出しがもたらされる。
特に、黒色ポッティング材料が使用される場合、機械的安定性が極めて良好であり、一例として、外観上は不透明なパッケージが形成される。
ポッティング材料は、例えばエポキシである。
結果として、端面発光型レーザチップを備えた単純なSMT部品が提供され、これは有利である。SMT(Surface Mounted Technology)は、「表面実装技術」を表す。
さらには、光学要素の使用(特に、窓の使用)によって、パッケージ(照明装置)の外側からレーザチップのレーザファセットまでの湿気の経路長が増大する。
ここまで本発明について、好ましい例示的な実施形態によって、より具体的に図解して詳しく説明してきたが、本発明は開示した例に制限されず、当業者には、これらの例から、本発明の保護範囲から逸脱することなく別の変形形態を導くことができる。
本特許出願は、独国特許出願第102016101942.9号の優先権を主張し、この文書の開示内容は参照により本明細書に組み込まれている。
101 キャリア
103 キャリアの第1の面
105 キャリアの第2の面
107 第1の光学要素
109 第2の光学要素
301 キャリア
401 開口部
501 レーザチップキャリア
503 上面
505 電気接触パッド
507 固定パッド
509 電気接触パッド
511 固定パッド
513 レーザチップ
515 レーザチップ
517 レーザファセット
519 レーザファセット
521 ボンディングワイヤ
523 レーザチップの放出方向
525 ソーイング経路
527,529 ソーイング経路の境界
601 光学材料
603 光接続部
701 ポッティング材料
801,803 レーザチップキャリア部分
805,807 個片化されたレーザチップ
809,811 キャリア部分
901 オプトエレクトロニクス照明装置
903 オプトエレクトロニクス照明装置
1001 ポッティングされたポッティング材料の側面
1003 光学要素109の取り出し面
1101 オプトエレクトロニクス照明装置
1103 黒色ポッティング材料
1201 設けるステップ
1203 配置するステップ
1205 形成するステップ
1207 個片化するステップ
1209 形成されるステップ
1301 キャリア
1303,1305 湾曲部
1307,1309 レンズ
1311,1313 レンズ湾曲部
1701 レンズ
1703 レンズ湾曲部
1901 円柱レンズ
1903 レンズ湾曲部
2101 円柱レンズ
2103 レンズ湾曲部

Claims (9)

  1. オプトエレクトロニクス照明装置(901,903,1101)を製造する方法であって、以下のステップ、すなわち、
    − レーザチップキャリア(501)を設けるステップ(1201)であって、それぞれがレーザファセット(517,519)を備えた2個の端面発光型レーザチップ(513,515)が、それぞれのレーザファセット(517,519)が互いに向かい合う状態で前記レーザチップキャリア(501)の上に配置される、ステップ(1201)と、
    − 互いに反対側に位置する2つの光学要素(107,109)を備えたキャリア(101,301,1301)を、前記レーザチップキャリア(501)の上における2つのレーザファセット(517,519)の間に配置するステップ(1203)であって、前記配置するステップ(1203)の後に前記2つの光学要素(107,109)のそれぞれ一方が前記2つのレーザファセット(517,519)の一方に面するように配置する、ステップ(1203)と、
    − 前記それぞれのレーザファセット(517,519)とそれぞれの光学要素(107,109)との間に、それぞれの光接続部(603)を光学材料(601)によって形成するステップ(1205)と、
    − 2つの互いに分割されたレーザチップキャリア部分(801,803)を形成する目的で2個のレーザチップ(513,515)の間で前記レーザチップキャリア(501)を分割することによって、前記2個のレーザチップ(513,515)を個片化するステップ(1207)であって、前記レーザチップキャリア(501)の分割が、前記2つの光学要素(107,109)の1つをそれぞれが備えている2つの互いに分割されたキャリア部分(809,811)を形成する目的で、前記2つの光学要素(107,109)の間で前記キャリア(101,301,1301)を分割するステップを含む、ステップ(1207)と、
    を行うことにより、
    − それぞれの分割された前記レーザチップキャリア部分(801,803)の上に配置されている2個の個片化されたレーザチップ(805,807)を形成し、
    それぞれのキャリア部分(809,811)における前記それぞれの光学要素(107,109)に、前記レーザチップ(805,807)の前記それぞれのレーザファセット(517,519)が、前記光学材料(601)によって光学的に接続されている、
    方法。
  2. 前記キャリア(101,301,1301)が、前記個片化するステップ(1207)の後に除去される、請求項1に記載の方法。
  3. 前記キャリア(101,301,1301)が可溶性材料から形成されており、前記キャリア(101,301,1301)の除去が、前記材料を溶解させるステップを含む、請求項2に記載の方法。
  4. 前記キャリア(101,301,1301)が、開口部(401)を囲む枠部として形成されており、前記2つの光学要素(107,109)がそれぞれ前記開口部(401)を覆うように前記キャリア(101,301,1301)の上に配置される、請求項1に記載の方法。
  5. 前記それぞれの光接続部(603)を形成するステップ(1205)のため、2個のレーザチップ(513,515)と、前記2つの光学要素(107,109)を有する前記キャリア(101,301,1301)とが、光学ポッティング材料によってポッティングされることにより、前記それぞれの光接続部(603)が、光学材料(601)としての前記光学ポッティング材料によって形成される、請求項1に記載の方法。
  6. 前記光接続部(603)を形成するステップ(1205)の後、前記2個のレーザチップ(513,515)を個片化するステップ(1207)の前に、前記2個のレーザチップ(513,515)と、前記2つの光学要素(107,109)を有する前記キャリア(101,301,1301)と、前記それぞれの光接続部(603)とが、ポッティング材料によってポッティングされる、請求項1に記載の方法。
  7. 前記レーザチップキャリア(501)の上に前記キャリア(101,301,1301)を配置するステップ(1203)が、前記レーザチップキャリア(501)の上に前記キャリア(101,301,1301)を接着剤によって接着接合するステップを含む、請求項1に記載の方法。
  8. 前記2つの光学要素(107,109)それぞれが、光学要素の次の群、すなわち、球面レンズと、非球面レンズと、記レーザチップ(513,515)によって放出され、かつ、前記レーザチップ(513,515)の速軸の方向または前記レーザチップ(513,515)の遅軸の方向に偏光しているレーザ放射を平行にするコリメータレンズら選択される要素である、請求項1に記載の方法。
  9. 前記キャリア(101,301,1301)が、2つの湾曲部(1303,1305)を備えており、前記2つの湾曲部(1303,1305)が、それぞれの光学要素(1307,1309,1701)のレンズ湾曲部(1311,1313,1703,1903,2103)をそれぞれ収容する、請求項8に記載の方法。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017123798B4 (de) * 2017-10-12 2022-03-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterlaser und Herstellungsverfahren für optoelektronische Halbleiterbauteile
US10931080B2 (en) 2018-09-17 2021-02-23 Waymo Llc Laser package with high precision lens
EP3874596A1 (en) 2018-10-30 2021-09-08 Excelitas Canada Inc. High speed switching circuit configuration
CN112956090A (zh) 2018-11-01 2021-06-11 埃赛力达加拿大有限公司 用于侧面发射激光二极管的四方扁平无引线封装件

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5923479B2 (ja) 1978-06-22 1984-06-02 三菱電機株式会社 半導体発光装置の製造方法
JP2547465B2 (ja) * 1990-05-08 1996-10-23 ローム株式会社 レーザダイオード
JPH0448674A (ja) * 1990-06-14 1992-02-18 Rohm Co Ltd 半導体レーザ
JP2948412B2 (ja) 1992-05-08 1999-09-13 ローム株式会社 側面発光型の半導体発光素子を製造する方法
DE59305898D1 (de) 1993-12-22 1997-04-24 Siemens Ag Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JPH07335980A (ja) * 1994-06-07 1995-12-22 Fuji Electric Co Ltd 半導体レーザ装置
JPH09321384A (ja) * 1996-06-03 1997-12-12 Fuji Electric Co Ltd モールドレーザダイオード
JP3868675B2 (ja) * 1999-08-19 2007-01-17 ローム株式会社 半導体発光装置の製造方法
JP2001168399A (ja) * 1999-12-09 2001-06-22 Rohm Co Ltd チップ型発光装置
US6697399B2 (en) * 2000-05-26 2004-02-24 The Furukawa Electric Co., Ltd. Semiconductor laser module with peltier module for regulating a temperature of a semiconductor laser chip
US6345903B1 (en) * 2000-09-01 2002-02-12 Citizen Electronics Co., Ltd. Surface-mount type emitting diode and method of manufacturing same
US20030007257A1 (en) * 2001-07-06 2003-01-09 Bell Bernard W. Facial contact lens system for laser diode
US6786627B2 (en) * 2001-09-21 2004-09-07 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Light generating module
US7095763B2 (en) 2001-12-17 2006-08-22 Cyberoptics Semiconductor, Inc. Semiconductor wafer carrier mapping sensor
DE10245631B4 (de) * 2002-09-30 2022-01-20 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterbauelement
JP2004152875A (ja) * 2002-10-29 2004-05-27 Nec Compound Semiconductor Devices Ltd 半導体レーザモジュール
US6970491B2 (en) 2002-10-30 2005-11-29 Photodigm, Inc. Planar and wafer level packaging of semiconductor lasers and photo detectors for transmitter optical sub-assemblies
US20060203860A1 (en) * 2005-02-14 2006-09-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Laser device and laser module
CN101128943A (zh) * 2005-02-28 2008-02-20 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 照明装置
US20070058686A1 (en) * 2005-08-16 2007-03-15 Federico Capasso Active optical antenna
JP2007059692A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Sumitomo Electric Ind Ltd 光モジュール
US7269197B2 (en) * 2005-09-21 2007-09-11 Agere Systems Inc. Controlling overspray coating in semiconductor devices
JP2007207921A (ja) * 2006-01-31 2007-08-16 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型光半導体デバイスの製造方法
JP4205135B2 (ja) 2007-03-13 2009-01-07 シャープ株式会社 半導体発光装置、半導体発光装置用多連リードフレーム
DE102008009108A1 (de) * 2008-02-14 2009-08-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers sowie Halbleiterlaser
JP5223552B2 (ja) 2008-05-02 2013-06-26 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体レーザ素子の製造方法
US8189645B2 (en) * 2008-10-13 2012-05-29 Emcore Corporation Adapted semiconductor laser package
WO2010088631A2 (en) 2009-01-30 2010-08-05 Kaiam Corp. Micromechanically aligned optical assembly
TWI463708B (zh) * 2009-02-24 2014-12-01 Advanced Optoelectronic Tech 側面出光型發光元件封裝結構及其製造方法
JP2011003889A (ja) * 2009-05-21 2011-01-06 Nichia Corp 半導体レーザ装置及びその製造方法
JP2011077456A (ja) * 2009-10-01 2011-04-14 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体光素子及び半導体光デバイス
JP5707862B2 (ja) * 2009-11-05 2015-04-30 日亜化学工業株式会社 半導体レーザ装置及びその製造方法
DE102010020625B4 (de) 2010-05-14 2024-02-22 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines kantenemittierenden Halbleiterlasers
DE102010023815A1 (de) * 2010-06-15 2011-12-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelements
DE102010044470B4 (de) * 2010-09-06 2018-06-28 Heraeus Noblelight Gmbh Verfahren zur Beschichtung eines optoelektronischen Chip-On-Board-Moduls, optoelektronisches Chip-On-Board-Modul und System damit
JP2012178434A (ja) * 2011-02-25 2012-09-13 Nichia Chem Ind Ltd 半導体レーザ装置
JP2012212734A (ja) * 2011-03-30 2012-11-01 Nichia Chem Ind Ltd 半導体レーザ装置
US8934512B2 (en) * 2011-12-08 2015-01-13 Binoptics Corporation Edge-emitting etched-facet lasers
EP2820726B1 (en) * 2012-03-02 2018-05-02 Excelitas Canada Inc. Semiconductor laser chip package with encapsulated recess molded on substrate and method for forming same
DE102012217652B4 (de) * 2012-09-27 2021-01-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauteil
US9243761B2 (en) * 2013-02-28 2016-01-26 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical assembly and method for assembling the same, and optical module implemented with optical assembly
DE102013205594A1 (de) * 2013-03-28 2014-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laserbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102013216525A1 (de) 2013-08-21 2015-02-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laserbauelement und Verfahren zum Herstellen eines Laserbauelements
US20160211644A1 (en) * 2015-01-19 2016-07-21 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd Edge-emitting laser chip wafer layout that facilitates on-wafer testing of the lasers

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